ONDAS ELETROMAGNTICAS:

VLVULAS DE RF

Professor: Luciano Ludwig Loder

 Em frequncias de micro-ondas, dois problemas surgem:
As capacitncias entre placas limitam a frequncia de operao
O tempo de propagao do eltron pelo vcuo da ordem de
grandeza da frequncia de operao.
O tempo de trnsito em vlvulas comuns de 1 a 10 s,
dependendo da construo, tenso no eletrodo e densidade
de corrente no tubo meio ciclo em 2 MHz.
Com isso os sinais de grade e anodo no esto mais em
defasagem de 180, causando problemas de design em
osciladores.
Utilizam-se ento vlvulas ou transistores especiais:
Vlvulas possuem potncias mais altas klystron, Magnetron e
Travelling-Wave Tube (TWT).
Transistores so menores, requerem fontes mais simples e
possuem, em geral, menos rudos.

Klystron multicavidade
Inventado logo antes da 2 guerra mundial como amplificador para
frequncias de micro-ondas, na Universidade de Stanford.
Um feixe de eletrons e produzido no catodo e enviado a um tubo de
vidro longo, para um coletor, mais positivo que o catodo.
O sinal de RF e colocado na cavidade de buncher, sobre o feixe de
eletrons.
Isso deve induzir oscilaoes na cavidade de catcher, com potencias
maiores do que na cavidade de buncher, amplificando o sinal.
Klystron multicavidade
Quando no h tenso em buncher, os eletrons passam inalterados.
Quando a tenso est subindo, um eltron de referncia, y, ser acelerado.
Um tempo depois um eltron z passa por buncher, e levemente acelerado,
chegando a catcher junto com y.
Um tempo antes de , um eltron x passa por buncher, e levemente freado,
chegando a catcher junto com y.
Isso causa uma modulao em velocidade no tubo, que implica em uma
modulao em corrente na cavidade de catcher, permitindo klystron ter um
ganho alto.
Klystron multicavidade
Esta vlvula pode ser utilizada tanto como amplificador
quanto oscilador.
Amplificador de media, alta ou ultra-alta potencia em UHF e
micro-ondas 250 MHz a 95 GHz.
Varian VKX-7809 tem potencia de saida de 2.2 kW e ganho
de 46 dB potencia de entrada de 50mW.
Eficiencia de 30% a 45%
Klystron reflex
Possui apenas uma cavidade
O feixe passa 2 vezes por ela.
Forma um oscilador de baixa potencia e baixa eficiencia.
O feixe e acelerado ate o anodo, que repele o feixe de volta a
cavidade.
Se tensoes forem bem ajustadas, os eletrons de retorno
entregam mais energia da cavidade do que receberam, gerando
oscilaao.
Klystron reflex
Frequencias de 4 a 200 GHz.
Potencia de saida tipica de 100mw, mas variam de 3w na
banda X para 10mW em 220 GHz.
Eficiencia tipica de 10%
Magnetron
Criado na universidade de Birminghan, na Gr-Bretanha, na
mesma poca da Klystron.
um diodo, geralmente circular, que usa a interao de
campos eltricos radiais e magnticos axiais em cavidades
complexas para obter oscilaes com potncia de pico altas.
Utilizado em radares e fornos de micro-ondas.
A sada obtida de uma das cavidades, e a entrada de outra.
Magnetron
O trajeto percorrido pelos eltrons alterado devido aos
campos E e B presentes na cavidade.
Quando B=0, os eletrons vao em linha reta do catodo ao
anodo.
Quando B0, os eletrons se curvam para o lado. Pode-se
fazer B alto o suficiente para o eletron no atingir o anodo,
fazendo i=0 no anodo. - chamado de campo de corte.
Magnetron
O campo de RF cria um componente tangencial ao campo
eltrico, que freia alguns feixes e acelera outros.
Utilizado como fonte pulsada em radares, com duty-cycle de
0.1% e potencias de 10kW a 5MW, com eficiencia da ordem
de 50%.
Magnetrons menores so usados em fornos de micro-ondas,
com eficiencia de 50%.
Travelling Wave Tube
um tubo com feixe de eltrons linear, como a klystron.
No entanto a interao entre o feixe e o campo de RF
contnua.
Como a velocidade do sinal de RF e quase a da luz e a do feixe e
10% da luz, e necessaria uma estrutura de retardo do sinal de RF.
O sinal de RF ento passa por um guia de onda helicoidal e no
centro da helice e passado o feixe eletronico.
Com isso o sinal de RF atua sobre o feixe eletronico por todo o
comprimento do tubo, gerando um ganho alto.

Travelling Wave Tube

As versoes de baixa potencia e baixo ruido so usadas em radares e
receptores de micro-ondas, instrumentos de laboratorio e drivers para tubos
maiores.
Substituidos por transistores, diodos tunel e shottky e amplificadores
parametricos.
Versoes de media e alta potencia so usados em radares e comunicaoes.
um tubo linear, como a klystron, mas a interao entre o feixe e o sinal de
RF contnua.
capaz de larguras de banda muito grandes.
Pode ser usado como amplificador de baixo rudo e baixa potncia ou de
alta potncia.
Transistores de micro-ondas
Sofrem as mesmas limitaes das vlvulas
Capacitncia de juno varia com a tenso de polarizao
Tempo de trnsito do eltron pelo transistor distncia menor,
mas mobilidade dos eltrons menor tambm (10% da
velocidade da luz)
Utilizam-se parmetros Y e parmetros S para modelar o transistor.
Deseja-se reduzir a area de junao e reduzir a regiao ativa, para
reduzir o tempo de transito.
Usam-se geometrias planares entrelaadas.
Diodo Varactor, ou Varicap
Possui capacitancia de junao variavel com a tensao de
polarizaao reversa aplicada
Util como capacitor variavel com tensao, em moduladores
de frequencia, multiplicador de frequencia de micro-ondas
e amplificadores parametricos.

Diodo Step-Recovery, ou SDR

um varistor que armazena carga na juno PN e a devolve
em um pulso rapido.
Util para gerar sinais de RF usando um sinal de frequencia
mais baixa.
Alimentando 12W em 0.5 GHz a um SDR pode resultar em
1.2W em 5 GHz.
Amplificador Paramtrico

um amplificador de alta frequncia e baixo rudo, usado

para amplificar sinais muito baixos, como radiotelescpios.
Altera-se a capacitancia de um tanque LC na frequencia do
tanque, e essa alteraao acaba amplificando o sinal.
Utilizam-se varactores, ao inves de capacitores, para
alterar eletronicamente a capacitancia.