Vous êtes sur la page 1sur 107

UNIVERSIT DE SHERBROOKE

Facult de gnie
Dpartement de gnie mcanique

CONCEPTION, FABRICATION ET
VALIDATION DUN BANC DESSAIS
POUR LA CARACTRISATION DE
CELLULES PHOTOVOLTAQUES SUR
UNE LARGE PLAGE DE
TEMPRATURE

Mmoire de matrise
Spcialit : gnie mcanique

Julien BERNIER OUELLET

Jury : Prof. Richard ARS (directeur)


Prof. Julien SYLVESTRE

Sherbrooke (Qubec) Canada Aot 2016


RSUM

Lnergie solaire est une source dnergie renouvelable et naturellement disponible partout
sur terre. Elle est donc tout indique pour remplacer long terme une part importante
des combustibles fossiles dans le portrait nergtique mondial. Comme toutes les formes
dnergie utilises par la socit, lnergie solaire nchappe pas aux lois conomiques et
son adoption dpend directement du cot par unit dnergie produite. Plusieurs recherches
et dveloppements technologiques cherchent rduire ce cot par dirents moyens. Une
de ces pistes est lintgration de deux technologies solaires, la technologie photovoltaque
et la technologie thermique, au sein dun mme systme.
La conception dun tel systme pose plusieurs ds technologiques, le plus important tant
sans contredit la comptition entre la quantit dlectricit produite et la qualit de la
chaleur. En eet, ces deux variables varient de manire oppose par rapport la tempra-
ture : le rendement des cellules photovoltaques a tendance diminuer haute temprature
alors que la valeur utile de lnergie thermique tend augmenter. Une conception judicieuse
dun systme photovoltaque/thermique (PV/T) devra donc prendre en compte et connatre
prcisment le comportement dune cellule haute temprature.
Le prsent projet propose de concevoir un systme permettant la caractrisation de cellules
photovoltaques sur une large plage de temprature. Premirement, une revue de littrature
pose les bases ncessaires la comprhension des phnomnes lorigine de la variation
de la performance en fonction de la temprature. On expose galement dirents concepts
de systme PV/T et leur fonctionnement, renforant ainsi la raison dtre du projet.
Deuximement, une modlisation thorique dune cellule photovoltaque permet de dnir
grossirement le comportement attendu haute temprature et dtudier limportance re-
lative de la variation du courant photognr et de la tension en circuit ouvert. Ce modle
sera plus tard compar des rsultats exprimentaux.
Troisimement, un banc dessais est conu et fabriqu daprs une liste de critres et de
besoins. Ce banc permet dilluminer une cellule, de faire varier sa temprature de -20 C
200 C et de mesurer la courbe I-V associe. Le systme est partiellement contrl par
un PC et la temprature est asservie par un contrleur de type PID. Le banc a t conu
de manire ce que la source de lumire soit aisment changeable si un spectre dirent
est dsir.
Finalement, le comportement du montage est valid en caractrisant une cellule au silicium
et une autre base de InGaP. Les rsultats sont compars aux prdictions du modle et
aux donnes de la littrature. Une tude dincertitude permet galement de cibler la source
principale de bruit dans le systme et propose des pistes damliorations ce propos.
Mots-cls : photovoltaque, caractrisation, performance, temprature, dgradation, ner-
gie solaire

i
TABLE DES MATIRES

1 INTRODUCTION 1
1.1 Mise en contexte et problmatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Le cot de lnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 La conversion du rayonnement solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.3 Le fonctionnement de cellules photovoltaques haute temprature . 3
1.2 Dnition du projet de recherche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Objectifs du projet de recherche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Contributions originales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.5 Plan du document . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2 TAT DE LART ET THORIE 6


2.1 Les cellules photovoltaques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.1 Les matriaux semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2 La jonction P-N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1.3 Types de cellules photovoltaques et performances . . . . . . . . . . . 9
2.1.4 Caractrisation des cellules PV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.2 Impact de la concentration et de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.1 Limite intrinsque du matriau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.2 tudes thoriques et exprimentales en temprature . . . . . . . . . . 13
2.2.3 Inuence du type de matriau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.4 Inuence du niveau de concentration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 Systmes photovoltaques/thermiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3.1 La valeur de lnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3.2 Les systmes PV/T existants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

3 MODLISATION DUNE CELLULE 23


3.1 Choix du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.1.1 quations de diusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.1.2 Circuits quivalents simplis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2 Calcul du courant de court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.2.1 Courant photognt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.2.2 Courant de court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3 Calcul du courant de saturation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.4 Calcul de la tension de circuit ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.5 Eets attendus de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

4 CONCEPTION DU BANC DESSAIS 30


4.1 Cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1.1 Identication des besoins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.1.2 Dnition des fonctions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.2 Prsentation du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

ii
4.3 Modlisation thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.4 Systme de contrle de la temprature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.4.1 Le refroidisseur liquide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.4.2 La sonde de temprature et le contrleur . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.4.3 Systme dtanchit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.5 Systme de xation des cellules et sondes lectriques . . . . . . . . . . . . . 44
4.5.1 Opration sans couvercle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.5.2 Opration avec couvercle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.6 Systme dillumination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.6.1 Source de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.7 Systme dacquisition de donnes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

5 CARACTRISATION DE CELLULES 50
5.1 Caractrisation dune cellule c-Si . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.1.1 Courbe I-V sous obscurit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.1.2 Courbes I-V sous illumination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.2 Caractrisation dune cellule InGaP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.2.1 Courbes I-V sous illumination . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

6 VALIDATION DU BANC DESSAIS 60


6.1 Justesse de la mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
6.2 Fidlit de la mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

7 CONCLUSION 63
7.1 Recommandations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

A CAHIER DES CHARGES : LES BESOINS 65

B CAHIER DES CHARGES FONCTIONNEL 66

C PROGRAMME DE CONTRLE LABVIEW 67

D DESSINS DE FABRICATION 73

LISTE DES RFRENCES 91

iii
LISTE DES FIGURES

1.1 volution du cot par unit de puissance de modules photovoltaques au


silicium en fonction du volume de production cumulatif mondial. . . . . . . . 2
1.2 Courbe de rendement dune cellule c-Si. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1 Processus dexcitation dun lectron dans un matriau semi-conducteur par


absorption dun photon. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Schma simpli dune jonction p-n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.3 Portions du spectre converti par eet photovoltaque pour direntes cellules. 10
2.4 Courbe courant-tension type dune cellule photovoltaque. . . . . . . . . . . . 12
2.5 Schma de la mthode de mesure par 4 pointes. . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.6 Variation de la tension de circuit ouvert Voc et du courant de court-circuit
Isc en fonction de la temprature et pour dirents spectres. . . . . . . . . . . 14
2.7 Coecient de variation de la puissance maximale Pmax correspondant ref
dans lquation 2.2 pour direntes cellules. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.8 Inuence du produit de la rsistance en srie Rs avec la surface de la cellule
sur le rendement de conversion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.9 Valeur relative de lnergie pour le systme CHAPS. . . . . . . . . . . . . . . 17
2.10 Phnomne de concentration des rayons sur un miroir parabolique. . . . . . 19
2.11 Irradiation dune cellule photovoltaque par un ux radiatif net Gnet . Ce ux
est en partie rchi (Gref ), en partie absorb sous forme dnergie ther-
mique (Gabs ) et sous forme dnergie lectrique (GPV ) et en partie transmis
sous forme de rayonnement lectromagntique (Gtr ). . . . . . . . . . . . . . . 19
2.12 Sparation du spectre en direntes longueurs donde. . . . . . . . . . . . . . 21
2.13 Absorption slective et transmission vers la cellule. . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.14 Utilisation dune lentille plan convexe pour sparer le spectre. . . . . . . . . 22

