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Ecole Nationale Suprieure d Electronique et de Radiolectricit de Grenoble

Ecole Nationale Suprieure de Physique de Grenoble

Option Microtechnologies et microsystmes

Conception de circuits analogiques

Laurent Fesquet

Laurent Fesquet, 2000. 1


Pr-requis :

- Connaissances lmentaires en lectronique analogique


- Connaissances des fonctions de base de llectronique numrique

But de cet enseignement

Lobjectif de cet enseignement est de donner les connaissances ncessaires en lectronique


analogique intgre aux tudiants de lEcole Nationale Suprieure de Physique de Grenoble pour
mettre en forme un signal issu dun capteur ou destination dun micro-actionneur. Cette
comptence se veut complmentaire de la conception microtechnologique. En effet, les tudiants
devront tre mme de raliser un microsystme complet intgrant capteurs, actionneurs et
chanes analogiques de traitement des signaux.

Laurent Fesquet, 2000. 2


Avant-propos

Laurent Fesquet, 2000. 3


Exemple dun dispositif de mise en forme du signal pour un microsystme

Convertisseur lectro-thermique
grande constante de temps

Caractristiques :
A large suspended mass
(800x800x288 m3)
1 heat evacuation arm (HE)
11 HTIB support beams
Shared control electronics
for all HTIB support beams

Laurent Fesquet, 2000. 4


Exemple dun dispositif de mise en forme du signal pour un microsystme

Vue Layout du microsystme


et de son lectronique

Laurent Fesquet, 2000. 5


Exemple dun dispositif de mise en forme du signal pour un microsystme

Il est ncessaire de disposer dun amplificateur pour mettre en forme le signal du capteur lectro-thermique.

Utilisation de comptences en conception de circuits analogiques

Laurent Fesquet, 2000. 6


Plan du cours :
Conception de circuits analogiques

1. Introduction la technologie CMOS et BiCMOS (composants passifs, transistors)

2. Rappel de la modlisation de la diode, du transistor MOS et du transistor bipolaire

3. Amplification linaire avec des transistors MOS et bipolaires

4. Transconducteurs diffrentiels MOS et bipolaires

5. Gnrateur de courant, charge active, miroir de courant

6. Autres structures analogiques

7. Amplificateur tages (Exemple : lamplificateur oprationnel)

8. Filtrage analogique intgr (Active-RC, Gm-C, capacits commutes)

Laurent Fesquet, 2000. 7


1. Introduction la technologie CMOS et BiCMOS

Laurent Fesquet, 2000.


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants passifs : Composants passifs :

Rsistances Diodes
Capacits Transistors PMOS
Transistors NMOS
Inductances (Techniques spcifiques) Transistors bipolaires NPN
Transistors bipolaires PNP

Technologie BICMOS :
Technologie CMOS :
Diodes
Tous les composants sauf les inductances
Transistors MOS (P,N)
Rsistances
Capacits
Transistors PNP (astuce !)

Laurent Fesquet, 2000. 9


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants passifs :

Rsistances
fabriqus avec du
polysilicium

Laurent Fesquet, 2000. 10


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Mtal
Rsistances
fabriqus avec du Polysilicium
polysilicium

Substrat P

Laurent Fesquet, 2000. 11


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Rsistances ralises
avec une diffusion n

Laurent Fesquet, 2000. 12


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Rsistances ralises
avec une diffusion p

Laurent Fesquet, 2000. 13


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Mtal
P+

Pdiff

N+

Caisson N

Substrat P

Laurent Fesquet, 2000. 14


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants passifs :
Capacit

Laurent Fesquet, 2000. 15


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor NMOS

Laurent Fesquet, 2000. 16


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor NMOS

Contact Grille Polysilicium

SiO2 S

N+ N+
D
L

Substrat P

Laurent Fesquet, 2000. 17


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor PMOS

Laurent Fesquet, 2000. 18


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor PMOS
Grille Polysilicium
Contact
SiO2

P+ P+

Caisson N
Substrat P

Laurent Fesquet, 2000. 19


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor PNP

Laurent Fesquet, 2000. 20


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Composants actifs :
Transistor PNP

E B C

P+
N

Laurent Fesquet, 2000. 21


Introduction la technologie CMOS et BICMOS

Exemple de layout :
la porte logique AND

Laurent Fesquet, 2000. 22


2. Rappel de la modlisation de la diode,
du transistor MOS et du transistor bipolaire

Laurent Fesquet, 2000.


