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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Introduo
O estudo dos amplificadores efectuado at agora no incluiu nenhum
elemento que cause dependncia com a frequncia. Isto deve-se ao modelo
utilizado e no aos transstores que tm de facto elementos armazenadores
de carga que limitam a velocidade e a frequncia de funcionamento.
O funcionamento de um
andar amplificador em
funo da frequncia
est ilustrado na figura
seguinte.

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Modelo hbrido
O modelo hbrido do BJT utilizado para o estudo dos amplificadores nas
altas frequncias.
C - capacidade de difuso (dezenas de pF at poucas centenas de pF)
r - resistncia incremental da juno (centenas de at vrios K)
C - capacidade da regio de depleco da juno colector-base
inversamente polarizada (1 a 5 pF)
ro - resistncia de sada
(dezenas de K at centenas de
K)
rx ou rb - resistncia de extenso
da base (40 a 400)

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Modelo hbrido
C - Numa juno polarizada directamente as lacunas difundem-se do lado P
para o lado N fazendo com que a vizinhana da juno apresente maior
densidade de lacunas (do lado P e electres do lado N) do que o normal.
Essa densidade de carga como um armazenamento de carga, funcionando
a zona de depleco como um isolante, ou seja existe um efeito capacitivo.
A quantidade de carga excedentria depende do valor da tenso que provoca
a polarizao directa.
A concentrao de cargas diminui com o
aumento da distncia juno em
consequncia da recombinao das
lacunas com os electres.

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Modelo hbrido
Q = CV
A carga de um condensador dada por:
O aumento da tenso directa em V provoca uma variao de Q na carga
acumulada junto da juno. Q
C=
A capacidade de difuso quando uma das regies da juno est mais V
dopada do que a outra (juno base-emissor) dada por: Q .I DQ
CD = =
onde VT o equivalente em tenso da temperatura da juno. V
Q
VT
IDQ a corrente que atravessa a juno em estado estacionrio.
o tempo de vida mdio dos portadores (medida do tempo de
recombinao dos portadores minoritrios de cada lado da juno).

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Modelo hbrido VT
rd =
Como a resistncia incremental da juno no PFR dada por: I DQ

CD = = rd C D
ou seja:
rd
C =
No caso da juno base-emissor: r
A capacidade de transio de uma juno abrupta (juno base-colector)
dada por: A
CT =
onde C a capacidade de transio W
T

a permitividade do meio dielectrico


W a distncia entra as cargas da juno.
A a rea da juno
A
No caso da juno base-colector: C =
W

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Modelo hbrido
Restantes parmetros:

IC 0 A
gm = ro =
VA r = C = C =
VT IC gm W r

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Modelo do MOSFET para alta frequncia


O modelo do MOSFET para alta frequncia resulta de:
existncia de uma capacidade formada pelo polisilcio da gate e o canal,
com o xido isolante como dielctrico.
existncia de dodos parasitas entre o substrato, de tipo P na figura, e as
zonas com dopagem do tipo N).

Estas capacidades podem ser


modelizadas introduzindo no modelo
diversas capacidades.
Podem ser utilizadas um total de 5
capacidades: CGS, CGD, CGB, CSB, CDB
Normalmente usa-se um modelo
simplificado.

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Modelo do MOSFET para alta frequncia - Efeito capacitivo da Gate.


1. Quando o MOSFET est na regio de triodo com vDS pequeno o canal tem
largura uniforme. Neste caso a capacidade Gate-canal pode ser dividida
1
em duas partes iguais: C gs = C gd = WLC ox
2
2. Quando o MOSFET funciona em regime de saturao o canal tem uma
forma aproximadamente triangular e est a sofrer o efeito de pinch-off
junto do dreno. Nesta situao as capacidades valem: C gd = 0 C gs = 2 WLC ox
3
3. Quando o MOSFET est ao corte o canal desaparece, mas o efeito
capacitivo da porta pode ser modelizado por Cgb, resultando em:
C gs = C gd = 0 C gb = WLC ox
4. Existe uma capacidade adicional pequena que deve ser adicionada em
todos os casos anteriores a Cgs e Cgd. Esta capacidade resulta do facto de
a fonte e o dreno se estenderem ligeiramente sob o oxido da gate. Se o
comprimento da sobreposio for Lov, o componente de sobreposio da
capacidade dado por (tipicamente LOV=0.05 a 0.1L): C ov = WLov C ox

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Modelo do MOSFET para alta frequncia


Capacidades de juno.
As capacidades da camada de depleco das duas junes pn inversamente
polarizadas formadas pelas difuses de dreno e fonte e o substrato so dadas
por:
C sb 0 C db 0
C sb = C db =
V V
1 + sb 1 + db
V0 V0

onde Csb0 e Cdb0 so as capacidades correspondentes quando no existe


polarizao entre a fonte (ou o dreno) e o substrato, VSB e VDB so as tenses
de polarizao e V0 o potencial de barreira da juno ( de 0.6 at 0.8V).