3.1 Schma du modle de diode simple avec les eets rsistifs (Rp et Rs ). . . . . 24
3.2 Isolation des conduits entrants et sortants du circulateur. . . . . . . . . . . . 24
3.3 Eet calcul de la temprature sur lnergie de bande interdite dune cellule
silicium. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.4 Eet calcul de la temprature sur lnergie de bande interdite dune cellule
InGaP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

4.1 Vue globale du systme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31


4.2 Gomtrie du modle thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.3 Circuit lectrique quivalent du modle thermique. . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.4 Puissance de refroidissement en fonction de lpaisseur disolant
(k = 0, 06 W m1 K1 ) pour une cellule -20 C. . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.5 Temprature de la surface externe en fonction de lpaisseur disolant
(k = 0, 06 W m1 K1 ) et puissance de rchauement pour une cellule
200 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.6 Vue de coupe du systme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

iv
4.7 Vue rapproche du systme de contrle de temprature. Llment 1 est
lchangeur de chaleur liquide (chiller), llment 2 est le support lments
rsistifs, llment 3 est le module eet Peltier et llment 4 est le support
cellules et de la sonde thermique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.8 Flux de chaleur lorsque le systme opre en refroidissement. . . . . . . . . . 38
4.9 Flux de chaleur lorsque le systme opre en rchauement. . . . . . . . . . . 38
4.10 Circulateur JULABO F32-EH. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.11 Isolation des conduits entrants et sortants du circulateur. . . . . . . . . . . . 40
4.12 changeur de chaleur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.13 Points dbulition et de solidication dune solution aqueuse dthylne glycol. 41
4.14 Schma des interactions entre le contrleur (PID), lordinateur (PC ), lam-
plicateur de puissance (Ampli.) le module Peltier et la sonde de temprature. 42
4.15 Interface utilisateur de lapplication LabVIEW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.16 Zones distinctes de contrle de temprature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.17 Vue de coupe du systme. Les ches indiquent les emplacements des joints
dtanchit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.18 Support de cellule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.19 Support cellule et pointes de mesure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.20 Support de cellule avec les patins de conduction installs. . . . . . . . . . . 46
4.21 Support intermdiaire de cellule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.22 Assemblage de la lampe et de la platine de translation. . . . . . . . . . . . . 47
4.23 Spectres dirradiation du soleil et dune lampe halogne incandescente. . . . 48

5.1 Courbe IV mesure 0 C dune cellule de silicium polycristallin dans lobs-


curit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.2 Courbes IV mesures par Hu et White. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.3 Courbes IV dune cellule c-Si direntes tempratures sous illumination. . 53
5.4 Voc en fonction de la temprature pour une cellule c-Si. . . . . . . . . . . . . 53
5.5 Coecient CV oc en fonction de la temprature pour une cellule c-Si et un
spectre halogne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.6 Coecient CIsc en fonction de la temprature pour une cellule c-Si et un
spectre halogne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.7 Puissance normalise 25 C en fonction de la temprature pour une cellule
c-Si. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.8 Courbes IV dune cellule InGaP direntes tempratures sous illumination. 56
5.9 Tension de circuit ouvert Voc en fonction de la temprature pour une cellule
InGaP et un spectre halogne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.10 Coecient CV oc en fonction de la temprature pour une cellule InGaP et un
spectre halogne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.11 Coecient CIsc en fonction de la temprature pour une cellule InGaP et un
spectre halogne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.12 Puissance normalise 25 C en fonction de la temprature pour une cellule
InGaP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

v
C.1 Diagramme global du logiciel de contrle du contrleur Accuthermo ATEC302
montrant la section Duty Cycle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
C.2 Diagramme global du logiciel de contrle du contrleur Accuthermo ATEC302
montrant la section Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
C.3 Diagramme du sous-unit WRITE GEN SIMPLE. . . . . . . . . . . . . . . . . 69
C.4 Diagramme du sous-unit CRC CALC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
C.5 Diagramme du sous-unit SEND GET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
C.6 Diagramme du sous-unit READ STR. GEN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
C.7 Diagramme du sous-unit WRITE STR. GEN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
C.8 Diagramme du sous-unit CONFIG VISA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

vi
LISTE DES TABLEAUX

2.1 Rendement maximal thorique pour dirents niveaux de concentration C et


un nombre dirent de jonctions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Rendement moyen de conversion de dirents types de cellules simple jonc-
tion 25 C et soumises un rayonnement non concentr. . . . . . . . . . . 11

3.1 Paramtres de lquation de Varshni pour dirents matriaux. . . . . . . . . 25

4.1 Fonctions et spcications du sous-systme de contrle de la temprature. . 36


4.2 Flux thermiques au sein du systme fonctionnant sans couvercle pour une
cellule -20 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.3 Paramtres de fonctionnement du contrleur PID et du refroidisseur liquide. 43

6.1 Mesures de Voc et de Isc pour dirents essais aux mmes conditions dop-
ration. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

vii
LISTE DES SYMBOLES

Symbole Dnition
Ec nergie minimale de la bande de conduction
Ee nergie dun lectron
Eg nergie de bande interdite
Ev nergie maximale de la bande de valence
missivit totale
Rendement de conversion
carnot Rendement de conversion dune machine de Carnot
FF Facteur de remplissage
Gabs Flux radiatif absorb
Gnet Flux radiatif net
GPV Flux radiatif converti par eet photovoltaque
Gref Flux radiatif ret
Gtr Flux radiatif transmis
h Constante de Planck
I Courant
I0 Courant de saturation
Im Courant au point de puissance maximale
Ipv Courant photognr
Isc Courant de court-circuit
k Constante de Boltzmann
n Facteur didalit
Nph Flux de photons
Plight Puissance de lirradiation
Pmax Puissance maximale
Rs Rsistance srie
Rp Rsistance parallle
Rwire Rsistance du l de mesure du courant
T Temprature
Tamb Temprature ambiante
Tc Temprature de la cellule
V Tension
Voc Tension de circuit ouvert
Vm Tension au point de puissance maximale
Frquence dun photon

viii
LISTE DES ACRONYMES

Acronyme Dnition
a-Si Silicium amorphe
CdTe Tellure de cadmium
CIGS Cuivre, indium, gallium et slnium de forme C u(In, Ga)Se2
c-Si Silicium mono-cristallin
kWh Kilowatts-heures
ORC Cycle organique de Rankine
PV Photovoltaque
PV/T Photovoltaque/thermique
p-Si Silicium poly-cristallin
UdeS Universit de Sherbrooke

ix
CHAPITRE 1
INTRODUCTION

Le contexte international de rchauement climatique dcoule directement de lutilisation


massive de carburants non renouvelables depuis le dbut de la rvolution industrielle [1].
Les impacts ngatifs associs aux missions de la combustion de ces sources forcent la
socit trouver des solutions durables aux problmes nergtiques. La source dnergie
principale devra moyen terme se transformer en sources naturellement disponibles et
renouvelables dont les principales sont lnergie solaire, la gothermie, lnergie olienne,
la biomasse et lnergie hydraulique. Dentre toutes, lnergie solaire est sans contredit la
plus grande source dnergie disponible sur terre. En eet, son potentiel nergtique est
quivalent 14 000 fois la consommation mondiale dnergie [1]. Le d technologique est
de rcuprer cette nergie de manire ecace, rentable et durable.

1.1 Mise en contexte et problmatique

1.1.1 Le cot de l'nergie

Le cot de lnergie est le facteur dterminant lors des choix nergtiques poss par les
gouvernements et industries. Historiquement, lnergie photovoltaque na jamais t com-
ptitive avec les sources non renouvelables. Malgr cela, le cot des technologies photo-
voltaques diminue constamment avec laugmentation de la production cumulative mondiale
(gure 1.1). Ce comportement, connu sous le nom de leet de la courbe dapprentissage,
est observ dans un grand nombre dindustries et est caractris par le learning rate
reprsentant le taux de rduction du cot dun produit lorsque la quantit totale produite
est double. Ceci tend rendre les technologies PV de plus en plus abordables et laisse
envisager quelles occuperont une place importante dans le portrait nergtique de de-
main. En eet, le Conseil Mondial de lnergie prdit que dici 2050, de 17 32 % de la
puissance lectrique mondiale proviendra du soleil [2].

