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Le transistor bipolaire

1 Gnralits
1.1 Structure dun transistor
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor 1 (de langlais transfert resistor)
jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'o lappellation de transistor
bipolaire. Dautres types de transistors (transistor effet de champ, transistor unijonction)
seront tudis ultrieurement.
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois
N
Collecteur P lectrodes dun transistor bipolaire se nomment : metteur,
Base base et collecteur. Pour un NPN on a :
un metteur (zone N) fortement dop,
Emetteur
une base (zone P) trs mince et faiblement dope,
un collecteur (zone N) peu dop.
NPN PNP
La structure relle est trs diffrente du schma de principe et
C C
B B dpend de la mthode de fabrication du transistor (alliage,
diffusion, pitaxie).
E E Du fait des diffrences de dopage entre lmetteur et le
Fig. 1 collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux diodes
montes tte-bche.
Sur le schma lectrique du transistor une flche marque la jonction base-metteur. Cette
flche est oriente dans le sens o la jonction base-metteur est passante.

1.2 Courants travers les jonctions

On mesure les courants entre deux lectrodes relies un
gnrateur quand la troisime est dconnecte.
I be I eb0
Jonction Base-Emetteur.
En polarisation directe, IBE est intense. Par contre en
polarisation inverse IEB0 est trs faible.
Jonction Base-Collecteur.
En polarisation directe, IBC est intense. En polarisation inverse
I bc I cb0 ICB0 est trs trs faible.
En effet, le dopage du collecteur tant faible celui-ci contient
I ec0 I ce0 peu de porteurs libres.
Espace Emetteur-Collecteur.
Si la jonction BE est polarise en inverse, IEC0 est trs faible
Fig. 2
mais on a : IEC0 > IEB0
Si la jonction BE est polarise en direct, on mesure un ICE0 trs
faible avec :
ICE0 > IEB0 >> ICB0

1 Invent en 1948 par Bardeen, Brattain et Shockley (Prix Nobel en 1956)

 Le transistor ne fonctionne donc pas de manire symtrique. Le collecteur et
" lmetteur ayant des taux de dopage trs diffrents ne peuvent pas tre permuts.

2 Effet transistor
2.1 Etude exprimentale
Par convention on considre les courants qui pntrent dans le transistor comme tant positifs.
La conservation de la charge donne :
IC + IB + IE = 0
Ic
On utilise un transistor NPN dont on polarise les lectrodes pour
faire en sorte que : VE < VB < VC
La jonction BE est donc polarise en direct et la jonction BC en
inverse. Pour un transistor, on a mesur :
Ib
IE = 100 mA, IC = 99 mA IB = 1 mA

Fig. 3
Le courant dmetteur traverse presque totalement la base et la jonction BC, pourtant
polarise en inverse, pour parvenir au collecteur.
REMARQUE : Pour un transistor PNP, il faut inverser tous les sens des courants et la polarit
des gnrateurs pour obtenir VE > VB > VC

2.2 Interprtation du fonctionnement

Emetteur N Base P Collecteur N

Ie Ie
Ie
Electrons
Icb0
(1) Ie
Trous
(minoritaires)
Recombinaisons

Crations
Ib de paires

Fig 4
Par construction la base est trs mince et faiblement dope. Par contre lmetteur est trs
dop et contient donc beaucoup de porteurs majoritaires.
La jonction BE est polarise en direct : il y a diffusion dlectrons de lmetteur vers la base et
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons lectrons-trous dans la base
mais comme le nombre dlectrons injects est trs suprieur au nombre de trous et comme la
base est trs mince (e < 1 m), beaucoup dlectrons chappent aux recombinaisons, sont
acclrs par le champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette jonction.
champ
A ct du courant de majoritaires existe un courant beaucoup
interne plus faible de minoritaires (ICB0) qui est fonction de la
temprature. La largeur de la zone appauvrie en porteurs de la
lectrons
injects lectrons jonction BC qui est polarise en inverse diminue si VBE restant
(mis) collects
constant la valeur de VCE augmente.
N P jonction N Fig. 5
B-C
2.3 Relations fondamentales
Avec les notations de la figure 4, le courant de collecteur scrit :
IC = .IE + ICB0
= 1 ( petit). Pour le transistor de lexemple du 2.1, = 0,99
De plus : IC + IB + IE = 0
IC = (IC + IB) + ICB0 IC(1 ) = .IB + ICB0
1 1
IC = IB + ICB0 On pose : = donc : + 1 =
1 1 1 1
I C = .I B + ( + 1).I CB0 .I B

" Le courant collecteur est sensiblement gal fois le courant de base.

Si IB = 0 alors IC = ( + 1).ICB0 = ICE0. Le courant ICB0 rsulte dun courant de minoritaires

qui se recombinent au niveau de la base et du courant inverse de la jonction CB. Il varie
fortement avec la temprature : pour le silicium il double tous les 10C. Mais comme il vaut
seulement quelques nanoampres la temprature ambiante ces transistors sont utilisables
jusqu environ 200C.

