Presentacion 1 PDF

se
ial
FUNDAMENTOS DE MATERIALES
er
at
Ing. Luis Marcelo Lopez Lopez
M
Universidad Politecnica Salesiana, sede Cuenca
Ingeniera Mecanica Automotriz
de
Grupo de Investigacion en Materiales -- GIMA
o
up
Gr
Andescon 2012
GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 1 / 68

Introduccion
se
En el desarrollo profesional se debe tomar desiciones importantes y funda-
ial
mentales en la eleccion de materiales que se deben incorporar a un diseno
y/o utilizar en un determinado elemento mecanico de manera que puedan ser
er
procesados y transformados con la finalidad de cumplir ciertas propiedades
at
requeridas para un determinado uso.
M
Se debe considerar:
La compatibilidad con los demas elementos de ensamble
de
Economico
o
Facil de reciclar
up
Comprender su comportamiento ante los efectos del medio donde

Gr
cumpla su funcion
Andescon 2012

Introduccion
se
ial
En este contexto se pretende que el estudiante conozca [1]:
er
at
Los materiales disponibles en nuestro sector industrial y fuera del mismo.
M
Comprender el comportamiento y potencial que presentan cada uno de
ellos. de
Entender los efectos del entorno donde funcionan para tener un concepto
claro del espectro de los materiales.
o
up
Gr
Andescon 2012

Tetaedro de la ciencia de materiales
se
ial
Ciencia de materiales Tetaedro
er
la ingeniera de materiales se
at
fundamenta en la relacion en-
M
tre propiedades - estructura -
procesamiento - desempeno, y
de
disena o proyecta la estructura
de un material para conseguir
o
un conjunto predeterminado de
up
propiedades.
Gr
Andescon 2012

Tetaedro de la ciencia de materiales
se
ial
Desempeo/costo
er
at
M
Composicin
de
o
up
Sintesis y procesamiento
Gr
Micro-estructura
Andescon 2012

Clasificacion de los materiales
De acuerdo a su estructura y propiedades:
se
Los materiales se clasifican en cinco grandes grupos presentados en la
ial
tabla 1 y 2:
er
MATERIAL PROPIEDADES
at
- Metales Alta conductividad electrica
cobre, hierro, plomo Moldeable, maquinable
M
bronce, aluminio, etc Se aplica tratamientos termicos
- Ceramicos Opticamente util, aislante termico,
SiO2 , NaO2
de punto de fuson elevado, convierten so-
nido en electricidad
o
- Polmeros
up
Termoestables
Electricamente aislante y resistente a
Termoplasticos
la humedad, facil conformado
Gr
Elastomeros
Cuadro 1 : Clasificacion de materiales segun su estructura y propiedades. [1],[2]

Andescon 2012

se
ial
MATERIAL PROPIEDADES
er
- Semiconductores
Silicio Comportamiento electrico unico
at
GaAs Convierte senales electricas en luz
M
- Compuestos Relacion resistencia - peso
Matrices polimericas Relacion dureza - impacto
Matrices metalicas Relacion de costos
Matrices ceramicas
de Comportamiento con la corrosion
o
Cuadro 2 : Clasificacion de materiales segun su estructura y propiedades. [1],[2]
up
Gr
Andescon 2012

s
De acuerdo a su funcionalidad
e
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

De acuerdo a su micro-estructura
se
ial
1 Amorfos: La disposicion de los atomos no tienen orden de largo alcance.
er
at
2 Cristalinos: Tienen una estructura cristalina definida o una combinacion
M
como los policristalinos, semicristalinos.
de
o
up
Gr
Micro-estructura Andescon 2012

Estructura atomica
se
ial
er
Se estudia la estructura atomica de la materia, los enlaces entre atomos
at
y las moleculas para determinar las caractersticas y propiedades de un
material. Ademas de comprender que al cambiar la estructura se puede
M
obtener otros parametros fsicos particulares que reponden a una necesidad
o uso determinado y ayuda a entender porque responden bien a ciertos tipos
de
de procesos de manufactura y mal o nada a otros.
o
up
Gr
Andescon 2012

