MODULO DE MEMORIA RAM

Ing. Ral Rojas Retegui

OBJETIVOS

Al termino de la sesin el estudiante ser capaz de:

Describir las principales chips de memoria RAM.
Describir las principales de los mdulos de memoria RAM de
PC.
Describe las principales caractersticas de mdulos de memoria
RAM de PC porttiles.
DEFINICIN
La memoria RAM (Random Access Memory o Memoria de Acceso Aleatorio). Es un
circuito integrado (CI) que almacena informacin en forma Temporal.

Estos circuitos integrados se agrupan en un pequeo circuito impreso denominado

modulo de memoria RAM o Bancos de Memoria.

A los mdulos de memoria RAM utilizados en una PC se le denomina memoria Principal

o memoria del sistema. La cual tiene las siguientes funciones:

a. Es utilizado por el Microprocesador almacenar datos de todos los procesos

que se estn ejecutando.
a. Permite el uso de la multitarea, es decir que en la PC se puede ejecutar mas
de una aplicacin (Programa) en forma simultanea. Gracias a la
segmentacin.
b. Permitir la ejecucin de las aplicaciones (de todos los programas), instaladas
en el disco duro de la PC. Gracias a la segmentacin.
 La memoria
Memoria 4,096 Mb

Extendida
Extendida 16 Mb
Memoria alta 1088 kb
MEMORIA
(HMA)
Shadow RAM ROM BIOS 1024 kb
(386/486))

Superior
Marco de pgina 896 kb
expandida

Memoria
Expandida 832 kb
Memoria de video 768 kb
Pginas lgicas 640 kb

Convencional
EMS
Memoria
64 bytes convencional
CMOS RAM
(286/386/486)

0 kb
Las memorias en una PC

Registros internos

Mayor capacidad
Mayor velocidad (y costo)
Memoria cach

Memoria central

Memoria expandida

Memoria secundaria

Memoria auxiliar

Comparativas entre tipos de memoria

TIPOS DE MEMORIA RAM

Existen dos tipos de memoria RAM la DRAM (Dinamic Random Access Memory) y la
SRAM (Static Random Access Memory).

Memoria DRAM (Dinamic Random Access Memory)

a. Es una memoria del bajo costo.
b. Sus prestaciones son suficientemente rpidas como para cubrir las
necesidades de los Microprocesadores.
c. Entre sus mayores desventajas encontramos la necesidad de refrescar la
memoria cientos de veces por segundo.
d. Almacena la informacin como una carga en una capacidad de un
transistor.
e. Una celda (un bit) se implementa con un solo transistor mxima
capacidad de almacenamiento por chip.
f. Ese transistor consume mnima energa Muy bajo consumo.
g. Al leer el bit, se descarga la capacidad necesita regenerar la carga
aumenta entonces el tiempo de acceso de la celda.
 RAS: Row Address Strobe
CAS: Column Address Strobe

CAS
RAS
Cd

Buffer

Transistor
Bit de datos de salida al bus
MEMORIA SRAM
a. Representa la abreviatura de Static Random Access Memory y es la
alternativa a la DRAM.
b. No requiere de tanta electricidad como la anterior para su refresco
c. Son en funcionamiento ms rpida que el de la DRAM.
d. Su principal desventaja es su elevado costo, esto ha permitido un uso
reservado en la memoria cach de procesadores y placas base, cuyo tamao
suele ser muy reducido, comparado con la DRAM.
e. Almacena la informacin en un biestable.
f. Una celda (un bit) se compone de seis transistores menor capacidad de
almacenamiento por chip.
g. 3 transistores consumen energa mxima en forma permanente y los otros
3 consumen mnima energa Mayor consumo
h. La lectura es directa y no destructiva tiempo de acceso muy bajo
Lnea de Bit Lnea de Bit

Seleccin
COMPARACIN ENTRE DRAM Y SRAM

RAM dinmica (DRAM) RAM esttica (SRAM)

Consumo energa mnimo. Mayor consumo de energa.

Mayor Capacidad de almacenamiento Menor capacidad de almacenamiento

Costo por bit bajo. Costo por bit alto.

Tiempo de acceso alto (lento), debido al Tiempo de acceso bajo (es mas rpida).
circuito de regeneracin de carga.