La jonction PN

Vd

+ -
+ -
+ - P
N
+ -
+ -
+ -

V KT
I d = I S exp d 1 avec VT = = 25 mV 27 C
VT q

Laurent Fesquet, 2000. 24


La diode jonction PN

+ - - +
N + - P - +
+ - - +
- - - - - - -
+ +
Rs + + + + + + + + + +

Rsistance daccs :
V = Vd + R.S.Id

Recombinaison de porteurs dans la zone de charge espace :


V
I d = I S exp d 1 avec 1.1 < n < 1.2 pour le silicium
nVT

Laurent Fesquet, 2000. 25


La diode jonction PN
Modlisation grands signaux

Id
Rs

Vd
V

En polarisation directe : Vd > 5n .VT


V I
I d I S exp d soit Vd n.VT . ln d
nVT IS
I
On a donc : V = n.VT . ln d + RS . I d
IS
En polarisation inverse : Vd < -5n .VT
Id = -IS

Laurent Fesquet, 2000. 26


La diode jonction PN
Modlisation petits signaux

Rsistance dynamique :
V n.VT n
rd = d = = 27C
I d Id 40. I d

Capacit de transition Ct :
Cette capacit correspond la capacit de la jonction. Elle est utilise pour modliser la diode
polarise en direct et en inverse.
C to
Ct -
Vd + - +
1 N + - P -
+
V0 -
+ - - - - - - - - +
Cto est proportionnel Aj. +
+ + + + + + + + + ++
1 1
< <
3 2
0.7 V < V0 < 1.1 V

Capcit de diffusion :
Elle est lie au temps de recouvrement des porteurs majoritaires par des porteurs minoritaires
injects.
Q Q I d
Cd = = . soit C d = .
Vd I d Vd rd
Dure de vie ou temps de recouvrement :

Laurent Fesquet, 2000. 27


La diode jonction PN
Modlisation petits signaux

Schma quivalent en petit signal :

Polarisation directe : Vd > 5VT


n.VT
rd =
Id

Cd =
rd
C to
Ct
Vd
1
V0

id

vd

Laurent Fesquet, 2000. 28


La diode jonction PN
Modlisation petits signaux

Polarisation inverse : Vd < -5VT et Id = -Is


C to
Ct
Vd
1
V0
On notera que : Vd < 0 et Ct < Cto

id

vd

Laurent Fesquet, 2000. 29


La diode jonction PN
Comportement en temprature

Laurent Fesquet, 2000. 30


Modlisation du transistor MOS
Grille Polysilicium

SiO2 S

NMOS N+ N+
D
L

Vds Substrat P
Vgs Grille Polysilicium
Vss
SiO2
PMOS
P+ P+
Vds Caisson N
Vgs
Substrat P

Laurent Fesquet, 2000. 31


Modlisation du transistor MOS
Rgions de fonctionnement

Vds Rgion active

Vds=Vgs-Vtn=Vds_sat
Sous
le
seuil
Rgion ohmique
Vtp
Vtn Vgs
Rgion ohmique Sous
le
seuil Domaine de la faible inversion :
Vds=Vgs-Vtp=Vds_sat utilisation en faible consommation
Exemple : la montre quartz

Rgion active

Laurent Fesquet, 2000. 32


Modlisation du transistor MOS
Modle simplifi du MOS
Caractristiques

Ids=f(Vsat) Isd=f(Vsat)
Ids Isd
Rgion ohmique Rgion ohmique
Vgs3 Vsg3

Vgs2 Vsg2

Vgs1 Vsg1

Rgion active Rgion active

Vsat1 Vds Vsat1 Vsd


Vsat3 Vsat3
NMOS : Vsat = Vgs - Vtn avec Vtn > 0 PMOS : Vsat = Vsg - |Vtp| avec Vtp < 0

Laurent Fesquet, 2000. 33


Modlisation du transistor MOS
Modle simplifi du MOS
Polarisation

D S
G B G B
S D

NMOS : Vsat = Vgs - Vtn avec Vtn > 0 PMOS : Vsat = Vsg - |Vtp| avec Vtp < 0

Vds et Vgs > 0 Vsd et Vsg > 0


Vsb = V(S) - Vss Vbs = Vdd V(S)