1.1.2 La conversion du rayonnement solaire

Plusieurs technologies existent pour transformer le rayonnement solaire en nergie utile.


Les principales sont les panneaux photovoltaques, les systmes photovoltaques concentrs

1
Learning Rate = 17 %

Figure 1.1 volution du cot par unit de puissance de modules


photovoltaques au silicium en fonction du volume de production cu-
mulatif mondial [3].

et les systmes thermiques concentrs. Le prsent projet se concentre sur ltude de la


conversion photovoltaque, mais avec une considration pour lintgration dun systme
photovoltaque avec un systme thermique.

Lapproche photovoltaque dire fondamentalement de lapproche thermique par le type


dnergie produite. Les systmes photovoltaques produisent directement, sans interm-
diaire, de llectricit partir du rayonnement solaire par le biais dun systme appel
une cellule photovoltaque. La chaleur produite est alors le rsultat dune inecacit du
systme et est considre comme une perte. En contraste, les systmes thermiques trans-
forment le rayonnement en nergie thermique. Si llectricit est le produit nal dsir, des
systmes additionnels comme des turbines doivent tre utiliss. Chaque approche est donc
naturellement mieux adapte dirents besoins nergtiques et direntes conditions
dopration. Lapplication classique bien adapte un systme thermique est la production
dnergie thermique moyenne et haute temprature pour combler les besoins de chaleur
de procds dans direntes industries (alimentaire, minire, papetire, etc.). Inversement,
lapproche photovoltaque est gnralement mieux adapte lorsque les besoins sont majo-
ritairement lectriques.

La combinaison des deux approches est une ide trs intressante puisque les pertes
de lun sont le produit de lautre. Ainsi, la chaleur produite indsirablement par un systme
photovoltaque peut tre rcupre par un systme thermique, crant ainsi une centrale
solaire hybride photovoltaque/thermique (PV/T ) produisant de llectricit et de la chaleur.

2
En pratique, un obstacle majeur complique le dveloppement dun tel systme. En eet, la
plupart des ides de concepts hybrides mettent physiquement en contact les cellules et le
systme de chaleur et les deux oprent donc la mme temprature. Puisque la qualit
de lnergie thermique augmente avec la temprature alors que les proprits des cellules
(rendement de conversion, dure de vie) diminuent, les deux systmes entrent donc en
comptition. Un systme hybride est donc gnralement un compromis entre la chaleur et
llectricit produite. Jusqu maintenant, la plupart des applications hybrides favorisent la
gnration dlectricit en tentant de valoriser lnergie de faible qualit produite.

Les systmes photovoltaques concentrs prsentent plusieurs avantages par rapport aux
systmes traditionnels dun point de vue de lecacit de conversion. En eet, il est parfois
avantageux dutiliser des cellules plus ecaces mais aussi plus coteuses et daugmenter le
niveau de concentration. La densit de puissance est donc plus grande et leet net observ
est une diminution globale du cot par kWh un niveau de concentration spcique [4].
La concentration du ux lumineux concentre galement le ux thermique et les centrales
concentration sont donc tout fait indiques pour la cration dun systme hybride PV/T.

1.1.3 Le fonctionnement de cellules photovoltaques haute temprature

Leet oppos de la temprature sur le systme thermique par rapport au systme photo-
voltaque rend la caractrisation de cellules sur une large plage de temprature cruciale.
En eet, elle permet de dnir quelles cellules sont adquates pour un fonctionnement
haute temprature et prcisment quel comportement elles prsenteront. Une caractris-
tique cl dans lvaluation des performances dune cellule est son rendement de conversion
de lnergie de rayonnement en lectricit. La variation en fonction de la temprature de
ce rendement, prsente la gure 1.2, est donc une information cl dans la conception
dun systme hybride.

1.2 Dnition du projet de recherche

Le dveloppement dune centrale hybride haut rendement thermique et lectrique rend


ncessaire la caractrisation de cellules des tempratures plus leves que la normale
dans le but de connatre leur performance et leur dgradation en vieillissant.

Le projet de recherche vise dvelopper un systme et une mthode permettant la carac-


trisation de la performance de cellules solaires sur une large plage de temprature.

3
16
14

Rendement (%)
12
10
8
6
4
0 25 50 75 100 125 150 175 195

Temprature ( C)
Figure 1.2 Courbe de rendement dune cellule c-Si caractrise
dans le prsent projet. La pente reprsente le coecient de temp-
rature sur le rendement.

1.3 Objectifs du projet de recherche


Objectif principal :

Concevoir un banc de test de cellules solaires permettant de mesurer leur performance


en fonction de la temprature dopration sur une large gamme.

Objectifs spciques :

1. Prdiction thorique de la performance de direntes cellules selon des modles


physiques simplis ;

2. Caractrisation exprimentale de direntes cellules sur la plage 0 200 C


an de valider le fonctionnement du systme.

1.4 Contributions originales


La ralisation de ce projet permettra :

La conception dun banc dessais permettant la caractrisation de cellules sur une


large plage de temprature ;

La simulation des changes thermiques au sein du systme ;

La fabrication et lassemblage du systme ;

La modlisation de cellules et de leur comportement haute temprature ;

4
La validation du fonctionnement du systme par la caractrisation de celules de
dirents types.

1.5 Plan du document


Le document est divis en 8 sections pouvant tre regroupes en 4 grandes tapes.

Ltape informative et prdictive, compose des chapitres 2 et 3, pose les bases thoriques
du fonctionnement dune cellule photovoltaque et de leet de la temprature et de la
concentration sur ces dernires. On y retrouve galement une revue des systmes PV/T
existants ou dj envisags. Finalement, la modlisation thorique dune cellule haute
temprature permettra de comparer les rsultats de simulation aux caractrisations relles.

Ltape de conception, compose du chapitre 4, prsente un cheminement classique de d-


veloppement de systme. Premirement, le cahier des charges est tabli en prenant en
compte les besoins spciques ce projet, mais aussi aux utilisations potentielles par
dautres chercheurs. Ensuite, le systme nal est prsent an de simplier la comprhen-
sion de lexplication ultrieure des sous-systmes. Une modlisation thermique est ensuite
prsente et sert de base pour diriger les choix technologiques. Ces derniers sont ensuite
prsents squentiellement.

Ltape de caractrisation et validation, compose des chapitres 5 et 6, procde la ca-


ractrisation de deux cellules de type dirent. Ces donnes sont alors compares avec
les prdictions des modles thoriques et avec certaines donnes de la littrature. Suit
ensuite une courte analyse de lincertitude sur la mesure.

Finalement, ltape rtrospective, compose du chapitre 7, tire des conclusions des rsultats
observs, suggre des pistes damlioration et propose des ides de recherches futures.

5
CHAPITRE 2
TAT DE L'ART ET THORIE

An de bien comprendre les phnomnes physiques et les enjeux relis au projet, dirents
aspects du fonctionnement de cellules photovoltaques et des systmes hybrides seront
abords. Premirement, une revue du fonctionnement dune cellules PV, de ses paramtres
physiques et de sa caractrisation jettera les bases ncessaires la comprhension des
phnomnes importants. Deuximement, une revue des mthodes de modlisation, leurs
avantages et leur inconvnients sera prsente an de diriger le choix du modle thorique
au chapitre 3. Troisimement, une revue de littrature sur les performances dj mesures
ou simules de cellules PV haute temprature justiera lexistence du projet de recherche.
Finalement, une revue des systme photovoltaques/thermiques existants ou dj tudis
mettra prcisment en contexte lide de fond qui a engendr le projet, soit le dveloppement
dune centrale solaire hybride photovoltaque/thermique haute temprature.