Estructura atomica
se
ial
Estructura atomica
er
Unidad estructural fundamental
at
Atomo
de la materia
El nucleo del atomo esta com-
M
puesto con carga positiva y neu- Protones y neutrones
tra
Al nucleo esta rodeado por un
negativas
de
numero suficientes de cargas Electrones
El numero de electrones y protones son iguales e identifican el numero atomico

o
up
Gr
Andescon 2012

Estructura atomica
e s
Estructura del
ial
atomo Estructura segun Bohr
er
Estructura atmica
at
M
Nucleo
de Neutrn
o
up
Electrn Protn
Gr
Andescon 2012

Estructura electronica del atomo
se
Los electrones ocupan diferentes niveles de energa dentro del atomo, cada
ial
electron posee una energa partcular, no existen dos electrones con la misma
energa.
er
at
Numeros cuanticos
M
El nivel de energa que corresponde cada electron esta determinado por los
de
tres primeros numeros cuanticos:
o
1 Numero cuantico principal
up
2 Numero cuantico acimutal y magnetico

Gr
3 Numero cuantico de espn
Andescon 2012

se
ial
1 Numero cuantico principal n= 1,2,3,4,5,.. que correspoden las letras
K,L,M,N,... respectivamente.
er
2 Numero cuantico acimutal asignado l = 0,1,2,3, n-1 ; si n = 2
at
entonces existen dos acimutales l=0 y l=1 donde: s para l=0 ; d para
M
l=2 ; p para l=3 ; f para l=4. El numero cuantico magnetico mi da
el numero de niveles de energa u orbitales para cada numero cuantico
acimutal. de
3 Numero cuantico de espn m se asignan los valores de + 12 y 21 para
o
representar los distintos giros que segun el principio de Pauli no puede
up
haber mas de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital.
Gr
Andescon 2012

e s
ial
Al numero cuantico principal n se asignan los valores enteros 1,2,3,4,5,.....
que se refieren a cada capa cuantica, tambien se les asigana una letra K, L,
er
M, ..... respectivamente.
at
Niveles de energa
n=3
M
n=2
n=1
de K L M
o
up
Ing. Luis Lpez

Gr
Andescon 2012

e s
ial
er
at
M
de 1 2 3 4 5 6
o
up
Gr
Andescon 2012

se
Numeros cuanticos
ial
Sodio
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
ial
er
at
M
de
o
up
Para los once electrones del sodio se tiene:

1s2 2s 2 2p6 3s1
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
Existen cuatro enlaces importantes mediante los atomos se enlazan o unen
er
formando solidos. En tres de los cuatro mecanismos, el enlace se consigue
at
cuando los atomos llenan sus niveles externos s y p.
M
Enlace metalico
Enlace covalente de
Enlace ionico
o
Enlaces de Van der Waals
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
El enlace metalico
tomos electrones
er
Los elementos metalicos tie-
at
nen electronegatividad baja lo
que ceden sus electrones pa-
M
ra formar un mar de electro-
nes que se asocian con varios
de
nucleos atomicos cargados po-
sitivamente por lo que se man-
o
tienen unidos mediante una
up
atraccion mutua a los electro-

Gr
nes.
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
La carga positiva de los nucleos atomicos se unen por la mutua atraccion a

la carga negativa de los electrones.
Andescon 2012

Enlaces atomicos
es
El enlace covalente
ial
El enlace covalente entre dos tomo de hidrogeno
er
atomos se origina cuando es- tomo de carbono
at
tos comparten electrones que
completan su capa de valencia.
M
Aunque los enlaces son muy
de
fuertes los materiales enlaza-
dos de esta manera por lo ge-
neral tienen pobre ductibilidad
o
up
y mala conductividad electrica

y termica, para que se mueva
Gr
el electron debe romperse el

enlace.
Andescon 2012

Enlaces atomicos
e s
ial
er
Enlaces covalentes
at
M
Comparten los electrones
de Los enlaces covalentes
y llenan sus orbitales sp son direccionales
o
up
El silicio con valencia cuatro debe formar

