ELECTRONICA I

UNIDAD 1.- Introduccin a los semiconductores. 5 horas.

UNIDAD 2.- Diodos rectificadores. 13 horas.
UNIDAD 3.- Diodos Zener. 7 horas.
UNIDAD 4.- Dispositivos optoelectrnicos. 5 horas.
UNIDAD 5.- Transistores bipolares operando en la regin activa.
UNIDAD 6.- Transistores bipolares en corte y saturacin. 8 horas.
UNIDAD 7.- Transistores de efecto de campo. 4 horas.
UNIDAD 8.- Introduccin a los amplificadores operacionales.
UNIDAD 9.- Fuentes de alimentacin reguladas. 5 horas.

UNIDAD 1.- INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES.

1.1.- Aplicacin de la electrnica.
1.2.- Modelo atmico.
1.3.- Dispositivos semiconductores.
1.4.- Dopado de semiconductor.
1.5.- Polarizacin.

APLICACIN DE LA ELECTRNICA
A inicios del siglo XX (1905), el fsico alemn Albert Einstein (y despus nacionalizado suizo/estadounidense) sent las bases
de la mecnica cuntica, usando las hiptesis de Max Planck, (1900).

La mecnica cuntica hace posible que podamos explicar la existencia del tomo. Concepto sobre el cual est basada la
tecnologa de los transistores.

Niels Bohr en 1913 incorporo las ideas de Einstein sobre el efecto fotoelctrico (que consiste en la emisin de electrones por
un material cuando se hace incidir sobre l una radiacin electromagntica (luz visible o ultravioleta).

MODELO ATOMICO DE BOHR

Rutherford a finales de 1800/siglo XIX, propuso el primer modelo atmico, con el que probo la existencia del ncleo atmico
en el que se rene la carga positiva y casi toda la masa del tomo, Rutherford solo describe la carga negativa como
electrones que giran alrededor del ncleo.

Niels Bohr propone un modelo atmico en el que introduce la cuantizacin.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

El trmino semiconductor revela por s mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi- suele aplicarse a un rango de
niveles situado a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga, 8cuando una fuente de voltaje
de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. El mejor conductor que existe es la plata (Resistividad 10

).

Un aislante es un material que ofrece un nivel de conductividad muy bajo, alta resistividad bajo la presin de una fuente de
voltaje aplicado. Por ejemplo, la mica es un material con una resistividad de 10

.

Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante
y un conductor. Ejemplos de semiconductores son el silicio con una resistividad de 50 y el germanio con 50,000

.

Los tomos pueden mantenerse unidos por diferentes tipos de enlaces. En los metales esta unin se llama enlace metlico,
en el cual para llevarse a cabo se ven involucrados un gran nmero de tomos donde la atraccin entre los ncleos atmicos
y los electrones de valencia (entre 1 y 2 para el cobre, la plata y el oro) mantiene estable al material. En caso del cobre por
ejemplo, cada tomo tiene un electrn libre; como esteelectrn viaja en una rbita extremadamente grande (nivel de
energa alto), el electrn siente una dbil atraccin del ncleo. En un alambre de cobre (o plata como en la figura de abajo),
los electrones libres estn en una banda de energa llamada banda de conduccin. Estos electrones que pasan entre la capa
de valencia y la de conduccin, forman una nube de electrones.

Para los semiconductores, el enlace qumico que les mantiene unidos se denomina enlace covalente, y se forma al compartir
electrones de la capa de valencia entre los tomos vecinos. Por ejemplo, un tomo de silicio aislado tiene 4 electrones en su
rbita de valencia. Para ser estable qumicamente, un tomo de silicio necesita 8 electrones en dicha orbita. Debido a que
este tomo se combina con otros de tal manera que llega a tener 8 electrones en su rbita de valencia.
Cuando una energa externa levanta un electrn de valencia a un nivel de energa mayor (orbita ms grande), el electrn
saliente deja una vacante en su rbita externa. Est vacante se conoce como hueco.

Una pieza de silicio es diferente. A la temperatura de cero absoluto los electrones no se pueden mover a travs del cristal.
Todos los electrones de valencia se encuentran firmemente unidos a los tomos de silicio.