Laurent Fesquet, 2000. 34


Modlisation du transistor MOS
Phnomne Physique

Vgs

Grille Polysilicium

G
S D
N+ N+ Cration d un canal entre drain et source
Vsb E(Vgb) pour Vgs = Vtn

Substrat P B On notera que Vtn = Vtn0 + KB.VSB

Vss

Laurent Fesquet, 2000. 35


Modlisation du transistor MOS
Phnomne Physique

Vds Vgs

Grille Polysilicium
G
S D
N+ N+ Zone Ohmique
E(Vds)
Vgs > Vtn0 et 0 < Vds < Vgs Vtn0
Substrat P B

Vss Le MOS se comporte comme un canal rsistif contrl en tension entre le drain et la source
Ids est contrl par Vgs Vtn0 et Vd

Laurent Fesquet, 2000. 36


Modlisation du transistor MOS
Phnomne Physique

Vds Vgs

Grille Polysilicium
G
S D
N+ N+
Zone active
E(Vgs, Vds)
Vgs > Vtn0 et Vds > Vgs Vtn0
Substrat P B

Vss Ids dpend de principalement de Vgs Vtn0


Vds a galement une influence sur Ids : cest leffet Early

On observe un pincement du canal du ct du drain

Laurent Fesquet, 2000. 37


Modlisation du transistor MOS
Zone ohmique

Transistor NMOS

Vds < Vgs - Vtn

W
( V gs Vtn ).Vds Vds
2
I ds = n .C ox .
L 2
avec Cox : capacit doxyde de grille inversement proportionnelle lpaisseur doxyde
avec n : mobilit dans le canal
On prendra pour Vtn lapproximation suivante : Vtn Vtn 0 + 0.2.V sb (prise en compte de leffet substrat)

On peut simplifier la formule car Vds est petit :


I ds = n .C ox . [(V gs Vtn ).Vds ]
W
L
1
On a donc une rsistance commande en tension par Vgs-Vtn avec Ron =
.(V gs Vtn )
W
n .C ox .
L

Laurent Fesquet, 2000. 38


Modlisation du transistor MOS
Zone ohmique

Transistor NMOS
Vds < Vgs - Vtn

Modle petit signal :


I ds W I ds
- Transconductance gm : g m = = n .C ox . .Vds =
V gs L V gs Vtn
I
- Transconductance gmb : g mb = ds 0.2 g m (effet substrat)
Vsb

En rsum :
W
I ds = n .C ox .
L
[ ]
(Vgs Vtn ).Vds
Le NMOS se comporte comme une rsistance commande en tension par Vgs-Vtn
1
avec Ron =
n .C ox . .(V gs Vtn )
W
L

Laurent Fesquet, 2000. 39


Modlisation du transistor MOS
Zone active

Transistor NMOS

Vds > Vgs - Vtn

.(Vgs Vtn ) 1 + en .Vds


W 2 K
I ds = n .Cox .
2L L
avec Kep : constante de correction pour leffet Early
On prendra pour Vtn lapproximation suivante : Vtn Vtn 0 + 0.2.Vsb (prise en compte de leffet substrat)

Si lon considre que leffet early est ngligeable, on obtient la formule simplifie :
I ds = n .C ox . .(V gs Vtn )
W 2

2L
Le transistor se comporte comme une source de courant commande par Vgs et Vsb

Laurent Fesquet, 2000. 40


Modlisation du transistor MOS
Zone active

Transistor NMOS
Vds > Vgs - Vtn
Modle petit signal :

I ds
= n .C ox . .(V gs Vtn ) = 2. n .C ox . . I ds =
W W 2. I ds
- Transconductance gm : g m =
V gs L L V gs Vtn
I
- Transconductance gmb : g mb = ds 0.2 g m
Vsb

En rsum :

Si lon nglige leffet early, on obtient la formule :


I ds = n .C ox . .(V gs Vtn )
W 2

2L
Le transistor se comporte comme une source de courant commande par Vgs et Vsb
V L
La rsistance dynamique de sortie vaut : rds = ds =
I ds K en . I ds

Laurent Fesquet, 2000. 41


Modlisation du transistor MOS
Zone ohmique

Transistor PMOS
Vsd < Vsg - |Vtp|

(
W
)
I sd = p .C ox . Vsg Vtp .Vsd
L
V sd2
2

avec Cox : capacit doxyde de grille inversement proportionnelle lpaisseur doxyde
avec p : mobilit dans le canal
On prendra pour Vtp lapproximation suivante : Vtp Vtp 0 0.2.V sb < 0 (prise en compte de leffet substrat)

