analisisdesempeñoSEMICONDUCTORES TESIS PDF

INSTITUTOPOLITCNICONACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA
MECNICA Y ELCTRICA
ANLISIS DEL DESEMPEO DE RECUBRIMIENTOS

SEMICONDUCTORES DE BOBINA DE 13.8 kV
POR MEDIO DE TERMOGRAFA INFRARROJA
TESIS
QUE PARA OBTENER EL TTULO DE:
INGENIERO ELECTRICISTA
PRESENTAN
PREZ LARA CARLOS ALBERTO
ZAMORA SERRANO MARIBEL
ASESORES:
DR. FERMIN PASCUAL ESPINO CORTS
M. EN C. TOMAS IGNACIO ASIAN OLIVARES
Cd. de Mxico, Mayo 2013
INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL
ESCUEL A SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELECTRICA
UN IDAD PROFESIONAL "ADOLFO LPEZ MATEOS"
TEMA DE TESIS
QUE PAR A OBTENER EL T ITULO DE INGENIERO ELECTRICISTA
P OR LA O P CI N DE TITULAC I N TESIS COLECTIVA y EXAMEN ORAL INDIVIDUAL
D EB ERA(N ) DE SARROL LA R C. MARIBEL ZAMORA SERRANO

CCARLOSALBERTOptREZLARA
"ANLISIS DEL DESEMPEO DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINA

DE 13.8 kV POR MEDIO DE TERMOGRAFA INFRARROJA"
ANALIZAR EL DESEMPEO DE LOS RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES EN BOBINAS

DE 13.8 kV EN BASE A UN ANLISIS CON TERMO GRAFA INFRARROJA, PARA VERIFICAR
SU FUNCIN COMO ATENUADORES DEL CAMPO ELCTRICO.
~ INTRODUCCIN.
~ AISLAMIENTO EN MQUINAS ELCTRICAS ROTATIVAS DE MEDIA TENSIN.
~ RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR DE BOBINA DE 13.8 kV
~ INSPECCIN DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINAS POR MEDIO DE
TERMOGRAFA INFRARROJA.
~ CONCLUSIONES Y PROPUESTA DE SOLUCIN.
~ JUSTIFICACIN ECONMICA
ASESOR
A IGNACIO A VARES
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ING. DAVID RAMREZ ORTIZ ~ VI : :
JEFE DEPARTAMENTO ACADMICO td. - ~

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DE INGENIERA ELCTRICA ~ ~
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JEFATURA DE
INGENIERIA ELECTRICA
AGRADECIMIENTOS
La presente tesis se la dedico a mi familia que gracias a su apoyo pude concluir mi carrera.
A mis padres y hermanos por su apoyo y confianza en todo lo necesario para cumplir con mis
objetivos como persona y estudiante.
A mi madre por brindarme los recursos necesarios y darme los consejos para poder ser una mejor
persona.
A mi pareja que siempre estuvo al pendiente en todo momento brindndome su apoyo y

confianza.
A todos en general por escucharme y darme el apoyo necesario para concluir esta etapa en mi
vida.
Carlos Alberto Prez Lara
3
A DIOS:
Por ensearme a valorar todos los das de mi vida, porque siempre y en todo momento
est conmigo, por guiarme y cuidarme a cada paso que doy y sobre todo gracias padre
bendito por darme lo que ms amo en la vida y tu bendicin.
A mis padres:
JOSE ZAMORA LOPEZ

Y SANTA SERRRANO CEDILLO
Gracias por su apoyo incondicional, por estar siempre conmigo y por ayudarme a terminar mi
carrera y con concluir una etapa mas en mi vida, por eso y muchas cosas ms, gracias. Para
ustedes mi veneracin y mi respeto.
A mi hija:
TANIA BELEM ZAMORA SERRANO
A ti mi nia gracias por ensearme a ser cada da mejor y por ser el motivo mas fuerte para
nunca dejarme vencer, gracias por esas sonrisas y alegras que son mi mayor orgullo y
satisfaccin.
A mi ta, hermano y primos:
DELFINA SERRANO CEDILLO

ISMAEL ZAMORA SERRANO
ERASMO VZQUEZ SERRANO
PABLO VZQUEZ SERRANO
Gracias a mi ta que es mi segunda mam a ustedes y a toda mi familia por siempre estar
conmigo en las buenas, malas y peores. Y por ayudarme a levantar cuando no he podido mas, no
tengo palabras ni forma de poder decirles que todos ustedes son lo ms importante para m.
A mis profesores y amigos:
A todos mis profesores gracias por su dedicacin por su paciencia y por ensearme a que esto no
termina aqu sino que puede ser el comienzo de algo mejor y siempre habr cosas buenas y
nuevas que aprender. A mis amigos por ser parte de mi vida y una segunda familia,
Gracias.
MARIBEL ZAMORA SERRANO
4
RESUMEN
Este proyecto de tesis surge con la necesidad de verificar el desempeo de los

recubrimientos semiconductores utilizados en bobinas conformadas de media tensin.
Con esto se busca evitar fallas en forma de ruptura dielctrica, degaste y/o envejecimiento
de los materiales aislantes, evitando as la falla completa de la mquina ya sea como
motor o como generador.
En la mayora de los casos, el anlisis de los recubrimientos semiconductores consiste en

inspeccin visual o simplemente no se realizan. En muchos de los trabajos reportados se
pone ms atencin en el aislamiento a tierra de las bobinas o el aislamiento entre vueltas.
Sin embargo, recientemente se ha puesto atencin en estos recubrimientos ya que se ha
determinado que su mal funcionamiento puede en muchos casos ser el origen de una falla
catastrfica del sistema de aislamiento de la mquina. Por lo anterior el contar con una
tcnica de inspeccin para recubrimientos semiconductores de bobinas de media tensin,
podra evitar la falla de las bobinas de mquinas de gran capacidad, donde una falla
representa prdidas econmicas considerables.
La termografa infrarroja es un medio utilizado para la inspeccin de la temperatura de los

objetos sin necesidad de contacto fsico, esto gracias a la medicin de las ondas
infrarrojas emitidas por los cuerpos u objetos. En el presente trabajo, esta tcnica fue
aprovechada para el anlisis en recubrimientos semiconductores de bobinas de mquinas
de media tensin. El recubrimiento semiconductor tiene como funcin aliviar el campo
elctrico en la superficie de la bobina a la salida del estator. Esta capacidad es
acompaada por la generacin de prdidas en forma de calor (I2R) en la cinta
semiconductora que acta como un atenuador del campo elctrico. La uniformidad del
incremento de temperatura debida al calor resistivo se toma como parmetro para
identificar posibles anomalas en el desempeo del recubrimiento semiconductor. En base
a los resultados se muestra como zonas de alta temperatura pueden aparecer en la zona
del empalme entre la cinta conductora y semiconductora indicando un funcionamiento
incorrecto del sistema de atenuacin de campo elctrico.
5
INDICE
AGRADECIMIENTOS 3
RESUMEN 5
LISTA DE FIGURAS 8
LISTA DE TABLAS 10
LISTA DE ECUACIONES 10
LISTA DE FIGURAS DE ANEXO A 11
LISTA DE FIGURAS DE ANEXO B 12
NOMENCLATURA 13
GLOSARIO DE TERMINOS 15
CAPTULO 1: INTRODUCCIN 17
1.1 GENERALIDADES 17
1.2 DESCRIPCION DEL PROBLEMA 19
1.3 ANTECEDENTES 21
1.4 OBJETIVOS 23
1.4.1 OBJETIVO GENERAL 23
1.4.2 OBJETIVO PARTICULAR 23
1.5 JUSTIFICACIN 24
1.6 APORTACIONES 25
1.7 ALCANCES Y LIMITACIONES 26
1.8 ESTRUCTURA DE LA TESIS 27
CAPTULO 2: AISLAMIENTO EN MQUINAS ELCTRICAS ROTATIVAS DE MEDIA TENSION 29

2.1 INTRODUCCIN 29
2.2 PROBLEMAS TIPICOS EN EL AISLAMIENTO DE MQUINAS ELCTRICAS ROTATIVAS 30
2.3 CLASE DE AISLAMIENTO Y CLASIFICACIN TRMICA 30
2.4 VIDA TIL Y SU DETERMINACIN 31
2.5 SISTEMAS DE AISLAMIENTO DE MQUINAS DE MEDIA TENSIN (MQUINAS QUE 34
OPERAN A MS DE 1000 V)
2..5.1 ELEMENTOS QUE COMPONEN EL SISTEMA DE AISLAMIENTO 35
2.5.1.1 AISLAMIENTO ENTRE HILOS 35

2.5.1.2 AISLAMIENTO ENTRE VUELTAS 35
2.5.1.3 AISLAMIENTO A TIERRA 35
CAPTULO 3: RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR DE BOBINAS DE 13.8 kV 37
3.1 INTRODUCCIN 37
3.2 TIPO DE RECUBRIMIENTOS EN BOBINAS DE MEDIA TENSIN 37
6
3.2.1 RECUBRIMIENTO CONDUCTOR 39
3.2.2 RECUBRIMIENTO SEMICONDUCTOR 39
3.3 INSPECCION TERMOGRFICA PARA EL RECUBRIMIENTO SEMICONDUCTOR EN

BOBINAS DE 13.8 kV 41
3.3.1 CALOR 41
3.3.2 MODOS DE TRANSFERENCIA DE CALOR 41
3.3.2.1 TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN 42
3.3.2.2 TRANSFERRENCIA DE CALOR POR CONVECCIN 42
3.3.2.3 TRANSFERRENCIA DE CALOR POR RADIACIN 42
3.3.3 TERMOGRAFA INFRARROJA 42
3.3.4 LA TEMPERATURA AMBIENTE 45

3.3.5 RADIACIN 45
3.3.6 HUMEDAD AMBIENTE 46
3.3.7 CORRIENTES DE AIRE 46
3.3.8 TCNICA POR INSPECCIN TERMOGRFICA 46
3.3.9 APLICACIONES DE LA TERMOGRAFA INFRARROJA 46
3.3.10 VENTAJAS DE LA TERMOGRAFA INFRARROJA 47
3.3.11 FUNCIONAMIENTO DE LA CMARA TERMOGRFICA EN FORMA GENERAL 47
3.4 SIMULACIN DEL DESEMPEO DE LOS RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES 47
CAPTULO 4: INSPECCIN DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINAS POR

MEDIO DE TERMOGRAFA INFRARROJA 54
4.1 INTRODUCCIN 54
4.2 CAMARA TERMOGRAFCA Y EL PROGRAMA THERMACAM RESEARCHER 54
4.3 DESARROLLO DEL ANLISIS EXPERIMENTAL 56
4.3.1 TENSIN APLICADA Y EQUIPOS UTILIZADOS 56
4.3.2 REPARACIN DE LAS BOBINAS INSPECCIONADAS 58
4.3.3 PROCESO PARA LA INSPECCIN TERMOGRFICA 59
4.4 RESULTADOS 61
4.5 DISCUSIN DE RESULTADOS EXPERIMENTALES 78
CAPTULO 5: CONCLUSIONES Y PROPUESTAS DE SOLUCIN 79
5.1 INTRODUCCIN 79
5.2 CONCLUSIONES 79
5.3 RECOMENDACIONES PARA TRABAJOS FUTUROS 80
7
CAPTULO 6: JUSTIFICACIN ECONMICA 81
REFERENCIAS 83
I. ANEXO A: GRFICAS Y TABLAS DE TEMPERATURA DE CADA UNA DE LAS BOBINAS,

EN CADA UNO DE SUS LADOS 84
II. ANEXO B: FUNCIONAMIENTO DEL PAQUETE TERMACAM RESEARCHER 100
LISTA DE FIGURAS
FIGURA 1.1 ESQUEMA DEL EXTREMO DE UNA BOBINA INDICANDO SUS COMPONENTES
PARA LA ATENUACION DEL CAMPO ELECTRICO DEL CAMPO ELCTRICO 20
FIGURA 2.1 ELEMENTOS Y PARTES DEL DEVANADO CONFORMADO EN FORMA

TRANSVERSAL 34
FIGURA 2.2 SECCIN TRANSVERSAL DEL SISTEMA AISLANTE DEL ESTATOR DENTRO DE
LA MQUINA 36
FIGURA 3.1 RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR PARA EL CONTROL DEL

CAMPO ELCTRICO EN BOBINAS CONFORMADAS 38
FIGURA 3.2 MODELADO DE LA SIMULACIN INDICADA CON MEDIDAS ALEATORIAS 48
FIGURA 3.3 SIMULACIN DE DISTRIBUCIN DE LINEAS EQUIPOTENCIALES EN UNA

BOBINA SIN CINTA SEMICONDUCTORA 49
FIGURA 3.4 DISTRIBUCIN DE LNEAS EQUIPOTENCIALES EN BOBINA CON CINTA

50
SEMICONDUCTORA
FIGURA 3.5 SIMULACIN DEL COMPORTAMIENTO DEL POTENCIAL ELCTRICO A LO

LARGO DE LA SUPERFICIE DE LA BOBINA SIN CINTA SEMICONDUCTORA
(LNEA EN COLOR ROJO) Y CINTA SEMICONDUCTORA (LNEA EN COLOR
AZUL) 51
FIGURA 3.6 SIMULACIN DE LA BOBINA MOSTRANDO LA ZONA DE ESTUDIO 52
FIGURA 3.7 GEOMETRA UTILIZADA PARA LA SIMULACIN DE UNA BOBINA EN DOS

DIMENSIONES, (1) AIRE, (2)RECUBRIMIENTO SEMICONDUCTOR, (3)
AISLANTE , (4) BOBINA 52
FIGURA 3.8 IMAGEN EN 3D DEL CALOR GENERADO EN EL RECUBRIMIENTO

SEMICONDUCTOR 53
8
FIGURA 4.1 IMAGEN DE PRESENTACIN PARA EL PROGRAMA THERMACAM
RESEARCHER PARAEL ANLISIS TERMOGRAFICO 55
FIGURA 4.2 DIMENSIONES DE LA BOBINA A ANALIZAR 56
FIGURA 4.3 TRANSFORMADOR DE ALTA TENSIN Y DATOS DE PLACA 57
FIGURA 4.4 VARIADOR DE TENSIN 57
FIGURA 4.5 MUESTRA DE LA BOBINA ANTES DE LA INSPECCIN , EL CIRCULO ROJO,

MARCA EL REA DEL EMPALME, CINTA CONDUCTORA (BOBINA 1 LADO 4) 59
FIGURA 4.6 EN LA IMAGEN TERMOGRFICA SE MUESTRA EL REA DE INSPECCIN

