Vous êtes sur la page 1sur 37

FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

UNIDAD ACADEMICA SANTA CRUZ

Facultad de Ciencias y Tecnologa.

Ingeniera de Telecomunicaciones

SEPTIMO SEMESTRE

SYLLABUS DE LA ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA

Elaborado por: Ing. Jos Jaime Barrancos Quiroz


Gestin Acadmica II/2007

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
1
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

UNIDAD ACADEMICA SANTA CRUZ

VISION DE LA UNIVERSIDAD

Ser la Universidad lder en calidad educativa.

MISION DE LA UNIVERSIDAD

Desarrollar la Educacin Superior Universitaria con calidad y


competitividad al servicio de la sociedad.

Estimado (a) estudiante;


El syllabus que ponemos en tus manos es el fruto del trabajo
intelectual de tus docentes, quienes han puesto sus mejores
empeos en la planificacin de los procesos de enseanza
para brindarte una educacin de la ms alta calidad. Este
documento te servir de gua para que organices mejor tus
procesos de aprendizaje y los hagas mucho ms productivos.
Esperamos que sepas apreciarlo y cuidarlo.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
2
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

SYLLABUS

I.- DETALLE DE LA ASIGNATURA

Asignatura: Electrnica de Potencia

Cdigo: ITT - 425

Requisito: ITT - 324

Carga Horaria: 80 horas

Horas tericas 60 horas

Horas practicas 20 horas

Crditos: 4

II. OBJETIVOS GENERALES DE LA ASIGNATURA.

Al finalizar el curso el alumno ser capaz de reconocer componentes de la Electrnica de


Potencia; adems de analizar y disear subsistemas electrnicos de uso comn en la electrnica.

Asimismo determinaremos el funcionamien-to de los dispositivos semiconductores de potencia


como parte fundamental de los sistemas de distribucin y control elctricos.
Evaluar los diferentes elementos de un sistema de potencia a partir de sus componentes
semiconductores.
Implementar y poner en marcha un proyecto de aplicacin.

III. PROGRAMA ANALITICO DE LA ASIGNATURA.

UNIDAD 1: INTRODUCCION.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
3
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

TEMA 1. Conceptos bsicos.

1.1. Introduccin.
1.2. Conmutacin.
1.3. Resea histrica de la electrnica de potencia.
1.4. Ondas senoidales, frecuencia y fase.
1.5. Valor RMS.
1.6. Formas bsicas de la conversin de energa elctrica.
1.7. Convertidores.
1.7.1 Convertidor de CA a CA.
1.7.2 Convertidor de CD a CD.
1.7.3 Ciclo convertidor.

UNIDAD II: DISPOSITIVOS DE POTENCIA.

TEMA 2. Diodos de potencia.

2.1 Introduccin.
2.2 Caractersticas de diodos.
2.3 Rectificadores monofsicos.
2.4 Rectificador monofsico de onda completa.
2.5 Rectificador de puente completo.
2.6 Con transformador y derivacin central.
2.7 Circuitos trifsicos (polifsicos).
2.8 Rectificadores multifase en estrella.
2.9 Rectificadores trifsicos en puente.
2.10 Diseo de circuitos rectificadores.
2.11 Utilizacin de Leds con CA.
2.12 Disipadores.

TEMA 3. Dispositivos de cuatro capas. Tiristores.

3.1. Introduccin.
3.2. Caractersticas. Smbolos, trminos y definiciones de SCRs.
3.3. Tipos de tiristores.
3.4. Tiristores de control de fase.
3.5. Tiristores de conmutacin rpida.
3.6. Tiristores de desactivado por compuerta.
3.7. Tiristores de conduccin inversa.
3.8. Otros tiristores.
3.9. Corriente de sostenimiento y corriente de accionamiento.
3.10. Operacin en tiristores.
3.11. Analoga de un SCR con dos transistores.
3.12. Mtodos de encendido de un SCR.
3.13. El Triac.
3.14. Optoacopladores.
3.15. El Diac.
3.16. El Quadrac .
3.17. Circuitos de disparo.

TEMA 4. Otros dispositivos.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
4
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

4.1. Comparadores de voltaje


4.2. Circuitos temporizadores
4.3. Transistores de potencia

UNIDAD III. CONTROLADORES Y CONMUTACION.

TEMA 5. Rectificadores y Controladores.

5.1. Introduccin.
5.2. Operacin del convertidor operado por fase.
5.3. Semiconvertidores monofsicos.
5.4. Convertidores monofsicos.
5.5. Convertidores trifsicos.
5.6. Mejoras al factor de potencia.
5.7. Diseo de circuitos convertidores.

TEMA 6. Controladores de voltaje AC.

6.1. Introduccin.
6.2. Principios del control on/off.
6.3. Principio del control de fase.
6.4. Controladores monofsicos y trifsicos.
6.5. Controladores de media onda.
6.6. Controladores trifsicos de onda completa.
6.7. Cicloconvertidores.
6.7.1. Monofsicos.
6.7.2. Trifsicos.
6.8. Controladores de voltaje de AC con control PWM.
6.9. Diseo de circuitos de controladores de voltaje AC.

TEMA 7. Tcnicas de conmutacin de tiristores.

7.1. Introduccin.
7.2. Conmutacin natural.
7.3. Conmutacin forzada.
7.4. Diseo de circuitos de conmutacin.
7.5. Varistores.

UNIDAD IV. MOTORES.

TEMA 8. Control de motores elctricos.

8.1. Motores de DC, caractersticas y operacin.


8.2. Motores asncronos, caractersticas y operacin.
8.3. Motores sncronos, caractersticas y operacin.
8.4. Motores de induccin, caractersticas y operacin.

