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7. Bosqueje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de arsnico como se demostr para
el silicio en la figura 1.7.
12. Con la ecuacin (1.1), determine la corriente en el diodo a 20C para un diodo de silicio con Is 50
nA y una polarizacin en directa aplicada de 0.6 V.
13. Repita el problema 15 con T 100C (punto de ebullicin del agua). Suponga que Is se ha incremen-
tado a 50 mA.
14. Con la ecuacin de Shockley determine la corriente a 20C en un diodo de silicio con Is 0.1 mA con
un potencial de polarizacin en inversa de 10 V. Es el resultado esperado? Por qu?
15. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de germanio y determine cul preferira uti-
lizar en la mayora de las aplicaciones prcticas. D algunos detalles. Consulte la lista del fabricante
y compare las caractersticas de un diodo de silicio y de uno de germanio de caractersticas nomina-
les mximas similares.