ENCERRADA EN UN CIRCULO ROJO (BOBINA 1 LADO 4) 59
FIGURA 4.7 IMAGEN CALCA DEL EMPALME (CINTA CONDUCTORA Y

SEMICONDUCTORA(BOBINA 1 LADO 4) 60
FIGURA 4.8 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

BOBINA 1 LADO 1 62

BOBINA 1 LADO 2 63

BOBINA 1 LADO 3 64

BOBINA 1 LADO 4 65

BOBINA 2 LADO 1 66

BOBINA 2 LADO 2 67

BOBINA 2 LADO 3 68

BOBINA 2 LADO 4 69

BOBINA 3 LADO 1 70

BOBINA 3 LADO 2 71
9
BOBINA 3 LADO 3 72

BOBINA 3 LADO 4 73

BOBINA 4 LADO 1 74

BOBINA 4 LADO 2 75

BOBINA 4 LADO 3 76

BOBINA 4 LADO 4 77
LISTA DE TABLAS
TABLA 2.1 CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES RESPECTO A SU TEMPERATURA

29
MXIMA DE OPERACIN
TABLA 2.2 CLASIFICACIN DE LOS MATERIALES DE UN SISTEMA DE AISLAMIENTO

RESPECTO A SU TEMPERATURA MXIMA DE OPERACION 31
TABLA 4.1 VALORES NOMINALES DEL TRANSFORMADOR A LOS CUALES PUEDE

REALIZARSE EL ANLISIS 58
TABLA 6.1 COTIZACIN DEL ANLISIS POR MEDIO DE TERMOGRAFIA 82
LISTA DE ECUACIONES
ECUACIN 2.1 TIEMPO DE VIDA TIL DE UNA MQUINA 32
ECUACIN 2.2 TIEMPO DE VIDA ESPERADO DE UN MATERIAL AISLANTE 33
ECUACIN 3.1 LONGITUD DE LA CINTA SEMICONDUCTORA SEGN LA TENSIN NOMINAL

DE LA MQUINA 40
ECUACIN 3.2 SUMA DE FACTORES (RADIACIN, REFLEXIN Y TRANSMISIN) ES IGUAL A 1 44
ECUACIN 3.3 SUMA DE RADIACIN MS REFLEXIN YA QUE LA TRANSMISIN ES

INAPRECIABLE 44
ECUACIN 4.1 TENSIN NOMINAL DE FASE A TIERRA DE LAS BOBINAS EN SU VALOR
10
EFICAZ 58
LISTA DE FIGURAS DE ANEXO A:
A.1 GRFICAS DEL COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA DURANTE LA

INSPECCIN TERMOGRFICA REALIZADA EN UN TIEMPO DE 3 MINUTOS,
84
BOBINA 1 LADO 1

BOBINA 1 LADO 2 85

BOBINA 1 LADO 3 86

BOBINA 1 LADO 4 87

BOBINA 2 LADO 1 88

BOBINA 2 LADO 2 89

BOBINA 2 LADO 3 90

BOBINA 2 LADO 4 91

BOBINA 3 LADO 1 92

BOBINA 3 LADO 2 93
11
BOBINA 3 LADO 3 94

BOBINA 3 LADO 4 95

BOBINA 4 LADO 1 96

BOBINA 4 LADO 2 97

BOBINA 4 LADO 3 98

BOBINA 4 LADO 4 99
LISTA DE FIGURAS DE ANEXO B:
B.1 PRESENTACIN TERMACAM RESEARCHER 100
B.2 VENTANA DE PROPIEDADES 1 100
B.3 VENTANA DE PROPIEDADES 2 101
B.4 PESTAA PARA ABRIR ARCHIVOS 101
B.5 UBICACIN DE ARCHIVOS DENTRO DE LA COMPUTADORA 102
B.6 PESTAA PARA REALIZAR ANLISIS 102
B.7 CUADRO PARA GUARDAR EL ANLISIS 103
B.8 VISTA FINAL DEL ANLISIS 103
12
NOMENCLATURA
s microsegundo.
cd corriente directa
Ca corriente altera
Ohms.
V Volts.
conductividad elctrica.
kV kilo volts.
C grados centgrados.
F frecuencia.
I Corriente
Min minutos.
R resistencia.
kW kilo watts.
km. kilmetro.
m. metro.
cm. Centmetros
mm. Milmetros
Pc prdidas por corriente.
Kc constante de
proporcionalidad.
H Henry.
D espesor de la laminacin.
13
flujo magntico.
Bmax densidad mxima de flujo
Kh constante de
proporcionalidad.
VA voltamper.
W Watts.
PD descarga parcial.
N nmero de espiras.
Q carga elctrica.
r permitividad relativa
VPI impregnacin en vaco
emisividad.
transmisin.
reflexin.
TR transformador
14
GLOSARIO DE TRMINOS
Bobina. Elemento de induccin electromagntica que forma parte de motores

de baja, media o alta tensin. Formado por espiras o arrollamientos
generalmente de cobre, que almacena energa en forma de campo
magntico.
Aislamiento. Se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin

elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, que
resiste el paso de la corriente a travs del elemento que recubre y lo
mantiene en su trayectoria a lo largo del conductor.
Dielctrico. Material que conduce la electricidad de forma parcial a

diferencia de los aislantes que se oponen rotundamente al paso de la
corriente, ste llega a tener una conductividad gradual.
Recubrimiento Semiconductor. Material comnmente fabricado con

carburo de silicio en una matriz polimrica. Utilizado para poder
atenuar el campo elctrico que disipa calor.
Recubrimiento conductor. Es una capa que mantiene uniforme el potencial

en la periferia de la bobina en las paredes del estator y la salida a
tierra, usualmente se utiliza pintura conductora o cintas que estn
hechas de polister tejido y se impregna con una resina cargada con
grafito.
Resistencia de Aislamiento. Prueba realizada a los aislamientos elctricos

para determinar su resistencia ante un voltaje mximo controlado y
permitido por su diseo o grosor, en muchos casos se toma un
voltaje de falla calculado.
Termografa. Tcnica que permite la medicin de la radiacin infrarroja que

emite cualquier objeto, determinando gracias a esto la temperatura a
cierta distancia y sin contacto fsico. Utilizando usualmente cmaras
termogrficas.
Vida til. Tiempo estimado en el cual un equipo, maquinaria o elementos que

los conforman son aprovechados al mximo sin sufrir algn dao o
avera.
15
Descargas Parciales. Es el nombre que se le da al fenmeno elctrico que
consiste en la ionizacin del aire, sobre pasando sus niveles de
conductividad y creando una transicin de 2 molculas de oxigeno
(O2) a ozono (O3) ste es agresivo a los aislamientos y los degrada
de manera ms rpida.
Potencial Elctrico. Es el trabajo que debe realizar una fuerza externa para
traer una carga desde el infinito hasta el punto considerado en contra
de la fuerza elctrica. Comnmente expresada en Volts, tambin se
conoce como tensin.
Atenuar. Es la capacidad de un elemento en disminuir de forma gradual ya

sea el campo elctrico o la temperatura, por ejemplo el recubrimiento
semiconductor.
Seccin de devanado. Conjunto de espiras o de discos de un devanado.
Esfuerzo elctrico. Es la intensidad de campo elctrico al que se

encuentran sometidos materiales aislantes.
16
Captulo 1
CAPTULO 1 : INTRODUCCIN
1.1 GENERALIDADES.
Se les llama mquinas elctricas rotatorias a aquellas que sirven como sistemas de
conversin de la energa mecnica a energa elctrica o viceversa.
Las mquinas elctricas son clasificadas en tres categoras:
A) Mquinas elctricas rotatorias de induccin o asncronas. Estas se utilizan para

accionar todo tipo de equipos; son las ms simples y econmicas pero son
demasiado robustas.
B) Mquinas elctricas rotatorias sncronas. Se utilizan principalmente como
generadores, aunque tambin se utilizan como motores.
C) Mquinas de corriente contina. Este tipo de mquina suele ser muy frgil debido
al colector y las escobillas, en la actualidad su uso ha ido en descenso ya que
existen mquinas de mayor eficiencia.
En general las mquinas elctricas rotativas estn constituidas por 2 partes; una giratoria
y otra estatrica. Dentro de la parte giratoria se encuentra el rotor, separado por el
entrehierro para permitir que entre estos haya un giro libre. El estator est construido por
chapas magnticas aisladas que se encuentran apiladas y un devanado trifsico en las
ranuras de la superficie exterior. Para mquinas de baja tensin y potencias bajas; el
devanado est hecho con hilo de cobre esmaltado y para mquinas de media tensin se
usa cobre aislado con mica-epoxi y en caso del rotor, ste debe tener forma de cilindro
con ranuras en el interior.
Las tres categoras de mquinas rotativas tienen dos importantes formas de operar:
A) Motores que convierten la energa elctrica en energa mecnica; en este caso, si

a las espiras que estn sobre los conductores se les aplica una corriente para
hacerlas funcionar, stas tienden a girar debido a la fuerza que se presenta y
entonces la mquina opera como motor.
B) Generadores o tambin llamados alternadores convierten energa mecnica en

energa elctrica, estos pueden ser de corriente directa o corriente alterna; si el
funcionamiento de la espira es iniciado mecnicamente, en el exterior aparece una
fuerza electromotriz que hace que una corriente circule por estas, siempre y
cuando exista un circuito cerrado, entonces se dice que opera como un generador.
Las mquinas elctricas han sido de suma importancia en el mbito industrial, sobre todo
los motores se han vuelto una forma indispensable de vida ya que estos pueden ser
utilizados en la generacin de energa elctrica.
17
Captulo 1
Las averas que generalmente suelen presentarse en estos tipos de mquinas elctricas
rotativas son:
A) Fallas mecnicas o daos en los cojinetes, aflojamientos y desalineacin por

mencionar algunos.
B) Asimetras rotarias como son roturas de barras o en los anillos, averas en el

entrehierro o la modificacin en su tamao.
C) Fallas en los ncleos magnticos que se presentan cuando se degrada el

aislamiento entre laminaciones y se generan corrientes parsitas presentndose
un calentamiento en el ncleo.
D) Defectos en el aislamiento que son ocasionados por esfuerzos dielctricos y

mecnicos elevados. El sistema de aislamiento es uno de los ms susceptibles a
sufrir dao. Una encuesta realizada en los Estados Unidos de Norte Amrica
comprob que el 36% de las fallas ocurridas en motores han sido por daos en el
aislamiento en el estator y estos han terminado en corto circuito, el 9% se debe a
fallas en los devanados del rotor manifestados como ruptura de barras [1].
Los sistemas de aislamiento deben estar constituidos por buenos materiales aislantes y
de soporte, con buenas propiedades mecnicas y trmicas. Uno de los materiales ms
utilizados desde finales del siglo pasado es la mica aplicada en forma de lminas
compactadas o papel compuesto de este material. Como soporte se utiliza papel o
polister y en algunos casos se utilizan resinas sintticas de tipo epoxi. Con la
introduccin de sistema mica-pack (cinta de papel o mica con lgante epxico) en el ao
de 1960, surgen mquinas de mayores dimensiones y con un mejor desempeo tanto
elctrico, mecnico como trmico, alargando los periodos de vida de stas, ya que las
caractersticas de los aislantes fueron mejores.
A comienzos del siglo pasado, el medio aislante utilizado en mquinas elctricas, estaba
formado por hojuelas de mica ligadas con goma-laca y con un refuerzo de papel de
celulosa, en ciertos perodos se us micafolium con asfalto como agente ligante.
La tcnica de aislar los lados rectos de las bobinas envolvindolos en grandes hojas se
simplific cuando empezaron a emplearse mquinas para encintar, hacia el ao de 1910
[1]. De forma adicional se pueden recubrir las barras y bobinas en la zona de la ranura
mediante un encintado que protege al muro aislante de posibles daos que pudieran
presentarse en esta zona por la presencia de descargas parciales. A este reforzamiento
se le llama recubrimiento conductor y est constituido generalmente por cintas con grafito.
La capa que est aplicada al final del recubrimiento conductor es llamada recubrimiento
semiconductor, el cual es un compuesto con carburo de silicio cuya funcin es atenuar la
tensin en esta zona y as evitar la presencia de descargas superficiales.
18
Captulo 1
El medio aislante que est entre los conductores del devanado y la tierra o la carcasa
forman lo que se conoce como aislamiento a tierra. La resistencia de aislamiento es una
de las pruebas ms utilizada en cuanto a la prediccin de daos en los aislantes, sin
embargo, sta no es muy til para determinar el grado de envejecimiento del sistema de
aislamiento [2].
La termografa infrarroja surge desde la segunda guerra mundial aunque en esos aos los
nicos que la utilizaban eran los militares, en la actualidad sta se ha ido incrementado
considerablemente en el mercado elctrico, como una forma de mantenimiento
preventivo, predictivo y correctivo utilizando imgenes trmicas y sin necesitar el contacto
fsico con el equipo o instalacin que se est inspeccionando. En el rea elctrica se
utiliza especficamente para baja, media y alta tensin ya que al realizar la inspeccin por
termografa infrarroja no es necesario desconectar el equipo o instalacin [3]. En este
trabajo se analiza el uso de esta tcnica para la inspeccin de recubrimientos
semiconductores de bobinas de 13.8 kV.
1.2 DESCRIPCIN DEL PROBLEMA.
Como se coment anteriormente, en las mquinas elctricas suelen presentarse fallas en

los devanados que afectan su vida til. El sistema de aislamiento es uno de los
componentes ms susceptibles al dao y/o envejecimiento, por lo que una gran parte de
las fallas en este tipo de mquinas es asociada a este sistema.
Una de las partes del sistema de aislamiento que puede llegar a sufrir daos con mayor
frecuencia son los recubrimientos conductor y semiconductor, que se utilizan en la
superficie de la bobina. El recubrimiento conductor (carbn o grafito) que se aplica entre la
superficie aislante de la bobina y las paredes de la ranura, protege y mantiene la
superficie de la bobina a un potencial igual al de la pared, evitando entre ella y la ranura
descargas parciales. El campo elctrico que aparece en el aire u otro gas que forma
cavidades entre la superficie de la bobina y la pared del estator puede ser soportado
hasta un valor crtico; despus del cual el gas se ioniza dando origen a descargas
parciales que eventualmente irn erosionando el material aislante, de ah la importancia
del recubrimiento conductor.
En el caso de el recubrimiento semiconductor, se aplica al terminar el recubrimiento