IV.- ACTIVIDADES A REALIZAR EN LA COMUNIDAD.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
5
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Consideramos que la formacin de nuestros estudiantes esta basada en tres pilares: Acadmico,
Investigativo y la Interaccin con la comunidad, denominando a esta triada el aprendizaje
productivo, que implica el desarrollo de procesos cognitivos superiores y complejos que son
superiores a los meramente de repeticin memorstica (conductivista), aplicacin de formulas y
algoritmos prefabrica-dos para la solucin del problema.
El enfoque que daremos es la construccin (constructivismo) del conocimiento combinando el trabajo
de aula y laboratorio (Universidad) con el trabajo de campo (comunidad) en condiciones que estarn
estructuradas por la naturaleza y caractersticas de cada proyecto y materia.
El trabajo social comunitario de la Universidad esta dirigido a los sectores ms deprimidos de la
sociedad y esta destinado a la:

Investigacin e identificacin de los problemas ms acuciantes de las comunidades ms


pobres.
Elaboracin de proyectos de desarrollo comunitario para dar solucin a los problemas
detectados, considerando una gestin financiera con instituciones nacionales e internacionales
que apoyan con recursos.
Implementacin de los respectivos proyectos.

La ejecucin de diferentes programas de interaccin social y la elaboracin e implementacin de


proyectos de desarrollo comunitario derivados de dichos programas confiere a los estudiantes,
quienes son, sin dudas, los ms beneficiados con esta iniciativa, la posibilidad de:

Desarrollar sus prcticas pre-profesionales en condiciones reales y tutorados por sus docentes
con procesos acadmicos de enseanza y aprendizaje de verdadera aula abierta.
Trabajar en equipos, habitundose a ser parte integral de un todo que funciona como unidad,
desarrollando un lenguaje comn, criterios y opiniones comunes y plantendose metas y
objetivos comunes para dar soluciones en comn a los problemas.
Realizar investigaciones multidisciplinarias en un momento histrico en que la ciencia atraviesa
una etapa de diferenciacin y en que los avances tecnolgicos conllevan la aparicin de nuevas y
ms delimitadas especialidades.
Desarrollar una mentalidad, crtica y solidaria, con plena conciencia de nuestra realidad nacional.

El trabajo a realizar en esta asignatura es de apoyo a iniciativas que requieran mayor compromiso
con las sociedades deprimidas, donde la relacin materia problema social sea ms directo y un
desempeo mas visible .

i.- Tipo de asignatura para el trabajo social

Directamente vinculada

ii.- Resumen de los resultados del diagnstico realizado para la deteccin de los problemas a
resolver en la comunidad.

De acuerdo a informacin obtenida por los estudiantes de nuestra Universidad, las unidades
educativas pblicas en colegios secundarios del departamento tienen un dficit en la enseanza
de las matemticas y un ndice alto de reprobacin, especialmente reflejado en el ingreso a la
universidad.

iii.- Nombre del proyecto

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
6
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Elaborar una base de datos con los proyectos de desarrollo sostenible requeridos por los
sectores mas deprimidos.

iv.- Contribucin de la asignatura al proyecto

Se realizara el levantamiento de la informacin, considerando grupos focales, de funcionarios de


la Prefectura del Dpto., Alcaldas, Organizaciones Sociales para recuperar las necesidades de la
poblacin mas necesitada y traducirlo en un proyecto de grado, que aportara a la Base de Datos
que la universidad tendr para orientar los proyectos de las diferentes carreras.

v.- Actividades a realizar durante el semestre para la implementacin de los proyectos.

Detallamos en el cuadro adjunto

Nombre del proyecto: Apoyo a iniciativas de la carrera


Trabajo a realizar por Localidad, aula o Incidencia social Fecha
los estudiantes laboratorio
Directamente vinculado Colegios secunda- Investigacin grupo focal Antes del 1er parcial
rios fiscales (est.)
Directamente vinculado Colegios secunda- Investigacin grupo focal Antes del 2do parcial
rios fiscales. (prof)
Directamente vinculado Aula Informe de conclusiones Antes del Ex. Final

V. EVALUACIN DE LA ASIGNATURA. El examen final consistir en la presentacin y


defensa de un proyecto que se realizar a lo
PROCESUAL O FORMATIVA. largo de todo el semestre.
Cada uno de estos exmenes tendr una
En todo el semestre se realizarn preguntas calificacin entre 0 y 50 puntos.
escritas, exposiciones de temas, trabajos
prcticos adems de las actividades 1 evaluacin parcial
planificadas para las Brigadas UDABOL. Fecha
Nota
Estas evaluaciones tendrn una calificacin
entre 0 y 50 puntos.

PROCESO DE APRENDIZAJE O
SUMATIVA.

Se realizarn dos evaluaciones parciales con


contenidos tericos y prcticos, incluyendo la
evaluacin del avance del Proyecto Final.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
7
FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA

Apuntes

2 evaluacin parcial
Fecha
Nota

Examen final
Fecha
Nota

V. BIBLIOGRAFIA.

BASICA

Martnez, Salvador, Electrnica de


potencia, Ed. Prentice Hall. 2006.
(Signatura topogrfica: 621.381 M36 c.2)

COMPLEMENTARIA

Maloney Electrnica Industrial., Ed.


Prentice-Hall. 1992
Boylestad R., Electrnica. Teora de
Circuitos, Ed. Prentice Hall, 1999.
Boylestad R., Fundamentos de
Electrnica, Ed. Prentice Hall, 1998.
Grainger John J.,. Stevenson, William D.
Power System Anlisis, McGraw-Hill.
2000.

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
8
VII. PLAN CALENDARIO

SEMANA ACTIVIDADES OBSERVAC.

