Prctica 00 04 agosto 15/ 2013 periodo 2013/03

Informe de la Prctica 00: Programacin nodal y

curva caracterstica del diodo

Eric Santiago Granda, Daniel Ramrez Castaeda.

Laboratorio Electrnica Anloga II, Escuela de Mecatrnica, Facultad de Minas
Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln

Resumen Este documento contiene los resultados de una sesin terico-prctica del curso de electrnica
anloga II, el cual consiste en el aprendizaje del manejo del software Pspice para la simulacin del
comportamiento de circuitos electrnicos, basado en una descripcin nodal que evita o es equivalente a una
descripcin esquemtica del mismo; adems de obtener la curva caracterstica de un diodo.

Palabras Clave Nodo, diodo, semiconductor, polarizacin directa, polarizacin inversa, tensin de codo.

Abstract This document contains the results of a theory-

practice session of course ELECTRONICA ANALOGA II, which
consists of training in the use of Pspice software for simulation of
electronic circuits, based on a description nodal prevents or is
equivalent to a schematic description thereof; addition to obtaining
the characteristic of a diode.
Index Terms Node, diode, semiconductor, direct bias,
reverse bias, voltage elbow.
II. DESARROLLO
A. Procedimiento Terico.
Los esquemas de los circuitos simulados se muestran a
continuacin (ver Figura 1,2). Para la implementacin prctica
solo se tiene en cuenta el circuito del diodo con la resistencia
en serie sin considerar el capacitor.

I. INTRODUCIN

L a descripcin nodal de un circuito es una especie de

cdigo o texto que permite identificar las partes del
mismo sin la necesidad de tener un esquemtico para cada
componente circuital; para ello es fundamental nombrar cada
componente, adems de los nodos, que son puntos de
conexin entre dos elementos y un punto de referencia que se
indica como la tierra del circuito, ya que es exigido por el
software utilizado, en nuestro caso Pspice. Una vez generado
el cdigo se procede a la simulacin, para ello se usa la
herramienta Pspice A/D Lite del software utilizado. El
objetivo de la prctica es determinar la curva caracterstica de
un diodo de silicio con una tensin de codo nominal de 0,7 v a
travs de simulaciones y a travs de un osciloscopio, aunque
por medio de este ltimo mtodo la curva que se obtiene no
ser corriente en el diodo versus voltaje en el mimo, para ello
se conecta una resistencia en serie con el diodo y se determina
su cada de tensin. Finalmente se considera un circuito que
adems de considerar diodo y resistencia, contiene un
elemento almacenador (capacitor). La curva caracterstica de Fig 1. Circuito simulado e implementado en la prctica.
un diodo permite detectar las zonas donde el diodo acta
como conductor y las zonas en las que acta como circuito
abierto.
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Ventrada Vsalida

10

-5

-10

0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06

Time (s)

Fig. 4. Grfica de simulacin con filtro. Curva Vsalida vs t.

B. Simulacin
A continuacin se muestran los cdigos correspondientes a
los circuitos de las Figuras 1,2.
Para el circuito de la Figura 1:
* CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
SIN FILTRO.
Fig. 2. Circuito simulado considerando un elemento almacenador.
VIN 1 0 sin 0 10 60
El valor pico de la seal VIN es igual a 10 V y su frecuencia D1 1 2 D1n4007
RL 2 0 1k
es la frecuencia industrial en Colombia de 60 Hz, el valor de
* DESCRIPCIN NODAL DEL CIRCUITO.
RL es de 1 K y el valor de la capacitancia es de 2200uF.
.MODEL D1n4007 d
Con el circuito de la Figura 1 lo que se tiene es un rectificador +IS=7.02767e-09 RS=0.0341512 N=1.80803 EG=1.05743
de media onda, en los semiciclos negativos, el diodo queda +XTI=5 BV=1000 IBV=5e-08 CJO=1e-11
polarizado inversamente y por la tanto no conduce y el voltaje +VJ=0.7 M=0.5 FC=0.5 TT=1e-07
en la resistencia RL es igual a cero, aunque esta es una +KF=0 AF=1
condicin considerando una tensin de codo para el diodo de * ANALISIS
0V, por lo tanto como la tensin de codo nominal es de 0,7V, .TRAN 5u 10m
entonces cuando VIN es mayor que este valor el diodo .PROBE
conduce y cuando es menor, el diodo est en corte. La Figura .END
Simulacin de la curva caracterstica del diodo Id vs Vd.
3 ratifica lo expuesto anteriormente.
(ver Figura 5).
0.7 ENTRADA SALIDA
10mA

10

5
5mA

0A
-5

-10

-5mA
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Time (s) 0V 0.1V 0.2V 0.3V 0.4V 0.5V 0.6V 0.7V 0.8V 0.9V 1.0V 1.1V
I(D1)
V(1) - V(2)
Fig. 3. Seales de entrada (azul), salida (verde) y tensin de codo del
diodo (roja). Fig. 5. ID vs VD sin capacitor.