Al aumentar la temperatura, la energa trmica rompe algunos enlaces covalentes, es decir, forzar algunos electrones de
valencia hacia la banda de conduccin.
A temperatura ambiente (25 C), la corriente es demasiado pequea para ser til. A esta temperatura una pieza de silicio no
es ni buen aislador ni buen conductor. Por esta razn se llama semiconductor.

Los huecos en los semiconductores tambin producen una corriente. Esta es la diferencia que distingue a los alambres de
cobre. En otras palabras, un semiconductor ofrece dos caminos para la corriente.

1. Uno a travs de la banda de conduccin.

2. Otro a travs de la banda de valencia.

A manera de comparacin un alambre de cobre es como una carretera de circulacin en un solo sentido y un semiconductor
es como una de doble circulacin.

DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR
Un cristal de silicio puro, se conoce como un semiconductor intrnseco. En la mayor parte de las aplicaciones no hay
suficientes electrones libres huecos en un semiconductor intrnseco para producir una corriente til. La contaminacin o
tambin llamada impurificacin o DOPADO, consiste en agregar tomos de impurezas al cristal, para aumentar ya sea su
nmero de electrones libres o de huecos. Cuando un cristal ha sido contaminado o impurificado, se denomina extrnseco.

Semiconductor tipo n

Para obtener electrones adicionales en la banda de conduccin se agregan tomos pentavalentes que tienen 5 electrones
en la rbita de valencia.
Despus de realizar el enlace covalente entre el tomo pentavalente y los de silicio, ya que solo necesitan 8 electrones en la
banda de valencia, el electrn extra se desplaza a la rbita de la banda de conduccin.

Ejemplo de estos materiales son:

o Arsnico
o Antimonio
o Fosforo

Los electrones en la banda de conduccin son p. mag. Arsnico: 2, 8, 18, 5.

Al silicio as contaminado se le llama semiconductor tipo n.

Semiconductor tipo p.

Usando tomos trivalentes podemos contaminar un cristal para tener huecos en exceso.Como cada tomo trivalente aporta
solo tres electrones de su rbita de valencia, nicamente siete electrones se movern en esta orbita. As, aparece un hueco
en cada uno de estos tomos.

Ejemplos de materiales trivalentes son:

o Aluminio
o Boro
o Galio

Un semiconductor contaminado con tomos trivalentes se conoce como semiconductor tipo p.

En este caso los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones en la banda de conduccin son los portadores
minoritarios.

NOTA: Conforme el dopado aumenta la resistencia des semiconductor disminuye y esta obedece a la ley de Ohm. El voltaje
presente en las terminales del semiconductor es proporcional a la corriente que circula por l.

POLARIZACIN
Es posible producir un cristal que tiene la mitad del tipo n y la otra mita del tipo p.
Un cristal pn se le conoce con el nombre de diodo.

Diodo sin polarizacin.

La diferencia de potencial a travs de la capa de agotamiento se llama barrera de potencial, a 25 C esta barrera de
potencial es igual a 0.7 V para diodos de silicio y 0.3 V para los de germanio.

Polarizacin directa de un diodo.

El polo negativo repele los electrones des cristal n hacia la unin pn.
El polo positivo atrae los electrones de valencia del cristal p. Empuja los huecos hacia la unin pn.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona
de carga, los electrones adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales han sido
desplazados a la zona pn.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p, atravesando la zona de carga, cae en un hueco;
convirtindose en electrn de valencia, y es atrado por el polo positivo de la batera.

Polarizacin inversa del diodo.

 Polo positivo de la batera atrae a los electrones del cristal tipo n.
Polo negativo de la batera cede electrones libres a los huecos del cristal tipo p.
Este proceso se repite hasta que la zona de carga adquiere el mismo potencial que la batera.

Corriente de saturacin ( ). La corriente inversa originada por los portadores minoritarios. El nombre de saturacin nos
recuerda que no puede obtenerse ms de esta corriente inversa que la que produce la energa trmica.

