ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE ALTA FRECUENCIA

PREPARATORIO:

Prctica #: 8 Tema: Parmetros S (Parte II)

Fecha de Realizacin: 2017 / 06 / 26
Ao mes da

Realizado por:

Alumno (s): Arrieta Cristina Grupo: GR1

Correa Eduardo

(Espacio Reservado)

Fecha de entrega: 2017 / 06 / 26 f. ______________________

Ao mes da Recibido por:

Sancin: ________________________________________________

Perodo: Abril 2017 Septiembre 2017

 TEMA: Parmetros S (ParteII)

OBJETIVOS:

Analizar los circuitos a partir de los parmetros S.

Observar el comportamiento de diferentes tipos de circuitos a partir de los parmetros S.

TRABAJO PREPARATORIO

1. Analizar el siguiente circuito, obtener graficar los parmetros S en funcin de la frecuencia:

Condiciones:
Z 1=L=0,22uH Z 2=C=220 pF
Parmetro S11:
V Zin 1Zo
S 11= REF 1 = 1= ; Zin 1=Z 1+( Zo Z 2)
V INC 1 Zin 1+ Zo

Z 1 ( Z 2 + ZO ) +Z 2 Z O
Z O
(Z 2+ Z O ) ZoZ 2+ Z 1 Zo+Z 1 Z 2Zo2ZoZ 2
S 11= =
Z1 ( Z 2 + Z O ) +Z 2 Z O 2 ZoZ 2+Z 1 Zo+ Z 1 Z 2+ Zo 2
+ ZO
( Z 2+ Z O )

Parmetro S22:
Zin 2=(Z 1+ Zo) Z 2

Z
( O+Z 1 ) Z2


Z O

Z
( O+Z 1 ) Z2


+ ZO

Zin 2Zo
S 22= =
Zin2+ Zo

Parmetro S21:
 V REF 2
S 21 = ; cuando elV INC2=0 V 1=V INC1 +V REF 1
V INC 1

V INC1 V REF 1 V INC 1V 1 +V INC 1 2V INC 1V 1

I 1 =I INC1I REF 1= = =
Zo Zo Zo Zo

V 1+ I 1Zo Vgen
V INC 1= =
2 2

V 2=V INC2 +V REF 2 ; Por condiciones V INC 2=0 ; V 2=V REF 2=50I 2

( Zo Z 2 ) + Z 1 ZoZ 2+Z 1 Zo+ Z 1 Z 2

V 1= V gen = 2 V gen
Zo+ Z 1+(Zo Z 2) Zo +2 ZoZ 2+ Z 1 Zo+Z 1 Z 2

( Zo Z 2 ) ZO Z 2
V 2= V 1= V g
Z 1+ ( Zo Z 2 ) (2 ZO Z 2+ Z O Z 1 +Z 02 + Z 1 Z2 )

V2 2 ZoZ 2
S 21= =
V g 2 ZoZ 2+ Z 1 Z 2+ZoZ 1+Zo 2
2

Parmetro S12:
V
S 12 = REF 1 ; cuando V INC 1=0 V 2=V INC2 +V REF 2
V INC 2

V INC 2 V REF 2 V INC 2V 2 +V INC 2 2V INC 2V 2

I 2 =I INC2I REF 2= = =
Zo Zo Zo Zo

V 2+ I 2Zo V gen
V INC 2= =
2 2

V 1=V INC1 +V REF 1 ; Por Condiciones V INC 1 = 0

V 1=V REF 1

(Zo+ Z 1) Z 2 Z O Z 2 + Z1 Z 2
V 2= V gen= 2 V g
Zo+( Zo+Z 1) Z 2 Z O +Z O Z1 +2 Z O Z 2+ Z 1 Z 2
ZO ZO Z 2 ( ZO + Z 1 )
V 1= V 2 = 2
V g
ZO+ Z1 (Z O + Z1 ) (Z O +Z O Z1 +2 Z O Z 2+ Z 1 Z 2)
2 ZO Z2
S 12 = 2
( ZO + Z O Z 1 +2 Z O Z 2 +Z 1 Z 2 )

Parmetros S11 y S21

 R1 L1
50 0.22uH

V1
-1/1V C1
10nF
R3
V2 10MHz 50
-2/2V
A

10MHz
R2
1000000

Parmetros S22,S12

2. Consultar las especificaciones del siguiente dispositivo:

 Marca: Mini-circuit
Modelo: ZJL-4G
Caractersticas:
Impedancia: 50
Frecuencia: 20 a 4000 MHz
Ganancia en dB:
Tpica: 12.4 dB
Mnima: 10 dB
Mxima potencia de entrada: +20 dBm
Mxima potencia de salida L: +13.5 dBm
Mxima potencia de salida U: +11 dBm
Rango Dinmico NF: 5.5 dB
Rango Dinmico IP3: +30.5 dB
VSWR en la entrada: 1.4
VSWR en la salida: 1.6

DC Power:
Voltaje: 12V
Corrientes: 75 mA
Rangos Mximos:
Temperatura: -40C a 75C
DC Voltaje: + 13Vmax.

Tabla de caractersticas

Configuracion de Pines:

Bibliografa:
 Radio-Frequency Electronics, Jon B. Hagen, Cambridge university press, segunda edicin, United
State of America, 2009.

www.minicircuits.com/pdfs/ZJL-4G.pdf

BIBLIOGRFA

Apuntes de clase Dr. Pablo Lupera.