3 Rseaux de caractristiques
Pour caractriser compltement le fonctionnement dun transistor, il faut dterminer 6
grandeurs : IC, IB, IE et VCE, VBE, VBC.
Les relations : IC + IB + IE = 0 et VCE + VBE + VBC = 0 font quen fait quatre de ces grandeurs
sont indpendantes.
On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune lentre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
Base commune utilis en haute frquence et qui ne sera pas tudi ici
Collecteur commun utilis en adaptation dimpdance
Emetteur commun utilis en amplification et le plus commun.

3.1 Le montage metteur commun

Les bornes d'entre du triple sont la base et lmetteur ; les
grandeurs dentre sont : IB et VBE.
IC La sortie se fait entre le collecteur et lmetteur ; les grandeurs
IB correspondantes sont : IC et VCE.
VCE On utilise les paramtres hybrides dont lintrt sera justifi aprs
VBE la description des caractristiques.
VBE H 11 H 12 I B
Fig. 6 I = H H 22 VCE
.
C 21

3.2 Montage pour le relev des caractristiques

Pour procder au relev des caractristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
paramtres dentre IB et VBE sont maintenus constants et on mesure IC lorsque VCE varie. On
constate avec ce montage linfluence de la temprature sur les valeurs mesures. Pour limiter
l'auto-chauffement du transistor par le courant du collecteur, il ne faut appliquer les tensions
que pendant la dure de la mesure.
 IC
IB mA
Rp R
A
V

mV VBE VCE
G1 = 5 V G2

Fig 7

3.3 Rseaux des caractristiques

On tudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium la
tension de seuil de la jonction metteur-base est voisine de 0,6 V.
# Rseau de sortie
Cest le rseau IC = f(VCE) avec IB comme paramtre (coefficient H22).
Dans ce rseau (trac en rouge), on distingue 3 zones :
$ VCE < 0,25 V VCB = VCE VEB = 0,25 V 0,65 V = 0,4 V
La jonction BC est polarise en direct : IC varie linairement avec VCE.
$ VCE grand : il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche. Il
est souvent destructif ! Sur le schma seule la premire caractristique a t prolonge
jusquau claquage. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30 V 250 V.
$ VCE intermdiaires : le courant collecteur est donn par la relation :
IC = .IB + ICE0 + k.VCE
Il y a une lgre croissance du courant avec VCE. Plus cette tension crot et plus la zone o les
recombinaisons lectrons-trous se produisent est troite. Cette dpendance du courant
collecteur avec la tension de sortie se nomme leffet Early. Les prolongements des parties
rectilignes des caractristiques vers les VCE ngatifs coupent laxe IC = 0 au point VCE = VEarly
( 50 100 V)
I C (mA)

VCE = 8 V

VCE = 0

10
I B = 60 A

I CE0 I B = 20 A

I B (A) 5 VCE (V)

VCE = 0
500
VCE > 0,65 V VBE (mV) I B = 60 A

Fig 8 : partir des valeurs de deux grandeurs, on peut dduire celles des deux autres
En pratique, on utilisera la relation simplifie : IC = .IB
est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est faible. Des
transistors de mme rfrence peuvent avoir des gains trs diffrents. Le gain varie avec le
courant collecteur, la tension VCE et la temprature (terme ICE0). La diminution de la largeur
de base utile quand VCE crot limite les possibilits de recombinaisons lectron-trou et fait
crotre trs lgrement . Mais si par exemple varie de 0,995 0,996 alors varie de 200
250.
La valeur leve de justifie les deux approximations suivantes souvent utilises dans les
calculs : IB << IC IE IC
IB tant fois plus faible que IC , on peut considrer en premire approximation que la
puissance dissipe dans le transistor est : P = VCE.IC.
Si la temprature augmente ICE0 crot et tout le rseau se translate vers les IC croissants. IC
augmentant, la puissance dissipe au niveau du collecteur crot et la temprature du transistor
augmente : si on ne limite pas ce phnomne cumulatif, le transistor peut tre dtruit par
emballement thermique.
# Rseau de transfert en courant
Cest le rseau IC = f(IB) avec VCE comme paramtre (coefficient H21).
Ce rseau est constitu par un ventail de courbes presque linaires passant par le point
IB = 0 et IC = ICE0. (IC = .IB + ICE0).
# Rseau dentre
Cest le rseau IB = f(VBE) avec VCE comme paramtre (coefficient H11-1).
Ds que VCE est suprieur 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
linfluence de la tension de sortie sur le courant dentre est ngligeable. La courbe est
identique la caractristique dune diode qui est constitue par la jonction base metteur.
Pour un transistor au silicium, VBE varie trs peu et reste voisin de la tension de seuil de la
jonction base-metteur soit 0,65 V.
# Rseau de transfert en tension
Cest le rseau VBE = f(VCE) avec IB comme paramtre (coefficient H12).
On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension dentre.

4 Paramtres en h, circuit quivalent

4.1 Dfinition des paramtres
Lexamen des caractristiques du transistor montre quil existe des zones o son
comportement est pratiquement linaire. Si lon choisit le point de fonctionnement dans ces
zones linaires, on peut crire que les variations des grandeurs dentre et de sortie (notes
avec des minuscules !) sont relies par les relations :
v BE h 11 h12 i B
i = h h 22 v CE
.
C 21
Les paramtres hij de cette matrice hybride sont les drivs des paramtres Hij au voisinage
du point de fonctionnement tudi.