On peut simplifier la formule car Vsd est petit :


[(
I sd = p .C ox .
W
L
) ]
V sg Vtp .Vsd
1
On a donc une rsistance commande en tension par Vsg-|Vtp| avec Ron =
(
W
p .C ox . Vsg Vtp
L
)

Laurent Fesquet, 2000. 42


Modlisation du transistor MOS
Zone ohmique

Transistor PMOS
Vsd < Vsg - |Vtp|

Modle petit signal :


I sd W I sd
- Transconductance gm : g m = = p .C ox . .V sd =
V sg L V sg Vtp
I sd
- Transconductance gmb : g mb = 0 .2 g m
Vbs

En rsum :
W
I sd = p .C ox .
L
[( ) ]
V sg Vtp .V sd
Le PMOS se comporte comme une rsistance commande en tension par Vsg-|Vtp|
1
avec Ron =
W
(
p .C ox . V sg Vtp
L
)

Laurent Fesquet, 2000. 43


Modlisation du transistor MOS
Zone active

Transistor PMOS
Vsd > Vsg - |Vtp|

W
I sd = p .Cox .
2L
( )2
Vsg Vtp 1 +
K ep
.Vsd
L
avec Kep : constante de correction pour leffet Early
On prendra pour Vtp lapproximation suivante : Vtp Vtp 0 0.2.Vsb < 0 (prise en compte de leffet substrat)

Si lon considre que leffet early est ngligeable, on obtient la formule simplifie :
I sd = p .Cox .
W
2L
( )
Vsg Vtp
2

Le transistor se comporte comme une source de courant commande par Vsg et Vbs

Laurent Fesquet, 2000. 44


Modlisation du transistor MOS
Zone active

Transistor PMOS
Vsd < Vsg - |Vtp|

Modle petit signal :

- Transconductance gm : g m =
I sd
Vsg
W
( ) W
= p .Cox . . Vsg Vtp = 2. p .Cox . . I sd =
L L
2. I sd
Vsg Vtp
I sd
- Transconductance gmb : g mb = 0.2 g m
Vbs

En rsum :

En ngligeant leffet early, on obtient la formule suivante :


I sd = p .Cox .
W
(
2L
)
Vsg Vtp
2

Le transistor se comporte comme une source de courant commande par Vsg et Vbs
V L
La rsistance dynamique de sortie vaut : rds = ds =
I ds K ep . I sd

Laurent Fesquet, 2000. 45


Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites

L
S G D

Cos Cox Cod

N+ CBC
N+

CjSB
CjDB

Substrat P
B

Leff

Ld Ld
Laurent Fesquet, 2000. 46
Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites

Capacits doxyde :

La capacit doxyde de grille est constitue de 3 capacits :


- une capacit de recouvrement entre grille et source, Cgs0
- une capacit grille-canal, Cgc
- une capacit de recouvrement entre grille et drain, Cgd0

Formules :

Cox = ox
t ox
Coxt = C ox .W .Leff
C gs 0 = C gd 0 = W .Ld .C ox
C gc = C oxt

Dans la zone ohmique, on a : Dans la zone active, on a :


1 2
C gs = C gs 0 + C oxt C gs = C gs 0 + C oxt
2 3
1 C gd = C gd 0
C gd = C gd 0 + C oxt
2 En effet, cela est d au pincement du canal ct drain

Laurent Fesquet, 2000. 47


Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites

Capacits de jonction :

Les capacits de jonction sont constitues de 3 capacits :


- une capacit de jonction canal-substrat, Cbc
- une capacit de jonction source-substrat, Csb
- une capacit de jonction drain-substrat, Cdb

Si le MOS est dans un puits, il faut ajouter une capacit


de jonction puits-substrat, Cjwell

A cela, il faut ajouter les capacits dinterconnexion !

