CIRCUITOS DIGITALES I FIEE-UNMSM

TECNOLOGIAS DE FABRICACION
Y FAMILIAS DE COMPONENTES DIGITALES EN CI

OBJETIVOS
01.- Reconocer fsicamente dispositivos digitales en CI.

02.- Elaborar tablas de funcionamiento de dispositivos lgicos bsicos en CI.

03.- Obtener la curva de transferencia de las familias lgicas ms populares.

04.- Realizar pruebas dinmicas de las familias lgicas ms populares.

MATERIALES

TARJETA EB-200

UNIDAD PUZ-2000

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TAREAS PARA EXPERIMENTAR

01.- Identificar y registrar las caractersticas de los dispositivos de la unidad EB-200.

FUNCIONAMIENTO DE LA UNIDAD EB-200

DISPOSITIVO CMOS COMPUERTA LOGICA

SN-74HC04N SI NEGADOR
MC-74HC86N SI XOR
HD-74MC32P SI OR
HD-74LS02F - NOR
SN-74MC08N SI AND
HD-74LS00P - NAND

02.-Realizar la prueba funcional de la puerta lgica 1.Anotar en las tablas correspondientes los
niveles lgicos y de voltaje (tericos y prcticos).

VOLTAJE
Niveles lgico Entrada Salida
0,022v 0,474v 03.-Obtener
0
la curva de
1 4,97v 4,82v
transferencia
de esta familia, en condiciones de abanico de salida mnimo y mximo.

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CURVA DE TRANSFERENCIA

04.-Medir tiempos (Prueba dinmica) de conduccin y corte en condiciones de abanico de

salida mnimo y mximo.

Tiempo de propagacin de alto a bajo (TPHL)

Tiempo de propagacin de bajo a alto (TPLH)

PROBLEMAS PROPUESTOS

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01.-Indicar si las expresiones siguientes son verdaderas o no:

a) Disipacin de potencia de los circuitos CMOS, bajo condiciones de conmutacin es

debido totalmente a la carga capacitiva (incluyendo los parsitos).
La familia CMOS es inmune al ruido la disipacin se debe a la carga resistiva de un
orden de 10nW, baja potencia lo cual aumenta la velocidad de conmutacin.

b) La disipacin de la potencia vara linealmente con la frecuencia.

Al aumentar la frecuencia la velocidad de conmutacin disminuye y no entrega la
funcin cuadrada de salida, pero el valor de la corriente permanece constante y la
potencia tambin permanece con el mismo valor.

c) Los tiempos de conmutacin (Tr y Ts) y de retardo de propagacin (to) de los CMOS
disminuyen al aumentar Vdd.
Sus valores varias de acuerdo a la frecuencia de la seal Vdd permanece constante.

d) La inmunidad al ruido AC de un CMOS es funcin de las capacidades de entrada y de

salida.
Es debido a los dispositivos JFET que integran su estructura general.

02.-Indique los diferentes tipos de componentes digitales en CI existentes. Defnalos. Cules

son las familias lgicas correspondientes a las puertas digitales en CI?

1. Familia de circuitos integrados TTL

TTL Viene de las iniciales: Transistor Transistor Lgica o Lgica Transistor Transistor. La
familia de los circuitos integrados digitales TTL tiene las siguientes caractersticas:
El voltaje de alimentacin es de + 5 Voltios, con: Vmn = 4.75 Voltios y Vmx = 5.25 Voltios.
Por encima del voltaje mximo el circuito integrado se puede daar y por debajo del voltaje
mnimo el circuito integrado no funcionara adecuadamente.
Su realizacin (fabricacin) se logra con transistores bipolares multiemisores,

El inversor (NOT) quedara como se muestra en la figura de abajo a la izquierda. A la derecha

ejemplo del patillaje de un circuito integrado TTL

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Velocidad aproximada Subfamilia TTL

1.5 ns Schottky avanzada

3 ns Schottky

4 ns Schottky avanzada de baja potencia

10 ns Schottky de baja potencia

10 ns estndar

33 ns baja potencia
Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL

Consumo de potencia por puerta Subfamilia TTL

1 mW baja potencia

1 mW Schottky avanzada de baja potencia

2 mW Schottky de baja potencia

7 mW Schottky avanzada

10 mW estndar

20 mW Schottky
Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL

Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja
potencia como la Schottky avanzada de baja potencia renen excelentes caractersticas de alta
velocidad y bajo consumo de potencia.
Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse
entre s a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.

Familia de circuitos integrados CMOS:

Estos CIs se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se
fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su
consumo de potencia es mnimo.