TEMA 1. Introduccin
30 de julio al 4 de agosto
6 al 11 de agosto TEMA 1. Introduccin
13 al 18 de agosto TEMA 2. Dispositivos de Potencia
20 al 25 de agosto TEMA 2. Dispositivos de Potencia
27 de agosto al 1 de sept TEMA 3. Dispositivos de 4 capas
3 al 8 de septiembre TEMA 3. SCR EVAL PARC I
10 al 15 de septiembre Tema 3.- TRIAC Presentacin de notas
10 al 15 de septiembre Tema 3.- GTO
17 al 22 de septiembre TEMA 4, Otros Dispositivos
24 al 29 de septiembre TEMA 4. Otros Dispositivos
1 al 6 de octubre TEMA 4. Otros Dispositivos
8 al 13 de octubre TEMA 4. Otros Dispositivos
15 al 20 de octubre TEMA 6. UPS
22 al 27 de octubre TEMA 6. UPS de alta
EVAL PARC 2
potencia
29 de oct al 3 de nov TEMA 6. Controladores de Voltaje AC Presentacin de notas
29 de oct al 3 de nov TEMA 7 Controladores
5 al 10 de noviembre TEMA 8. Circuitos de Conmutacin
12 al 17 de noviembre TEMA 8. Circuitos de Conmutacin
19 al 24 de noviembre TEMA 9, Motores
26 de nov al 1 de dic TEMA 9, Motores
3 al 8 de diciembre DISCUSIN PROYECTOS FINALES
10 al 15 de diciembre IMPLEMENTACIN PROYECTOS FINALES Examen final
17 al 21 de diciembre Examen final
extraordinario
17 al 21 de diciembre Presentacin de notas
PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 1

UNIDAD O TEMA: INTRODUCCION

TITULO: Electrnica de Potencia. Dispositivos

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa

Introduccin microprocesadores, microcontroladores, etc.


Esta combinacin deriv en una nueva
Electrnica de Potencia es la parte de la tecnologa, que integra en un mismo
electrnica que estudia los dispositivos y los dispositivo, elementos de control y elementos
circuitos electrnicos utilizados para modificar de potencia. Esta tecnologa es conocida
las caractersticas de la energa elctrica, como Smart-Power y su aplicacin en la
principalmente su tensin y frecuencia. Esta industria, automovilstica, telecomunicaciones,
rama de la electrnica no es reciente, aunque etc. tiene como principal inters la disipacin
se puede decir que su desarrollo ms de elevadas potencias en superficies
espectacular se produjo a partir de la semiconductoras cada vez ms pequeas.
aparicin de los elementos semiconductores,
y ms concretamente a partir del ao 1957, El trmino Electrnica de Potencia, cubre una
cuando Siemens comenz a utilizar diodos amplia serie de circuitos electrnicos en los
semiconductores en sus rectificadores. cuales el objetivo es controlar la transferencia
de energa elctrica. Se trata por tanto de una
El dispositivo que marca un antes y un disciplina comprendida entre la Electrotecnia
despus es sin duda el Tiristor (SCR), y la Electrnica. Su estudio se realiza desde
Semiconductor Controlled Rectifier, cuyo dos puntos de vista: el de los componentes y
funcionamiento se puede asemejar a lo que el de las estructuras.
sera un diodo controlable por puerta. A partir
de aqu, la familia de los semiconductores Durante los aos ochenta se consiguieron
crece rpidamente: Como los Transistores bastantes avances, tales como reduccin de
Bipolar (BJT) Bipolar Junction Transistor; la resistencia en conmutacin de los
MOSFET de potencia; Tiristor bloqueable por transistores MOSFETs, aumento de la
puerta (GTO), Gate turn-off Thyristor; IGBT, tensin y la corriente permitida en los GTOs,
Insulate Gate Bipolar Transistor; etc. gracias a desarrollo de los dispositivos hbridos
los cuales, las aplicaciones de la electrnica MOSBIPOLAR tales como los IGBTs, as
de potencia se han multiplicado. como el incremento de las prestaciones de los
circuitos integrados de potencia y sus
Una nueva dimensin de la electrnica de aplicaciones.
potencia aparece cuando el control de los
elementos de potencia se realiza mediante la Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya
ayuda de sistemas digitales, que poseen una mayor velocidad de
conmutacin, un rea de operacin segura anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de
ms grande y un funcionamiento ms sencillo, potencia tienen una gran influencia en varias
en aplicaciones de reguladores de alta reas de la electrnica de potencia.
frecuencia y precisin para el control de
motores. Para concluir, decir que tecnolgicamente se
tiende a fabricar dispositivos con mayores
Los GTOs son empleados con mucha velocidades de conmutacin, con capacidad
frecuencia en convertidores para alta para bloquear elevadas tensiones, permitir el
potencia, debido a las mejoras en los paso de grandes corrientes y por ltimo, que
procesos de diseo y fabricacin, que tengan cada vez, un control ms sencillo y
reducen su tamao y mejoran su eficiencia. econmico en consumo de potencia. En la
Aparecen los IGBTs, elementos formados figura 1.1 se pueden observar las limitaciones
por dispositivos Bipolares y dispositivos MOS, de los distintos dispositivos semiconductores,
estos dispositivos se ajustan mucho mejor a en cuanto a potencia controlada y frecuencias
los altos voltajes y a las grandes corrientes de conmutacin. Dispositivos que pueden
que los MOSFETs y son capaces de controlar elevadas potencias, como el Tiristor
conmutar a velocidades ms altas que los (100000 KVA) estn muy limitados por la
BJTs. frecuencia de conmutacin (0.5 KHz), en el
lado opuesto los MOSFETs pueden
Los IGBTs pueden operar por encima de la conmutar incluso a frecuencias de hasta 1000
banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la KHz pero la potencia apenas alcanza los 10
reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el KVA, en la franja intermedia se encuentran los
control de convertidores de potencia. A BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs
mediados de los aos ochenta aparecen los permiten una mayor frecuencia de
dispositivos MCT que estn constituidos por conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control
unin de SCRs y MOSFETs. de potencias de unos 2000 KVA, por ltimo
los IGBTs parecen ser los mas ideales para
aplicaciones que requieran tanto potencias
como frecuencias intermedias.

En la figura 1.2 se pueden apreciar algunas


de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, as
como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutacin alcanzadas y su previsible
evolucin futura, Destacar la utilizacin de
SCRs en centrales de alta potencia; los GTO
s para trenes elctricos; Mdulos de
Transistores, mdulos de MOSFETS, IGBTs
y GTOs para sistemas de alimentacin
ininterrumpida, control de motores, robtica
(frecuencias y potencias medias, altas), etc.

En la dcada de los noventa los SCRs van


quedando relegados a un segundo plano,
siendo sustituidos por los GTOs.

Se incrementa la frecuencia de conmutacin


en dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras
que los BJTs son gradualmente
reemplazados por los dispositivos de potencia
Fig 1. 2 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.