Gr
cuatro enlaces covalentes
Andescon 2012

Enlaces atomicos
s
Jjkk
e
ial
Molecula del agua
er
O
at
H H
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
El enlace ionico
ial
La atraccion electrostatica en-
er
tre atomos de diferente carga
at
electrica genera un tipo de en-
M
lace conocido como enlace ioni-
co. Es necesario que para que
de
pueda darse dicho enlace uno
de los atomos pueda ceder elec-
o
trones y por el contrario el otro
up
pueda ganar electrones, es de-

cir, se produce la union entre
Gr
atomos que pasan a ser catio-

nes y aniones.
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
Enlaces de Van der Waals Unin de la molculas de Agua
er
Unen moleculas o grupos de
at
atomos mediante una atrac-
cion electrostatica debil. Mu-
M
Van der Waals
chos plasticos, ceramicos, agua
y otras moleculas estan polari-
de
zadas de manera permanente,
algunas porciones positivamen-
o
te y otras negativamente que
up
hace que se atraigan mutua-

Gr
mente.
Andescon 2012

Jjkk
Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
er
Enlaces mixtos
at
En la mayor parte de los materiales, el enlace entre atomos es la mezcla
M
de dos o mas tipos. Por ejemplo, el hierro esta enlazado mediante una
combinacion de enlaces metalicos y covalentes, lo que impide que los atomos
de
se empaqueten tan eficientemente como pudieramos esperar.
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
er
Energa de enlace y espaciamiento interatomico
at
Espaciamiento interatomico. La distancia de equilibrio entre atomos se
M
debe a un equilibrio entre fuerzas de repulsion y de atraccion. El espaciamiento
de equilibrio ocurre cuando la energa total del par de atomos llega a un
de
mnimo o cuando ya ninguna fuerza neta actua, sea para atraer o repeler los
atomos.
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
Energa de enlace y espaciamiento interatomico
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Enlaces atomicos
se
ial
Propiedades que se relacionan con la energa de enlace y el espacia-
er
miento interatomico
at
Modulo de elasticidad: Se relaciona directamente con la fuerza apli-
M
cada y la distancia interatomica, se puede observar en graficas de
fuerza-distancia y energa-distancia.
de
Coeficiente de expansion termica: Determina cuanto se expandira o
se contraera un material al modificar la temperatura que esta relacionado
o
con la fuerza de los enlaces atomicos.
up
Gr
Andescon 2012

Organizacion atomica
se
Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales,
ial
entonces existen tres niveles de arreglo atomico:
er
Sin orden. No tienen orden y llenan de manera aleatoria un espacio
at
como los gases. Ejm: argon.
M
Orden de corto alcance. Se extiende solo a los vecinos mas cercanos
de dicho atomo. Ejm: agua.
de
Orden de largo alcance. Los atomos muestran un orden mostrando
un patron repetitivo, regular en forma de rejilla o red. La red difiere
o
de un material a otro tanto en tamano como forma dependiendo del
up
tamano de los atomos y del tipo de enlace entre ellos. Ejm: metales,
ceramicos, polmeros.
Gr
Andescon 2012

s
Arreglo atomico
e
ial
er
at
M
Sin orden Corto alcance
de
o
up
Gr
Largo alcance Red cristalina
Andescon 2012

se
Celdas unitarias
ial
La celda unitaria es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando
er
las caractersticas generales de toda la red.
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Parametro de red
se
Los parametros de red describen el tamano y la forma de la celda unitaria,
ial
incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los angulos
entre sus costados.
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Redes de Bravais
se
Los catorce tipos de redes de bravais agrupados en siete sistemas cristalinos.
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
ial
Redes cubicas
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