2.1 Les cellules photovoltaques


Une cellule photovoltaque standard est cre partir dun matriau semi-conducteur. Les
matriaux semi-conducteurs purs sont qualis dintrinsques. Ces matriaux dirent des
matriaux utiliss dans les cellules photovoltaques par le niveau de dopage. Une compr-
hension du comportement des matriaux intrinsques est donc cruciale pour expliquer le
comportement des matriaux dops.

2.1.1 Les matriaux semi-conducteurs

Un matriau semi-conducteur intrinsque est caractris par la prsence de dirents


niveaux dnergie distincts. Les lectrons excits par les photons peuvent atteindre ces
niveaux dnergie si le photon possde une nergie suprieure Eg = h, o h est la
constante de Planck et est la frquence du photon. Cette nergie minimale correspond
lnergie de bande interdite et dpend principalement du type datomes composant le
matriau. Cest galement cette nergie qui caractrise un semi-conducteur. En eet, un
matriau conducteur possde une nergie de bande interdite nulle alors que cette dernire
est trs grande dans un matriau isolant. Le semi-conducteur se situe entre les deux :
assez faible pour permettre lexcitation dlectrons, mais assez leve pour que le matriau

6
ne soit pas un conducteur parfait. Si lnergie de llectron excit est suprieure Eg , ce
dernier abaisse son niveau dnergie jusquau niveau Eg par gnration de phonons et il
y a donc production de chaleur. Ce processus se produit de la mme manire que dans
un mtal. La gure 2.1 montre les dirents niveaux dnergie que llectron peut prendre.
Une fois lnergie de la bande de conduction (Ec ) atteinte, llectron ne peut plus gnrer

Ee
Gnration de phonons
Ec
h Eg

Ev

Figure 2.1 Processus dexcitation dun lectron dans un matriau


semi-conducteur par absorption dun photon.

de phonons uniques puisque le seul niveau dnergie plus bas disponible est celui de la
bande de valence (Ev ) et la dirence dnergie est quivalente plusieurs phonons. Ainsi,
llectron doit eectuer la transition nale en une seule tape. Les cellules photovoltaques
contiennent gnralement des mcanismes (comme des dfauts) introduisant des niveaux
dnergies intermdiaires facilitants la transition nale. Le temps moyen entre latteinte de
Ec et le franchissement subsquent de Eg peut atteindre 103 s [voir 5, chap. 3]. Cest ce
long temps de vie qui permet la rcupration de llectron avant quil ne se recombine et
ainsi la production dlectricit.

Lorsquun lectron est excit de la bande de valence vers la bande de conduction, la charge
ngative quil portait nest plus prsente dans les niveaux dnergie infrieurs. Ainsi, il laisse
derrire lquivalent dune charge positive. Ces charges sont appeles des trous et ils se
comportent de la mme manire que des lectrons, mais possdent une charge positive.
Les trous sont des quasi-particules ne pouvant tre associs aucune particule physique,
mais sont simplement un outil de calcul utile la rsolution des quations. Lorsquun
lectron excit quitte la bande de conduction pour retourner dans la bande de valence, il
se recombine avec un trou.

Les lectrons et les trous dans les bandes de conduction et de valence ne prenant pas part
aux liaisons chimiques sont nomms des porteurs de charges. Il est possible de modier la

7
concentration de ces porteurs dans un semi-conducteur en le dopant. Ainsi, il est possible de
crer un matriau qui comportera une concentration beaucoup plus importante dlectrons
que de trous (matriau dop n ) , tout comme il est possible de crer un matriau ayant
une plus grande concentration de trous (matriau dop p ). Physiquement, le dopage
est ralis en introduisant des atomes dun groupe dirent dans le cristal. Par exemple,
le silicium (lment du groupe IV ) possde quatre lectrons dans la bande de valence. Un
cristal de silicium peut donc tre dop n en introduisant des atomes dun groupe possdant
plus dlectrons de valence, tel le phosphore (groupe V ). Dans ce cas, quatre lectrons du
phosphore seront en liaison covalente avec le cristal et le cinquime sera libre. Inversement,
en introduisant des atomes du groupe III comme le bore, le dcit dlectrons rsultant cre
un matriau dop p.

La gure 2.2 schmatise une jonction p-n typique. Lorsquun matriau dop n est mis en
contact avec un matriau dop p, les porteurs de charge du matriau p diusent dans le
matriau n et vice versa. Cette diusion laisse derrire des charges positives et ngatives
adjacentes qui forment la zone de dpltion (aussi appele depletion zone ou space charge
region en anglais). Cette adjacence de charges positives et ngatives engendre un champ
lectrique dirig du matriau n vers le matriau p. Ce champ lectrique restreint la diusion
des porteurs et un quilibre sinstalle entre la diusion et le repoussement cr par le
champ. Les zones neutres p et n de chaque ct de la zone de dpltion sont appeles ainsi
en raison de leur champ lectrique essentiellement nul. Par contre, leur charge lectrique
nest nulle que lorsque la cellule nest pas illumine.

Figure 2.2 Schma simpli dune jonction p-n [6].

8
Un photon dnergie susante peut tre absorb par un lectron x un atome tel que
prsent la gure 2.1. Il y a ainsi cration dune paire lectron-trou. Ce phnomne peut
se produire dans la zone de dpltion ou dans la zone neutre. Dans le premier cas, le
champ lectrique intense spare immdiatement les porteurs dans leur zone respective :
les lectrons vers le ct n et les trous vers le ct p. Lorsque la paire lectron-trou est
gnre dans une des deux zones neutres loignes de la zone de dpltion, ces porteurs
minoritaires se dplacent par diusion de manire alatoire dans la zone neutre jusqu
ce quils sapprochent de la zone de dpltion. ce moment, ils sont transports de lautre
ct de la zone de dpltion par le champ lectrique cr par cette dernire.

Ainsi, lorsque la cellule est sous illumination, ce phnomne cre une accumulation de
charges positives du ct p et de charges ngatives du ct n. Si ces charges ne sont pas
retires comme dans le cas dune cellule illumine en circuit ouvert, une tension de circuit
ouvert (Voc ) sinstalle entre les deux matriaux. linverse, si un court-circuit est cr entre
les deux matriaux en parallle la jonction p-n, les porteurs de charges se recombinent
essentiellement au mme rythme quils sont gnrs, aucune charge ne saccumule et la
tension est donc nulle. Le courant de court-circuit (Isc ) est ce moment proportionnel la
quantit de porteurs minoritaires, et donc lintensit dirradiation. Dans un cas dopration
rel, le circuit reliant les deux matriaux comporte une rsistance et le comportement est
mi-chemin entre les deux cas extrmes. La rsistance impose une dirence de tension
qui sera infrieure Voc et le courant associ sera infrieur Isc .

2.1.3 Types de cellules photovoltaques et performances

Une cellule PV peut tre compose dune ou plusieurs jonctions p-n et tre compose
de dirents matriaux semi-conducteurs. Dans une cellule multiples jonctions, ces der-
nires sont alors superposes dans la direction du ux solaire. Les jonctions possdent
des nergies de bande interdite Eg direntes les unes des autres et ceci rsulte en une
plage de frquences dabsorption dirente entre les jonctions. Il en rsulte une division
du spectre en direntes sections tel que prsent la gure 2.3b. Le concept cl du fonc-
tionnement dune cellule multi-jonctions est que la jonction suprieure absorbe les photons
de haute nergie et est transparente aux photons dnergie infrieure puisque ces derniers
interagissent trs peu avec la matire. Cest donc la jonction suivante qui absorbera une
autre portion du spectre et ainsi de suite jusqu la dernire jonction. Le contact entre les
direntes jonctions p-n est assur par des jonctions tunnels qui permettent le transport de
charges et ninterviennent pas dans la gnration de courant, mais doivent tout de mme
tres transparentes aux photons devant se rendre aux couches infrieures.

9
Figure 2.3 Portion du spectre converti par eet photovoltaque pour
une cellule simple jonction au silicium (a) et pour une cellule triple-
jonction (b) [7].