CUESTIONARIO WORK PAPER No. 1

1. Qu estudia la Electrnica de potencia?


2. Cules son los dispositivos de potencia ms empleados y por qu?.
3. Qu condiciones y caractersticas debe tener los dispositivos de potencia?
4. Realice la comparacin de los diferentes dispositivos por la frecuencia y potencia que pueden
manejar.
5. En qu consiste la tecnologa Smart Power.
6. Qu caractersticas tcnicas tienen: Diodo de potencia, BJT de potencia, SCR, Diac, Triac,
GTO, IGBT y MOSFET de potencia?
7. Definir aplicaciones especficas de los dispositivos de potencia en el rea de
Telecomunicaciones.
PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 2

UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

TITULO: Diodos de potencia

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa

EL DIODO DE POTENCIA Los diodos de potencia se caracterizan porque


en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta
Definicin, simbologa y composicin
intensidad con una pequea cada de
tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte
tensin

negativa de nodo con una pequea


intensidad de fugas.

Uno de los dispositivos ms importantes de


los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes
limitaciones: son dispositivos unidireccionales,
no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conduccin. El nico
procedimiento de control es invertir el voltaje
entre nodo y ctodo.
El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede


ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una


difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Formacin de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen
cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes
denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de deplexin, de
vaciado, etc.

Los diodos, conocidos generalmente como A medida que progresa el proceso de


rectificadores, son puertas de una sola va. Ellos difusin, la zona de carga espacial va
lo permiten el paso de la corriente incrementando su anchura profundizando en
Los diodos pn son uniones de dos materiales los cristales a ambos lados de la unin. Sin
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por embargo, la acumulacin de iones positivos
lo que tambin reciben la denominacin de en la zona n y de iones negativos en la zona
unin pn. Hay que destacar que ninguno de p, crea un campo elctrico (E) que actuar
los dos cristales por separado tiene carga sobre los electrones libres de la zona n con
elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de una determinada fuerza de desplazamiento,
electrones y protones es el mismo, de lo que que se opondr a la corriente de electrones y
podemos decir que los dos cristales, tanto el p terminar detenindolos.
como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Este campo elctrico es equivalente a decir
que aparece una diferencia de tensin entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial
(V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si
los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una


vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los
cristales est mucho ms dopado que el otro,
la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina


diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una
diferencia de potencial externa, se dice que
no est polarizado. Al extremo p, se le
denomina nodo, representndose por la letra
A, mientras que la zona n, el ctodo, se
representa por la letra C (o K).
Aplicaciones del diodo de potencia Este generador de escalera esta constituido
por detector de pico de media onda de gran
De entre las mltiples aplicaciones del diodo constante de tiempo seguido de un sistema
de potencia destacamos el Generador de de descarga con un PUT (programado a 9[v]).
escalera. Los escalones tienen una duracin igual al
Generador de escalera periodo de la tensin de red, permitindonos
un periodo de control de aproximadamente
0,26 seg. Es decir 13 escalones de 20mS,
que es el periodo de la red, la cantidad de
escalones varia con la tensin de alterna
aplicada al diodo y con la resistencia seguida
de este.

El estudiante deber ampliar esta informacin, consultando el captulo 3 del libro base de la
asignatura: Electrnica de Potencia de Muhamad Raschid (existente en la Universidad)

CUESTIONARIO WORK PAPER No. 2

1.- Cuales son los parmetros mas importantes en un diodo de potencia?, explicar
2.- Que es el tiempo de recuperacin inversa del diodo?
3.- Cuales son las carctersticas estticas de un diodo de potencia?, explicar
4.- Cuales son las carctersticas dinmicas de un diodo de potencia?, explicar
5.- Cuales son las carctersticas trmicas de un diodo de potencia?, explicar
5.- A partir de una hoja de datos tcnicos de un diodo de potencia. Extraer los diferentes datos y
explicar.
6.- Mostrar 3 aplicaciones de Diodos de Potencia.
PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 3

UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

TITULO: Transistor BJT de potencia

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Segunda Etapa

Transistor Bipolar, BJT frecuencias por debajo de 10KHz y son muy


efectivos hasta en aplicaciones que requieran
El transistor bipolar es conocido como un 1.200 V y 400 A como mximo.
elemento amplificador de seal. En el
contexto de los componentes electrnicos de Caractersticas del transistor bipolar.
Potencia, es usado como un dispositivo de
conmutacin, ya que, dispone de las El funcionamiento y utilizacin del transistor
caractersticas que lo convierten en un de potencia es idntico al del transistor
conmutador casi ideal. normal, teniendo como caracterstica especial
la capacidad de soportar altas tensiones e
A diferencia del transistor bipolar normal, en el intensidades y por tanto elevadas potencias a
cual, la zona de trabajo ms importante es la disipar.
lineal, en el transistor de potencia los estados
ms importantes de funcionamiento son Los parmetros a tener en cuenta en el
saturacin y corte. Estos dos estados se transistor bipolar son:
corresponden con los estados cerrado y
abierto del conmutador ideal. IC = Intensidad mxima que puede circular
por el Colector
VCE0 = Tensin de ruptura de colector con
base abierta, (mxima tensin C-E
que se puede aplicar en extremos del
transistor sin provoca la ruptura)
Pmax = Potencia mxima
Tensin en sentido directo
Fig. 2.12. Transistor de Potencia. Simbologa Corriente de fugas
Frecuencia de corte
VCBO = Tensin de ruptura colector - base
Los transistores bipolares de alta potencia se con base abierta
utilizan fundamentalmente para trabajar con
VEBO = Tensin de ruptura emisor - base VCEO = Tensin de ruptura colector
con base abierta emisor, con base abierta.
VCEOSUS = Tensin de ruptura por un VCER = Tensin colector emisor con
aumento excesivo de la corriente de colector resistencia de base especificada.
y de la tensin C E. VCEX = Tensin colector emisor con
circuito especificado entre base emisor.
En funcin de la polarizacin B-E, se pueden VCEV = Tensin colector emisor con
definir otras caractersticas: tensin especificada entre base emisor.
VCES = Tensin colector emisor con unin
base emisor cortocircuitada.