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Modelo do MOSFET para alta frequncia


O modelo do MOSFET para alta
frequncia, representado na parte
(a) da figura demasiado
complexo para permitir anlise
manual.
No caso de a fonte estar ligada ao
substrato o modelo torna-se
consideravelmente mais simples
como est representado em (b).
Neste modelo Cgd, ainda que
pequeno tem um papel importante
na resposta em frequncia.
A capacidade Cdb pode
normalmente ser desprezada.

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Modelo do MOSFET para alta frequncia


O modelo resultante desta simplificao est representado na figura seguinte.

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Modelo do MOSFET para alta frequncia


O ganho do amplificador s mdias frequncias calculado da forma
anteriormente estudada.
O comportamento nas frequncias mais baixas determinado pelos
condensadores externos e nas frequncias mais elevadas pelos
condensadores parasitas.
A largura de banda dada por: BW = f H f L BW f H

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Cada condensador representa uma determinada impedncia, ou reactncia.
A reactncia capacitiva dada por: 1
XC =
2fC
A uma diminuio da frequncia corresponde um aumento da reactncia.
Esta reactncia que no era significativa s MF passa a representar um papel
importante nas BF.
A diferena entre os condensadores externos
e os parasitas o seu valor das capacidades.
Como as capacidades parasitas tm valores
baixos, o seu efeito s se faz sentir com
frequncias mais elevadas.
O aumento de XC faz com que uma parte
menor do sinal de entrada chegue ao
transstor e baixa o sinal de sada e o ganho.

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Para a anlise do circuito as fontes de tenso podem ser substitudas por
curto-circuitos e as de corrente por circuitos abertos.
Sendo Av0 o ganho s mdias frequncias, possvel analisar a relao entre
este e o ganho em baixa frequncia AvL:
Vsig
R jX C1 AvL RC1 AvL 1
AvL
= C1 = =
Av 0 Vs Av 0 RC1 jX C1 Av 0 X
1 j C1
RC 1 RC1

AvL 1 AvL 1
= =
Av 0 1 Av 0 f LC1
1 j 1 j
2fRC1C c1 f
1
C1 = RC1C c1 f LC 1 =
2RC1C c1

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Qual o comportamento da relao de ganhos anterior? AvL 1
=
Av 0 f
2

O mdulo : 1 + LC 1
f
A relao de ganhos baixa quando a frequncia baixa (Av0 constante)
Em termos de fase: AvL 1 f
= arctg ( LC 1 )
Av 0 f LC1 f
2

1 +
f
Comportamento:
Quando f=fLC1 AvL 1 1
= 20 log( ) = 3db
Av 0 2 2

AvL
arg( ) = 45
Av 0

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Potncia de sada do amplificador:
vo 2
Po =
RL
( Av 0 vi ) 2
PoMF =
RL
( Av 0 vi / 2 ) 2 ( Av 0 vi ) 2
PoLF = =
RL 2 RL

Portanto frequncia fLC1 h uma quebra na potncia de 50% em relao ao


valor fornecido s mdias frequncias.
1
PoLF = PoMF
2

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Diagrama de Bode
Representao grfica para mostrar o comportamento em frequncia e fase
de um determinado dispositivo. AvL 1
=
Av 0 f LC1
Mdulo: 1 j
f
AvL 1 AvL f
Quando f<< fLC1 = = j
Av 0 f Av 0 f LC1
j LC1
f
Nesta situao a relao de ganho varia linearmente com a frequncia.
Uma reduo da frequncia para metade corresponde a um decrscimo de
6dB (20log(1/2)=-6dB).
Se a reduo for para um dcimo (uma dcada) ento o decrscimo de
20dB (20log(1/10)=-20dB).

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Diagrama de Bode
Representao grfica para mostrar o comportamento em frequncia e fase
de um determinado dispositivo.
Fase:
f LC1
arctg ( ) arctg (0) = 0
Quando f>> fLC1 f

f LC 1
arctg ( ) arctg (1) = 45
Quando f= fLC1 f

f LC1
arctg ( ) arctg () = 90
Quando f<< fLC1 f

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Quanto vale RC1?

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Quanto vale RCE?

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


Quanto vale RC2?