Tableau 2.1 Rendement maximal thorique pour dirents niveaux


de concentration C et un nombre n dirent de jonctions [8, 9].
Niveau de Nombre de
rendement (%)
concentration jonctions
1 1 31,0
2 42,9
3 49,3
100 1 35,2
2 48,4
3 55,6

10
Les cellules multi-jonctions permettent daugmenter considrablement le rendement de
conversion thorique maximal tel que le dmontre le tableau 2.1. Ces rendements maximaux
sont bass sur une tude thermodynamique dune cellule o seules les recombinaisons ra-
diatives sont prsentes. Ainsi, ils reprsentent la limite quune cellule relle prsentant des
phnomnes non-radiatifs ne peut dpasser. Pour chaque condition dopration (nombre de
jonctions et niveau de concentration), il existe une nergie de bande interdite optimale
pour chaque jonction.

Les rendements de conversion moyens obtenus commercialement et maximaux obtenus en


laboratoire de dirents types de cellules sont prsents au tableau 2.2.

Tableau 2.2 Rendement moyen de conversion de dirents types


de cellules simple jonction 25 C et soumises un rayonnement
non concentr.
Rendement Rendement
Type de cellule
moyen (%) maximal (%)
c-Si 18 [10] 25 [11]
pc-Si 17 [10] 20,4 [11]
a-Si :H 6,5 [12] 10,1 [11]
CdTe 8,8 [12] 16,7 [11]
Cu(In,Ga)Se2 12,2 [12] 19,6 [11]
GaAs 21 [13] 28,3 [11]

2.1.4 Caractrisation des cellules PV

Une cellule PV se comporte essentiellement comme une diode. Elle peut donc tre caract-
rise par une courbe du courant en fonction de la tension similaire la gure 2.4. Le point
de fonctionnement dpend de la charge lectrique connecte la cellule. En circuit ouvert,
la tension V = Voc est maximale et le courant I est nul. Plus la charge augmente, plus
la tension diminue jusqu ce que le systme atteigne la puissance maximale Pmax Vm
et Im . lautre extrmit de la courbe se trouve le courant de court-circuit Isc . En ralit,
ce courant de court-circuit nest pas facilement mesurable et est gnralement extrapol
partir de donnes trs faible tension [14, 15].

Ces quantits sont relies au rendement de conversion par lquation 2.1.

Im Vm F F Isc Voc
= = (2.1)
Plight Plight

11
Le terme F F = IIscmVVocm est le facteur de remplissage et permet de mettre en relation le point
de puissance maximal rel (inuenc notamment par les valeurs de rsistance en srie et
en parallle lintrieur de la cellule) et les valeurs de courant et tension en court-circuit
et en circuit ouvert. Pour des cellules au silicium cristallin, le facteur de remplissage varie
de 0,7 0,8 [voir 16, chap. 6].

Figure 2.4 Courbe courant-tension type dune cellule photovol-


taque illumine (courbe du bas) et non-illumine (courbe du
haut) [17].

La caractrisation classique dune cellule consiste balayer la plage de fonctionnement de


la cellule avec dirents couples de courant et de tension. Ces couples sont gnralement
mesurs par la mthode des 4 pointes. Dans cette technique, la mesure du courant et de
la tension est faite sparment. Ceci permet de mesurer la tension relle aux bornes de la
cellule en excluant les pertes de tension associes au courant circulant dans les contacts de
la cellule et dans les ls se rendant lappareil. La gure 2.5 montre comment lutilisation
de 4 conducteurs permet dexclure la rsistance Rwire de la mesure de tension. Puisque le
courant circule uniquement dans le l contenant la rsistance Rwire (ce qui introduit une
baisse de tension selon lquation V = Rwire I), la mesure de la tension nest pas aecte.

Figure 2.5 Schma de la mthode de mesure par 4 pointes [18].

12
2.2 Impact de la concentration et de la temprature
Le rendement de conversion dune cellule PV varie en fonction de la temprature et du
niveau de concentration. Lampleur de ces variations dpend principalement du type de
cellule (simple jonction ou multi-jonctions) et du matriau semi-conducteur utilis.

2.2.1 Limite intrinsque du matriau

Klugmann et Polowczyk ont montr que pour un semi-conducteur faiblement dop, il existe
une limite de temprature laquelle le matriau devient essentiellement intrinsque et
la jonction p-n cesse de fonctionner. Pour le silicium faiblement dop (n 1015 cm3 ),
cette limite se situe aux alentours de 347 C [19]. Ceci sexplique par une diminution de la
dirence de potentiel entre les niveaux de Fermi des semi-conducteur de type p et n. la
temprature limite, la dirence est pratiquement nulle et le matriau devient intrinsque.
De plus, la limite de temprature augmente avec la concentration de porteurs et donc avec
le niveau de dopage [voir 20, chap. 7].

2.2.2 tudes thoriques et exprimentales en temprature

La variation de temprature modie les proprits du matriau semi-conducteur. Une aug-


mentation de temprature introduit principalement deux changements au sein de la cellule :
une diminution de lnergie de bande interdite et une augmentation du taux de recombinai-
son des porteur. Le premier changement a pour eet daugmenter le courant de court-circuit
Isc de la cellule alors que le second diminue la tension en circuit ouvert Voc en augmentant
le courant de saturation [voir 21, chap. 12]. Ces deux changements principaux ont des eets
inverses : laugmentation de Isc tend augmenter le rendement alors que la diminution
de Voc tend rduire le rendement. Leet net est une diminution du rendement tel que
dmontr dans la littrature [2224].

Des tudes thoriques de linuence de la temprature sur la performance de cellules


ont dj t menes. Entre autres, Wysocki a montr quil existe une nergie de bande
idale qui maximise le rendement de conversion pour nimporte quelle temprature [25].
Ainsi, le matriau le plus ecace une temprature donne peut tre dirent de celui
une temprature plus leve. Singh et Ravindra ont montr quun modle simple de
diode sans pertes rsistives correspond bien aux comportements rels sur une plage de
temprature allant de 22 C 47 C pour des cellules c-Si [26]. Il est dicile de savoir si
cette concordance se retrouve galement haute temprature puisque Arora et Hauser ont
montr que les paramtres de performance varient de manire non-linaire tel que montr

13
la gure 2.6. Ceci rend lextrapolation haute temprature de rsultats exprimentaux
valides basse temprature peu able.

Figure 2.6 Variation de la tension de circuit ouvert Voc et du cou-


rant de court-circuit Isc en fonction de la temprature et pour di-
rents spectres [27].

Skoplaki et Palyvos ont rfrenc une grande quantit de relations entre le rendement
dun module PV et sa temprature de fonctionnement [28]. Ces dernires prennent la forme
propose par Evans en 1977 [29], soit

T = ref [1 ref (T Tref )] (2.2)

o ref est le rendement la temprature de rfrence Tref . ref est un coecient calcul
thoriquement ou mesur exprimentalement. Pour le silicium, le coecient ref vaut ap-
proximativement 0,45 %. Cette hypothse est valide basse temprature mais hormis ceux
de Meneses-Rodrguez et al. [24], peu de travaux ont valid exprimentalement lquation
plus de 100 C.

14
Meneses-Rodrguez et al. ont simul linuence de la concentration et de la temprature
laide dun modle physique prenant en compte le mouvement des lectrons tel que dict par
lquation de Boltzmann. Ces simulations ont t valides par des mesures exprimentales
sur la plage de temprature de 25 C 100 C pour un rayonnement non concentr et de
60 C 170 C pour un rayonnement concentr 30x sur ces cellules c-Si. Les rsultats
analytiques concordent avec les mesures exprimentales faible temprature et faible
niveau de concentration. Plus la concentration et la temprature augmentent, plus les
prdictions analytiques divergent. Cette dirence est principalement due aux hypothses
idales poses lors de la modlisation [24].