conductor (afuera de la ranura) y tiene como funcin producir una transicin gradual entre
el potencial a tierra del recubrimiento conductor y la alta tensin en la superficie de la
bobina, evitando as la presencia de descargas superficiales, estos recubrimientos
semiconductores son comnmente fabricados con carburo de silicio en una matriz
polimrica. El recubrimiento semiconductor es utilizado para poder atenuar el campo
elctrico, lo cual es acompaado por disipacin de calor.
19
Captulo 1
Existen algunas pruebas que pueden mostrar la presencia de problemas en estos

recubrimientos, tales como la deteccin de descargas parciales o inspeccin ultravioleta.
Sin embargo, en ambos casos el recubrimiento ya debe de estar daado para permitir la
presencia de descargas elctricas.
Por lo anterior, existe la necesidad de contar con tcnicas para verificar el funcionamiento
de estos recubrimientos antes de presentar descargas o si estas ya estn presentes
poder ubicarlas.
En este trabajo se muestra como la inspeccin termogrfica puede ser utilizada para
identificar problemas en los recubrimientos; conductor y semiconductor, antes de que
inicien descargas parciales en la superficie de la bobina. En la figura 1.1 se muestran
esquemticamente los componentes necesarios para llevar acabo una correcta
atenuacin del campo elctrico en una bobina a la salida del estator, mostrando como las
lneas equipotenciales se separan entre ellas cuando se aplica la capa semiconductora en
la bobina.
FIGURA 1.1.- Esquema del extremo de una bobina indicando sus componentes, para la atenuacin
del campo elctrico
Los recubrimientos se pueden ver afectados por varios factores, como son:
A) Temperatura.
B) Humedad.
C) Contaminacin.
D) La aplicacin de una sobretensin o la circulacin excesiva de corriente.
20
Captulo 1
Debido a la gran importancia del funcionamiento de los recubrimientos semiconductores

en bobinas de mquinas de media tensin, se realizar un anlisis de su desempeo; que
permitir mostrar algunos indicios de la mala operacin de los recubrimientos. Esto se
llevar a cabo por medio de una simulacin y una inspeccin termogrfica, detectando as
las fallas por medio de la temperatura que estas emiten.
1.3 ANTECEDENTES.
Con el tiempo se han realizado estudios del comportamiento de las mquinas elctricas
rotativas y del funcionamiento de cada una de las partes que las componen, para
disearlas y utilizarlas con la mayor eficiencia posible. En el presente siglo se ha puesto
atencin en el sistema de aislamiento, especficamente en la parte final de la bobina y el
sistema a tierra. Varios investigadores han hecho estudios y pruebas sobre esta parte de
las mquinas, dentro de estas investigaciones se encuentran los artculos de N. Frost [7],
Emery [6], J. A. Alison [8] y Roberts [9]. En estos trabajos se describen los resultados de
pruebas realizadas a los recubrimientos, y se describe la importancia de su uso en
mquinas de media tensin.
El artculo de Frost [7] menciona que en mquinas de media tensin se crean campos
elctricos no uniformes en la parte final del recubrimiento conductor, generando
descargas superficiales que dan lugar a la degradacin del sistema de aislamiento. El
intenso campo elctrico que se genera en esta zona puede ser controlado colocando
recubrimientos semiconductores a lo largo de la superficie. Estos materiales son
tpicamente de carburo de silicio y polister y pueden tener diferentes grados de no
linealidad, en este trabajo se muestran diferentes materiales y sus caractersticas.
En el artculo de Emery [6] tambin se discute el uso de cintas semiconductoras, las

cuales son generalmente de polister con una impregnacin de resina cargada de carburo
de silicio, se menciona que este tipo de barniz tarda en secar 24 horas aproximadamente.
En ste, tambin se hace mencin a un estudio que se realiz para determinar el rango
de la resistencia de la capa conductora, as como sobre los efectos de disipacin de
energa trmica y el envejecimiento de la cinta. Se considera que un aumento de
temperatura puede ser una base racional para determinar el lmite de la resistividad de la
capa conductora. Cualquier elevacin de temperatura produce un aumento en la tasa de
degradacin trmica de la cinta conductora. Este envejecimiento trmico debe de ser
aminorado mediante un re-diseo del recubrimiento. En este trabajo se establece que a
medida que la capa conductora envejece trmicamente, su resistencia disminuye y la
corriente aumenta, lo cual provoca que llegue a quemarse. Una alternativa que presenta
este artculo, es la de utilizar una capa semiconductora que requiere menor tiempo de
secado, la cual se considera que da mejores resultados en la eliminacin de descargas
superficiales.
21
Captulo 1
En el artculo de J. A Allison [8] describe las caractersticas de los materiales utilizados en

los recubrimientos conductores y semiconductores. Tambin se describen la
impregnacin al vaco (VPI por sus siglas en ingls). Con el uso de cintas conductoras de
polister se tiene la ventaja de poder aplicar esta en capas delgadas para llenar los
pequeos espacios entre la superficie de la bobina y el estator. El propsito de estas
cintas, es reducir la intensidad de campo elctrico superficial en la bobina por debajo de la
rigidez dielctrica del aire. Coincide con el artculo de N. Frost, en que colocar una capa
de carburo de silicio, que tiene una resistencia no lineal, es indispensable para tensiones
superiores a 13.8 KV y recomienda aplicar dos capas de cinta sobre el primer 50%, de la
seccin ms cercana al estator de la mquina.
El artculo de Roberts [9] menciona que adems del dao de las descargas parciales en el
aislamiento otro problema es la generacin de ozono por estas descargas. El ozono
puede ser llevado por la corriente de aire de refrigeracin fuera de la mquina, este gas
es asociado a una cierta toxicidad, por lo que se tiene que asegurar que la cantidad de
ozono se mantenga en niveles aceptables para prevenir problemas de salud con las
personas que estn en constante contacto con el ozono.
Fallas en los recubrimientos conductor y semiconductor se han vuelto de importancia en

mquinas con modernos sistemas de aislamiento que soportan un mayor esfuerzo
elctrico y por lo tanto son de menor espesor, y tambin en motores accionados por
controladores de velocidad con modulacin PWM. Por lo anterior se vuelve indispensable
el contar con tcnicas que ayuden a verificar la calidad de estos recubrimientos incluso
antes de ser instalados en las ranuras del estator.
22
Captulo 1
1.4 OBJETIVOS.
1.4.1 OBJETIVO GENERAL.
Analizar el desempeo de los recubrimientos semiconductores en bobinas de mquinas

de 13.8 kV en base a un anlisis con termografa infrarroja, para verificar su funcin como
atenuadores de campo elctrico.
1.4.2 OBJETIVOS PARTICULARES.
1. Mostrar la necesidad del uso de los recubrimientos semiconductores.
2. Determinar los tipos de fallas que se pueden presentar en recubrimientos

semiconductores por medio de termografa infrarroja.
3. Identificar los factores que afectan el desempeo de los recubrimientos

semiconductores por medio de la termografa infrarroja.
23
Captulo 1
1.5 JUSTIFICACIN.
Las mquinas elctricas han sido y son importantes para la industria, aunado a esto, el
incremento de la capacidad de los motores para grandes procesos ha llevado a la
necesidad de que estas sean construidas para operar en media tensin (2 kV hasta 13.8
kV). Por su capacidad, estas mquinas se vuelven esenciales y cualquier falla en ellas
representa prdidas econmicas elevadas para las industrias.
El sistema de aislamiento es una de las partes ms susceptible a fallas, por lo que

siempre existe la necesidad de contar con tcnicas de diagnostico para evaluar estos
sistemas. El recubrimiento semiconductor es una de las partes del aislamiento ms
crticas y an no existe una tcnica bien establecida para su evaluacin.
Es por esto que el anlisis del sistema aislante, especficamente, el rea donde se
encuentran el recubrimiento conductor y semiconductor es de suma importancia pues se
dice que la vida til de las mquinas elctricas depende en gran medida de estos
componentes. Regularmente el dao que presentan durante su funcionamiento se puede
manifestar en forma de energa calorfica, esto quiere decir que existen prdidas
elctricas produciendo elevaciones de temperatura, los puntos calientes degradan los
materiales aislantes y con el tiempo esto puede llevar a la falla completa de la mquina.
La generacin de calor es una consecuencia natural de la propiedad de atenuar el campo

elctrico en la superficie de las bobinas. Sin embargo, cuando el calor disipado se vuelve
excesivo o cuando ste se localiza de manera no comn en la superficie de la bobina,
esto implica que el recubrimiento podra no estar funcionando correctamente. Por lo
anterior en este trabajo se busca establecer la utilidad de la inspeccin infrarroja para la
evaluacin de los recubrimientos semiconductores.
Esta tcnica ha sido utilizada como una forma de mantenimiento preventivo, predictivo y
correctivo, utilizando imgenes trmicas, y es recomendada, ya que no necesita contacto
fsico con el equipo que se est inspeccionando ni se requiere el paro de la produccin o
generacin.
24
Captulo 1
1.6 APORTACIONES.
En este trabajo de tesis se realiz el anlisis del desempeo de recubrimientos

semiconductores de bobinas de media tensin en la zona determinada como empalme,
que es donde converge la cinta conductora y semiconductora. Esto se hace con el fin de
verificar el correcto funcionamiento de la cinta semiconductora como atenuador del campo
elctrico.
Inicialmente se realizaron simulaciones para observar las zonas donde pudiera existir
mayor presencia de calor, y mediante la inspeccin termogrfica mostrar si las
simulaciones coinciden con los puntos de mayor calor. Al localizar estos puntos se
detectan las zonas propensas a desgastes y rupturas elctricas, y se confirma si las
capas conductora y semiconductora cumplen o no con su funcin. Las imgenes
infrarrojas son comparadas con imgenes en forma de calca del rea del empalme para
verificar la correspondencia de los puntos calientes con la disposicin del encintado de los
recubrimientos.
25
Captulo 1
1.7 ALCANCES Y LIMITACIONES.
ALCANCES:
1. Las pruebas fueron realizadas en bobinas conformadas, reales de 13. 8 kV.

2. Se utilizaron placas aterrizadas en las paredes laterales de las bobinas para simular la
ranura del estator.
3. Se analizaron 16 secciones terminales con recubrimientos semiconductores.
LIMITACIONES:
Al realizar en anlisis se prescindi de lo siguiente:
1. Realizar el estudio con la bobina colocada en el ncleo del estator.

2. Realizar un estudio general de todas las bobinas montadas en la mquina para
observar su funcionamiento y verificar si el anlisis es correcto.
26
Captulo 1
1.8 ESTRUCTURA DE LA TESIS.
Captulo 1.-
En este captulo se da una breve explicacin de las mquinas elctricas en general, se

describe el problema dando una breve introduccin al tema de tesis y mostrando la zona
de la bobina de 13.8 kV en la cual se localizan los recubrimientos conductor y
semiconductor (rea de inspeccin). Adems se delimitan los objetivos, se presentan la
justificacin, aportaciones, alcances y limitaciones del trabajo de tesis.
Captulo 2.-
Se describen todos los elementos que tienen un papel determinante para el

funcionamiento correcto de los sistemas de aislamiento en mquinas de media tensin,
como se clasifican los aislamientos y los efectos que producen su deterioro. En particular
se abordan las caractersticas particulares de cada parte constitutiva de los aislamientos
utilizados en bobinas de 13.8 kV.
Captulo 3.-
Dentro de este captulo se toma en cuenta las consideraciones tericas acerca de los
recubrimientos; conductor y semiconductor, adems de los conceptos bsicos para
comprender el funcionamiento de la cmara termogrfica.
En este captulo se muestra los resultados obtenidos mediante simulaciones de campo

elctrico a una bobina de 13.8 kV, tanto en dos como en tres dimensiones para poder
compararlo con las pruebas realizadas en el laboratorio, de esta forma se tiene un punto
de comparacin o un resultado esperado al momento de realizar el anlisis de forma
experimental.
Captulo 4.-
En este captulo se da una breve explicacin de la manera en la que se utiliza el programa
computacional con que se realiza la inspeccin por medio de la termografa infrarroja,
adems del procedimiento y los aparatos utilizados en la realizacin de las pruebas
experimentales dentro del laboratorio.
Otra parte importante para la realizacin del anlisis, fue obtener las imgenes calcadas
de la zona del empalme de la bobina de 13.8 kV , lo cual es indispensable para poder
comparar todos los resultados obtenidos en cada prueba realizada.
27
Captulo 1
Posteriormente se hace el anlisis y se muestran los resultados obtenidos de las pruebas

a los recubrimientos semiconductores comparando las tres imgenes obtenidas la imagen
digital, la calcada y por ltimo la imagen termogrfica.
Captulo 5.-
En este captulo se presentan las conclusiones de la inspeccin termogrfica dando

recomendaciones para trabajos futuros.
Una vez hecho el anlisis se dan los factores que afectan el funcionamiento del
recubrimiento semiconductor, se presentan las zonas de mayor calentamiento y se hace
mencin del problema para dar una posible solucin.
Captulo 6.-
En este captulo se presenta la justificacin econmica del costo del anlisis realizado al
recubrimiento semiconductor..
28
Captulo 2
CAPTULO 2 : AISLAMIENTO EN MQUINAS ELCTRICAS ROTATORIAS

DE MEDIA TENSIN
2.1. INTRODUCCIN.
Existe una gran diversidad de materiales dielctricos con diferentes propiedades

elctricas, trmicas y mecnicas como son; vidrio, cermica, goma, mica, cera, papel,
madera seca, porcelana, baquelita, as como algunas grasas para uso industrial y
electrnico. Algunos de estos son usados en el sistema de aislamiento de las mquinas
de media tensin, en este captulo se describen las diferentes partes de este sistema de
aislamiento y las principales causas que producen su deterioro.
El envejecimiento trmico se produce a medida que los sistemas elctricos de aislamiento

se van degradando como resultado del calentamiento excesivo, la mayora de las veces
producido por efecto Joule en conductores o tambin llamadas prdidas dielctricas,
en aislantes. Se ha comprobado que la vida til de los elementos del sistema decrece a la
mitad por cada aumento de 10 C en la temperatura de funcionamiento [4]. En el caso
extremo el aislamiento se degradar y carbonizar rpidamente una vez que alcance el
lmite de la temperatura a la cual est diseado.
Los materiales aislantes que protegen conductores, ranuras y otras partes del motor se
clasifican en funcin de su mxima temperatura de operacin. En motores y generadores
se emplean las cuatro clases trmicas de aislamiento que se presentan a continuacin en
la Tabla 2.1. Ms adelante se describen con detalle los materiales utilizados en cada
clase.
TABLA 2.1 Clasificacin de los aislamientos respecto a su temperatura mxima de operacin.
CLASE TEMPERATURA
Clase A (105C)
Clase B (130C)
Clase F (155C)
Clase H (180C)
29
Captulo 2
2.2. PROBLEMAS TPICOS EN EL AISLAMIENTO DE MQUINAS