Laurent Fesquet, 2000. 48


Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites
Formules :
Cj
C jbc = mj
Vbc Cbct = C jbc .W . Leff On notera que j est le potentiel intrinsque de la
1 jonction et que As et Ad sont respectivement la
C jsbt = As .C jsb
j surface de la source et du drain
Cj C jdbt = Ad .C jdb
C jbc = mj
Vbc
1

j
Cj
C jbc = mj
V
1 bc

j

Dans la zone ohmique, on a :


1
C sb = C jsbt + C bct
2
1
C db = C jdbt + C bct
2
Dans la zone active, on a :
2
C sb = C jsbt + C bct
3 Cela est d au pincement du canal ct drain
C db = C jdbt

Laurent Fesquet, 2000. 49


Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites

Zone ohmique : schma quivalent petit signal (HF)

Laurent Fesquet, 2000. 50


Modlisation du transistor MOS
Modle petit signal avec capacits parasites

Zone active : schma quivalent petit signal (HF)

Laurent Fesquet, 2000. 51


Modlisation du transistor Bipolaire

NPN

Symboles et structure lectrique


E B C

N+
P
N

Technologie dintgration

Laurent Fesquet, 2000. 52


Modlisation du transistor Bipolaire

Vbc

Modle d Ebers-Moll :
Modlisation du bipolaire dans les 4 rgions
Rgion inverse Rgion sature
Modle de Gummel-Poon :
Ebers-Moll avec modlisation du gaint en courant
et de la frquence de transition FT en fonction de Ic
Polarisation directe Vbe
Polarisation inverse

Rgion bloque Rgion active

Applications analogiques

Laurent Fesquet, 2000. 53


Modlisation du transistor Bipolaire
Modle simplifi du bipolaire dans la zone active

iC iB5

iB4

iB3
Saturation
iB2
Rgion active
iB1

VSat VCE

Laurent Fesquet, 2000. 54


Modlisation du transistor Bipolaire

Emetteur Base Collecteur


Recombinaison trs incomplte

Vbe > 0 Vbc < 0

- (inj) -(dif) - -
+(rec) E
Ie Ic
-(rec)+(dif) +(inj)

NE NB NB
Ib

Recombinaison complte WB

Recombinaison faible dans la base : - la base est troite


- elle est faiblement dope par rapport lmetteur

Laurent Fesquet, 2000. 55


Modlisation du transistor Bipolaire

Vbe NB : Niveau de dopage dans la base


Ie = Isn. exp( )
VT WB : Largeur de la base
Ae.Dn Dn : Coefficient de diffusion des lectrons
Isn Ae : Surface de lmetteur
NB.WB

Vbe
Ib = Isp. exp( ) NE : niveau de dopage dans lmetteur
VT
Ae.Dp Lp : longueur de diffusion dans lmetteur
Isp Dp : coefficient de diffusion des trous
NE.Lp

Comme le recouvrement dans la base est faible (WB petit), Ic Ie. On en dduit le gain en
courant :
Ic Ie NE.Lp.Dn
= =
Ib Ib NB.WB.Dp
On en dduit immdiatement que est facilement grand si :
20 17
- NE (10 ) >> NB (5. 10 )
- WB est petit (0.1 0.3 m)

Laurent Fesquet, 2000. 56


Modlisation du transistor Bipolaire
Modle petit signal

Calcul de la transconductance gm

Ic Ic
gm = = = 40.Ic 27C
Vbe VT

Calcul de la rsistance dynamique de sortie rce


Vce V A
rce = = (effet Early)
Ic Ic

Calcul de la rsistance dynamique dentre rbe


Vbe Vbe Ic
rbe = = =
Ib Ic Ib gm

Gm, rce et r dpendent du courant de polarisation Ic

Tension Early Ic

-VA Vce
Laurent Fesquet, 2000. 57
Modlisation du transistor Bipolaire

Modle petit signal - capacits parasites

Capacit Cbe

On considre que la jonction base-metteur est polarise en direct,


soit Vbe > 0 pour un NPN

Cbe0
Cbe = 1/ 2
+ gm.Tf
Vbe
1 V
Cbe0 la surface Ae de la jonction base-metteur
WB 2
Tf = est le temps de transit des porteurs dans la base
2 Dn
V 1 V

Laurent Fesquet, 2000. 58


Modlisation du transistor Bipolaire

Modle petit signal - capacits parasites

Capacit Cbc

On considre que la jonction base-collecteur est polarise en inverse,


soit Vbc < 0 pour un NPN

Cbc0
Cbc = 1/ 2
Vbc
1 V '
Cbc0 la surface Ab de la jonction base-collecteur
V ' 0.8 V

Capacit Ccs

On considre que la jonction collecteur-substrat est polarise en inverse,


soit Vcs < 0 pour un NPN
Ccs0
Ccs = 1/ 2
Vcs
1 V ' '

