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86.03/66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1o Cuat.

2015 Clase 2-1

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Clase 2 - Fsica de semiconductores (I)

Marzo de 2015

Indice de temas:

1. Modelo de enlace del Silicio: electrones y huecos


2. Generacion y recombinacion
3. Equilibrio termico
4. Semiconductor intrnseco
5. Semiconductor extrnseco

Lectura recomendada:

Julian, Cap 2. 2.1-2.3 Muller-Kamins, Cap 1. 1.1

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Esta clase es una traduccion,realizada por los docentes del curso 86.03/66.25 - Dispositivos Semicon-
ductores - de la FIUBA, de la correspondiente hecha por el prof. Jesus A. de Alamo para el curso 6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traduccion.
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Preguntas clave

Como conducen electricidad los semiconductores?


Que es un hueco ?
Cuantos electrones y huecos hay en un semiconduc-
tor en equilibrio termico a una cierta temperatura?
Como se puede manipular la conductividad de un
semiconductor?
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1. Modelo de enlace del Silicio: electrones y


huecos

El Si se ubica en la Columna IV de la tabla periodica:

Estructura electronica del atomo de Si:

10 electrones interiores (fuertemente ligados)


4 electrones (debilmente ligados, responsables de la
mayora de las propiedades qumicas

Otros semiconductores:

Ge, C (forma del diamante), SiGe


GaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, ZnSe, CdTe
(en promedio, 4 electrones de valencia por atomo)
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Estructura cristalina del Silicio:

El silicio es un material cristalino:


ordenamiento atomico de largo rango
Red del Diamante:
los atomos forman un tetraedro, ligados por com-
partir un electron de valencia (enlace covalente)
Cada atomo comparte 8 electrones:
situacion estable de baja energa
Densidad atomica del Si: 5 1022 cm3
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Modelo simple aplanado del cristal de Si:

A 0K (cero absoluto):

todas las ligaduras estan ocupadas todos los elec-


trones de valencia comprometidos en formar enlaces
covalentes
no hay electrones libres
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A temperatura > 0K:

se rompen algunas ligaduras


electrones libres (carga negativa en movimiento,
1.6 1019 C)
huecos libres (carga positiva en movimiento, 1.6
1019 C)

Los electrones y huecos libres se denominan porta-


dores:

particulas cargadas en movimiento

Cuidado: el diagrama es incorrecto!

los electrones y huecos en un semiconductor son di-


fusos: abarcan varios radios atomicos.
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Algunas definiciones:

en 86.03/66.25, electron significa electron libre

no nos interesan los electrones internos ni los electrones


de valencia (que los contabilizaremos con los huecos)

se definen:

n concentracion de electrones [cm3]

p concentracion de huecos [cm3]


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2. Generacion y Recombinacion

Generacion = ruptura de un enlace covalente que da


lugar a un electron y un hueco.
requiere energa de una fuente termica u optica (u otra
fuente externa).
tasa de generacion: G = Gterm +Gopt +...[cm3 s1]
en general, la densidad atomica es  n, p
G 6= f (n, p)
Es decir, las fuentes de enlaces a romper son virtual-
mente inagotables.

Recombinacion = formacion de un enlace al unirse un


electron y un hueco
libera energa de forma termica u optica
tasa de recombinacion: R [cm3 s1]
un evento de recombinacion requiere de 1 electron +
1 hueco
Rnp

Los eventos de generacion y recombinacion son mas factibles


en las superficies, donde se interrumpe la estructura.
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3. Equilibrio termico

Diremos que existe Equilibrio termico cuando se cumplen


las siguientes condiciones:

Hay estado estacionario (se ha extinguido cualquier


transitorio en la Generacion/Recombinacion)
Hay ausencia de fuentes de energa externa (sistema
aislado)

Tasa de generacion en equilibrio termico: Go = f (T )

Tasa de recombinacion en equilibrio termico: Ro


no po

En equilibrio termico:

Go = Ro nopo = f (T ) n2i (T )
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Eg
n2i = Cte e kT

Consecuencias importantes: Para un dado semiconduc-


tor en equilibrio termico , el producto np es una con-
stante que depende solo de la temperatura.
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4. Semiconductor intrnseco

Pregunta: Cuantos electrones y huecos hay en un


semiconductor puro, perfectamente cristalino, en equilib-
rio termico, a una cierta temperatura?

Dado que la ruptura de un enlace da lugar a un electron


y un hueco:
no = po

Ademas:
nopo = n2i

Entonces:
no = po = ni

ni concentracion intrinseca de portadores [cm3]

En Si a 300 K (temp. ambiente): ni ' 1 1010 cm3

ni es una funcion fuertemente dependiente de la temper-


atura: T ni
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5. Dopaje: introduccion de atomos externos para ma-


nipular las propiedades electricas del semiconductor

A. Donores: introducen electrones en el semiconductor


(pero no huecos)

Para el Si, atomos del grupo V con 5 electrones de


valencia (As, P, Sb)
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4 electrones del atomo donor participan en los enlaces


el quinto electron queda debilmente ligado
a temperatura ambiente, cada atomo donor libera
un electron que queda libre para participar de la
conduccion
el sitio donor queda cargado positivamente (carga fija)
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Se define:
Nd concentracion de donores [cm3]

Si Nd  ni, el dopaje es irrelevante (semiconductor


intrnseco), esto implica que: no = po = ni

Si Nd  ni, el dopaje controla la concentracion de


portadores (semiconductor extrnseco), esto implica que:
n2i
no = Nd po =
Nd
En el caso que no  po, se dira que el semiconductor es
tipo n.

Ejemplo numerico:
Nd = 1017 cm3 no = 1017 cm3, po = 103 cm3.
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Tpicamente: Nd 1015 1020 cm3


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B. Aceptores: introducen huecos en el semiconductor


(pero no electrones).

Para Si, atomos del grupo III, con 3 electrones de


valencia (B)

3 electrones se utilizan el la ligadura con los atomos


vecinos de Si
1 sitio de ligadura queda vacante:
favorable para aceptar un electron de ligadura
para completar todas las ligaduras
a temperatura ambiente, cada aceptor libera un
hueco, el cual queda libre para la conduccion
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el sitio aceptor queda cargado negativamente (carga


fija)

Se define:
Na concentracion de aceptores [cm3]

Si Na  ni, el dopaje es irrelevante (semiconductor


intrnseco), esto implica: no = po = ni
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Si Na  ni, el dopaje controla la concentracion de


portadores (semiconductor extrnseco), esto implica:
n2i
po = Na no =
Na
Notar: po  no: semiconductor tipo p

Ejemplo numerico:
Na = 1016 cm3 po = 1016 cm3, no = 104 cm3.

Tpicamente: Na 1015 1020 cm3


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Resumen

En un semiconductor, hay dos tipos de portadores:


electrones y huecos.
Para un dado semiconductor en equilibrio termico
nopo es una constante:
nopo = n2i
Semiconductor intrnseco: semiconductor puro
no = po = ni
Para Si a temperatura ambiente:
ni ' 1010 cm3
ni es fuertemente dependiente de la temperatura.
Semiconductor extrnseco: las concentraciones de
portadores pueden ser manipuladas mediante la in-
troduccion de atomos dopantes de otras especies:
n2i
semiconductor tipo n: no = Nd, po = Nd
n2i
semiconductor tipo p: po = Na, no = Na

Nota: En el caso que ocurra Nd = Na el semiconduc-


tor debe considerarse intrnseco (siempre que la concen-
tracion de dopantes sea < 1020).