En relacin con los parmetros definidos La primera ruptura se debe a un aumento


anteriormente, se puede decir que la VCEmx excesivo de la tensin C-E. Sin embargo, la
depende esencialmente de tres factores que ruptura secundaria se produce cuando la
son: tensin C-E y la corriente de colector
aumentan excesivamente, de tal forma que
La polarizacin base - emisor. sta ltima se concentra en una pequea
El gradiente de tensin (dV/dt). rea de la unin de colector polarizado
La estructura interna del transistor inversamente. La concentracin de corriente
(tecnologa de fabricacin). forma un punto caliente (falta de uniformidad
en el reparto de la corriente) y el dispositivo
Los transistores bipolares de potencia se destruye trmicamente. Este tipo de
presentan durante la conmutacin un ruptura podr presentarse tanto en turn on
fenmeno complejo conocido como efecto de como en turn off.
segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha
se denomina primera ruptura, la segunda La figura 2.13 muestra la caracterstica
ruptura se puede definir como la ruptura de la tensin - intensidad de un transistor NPN
unin debido a efectos trmicos localizados bipolar de potencia. Al igual que en uno de
(creacin de puntos calientes). pequea potencia, se pueden distinguir tres
zonas:
Activa,
Corte
Saturacin.

Fig. 2.13. Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.

rea de Funcionamiento seguro (SOA). Zona 1: (IC(mx) continuous). Representa el


mximo valor de corriente que puede circular
Los datos proporcionados por la curva de por el colector para una tensin colector
salida incluida en las hojas de caractersticas emisor dada. El funcionamiento del transistor
suministradas por el fabricante del dispositivo, con corrientes mayores puede dar lugar a la
en las que se muestran los valores de la ruptura del mismo.
corriente IC en relacin con la tensin colector-
emisor VCE, no son suficientes para conocer si Zona 2: (DC operation dissipation limites).
el transistor BJT se encuentra trabajando en un Este tramo indica la mxima disipacin de
punto seguro, sin sobrepasar los lmites potencia del dispositivo. Es la zona en la cul
trmicos. Para ello se suministra la curva SOA el producto de IC y VCE proporciona la
(Safe Operating Area). Esta curva est definida disipacin mxima del dispositivo. Si esta
por aquellos puntos que cumplen que el curva es sobrepasada se producen
producto IC VCE no sobrepase la mxima sobrecalentamientos y la destruccin del
potencia disipable permitida por el transistor transistor.
elegido, es decir, definen el rea de
funcionamiento seguro del transistor. Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido
para evitar la destruccin del dispositivo por el
En la figura 2.18 adems de la curva para un fenmeno de ruptura o avalancha secundaria.
funcionamiento continuo del transistor, se
encuentran otras curvas similares, con un rea Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el
mayor. Estas curvas indican el funcionamiento lmite debido a la tensin de ruptura primaria
seguro del transistor cuando trabaja en del transistor e indica la mxima tensin que
conmutacin en los tiempos establecidos por la puede soportar el dispositivo en estado de
grfica. bloqueo
Fig. 2.18. Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25C. (Cortesa de RCA
Bipolar Power Devices)

Proteccin del BJT. Esta realimentacin positiva puede causar la


destruccin del dispositivo.
Sobre intensidades.
Los fusibles no se pueden utilizar para
Las sobre intensidades estn asociadas al proteger el BJT, ya que, la accin del
periodo de saturacin del transistor. Cuando transistor es mucho ms rpida que la del
aumenta la corriente IC si la tensin VCE es fusible.
elevada, la disipacin de potencia se
incrementa y se puede llegar a alcanzar la Sobre tensiones
mxima temperatura de la unin.
Las sobre tensiones estn asociadas al
estado de corte del transistor bipolar. En este
Conforme la corriente IC aumenta, la potencia
estado se debe prestar especial atencin a la
disipada aumenta y por tanto tambin la
posibilidad de ruptura primaria del dispositivo,
temperatura; la resistencia interna del
tambin llamada ruptura por avalancha
transistor RCE disminuye (resistencia con
(cuando se sobrepasa la tensin mxima
coeficiente negativo de temperatura), por lo
permitida). Las cargas minoritarias aceleradas
que circular ms corriente por el dispositivo
por el campo de la unin, producido por la
se disipar ms potencia que provocar un
polarizacin inversa, colisionan rompiendo las
nuevo aumento del calor y as sucesivamente.
uniones y produciendo ms cargas, las cuales
tambin son aceleradas, producindose una
realimentacin y la conduccin final del
dispositivo.

Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensin son
eliminados de la misma forma para los
transistores como para cualquier otro tipo de
dispositivo semiconductor. El estudiante deber ampliar esta
Las inductancias limitan el tiempo de informacin, consultando el captulo 4 del libro
variacin de la corriente y los condensadores base de la asignatura: Electrnica de
limitan el tiempo de variacin de la tensin. Potencia de Muhamad Raschid (existente en
la Universidad)
Las redes snubber en serie estn constituidas
por una bobina LS y se usan para limitar el CUESTIONARIO WORK PAPER No. 3
tiempo de subida de la corriente del transistor
dic/dt en el paso a conduccin. 1.- Cules son los parmetros que
caracterizan al transistor BJT de potencia?
Si la corriente IC crece muy rpidamente, 2.- Generalmente los transistores de potencia
conforme decrece la tensin VCE puede funcionan entre corte y saturacin, de manera
darse el fenmeno de ruptura secundaria. que deben conmutar, alternadamente, entre
las dos zonas de trabajo. Por qu es
El valor de la inductancia LS puede ser necesario disminuir los tiempos de
calculado a partir de la relacin. conmutacin del transistor de potencia?
3.- Defina y caracterice las zonas de trabajo
La inductancia LS se coloca en serie con la del BJT de potencia
fuente de alimentacin Vcc. 4.- Explique las diferentes protecciones a
tener en cuenta con el BJT de potencia.
Para cargas inductivas, durante el paso a 5.- Muestre 2 aplicaciones del BJT de
corte la tensin VCE no debe incrementarse potencia.
muy rpidamente a medida que la corriente
de colector decae, ya que, tambin podra

darse el fenmeno de ruptura secundaria.