La grafica 4 muestra Vsalida vs t con filtro. roja es la

entrada y azul la salida Para el circuito de la Figura 2:
* CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
CON FILTRO.
VIN 1 0 sin 0 10 60
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D1 1 2 D1n4007
RL 2 0 1k
C1 2 0 2200u
* DESCRIPCIN NODAL DEL CIRCUITO.
.MODEL D1n4007 d
+IS=7.02767e-09 RS=0.0341512 N=1.80803 EG=1.05743
+XTI=5 BV=1000 IBV=5e-08 CJO=1e-11
+VJ=0.7 M=0.5 FC=0.5 TT=1e-07
+KF=0 AF=1
* ANALISIS
.TRAN 5u 10m
.PROBE
.END
Fig. 7. Grfica desplegada por el osciloscopio. Curva VRL vs VD.

Simulacin de la curva caracterstica del diodo Id vs Vd

(ver Figura 6).

10.0A Id vs Vd
0,01
0,005
Id vs Vd
0
5.0A 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
-0,005

Fig. 8. Grafica normalizada Id vs Vd. (Id eje vertical en [A], Vd. eje
horizontal en [v})

TABLA 1. Datos para hallar la curva caracterstica del diodo

0A experimentalmente.
0V 0.1V 0.2V 0.3V 0.4V 0.5V 0.6V 0.7V 0.8V 0.9V 1.0V 1.1V 1.2V 1.3V 1.4V 1.5V
I(D1)
V(1) - V(2)
Vd (v) Vr (v) Id (A)
Fig 6. ID VS VD con capacitor. 0 0,04 0
0 0,08 0
0 0,12 0
C. Experimento. 0 0,16 0
Para la parte prctica se monta en el laboratorio el circuito 0 0,2 0
cuyo esquema se muestra en la Figura 1 con un diodo 1n4007
0 0,24 0
con tensin de codo igual a 0,7V y una resistencia de 1k.
Dado que el osciloscopio solo muestra voltajes, entonces no es 0 0,28 0
posible encontrar la curva ID vs VD, para ello se traza la 0 0,32 0
curva de VRL vs VD y se tiene la relacin ID= VRL/RL (1) 0 0,36 0
0 0,4 0
0 0,44 0
III. RESULTADOS EXPERIMENTALES 0 0,48 0
La Figura 7 muestra la grfica desplegada por el osciloscopio 0 0,52 0
para la curva VRL vs VD. 0,4 0,56 0,0004
1 0,6 0,001
3 0,64 0,003
5 0,68 0,005
9 0,72 0,009
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IV. COMPARACIN DE RESULTADOS

En la grfica de simulacin de rectificacin de media onda
(ver figura 3) se puede observar que solo se recorta el
semiciclo negativo de la seal de entrada, mientras que en la
grfica de simulacin de rectificacin de media onda con filtro
e recorta el semiciclo negativo y adems se elimina el rizado
del semiciclo positivo.

En la grfica de simulacin la curva caracterstica del diodo

sin filtro (ver figura 5) la curva crece a partir de 0,4v, en
cambio en la grfica de simulacin de la curva caracterstica
del diodo con filtro (ver figura 6), la curva crece a partir de
0,7v y crece ms despacio a medida que el voltaje del diodo
aumenta.

En la grfica obtenida por el osciloscopio (ver figura 7) se

puede observar que la tensin de codo est muy cerca de
0,7v, lo que es muy parecido en la grfica de simulacin (ver
Figura 5) donde la tensin de codo esta entre 0,6v y 0,7v.
Adems en la grfica de simulacin se puede ver la histresis
que se debe a que la seal alcanza su valor mximo y esta se
devuelve.

V. CONCLUSIONES
*Se pudieron obtener las grficas esperadas de la curva
caracterstica del diodo tanto en simulacin como
experimentalmente.

*La seal recortada se debe a que el diodo solo deja pasar la

corriente en un solo sentido.

*A mayor capacidad elctrica el tiempo de descarga del

capacitor aumenta

*La eliminacin del riso se debe a que el capacitor en el

tiempo de descarga suple la fuente mientras esta manda
corriente en el sentido en el que el diodo se opone.

Referencias
[1] Malik, N. Circuitos Electronicos. Anlisis, Simulacin Y Diseo.
Prentice Hall, 1996
[2] Boylestad, N. Electronica: Circuitos y Dispositivos. Prentice Hall
Latinoamerica. 2005

Eric Santiago Granda Tobn: 1037620403, 04, Ingeniera

Elctrica, 6

Daniel Ramrez Castaeda:1042064102, 04, Ingeniera

Elctrica, 6.