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


O comportamento global do amplificador est representado na figura
seguinte. A frequncia inferior de corte dada por:
1 1 1 1 f L = f p1 + f p 2 + f p 3
fL = + +
2 RC1C C1 RCE C E RC 2 CC 2

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Resposta em baixa frequncia de um andar em Emissor Comum


A anlise em baixa frequncia para o MOSFET feita de forma idntica que
foi apresentada para o BJT. conveniente explicitar o processo que foi
utilizado:
1- Retirar a fonte de sinal.
2- Analisar o efeito de cada condensador em separado, substituindo os
restantes por curto-circuitos ideais.
3- Para cada condensador calcular a resistncia total vista pelos seus
terminais. Com este valor obtm-se a constante de tempo associada ao
condensador.
Frequentemente colocada a questo inversa: escolher os condensadores
em funo das caractersticas pretendidas para o amplificador.
Neste caso conveniente escolher um dos plos como dominante e colocar
os restantes a pelo menos uma dcada de distncia.
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Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


Nas frequncias mais elevadas o comportamento do amplificador
pode ser modelizado pelo circuito RC da figura. possvel escrever:
1
1 1 i
vi = i ( R + ) vo = i v jWC 1
Av = o = =
jWC jWC vi 1 1 + jWRC
i( R + )
jWC
1
Genericamente a frequncia superior de corte do tipo: fH =
2RC
1
Portanto possvel escrever: Av =
f
1+ j R
Separando as componentes de mdulo e fase: fH
Vi
1 1 1 f C Vo
Av = Av = arctg ( )
f arctg ( f )
2
f
2 fH
1 + f 1 +
fH H f
H

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Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


Estudo do comportamento do mdulo de Av nas altas frequncias:
1
Av =
2
1 f
Quando f=fH Av = 1 +
2 f
H

f
Quando f<<fH (mdias frequncias) 0 Av 1
fH
ou seja o ganho mantm-se igual ao ganho s mdias frequncias
Quando f>>fH f 1 f
>> 1 Av = = H
fH f f
fH
Neste caso obtm-se um comportamento linear com a frequncia, sendo que
medida que a frequncia aumenta o mdulo do ganho diminui.

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Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


Estudo do comportamento do mdulo de Av nas altas frequncias:

Um aumento de uma oitava na frequncia em relao a fH, f=2fH


d origem a um declive de 6dB. 1 1
Av = 20 log( ) = 6db
2 2

Um aumento de uma dcada na frequncia em relao a fH, f=10fH


d origem a um declive de 20dB. 1 1
Av = 20 log( ) = 20db
10 10

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Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


Estudo do comportamento do fase de Av nas altas frequncias:
f
arg( Av ) = arctg ( )
fH
f
Quando f<<fH (mdias frequncias) 0 arg( Av ) 0
fH

f
= 1 arg( Av ) = 45
Quando f=fH fH

f
arg( Av ) 90
Quando f>>fH fH

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Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


Retomando o amplificador em emissor
comum, para fazer a anlise em alta
frequncia substitui-se o transstor pelo
modelo -hbrido.
Este circuito apresenta um inconveniente:
a posio do condensador C dificulta os
clculos.

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Teorema de Miller
Considerando uma situao em que a impedncia Z faz parte de um circuito
maior que no mostrado e que existe uma relao entre as tenses dos ns
tal que V2=KV1.
O teorema de Miller afirma que a impedncia pode ser substituda por duas
impedncias ligando ambos os ns massa, de acordo com a figura (b).
Considerando uma corrente I1, do n 1 para o n 2, pode escrever-se:
V1 V2 V1 KV1 V1 (1 K ) V1
I1 = = = =
Z Z Z Z
(1 K )
Impedncia equivalente:
Z
Z1 =
(1 K )

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Teorema de Miller
Considerando uma corrente I2, do n 2 para o n 1, pode escrever-se:
V2
V2
V V1 K = V2 K V2 = V2 K V2 = V2 Impedncia equivalente:
I2 = 2 =
Z Z KZ KZ KZ KZ
( K 1)
Z2 =
No caso de um condensador: ( K 1)
1 1 C Mi = C (1 Av )
=
2fC Mi 2fC (1 Av )
1 Av C ( Av 1)
= CMo =
2fC Mo 2fC ( Av 1) Av Se Av>>1 ento CMoC.
Em rigor, seria necessrio conhecer o ganho em alta frequncia para poder
fazer uso do teorema de Miller nesta situao. A aproximao que se usa
habitualmente utilizar o ganho s mdias frequncias, sendo esta situao
mais penalizadora.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


No livro Sedra e Smith calculado o efeito do condensador apenas sobre a
entrada. Aplicando o teorema de Miller possvel analisar o efeito do
condensador sobre a entrada e a sada.
Utilizando os dois condensadores possvel calcular as constantes de tempo
associadas a cada um.

Co

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Resposta em alta frequncia de um andar em Emissor Comum


As constantes de tempo permitem o clculo da frequncia superior de corte
atravs da expresso: 1 1 1 1
+ + ... +
fH f P1 f P2 f PN

Na figura abaixo apenas est contabilizado um plo, uma vez que s foi
considerado o efeito do condensador C na entrada.
Nestes clculos tambm frequente
incluir o efeito capacitivo associado
cablagem. Neste caso surgem dos
elementos capacitivos, Cwi e Cwo
associados entrada e sada.
Este efeito capacitivo apenas ocorre em
alta frequncia.