s
Determine el numero de puntos de red o atomos por celda en los sistemas
e
cristalinos cubicos:
ial
er
Cubica simple
at
puntos de red
= (8 esquinas) 18 = 1 atomo
M
celda unitaria
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
Cubica centrada en el cuerpo BCC o CC
ial
er
puntos de red
= (8 esquinas) 18 + 1(centro) = 2 atomos
at
celda unitaria
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
Cubica centrada en las caras FCC o CCC
ial
er
puntos de red
celda unitaria = (8 esquinas) 18 + 6(caras) 12 = 4 atomos
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
ial
er
Radio atomico comparado con el parametro de red
at
M
Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los atomos
de
estan en contacto continuo son las direcciones compactas, se utilizan para
calcular la relacion entre el tamano aparente del atomo y el tamano de la
celda unitaria.
o
up
Gr
Andescon 2012

Determine la relacion entre radio atomico y el parametro de red en las
se
estructuras CS, CC, CCC cuando existe un atomo en cada punto de red.
ial
Cubica simple
er
at
a0 = 2r
M
de
o
up
Gr
a = 2R
Andescon 2012

se
ial
Cubica centrada en el cuerpo
er
4r
a0 =
3
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Cubica centrada en las caras
se
4r
ial
a0 =
2
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

se
ial
Numero de coordinacion
er
El numero de coordinacion es el numero de atomos tocando un atomo en
at
particular, o el numero de vecinos mas proximos para ese atomo en particular.
M
Nmero de coordinacin
12 6
de 8
o
up
FCC
Gr
BCC
CS
Andescon 2012

se
ial
Factor de empaquetamiento
er
El factor de empaque o fraccion de empaquetamiento atomico es la fraccion
at
de espacio ocupados por atomos, suponiendo que los atomos son esferas
M
duras.
de
La expresion general par el factor de empaquetamiento es:
o
up
(Numero de atomos/celda)(Volumen del atomo)

Factor de empaquetamiento = Volumen de la celda
Gr
Andescon 2012

Caractersticas de cristales metalicos comunes
es
ial
Estructura a0 en funcion atomos Numero de Factor de
er
de r por celda coordinacion empaquetamiento
at
CS a0 = 2r 1 6 0.52
M
4r
BCC a 0 =
3
2 8 0.68
4r
FCC a0 = 4 12 0.74
Hexagonal a0 = 2r
2 de 2 12 0.74
compacta c0 = 1.633 a0
o
up
Gr
Andescon 2012

se
ial
Densidad
er
at
La densidad teorica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades
de la estructura cristalina.
M
La expresion general es: de
o
(atomos/celda)(masa atomica del atomo)
Densidad =
up
(volumen de la celda)(numero de avogadro)

Gr
Andescon 2012

s
La estructura hexagonal compacta
e
ial
Una forma especial de la red hexagonal, se muestra en la figura. La celda
er
unitaria es el prisma sesgado, que se muestra por separado, tiene un punto
at
de red por celda en cada esquina y asociado a dos atomos cada punto.
M
de
o
up
Gr
Red hexagonal compacta

Celda unitaria Andescon 2012

se
ial
er
Transformaciones alotropicas o polimorficas
at
M
Los materiales que pueden tener mas de una estructura cristalina se llaman
alotropicos o polimorficos. El termino alotropa por lo general se reserva
de
para este comportamiento a materiales puros, en tanto que el polimorfismo
es un termino mas general.
o
up
Gr
Andescon 2012

Trabajo en Clases
Ejercicio 1
se
El Mn- tiene una estructura cubica con a0 = 0.8931 nm y una densidad de
ial
7.47 g/cm3 . El Mn- tiene una estructura cubica distinta con a0 = 0.6326
er
nm y una densidad de 7.26 g/cm3 . El peso atomico del manganeso es de
54.938 g/mol y el radio atomico es de 0.112 nm.
at
Determine el porcentaje de cambio en volumen que ocurrira si el Mn-
M
se transforma en Mn-.
Ejercicio 2
de
La densidad del torio, que tiene una estructura CCC y un atomo por punto
o
up
de red es de 11.72 g/cm3 . El peso atomico del torio es de 232 g/mol. Calcule:
Gr
el parametro de red
el radio atomico
Andescon 2012