Corriente superficial de fuga ( ). Adems de la corriente de saturacin hay una pequea corriente en la superficie,
llamada de fuga. Se origina por impurezas de su superficie que forman trayectorias hmicas para la corriente. Es igual de
pequea como .

Corriente inversa ( ). Rene las corrientes e . Puesto que es sensible a la temperatura e al voltaje inverso y
a una temperatura ambiente , es definido en la hoja de especificaciones dependiendo de la temperatura
ambiente y el voltaje inverso.

Voltaje de ruptura. Si aumentamos el voltaje inverso literalmente s alcanza un punto de ruptura, este voltaje se llama de
ruptura del diodo. El voltaje de ruptura es normalmente mayor a 50 V. una vez que alcanza el voltaje de ruptura, el diodo
puede conducir intensamente.
UNIDAD 2.- DIODOS RECTIFICADORES.
2.1.- Polarizacin de diodo y curva.
2.2.- Rectificador de media onda.
2.3.- Rectificador de onda completa.
2.4.- Rectificador de puente completo.
2.5.- Parmetros de los diodos.
2.6.- filtros con condensador.
2.7.- Fuentes de alimentacin en CD.

POLARIZACION DE LOS DIODOS Y CURVA

La grafica de la corriente en un diodo en funcin de la tensin no es una lnea recta. La razn es la barrera de potencial;
cuando la tensin de un diodo es menor que la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequea; si la tensin del
diodo supera esta barrera de potencial, la corriente se incrementa rpidamente

La relacin de la corriente y el voltaje del diodo lo podemos escribir de la siguiente manera:

= ( 1)

Donde:

= Corriente a travs del diodo. (A)

" = Voltaje en las terminales. (V)

= Corriente inversa de saturacin. (nA)

# = Carga del electron = 1.6 10' (

C

) = Constante de Boltzmann = 1.38 10' ,

J/K

- = Temperatura absoluta, K

. = Constante emprica entre 1 y 2

A la temperatura ambiente (300K) y tomando . = 1

(.)-)
"/ = 25 ."
#

= 2 13 = ( 456
1)

Si conectamos un circuito para medir la corriente en el diodo y comenzamos a graficas la relacin: voltaje de la fuente y
corriente del circuito.
Curva del diodo para la regin de polarizacin directa.

Cuando se aplica polarizacin directa en el diodo no conduce con intensidad hasta que se obtiene el potencial de
barrera.
Al acercarse al potencial de barrera (0.7 V), los electrones libres y los huecos empiezan a cruzar a grandes
cantidades.
Arriba de los (0.7 V), incrementos pequeos de voltaje producen incrementos grandes de corriente.

Curva del diodo para la regin de polarizacin inversa

Se obtiene una corriente inversa extremadamente pequea o de fuga.

Si se aumenta el voltaje inverso, inevitablemente se llega la ruptura del diodo. (cientos de volts).
Un diodo rectificador siempre debe operar abajo del voltaje de ruptura.

Una forma de destruir el diodo es exceder el voltaje de ruptura inverso.

Otra forma de destruirlo es exceder la potencia mxima nominal. Todo dispositivo tiene una disipacin de potencia,
es decir, el producto de su corriente y voltaje. Normalmente el voltaje de este punto de destruccin de un diodo se
encuentra inmediatamente arriba delvoltaje de codo. El producto de este voltaje y esta corriente produce ms calor del que
el diodo puede soportar.

Por lo arriba descrito se deduce la razn de utilizar una resistencia en serie 78 o resistor limitador de corriente.

Cmo se puede encontrar la corriente del diodo?

"8 "9
=
78
Ejercicio 2.1: Para la configuracin de la figura siguiente, empleando las caractersticas anteriores. Determinar " : : "; :
< = 4" y 7 = 100

Con: " = 0
> 46
Tenemos que: = = = 40.?
; 55

Con = 0
Tenemos que: " = < = 4"

La interseccin entre la lnea de carga y la curva caracterstica define el punto Q como:

" : 0.72"

: 33.?
Ejercicio 2.2. Para la configuracin siguiente. Determinar A ";

Solucin.