Una red snubber en paralelo, formada por un


condensador soluciona este inconveniente.
Sabiendo que al final del paso a corte VCE =
Vcc y que se puede calcular el valor del
condensador
PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

WORK PAPER # 4

UNIDAD O TEMA: DISPOSITIVOS DE POTENCIA

TITULO: Dispositivos de cuatro capas

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Etapa Final

DEFINICION:

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes


de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma
extensa en los circuitos electrnicos de
potencia. Se operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que
los Tiristores son interruptores o
conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y
limitaciones. Pero en esta ocasin solo
estudiaremos al SCR y GTO.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y estructura pnpn


SCR
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO Y
SIMBOLOGIA Y COMPOSICIN: CURVAS:
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de Cuando el voltaje del nodo se hace positivo
cuatro capas de estructura pnpn con tres con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3
uniones pn tiene tres terminales: nodo tienen polarizacin directa o positiva. La unin
ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una
smbolo del tiristor y una seccin recta de tres pequea corriente de fuga del nodo al
uniones pn. Los tiristores se fabrican por ctodo. Se dice entonces que el tiristor est
difusin. en condicin de bloqueo directo o en estado
desactivado llamndose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje
nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica
lo suficientemente grande la unin J2 caracterstica v-i comn de un tiristor.
polarizada inversamente entrar en ruptura. Una vez que el tiristor es activado, se
Esto se conoce como ruptura por avalancha y comporta como un diodo en conduccin y ya
el voltaje correspondiente se llama voltaje de no hay control sobre el dispositivo. El tiristor
ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 seguir conduciendo, porque en la unin J2
y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un no existe una capa de agotamiento de vida a
movimiento libre de portadores a travs de las movimientos libres de portadores. Sin
tres uniones que provocar una gran corriente embargo si se reduce la corriente directa del
directa del nodo. Se dice entonces que el nodo por debajo de un nivel conocido como
dispositivo est en estado de conduccin o corriente de mantenimiento IH , se genera
activado. una regin de agotamiento alrededor de la
unin J2 debida al nmero reducido de
La cada de voltaje se deber a la cada portadores; el tiristor estar entonces en
ohmica de las cuatro capas y ser pequea, estado de bloqueo. La corriente de
por lo comn 1V. En el estado activo, la mantenimiento es del orden de los
corriente del nodo est limitada por una miliamperios y es menor que la corriente de
impedancia o una resistencia externa, RL, tal enganche, IL.
y como se muestra en la fig. 2.

Esto significa que IL>IH . La corriente de


Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica V - I mantenimiento IH es la corriente del nodo
mnima para mantener el tiristor en estado de
La corriente del nodo debe ser mayor que un rgimen permanente. La corriente de
valor conocido como corriente de enganche mantenimiento es menor que la corriente de
IL, a fin de mantener la cantidad requerida de enganche.
flujo de portadores a travs de la unin; de lo Cuando el voltaje del ctodo es positivo con
contrario, al reducirse el voltaje del nodo al respecto al del nodo, la unin J2 tiene
ctodo, el dispositivo regresar a la condicin polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3
de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es tienen polarizacin inversa.
la corriente del nodo mnima requerida para Esto es similar a dos diodos conectados en
mantener el tiristor en estado de conduccin serie con un voltaje inverso a travs de ellos.
inmediatamente despus de que ha sido El tiristor estar en estado de bloqueo inverso
activado y se ha retirado la seal de la y una corriente de fuga inversa, conocida
como corriente de fuga inversa IR, fluir a
travs del dispositivo.
Activacion del tiristor

Un tiristor se activa incrementndola corriente


del nodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.

Trmica. Si la temperatura de un tiristor es


alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las
corrientes de fuga. Este aumento en las
corrientes har que 1 y 2 aumenten.
Debido a la accin regenerativa ( 1+ 2)
puede tender a la unidad y el tiristor pudiera
activarse. Este tipo de activacin puede Fig.3 Efectos de la corriente de compuerta
causar una fuga trmica que por lo general se sobre el voltaje de bloqueo directo.
evita.

Luz. Si se permite que la luz llegue a las APLICACIONES:


uniones de un tiristor, aumentaran los pares Tiene variedad de aplicaciones entre ellas
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. tenemos:
La activacin de tiristores por luz se logra
permitiendo que esta llegue a los discos de
silicio. Controles de relevador.

Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a Circuitos de retardo de tiempo.


ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO, fluir una corriente de fuga Fuentes de alimentacin reguladas.
suficiente para iniciar una activacin
Interruptores estticos.
regenerativa. Este tipo de activacin puede
resultar destructiva por lo que se debe evitar. Controles de motores.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del Recortadores.
voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de
carga de las uniones capacitivas puede ser Inversores.
suficiente para activar el tiristor. Un valor alto
de corriente de carga puede daar el tiristor Cicloconversores.
por lo que el dispositivo debe protegerse
Cargadores de bateras.
contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican
el dv/dt mximo permisible de los tiristores. Circuitos de proteccin.
Corriente de compuerta. Si un tiristor est Controles de calefacctin.
polarizado en directa, la inyeccin de una
corriente de compuerta al aplicar un voltaje Controles de fase.
positivo de compuerta entre la compuerta y
las terminales del ctodo activar al tiristor.
Conforme aumenta la corriente de compuerta,
se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y
como aparece en la fig.3
Se emplean en la rectificacin controlada y en
Una aplicacin comn del SCR es en un
todas las tcnicas de potencia que se
regulador cargador de batera.
emplean para modificar toda la
representacin de la energa elctrica. Otra aplicacin del SCR que se describir se
Unas cuantas aplicaciones del SCR pueden muestra en la siguiente figura, el cual es un
ser un interruptor esttico, un sistema de sistema de iluminacin de emergencia de una
control de fase, un cargador de bateras, un sola fuente que mantendr la carga en una
controlador de temperatura, y un sistema de batera de 6 V para asegurar su disponibilidad
luces de emergencia y brindar tambin energa cd a una lmpara
Un interruptor esttico serie de media onda se elctrica si hay una interrupcin elctrica..
muestra en la figura . Si el interruptor se cierra
como se muestra en la figura , circular una
corriente de compuerta durante la parte
positiva de la seal de entrada, disparando al
SCR.