ELCTRICAS ROTATIVAS.
Se llama aislamiento elctrico al material o medio que es colocado entre conductores que
se encuentran a diferentes potenciales y que solo permiten pasar una corriente pequea
que se encuentra en fase con el voltaje que se le ha aplicado. Este medio o material es
usualmente representado con una resistencia y un capacitor que est en paralelo.
Los daos y rupturas en estos materiales suelen darse por esfuerzos elctricos excesivos,
por el envejecimiento trmico, por fallas mecnicas, entre otros factores. Estas
condiciones modifican las caractersticas resistivas y capacitivas del material dielctrico lo
cual se ve en muchos casos reflejado con un incremento de la corriente a travs del
material que genera calor. Una vez que se genere calor, si este hace que se rebase el
lmite de la temperatura permitida, el aislante se degradar y se carbonizar en el caso
extremo.
En la superficie de los aislantes slidos, y en interfaces con otros medios aislantes, una
falla muy comn es la formacin de trayectorias carbonizadas, las cuales se forman
cuando circula una gran corriente sobre las superficies. Este mecanismo de falla se da
muy a menudo cuando se aplican sobretensiones a los equipos o cuando existe
contaminacin en las superficies aislantes. Estas trayectorias se pueden ir haciendo ms
extensas hasta llegar a producir cortocircuitos.
Otro problema que llega a presentarse en el sistema de aislamiento de mquinas de

media tensin, es la presencia de descargas parciales. Las descargas parciales son una
ruptura localizada que aunque no producen la falla instantnea del aislamiento, estas
degradan paulatinamente al dielctrico.
2.3. CLASE DE AISLAMIENTO Y CLASIFICACIN TRMICA
Existen temperaturas mximas permitidas a las cuales el sistema de aislamiento de una

mquina rotativa puede operar sin daarse. Estas temperaturas mximas se clasifican
conforme a la IEC [13] como se muestra en la tabla 2.2, donde se enlistan los materiales
ms comunes utilizados en cada clase.
30
Captulo 2
TABLA 2.2 Clasificacin de los materiales de un sistema de aislamiento respecto a su

temperatura mxima de operacin [13].
Clase Tipo de Materiales Temperatura
Fibrosos a base de celulosa o ceda, no saturados, no inmersos en

Y 90C
lquidos aislantes, y materiales semejantes.
Fibrosos, a base de celulosa o seda, tpicamente saturados con

A 105 C
lquidos aislantes y otros materiales semejantes.
E Fibras orgnicas sintticas y otros materiales. 120C
Comprenden materiales a base de polister y polimidicos aglutinados

B 130 C
con materiales orgnicos o saturados con estos.
Materiales a base de mica, amianto y fibra de vidrio aglutinados con

F 155 C
materiales sintticos, en general siliconas, polisteres o epxidos.
Materiales a base de mica, asbestos o fibra de vidrio aglutinados

H 180C
tpicamente con siliconas de alta estabilidad trmica
C Incluye mica, vidrio cermica y cuarzo sin aglutinante. mayor a 180C
2.4. VIDA TIL Y SU DETERMINACIN
El ndice del desempeo de las mquinas se llega a determinar por medio de

consideraciones mecnicas y trmicas. Por ejemplo la corriente mxima, por lo general se
determina mediante la temperatura mxima de operacin que puede soportar el
aislamiento sin dao o una reduccin excesiva de vida til. Tomando en cuenta este
ejemplo se puede determinar la velocidad mxima de un motor o un generador mediante
la consideracin mecnica relacionada con la integridad estructural del rotor o el
rendimiento de los cojinetes. Por lo que se puede decir que la elevacin de la temperatura
resultante de las prdidas hmicas, mecnicas por carga dispersa en el ncleo nos
ayudar a determinar el nivel de operacin de la mquina, as, como del tiempo de vida
de los aislamientos.
Por tanto se puede decir que la temperatura de operacin de una mquina elctrica est
ntimamente asociada a su vida til debido a que el deterioro del aislamiento est en
funcin tanto del tiempo como de la temperatura.
31
Captulo 2
Este deterioro del aislamiento se presenta en un fenmeno qumico donde se llega a una
oxidacin y un endurecimiento que vuelve quebradizo al material por lo que esto conduce
a la prdida de la durabilidad mecnica y la capacidad de trabajar como un dielctrico.
Eso se puede representar mediante la Ecuacin 2.1 [14].
t.v = AeB/T. EC. 2.1
En donde;
t.v= tiempo de vida til
A y B =constantes
T= temperatura absoluta;
Cuando se grafica la vida til en una escala logartmica contra el reciproco de la

temperatura absoluta en una escala uniforme, debe resultar una lnea recta. Las grficas
de ese tipo constituyen guas valiosas en la evaluacin trmica de los materiales y los
sistemas de aislamiento.
Es posible obtener una idea muy aproximada de la relacin vida/temperatura a partir de la

regla emprica de que el tiempo de falla del aislamiento orgnico se reduce a la mitad por
cada elevacin de 8 a 10 C.
Las pruebas aceleradas de vida en modelos, llamados motoretts (pruebas de vida

acelerada para la evaluacin del aislamiento en mquinas pequeas) son de uso comn
en la evaluacin del aislamiento. Sin embargo, esas pruebas no son fciles de aplicar a
todo el equipo, en especial a los sistemas de aislamiento de mquinas grandes.
En general, en las pruebas de vida se intenta simular las condiciones de servicio. Suelen
incluir los siguientes elementos:
1. Choque trmico resultante del calentamiento a la temperatura de prueba.

2. Calentamiento sostenido a esa temperatura.
3. Choque trmico resultante del enfriamiento hasta la temperatura ambiente o por
debajo de esta.
4. Vibracin y esfuerzo mecnico como los que pueden encontrarse en el servicio
real.
5. Exposicin a la humedad.
6. Pruebas dielctricas para determinar la conduccin del aislamiento.
32
Captulo 2
La dependencia de la vida til de los materiales aislantes respecto a su temperatura es

primordial, es por eso que existen diversos tipos o clasificaciones dependiendo de la
temperatura de operacin. Como se muestra en la ecuacin 2.1 donde solo se utiliza una
temperatura absoluta, a diferencia de la ecuacin 2.2 donde se utiliza una constante
dependiendo de la clase a la que pertenezca el aislante y as obtener un tiempo de vida
esperado.[14].
EC. 2.2
Donde:
33
Captulo 2
2.5. SISTEMAS DE AISLAMIENTO DE MQUINAS DE MEDIA TENSIN

(MQUINAS QUE OPERAN A MAS DE 1000V)
En mquinas de media tensin para el embobinado del estator se colocan bobinas

preformadas donde se utilizan conductores de forma cuadrada o rectangular, cabe
mencionar que para la construccin del devanado es necesario que las bobinas sean
separadas antes de ser colocadas en las ranuras del estator.
Estas bobinas se forman por vueltas continuas de conductor hasta llegar a la forma
llamada tipo diamante, teniendo desde dos hasta doce vueltas con una conexin dentro
del bobinado que va a depender del nmero de polos para el cual se disee la mquina.
Con el propsito de tener una mayor eficiencia en el uso del espacio en ranuras, este tipo
de bobinas es el ms utilizado, puesto que este sistema permite el uso de la mxima
cantidad de conductor. Adems esta disposicin permite mantener las primeras vueltas
separadas de las ltimas, condicin importante en estos niveles de tensin y a diferencia
de las aleatoriamente distribuidas que se utilizan en baja tensin. Esto se observa en la
Figura 2.1.
FIGURA 2.1 Elementos y partes del devanado conformado en forma transversal.
Cada elemento que conforma el aislamiento del embobinado tiene diferentes

caractersticas con las cuales se busca hacer al sistema ms eficiente y menos propenso
a fallas.
34
Captulo 2
2.5.1. ELEMENTOS QUE COMPONEN EL SISTEMA DE AISLAMIENTO
2.5.1.1. AISLAMIENTO ENTRE HILOS
Este es el ms cercano a los conductores portadores de corriente y el ms expuesto a las

altas temperaturas, es por eso que deben ser considerados dos tipos de fallas
importantes para evitar su deterioro.
1. Las mecnicas: cuando la corriente que viaja por la seccin transversal de los
conductores es alta.
2. La elctrica: si los conductores tuvieran un espesor mayor de 8.5 mm la corriente no
circulara uniformemente en la seccin transversal, sino que es concentrada hacia la
superficie, lo cual ocasionara el aumento de la resistencia efectiva y se presenta una
prdida de energa, para evitar que esto suceda se aslan los hilos que forman al
conductor.
2.5.1.2. AISLAMIENTO ENTRE VUELTAS.
El aislamiento entre vueltas se encuentra directamente en contacto con los conductores.

Cuando una corriente excesiva fluye por los conductores se incrementan las prdidas por
efecto Joule y la temperatura se eleva lo que paulatinamente degrada el aislamiento [9].
Normalmente cuando la mquina opera, sufre un esfuerzo mecnico que es inducido por
las fuerzas magnticas generadas en el estator esta fuerza a su vez actan sobre el
aislamiento entre vueltas.
Otra condicin que afecta considerablemente a el aislamiento entre vueltas, son las
sobretensiones de frente rpido, las cuales pueden llegar a generar distribuciones no
lineales de tensin a lo largo de las bobinas, esforzando al aislamiento entre vueltas por
arriba de su condicin normal de operacin.
2.5.1.3. AISLAMIENTO A TIERRA
El aislamiento de los conductores a tierra tiene como funcin mantener una barrera
elctrica entre stos y el ncleo del estator que est conectado a tierra. De esta forma los
conductores estn separados de las paredes del estator.
35
Captulo 2
Una caracterstica importante de diseo de este aislamiento es su grosor ya que debe de

ser tal que soporte la tensin aplicada, pero que adems permita transferir de manera
adecuada el calor de los devanados al estator.
Para evitar vibraciones en los conductores causadas por la fuerza magntica a

consecuencia de altas corrientes, se utiliza el diseo mecnico que se muestra en la
figura 2.2, si ste no fuera el adecuado provocara que hubieran espacios de aire y se
tendran vibraciones. [4].
FIGURA2.2 Seccin transversal del sistema aislante del estator dentro de la ranura [4].
36
Captulo 3
CAPTULO 3 RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR DE

BOBINAS DE MEDIA TENSIN
3.1. INTRODUCCIN.
En este captulo se describe la utilidad y el comportamiento de los recubrimientos
conductor y semiconductor en las bobinas de media tensin, y la importancia del buen
funcionamiento de ambos recubrimientos para evitar problemas en el sistema de
aislamiento. Tambin en este captulo se describe como la termografa infrarroja puede
ser utilizada para detectar problemas en el recubrimiento semiconductor.
3.2. TIPOS DE RECUBRIMIENTOS EN BOBINAS DE MEDIA TENSIN
Los recubrimientos conductor y semiconductor en bobinas de media tensin sirven para la

atenuacin de esfuerzos elctricos. Estos recubrimientos juegan un papel importante en
el sistema de aislamiento ya que previenen la aparicin de descargas parciales que
pudieran presentarse en las bobinas, especficamente en donde se encuentran intersticios
de aire entre sta y el ncleo del estator y a la salida de las bobinas de la ranura.
Cuando las mquinas rotatorias de media tensin son operadas, por los niveles de
tensin que se manejan se genera un campo elctrico considerablemente alto entre los
conductores energizados y los componentes que estn a tierra, as como entre
conductores a diferentes potenciales. El campo elctrico es no uniforme en la mayora de
las partes energizadas de la mquina, por lo que, si este campo es lo suficientemente
alto, (superior - 3000 V / mm) puede llegar a producir la ionizacin del aire, es decir una
descarga parcial en cavidades o en la superficie de las bobinas. Con el tiempo estas
descargas carbonizan a los materiales aislantes produciendo cortos circuitos dentro de la
mquina.
Cuando se aplica tensin entre el conductor y la cinta conductora, la discontinuidad en el

final de la cinta puede resultar en un alto esfuerzo elctrico a lo largo de la superficie del
aislamiento. Es en esta zona donde se coloca la cinta semiconductora que sirve para
controlar el campo elctrico al final de la cinta conductora.
La cinta conductora ayuda a que no existan separaciones entre la bobina y la ranura del
estator a diferentes potenciales, eliminando las posibles bolsas de aire que puedan
producir descargas. La pintura o cinta conductora se utiliza solo en la seccin de la bobina
dentro de la ranura para que su superficie se encuentre al mismo potencial que el ncleo
del estator. Este material es tpicamente un aglutinante en la forma de una cinta o pintura
con grafito.
37
Captulo 3
El recubrimiento semiconductor se disea dependiendo del nivel de tensin que le ser

aplicado, encontrndolo en forma de una cinta o pintura, segn convenga mejor su
aplicacin. Sin este material, los campos elctricos en el final del brazo de la bobina
degradaran los aislantes, ocasionando averas al motor, es por eso que se necesita un
recubrimiento semiconductor adecuado al nivel de tensin. La funcin del recubrimiento
semiconductor es reducir al mximo el gradiente de campo elctrico en la zona antes
mencionada de la bobina.
En resumen, en las mquinas de media tensin se utilizan dos tipos de recubrimientos

para poder reducir o atenuar la intensidad de campo elctrico.
1. Recubrimiento conductor
2. Recubrimiento Semiconductor
En la figura 3.1 se muestra la seccin del final del brazo de la bobina donde son usados
los dos tipos de recubrimientos, semiconductor y conductor. En la parte A, se usa pintura
conductora o cintas, que estn hechas de polister tejido y se impregnan con una resina
cargada de grafito. En cuanto a la parte B, el recubrimiento semiconductor que es de un
compuesto cargado con carburo de silicio, permite un cambio gradual de tensin elevada
que se presenta entre el recubrimiento conductor a tierra y la superficie del conductor.
Una diferencia marcada entre ambos es que en el recubrimiento conductor la
conductividad () es constante y en el recubrimiento semiconductor la () depende del
campo elctrico. A continuacin se describen con ms detalle ambos recubrimientos.
FIGURA3.1. Recubrimiento conductor y semiconductor para el control de campo elctrico en

las bobinas conformadas.
38
Captulo 3
3.2.1. RECUBRIMIENTO CONDUCTOR
El recubrimiento conductor en las bobinas de media tensin, es pintura que mantiene la

misma tensin entre el estator y la seccin del final del brazo de la bobina.
Al encontrar pequeas bolsas de aire en la ranura del estator y la bobina, la tensin