Ccs 0 la surface Ac de la jonction collecteur-substrat
V ' ' 0.8 V

Laurent Fesquet, 2000. 59


Modlisation du transistor Bipolaire
Structures des transistors bipolaires NPN

B E C
n+ p
p+ Rb
p+ n+ p+
n
n

n+
Rc

Rsistances daccs dun transistor NPN

1
Rb Ae : surface de la jonction base-metteur La base et le collecteur sont connects par
Ae
1 des rgions fortement dopes afin de rduire
Rc Ab : surface de la jonction base-collecteur les rsitances parasites Rc et Rb
Ab

Laurent Fesquet, 2000. 60


Modlisation du transistor Bipolaire
Structures des transistors bipolaires NPN

B E C
n+ p
p+
p+ SiO2 SiO2 n+ SiO2
n

n+
p

Afin de rduire encore les dimensions latrales, on utilise des rgions oxydes.
polysilicium
Les oxydes isolent les composants entre eux la place des diffusions disolation.

De plus, le fait de connecter lmetteur par du polysilicium augmente et le rend


insensible la temprature. La base est galement contacte par du polysilicium.
Cela permet dloigner les contacts de la base et de lmetteur dans les technologies
submicroniques.

Laurent Fesquet, 2000. 61


Modlisation du transistor Bipolaire
Structures des transistors bipolaires PNP

B E C
n+ p+ p+
p p WB p p
n n n

n+

Couche enterre
Caisson N comme sur les PMOS
Substrat P

Tf(PNP) >> Tf(NPN)


Cdif(PNP) >> Cdif(NPN)
WB(PNP) > WB(NPN)
(PNP) < (NPN)

Conclusion : Le PNP est moins performant en frquence et en gain que le NPN

Laurent Fesquet, 2000. 62


Modlisation du transistor Bipolaire
Schma quivalent HF petit signal

Schma HF (modle Spice)

Laurent Fesquet, 2000. 63


Modlisation du transistor Bipolaire
Schmas quivalents BF petit signal

Ib Ic

Remarques :

Rce = et gm.Vbe = .Ib .Ib
gm

Laurent Fesquet, 2000. 64


3. Amplification linaire transistors

Laurent Fesquet, 2000.


Amplification linaire transistors MOS

Etude d un amplificateur simple :

Ltude de cet amplificateur simple sert :


- Dterminer son schma quivalent dynamique
- Calculer la fonction de transfert de l amplificateur
- Dterminer la valeur des paramtres technologiques
rpondant au cahier des charges

Laurent Fesquet, 2000. 66


Amplification linaire transistors MOS

Etude d un amplificateur simple :

Schma dynamique quivalent :

Laurent Fesquet, 2000. 67


Amplification linaire transistors MOS

Schma dynamique quivalent :

Fonction de transfert de lamplificateur MOS :


p
1+
z0
Av = Av0 .
p
1+
p0
Cgdn
1 .p
Gmn Gmn
Av = .
Gdsn + Gdsp 1 + Cgdn + Cgdp + CL . p
Gdsn + Gdsp

Laurent Fesquet, 2000. 68


Amplification linaire transistors MOS

Calcul des paramtres technologiques :

2 n .Cox .W .L
Av0 =
( K en + K ep ) Ids

Remarque :
On utilise souvent les paramtres Kn et Kp.
Kn = n.Cox/2 et Kp = p.Cox/2

Rappel :

I ds
= n .Cox . .(Vgs Vtn ) = 2.n .Cox . . I ds =
W W 2. I ds
gm =
Vgs L L Vgs Vtn
V L
rds = ds =
I ds K en . I ds

Laurent Fesquet, 2000. 69


Amplification linaire transistors MOS

Rgle d utilisation de la formule dans un outil de CAO (Cadence)

2 n .Cox .W .L
Av0 =
( K en + K ep ) Ids

Le cahier des charges nous donne le gain et la dynamique.