TIPOS DE SCR:
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente
por difusin. La corriente del nodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda
el rea de la unin, desde el punto cercano a
la compuerta cuando inicia la seal de la
compuerta para activar el tiristor. Para
controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el
tiempo de desactivacin, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Fig 4.Smbolo y Estructura del GTO
Dependiendo de la construccin fsica y del
comportamiento de activacin y
desactivacin, en general los tiristores pueden PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR). Tiristor de apagado de puerta. Es un tiristor de
2. Tiristores de conmutacin rpida potencia. La puerta tiene influencia sobre el
(SCR). resto de las uniones y eso permite el apagado
3. Tiristores de desactivacin por por la puerta.
compuerta (GTO). La tpica forma de onda de la corriente de
4. Tiristores de triodo bidireccional compuerta de un tiristor GTO de alta potencia
(TRIAC). se muestra en la fig.5. Un tiristor GTO
5. Tiristores de conduccin inversa requiere una mayor corriente de compuerta
(RTC). para encendido que un SCR comn. Para
6. Tiristores de induccin esttica grandes aparatos de alta potencia se
(SITH). necesitan corrientes de compuerta del orden
7. Rectificadores controlados por silicio de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita
activados por luz (LASCR) una gran pulsacin de corriente negativa de
8. Tiristores controlados por FET (FET- entre 20 y 30s de duracin. La pulsacin de
CTH) corriente negativa debe ser de un cuarto a un
9. Tiristores controlados por MOS sexto de la corriente que pasa por el aparato.
(MCT)
CARACTERSTICAS TCNICAS:
COMENTARIOS: Un SCR
Las caractersticas son idnticas a las del
1. Se activa cuando el voltaje VD que lo
SCR.
alimenta excede VBO
El disparo se realiza mediante una VGK >0
2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
nivel se controla por la cantidad de Las caractersticas de apagado son un poco
corriente iG, presente en el SCR diferentes. Cuando un voltaje negativo es
aplicado a travs de las terminales gate y
3. Se desactiva cuando la corriente iD ctodo, la corriente en el gate (ig), crece.
que fluye por l cae por debajo de IH Cuando la corriente en el gate alcanza su
mximo valor IGR, la corriente de nodo
4. Detiene todo flujo de corriente en
comienza a caer y el voltaje a travs del
direccin inversa, hasta que se supere
dispositivo (VAK), comienza a crecer. El
el voltaje mximo inverso.
tiempo de cada de la corriente de nodo (IA)
5. Es un interruptor casi ideal.
es abrupta, tpicamente menor a 1 s. Despus
6. Rectificador fcilmente controlable.
de esto, la corriente de nodo vara
7. Relativa rapidez
lentamente y sta porcin de la corriente de
GTO
nodo es conocido como corriente de cola.
APLICACIONES: dos SCR en paralelo e invertidos, de tal
manera que este dispositivo puede controlar
Las aplicaciones del GTO son las mismas que corriente en cualquier direccin.
el tiristor SCR Normalmente, tiene una tensin de ruptura alta
y el procedimiento normal de hacer entrar en
COMENTARIOS: conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso
de disparo de puerta (positivo o negativo). La
La ventaja del bloqueo por puerta es que no figura a muestra su smbolo y la figura b su
se precisan de los circuitos de bloqueo modelo equivalente basado en dos SCR
forzado que requieren los SCR. conectados en oposicin.
La desventaja es que la corriente de puerta Ejemplos tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y
tiene que ser mucho mayor por lo que el el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC de
generador debe estar mas dimensionado. Motorola con corrientes de 8A (MAC97-8)
El GTO con respecto al SCR disipa menos hasta 350 A (MAC224A4).
potencia.

TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es
un SCR bidireccional que se comporta como

TRIAC con acoplado ptico (opto coupler sincronizar seales de la red elctrica con
TRIAC) seales de control del LED para ajustar el
ngulo de conduccin.
Los TRIACs acoplados pticamente combinan
un diodo emisor de luz (LED) con un TRIAC Como ejemplo de estos circuitos se encuentra
el MOC3009 (Motorola) que necesita una
corriente en el LED de 30mA para disparar el
foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que
nicamente requiere l0mA. Cuando el LED
est apagado, el foto-TRIAC est bloqueado
conduciendo una pequea corriente de fuga
denominada IDRM (peak-blocking current).
Cuando el diodo conduce, dispara al foto-
TRIAC pudiendo circular entre l00 mA y 1A. Al
foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo no ser un dispositivo que soporte grandes
encapsulado opaco con un esquema niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en
mostrado en la figura. Al no existir conexin muchos casos acta sobre el control de un
elctrica entre la entrada y la salida, el acoplo TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se
es unidireccional (LED al foto-TRIAC) y indica en la figura 12.20. En este circuito, una
permite un aislamiento elctrico entre ambos seal digital (por ejemplo, una seal de un
dispositivos de hasta 7500 V (typ). Adems, microcomputador) activa el opto-acoplador que
algunos foto-TRIAC incluyen una circuito de a su vez activa el TRIAC de potencia conectado
deteccin de paso por cero que permite a la red elctrica; el valor de R est
comprendido entre 50Q y 500Q.

El transistor UJT o de uni-unin El transistor de uni-unin (unijunction transistor)


o UJT est constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos:
dos bases y un emisor. En la figura aparece la representado en la figura b est constituido por
estructura fsica de este dispositivo. El emisor un diodo que excita la unin de dos
est fuertemente dopado con impurezas p y la resistencias internas, R1 y R2, que verifican
regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la RBB = R1+ R2. Cuando el diodo no conduce, la
resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar
interbase, es elevada (de 5 a 10KQ estando el como
emisor abierto). El modelo equivalente

intrnseca.