genera la ruptura del aire, esto puede ocasionar el dao tanto de la ranura como en los
sistemas de aislamiento de la bobina. La ruptura de las superficies se encuentra
altamente relacionada con la humedad y la separacin que exista entre la bobina y la
ranura, es por eso que se utilizan estas cintas protectoras para que supriman la
posibilidad de ruptura en los espacios entre la ranura del estator y la bobina.
Las descargas parciales entre estator y la superficie dentro de la ranura adems generan
ozono, este ozono es asociado a una cierta toxicidad, por lo que se tendr que asegurar
que la cantidad de ozono se mantenga en cantidades aceptables para prevenir problemas
de salud con las personas laborando en las cercanas de las mquinas.
Con las cintas conductoras se tiene la dificultad de obtener una resistencia uniforme en la
superficie de la bobina, su mtodo de aplicacin es tardado y requiere de un tiempo largo
de secado.
La pintura conductora debe tener una resistencia especfica que permita evitar descargas
en las cavidades de aire existentes entre la bobina y las laminaciones del estator pero que
no sea tan alta como para cortocircuitar las laminaciones del estator y provoque corrientes
eddy en esta zona [6]. Un valor tpico de resistencia superficial para este recubrimiento es
de entre 102 a 104 /cuadro.
3.2.2. RECUBRIMIENTO SEMICONDUCTOR
En los materiales semiconductores, su resistencia depende de la intensidad de campo

elctrico. El valor de la resistencia se ve afectada por varios parmetros que no
nicamente incluyen las propiedades del producto sino tambin el mtodo de medicin, la
temperatura, el envejecimiento y su procesamiento.
Estos materiales se utilizan slo en los grandes generadores o motores para controlar el
esfuerzo y eliminar las descargas parciales en el aislamiento del estator .
Para eliminar cualquier material que altere el funcionamiento de la cinta semiconductora,

en la superficie de la bobina se utilizan cintas protectoras, que por lo general son
materiales flexibles que actan como un escudo de proteccin.
39
Captulo 3
Los materiales utilizados actualmente pueden variar en su composicin ya que a

consecuencia de los continuos desgastes a los que se ven expuestos, estas cintas estn
fabricadas a base de lana de polister impregnada con carburo de silicio con una base de
resina. La resistencia de la cinta semiconductora es variable segn la tensin de
aplicacin [7].
El diseo de las cintas semiconductoras est en funcin de la tensin nominal de la

mquina, su funcin es reducir la intensidad de campo en la superficie de la bobina por
debajo de la intensidad de campo de ionizacin del aire.
La longitud de la cinta semiconductora se determina en funcin de la tensin nominal de

la mquina, como se muestra a continuacin en la Ecuacin 3.1.
EC. 3.1
Por ejemplo. Si la tensin de la mquina es de 11kV con una prueba de voltaje mxima de
23 kV tendremos lo siguiente:
Ejemplo de la Ecuacin 3.1
Para tensiones superiores a 13,8 kV, se recomienda aplicar dos capas de cinta sobre el
primer 50% del recubrimiento (la ms cercana al ncleo de la mquina) [8].
40
Captulo 3
3.3. INSPECCIN TERMOGRFICA PARA EL RECUBRIMIENTO

SEMICONDUCTOR EN BOBINAS DE 13.8 kV.
Antes de describir la tcnica de la inspeccin termogrfica primero es necesario definir

algunos conceptos fundamentales para despus mostrar cmo esta tcnica es utilizada
en esta tesis.
3.3.1. CALOR
La materia est compuesta por tomos y molculas que se encuentran en constante

movimiento produciendo energa, la cual es considerada como calor. Tambin se dice que
mientras ms calor se aplique, el movimiento de los tomos y molculas es ms rpido y
la energa o calor va en ascenso.
Un objeto puede contener calor o energa trmica a base de un proceso de conversin de

la energa es decir por medio de transformacin de la energa a calor. Esta energa
trmica puede ser transferida a otros cuerpos u objetos, se puede observar diariamente
en la vida cotidiana; simplemente al calentar algo, se incrementa la velocidad de las
molculas tanto del objeto que es sometido a este cambio como del contenido del mismo
[12].
3.3.2. MODOS DE TRANSFERENCIA DE CALOR
Se define a la transferencia de calor, como el cambio de temperatura entre dos cuerpos, o

bien cuando dos cuerpos tienen diferentes grados de temperatura son llamados fuente y
recibidor; la fuente es aquel objeto con mayor temperatura y el recibidor es el de menor
temperatura, esto quiere decir que la fuente va a transferir su temperatura al recibidor.
Existen 3 modos de transferencia de Calor:
1. Transferencia de calor por Conduccin

2. Transferencia de calor por Conveccin
3. Transferencia de calor por Radiacin
41
Captulo 3
3.3.2.1. TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONDUCCIN
Este tipo de transferencia de calor se da en slidos, lquidos y gases, este tipo de

transmisin es importante para los termgrafos pues sirve para determinar el calor
transmitido. El valor transmitido por conduccin estacionaria es directamente proporcional
a la t conductividad trmica del objeto, sin embargo cuando el calor fluye en su seccin
transversal, la diferencia de temperatura que existe entre dos puntos del objeto es
inversamente proporcional a la longitud o distancias entre estos.
3.3.2.2. TRANSFERENCIA DE CALOR POR CONVECCIN
Esta se da en los fluidos o bien en los lquidos o gases, lo que sucede en este tipo de
transferencia es que los fluidos calientes aumentan su proporcin, el calor siempre va de
la zona ms caliente a la zona ms fra debido al movimiento molecular, mientras el fluido
est caliente las molculas estn ms alejadas y viceversa.
3.3.2.3. TRANSFERENCIA DE CALOR POR RADIACIN
Este tipo de transmisin es emitida por la materia por medio de ondas electromagnticas
no necesita de medio alguno de contacto o de transmisin, incluso en el vaco se da la
transferencia de calor. [12].
3.3.3. TERMOGRAFA INFRARROJA
La termografa infrarroja va directamente relacionada con la radiacin infrarroja, la cual

puede ser emitida por cualquier material o cuerpo cuya temperatura sea mayor al cero
absoluto (0 Kelvin = -273.15 C), que es detectada por la cmara termogrfica. [12].
Esta cmara mide la onda larga de radiacin infrarroja recibida en el campo de visin, a
partir de la cual calcula la temperatura del objeto a medir.
El clculo toma en cuenta diversos factores que afectan las mediciones hechas por la
cmara termogrfica y son determinantes para una correcta medicin de la temperatura.
42
Captulo 3
La Reflexin, la Transmisin y la Emisividad () son los factores tomados en cuenta para

el ajuste y clculo de la temperatura del objeto a medir. En donde la Emisividad de la
superficie del objeto medido as como la compensacin de la temperatura reflejada se
puede ajustar manualmente en la cmara termogrfica. La emisividad () es la medida de
la capacidad de un material de emitir (propagar) radiacin infrarroja. [12].
1. La vara segn las propiedades de la superficie, el material, y, (para algunos

materiales) segn la temperatura del objeto medido.
2. Emisividad mxima: = 1 (100%). En realidad, nunca se da.
3. Cuerpos reales: < 1, porque los cuerpos reales tambin reflejan y algunos incluso
transmiten radiacin.
4. Muchos materiales no metlicos (p.ej. PVC, hormign, sustancias orgnicas)

tienen una elevada emisividad en el rango infrarrojo de onda larga que no depende
de la temperatura ( 0.8 a 0.95).
5. Los metales, sobre todo aquellos con una superficie brillante, tienen una baja
emisividad que flucta con la temperatura.
6. La se puede configurar manualmente en la cmara.
7. Reflexin () es la medida de la capacidad de un objeto de reflejar la radiacin

infrarroja.
8. La depende de las propiedades de la superficie, la temperatura y el tipo de

material.
9. Por lo general, las superficies lisas y pulidas reflejan mucho ms que las
irregulares y sin pulir del mismo material.
10. La temperatura de la radiacin reflejada se puede configurar manualmente en la

cmara termogrfica.
11. En muchas aplicaciones, la reflexin corresponde con la temperatura ambiente,

medible con el termmetro.
12. El ngulo de reflexin de la radiacin infrarroja reflejada es siempre el mismo que

el ngulo de incidencia
Transmisin () es la capacidad de un material de transmitir (permitir el paso) la

radiacin infrarroja.
13. La depende del tipo y grosor del material
14. Muchos materiales no transmiten radiacin infrarroja, es decir, son impermeables a

la radiacin infrarroja de onda larga.
43
Captulo 3
Es comn encontrar mediciones realizadas sobre materiales que no son en realidad los
que se quieren medir sino los que estn en la parte posterior. Esto ya que al tratar de
mantener la integridad de los materiales y la afectacin por polvo, humedad o cualquier
otro agente que afecte el funcionamiento de los materiales. Es aqu donde la transmisin
de la radiacin infrarroja es detectada por las cmaras termogrficas y la medicin puede
ser incorrecta aunque la transmisin del material que cubre al objeto a analizar sea
demasiado alta.
La radiacin infrarroja registrada por la cmara termogrfica consiste en:
1. La radiacin emitida por el objeto medido;

2. La reflexin de la radiacin ambiente
3. La transmisin de radiacin del objeto medido.
El resultado de la suma de estos factores es siempre 1 (100%), esto es que la suma de

los factores (radiacin, reflexin y transmisin) es igual a 1, como se muestra en la
Ecuacin 3.2.
++=1 EC. 3.2
Dado que en la prctica, la transmisin juega un papel despreciable, la variable se

puede omitir. En la Ecuacin 3.3 se muestra que la suma de radiacin ms reflexin son
iguales a 1 ya que la transmisin es despreciada por la cmara termogrfica:
+ =1 EC. 3.3
.
En cuanto a la termografa, esto quiere decir que a menor emisividad, mayor proporcin
de radiacin infrarroja es reflejada. Esto ocasiona una mayor dificultad en la toma de
mediciones precisas, por lo que se vuelve importante buscar la configuracin correcta de
la temperatura reflejada. Es por eso que al existir una mayor emisividad del material a
medir, la cmara termogrfica es ms confiable ya que la reflexin es mucho menor.
La verificacin del correcto ajuste de emisividad es particularmente crucial cuando hay

grandes diferencias de temperatura entre el objeto medido y el entorno. Un ajuste de la
emisividad demasiado bajo resulta en unas lecturas de temperatura demasiado bajas.
44
Captulo 3
En el caso de que la temperatura del objeto medido sea inferior a la temperatura

ambiente;
1. Un ajuste de la emisividad demasiado alto resulta en unas lecturas de temperatura

demasiado bajas.
2. Un ajuste de la emisividad demasiado bajo resulta en unas lecturas de temperatura

demasiado elevadas
3.3.4. LA TEMPERATURA AMBIENTE
En muchas aplicaciones, la temperatura reflejada corresponde a la temperatura ambiente.

sta se puede medir, por ejemplo, con el termmetro convencional, siempre que haya una
gran diferencia de temperatura entre el objeto a medir y la del medio ambiente, es de vital
importancia ajustar la emisividad de forma correcta, ya que en el espacio donde se realice
la medicin o prueba pueden existir otro tipo de materiales que emita de forma propia una
radiacin mayor a la del objeto en anlisis, si su temperatura es mayor a la temperatura
del objeto a medicin, esto afectara al medio ambiente y la capacidad de transmitir y
reflejar las ondas de radiacin infrarroja de otros elementos externos [12].
3.3.5. RADIACIN
Todo objeto con temperatura superior al cero absoluto (0 Kelvin = -273.15 C) emite
radiacin infrarroja, por lo que especialmente los objetos con una gran diferencia de
temperatura con el objeto a medir pueden alterar la medicin por infrarrojos como
resultado de su propia radiacin. En estos casos, se deben evitar estas fuentes de
interferencia en la medida de lo posible.
Las caractersticas especiales de la termografa en exteriores son; la radiacin infrarroja

emitida desde un cielo despejado, la radiacin se encuentra entre los parmetros de
temperatura de -50 C a -60 C y la luz caliente del sol se refleja durante el da. El rea
del cielo supera en mucho a la del sol, por lo que la temperatura reflejada en la
termografa en exteriores siempre se sita por debajo de 0 C, incluso en un da soleado.
Los objetos almacenan calor como resultado de la absorcin de los rayos del sol, lo que
afecta considerablemente a la temperatura de sus superficies, en algunos casos durante
horas despus de la exposicin al sol [12].
45
Captulo 3
3.3.6. HUMEDAD AMBIENTE
La humedad ambiente relativa debe ser lo suficientemente baja para que no haya
condensacin (neblina) en el aire, o vaho en el objeto a medir, en el filtro de proteccin o
incluso en el objetivo de la cmara. Si ste se ha empaado, parte de la radiacin
infrarroja que llega a la cmara se pierde porque no puede penetrar a travs del agua
presente en la lente. Una niebla espesa tambin afecta a la medicin porque el roco
presente en el canal de transmisin bloquea parte de la radiacin infrarroja [12].
3.3.7. CORRIENTES DE AIRE
Cualquier flujo o corriente de aire en una sala afecta a la medicin de temperatura con la
cmara termogrfica. Como resultado del intercambio de calor (conveccin), el aire
cercano a la superficie tiene la misma temperatura que el objeto medido. Si hay corrientes
de aire, esta capa desaparece sustituida por otra cuya temperatura todava no se ha
adaptado a la del objeto.
Por medio de la conveccin, el objeto medido desprende o absorbe calor hasta que la
temperatura de su superficie y la del aire se han igualado. El efecto del intercambio de
calor se incrementa cuanto mayor es la diferencia de temperatura entre la superficie del
objeto a medir y la temperatura ambiente [12].
3.3.8. TCNICA POR INSPECCIN TERMOGRFICA
Esta tcnica sirve para detectar fallas y defectos que pudieran o se presentan en los
equipos, sta inspeccin es realizada con cmaras que permiten un anlisis profundo por
medio de imgenes infrarrojas que son captadas por las temperaturas elevadas que
presentan los equipos [12].
3.3.9. APLICACIONES DE LA TERMOGRAFA INFRARROJA
Las aplicaciones de la termografa infrarroja son muy extensas, pues se utilizan en

diferentes reas, en ingeniera elctrica esta tcnica es utilizada en todos los equipos que
generen calor. Mediante la inspeccin termogrfica se puede verificar el deterioro de
equipos como; transformadores, motores, interruptores, cajas de conexin, para cualquier
equipo en subestaciones, etc.
46
Captulo 3
3.3.10. VENTAJAS DE LA TERMOGRAFA INFRARROJA
La falla puede encontrarse con facilidad sin que la persona que realiza la inspeccin tenga
contacto fsico con el equipo fallado.
Se previenen fallas por medio de este tipo de tcnicas, tomando medidas necesarias, con
esto se alarga el tiempo de vida de los equipos y se reducen gastos innecesarios en la
compra y reposicin de equipos. En este proyecto se aborda la inspeccin y para poder
aplicarla se necesita saber cmo es que operan las cmaras termogrficas.
3.3.11. FUNCIONAMIENTO DE LAS CMARAS TERMOGRFICAS EN