" = 0.7"

< = " + "; => "9 = < "D = 8 0.7 = 7.3"

"; = 7.3"
"; 7.3"
= = = 33.2.?
7 220
Repetir el ejemplo anterior con el diodo cambiado.

Solucin.

= 0; " = < = 8"; "D = 0

Ejercicio 2.3:

Determinar " e para el circuito. Est el diodo polarizado directamente? Usar la grfica con la curva del diodo
 Solucin.

< = "D + "8F + "G> = 12"

"D = 12" 0.7" 0.3" = 11"

"D 11
= = = 1.96.?
5.6H 5.6H
La intensidad en el circuito tiene un valor muy pequeo para alcanzar la polarizacin directa. El valor mnimo de corriente
para que el diodo se polarice directamente (segn la grfica) es de 0.01 A (10 mA).

Ejercicio 2.4:

Determinar , "D A "D

Solucin.

< + < = (7 + 7 ) + "

< +<" 24" + 12" 0.7" 35.3"
= = = = 95.4.?
(7 + 7 ) 220 + 150 370

" = 95.4.?(150 ) = 14.3V

" = 95.4.?(220 ) = 20.98V

Transformador:

Modifica los niveles de tensin alterna a los requeridos por el circuito a alimentar. El trasformador de entrada reduce la
tensin de red (generalmente 220 o 120 V) a otra tensin mas adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con
corrientes alternas, esto quiere decir que la tensin de entrada ser alterna y la de salida tambin.

Consta de dos arroyamientos sobre un mismo ncleo de hierro, ambos arroyamientos, primario y secundario, son
completamente independientes y la energa elctrica se transmite del primario al secundario en forma de energa
magntica a travs del ncleo.

La tensin de salida depende de la tensin de entrada y del nmero de espiras de primario y secundario. Como frmula
general se dice que:

V1/V2 = N1/N2

Donde N1 y N2 son el nmero de espiras del primario y el del secundario respectivamente.

As por ejemplo podemos tener un transformador con una relacin de transformacin de
220V a 12V, no podemos saber cuantas espiras tiene el primario y cuantas el secundario pero si podemos conocer su
relacin de espiras:

N1/N2 = V1/V2
N1/N2 = 220/12 = 18,33

Este dato es til si queremos saber que tensin nos dar este mismo transformador si lo conectamos a 120V en lugar de
220V, la tensin V2 que dar a 120V ser:

120 = V2 * 18,33
V2 = 120/18,33 = 6,5 V

Por el primario y el secundario pasan corrientes distintas, la relacin de corrientes tambin depende de la relacin de
espiras pero al revs, de la siguiente forma:

I2 = I1 * (N1/N2)

Donde I1 e I2 son las corrientes de primario y secundario respectivamente. Esto nos sirve para saber que corriente tiene que
soportar el fusible que pongamos a la entrada del transformador, por ejemplo, supongamos que el transformador anterior
es de 0.4 Amperios. Esta corriente es la corriente mxima del secundario I2, pero nosotros queremos saber que corriente
habr en el primario (I1) para poner all el fusible.

Entonces aplicamos la frmula:

I2 = I1 * (N1/N2)
0.4 = I1 * 18.33
I1 = 0.4 / 18.33 = 21,8 mA

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

El diodo es frecuentemente utlizado en circuitos con alimentacin analgica. Su funcin es rectificar la seal,. Por ejemplo,
en el circuito de abajo, el diodo se polariza solo durante el semi ciclo positivo de la seal de entrada V1, durante el tiempo
que dura la seal positiva, la intensidad en el circuito es:

" "9
=
7K

El voltaje en la carga L, es:

"L = "1 0.7"

Los circuitos electrnicos son alimentados con voltajes entre 5-24 V, y una alimentacin constante para tales circuitos es
proporcionada por la red elctrica pblica. Para adaptar los niveles de voltaje entre 127 Vrms de la lnea y el bajo voltaje de
la electrnica, se utilizan transformadores, como se muestra en la figura:

Donde N1 y N2 son el nmero de vueltas en el devanado primario y secundario del transformador.