Estos CIs se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia Rango de tensin Consumo potencia Velocidad

estndar (4000) 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns

serie 74C00 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns

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serie 74HC00 3 15 V 10 mW 8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.
DESCARGAS ELECTROSTTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas electrostticas entre un par
de pines.
Estos daos pueden prevenirse:

Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.

Usando soldadores alimentados por batera o conectando a tierra las
puntas de los soldadores alimentados por AC.
Desconectando la alimentacin cuando se vayan a quitar CI CMOS o se
cambien conexiones en un circuito.
Asegurando que las seales de entrada no excedan las tensiones de la
fuente de alimentacin.
Desconectando las seales de entrada antes de las de alimentacin.
No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente
o a tierra segn se requiera.

03.- Cules son las consideraciones prcticas que deben tenerse en cuenta al realizar las
mediciones de las caractersticas de los pulsos?

- Se debe fijar una frecuencia relativamente media alrededor de 1k, tener calibrado el
osciloscopio y Vdd en el rango del 1 lgico.

05.-Elabore una relacin de logos y prefijos que utilizan los fabricantes de componentes
digitales en CI.

13 - xxxx Sears
221-xxxx Zenith www.zenith.com
37-xxxx Atari
442-xxxx Zenith www.zenith.com
51 xxxx Quasar
56A xxxx Admiral
612 XX xxxx Magnavox www.magnavox.com

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905 xxxx Zenith www.zenith.com

AD xxxx Analog Devices www.analog.com
AM xxxx Advanced Micro. Devices (AMD) www.amd.com
AM xxxx Datel Systems www.datel.com
AN xxxx Matsushita www.panasonic.co.jp/semicon
AY xxxx General Instrumens www.gi.com
BA xxxx Rohm www.rohm.com
CA xxxx RCA (Harris Semiconductors) www.semi.harris.com
CS xxxx Cherry Semiconductors www.cherrysemiconductor.com
CXA xxxx Sony www.sel.sony.com/semi
CXD xxxx Sony www.sel.sony.com/semi
DBL xxxx Daewoo www.daewoo.com
DM xxxx Delco www.delco.com
EA xxxx Electronics Arrays
ECG xxxx PHILIPS - Silvanya www.ecgproducts.com
EF xxxx SGS-Thomson www.st.com
EFB xxxx SGS-Thomson www.st.com
GE xxxx General Electric www.ge.com
GL xxxx GoldStar http://es.lge.com
H xxxx Harris ww.semi.harris.com
H xxxx Hughes Aircraf
HA xxxx Hitachi www.halsp.hitachi.com
HD xxxx Hitachi www.halsp.hitachi.com
IC xxxx Philco
ICL xxxx Intersil www.intersil.com
IR xxxx International Rectifier www.irf.com
IX xxxx Sharp www.sharpmeg.com
KA xxxx Samsung www.sec.samsung.com
KDA xxxx Samsung www.sec.samsung.com
KIA xxxx KEC - Korea Electronics Co. www.kec.co.kr
www.keccorp.com
KM xxxx Samsung www.sec.samsung.com
KS xxxx Samsung www.sec.samsung.com
KT xxxx KEC - Korea Electronics Co. www.kec.co.kr
www.keccorp.com
LA xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
LB xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
LC xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
Lm A xxxx Lambda www.lambdaaa.com

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LM xxxx Intersil www.intersil.com

LM xxxx National Semiconductor www.national.com
LM xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com
LM xxxx Signetics (Philips) www.semiconductors.com
LM xxxx Siliconix www.siliconix.com
LS xxxx SGS-Thomson www.st.com
M xxxx Mitsubishi www.coris.com
MA xxxx Fairchild www.fairchildsemi.com
MA xxxx Motorola http://sps.motorola.com
MB xxxx Fujitsu www.fujielectric.co.jp
MC xxxx Motorola http://sps.motorola.com
MK xxxx Mostek
ML xxxx Mitel Semiconductors www.mitelsemi.com
MMI xxxx Monolityc Memories
MN xxxx Micro Network www.mnc.com
MP xxxx Micro Power Systems
MPS xxxx MOS-Technology
MSM xxxx OKI www.okisemi.com
NC xxxx Nitron
NJM xxx New Japan Radio Co., Ltd. www.njr.com
NJU xxx New Japan Radio Co., Ltd. www.njr.com
NTE xxxx NTE www.nteinc.com
PA xxxx Pioneer www.pioneer.co.jp
PM xxxx Precision Monolithic www.analog.com
PTC xxx Malloty www.nacc-mallory.com