On choisit un courant de polarisation Ip.
Il faut dterminer les points suivants :
Kn, Kp, Ken, Kep (en simulant un MOS)

Calcul de la gomtrie des transistors


Calcul de Vp
Calcul de Ve en continu
Calcul de Wp/Lp pour Ip donn
On impose une symtrie entre le MOS P et le MOS N
Lp/Ln = Kep/Ken (Rdsn = Rdsp)
Le point de repos sera prs de VDD/2
Calcul de Ln et Lp partir de Av0
dduction de Wn, puis de Wp

Laurent Fesquet, 2000. 70


Amplification linaire transistors MOS

Etude d un amplificateur inverseur :

Schma dynamique quivalent :

Laurent Fesquet, 2000. 71


Amplification linaire transistors MOS

Fonction de transfert de lamplificateur MOS :

p
1+
z0
Av = Av 0 .
p
1+
p0
Cgdn + Cgdp
1 .p
Gmn + Gmp Gmn + Gmp
Av = .
Gdsn + Gdsp 1 + Cgdn + Cgdp + CL . p
Gdsn + Gdsp

2 n . p .Coxn .Coxp .Wn . Ln .Wp . Lp


Av0 =
( K en .Lp + K ep .Ln )

Remarque : Ce montage est peu utilis car il a une faible dynamique

Laurent Fesquet, 2000. 72


Amplification linaire transistors bipolaires

Amplificateur avec transistor bipolaire :

Avec une rsistance d metteur

Laurent Fesquet, 2000. 73


Amplification linaire transistors bipolaires

Schma dynamique quivalent de l amplificateur transistor bipolaire :

Laurent Fesquet, 2000. 74


Amplification linaire transistors bipolaires

Relations de transconductance :
1
Vs = 0 : Ve + R Ic
Gm
Ve = 0 : Vs Ic[Rce(1 + Gm.( R // Rbe) )]

Transconductance de lamplificateur :
Is Gm
= Gm' = < Gm
Ve Gm.R + 1

Rsistance dentre Re :
1 Ic 1
.Gm. Rbe = Rbe(1 + Gm.R ) > Rbe
Ve Ve Ic
Re = = . = . =
Ib Ic Ib Gm' Ib Gm'

Rsistance de sortie Rs :

Vs Rbe.R
Rs = = Rce Gm. + 1 > Rce
Ic Rbe + R

Gain :
R. Rbe
1 + Gm.
G=
Vs
= Gm. Rce. R + Rbe
Ve 1 + Gm. R

Laurent Fesquet, 2000. 75


4. Transconducteurs diffrentiels MOS
et bipolaires

Laurent Fesquet, 2000. 76


Transconducteurs diffrentiels MOS

Structure NMOS :

Fonction de transfert :

Id 1 Id 2 = f (Vg1 Vg 2 )
.C W
or Id = n ox . .(Vgs Vtn ) 2 et Id 1 + Id 2 = 2. I P
2 L
on a donc :
1/ 2
.C W
Id 1 Id 2 n ox . .2. I P (Vg1 Vg 2 )
2 L

Laurent Fesquet, 2000. 77


Transconducteurs diffrentiels MOS

Id1-Id2

2Ip
Domaine de linarit :
1/ 2

2. I P
Vmax =
.C W
-Vmax Vmax n ox .
2 L
Vg1-Vg2

-2Ip

Laurent Fesquet, 2000. 78


Transconducteurs diffrentiels MOS

Etage diffrentiel CMOS :

Laurent Fesquet, 2000. 79


Transconducteurs diffrentiels MOS

Gain de l tage diffrentiel :

Vs Vs Rn.Rp
= = Gmn.
(Vg1 Vg 2 ) Ved Rn + Rp

Laurent Fesquet, 2000. 80


Transconducteurs diffrentiels MOS

Schma quivalent en mode diffrentiel :

Laurent Fesquet, 2000. 81


Transconducteurs diffrentiels bipolaires

Fonction de transfert :
Ic1 Ic2 = f (Vb1 Vb2 )
Vbe
Ic = Is exp et Ie1 + Ie2 = 2. Ip
VT
Pour R=0, on a :
Vb Vb2
Ic1 Ic2 = 2. Ip. tanh 1
2.VT

Ic1-Ic2

Vb1-Vb2
Domaine de linrait :
Domaine rduit et limit environ 25 mV pour Vb1-Vb2 R=0
Augmentation du domaine de linarit avec une paire dgnre
(rsistance R dans lmetteur)
Ip
Ic1 Ic2 .(Vb1 Vb2 )
VT

Laurent Fesquet, 2000. 82


Transconducteurs diffrentiels bipolaires

Schma quivalent en mode diffrentiel :

Laurent Fesquet, 2000. 83


5. Gnrateur de courant, charge active,
miroir de courant

Laurent Fesquet, 2000. 84


Miroir de courant
MOS

Structures lectriques :

Schma quivalent : Fonction de transfert :