FORMA GENERAL
Las cmaras termogrficas perciben la radiacin que los cuerpos emanan, a su vez se
transforman en imgenes luminosas, estas radiaciones dependen directamente de la
temperatura. Las imgenes son visualizadas mediante una plantilla monocromtica, tiene
un sensor que detecta la onda infrarroja en una cierta longitud.
Dependiendo de la cmara utilizada, los puntos calientes se presentan en las zonas que
llegan a los colores ms claros o estrictamente al color blanco, en cambio los puntos fros
se presentan en las zonas ms obscuras o estrictamente en las de color negro, sin
embargo, estos colores no representan el nivel de radiacin. Dentro de las cmaras
termogrficas existen; de onda larga, onda corta, detectores infrarrojos y matriciales [12].
3.4. SIMULACIN DEL DESEMPEO DE LOS RECUBRIMIENTOS
Previo a las mediciones de temperatura en los recubrimientos semiconductores se

llevaron a cabo simulaciones de campo elctrico en la superficie de la bobina, en la zona
del recubrimiento semiconductor. Con estas simulaciones se busca identificar como se
distribuye tanto el campo elctrico como el calor generado en condiciones ideales y
entonces compararlo con las mediciones de temperatura que se realizan con la cmara
infrarroja.
47
Captulo 3
Para realizar las simulaciones se utiliz el programa COMSOL; que es un paquete basado
en el mtodo del elemento finito. Conociendo la distribucin del potencial, otros
parmetros como intensidad de campo elctrico o calor generado pueden ser conocidos.
Para poder realizar la simulacin, primero se diseo un modelo en dos dimensiones de un
corte axial de la geometra de la bobina a la salida de la ranura. La zona bajo anlisis se
muestra en la figura 3.2, en este caso los elementos que se consideraron fueron;
1. Material Conductor de la Bobina de 13.8 kV

2. Placa del estator
3. Capa conductora
4. Recubrimiento Semiconductor
FIGURA 3.2 Modelado de la simulacin, indicada con medidas aleatorias.
Con la geometra de la figura anterior, el paso siguiente consiste en especificar la tensin

a la cual fue sometida la bobina durante la prueba experimental, que en este caso la
tensin fue de 20 kVrms.
Para la cinta semiconductora se consider un valor tpico de conductividad de entre 1X10-

6
1X10-7 S/m, mientras que para la conductividad del aire fue tomada como 1X10-12 S/m.
Para el material aislante de la bobina se consider un valor de conductividad del mismo
orden que la del aire y una permitividad relativa de 4. Para el aire se tom una
permitividad relativa de 1, y para el recubrimiento semiconductor de 5.
48
Captulo 3
En el primer caso simulado fue considerando el recubrimiento conductor, y sin el

recubrimiento semiconductor. Lo anterior fue modelado solo para ser tomado como
referencia y compararlo con el caso en el cual se aplica el recubrimiento semiconductor.
En la figura 3.3 se muestra la trayectoria y el comportamiento de las lneas

equipotenciales al final de la cinta conductora, en la zona donde no existe pintura
conductora, se tienen lneas equipotenciales que se concentran con poco espacio entre
ellas, lo que indica un gradiente de potencial alto. Este alto campo elctrico da lugar a la
presencia de descargas superficiales ocasionando el deterioro de los recubrimientos y
aislamientos de la bobina.
FIGURA 3.3 Simulacin de distribucin de lneas equipotenciales en una bobina sin cinta
semiconductora.
49
Captulo 3
En la figura 3.4 se muestra la distribucin de las lneas equipotenciales considerando

ambos recubrimientos y asignando un valor de conductividad o aproximado de la cinta
semiconductora. En este caso, durante la transicin gradual entre el recubrimiento
conductor y semiconductor las lneas equipotenciales tienden a tener espacios mayores
de separacin, esto quiere decir que el gradiente de potencial elctrico disminuye con la
cinta semiconductora en una proporcin considerable, cumpliendo con su objetivo
primordial que es la atenuacin de campo elctrico. Con esta reduccin en el campo
elctrico en la superficie de la bobina se reduce la probabilidad de que aparezcan
descargas superficiales que pudieran acortar la vida til de las bobinas y de la mquina en
general.
FIGURA 3.4 Distribucin de lneas equipotenciales en bobina con cinta semiconductora
Otra manera de visualizar el efecto de la cinta semiconductora se muestra en la figura 3.5,

en la cual se grfica la tensin a lo largo de la superficie de la bobina, con origen en
donde termina la cinta conductora (zona del empalme). La lnea mostrada en color rojo
representa la tensin desde el final de la cinta conductora si no existiera la cinta
semiconductora, mientras que la lnea en color azul muestra el crecimiento de la tensin a
lo largo de la superficie de la bobina desde el final de la cinta conductora pero ahora con
cinta semiconductora.
50
Captulo 3
Cuando no se utiliza cinta semiconductora (lnea roja), la tensin aumenta de manera

brusca en una distancia corta generando un alto campo elctrico. Lo anterior resultar
muy probablemente en la aparicin de descargas superficiales en la superficie de la
bobina al trmino de la cinta conductora. Cuando se aplica la cinta semiconductora (lnea
azul), se aprecia que el potencial se va incrementando gradualmente desde cero en la
cinta conductora hasta el valor de la tensin aplicada. Se aprecia un sobretiro de la
tensin algo comn en los recubrimientos semiconductores en bobinas. Este crecimiento
gradual reduce el campo elctrico y por lo tanto la posibilidad de descargas superficiales.
FIGURA 3.5 Simulacin del Comportamiento del potencial elctrico a lo largo de la superficie de
la bobina sin cinta semiconductora (lnea en rojo) y con cinta semiconductora (lnea en azul).
En los casos anteriores se muestra como el campo elctrico es controlado por la cinta
semiconductora, pero como se mencion anteriormente esto provoca la generacin de
calor por efecto joule en la cinta. Para poder verificar la distribucin de este calor
generado en la cinta semiconductora de la bobina es necesario considerar los bordes de
la bobina ya que es aqu donde el campo elctrico puede ser mayor y por lo tanto con
mayor temperatura.Por lo anterior se requiere de simulaciones en tres dimensiones.
Debido a la simetra nicamente se consider una cuarta parte de la bobina para este
estudio como se muestra en la figura 3.6. El grosor de la cinta semiconductora fue
considerada de 0.3 mm mientras que el grosor de aislamiento a tierra fue de 3 mm.
51
Captulo 3
FIGURA 3.6 Simulacin de la bobina mostrando la zona de estudio.
En la figura 3.7 se muestra un corte transversal de la geometra en tres dimensiones

utilizada para la simulacin. El rea de inspeccin en este caso ser el recubrimiento
semiconductor (2) pues la mayor concentracin de calor se presenta en esta zona,
principalmente en la cara lateral y superior de la bobina.
FIGURA 3.7 Geometra utilizada para la simulacin de una bobina en dos dimensiones, (1) Aire, (2)
Recubrimiento semiconductor, (3) Aislante, (4) Conductor de la bobina.
52
Captulo 3
Los resultados del calor generado en el recubrimiento semiconductor se muestran en la

figura 3.8, en sta se observa el calentamiento resistivo que se presenta en la capa
semiconductora (rea en color rojo), con un poco ms de intensidad en la zona central y
en la esquina de la bobina.
FIGURA 3.8 Imagen en 3D del calor generado en el recubrimiento semiconductor.
Los resultados arrojados con esta simulacin dan un indicio de que muy probablemente
las zonas de mayor temperatura se presentarn en las esquinas de las bobinas y en el
centro de las caras laterales. Esto se compara con los resultados arrojados por las
imgenes termogrficas en el siguiente captulo.
53
Captulo 4
CAPTULO 4 INSPECCIN DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE

BOBINAS POR MEDIO DE TERMOGRAFA INFRARROJA.
4.1 INTRODUCCIN
En este captulo se describe el funcionamiento de la cmara termogrfica Flir SC 660 y el

programa Thermacam Resercher, tambin se presentan el desarrollo y los resultados
obtenidos durante las pruebas en los recubrimientos semiconductores de bobinas de
media tensin.
Para el anlisis se tomaron en cuenta tres imgenes, una imagen real de la bobina, otra
termogrfica y una imagen que se tom calcando el recubrimiento semiconductor con
hojas blancas y lpiz para poder compararlas con las otras dos y tener una mejor
referencia de la localizacin de los puntos calientes en los recubrimientos. Estas
imgenes se realizaron en los cuatro lados de la bobina.
4.2 CMARA TERMOGRFICA Y EL PROGRAMA THERMACAM

RESEARCHER
El sistema de medicin de temperatura utilizado en este trabajo consiste en un cmara

infrarroja modelo FLIR-SC660 que tiene un espectro de emisividad entre 7.5 y 13 m y
que despliega la imagen de temperatura en una matriz de 640 x 480 pxeles. La
sensibilidad del detector es <30 mK a una temperatura de 30 C y con una exactitud de
1 C 1% de la lectura. La emisividad utilizada para recubrimientos semiconductores
SG fue de 0,92.
El software de adquisicin, ThermaCAM Researcher , permite a los distintos tipos de

post-procesamiento de la distribucin de la temperatura en la imagen infrarroja.
Thermacam es un programa totalmente dirigido al estudio de la termografa infrarroja, ya
que facilita el anlisis de objetos, aparatos, equipos, etc., en forma de imagen o
videograbacin, a su vez stas permiten mostrar el comportamiento del calor mediante
grficas, dependiendo de la informacin que se requiera, aunque la ms comn, es la
grfica de tiempo contra temperatura. Los datos de la versin utilizada se muestran en la
figura 4.1.
La creacin de puntos, cuadros, lneas y polgonos creados a la forma requerida por el

usuario, ayudan al fcil manejo en conjunto con la paleta de temperatura ubicada del lado
derecho de la imagen o videograbacin que contiene una escala de temperatura para la
comparacin del color de la imagen, tomando como referencia los colores y determinar la
temperatura del objeto a medir.
54
Captulo 4
Esta paleta de temperatura tiene la facilidad de cambiar la tonalidad y colores para que
ayude al usuario a tener un mayor contraste de temperatura y hacer el anlisis de forma
ms fcil.
Adems de conectar cualquier cmara termogrfica de la marca Flyr System para su

anlisis en tiempo real, este programa ofrece la versatilidad de hacer videograbaciones de
sesiones que pueden ser usadas para el anlisis en diferentes ocasiones, sin necesidad
de energizar la prueba realizada o la situacin a analizar, todo esto dependiendo de qu
cmara se est utilizando.
Parte fundamental de ste y cualquier programa son las opciones, en este caso son muy
importantes, ya que para obtener una buena medicin y por ende poder realizar un buen
anlisis es necesario tener en cuenta condiciones ambientales, distancias, condiciones de
el material sometido a la medicin.
Dentro de estas condiciones se encuentra la emisividad, este parmetro es sumamente

importante ya que es la capacidad del material de emitir las radiaciones infrarrojas, vitales
para la medicin de la temperatura. La transmisin que como su nombre lo dice es la
transmisin de las ondas de radiacin infrarrojas que produce el tipo de material,
temperatura ambiente a la que se realiza la medicin, la distancia a la que es colocada la
cmara termogrfica, y las condiciones de humedad ambiental en el momento de la
realizacin de la prueba
FIGURA 4.1. Imagen de presentacin para el programa Thermacam Researcher para anlisis
termogrfico.
En este programa se pueden cargar archivos realizados con la cmara infrarroja, ya sea
en forma de fotografas o videograbacin, para posteriormente crear grficas de zonas
especficas o en funcin del tiempo de duracin de la prueba realizada, como fue utilizado
en esta tesis.
55
Captulo 4
4.3 DESARROLLO DEL ANLISIS EXPERIMENTAL
4.3.1. TENSIN APLICADA Y EQUIPOS UTILIZADOS
La tensin para pruebas de envejecimiento acelerado en bobinas se determina en base a

la tensin nominal a la cual trabajar la bobina, esta tensin nominal es multiplicada por
3.75 o 4 veces [4]. Sin embargo, en esta tesis, la tensin de prueba fue elegida tomando
en cuenta que las bobinas que se analizaron pueden ser usadas para otros estudios, por
lo tanto la tensin a la cual fueron expuestas es menor que la tensin recomendada para
pruebas de aguante (20 kV como mximo). Las bobinas fueron energizadas de la manera
siguiente:
1. Se pone en corto las puntas de la bobina y se conectan al transformador de alta

tensin (TR-250 a 50kV).
2. Se colocan anillos equipotenciales en las puntas de las bobinas para evitar la
descarga corona por el efecto punta que se presenta al energizar.
3. Para simular la ranura del estator se colocan 2 placas metlicas en los costados
de las bobinas soportadas por prensas troqueladas.
Las dimensiones de la bobina conformada de 13.8 kV se muestran en la Figura 4.2,

mientras que en la Figura 4.3 se presenta el transformador de elevador utilizado para
energizar la bobina junto con los datos de placa.
FIGURA 4.2 Dimensiones de la bobina a analizar. [11]
56
Captulo 4
FIGURA 4.3 Transformador de alta tensin y datos de placa.
La tensin del lado de alta es controlada por medio de un variador de tensin, figura 4.4,
conectado en el lado de baja tensin. En todas las pruebas la tensin se fue
incrementando gradualmente desde cero hasta la tensin de prueba.
FIGURA 4.4 Variador de tensin.
Cada bobina est diseada para trabajar a una tensin nominal de 13.8 kV, pero cabe
mencionar que una vez instaladas en el estator de la mquina, stas se conectan en
grupos en serie y cada seccin a una fase diferente. Lo anterior implica que solo la
primera bobina (uno de sus extremos) es la que est energizada ala potencia nominal.
Sin embargo todas las bobinas se prueban a la misma tensin pues cualquiera de ellas
puede ser la primera del grupo ya instalada en el estator.
57
Captulo 4
La tensin nominal de fase a tierra de las bobinas en su valor eficaz est dada por:
EC. 4.1

Con 13.8 kV de tensin de lnea para este caso, por lo que:

La relacin de transformacin para el TR de alta tensin fue determinada mediante
mediciones de potencial en ambos lados. Para el lado de alta tensin se utiliz una punta
atenuadora de alta tensin obteniendo una relacin de transformacin promedio de
;
La tabla 4.1 muestra los valores de tensin utilizados durante el desarrollo de las pruebas
para determinar la relacin de transformacin.
Tabla 4.1. Valores Nominales del Transformador a los cuales puede realizarse el anlisis
Valores en alta tensin (kV) Lado primario (V)
8 33.32
10 41.26
12.5 52.05
20 83.33
4.3.2 PREPARACIN DE LAS BOBINAS INSPECCIONADAS.
La seccin de cinta semiconductora en las bobinas probadas viene cubierta con una
cinta de algodn blanca que es utilizada como proteccin para evitar el dao en los
recubrimientos y la bobina en general. En este caso esta cinta se retira para realizar
un mejor anlisis de las cintas semiconductoras, quedando la bobina con la cinta
semiconductora expuesta como se muestra en la Figura 4.5.
58
Captulo 4
FIGURA 4.5 Muestra de la bobina antes de la inspeccin, el circulo rojo marca el rea del
empalme con la cinta conductora (Bobina 1 Lado 4).
4.3.3. PROCESO PARA LA INSPECCIN TERMOGRFICA.
El procedimiento seguido para el anlisis de cada recubrimiento consisti en los

siguientes pasos:
1. Se tom una imagen digital de la zona del recubrimiento semiconductor, como la que
se muestra en la figura 4.5.
2. Se captaron las imgenes termogrficas en forma de pelcula desde el inicio de la

energizacin hasta alcanzar la tensin mxima, la cual se mantuvo por unos cuantos
minutos, la figura 4.6 muestra una toma infrarroja a tensin mxima.
Figura 4.6 En la imagen termogrfica se muestra el rea de inspeccin encerrada en un circulo

rojo (Bobina 1 Lado 4) .
59
Captulo 4
Figura 4.7 Imagen calca del empalme (cinta semiconductora y conductora de la Bobina 1 Lado 4)
3. Se coloc una hoja de papel sobre las bobinas exactamente en el rea donde se
encuentra el empalme, y suavemente se colorea con lpiz para no causar daos en el
mismo, con lo cual se obtiene el patrn del encintado como se muestra en la Figura 4.7.
4. Se realiz una comparacin de las tres imgenes, la digital, la infrarroja y la que se

tom en calca, buscando correlacionar la localizacin de los puntos calientes con la
distribucin del encintado.
A continuacin se muestran los resultados de la inspeccin a 16 extremos con

recubrimiento semiconductor.
60
Captulo 4
4.4 RESULTADOS EXPERIMENTALES
En esta seccin se muestran los resultados obtenidos, haciendo la comparacin de las

tres imgenes; la termogrfica, la fotografa ptica digital y la imagen escaneada del
proceso de calcar la cinta semiconductora. Con todo esto se busc encontrar algn indicio
que corresponda con la presencia de calor en la zona del empalme, que es donde la cinta
semiconductora y la pintura conductora convergen. Esta rea es la primordial y medular
de la tesis pues es donde se realiz todo el trabajo y donde se originan descargas
parciales que llegan a perforar los sistemas de aislamiento.
Una distribucin uniforme de la temperatura en el recubrimiento semiconductor sera lo

ideal, sin embargo, de acuerdo a las simulaciones, los puntos calientes pueden aparecer
en las esquinas por el efecto de borde. En esta seccin se muestran los resultados
experimentales obtenidos del anlisis de los cuatro lados de cada una de las bobinas,
teniendo un total de diecisis lados.
En las siguientes figuras, para cada uno de los recubrimientos, se muestra la imagen
termogrfica, la imagen digital y la imagen calcada. Las imgenes en calca dan una
buena referencia de la disposicin del encintado para poder as relacionarla con las zonas
de mayor temperatura observadas con la toma infrarroja. Durante el proceso se observ
que en la parte media y los extremos de la bobina existe elevada temperatura. En la
imagen en calca se muestran con una lnea roja el inicio de la cinta semiconductora y con
una lnea verde el fin de la cinta conductora, es decir, el rea entre estas dos lneas es el
rea de empalme. En todas las imgenes infrarrojas se observ que la disipacin de calor
se presenta despus de la lnea verde, es decir, al terminar el empalme y sobre la cinta
semiconductora. Para cada uno de los recubrimientos se comparan y analizan las
imgenes.
61
Captulo 4
IMAGEN A)
DESCRIPCION DE IMAGEN:
A) ENCINTADO SEMICONDUCTOR
DE BOBINA
B) CALCA DE LA ZONA DE
EMPALME
C) TERMOGRAFA DE LA ZONA
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MEDICIN DE TEMPERATUR:
MXIMA (C) 36.7

MNIMA(C) 22.8
Inicio de la cinta semiconductora
Fin de la cinta conductora
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
Las zonas propensas a sufrir daos se
observan en la parte media y baja de este
lado de la bobina, apreciadas en un color
blanco en la imagen C, y localizadas a la
izquierda de la lnea verde en la imagen B.
Esto indica que los puntos calientes se
encuentran despus del empalme sobre la
Figura 4.8 Resultado de la inspeccin termogrfica de las imgenes de la bobina 1 lado 1
62
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MEDICIN DE TEMPERATURA:
MAXIMA (C) 36.9

MINIMA(C) 22.8
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
Las zonas propensas a sufrir daos son la

parte media, superior e inferior de la
bobina, como se muestra en la imagen C
en color blanco, y localizadas a la derecha
de la lnea verde en la imagen B. Esto
indica que los puntos calientes se
.
Figura 4.9 Resultado de la inspeccin termogrfica de las imgenes de la bobina 1 lado2
63
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 32.2

MINIMA(C) 23.2
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
La mayor concentracin de calor en este caso

es mostrada en la parte media, sin embargo, la
superior, tambin puede verse afectada, la
zona inferior muestra poco calentamiento. Las
zonas de mayor calor estn localizadas a la
derecha de la lnea verde en la imagen B. Esto
indica que los puntos calientes se encuentran
despus del empalme sobre la cinta
semiconductora.
64
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 31.7

MINIMA(C) 23.2
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
En este caso se observa nuevamente que la

zona que es menos propensa a sufrir
calentamiento y dao es la esquina y al
centro, y localizadas a la izquierda de la lnea
verde en la imagen B. Esto indica que los
puntos calientes se encuentran despus del
empalme sobre la cinta semiconductora.
65
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 37.2

MINIMA(C) 23.5
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
En la imagen C se observan cuatro puntos de
falla uno en la parte superior, dos en la
media y uno en la inferior, y localizadas a la
izquierda de la lnea verde en la imagen B.
Esto indica que los puntos calientes se
Figura 4. 12 Resultado de la inspeccin termogrfica de las imgenes de la bobina 2 lado1
66
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 34.3

MINIMA(C) 24.5
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
El mayor calentamiento y por ende la zona de

mayor falla es la parte inferior de la bobina y al
centro. Localizadas a la derecha de la lnea
verde en la imagen B. Esto indica que los
puntos calientes se encuentran despus del
67
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 38.2

MINIMA(C) 24.-3
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
Como puede apreciarse en las imgenes B y

C, los puntos de mayor temperatura estn
localizados despus del empalme sobre la
68
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 38.2

MINIMA(C) 24.3
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

69
Captulo 4
IMAGEN A)
E) ENCINTADO SEMICONDUCTOR
DE BOBINA
F) CALCA DE LA ZONA DE
EMPALME
G) TERMOGRAFA DE LA ZONA
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 34.3

MINIMA(C) 24.5
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
Como puede apreciarse en las imgenes B y C,

los puntos de mayor temperatura estn
localizados despus del empalme sobre la cinta
semiconductora.
70
Captulo 4
IMAGEN A)
DESCRIPCIN DE IMAGEN:
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 35.4

MINIMA(C) 24.1
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

semiconductora.
71
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 24.9

MINIMA(C) 47.2
IMAGEN C)
COMENTARIOS:
Como puede apreciarse en las imgenes B y C, los

puntos de mayor temperatura estn localizados
despus del empalme sobre la cinta
semiconductora.
Figura 4.18 Resultado de la inspeccin termogrfica de las imgenes de la bobina3 lado 3
72
Captulo 4
IMAGEN A)
E) ENCINTADO SEMICONDUCTOR
DE BOBINA
F) CALCA DE LA ZONA DE
EMPALME
G) TERMOGRAFA DE LA ZONA
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 40.4

MINIMA(C) 26.0
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

C, nuevamente los puntos de mayor
temperatura estn localizados despus del
73
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DEL EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 37.8

MINIMA(C) 23.1
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

nuevamente los puntos de mayor temperatura
estn localizados despus del empalme sobre la
74
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
DE EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 47.5

MINIMA(C) 23.3
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

75
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
C) TERMOGRAFA DE LA ZONA DE
EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 30.7

MINIMA(C) 23.7
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

76
Captulo 4
IMAGEN A)
DE BOBINA
EMPALME
C) TERMOGRAFA DE LA ZONA DE
EMPALME
IMAGEN B)
MAXIMA (C) 35.1

MINIMA(C) 23.8
IMAGEN C)
COMENTARIOS:

semiconductora.
77
Captulo 4
4.5.- DISCUSIN DE RESULTADOS EXPERIMENTALES.
En relacin a los resultados de las pruebas que se realizaron se observ que

regularmente las reas donde se presenta calentamiento, son en el rea donde termina el
recubrimiento conductor e inicia el semiconductor (empalme), o bien despus de la capa
semiconductora. Mediante las imgenes en forma de calca se verific si las zonas de alto
calor tenan relacin con la disposicin del encintado, lo cual no fue concluyente ya que
no se observ algo que indicara que la posicin de la cinta tuviera que ver con los puntos
calientes. Uno de los resultados ms interesantes es el que los puntos calientes que se
presentaron en la mayora de las bobinas pueden aparecer en lugares distintos a las
esquinas de la bobina. Como se mostr en las simulaciones, las esquinas de la bobina
pueden dar origen a mayor campo elctrico y por lo tanto a mayor calor en la cinta
semiconductora en estos puntos, pero los puntos calientes en los costados se considera
no deberan de aparecer. Todas las bobinas se inspeccionaron para verificar si los puntos
calientes tenan como origen imperfecciones en la zona del empalme, pero en ninguna de
ellas se observ algn defecto que pueda ocasionarlos. Lo anterior sugiere que la causa
pudiera relacionarse con la disposicin interna de los conductores en la bobina o con
cavidades entre conductor y aislamiento..
78
Captulo 5
CAPTULO 5 CONCLUSIONES Y PROPUESTAS DE SOLUCIN
5.1 INTRODUCCIN.
En este captulo se analizan los resultados de las pruebas de termografa. En primer

lugar se discute sobre la distribucin de calor que se observa en la mayora de los casos y
si esta coincide con lo obtenido en la simulaciones. Se analiza si es posible determinar
algn patrn en los puntos de mayor temperatura en base a como est aplicada la cinta
semiconductora.
Por otra parte con la experiencia obtenida durante las pruebas, se hacen
recomendaciones para trabajos futuros.
5.2 CONCLUSIONES
Para realizar el anlisis de la inspeccin termogrfica fue necesario realizar una

simulacin del calor generado en el recubrimiento semiconductor. Esta simulacin fue
hecha en un paquete comercial basado en el mtodo del elemento finito. De los
resultados obtenidos en la simulacin se puede establecer lo siguiente:
Se genera calor en el recubrimiento semiconductor como consecuencia de la

atenuacin del campo elctrico. Esto es bsicamente por efecto Joule en el material.
En condiciones normales de operacin, una elevacin de no ms de unos cuantos
grados centgrados puede considerarse normal y no debe de representar problema.
Considerando en la simulacin una bobina con grosor del aislamiento a tierra

uniforme, se muestra que el calor generado en las esquinas y al centro de las caras
laterales de la bobina es mayor. En el caso de las esquinas, esto se atribuye al efecto
de borde que en esa zona pudiera producir un campo elctrico mayor y por lo tanto el
recubrimiento semiconductor conduce una mayor corriente. En el caso de la zona de
mayor calor en el costado de la bobina se observa que est casi uniformemente
distribuida alrededor del centro del costado. Estos patrones de distribucin de
temperatura puede tomarse como referencia en las pruebas experimentales para
identificar desviaciones que pudieran indicar problemas en el recubrimiento.
En las simulaciones se consider un recubrimiento semiconductor con un grosor

uniforme, algo que puede no ser real ya que como se muestra en las imgenes en
calca del encintado, existen en algunos casos un traslape que no es exactamente del
50 % del ancho de la cinta.
79
Captulo 5
Durante las pruebas experimentales se observ que los puntos calientes se presentan en
las esquinas de las bobinas, coincidiendo con la simulacin. Sin embargo se observaron
puntos de alta temperatura en la zona lateral de la bobina, algo que no se esperaba de
acuerdo a las simulaciones. Inicialmente estos puntos de alta temperatura se
consideraron debidos a imperfecciones en la aplicacin de la cinta o a daos en la
superficie de esta. Sin embargo, tras una inspeccin ocular y verificar la disposicin de la
cinta (de la imagen en calca) no se pudo verificar que alguna de estas sean la razn de
los puntos de alta temperatura.
Se considera que los puntos de alta temperatura son indicio de que la cinta
semiconductora no tiene un valor de conductividad adecuado por lo que se podra pensar
en dos posibles formas de corregir este problema:
1.- Utilizar una cinta con conductividad mayor. En el mercado existen cintas con
diferentes grados de conductividad, por lo que se podra tratar con una de mayor
conductividad.
2.- Aplicar una segunda capa de cinta en la primera mitad del recubrimiento. Cabe
recalcar que todas las bobinas que fueron utilizadas en este trabajo solo cuentan con una
capa de cinta semiconductora, al aplicar dos capas se podra mejorar el control del campo
elctrico en esta zona.
Una de las principales aportaciones de este trabajo fue demostrar como los perfiles de
temperatura pueden utilizarse para identificar potenciales problemas en los recubrimientos
semiconductores.
5.3 RECOMENDACIONES PARA TRABAJOS FUTUROS
En base a lo observado durante el desarrollo de este trabajo se recomiendan dos posibles

lneas para trabajo futuro:
1.- Modelar el interior de la bobina (la forma de las espiras) para ver si existe alguna
relacin con los puntos de alta temperatura en los costados de la bobina.
2.- Correlacionar la aparicin de los puntos de alta temperatura con el inicio de descargas
parciales en la bobina.
80
Captulo 6
CAPTULO 6 JUSTIFICACIN ECONMICA.
La parte econmica en toda la industria y el entorno laboral juega un papel importante

puesto que de esto depende el funcionamiento y eficiencia de la misma. En cada trabajo
por realizar es importante tomar en cuenta, el costo de reparacin o sustitucin del (los)
equipo(s) o bien del (los) servici(s), el tiempo en el cual se debe efectuar considerando
las prdidas y/o ganancias que esto pudiera generar, y finalmente se deber considerar la
eficiencia con la cual se operar antes y despus del (los) trabajo(s) o servicio(s).
Como bien se ha mencionado en los captulos anteriores la inspeccin termogrfica es un

medio muy eficiente para la determinacin de fallas en los sistemas de aislamiento y una
forma de prevencin que permite controlar y detectar a tiempo cualquier anomala sin
generar gastos excesivos e innecesarios.
Es bien sabido que las mquinas elctricas mientras ms dimensin tengan, su costo ser
mayor y por ende su reparacin ser costosa y en casos extremos, el paro de las mismas
o ineficiencia representarn prdidas elevadas. Una de las ventajas de la inspeccin
termogrfica es que el estudio se puede llevar a cabo en cualquier momento y sin la
necesidad de un paro del sistema o maquinaria, y sobre todo es menos costoso que la
reparacin o sustitucin de los elementos daados.
En este caso para poder justificar lo antes mencionado se realiz una cotizacin sobre
Inspeccin termogrfica a recubrimientos semiconductores de bobinas de media tensin,
mostrando as que sta representa un gasto considerable como forma de prevencin, sin
embargo, si tan solo se tuviera que sustituir una sola bobina, el costo de sta sera de
siete a ocho veces mayor sin considerar an el paro de la maquinaria para la sustitucin.
81
Captulo 6
TABLA 6.1 Cotizacin del anlisis por medio de termografa
COTIZACIN
ATN: A QUIEN CORRESPONDA
En base al estudio realizado, se presenta el siguiente presupuesto referente a:
INSPECCIN TERMOGRFICA A RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINAS DE