Puntos en la celda unitaria
s
Coordenadas de los puntos
e
ial
La distancia se mide en funcion del numero de parametros de red que
er
habra que moverse en cada una de las coordenadas x, y y z para pasar desde
at
el origen hasta el punto en cuestion.
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Direcciones, ndices de Miller
se
Direcciones en la celda unitaria
ial
er
Ciertas direcciones son importantes especialmente en los metales donde
los atomos estan mas estrechos. Se utilizan los ndices de Miller con
at
una notacion abreviada para estas direcciones. A continuacion se indica el
M
procedimiento para determinar los ndices:
Se utiliza el sistema de coordenadas dextrogiro.
de
Se resta las coordenadas del punto inicial de las del punto final de cada
o
eje.
up
Reducir las fracciones y los resultados presentarlos en enteros.

Encierre los numeros en corchetes [ ]. Si se obtiene un numero
Gr
negativo, representelo con una barra sobre el numero.

Andescon 2012

Direcciones
se
Direcciones en la celda unitaria
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Direcciones
s
e
Direcciones en la celda
ial
Resolucion
unitaria
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Densidad lineal
es
La densidad lineal es el numero de puntos de red por unidad de longitud a
ial
lo largo de una direccion.
er
Donde:
at
M
# de distancias de repeticion
Densidad lineal = distancia de repeticion
Ejemplo: de
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion
o
[110] en una celda unitaria, entonces:
up
2 distancias
de repeticion 2
Densidad lineal = = = 3,91puntos de red/nm
Gr
2a0 0,51125
Andescon 2012

Fraccion de empaquetamiento
s
La fraccion de empaquetamiento es la fraccion verdaderamente cubierta
e
por los atomos en una direccion.
ial
Donde:
er
at
Fraccion de empaquetamiento = (densidad lineal)(#de atomos en la direccion)(radio atomico)
M
Ejemplo:
de
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion
[110] en una celda unitaria CCC, entonces:
o

up
r = 2a0 /4 = 0,12781nm
F. empaquetamiento = (densidad lineal)(2)(r )
Gr
F. empaquetamiento = (3,91)(2)(0,1278)
F. empaquetamiento = 1,0
Andescon 2012

Densidad lineal y fraccion de empaquetamiento
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Planos en la celda unitaria
se
ial
Algunos planos son muy significativos; en los metales las deformaciones se dan
por aquellos planos de atomos que estan empaquetados mas estrechamente.
er
Se utiliza los ndices de Miller para su notacion, con el siguiente procedi-
at
miento:
M
Identifique los puntos de interseccion con los ejes x,y,z. Si el plano
pasa por el origen, el sistema de coordenadas debera de moverse.
de
Tome los recprocos de estas intersecciones.
Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros.
o
Encierre los numeros resultantes entre parentesis ( ), los numeros
up
negativos se representan con una barra sobre los mismos.

Gr
Andescon 2012

Planos en la celda unitaria
se
Ejemplo:
ial
Resolucion
er
Determine los planos
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Densidad Planar y fraccion de empaquetamiento
e s
ial
La densidad planar es el numero de atomos por unidad de superficie cuyo
er
centro esta sobre el plano; la fraccion de empaquetamiento es el area
at
sobre dicho plano cubierta por dichos atomos.
M
atomos por cara
Densidad planar =
de area de la cara
area de los atomos por cara

Fraccion de empaquetamiento =
o
area de la cara
up
Gr
Andescon 2012

Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
El sistema coordenado utiliza cuatro ejes (a1 , a2 , a3 y c) en vez de tres, el eje
s
e
a3 es redundante. Los ndices encontrados en los tres ejes se les representa
ial
con las letras (hkl) donde los valores que representan a los cuatro ejes
er
(hkil) se representan de la siguiente manera:
at
Ejes coordenados
M
h = 13 (2h k)
k = 13 (2k h) de
o
i = 13 (h + k)
up
l = l0
Gr
Por razones de consistencia hay que asegurarse de que h + K = i