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Resposta em alta frequncia de um andar em Fonte Comum


A figura representa um andar amplificador em Fonte Comum. Para proceder
anlise em alta frequncia, tal como no caso anterior, substitui-se o transstor
pelo modelo de alta frequncia.

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Resposta em alta frequncia de um andar em Fonte Comum


semelhana do que acontece para o BJT, tambm no MOSFET existe um
condensador numa posio pouco conveniente ao qual possvel aplicar o
teorema de Miller.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Resposta em alta frequncia de um andar em Fonte Comum

Tal como no caso do


BJT, o livro Sedra e
Smith utiliza apenas
Co
o efeito do
condensador sobre
a entrada.

Aplicando o teorema de Miller possvel


analisar o efeito do condensador sobre a
entrada e a sada.
Utilizando os dois condensadores possvel
calcular as constantes de tempo associadas
a cada um.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital


O BJT a funcionar como inversor lgico
Um dos componentes bsicos dos circuitos digitais, e a base dos restantes
o inversor. O BJT pode ser usado para fazer um destes elementos, como est
representado na figura.
Para funcionar desta forma o BJT usa os modos de corte e saturao e como
a sada inversora o sinal de entrada invertido.
A escolha dos modos de corte e saturao
motivada por:
A dissipao ser baixa em ambos os modos.
As tenses de sada estarem bem definidas.

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Funcionamento em modo digital - O BJT a funcionar como inversor lgico


1. Quando vi=VOL=VCEsat=0.2V, vo=VOH=VCC=5V.
2. Em vi=VIL=0.7V o transstor entra em funcionamento.
3. Para VIL<Vi<VIH, o transstor est zona activa directa.
4. Em vi=VIH o transstor entra na regio de
saturao.
5. Para vi=VOH=5V o transstor est em
saturao profunda com vo=VCEsat=5V.
Uma das limitaes que apresenta este tipo de
circuito diz respeito s margens de rudo serem
bastante diferentes para L e H, a outra limitao
diz respeito velocidade de funcionamento, em
funo do tempo necessrio para levar o
transstor da saturao ao corte

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Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


A figura representa um inversor CMOS, composto por dois MOSFETs de
enriquecimento com caractersticas semelhantes.
O funcionamento do circuito completamente simtrico, sendo os dois
transstores utilizados como dois interruptores a funcionar de forma
complementar em relao entrada vi.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


Funcionamento quando vi est num valor lgico correspondente a 1.
Determinao do ponto de funcionamento e circuito equivalente.
rDSN e rDSN so as resistncias equivalentes dos transstores para o ponto de
funcionamento. Com um valor de entrada a H a sada est a L.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


Funcionamento quando vi est num valor lgico correspondente a 0.
Determinao do ponto de funcionamento e circuito equivalente. Com um
valor de entrada a L a sada est a H.
O transstor P funciona como pull-up e o transstor N como pull-down.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


Deve notar-se que, apesar da corrente de funcionamento ser baixa, a
capacidade de fornecer ou receber corrente elevada.
Da anlise de funcionamento pode concluir-se que o inversor CMOS funciona
como um inversor ideal. Em resumo:
1- As tenses de sada so de 0 e VDD, permitindo uma variao de sinal
mxima. O inversor pode ser projectado para ter uma caracterstica simtrica,
permitindo margens de rudo amplas.
2- A dissipao de potncia esttica nula em ambos os estados. Existe
dissipao na comutao.
3- Existe uma ligao atravs de uma resistncia baixa para a massa ou o
VDD. A baixa resistncia de sada torna o inversor menos sensvel aos efeitos
do rudo ou de outras perturbaes.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


4- Os pull-up e pull-down activos permitem uma elevada capacidade de
fornecer ou receber corrente.
5- A resistncia de entrada do inversor
infinita uma vez que IG=0. Como tal o
inversor pode estar ligado a um nmero
arbitrrio de outros inversores sem perda
do nvel de sinal.

Caracterstica de transferncia em tenso.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


Funcionamento dinmico
A velocidade de funcionamento de um circuito digital determinada em
grande parte pelos atrasos de propagao.
A capacidade C representa as capacidades internas do MOSFET.
Considerando as transies do sinal de entrada como instantneas, as
transies correspondentes
da sada no sero
instantneas.

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Electrnica II Resposta em Frequncia dos Amplificadores

Funcionamento em modo digital - O inversor CMOS


Funcionamento dinmico
Considerando uma situao de descarga (ou carga) do condensador
possvel analisar a mudana de ponto de funcionamento.
durante a mudana de ponto de funcionamento que se d o consumo de
corrente no inversor CMOS.

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