MEDIA TENSIN
PART CANT UNID DESCRIPCION P.U. TOTAL
Inspeccin termografca a
recubrimientos
semiconductores de
bobinas de media tensin
Incluye:
- Una hora de Inspeccin
1 1 Serv. termografca a
recubrimientos
semiconductores de
bobinas de media tensin
- Mano de obra para

realizar el servicio
$3,625.00 $3,625.00
PRECIO TOTAL: $3,625.00

MS EL 16 % DE IVA
NOTAS
Anticipo del 60% y saldo contra entrega
Tiempo de Entrega: Servicio 1 Jornada laboral, Reporte
Fotogrfico: 1 semana
ATENTAMENTE
Carlos Alberto Prez Lara

Maribel Zamora Serrano
82
Referencias
[1] Manes Fernndez Cabanas, Manuel Garca Melero, Gonzalo Alonso Orcajo, Jos
Manuel Cano Rodrguez, Juan Solares Sariego, Tcnicas Para El Mantenimiento y
Diagnostico de Mquinas Elctricas Rotativas, Barcelona, MACOMBO, 2000, pag de
consulta 594.
[2] Jimnez Moreno Graciano, Contribucin Al Estudio Del Calentamiento De Las

Mquinas Elctricas Rotativas Mediante El Mtodo De Los elementos Finitos: Explicacin
de la Mquina de Induccin, Universidad de Castilla La Mancha, 1995.
[3] Jorge Guillermo Ruano, Gua Prctica de Termografa para el Curso de Montaje de
Equipo, Tesis de Licenciatura Universidad de San Carolos de Guatemala. Enero de 2005.
[4] G. C. Stone, I.M. Culbert, B. A. Lloyd,Electrical insulation for Rotating Machines-

Desing, Evaluation, Aging, Testing and Repair, Wiley IEEE Press, 2004.
[5] F. P. Espino-Corts, E. A. Cherney, S. Jayaram, Impact of Inverter Drives

Employing Fast-Switching Devices on Form-Wound AC Machine Stator Coil Stress
Grading, IEEE Electrical Insulation Magazine, Vol. 23, Num. 1, pp.29-35, 2007.
[6] F. TIM EMERY, The Application of Conductive and Stress Grading Tapes to
Vacuum Pressure Impregnated, High Voltage Stator Coils, IEEE Electrical Insulation
Magazine, Vol. 12, Num. 4, pag. 15-22, Julio-Agosto 1996.
[7] N. Frost, Conley, D.J, Fundamentals of Semi-Conductive Systems for High

Voltage Stress Grading, Electrical Insulation Conference and Electrical Manufacturing
Expo, pag. 89-92, Oct. 2005.
[8] J A Allison, Von Roll Isola, Understanding the need for Anti-corona materials in
High Voltage Rotating Machines, Proceedings of The 6th lntemational Conference on
Properties and Applications of Dielectric Materials, Xi'an China, vol.2, pag. 860 863,
Junio 2000.
[9] G. C. Stone, E. A. Boulter, Ian Culbert, Hussein Dhirani, Electrical Insulation for
Rotating Machines, IEEE Electrical Insulation Magazine, Power Engineering, Vol. 20,
Num. 3, Junio 2004.
[10] Juan Carlos Ortiz Ramrez, Pruebas elctricas para el diagnostico del sistema de
aislamiento a tierra a bobinas de motores de media tensin, [Tesis] Mxico D.F. 2009.
[11] Henry Gmez, Termografa Gua de Bolsillo, teora, aplicacin prctica, consejos
y trucos, Testo AG, Septiembre 2008.
[12] IEC Publication 85, Recommendations for classification of materials for the
insulation of electrical machinery and apparatus in relation to their thermal stability in
service, 1957.
[13] Carlos Prtela, Sobretensiones y coordinacin del aislamiento,Vol 1,

Brasil, Revert, 1983.
83
ANEXO A
I. ANEXO A: Inspecciones realizadas en un tiempo de 3 minutos
La grfica de temperatura durante toda la prueba, nos muestra el tiempo en que la bobina
adquiere una estabilidad en su temperatura, aunque la forma de aumentar la tensin en la
bobina fue por medio de un restato, en forma gradual y no fue mayor a 30 segundos el
tiempo en el que se elev la tensin hasta el nivel de prueba. A continuacin de la Figura
A.1 a la Figura A.16 se muestran las grficas del comportamiento de la temperatura
durante la inspeccin termogrfica realizada en un tiempo de 3 minutos.
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
Figura A.1 Grficas del comportamiento de la temperatura durante la inspeccin termogrfica

realizada en un tiempo de 3 minutos, bobina 1 lado 1.
84
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

realizada en un tiempo de 3 minutos bobina 1 lado 2.
85
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

86
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

87
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

88
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

89
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

90
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

91
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

92
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

93
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

94
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

95
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

96
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

97
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

98
ANEXO A
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO
VALOR MXIMO
VALOR MNIMO

99
ANEXO B
II. ANEXO B: Funcionamiento de Researcher

Para iniciar la configuracin del programa primero se tiene que conectar la cmara a la
computadora por medio del cable firewire el cual es el que transmite la informacin.
Teniendo instalado el programa ThermaCam Researcher que solo es compatible para el
sistema operativo Windows, desde XP hasta Windows 7. Se inicia y de manera
automtica pide que el usuario elija el tipo de cmara que utilizar, desplegando una lista
de cmaras que maneja la marca de Flyr System. Ver figura B.1
Figura B.1 Presentacin ThermaCam Researcher.
Una vez que se eligi la cmara a utilizar, se inicia su configuracin dependiendo de la

opcin en la que se va utiliza, es decir para filmar un video o para la simple captura de
imgenes. En cualquiera de las opciones lo fundamental es configurar la emisividad,
distancia, temperatura ambiente. Esto se muestra en las imgenes de la figura B.2
Figura B.2 Ventanas de propiedades 1.
Estos aspectos son fundamentales para que se pueda hacer una medicin correcta,
esto ya fue explicado en el captulo tres para una mejor comprensin. As como el uso del
Sistema Internacional de Medidas, pudiendo usar diferentes medidas para facilitar el uso
de cada persona o pas en el que se use. Ver figura B.3
100
ANEXO B
Figura B.3 Ventanas de Propiedades 2
Otra opcin indispensable es el zoom ya que es aqu donde se modifica los

acercamientos hacia la parte que se va a analizar pudiendo identificar las zonas donde
existe mayor presencia de calor, esta opcin permite modificar el acercamiento de forma
gradual o de la forma ms conveniente para el usuario. Una vez modificada la
configuracin se da inicio en la pantalla donde se puede abrir la imagen o la
videograbacin que ya fue guardada, como se muestra en la siguiente imagen. Ver figura
B.4
Figura B.4 Pestaa para abrir archivos.
Cuando se inicia la opcin de abrir imagen se abre un cuadro de dilogo que de forma
automtica indica la direccin de la carpeta en donde se guardaron las imgenes, una vez
detectado esto, el usuario puede elegir la o las imgenes que desea abrir, de esta forma
el programa agrupa de forma automtica la captura de cada imagen que se tom o en
este caso se agrupan las videograbaciones. Ver figura B.5
101
ANEXO B
Figura B.5 Ubicacin de Archivos dentro de la computadora.
Ya teniendo abierto el archivo donde se va a trabajar, ahora se procede a la elaboracin

del anlisis con el programa. Del lado izquierdo de la pantalla hay una barra de iconos
que permiten crear formas, formulas, puntos y un puntero con el cual se facilita al usuario
la determinacin de la temperatura exacta en algn punto de la imagen. Estos iconos son
indispensables, ya que gracias a las figuras formadas por los puntos dentro de las
imgenes infrarrojas, es posible generar grficas de temperatura necesarias para la
realizacin de un anlisis ms precioso. Ver figura B.6.
Figura B.6 Pestaa para realizar anlisis
102
ANEXO B
Una vez que se realiz el anlisis y se quiere presentar la imagen infrarroja generada por
el programa Thermacam Researcher, es necesario guardar la imagen para poder ser
utilizada en algn otro momento. Esto se logra seleccionando en el icono de Imagen que
se encuentra en la parte superior de la ventana del programa, una vez hecho esto se
busca la opcin;save con la cual el programa salvar la imagen. Ver figura B.7
Figura B.7 Cuadro para guardar el anlisis,
Una vez hecho lo anterior el programa desplegar una nueva ventana, la cual nos indicar
la ruta donde el archivo generado por el programa ser guardado. Es importante saber
que en la parte inferior de la ventana hay la opcin de elegir el formato en el cual la
imagen ser generada, si se elige la opcin que se seala en la imagen de abajo, el
archivo tendr una paleta de colores as como la escala de temperaturas en el lado
derecho de la imagen, ver figura B.8
Figura B.8 Vista final del anlisis.
103

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INSTITUTOPOLITCNICONACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

ANLISIS DEL DESEMPEO DE RECUBRIMIENTOS

QUE PARA OBTENER EL TTULO DE:

PREZ LARA CARLOS ALBERTO

ZAMORA SERRANO MARIBEL

DR. FERMIN PASCUAL ESPINO CORTS

M. EN C. TOMAS IGNACIO ASIAN OLIVARES

Cd. de Mxico, Mayo 2013

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUEL A SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELECTRICA

UN IDAD PROFESIONAL "ADOLFO LPEZ MATEOS"

D EB ERA(N ) DE SARROL LA R C. MARIBEL ZAMORA SERRANO

"ANLISIS DEL DESEMPEO DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINA

ANALIZAR EL DESEMPEO DE LOS RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES EN BOBINAS

JEFE DEPARTAMENTO ACADMICO td. - ~

A mi pareja que siempre estuvo al pendiente en todo momento brindndome su apoyo y

Carlos Alberto Prez Lara

JOSE ZAMORA LOPEZ

TANIA BELEM ZAMORA SERRANO

A mi ta, hermano y primos:

DELFINA SERRANO CEDILLO

A mis profesores y amigos:

MARIBEL ZAMORA SERRANO

Este proyecto de tesis surge con la necesidad de verificar el desempeo de los

En la mayora de los casos, el anlisis de los recubrimientos semiconductores consiste en

La termografa infrarroja es un medio utilizado para la inspeccin de la temperatura de los

CAPTULO 2: AISLAMIENTO EN MQUINAS ELCTRICAS ROTATIVAS DE MEDIA TENSION 29

2.5.1.1 AISLAMIENTO ENTRE HILOS 35

CAPTULO 3: RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR DE BOBINAS DE 13.8 kV 37

3.3 INSPECCION TERMOGRFICA PARA EL RECUBRIMIENTO SEMICONDUCTOR EN

3.3.4 LA TEMPERATURA AMBIENTE 45

CAPTULO 4: INSPECCIN DE RECUBRIMIENTOS SEMICONDUCTORES DE BOBINAS POR

CAPTULO 5: CONCLUSIONES Y PROPUESTAS DE SOLUCIN 79

I. ANEXO A: GRFICAS Y TABLAS DE TEMPERATURA DE CADA UNA DE LAS BOBINAS,

FIGURA 2.1 ELEMENTOS Y PARTES DEL DEVANADO CONFORMADO EN FORMA

FIGURA 3.1 RECUBRIMIENTO CONDUCTOR Y SEMICONDUCTOR PARA EL CONTROL DEL

FIGURA 3.2 MODELADO DE LA SIMULACIN INDICADA CON MEDIDAS ALEATORIAS 48

FIGURA 3.3 SIMULACIN DE DISTRIBUCIN DE LINEAS EQUIPOTENCIALES EN UNA

FIGURA 3.4 DISTRIBUCIN DE LNEAS EQUIPOTENCIALES EN BOBINA CON CINTA

FIGURA 3.5 SIMULACIN DEL COMPORTAMIENTO DEL POTENCIAL ELCTRICO A LO

FIGURA 3.6 SIMULACIN DE LA BOBINA MOSTRANDO LA ZONA DE ESTUDIO 52

FIGURA 3.7 GEOMETRA UTILIZADA PARA LA SIMULACIN DE UNA BOBINA EN DOS

FIGURA 3.8 IMAGEN EN 3D DEL CALOR GENERADO EN EL RECUBRIMIENTO

FIGURA 4.2 DIMENSIONES DE LA BOBINA A ANALIZAR 56

FIGURA 4.3 TRANSFORMADOR DE ALTA TENSIN Y DATOS DE PLACA 57

FIGURA 4.4 VARIADOR DE TENSIN 57

FIGURA 4.5 MUESTRA DE LA BOBINA ANTES DE LA INSPECCIN , EL CIRCULO ROJO,

FIGURA 4.6 EN LA IMAGEN TERMOGRFICA SE MUESTRA EL REA DE INSPECCIN

FIGURA 4.7 IMAGEN CALCA DEL EMPALME (CINTA CONDUCTORA Y

FIGURA 4.8 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.9 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.10 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.11 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.12 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.13 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.14 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.15 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.16 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.17 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.19 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.20 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA

FIGURA 4.21 RESULTADO DE LA INSPECCIN TERMOGRFICA DE LAS IMGENES DE LA