2.2.3 Inuence du type de matriau

La plupart des matriaux semi-conducteurs se comportent comme le silicium mais pos-


sdent des taux de variation des paramtres dirents. Ainsi, Emery et al. ont recens les
coecients de temprature de la puissance maximale fournie par direntes cellules. La
gure 2.7 que le CdTe et le a-Si sont moins aects par la temprature que le c-Si ou le
p-Si [30]. Encore une fois, ces coecients sont gnralement valides basse temprature.

Figure 2.7 Coecient de variation de la puissance maximale Pmax


correspondant ref dans lquation 2.2 pour direntes cellules [30].

2.2.4 Inuence du niveau de concentration

Le niveau de concentration inuence principalement deux paramtres : le courant gnr et


la tension. De manire gnrale, on observe que la tension en circuit ouvert Voc augmente
proportionnellement au logarithme du niveau de concentration.

15
Le courant gnr est directement proportionnel au facteur de concentration. Ainsi, le
niveau de concentration a un impact ngatif sur le rendement de conversion lorsque la
puissance dissipe lintrieur de la cellule devient trop importante. La performance des
cellules hauts niveaux de concentration dpend donc fortement de la rsistance interne
en srie Rs .

La combinaison de ces deux eets sur le rendement de conversion est reprsent la


gure 2.8. Le rendement augmente proportionnellement au logarithme de la concentration
pour de faibles niveaux de concentration. Lorsque le niveau de concentration augmente
et que leet des pertes rsistives devient important, le rendement chute. Ce point de
coupure ne se produit gnralement pas en dessous de 50x tel que dmontr par Meneses-
Rodrguez et al. pour des cellules simple jonction [24] et par Vossier et al. pour des cellules
multi-jonctions [13].

Figure 2.8 Inuence du produit de la rsistance en srie Rs avec


la surface de la cellule sur le rendement de conversion [31].

2.3 Systmes photovoltaques/thermiques

Lobjectif de combiner un systme PV avec un systme thermique est daugmenter la quan-


tit dnergie rcupre pour une mme quantit dnergie solaire atteignant le rcepteur.

Les systmes photovoltaques/thermiques (PV/T) sont gnralement diviss en deux


classes : ceux favorisant la puissance lectrique et ceux favorisant la puissance thermique.
Cette sparation existe puisque la valeur de lnergie varie en fonction des besoins de
lutilisateur.

16
2.3.1 La valeur de l'nergie

Dun point de vue thermodynamique, la valeur de lnergie reprsente sa capacit eectuer


un travail. Ainsi, peu importe la forme que prend une certaine quantit dnergie (thermique,
lectrique, chimique, cintique, etc.), elle peut tre caractrise par son potentiel deectuer
un travail, soit son exergie.

Lexergie dun ux dlectrons dans un conducteur est gale son nergie. Ainsi, une
quantit dnergie lectrique peut thoriquement tre convertie entirement en travail. En
comparaison, lnergie thermique possde une trs faible exergie, qui augmente proportion-
nellement la dirence de temprature entre le corps chaud et le corps froid.

Dans un contexte conomique rel, la valeur de lnergie nest pas souvent gale sa valeur
thermodynamique. En eet, Les activits humaines impliquent souvent de lnergie de faible
qualit, par exemple pour le chauage rsidentiel et industriel et les procds industriels
ncessitants de la chaleur. Ceci cre un besoin pour une nergie de faible qualit.

Coventry a tudi direntes mthodes dvaluation de la valeur de lnergie pour un sys-


tme PV/T basse temprature (environ 70 C) fonctionnant avec des cellules au silicium
spcialement conues pour des niveaux de concentration de 30x [32]. La gure 2.9 montre

Coal power station efficiency


Open market energy Renewable energy market
Energy Displaced Displaced GHG life cycle Exergy
GHG emissions

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Electrical-to-thermal ratio

Figure 2.9 Valeur relative de lnergie pour un systme PV/T fonc-


tionnant 70 C avec des cellules au silicium [32].

les rsultats de ces travaux visant associer une valeur raliste lnergie thermique.
Les direntes mthodes de calcul conomique prennent en compte dirents facteurs
comme les tonnes de gaz eet de serre non mises (Displaced GHC ) et les subven-
tions gouvernementales (Renewable Energy Market). Ces mthodes produisent un ratio
lectrique/thermique dirent. Cest ce dernier qui dni quel point lnergie thermique
possde une valeur similaire ou dirente de lnergie lectrique. Ainsi, dans le cas dun
calcul par la mthode de lexergie, il faudrait environ 16,8 fois plus dnergie thermique
que dlectricit pour obtenir une valeur quivalente pour ces conditions de fonctionnement
spciques. La valeur totale de lensemble de lnergie produite par le systme est donne
par lquation 2.3, o Qth est lnergie thermique, Qelec est lnergie lectrique et Qelec.eq

17
est lnergie quivalente.

Qth
Qelec.eq = + Qelec (2.3)
[Energy value ratio]

Selon Coventry, la mthode Renewable energy market est gnralement la plus raliste
puisquen plus de considrer la valeur des technologies concurrentes, elle prend en compte
laspect conomique changeant des subventions et exemptions de taxes. La prise en compte
de la valeur de lnergie de cette manire permet doptimiser un systme en maximisant le
rendement conomique au lieu du rendement de conversion exergtique.

2.3.2 Les systmes PV/T existants

Il existe dirents types de systmes PV/T. Charalambous et al. [33] et Hasan et


Sumathy [34] ont recens les types principaux : les collecteurs solaires uide liquide, les
collecteurs air et les collecteurs concentration. Les deux premiers ne concentrent pas le
rayonnement solaire et sont gnralement destins au march rsidentiel. En eet, la faible
intensit du rayonnement fait en sorte que la chaleur gnre est de basse temprature et
peut dicilement tre utilise pour autre chose que de suppler un systme de chauage
conventionnel.

Les systmes concentration focalisent les rayons sur une petite surface. La concentration
peut tre ralise de direntes manires, les principales tant les miroirs paraboliques, les
lentilles de Fresnel et les concentrateurs de Fresnel. La dirence entre ces deux derniers
est simplement que la lentille concentre par rfraction alors que le concentrateur concentre
par rexion. Dans les deux cas, il sagit dune srie de surfaces planes susamment petites
pour approximer une surface thorique optimale. Les miroirs paraboliques sont quant eux
composs dune surface rchissante ayant une forme parabolique. Des rayons parallles
incidents sont rchis sur un point focal tel que dmontr la gure 2.10.

Les collecteurs concentration peuvent se diviser en deux groupes : les congurations o


la cellule est en contact direct avec le capteur thermique et celle o la cellule nest pas en
contact avec le capteur thermique. Ces derniers sont le plus souvent raliss par sparation
spectrale du faisceau.

Les systmes contact direct


Les systmes contact direct peuvent tre schmatiss par la gure 2.11. Une portion du
ux Gnet non converti en GPV peut tre rcupr par un autre systme. Ainsi, un systme
de rcupration dnergie thermique positionn de manire judicieuse peut capter le ux

18
Figure 2.10 Phnomne de concentration des rayons sur un miroir
parabolique [35].

Gref
Gnet
GPV
Gabs

Gtr

Figure 2.11 Irradiation dune cellule photovoltaque par un ux ra-


diatif net Gnet . Ce ux est en partie rchi (Gref ), en partie ab-
sorb sous forme dnergie thermique (Gabs ) et sous forme dnergie
lectrique (GPV ) et en partie transmis sous forme de rayonnement
lectromagntique (Gtr ).

19
Gabs et Gtr . Les paramtres principaux qui permettent dinuencer la distribution du ux
net entre les dirents autres ux sont lnergie de bande interdite (impact direct sur Gtr et
Gabs ), le rendement de conversion photovoltaque (impact direct sur GPV ) et la rectivit
de la surface (inuence directement Gref ).