R xxxx Rockwell www.nb.rockwell.com

RC xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com
RH-IXxxxx Sharp www.sharpmeg.com
RM xxxx Raytheon Semiconductors www.raytheonsemi.com
S xxxx American Microsystems (AMI) www.amis.com
SAA xxxx Philips www.semiconductors.com
SAA xxxx ITT www.itt-sc.de
SE xxxx Signetics (Phipips) www.semiconductors.com
SG xxxx Silicon General www.microsemi.com
SK xxxx Thomson www.st.com
SK xxxx RCA (Harris Semiconductors) www.semi.harris.com
SKB xxxx Siemens www.siemens.de

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SL xxxx Plessey Semiconductors www.gpsemi.com

SMC xxxx Standard Microsystems www.smsc.com
SN xxxx Texas Instruments www.ti.com
SP xxxx Plessey Semiconductors www.gpsemi.com
SSM xxxx Analog Devices www.analog.com
SSS xxxx Precision Monolithic www.analog.com
SSS xxxx Solid State Scientific
ST xxxx SGS-Thomson www.st.com
STK xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
STR xxxx Sanken www.sanken-ele.co.jp
SY xxxx Synertek
TA xxxx Toshiba www.semicon.toshiba.co.jp
TAA xxxx Plessey www.gpsemi.com
TAA xxxx ITT www.itt-sc.de
TAA xxxx Philips www.semiconductors.com
TAA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com
TAA xxxx Siemens www.smi.siemens.com
TAA xxxx Telefunken www.temic.com
TB xxxx Toshiba www.semicon.toshiba.co.jp
TBA xxxx Plessey www.gpsemi.com
TBA xxxx ITT www.itt-sc.de
TBA xxxx National Semiconductor www.national.com
TBA xxxx Philips www.semiconductors.com
TBA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com/
TBA xxxx Siemens www.smi.siemens.com
TBA xxxx Telefunken www.temic.com
TCA xxxx Plessey www.gpsemi.com
TCA xxxx ITT www.itt-sc.de
TCA xxxx Philips www.semiconductors.com
TCA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com
TCA xxxx Siemens www.smi.siemens.com
TCA xxxx Telefunken www.temic.com
TDA xxxx Plessey www.gpsemi.com
TDA xxxx ITT www.itt-sc.de
TDA xxxx Philips www.semiconductors.com
TDA xxxx SGS-ATES Semiconductors www.st.com
TDA xxxx Siemens www.smi.siemens.com
TDA xxxx Telefunken www.temic.com

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TM xxxx Thordarson www.electrobase.com/tm

UC xxxx Solitron www.solitrondevices.com
ULN xxxx Sprague www.vishay.com/~/sprague
uPC xxxx NEC www.ic.nec.co.jp
uPD xxx NEC www.ic.nec.co.jp
VP xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
VPA xxxx Sanyo www.semiconductor-sanyo.com
WEP-xxxx Workman www.workmanelectronics.com
XC xxxx Motorola www.motorola.com
XR xxxx EXAR Integrated Systems www.exar.com
Z xxxx Zilog www.zilog.com
ZN xxxx Ferranti GmbH

06.-Indique las precauciones que se deben tener en cuenta al manipular los componentes de
las familias TTL, CMOS Y ECL.

Los CMOS, TTL, ECL son unos dispositivos muy sensibles a las descargas electroestticas, de tal
forma que si no se toman las medidas oportunas podran llegar a destruirlos. Las cargas
electrostticas suelen generarse al frotarse las superficies aislantes.

Si una persona cargada toca los terminales de un CI, se produce una pequea descarga
elctrica que puede destruir las uniones de los semiconductores que forman el chip, sobre
todo en el caso de los CMOS.

A continuacin, se indican las precauciones a tomar para trabajar con CI:

Los CMOS deberan estar almacenados con los terminales en contacto con espuma
conductora.
En ningn caso deber tocase los terminales con los dedos.
Si se retiran de la espuma conductora se deben insertar en el circuito o depositar con
los terminales en contacto con una superficie conductora a masa
No insertar CMOS en los zcalos de conexin con la tensin de alimentacin conectada
Las herramientas y bancos de trabajo deben estar conectados a tierra.

07.- Explique las diferencias entre las caractersticas de los dispositivos CMOS (buffered y
unbeffered).