Si construimos el banco de memoria Si construimos el banco de memoria

utilizando RAM dinmica, no aprovechamos utilizando RAM esttica, el costo y el
la velocidad del procesador. consumo de la computadora son altos.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el
desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de
memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1 Kibibyte
En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se
convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo
de la direcciones de memoria
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el
aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias
DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una
serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
SDR SDRAM
Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium
II y en los Pentium III , as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron.
DDR SDRAM
Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja
al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj.
Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en
mdulos de 144 contactos para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son:
PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 133 MHz.
PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 166 MHz.
PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 200 MHz.
DDR2 SDRAM
Las memorias DDR 2 permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de
la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen
cuatro transferencias. Poseen 240 contactos.
Los tipos disponibles son:
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533 MHz.
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 667 MHz.
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz.
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066 MHz.
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz
DDR3 SDRAM
Las memorias DDR3, proporcionan mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje,
lo que lleva consigo una disminucin del consumo de energa. Los mdulos DDR3
poseen 240 pines el mismo nmero que DDR2; son fsicamente incompatibles, debido a
una ubicacin diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:
PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz.
Mdulos DIMM(Dual In-line Memory Module)
Podemos traducir como Mdulo de Memoria de Doble lnea.
Utiliza CI DRAM
La medida del DIMM es de 13.76 cm de largo X 2.54 cm de alto.
Posee 168 contactos o pines para su conexin en la tarjeta madre.
Trabajan con voltajes que varan entre 3.5 a 5Voltios.
Los modulos SO DIMM, usados en PCs porttiles, cuentan con 144 contactos en
el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias
de 32 bits
 Capacidades de almacenamiento
PC100 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 MB
PC133 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 MB
Puede ser utilizada en computadoras Pentium II, Pentium III y algunas Pentium I o
Pentium 4, K5, K6, K6-2 y K6-III.
De acuerdo a su velocidad se clasifican en:
DIMM. PC66: la velocidad de bus de memoria es de 66Mhz y ofrece tasas de
transferencia de hasta 533Mbps.
DIMM PC100: la velocidad de bus de memoria es de 100Mhz y ofrece tasas de
transferencia de hasta 800Mbps.
DIMM PC133: la velocidad de bus de memoria es de 133Mhz y ofrece tasas de
transferencia de hasta 1066Mbps.
DDR (Double Data Rate)
Esta compuesta por memorias sncronas (SDRAM).
Posee 184 pines para su instalacin en una placa base.
Permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en
un mismo ciclo de reloj.
Capacidades de almacenamiento 64, 128, 256, 512MB y 1GB.
Trabaja con voltajes que varan entre 2.5 a 3.3Voltios.
Velocidades de bus real 100MHz(PC200), 133MHz(PC266), 333MHz(PC333),
200MHz(PC400).
Tambin se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir
un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias
descritas.
Los mdulos usados en PCs porttiles, se denominan SO-DIMM DDR 200 de
contactos.

Pueden ser utilizadas en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian
informacin con el bus a travs de un slo canal, para ello slo es necesario
introducir todos los mdulos DIMM en el mismo conector.

Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos
conectores diferenciados en la tarjeta madre, y pueden intercambiar datos con
el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.
Mdulos DDR2
Es una mejora del DDR que permite a los buffer de entrada y salida trabajar a
la doble de velocidad
Posee 240 pines para su conexin en la tarjeta madre.
Trabajan con voltajes que varan entre 1.5 a 1.8Voltios. Lo que le permite
consumir 50% menos de energa que el DDR.
La tasa de transferencia varia desde 400 a 1024MB
Trabaja con capacidades de 128, 256, 512MB, 1, 2 y 4GB.
Velocidades de bus real 333MHz(PC667), 400(PC800), 533MHz(PC533).
Posee un trmino de la seal en corte para evitar errores.
Los mdulos usados en PCs porttiles, se denominan SO-DIMM DDR2 200
de contactos, pero no es compatible con SO-DIMM DDR.
Mdulos DDR3
Es una mejora del DDR que permite a los buffer de entrada y salida trabajar a la
doble de velocidad
Posee pines para su conexin en la tarjeta madre.
Trabaja con voltajes mximos de 1.5V, lo que reduce su consumo en 17%.
Trabaja con capacidades de 512MB, 1, 2, 4, 8 y 16GB.
Velocidades de bus real 400MHz(PC800), 1066(PC533), 667MHz(PC1333),
800MHz(PC1600) y 933MHz(PC1866).
Posee un trmino de la seal en corte para evitar errores.
Los mdulos usados en PCs porttiles, cuentan con 240 contactos en el caso de
las memorias L, LR y U. Con 204 contactos en el caso de las SO DIMM.
Mdulos DDR4
Desarrollado inicialmente por la firma Samsung para el uso con nuevas
tecnologas
Posee 288 contactos para su conexin en la tarjeta madre.
Trabaja con voltajes mximos de 1.2 a 1.35 Voltios.
Trabaja con capacidades de 4, 8, 16, 32 y 64GB.
Velocidades de bus PC2133, PC2400, PC2866 y PC3200.
Los mdulos usados en PCs porttiles, cuentan con 288 contactos en el caso de
las memorias L, LR y U. Con 260 contactos en el caso de las SO DIMM.
Mdulos RIMM (Rambus Inline Memory Module)
Utilizan una tecnologa denominada RDRAM, fue desarrollada por
Rambus Inc. a mediados de los aos 90.
Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184pines.
Debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor
consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo.
Estn disponibles en velocidades de 600MHz (PC-600), 700MHz (PC-700),
800MHz (PC-800) y 533MHz (PC-533).
Debido a su bus de 16 bits tenia un rendimiento 4 veces menor que la DDR.
La fabricacin de estos mdulos requiere de un sistema de licencias para que
estos mdulos sean fabricados por terceros siendo Samsung el principal
fabricante de stos.