4.2 Interprtation des paramtres

# h11 = vBE / iB VCE = Constante.
Cest la rsistance dentre du transistor. Cest aussi la pente de la caractristique
dentre.
 On a vu que pour une diode le courant direct est : IB ISat.exp(e.VBE / kT).
Donc h11 = dVBE /dIB = (kT/e).(1/ IB). Comme IC .IB, on en dduit la relation suivante
valable temprature ambiante pour tous les transistors.

h11 26 ( h11 en , IC en mA)
IC

# h21 = iC / iB VCE = Constante.

Cest le gain en courant du transistor. Il est trs voisin de qui est la pente de la
caractristique de transfert en courant.
# h22 = iC / vCE IB = Constante.
Cest ladmittance de sortie du transistor. Elle est en gnral faible et correspond la
1
pente des caractristiques du rseau de sortie ; h22 est fonction du courant collecteur ; h22
est de lordre de 20 k pour des courants collecteurs de lordre de quelques milliampres.
# h12 = vBE / vCE IB = Constante.
Cest la pente des caractristiques du rseau de transfert en tension. Ce paramtre tant
voisin de zro (typiquement 105 106) sera toujours nglig.

4.3 Schma quivalent simplifi

En fait, il existe des capacits entre les lectrodes dun transistor. Ces capacits sont faibles
et prsentent en basse frquence des impdances si grandes que lon peut ngliger leurs effets.
Par contre en haute frquence, les impdances de ces capacits parasites modifient le
fonctionnement du transistor.

iB iC Si on nglige les capacits entre les lectrodes,

B C on obtient le schma quivalent suivant, valable
h11 uniquement en basse frquence, qui est la
traduction graphique du modle hybride du
vBE vCE transistor. Il relie donc les variations des grandeurs
h21 .iB 1 dentre et de sortie.
h12 .vCE h22
On suppose que le transistor est plac son point de
E E fonctionnement, dans la zone linaire des
iB iC
caractristiques, par application de potentiels
continus convenables sur les trois lectrodes.
h11 vCE Cette opration se nomme la polarisation du
vBE transistor.
h21 .iB Comme h12 est voisin de 0 et que h22 est petit, on
iB iE iC peut encore simplifier le schma. Dans ce modle, le
transistor se ramne un circuit dentre qui est la
Fig. 9 rsistance h11 et un circuit de sortie constitu par
un gnrateur de courant iC = iB.
Les variations du courant de sortie sont gales fois celles du courant dentre.

" Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant..

4.4 Pente dun transistor

On dfinit la pente s dun transistor par le rapport dIC / dVBE
 iC h
s= 21
v BE h11
En effet, dans le modle simplifi, on a : iC = h21.iB et vBE = h11.iB
De plus h11 = kT/e.IB. Donc : s = h21/(kT/e.IB) = h21.IB/(kT/e) = e.IC/kT
A temprature ambiante, la pente dun transistor quelconque est :
s( mA / V) = 38. IC ( mA )

Linverse de la pente est le quotient vBE /iE = h11.iB /h21.iB. Il correspond donc la
rsistance dynamique de la diode dentre et il est not rE = h11 / h21.
Sa valeur 300 K est rE = 26 .

5 Conclusions
Pour un transistor bipolaire polaris correctement (VE < VB < VC pour un NPN), les
courants base et collecteur sont relis par la relation : IC = .IB ; les variations des courants
base et collecteur sont relies par : iC = h21.iB . Les valeurs statique et dynamique h21 du gain
en courant sont voisines.
Le gain varie avec le courant collecteur et avec la temprature (dans un rapport pouvant
atteindre 5 ou 6 dans les cas dfavorables).
La rsistance dentre diminue avec le courant collecteur. De lordre de 1 k pour un
transistor petits signaux elle est seulement de lordre de la dizaine dohms pour les
transistors de puissance. La rsistance de sortie est relativement grande ( 20 k) et on peut
souvent la ngliger dans les calculs sans commettre une erreur importante.
Les relations IC = .IB et IB ISat.exp(e.VBE / kT) donnent la dpendance entre le courant
collecteur et la tension dentre.
Quand VBE crot de 60 mV, IC est multipli par un facteur 10 !
Au voisinage du point de fonctionnement, on peut considrer la tension base-
" metteur comme constante et gale un seuil de diode soit 0,65 V pour un
transistor au silicium.
A cause de la dispersion importante des valeurs du gain en courant et de ses possibles
variations en cours de fonctionnement, les montages calculs pour une valeur particulire du
gain sont de mauvais montages : le remplacement du transistor impose galement celui des
composants priphriques utiliss pour le polariser correctement.
Isolement p+ Emetteur n+ Contact (Al)

Base p (0,7m)

Collecteur n

Substrat p

Coupe transversale d'un transistor de type transistor transistor

"planar" ralis par diffusion petits signaux de puissance

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