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Pr. A.

SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 5 Jonction PN

Chapitre2
Contact entre semi-conducteurs
Jonction P-N (Diode)
On sait raliser exprimentalement, dans un mme monocristal d'un semi-conducteur deux rgions de
type P et N en contact l'chelle atomique. La surface de sparation entre ces deux rgions s'appelle la jonction
P-N.
On rappelle les caractristiques des deux rgions:
Zone P:
Les trous sont porteurs majoritaires,
Les lectrons sont porteurs minoritaires,
Les atomes accepteurs forment un rseau d'ions ngatifs fixes.
Zone N:
Le lectrons sont porteurs majoritaires
Les trous sont porteurs minoritaires,
Les atomes donneurs forment un rseau d'ions positifs fixes.

1. Jonction P-N non polarise


En raison de la diffrence marque en porteurs libres entre les diffrentes rgions, les trous proches de la
jonction (majoritaires dans la rgion P) diffusent vers la rgion N (o ils sont minoritaires) et pigent des
lectrons (phnomne de recombinaison).
De mme, les lectrons diffusent de la rgion N vers la rgion P et y sont pigs par les trous.
En consquence, de part et d'autre de la jonction, il se cre une mince zone de transition appele aussi zone
de dpltion ou zone de charge d'espace (d'paisseur 1 m ) pratiquement dpourvue de porteurs libres mais
contenant toujours des ions fixes provenant des atomes dopeurs:
ions ngatifs du ct P: ,
ions positifs du ct N : .
L'excdent de charge ngatives immobiles situes entre A et J ainsi que l'excdent de charges positives

immobiles situes entre K et J crent un champ lectrique interne Ei orient de la rgion N vers la rgion P. Il
apparat ainsi une diffrence de potentielle Vd=VK-VA qui constitue une barrire d'nergie potentielle.

Avant diffusion


Zone P
Zone N


Figure 1
Ei


Zone P Zone N

A J K
Aprs diffusion
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1.1. Courant de diffusion d aux porteurs majoritaires


Rgion N:
Les lectrons majoritaires arrivent par agitation thermique en K:

la plus part sont repousss par le champ interne Ei vers la rgion N d'o ils proviennent.
seuls quelque porteurs ayant acquit une nergie thermique suffisante peuvent franchir la barrire

d'nergie cre par Ei et passent vers la rgion P.
Le dplacement de ces quelques porteurs cre un courant compt positivement de P vers N.
Rgion P:
De faon similaire, les trous majoritaires arrivent par agitation thermique en A:

la plus part sont repousss par le champ interne Ei vers la rgion P d'o ils proviennent.
quelques un ont acquit par agitation thermique une nergie suffisante pour passer dans la rgion N. Ils
contribuent crer un courant compt positivement de P vers N.
Il existe donc au niveau de la jonction P-N un courant appel courant de diffusion not Id correspondant
au dplacement des charges majoritaires et qui est dirig de la rgion P vers la rgion N.

Remarque: Id augmente avec la temprature de la jonction.


augmente si la d.d.p. de diffusion Vd diminue.

1.2. Courant de saturation d aux porteurs minoritaires

Rgion N:
Les trous minoritaires (trs peu nombreux), dont une partie encore plus faible arrivant en K par effet

d'agitation thermique, sont acclrs par Ei et de ce fait sont propulss dans la rgion P.
Rgion P:
Les lectrons minoritaires qui arrivent en A, sous l'effet de l'agitation thermique, sont propulss par le champ

interne Ei dans la rgion N.
Il existe donc au niveau de la jonction P-N un courant appel courant de saturation not Is (oppos au sens
du courant de diffusion) et qui est:
li au dplacement des porteurs de charges minoritaires,
dirig de la rgion N vers la rgion P.

Remarque:
1) La jonction P-N se trouve en circuit ouvert, le courant global dans la jonction est nul: I=Id + Is=0 et Id=Is.
2) Is dpend uniquement de la temprature. Id dpend de la temprature et de Vd. Si l'on modifie Vd au moyen
d'une d.d.p. extrieure, on pourrait faire varier fortement Id sans modifier Is.

2. La jonction P-N sous tension. Jonction P-N


polarise Courant de diffusion Id
2.1. Polarisation en sens direct

Lorsque l'extrmit de la rgion P est porte Ea


un potentiel suprieur celui de l'extrmit de la I = Id + Is Id
rgion N, on dit que la jonction P-N est polarise en Ei
directe. P Eri N
En polarisation directe, l'application de la
tension V aux bornes de la jonction (figure 2) A J B
revient au fait superposer au champ lectrique
Courant de saturation Is
interne Ei un champ E a de sens oppos.

V
Figure 2
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Le champ rsultant E r = Ei + E a est infrieur en module Ei Ceci revient diminuer la d.d.p. entre les
zones P et N donc entre les points A et K. Il en rsulte qu'il faut moins d'nergie aux porteurs majoritaires pour
traverser la zone de transition. Le courant de diffusion Id augmente considrablement.