La plupart des systmes contact direct fonctionnent basse temprature, lobjectif tant
donc de maximiser la conversion PV. Ainsi, des systmes faible concentration utilisant
le principe de concentrateur parabolique compos [34] ont t proposs. Dautres systmes
concentrateurs de Fresnel ont t tudis notamment par Rosell et al. [36]. Lorsque la
cellule est en contact direct avec le uide, Rosell et al. ont montr par simulation que la
conductivit thermique de linterface entre la cellule et le uide est un paramtre critique
la performance globale du systme.

Un systme PV/T contact direct haute temprature na pas encore t ralis mal-
gr une tude par Vorobiev et al. [37] qui montre que le rendement exergtique global du
systme peut atteindre un maximum de 26 % autour de 200 C si le systme de conver-
sion thermique/lectrique possde un rendement de 0, 6carnot , o carnot est le rendement
exergtique dune machine thermique idale.

Les systmes sparation spectrale

Plusieurs systmes de sparation du rayonnement en fonction de la longueur donde ont


dj t proposs et sont recenss par Imenes et Mills [38]. Le principe de sparation du
spectre solaire est reprsent la gure 2.12. Lide est de diriger la partie du spectre
qui est le plus ecacement utilis par une cellule PV vers cette dernire et le reste
vers un capteur thermique. La sparation du spectre peut tre eectue de direntes
manires. Puisque Imenes et Mills ont prsent un grand nombre de mthodes, seules
les mthodes ayant le plus dintrts dans le cadre dune utilisation avec des miroirs
cylindro-paraboliques seront prsentes.

Dans le premier type de systme, un uide caloporteur peut absorber une partie du spectre
si ce dernier scoule dans un tube transparent aux longueurs donde devant atteindre la
cellule PV. Une partie du rayonnement traverse ainsi le uide pour se rendre la cellule
positionne de lautre ct (voir la gure 2.13).

Le second type de systme repose une sparation slective du spectre par un ltre posi-
tionn devant un capteur aux alentours du point focal dun concentrateur parabolique. Le
ltre peut prendre la forme dune lentille plan-convexe positionne devant la point focal

20
Irradiation (W/m2/m)
1200
1000
800
PV
V
600
400
200
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
Wavelength (m)

Thermal

Figure 2.12 Sparation du spectre en direntes longueurs


donde [38].

PV receiver

Thermal Liquid
receiver absorption
filter

Concentrated
sunlight
Figure 2.13 Absorption slective et transmission vers la cellule [38].

21
(voir la gure 2.14), dune lentille plan-concave positionne derrire le point focal ou dun
ltre couches minces o le capteur serait positionn directement au point focal.

IR radiation
GaSb cells

Light guide receiver

Vis ble light

Figure 2.14 Utilisation dune lentille plan convexe pour sparer le


spectre [38].

Dans le cas des lentilles, la sparation spectrale se fait par rfraction et rexion lin-
trieur de la lentille. Lasich et al. a dvelopp un systme hybride PV/T lentille plan
concave qui utilise des cellules au silicium combin un collecteur thermique fonctionnant
1100 C [39]. une concentration de 282x, les cellules Si produisent 167 W pour un ren-
dement nergtique de 18,8 % et le systme thermique produit 137 W pour un rendement
nergtique de 13,4 %. Lauteur mentionne une ecacit globale de 31,8 % sans mentionner
la mthode de calcul.

Jiang et al. a quant lui tudi le comportement dun systme PV/T compos dun ltre
couches minces en forme dhyperbole positionn devant un capteur thermique [40]. Avec ce
systme, il est possible de rduire lchauement de la cellule de 20,7 % tout en gnrant
de lnergie thermique de 250 300 C. Une autre proposition par Segal et al. est dutiliser
un ltre passe-bande compos dun quartz recouvert dune mince couche dilectrique [41].

Le facteur limitant la mise en uvre de la plupart des systmes de sparation spectrale


par ltre est le cot associ la fabrication dun ltre ecace et de forme appropri.
Ceci est dautant plus vrai si le focus est une droite comme dans le cas de concentrateurs
cylindro-paraboliques.

22
CHAPITRE 3
MODLISATION D'UNE CELLULE

Ltat de lart a rvl que la plupart des types de cellules photovoltaques possdent un
coecient de temprature ngatif pour le rendement de conversion des tempratures
avoisinantes de la temprature ambiante. Cela signie que le rendement de conversion
diminue lorsque la temprature de fonctionnement augmente. haute temprature, le mme
comportement est anticip mais limportance de la diminution de performance est inconnue.
Une modlisation thorique permettra de dgager les tendance anticipes du rendement
haute temprature pour direntes structures de cellules. Ces rsultats seront ensuite
compars au chapitre 5 avec les mesures eectues sur des cellules relles.

3.1 Choix du modle


La modlisation dune cellule PV est fondamentalement similaire celle dune diode. La
mthode la plus complte et complexe consiste rsoudre les quations de diusion des
lectrons dans le matriau. En posant certaines hypothses et simplications concernant
le courant de saturation, la solution de ces quations peut prendre des formes plus simples
dont le rsultat est aisment calculable.

3.1.1 quations de diusion

Cette mthode ncessite la connaissance de paramtres diciles mesurer ou valuer et


fortement dpendants de la fabrication de la cellule, notamment les distances de diusion,
les coecients de diusion, les taux de recombinaison de surface, les niveaux de dopage
et lpaisseur des rgions n et p [42]. Une telle mthode peut donc tre approprie pour la
conception de nouvelles cellules dans le but dorienter le procd de fabrication, mais elle
est dicilement mise en oeuvre pour la simulation de cellules dj existantes pour lesquels
ces paramtres sont inconnus.

3.1.2 Circuits quivalents simplis

Les modles plus simples se basent sur un circuit quivalent comportant une ou des diodes
et des rsistances. Ils ne ncessitent que la connaissance du matriau, de la temprature

23
et du spectre dirradiation. La gure 3.1 montre le circuit dun modle simple une diode
unique et une rsistance prenant en compte le courant de fuite de la jonction p-n (Rp ) ainsi
quune autre prenant en compte les direntes rsistances de contact (Rs ).

Rs

Ipv I0 Rp Ipv I0

Figure 3.1 Schma du modle de Figure 3.2 Isolation des conduits


diode simple avec les eets rsis- entrants et sortants du circulateur.
tifs (Rp et Rs ).

Le modle simpli de la gure 3.2 avec les rsistances ngliges a t retenu pour sa
simplicit et sa prcision susante pour dgager les tendances importantes. Lquation 3.1
reprsente le fonctionnement dune cellule daprs ce modle. Certains types de cellules
sont reconnus pour ne pas suivre cette loi pour certaines conditions dopration, notamment
les cellules base de silicium crystallin [43]. Cette caractristique sera mise en vidence
au chapitre 5.

   
qV
I = Ipv I0 exp 1 (3.1)
nkT

I est le courant, Ipv est le courant photognr, I0 est le courant de fuite de la diode,
q est la charge dun lectron, k est la constante de Boltzmann, T est la temprature
de la cellule, V est la tension aux bornes de la jonction et n est le facteur didalit
de la cellule. Ce facteur est insr pour prendre en compte les dirences invitables
entre un systme physique rel (la cellule) et sa simplication mathmatique (le modle).
Dans ce cas spcique, lquation idale (n = 1) considre que les seuls phnomnes de
recombinaison prsents sont radiatifs et de type Shockley-Read-Hall dans la zone neutre
uniquement. Une cellule fortement dope (recombinaison Auger importantes) ou soumise
un rayonnement concentr (concentration de porteurs minoritaires leve) aurait un facteur
n dirent, la valeur exacte tant dicile dterminer. Dans tous les cas, la tendance
gnrale produite par leet de la temprature reste observable peu importe la valeur
choisie.

24
3.2 Calcul du courant de court-circuit
Le calcul du courant de court-circuit est principalement inuenc par le type de matriau
de la jonction et le spectre dirradiation. An de comparer les performances des cellules
avec les rsultats de la caractrisation, on utilise un spectre aproximant celui dune lampe
halogne ltre par un verre en silice.