Id 2 = Is = k . Id1 = k . Ie
W2 / L2
Is = k . Ie avec k =
W1 / L1

Laurent Fesquet, 2000. 85


Miroir de courant
en bipolaire

Structures lectriques :

Schma quivalent : Fonction de transfert :


Is = Ic2 = k . Ic1
Ic1 = Ie Ib1 Ib2
k . Ic Ae
Is = Ie. avec k = 1 = 1
+2 Ic2 Ae2

Laurent Fesquet, 2000. 86


Gnrateur de courant
Charge

MOS : Bipolaire :

NMOS PMOS NPN PNP


Vgs=Vp=cte Vsg=VDD-Vp=cte Vbe=0.8V Veb=VDD-Vp=0.8V
Vds>Vgs-Vtn Vsd>Vsg-|Vtp| Vce>0.8V Vec>0.8V

Laurent Fesquet, 2000. 87


Gnrateur de courant
Charge

Ic, Id

Ip

1/Rce ou 1/Rds

Vce, Vds

Laurent Fesquet, 2000. 88


Gnrateur de courant
Source de Wilson

La contre-raction empche toute variation de Is quand Vs varie.


La rsistance interne de la source est plus leve que pour une source simple.

Si M1=M3 alors Rs Rds1.Rds3.gm3 (rds3.Gm3 30-100)

Laurent Fesquet, 2000. 89


6. Autres structures analogiques

Laurent Fesquet, 2000. 90


Etage suiveur NMOS

Structure lectrique :

Laurent Fesquet, 2000. 91


Etage suiveur NMOS

Schma dynamique quivalent :

Laurent Fesquet, 2000. 92


Etage suiveur NMOS

Remarque :
La tension de dcalage entre Vs et Ve est proportionnelle au courant de repos de l tage
et aux dimensions de M2 (W2, L2)

Fonction de transfert :

Cgs 2. p
1 +
Gm 2
Av ( p ) = Av (0).
Cgs 2 + Cgd 1 + CL
1 + .p
Gm 2 + Gmb2
Gm 2 Gm 2 1
avec Av (0) = = = 1
Gm 2 + Gmb2 Gm 2.(1 + D ) 1 + D
0.1 D 0.3

Laurent Fesquet, 2000. 93


Etage cascode

Structures cascode avec charge active :

Le montage cascode permet d obtenir une faible rsistance


d entre, une forte rsistance de sortie pour un gain en courant
proche de l unit.

Laurent Fesquet, 2000. 94


Etage cascode

Schma quivalent petit signal :

Laurent Fesquet, 2000. 95


Etage cascode
Transconductance Gm :

(Vs=0)
Va Va
Gm1 .Ve = Gm2 .Va Gm2 .Va
Re2 Rs1 // Rs2
Va Gm1

Ve Gm2
Is Is Va Gm1
Gm' = = . Gm2 = Gm1
Ve Va Ve Gm2
Gm' = Gm1

Impdance dentre :

MOS et BiCMOS : Bipolaire :


Re' = Re=Rbe

Impdance de sortie :

(Ve=0)

Rs' = Rs2 .(1 + Gm2 . Rs1 // Re2 ) Gm2 .Rs 2 . Rs1 // Re2

Gain :

G = Gm'.Rs'

Laurent Fesquet, 2000. 96


7. Amplificateur tages

Laurent Fesquet, 2000. 97


Amplificateur 2 tages

Amplificateur CMOS Miller

Laurent Fesquet, 2000. 98


Amplificateur 2 tages

Amplificateur CMOS Miller

Schma quivalent petits signaux :

Laurent Fesquet, 2000. 99


Amplificateur 2 tages

Amplificateur CMOS Miller

Notation :
Gm2 = Gm3 = GmN
Gm7 = GmP
R1 = Rds5 // Rds3
R2 = Rds7 // Rds6
C1 = C ( A)

Fonction de transfert :

p
1 +
Z A
H ( p ) = Av (0)
p p p
1 + 1 + 1 +
P1 P2 P3

Laurent Fesquet, 2000. 100


Amplificateur 2 tages

Amplificateur CMOS Miller

1
Z1 =
1
2Cr Rr
GmP
GmN
P1 =
2 .Cr. Av (0)
GmP Stabilit de l amplificateur :
P2 =
2 .CL Il est possible d annuler le zro par le ple P2
1
P3 = Cr + CL
2 .C1.R1 Z1 = P2 Rr =
Cr.GmP

Laurent Fesquet, 2000. 101