N
"M = "
N O
PQ
Si la relacin es 5:1 y el voltaje del primaro es de 120 "S M, el voltaje pico en el primario es:
PR

120"
"O = = 170"
0.707
la tensin de pico en el secundario es:
170"
"M = = 34
5
La frecuencia de media onda sigue siendo igual a la frecuencia de la tensin de la red (60 Hz.).
"
"TT = = 0.318"
-
"TT = 0.318(" " )
 "
UK =
7
"
"S =
2VW7

-RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA-

-Configuracin tipo puente-

 2"
"X = "OSY = = 0.636"
Z
"
"OSY =
2
-Configuracin de transformador con terminal central.-

-PARAMETROS DE LOS DIODOS-

Existen piezas especficas de datos que deben incluirse para una correcta utilizacin del dispositivo.

Estos datos incluyen:

1. El voltaje directo "\ (a una temperatura y corriente especfica).

2. La corriente directa mxima \ (a una temperatura especfica).
3. La corriente de saturacin inversa ; (a una corriente y temperatura especfica).
4. El valor del voltaje inverso (PIV o PVR o V (BR) A una temperatura especifica.
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular ] .
6. Los niveles de capacitancia.
7. El tiempo de recuperacin inverso ^SS .
8. El rango de temperatura de operacin.

Para el caso del 1N4004:

Tensin repetitiva de voltaje inverso ";;_

Voltaje inverso pico de funcionamiento ";`_ 400 V

Tensin de bloqueo de DC ";

(Recomendado 200 V)

Corriente rectificada promedio = 1.0 ?

(Recomendado .5 A)

Disipacin de voltaje ] = 3.0 a

Corriente inversa mxima 25 ; = 0.05 b?

100 ; = 1.0 b?
 Cada de tensin mxima
instantnea con 25 ; = 0.05 b?
polarizacin directa.

-FILTRO PARA ONDA COMPLETA-

Para seleccionar la capacitancia hacemos el siguiente anlisis.

Supongamos que a descarga del capacitor inicia en ^ = - . Entonces el voltaje inicial puede escribirse como:
c
" =
W
El capacitor se descarga en ^ = - , y el voltaje en ese momento es:

c
" =
W
El rizado pico a pico es iguala a diferencia de los voltajes anteriores, esto

es:
c
" " =
W
Si dividimos ambos lados de la ecuacin entre la diferencia de los tiempos - = - - , en los que ocurre el
mximo y el mnimo tenemos que:
" " c c
=
- - W(-)

Donde T2 T1=T:
c c
= WdDDU e^ f ghDih
-
" "
=
- W
 ";jk =
VW

Donde:

";jk = Voltaje de pico a pico del rizado.

= Corriente de carga cc.

V = Frecuencia de rizado.

W = Capacitancia.

Para eliminar completamente el rizado se necesitara un capacitor grande, lo cual no es prctico por el volumen y el costo,
por lo que se utiliza la regla del 10%.

";jk = 10% f "Y ]Ugd

";jk
" T = "; (]Ugd)
2
S: ";jk = 1.5" y "; (]Ugd) = 15", entonces:
1.5"
"TT = 15" = 14.25"
2
Para calcular la corriente de sobrecarga tenemos el peor caso cuando el circuito empieza a energizarse y solo
tenemos la resistencia de los diodos y los devanados 7/m .

"; (]Ugd)
8YnSo pSqp =
7/m
"; (]Ugd)
78YnSo pSqp =
_pr8oqsSp

Por ello se aade una 78YnSo pSqp .

Ejercicio:

Un puente rectificador de onda completa con una entrada senoide tiene una resistencia de carga de 1 K

a) Si se usan diodos de silicio, Cul es el voltaje disponible en la carga 7K ?

 b) Determine el valor PIV que se requiera para cada diodo.
c) Encontrar la corriente mxima a travs de cada diodo durante la conduccin.
d) Cul es el valor de potencia que se requiere para cada diodo?