El modelo de este dispositivo utilizando


transistores se muestra en la figura c, cuya
estructura es muy similar a un diodo de cuatro
capas. Cuando entra en conduccin los
transistores la cada de tensin en R1 es muy
baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura
En donde VB1B2 es la diferencia de tensin d.
entre las bases del UJT y es el factor de
divisin de tensin conocido como relacin

El estudiante deber ampliar esta informacin, consultando el captulo 5 del libro base de la
asignatura: Electrnica de Potencia de Muhamad Raschid (existente en la Universidad)

Preguntas Work Paper 4.

1.- Explique que son los dispositivos de cuatro capas..


2.- Detalle el funcionamiento de un SCR, un GTO y un TRIAC
3.- Cmo funciona un UJT?
4.- Cmo funciona un opto triac?
5.- Muestre aplicaciones de: SCR, GTO, TRIAC y OPTO TRIAC

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD


DIFS #1

UNIDAD O TEMA: CONVERSORES

TITULO: Conversor DC - DC

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Primera Etapa

CONVERSOR DC-DC de alimentacin CC (Switch Mode Power


Supplies, SMPS) para equipamiento
Los conversores conmutados en alta electrnico, control de mquinas elctricas de
frecuencia son circuitos de potencia donde los corriente continua, etc.
semiconductores de potencia, conmutan a una
frecuencia mucho mayor que la de variacin de Apoyndose en los sitios WEB recomendados,
las formas de onda de entrada y salida del en la bibliografa de la materia u otra
conversor. Esto permite emplear filtros pasa- bibliografa especializada, buscar informacin
bajos para eliminar los componentes acerca de los siguientes conversores:
armnicos no deseados. No podemos usar la
inversin de la forma de onda de entrada Conversor Buck y Conversor Boost
para bloquear los semiconductores, como se Modo de conduccin continua
hace con los conmutados por la red. Los Modo de conduccin discontinua
interruptores debern entonces controlarse al Lmite entre ambos modos
conducir y bloquear.
Sitios WEB recomendados
Los conversores DC-DC forman parte de este
grupo de convertidores, ya que controlan el www.comunidadelectronicos.com
flujo de energa entre dos sistemas de www.todoelectronica.com
continua. Ejemplos de aplicacin son: fuentes www.aprenderelectronica.tk

CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):


COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)

GRUPO (mximo cinco integrantes):


AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA
PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

DIFS #2

UNIDAD O TEMA: MOTORES

TITULO: Control de motores elctricos

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Segunda Etapa

En un motor de corriente continua, el sentido Motores de DC, caractersticas y


de giro, determina el signo de la tensin en operacin.
sus bornes. Motores asncronos, caractersticas y
La mquina de corriente continua puede operacin.
funcionar como motor cuando consume Motores sncronos, caractersticas y
energa o como generador cuando cede operacin.
energa a la red, dependiendo de la polaridad Motores de induccin, caractersticas y
en sus bornes. operacin.
La Electrnica de Potencia sirve para Sitios WEB recomendados
controlar diversos tipos de motores, tales
como: motores paso a paso, unipolares, www.irf.com
veinticuatro pasos, entre otros (sncronos) y www.eupec.com
motores de induccin (asncronos). www.ijnfineon.com
www-us.semiconductorsphilips.com
Se formarn grupos de cinco estudiantes para www.mailingelectronica.com
investigar y debatir acerca de:

CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):


COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)

GRUPO (mximo cinco integrantes):


AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

DIFS #3

UNIDAD O TEMA: CONVERTIDORES DE POTENCIA

TITULO: Clasificacin de los convertidores

FECHA DE ENTREGA:

PERIODO DE EVALUACIN: Etapa Final


Los convertidores de potencia se pueden Contactor de corriente
clasificar segn el modo de conmutacin y Variador de corriente
segn el tipo de conversin. Rectificador
Los conversores de potencia se pueden Ondulador
clasificar segn el tipo de conversin de Convertidor de corriente
energa que realizan, independientemente del Convertidor de corriente bidireccional
tipo de conmutacin utilizada para su
Convertidor de frecuencia directo
funcionamiento. De ah que se puedan
Convertidor de frecuencia con circuito
encontrar:
intermedio

Basado en la bibliografa de la materia,


realizar un resumen de las caractersticas
fundamentales de cada uno de los tipos de
conversores. Se formarn grupos de hasta
cuatro estudiantes para realizar la exposicin
y debate.

CONCLUSIONES (debern sintetizar la opinin del grupo):

COMENTARIOS (debern sintetizar la opinin del grupo)


FACULTAD DE INGENIERIA

GRUPO (mximo cinco integrantes):


AP. PATERNO AP. MATERNO NOMBRES FIRMA

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

VISITA TECNICA # 1

TITULO O TEMA: Dispositivos de Potencia


LUGAR: Hansa Ltda.
FECHA POSIBLE:5 de agosto de 2006
RECURSOS NECESARIOS:

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
FACULTAD DE INGENIERIA

Los estudiantes debern tomar apuntes de la explicacin del Ing. Torrico, Jefe del rea de
automatizacin y control de la Empresa, adems de solicitar manuales y hojas tcnicas de los
diferentes dispositivos

OBJETIVOS:
Apreciar los dispositivos electrnicos de potencia en forma fsica.
Verificar las caractersticas tcnicas de los dispositivos.
Ver los dispositivos de potencia en funcionamiento.
Realizacin de mediciones tcnicas.

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

VISITA TECNICA # 2

TITULO O TEMA: Dispositivos de Potencia

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A
FACULTAD DE INGENIERIA

LUGAR: OMTEC.
FECHA POSIBLE:12 de agosto de 2006
RECURSOS NECESARIOS:
Los estudiantes debern tomar apuntes de la explicacin del Ing. Martn Rivera, Gerente
Propietario de la Empresa, adems de solicitar manuales y hojas tcnicas de los diferentes
dispositivos

OBJETIVOS:
Apreciar los dispositivos electrnicos de potencia en forma fsica.
Verificar las caractersticas tcnicas de los dispositivos.
Ver los dispositivos de potencia en funcionamiento.
Realizacin de mediciones tcnicas.

FORMA DE EVALUACION: Los estudiantes presentarn un informe de la visita

U N I V E R S I D A D D E A Q U I N O B O L I V I A