En 1968 RCA lanzo al mercado la primera serie comercial CMOS, la CD4000, que fue objeto de
sucesivas mejoras. La manufactura Solid State Scientific (SSS) en 1970 adiciono dos etapas
inversoras en la salida de las compuerta (Buffered outputs) para que la impedancia de salida
sea independiente de los niveles lgicos de las entradas. De este modo se consigui entre
otras ventajas- una mayor normalizacin de los circuitos CMOS derivada del hecho de presenta
todos un mismo tipo de salida. As naci la serie B que se fabrica actualmente con idnticas

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caractersticas elctricas y mecnicas en varios pases del mundo con ligeras variantes en su
denominacin, segn el fabricante: CD4000B o RCA COS/MOS B, SCL4000 de SSS, te
MC14000-B de Motorola, etc. Tambin pertenecen a esta serie las lneas de integrados
MC14400B y MC14500 sus anlogos CD4500B. National Semiconductor produce asimismo la
serie CMOS 74C00, pin a pin compatible con la serie TTL 7400.

Para ciertas aplicaciones algunos circuitos integrados no se fabrican con la doble inversin en
su salida, pudindoselos reconocer por las iniciales UB (Unbuffered) en sus siglas, aunque
igualmente forman parte de la llamada serie B.

08.- Por qu la disipacin de potencia es una consideracin importante en el diseo de

circuitos?

La disipacin de potencia es importante porque a partir de all podemos extraer energa que
circula en dicho circuito para almacenarla o transformarla en otras formas de energa, para su
futura utilizacin.

09.- Qu costos total (overhead) es asociado con un CI?

El proceso de empaque determina mucho el costo total de cada circuito integrado terminado,
porque los circuitos se producen en masa sobre la oblea, pero despus se empacan en forma
individual. Los paquetes se consiguen en una diversidad de estilos, de los cuales el adecuado se
debe adaptarse a los requisitos de funcionamiento.

Para determinar el paquete de un circuito se debe tener en cuenta el tamao del chip, la
cantidad de terminales externas, el ambiente de funcionamiento, la disipacin del calor y la
potencia necesaria. Por ejemplo los circuitos integrados utilizados para aplicaciones militares e
industriales, necesitan paquetes de alta resistencia mecnica, tenacidad, especialmente alta
resistencia a la temperatura.

Un estilo anterior de empaque es el paquete dual en lnea, que se caracteriza por su bajo costo
y facilidad de manejo. Estos paquete se hacen con materiales termoplsticos, epxicos o
cermicos y pueden tener desde 2 hasta 500 terminales externas. Los paquetes de cermica
estn diseados para usarlos entre lmites ms amplios de temperatura, y en aplicaciones de
gran confiabilidad y militares; por eso cuestan bastante ms que los paquetes de plstico.

Paquete cermico plano, en el que ste y todas sus terminales estn en el mismo plano. Este
estilo de paquete que no presenta la facilidad de manejo ni el diseo de ondular que el dual en
lnea. Por esta razn se suele fijar en forma permanente a una tarjeta de circuito con varios
niveles, en el que es necesario el bajo perfil del paquete de plano.

10.- Para los componentes de las familias TTL, CMOS Y ECL, indique las resistencias trmicas
entre la unin y el encapsulado y entre la unin y el medio ambiente, para los diferentes
tipos de encapsulados.

TTL NAND:

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SN74LS00

D DB N NS
(SOIC) (SSOP) (PDIP) (SO)

14 14 14
THERMAL METRIC PINS 14 PINS PINS PINS UNIT

RJA Junction-to-ambient thermal 90.9 102.8 54.8 89.7 C/W

resistance

RJC(top) Junction-to-case (top) 51.9 53.3 42.1 48.1 C/W

thermal resistance

11.-En un circuito digital, las siguientes puertas SN74S02, SN74L00, SN74LS00, SN7400 Y
SN74LS02; deben de conectarse como inversores. Indique cuales son los posibles modos de
conectar las entradas no utilizadas de dichas puertas.

SN74S02
Este es una compuerta NOR, por eso si se quiere usar como inversor la patilla que no se usa se
debe conectar a tierra para que no afecte a la salida

ENTRADA
:A
2
1
3

7402

NOR usado como Inversor

SN74LS02
Este al igual que el anterior es una compuerta NOR pero con caractersticas diferentes tales
como velocidad, disipacin de potencia, frecuencia mxima, fan out, etc.

SN74L00

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Este es una compuerta NAND, por eso si se quiere usar como inversor la patilla o piin que no se
use, se debe conectar a fuente para que no afecte a la salida

ENTRADA
A:A
1
3
2

7400

+VCC

NAND usado como Inversor

SN74LS00
Este al igual que el anterior es una compuerta NAND pero con caractersticas diferentes tales
como velocidad, disipacin de potencia, frecuencia mxima, fan out, etc.