Le passage des porteurs minoritaires est favoris par E r et le courant de saturation Is reste inchang et peut
mme tre nglig devant le courant de diffusion Id.
Le courant rsultant, appel courant direct de la jonction est pratiquement gal Id (Id = Id+ Is Id )

2.2. Polarisation en sens inverse Courant de diffusion Id


Lorsque l'extrmit de la rgion N est porte
un potentiel suprieur celui de l'extrmit de la Ea
rgion P, on dit que la jonction est en polarisation I = Id + Is Is
inverse. Ei
Dans ce cas , la tension V applique produit
P Eri N
un champ lectrique E a de mme sens que Ei . Il
faut cette fois beaucoup d'nergie aux porteurs A J B
majoritaire pour traverser la zone de transition. La Courant de saturation Is
zone de transition s'largit et dans la pratique une
d.d.p. inverse de quelque volt suffit rendre
ngligeable le courant de diffusion Id.
Le courant de saturation devient V
prpondrant mais reste faible temprature
ordinaire puisqu'il est d au dplacement des Figure 3
porteurs minoritaires peu nombreux ( I Is )

Exemple:
Pour une jonction de silicium, Is est infrieur 10-9 ampre lorsque la temprature de la jonction n'excde
pas 25C. On dit que la jonction est bloque.

Remarque:
Par analogie avec les proprits de la diode vide, une application directe des proprits de la jonction P-N
est la diode semi-conducteur.

3. Caractristique courant-tension I=f(V) I

On montre que l'quation de la caractristique


I=f(V) d'une diode solide est donne par:
eV
I = I s exp 1
kT
V est la tension de polarisation, T la temprature V
absolue et k la constante de Boltzmann. Is
Le graphe de la caractristique I=f(V) est donne
dans la figure suivante. Figure 4

En polarisation directe V>0, le courant augmente exponentiellement avec V. Le terme constant Is devient
trs vite ngligeable. Le courant direct rsulte essentiellement du courant de diffusion (d aux porteurs
eV
majoritaires): I = I d = I s exp
kT
En polarisation inverse V<0, le courant inverse tend vers le courant de saturation Is (d aux porteurs
minoritaires): I = Is.
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4. Claquage d'une jonction



Lorsque la d.d.p. inverse V (ngative) devient importante ( le champ E r est important), les lectrons
minoritaires en traversant la jonction acquirent une nergie importante proportionnelle la tension applique V.
Deux phnomnes se produisent la suite:
i) Pour |V|>|VZ|, ils ionisent par choc les atomes de la zone de transition. Il y a alors augmentation
importante de la concentration en porteurs minoritaires: c'est l'effet Zener.
ii)Un lectron obtenu par effet Zener va tre acclr et va son tours ioniser un autre atome qui librera
un autre lectron. Les deux lectrons ainsi librs ionisent leur tours d'autres atomes: il y a une vritable
raction en chane. Le phnomne est appel effet d'avalanche.
La diode se chauffe ce qui accrot le courant inverse.
La courbe I=f(V)devient sensiblement verticale (figue 5). I
Des chauffements localiss se produisent au niveau de la
jonction qui mettent la diode hors d'usage. On dit qu'il y a
claquage irrversible. VZ V
Le seuil de tension VZ, pour lequel se produit le
claquage, dpend essentiellement du dopage en impurets du
semi-conducteur.

On peut rgler par dopage les seuils de claquage en


fonction de l'utilisation:
diode de redressement (trs bonne tenue en Figure 5
polarisation inverse) : elle est peu dope et la tension de
claquage peu dpasser les 100 volts.
diode Zener : obtenue par dopage convenablement variable. Elle a la particularit de supporter sans
dommage un courant inverse relativement important ds que |V| |VZ| (VZ est appele tension Zener). Le
claquage est rversible et l'application de tensions |V| |VZ| peut tre rpter sans inconvnient condition qu'il
n'y ait pas de surchauffement du semi-conducteur.
diode Backward : trs dope et caractrise par une trs faible tenue en polarisation inverse.
diode tunnel : excessivement dope et ne tient pas en polarisation inverse. Elle est exploite dans
certains gnrateurs de frquence.

5. Modlisation de la diode semi-conducteur


La reprsentation symbolique d'une diode jonction P-N est donne par la figure suivante:
A K A K

Anode Cathode
(rgion P) (rgion N)
(a) (b)
Figure 6: (a) reprsentation symbolique de la diode. (b) reprsentation relle du botier de la diode (le trait
est du cot de la cathode)

5.1. Interprtation de la caractristique courant-tension


D'une faon gnrale, la caractristique d'une diode est reprsente par la figure 5 dans les deux cas :
polarisation directe et inverse.

a. Tension de coude (o tension seuil)


I
C'est la tension directe au voisinage de laquelle, la caractristique
directe I=f(V) subit un changement notable (croissance exponentielle
du courant puis tendance vers un comportement linaire).
V
Vd

Figure 7
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Ce seuil gnralement dtermin partir de l'intersection Vd de l'axe des tensions avec la partie rectiligne de
la caractristique (figure 7).