"j = 15"S M

" = 0.7"

a)
"j (]Ugd) = "jO = 152 = 21.21"
"YO = "j 2" = 21.21 2(0.7) = 19.81"
"TT = 0.636(19.81) = 12.6"
b)
] " > " + "YO = 0.7 + 19.81 = 20.51"
] " = 50"
c)
"YO 19.81
_tu = = = 0.01981? = 19.81.
7K 1H
d)
] =" = (0.7)(19.8.) = 0.01386a
] > 0.0138a

Incluir un capacitor al circuito para aumentar la "TT a 95% del "YO .

a)
";jk = 10% f "YO = 1.98
";jk
"TT = "YO = 1.98 0.99 = 18.89"
2
F
";jk = ; Donde = _tu8oqsSp = 0.01?
vT
0.01?
W= = 84.17y
(60wx)(1.98)
b)
"YO 19.81"
78YnSo pSqp = = = 1981
_tu8oqsSp 0.01?

Fuentes de alimentacin CD.

Las etapas en que consta una fuente de alimentacin CD, son las mostradas en la figura:
Consideraciones adicionales en el diseo de una fuente de alimentacin en CD.

Transformadores comerciales. Los transformadores con ncleo de hierro son los ms comunes en el mercado. Sus
hojas de especificaciones no incluyen el nmero de vueltas. La relacin est dada por la tensin alterna en el
secundario.
N " 115"
= = = 9.13
N " 12.6"

Calculo de la corriente por el fusible.

]Mpz = " = (15")(1.2?) = 18a

En un caso ideal.
La potencia de entrada debera ser igual a la de salida.
]o{| = ]Mpz
Y utilizando el "S M como el voltaje de entrada.
18a
= j = 0.156?
115"
Un fusible debera ser al menos de 0.23?.

Regulador de voltaje en serie. 78XX

UNIDAD 3.- DIODOS ZENER.
3.1.- Regin de polarizacin directa.
3.2.- Polarizacin inversa.
3.3.- Diodo Zener como regulador de voltaje.
3.4.- Especificaciones y valores nominales de los diodos Zener.

-INTRODUCCION-

El diseo de reguladores de voltaje contiene una parte esencial, que permite mantener valores de voltaje sin
variacin. El diodo zener, llamado as por su inventor, el Dr.Clarence Melvin Zener, es un diodo que trabaja polarizado
inversamente en la zona de ruptura, manteniendo el voltaje de ruptura en sus terminales. Un rectificador se daara al
llevarlo a tal extremo, pero un diodo Zener es diferente, estos son circuitos que mantienen la tensin casi constante con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red y de la recta de carga.

-REGION DE POLARIACION DIRECTA-

Si un diodo Zener se polariza directamente, va a trabajar como un diodo rectificador normal, pero sus
caractersticas de funcionamiento en la regin de polarizacin directa estn disminuidas, ya que no fue diseado
para esta operacin. En la regin directa, el diodo Zener principia a conducir alrededor de 0.7V, justamente como lo
hace un diodo de silicio ordinario.
-POLARIZACION INVERSA-

En la regin de fuga (entre cero y ruptura), tiene solo una pequea fuga o corriente inversa.
En un diodo Zener, la ruptura tiene un codo bastante agudo seguido de un aumento en corriente casi vertical. Debe
notarse que el voltaje es casi constante, aproximadamente igual a "} sobre la mayor parte de la regin de ruptura.
Las hojas de informacin tcnica normalmente especifican el valor de "} a una corriente particular de prueba }/ .
La disipacin de potencia de un diodo Zener es igual al producto de su voltaje por su corriente. Por medio de la
frmula de potencia se indica:
]} = "} }
Mientras ]} sea menor que la potencia nominal, el diodo Zener puede operar en la regin de ruptura sin que se
destruya.

Las hojas de informacin tcnica especifican la corriente mxima que un diodo Zener puede conducir, sin excederse
de su potencia nominal como sigue:
]}_
}_ =
"}

Por ejemplo, un diodo Zener de 12V con una potencia nominal de 400mW, tiene una corriente nominal de:
400.a
}_ = = 33.3.?
12"
En otras palabras, si se tiene una resistencia limitada de corriente para mantener la corriente de Zener a un valor menor de
33.3mA, entonces el diodo Zener puede operar en la regin de ruptura sin quemarse.