Andescon 2012

Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
Resolucion
es
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Planos basales, comportamiento isotropico, anisotropico y
distancia interplanar
se
ial
Los planos basales son faciles de encontrar en la celda unitaria HC,
son planos que se pueden apilar y construir una celda.
er
Un material es anisotropico si el valor de sus propiedades depende de
at
la direccion cristalografica a lo largo que se mide la propiedad.
M
Si los valores de las propiedades son identicos en todas las direcciones,
entonces el cristal es isotropico.
de
La distancia entre dos planos de atomos paralelos adyacentes con los
mismos ndices de Miller se conoce como distancia interplanar dhkl .
o
La distancia interplanar en materiales cubicos esta dada por la
up
ecuacion general:
a
Gr
dhkl =
h + k2 + l2
2
Andescon 2012

Sitios intersticiales
s
En cualquiera de las estructuras cristalinas que han sido descritas, existen
e
pequenos huecos entre los atomos de la red en los cuales se pueden colocar
ial
atomos mas pequenos . Estos espacios se conocen como sitios intersticiales.
er
Cubico con numero de coordinacion de ocho, ocurre en las estructuras
at
CS.
M
Octaedrico con numero de coordinacion de seis.
Tetraedricos con numero de coordinacion de cuatro.
de
o
up
Gr
Andescon 2012

Trabajo en Clases
Ejercicio 1
se
Esboce los planos y direcciones siguientes dentro de una celda unitaria
ial
hexagonal: [2110]; [1121]; [1010]; (1210); (1122); (1230).
er
at
Ejercicio 2
Determine la distancia de repeticion, la densidad lineal, y la fraccion de
M
empaquetamiento del litio CC, que tiene un parametro dered de 0.35089
nm, en las direcciones [100], [110], y [111]. Cual de estas direcciones es
de
compacta?
o
up
Ejercicio 3
El UO2 tiene la estructura del cloruro de sodio, de la blenda de zinc o de la
Gr
fluorita? En funcion de la respuesta determine: (a) El parametro de red. (b)

La densidad. (c) el factor de empaquetamiento.
Andescon 2012

Referencias I
se
ial
er
Donald Askeland.
at
Ciencia e ingeniera de los materiales.
PWS Publishing Company, 1998.
M
Mikell Groover.
de
Fundamentos de manufactura moderna.
McGraw-Hill, 2007.
o
up
Gr
Andescon 2012

Presentacion 1 PDF

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Presentacion 1 PDF

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

se

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 1 / 68

Comprender su comportamiento ante los efectos del medio donde

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 2 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 3 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 4 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 5 / 68

Cuadro 1 : Clasificacion de materiales segun su estructura y propiedades. [1],[2]

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 6 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 7 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 8 / 68

Micro-estructura Andescon 2012

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 9 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 10 / 68

El numero de electrones y protones son iguales e identifican el numero atomico

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 11 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 12 / 68

2 Numero cuantico acimutal y magnetico

3 Numero cuantico de espn

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 13 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 14 / 68

Ing. Luis Lpez

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 15 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 16 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 17 / 68

Para los once electrones del sodio se tiene:

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 18 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 19 / 68

atraccion mutua a los electro-

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 20 / 68

La carga positiva de los nucleos atomicos se unen por la mutua atraccion a

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 21 / 68

y mala conductividad electrica

el electron debe romperse el

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 22 / 68

El silicio con valencia cuatro debe formar

cuatro enlaces covalentes

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 23 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 24 / 68

pueda ganar electrones, es de-

atomos que pasan a ser catio-

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 25 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 26 / 68

hace que se atraigan mutua-

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 27 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 28 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 29 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 30 / 68

Energa de enlace y espaciamiento interatomico

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 31 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 32 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 33 / 68

Largo alcance Red cristalina

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 34 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 35 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 36 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 37 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 38 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 39 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 40 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 41 / 68

GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 42 / 68

Determine la relacion entre radio atomico y el parametro de red en las