Vd correspond au fait la tension en dessous de laquelle la diode ne conduit pas bien (I 0).
Vd est de l'ordre de :
0,7 volt pour une diode au silicium (Si);
0,4 0,5 volt pour une diode au germanium (Ge)
b. Rsistance statique d'une diode Figure 8
C'est le rapport V/I en un point donn de la I R 1 =V 1 /I1

caractristique. Elle varie avec la tension applique la diode (elle R2=V2/I2


diminue au fur et mesure que la tension applique la diode I2
augmente).
I1 V
c. Rsistance dynamique d'une diode V1 V2
La rsistance dynamique rd en un point de la
caractristique directe est dfinie par l'inverse de la pente de la I
droite qui est tangente la courbe en ce point.

V 1 M
rd = =
I g V
V
avec g = pente de la tangente au point M.
I I
c. Rsistance inverse
Sous polarisation inverse, une diode laisse passer un Vi V
courant inverse trs faible. La diode peut tre assimiler un Ii
rsistance inverse Ri trs grande. Elle est dfinie par:
Ri= Vi/ Ii o Ii est le courant inverse et Vi est la tension
inverse.
Figure 9
e. Capacit d'une diode
Comme chaque composant muni de connexion, une diode a une capacit parasite. Elle peut affecter son
utilisation aux frquences leves. Cette capacit externe est habituellement infrieure ou gale 1pF. La
capacit interne due la jonction d'une diode est nettement plus importante. On l'appelle capacit de transition de
jonction de barrire o de zone de dpltion. On sait que plus la tension inverse est leves, plus la zone de
dpltion est tendue. La zone de dpltion n'ayant pratiquement pas de charge libres se comporte comme un
isolant.
Les rgions P et N sont bons conducteurs. On peut les assimiler aux armatures d'un condensateur dont le
dilectrique est constitu par la zone de dpltion.
En dfinitive, une diode sous polarisation inverse est quivalente une rsistance en parallle avec une
capacit.
Pour les diodes courantes, cette capacit est de l'ordre de 1 5 PF. Elle est donc faible et n'intervient
qu'an hautes frquences (ordre de 100 Mhz).

5.2. Les approximations pratiques d'une diode semi-conducteur


La diode est un composant actif non linaire (pas de linarit entre le courant et la tension applique la
diode). Pour pouvoir prvoir les formes des signaux issus des montages incluant des diodes, il est ncessaire de
reprsenter les diodes par des quations approchant les courbes relles de la caractristique I=f(V).

a. Premire approximation Diode idale


En polarisation directe, la diode se comporte comme un conducteur parfait. La diode est passante : Vd
=0, i>0 et rd =0.
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En polarisation inverse, la diode se comporte comme un isolant parfait. La diode est bloque : pour
V<0, i=0 et Ri est infinie.
I
Diode idale
Figure 10
Interrupteur ferm
A K

i
V Polarisation directe

A K
Application 1:
Dterminer la tension de sortie VR du circuit suivant en
utilisant la premire approximation de la diode (diode idale). Ve(t ) = Vm sin t VR
R

b. Deuxime approximation
Le schma quivalent de la diode est donn par la figure
suivante. Figure 11
En polarisation directe, il
I
faut environ Vd = 0,7 volt pour
qu'une diode au silicium ( 0,4 volt A K Vd
pour une diode au germanium)
i i
conduise le courant: pour V>Vd ,i>0
et rd =0 (pente de la tangente V
infinie).
Polarisation directe
Vd
Figure 12
Application 2:
Reprsenter la tension de
sortie VR du circuit de la figure 11 en utilisant la deuxime approximation.

c. Troisime approximation
Le schma quivalent
de la diode est donn par la I
figure suivante.
En polarisation A K Vd rd
directe et pour V>Vd, la diode
est passante et conduit le i i
courant. Elle est quivalente V
un rcepteur de f.c.e.m. Vd et
Polarisation directe et V>Vd
rsistance interne rd qui Vd
s'oppose au gnrateur qui Figure 13
alimente la
diode. V AK = rd i + Vd I
Pour V<Vd , la diode est bloque et i=0. Elle est VZ V
quivalente une rsistance de trs grande valeur
souvent assimile une rsistance infinie (Ri= ).

Application 3:
Reprsenter la tension de sortie VR du circuit de
la figure 11 en utilisant la troisime approximation.
VZ rZ
- i
+

V<0 V<VZ

Figure 14
Pr. A.SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 11 Jonction PN

Remarque:
La caractristique courant-tension d'une diode Zener est identique celle d'une diode de redressement.
Aprs claquage ( V<VZ en polarisation inverse), la tension aux bornes de la diode est pratiquement
constante.
La diode Zener est quivalente un rcepteur de f.c.e.m. VZ et de rsistance interne rZ (inverse de la pente
de la droite).
La diode Zener peut tre utiliser en polarisation directe, mais elle est souvent utilise en polarisation
inverse comme stabilisateur de tension.

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