Vous êtes sur la page 1sur 8

DISIPADORES

Trabajo Prctico N4 DISIPADORES

Docentes:

Ing. Vogt, J.
Ing. Grassi, F.
Integrantes:

Bruno Alderete
Diego Kautz
Leandro Londra
Juan Cruz Morales
Massimo Uccellini

Universidad Tecnolgica Nacional Facultad Regional Concepcin del Uruguay


2017
PL-04 - DISIPADORES

Introduccin:
La prctica consiste en realizar el armado del circuito que se adjunta a
continuacin, utilizando dos transistores diferentes conectados mediante una
configuracin tipo Darlington. El objetivo de la prctica de laboratorio es medir
la temperatura del encapsulado del primer transistor (2N3055), el cual disipa
potencia trmica a travs de un disipador.

BRUNO ALDERETE 1
PL-04 - DISIPADORES

Desarrollo:
Con los datos de la red y de la carga, obtener mediante un trabajo de clculo
los resultados tericos de:
1. IB, corriente de base de cada transistor
2. IL, corriente en la carga
3. Is, corriente en el sensor
4. VCE1, tension colector emisor del transistor 2N3055
5. Rjc, resistencia trmica juntura-capsula
6. Rjd, resistencia trmica juntura-disipador

A partir del circuito anterior se proceder a calcular los parmetros requeridos.


Para esto se tomaran las siguientes consideraciones:
Vcc = 6V
RLDR = 4k (a 500 Lux)
Rpotencimetro = 5k
Los datos que se extraen del datasheet para los transistores 2N3055 (Q 1) y
BC547 (Q2) son:
hf1 = 70
VBE1 = 1,5 V
Rjc = 1,52 C/W
hf2 = 110
VBE2 = 0,7 V

BRUNO ALDERETE 2
PL-04 - DISIPADORES

Para calcular la corriente de base que circula por cada transistor, primero se
debe plantear el circuito equivalente de Thevenin.
Resistencia de Thevenin
En el esquema se puede ver la forma en que se
calcul la resistencia de Thevenin. Por lo tanto, esta 2,2 k
tiene un valor de:
RTh =4,4 k

Fuente de Thevenin
Esta se calcula mediante un divisor resistivo. Por lo 5 k 4 k
tanto, la fuente de Thevenin tiene el siguiente valor:
V ccR p
ETh =
R p + R LDR
6 V5 k
ETh =
5 k + 4 k
ETh =3,3V

El circuito de Thevenin resultante es el siguiente:

Aplicando las leyes de Kirchhoff (de malla y de nodos) se procede a calcular los
parmetros requeridos.
ETh V BE 1V BE 2 3,3 V 1,5 V 0,7 V
1. I B 2= =
R Th 4,4 k
I B 2=250 A
I B 1=I E 2 =( hf 2 +1 )I B 2=( 110+1 )250 A
I B 1=27,75 mA
2. La corriente que circula por la carga (I L) es la suma de la corriente de
cada colector, IC1 e IC2.

BRUNO ALDERETE 3
PL-04 - DISIPADORES

I C 1=I E 1I B 1=( h f 1 +1 )I B 1I B 1=( 70+1)27,75 mA27,75 mA


I C 1=1,94 A

I C 2=I B 1I B 2=27,75 mA 0,25 mA


I C 2=27,5 mA

I L =I C 1 + I C 2=1,94 A+0,0275 A
I L =1,968 A

3. La corriente por el sensor se calcula a partir de la siguiente expresin:


V ETh 6 V 3,3V
I s= cc =
R LDR 4k
I s=0,675 mA

4. La tensin colector-emisor del transistor Q 1 se determina mediante la


malla exterior del circuito equivalente de Thevenin. Para esto es
necesario conocer la resistencia de la carga. La resistencia de la carga
tiene un valor de 2,62 . Por lo tanto, la tensin colector-emisor es:
V CE1 =V ccI LR L =6 V 1,968 A2,62
V CE1 =0,84 V

5. La resistencia trmica entre la junta y la capsula se obtiene a partir del


datasheet del transistor 2N3055. Esta es:
C
R jc =1,52
W

6. La resistencia trmica entre la junta y el disipador se calcula a partir del


siguiente circuito:

BRUNO ALDERETE 4
PL-04 - DISIPADORES

Donde PD es la potencia que se debe disipar, R jc es la resistencia trmica


entre la junta y la capsula, R ca es la resistencia trmica entre la capsula y
el ambiente, Rcd es la resistencia trmica entre la capsula y el disipador,
y Rda es la resistencia trmica entre el disipador y el ambiente.
La resistencia que se busca (resistencia trmica entre la juntura y el
disipador) es R jd =R jc + Rcd .
Se cumple que Rca R cd + R da , por lo tanto:
T jT a T jT a
PD = =
R jc + R cd + R da R jc + Rca
T T a
Rca = j R jc
PD
La potencia que se debe disipar es: PD =V CE 1I L =0,84 V 1,968 A
PD =1,65 W
Tambin, se considera que la temperatura de la juntura es T j=200 C
segn datasheet y que la temperatura del ambiente es T a=50 C . Por
lo tanto, la resistencia Rca es:
T T a 200 C50 C C
Rca = j R jc = 1,52
PD 1,65 W W
C
Rca =89,39
W

Una vez realizado el circuito se procedi a medir la temperatura que registraba


el encapsulado del transistor 2N3055 mediante una cmara trmica. A
continuacin se adjuntan las fotografas, tanto del encapsulado, como de la
carga.

BRUNO ALDERETE 5
PL-04 - DISIPADORES

Los valores que se obtuvieron tericamente diferirn de los que se obtendrn


prcticamente ya que la fuente de alimentacin para la carga utilizada en la
prctica es de 12 Vdc, mientras que los clculos tericos se realizaron para 6
Vdc. A su vez, los clculos tericos se efectuaron para una iluminacin media
de 500 Lux, lo cual corresponde a una resistencia de 4 k en el LDR. Esto
tambin genera diferencias entre los valores tericos y prcticos, ya que en el
desarrollo prctico se desconoce la intensidad lumnica.

BRUNO ALDERETE 6
PL-04 - DISIPADORES

Conclusin:
Se considera que el trabajo prctico de laboratorio fue de gran utilidad ya que
se pudo apreciar la disipacin trmica del disipador. En un principio fue
sorprendente para el equipo la gran diferencia de tamaos existentes entre el
disipador y el transistor de potencia, lo cual pareca exagerada. Sin embargo,
luego de realizar las conexiones y tomar los valores de temperatura del
encapsulado del transistor, se not que sin duda el disipador era necesario,
porque de lo contrario el transistor se rompera por el exceso de temperatura.
No solo se vio esto en la prctica, sino que tambin cuando se realizaron los
clculos tericos se not que el transistor no posee gran capacidad de
disipacin trmica, y que a su vez este deba disipar una potencia
relativamente elevada. Verificando, as, que el disipador es de uso
indispensable para esta aplicacin.

BRUNO ALDERETE 7