3.2.1 Courant photognt

Pour calculer le courant photognr, on considre tous les photons ayant une nergie
suprieure Eg comme tant potentiellement convertis en lectron selon lquation 3.2.


dNph
Ipv = q d(h) (3.2)
h=Eg dh

Ipv est le courant photognr, q est lecacit quantique (estime 90 %), Nph est le
ux de photons intercepts par la cellule, h est lnergie des photons et Eg est lnergie
de bande interdite de la cellule une temprature spcique. Les deux variables pouvant
aecter le courant gnr sont donc Eg et Nph . Dans le cas dune opration sous une lampe
en laboratoire, le ux de photons est entirement gnr de manire articielle et peut
donc tre une source dincertitude plus ou moins importante en fonction de lquipement
utilis.

La variation de Eg en fonction de la temprature est calcule, pour des matriaux simples


comme le silicium, par la relation de Varshni [44] (quation 3.3).

T 2
Eg (T ) = Eg (0) (3.3)
T +

Les valeurs de , et Eg (0) ont t dtermines par de nombreux auteurs et sont prsentes
au tableau 3.1,

Tableau 3.1 Paramtres de lquation de Varshni pour dif-


frents matriaux [45, 46].
Eg (0)
(eV) (eV/K) (K)
Si 1.1695 4.73 636
InP 1.4236 3.63 162
GaP 2.35 5.771 372

25
Le calcul de lnergie de bande interdite pour un alliage de la forme A1x Bx comme le InGaP
se fait quand lui en deux tapes. Premirement, les nergies du InP et GaP sont calcules
sparment. Ensuite, une nergie de bande interdite pour lalliage est calcule en tenant
compte de la proportion relative de chaque matriau binaire daprs la formule 3.4 [47],

EgAB = (1 x) EgA + xEgB + C (1 x) x (3.4)

EgAB est lnergie de bande interdite de lalliage, EgA et EgB sont les nergies de bande
interdite des deux matriaux binaires et C est un paramtre de chissement valant 0,65
pour lInGaP [46].

La variation de lnergie de bande interdite pour le silicium et un alliage de InGaP sont


prsentes respectivement aux gures 3.3 et 3.4.

1.13
Bandgap (eV)

1.12
1.11
1.1
1.09
1.08
1.07
0 50 100 150
Temprature ( C)
Figure 3.3 Eet calcul de la temprature sur lnergie de bande
interdite dune cellule silicium.

3.2.2 Courant de court-circuit

Le courant de court-circuit est aisment calcul en valuant lquation 3.1 pour V = 0,


soit Isc = Ipv . On obtient nalement un critre utile de comparaison entre le modle et les
donnes exprimentales en calculant le coecient de courant de court-circuit relatif selon
lquation 3.5. Cette variable sera compare aux donnes exprimentales au chapitre 5.

dIsc (T ) 1
CIsc = (3.5)
dT Isc (T )

26
1.72

1.7
Bandgap (eV)
1.68

1.66

1.64
0 50 100 150
Temprature ( C)
Figure 3.4 Eet calcul de la temprature sur lnergie de bande
interdite dune cellule InGaP. Lalliage est de type InP0,75 GaP0,25 .

3.3 Calcul du courant de saturation

Le courant de saturation dpend fortement de la concentration des porteurs de charges


intrinsques, qui dpend elle-mme de la temprature. La simplication des quations de
diusion permet dtablir lquation 3.6 qui reprsente le courant de saturation et qui prend
en compte cet eet important de la temprature [42, 48].

  
3 Eg
I0 = C T exp (3.6)
kT

La valeur du coecient C nest pas aisment dnie. Plusieur auteurs ont propos di-
rentes valeurs ou simplications [42, 48, 49]. Ultimement, le choix dune valeur peu repr-
sentative introduira une erreure absolue par rapport aux essais exprimentaux mais leet
de la temprature devrait tre relativement peu aect. Pour cette raison, la valeur trouve
par Nell et Barnett de 179 A m2 K 3 a t utilise [42].

27
3.4 Calcul de la tension de circuit ouvert

La tension de circuit ouvert Voc est obtenue en valuant lquation 3.1 pour I = 0. On
obtient lquation 3.7 :

   
qVoc
0 = Ipv I0 exp 1
nkT

(3.7)
Isc nkT
Voc = ln +1
I0 q

Similairement au courant de court-circuit, on dnit le coecient de tension de circuit


ouvert relatif (quation 3.8) qui simplie la comparaison avec les donnes exprimentales.
Cette variable sera galement compare aux donnes exprimentales au chapitre 5.

dVoc (T ) 1
CV oc = (3.8)
dT Voc (T )

3.5 Eets attendus de la temprature

Deux eets principaux de la temprature sur le comportement dune cellule sont attendus.
Premirement, la diminution de lnergie de bande interdite fait en sorte que des lectrons
seront excits par des photons ayant une nergie plus faible. Ainsi, le courant photognr
augmentera avec la temprature puisquune portion plus grande du spectre sera intgr
lquation 3.2. Ceci augmentera donc le courant de court-circuit.

Deuximement, la tension de circuit ouvert diminuera avec une augmentation de la temp-


rature. Leet net de tous les termes prsents lquation 3.7 est montr lquation 3.9.
On observe quune combinaison de trois termes inuencent Voc en fonction de la tempra-
ture : ln (Isc ), ln (C ) et 3ln (T ). Le premier est gnralement trs petit ou ngatif et les
deux autres sont ngatifs. Leet global est donc une relation ngative entre la temprature
et Voc . Cette relaiton nest pas ncessairement linaire puisque deux termes varient en
fonction de T : ln (Isc ) augmente alors que 3ln (T ) diminue. Nanmoins, leet net g-
nralement observ tend tre linaire pour les tempratures dopration classiques (voir
par exemple la gure 2.6).

28

Isc nkT Isc nkT


Voc = ln +1 ln
I0 q I0 q
    
nkT Eg 3 (3.9)
ln (Isc ) ln exp CT
q kT
nkT nEg
[ln (Isc ) ln (C ) 3ln (T )] +
q q

Daprs la revue de littrature (section 2.2.2), la combinaison de ces deux eets opposs
se manifeste en une perte nette de puissance.

29
CHAPITRE 4
CONCEPTION DU BANC D'ESSAIS

Le banc dessais doit rpondre lobjectif global de caractrisation de cellules photovol-


taques sur une large plage de temprature. Cet objectif sert de ligne directrice tout au
long du processus de conception et permet llaboration du cahier des charges.

La conception se droule en quatre grandes tapes : la dnition du cahier des charges


(section 4.1), la conception des dirents sous-systmes (sections 4.4 4.7), la production
des dessins de fabrication (annexe D) et la fabrication.

4.1 Cahier des charges


Le cahier des charges dnit concrtement et de manire mesurable les fonctions que le
banc dessais doit remplir. Il slabore en deux tapes. Premirement, le fractionnement de
lobjectif global en une srie de besoins concrts permet de mieux dnir le fonctionnement
attendu du banc dessais. Deuximement, ces besoins sont traduits en fonctions dont la
performance est mesurable. Ce sont ces fonctions qui serviront de critres de conception.

4.1.1 Identication des besoins

Le banc dessais servira dappareil dexprimentation pour dirents projets de recherche


portant sur le comportement de cellules photovoltaques direntes tempratures. Les
besoins spciques de ces projets taient encore indnis au moment de la conception.
Pour cette raison, un exercice didentication des besoins a t ncessaire. Les besoins
ont t gnrs par une srie de mises en situation et de sances de brainstorming entre
dirents chercheurs. Ceci a gnr un certain nombre de comportements que lappareil
devait exhiber, ou besoins.

La liste pure des besoins ainsi relevs est incluse lannexe A. Les plus importants sont
les suivants :

Mesure la performance lectrique de cellules PV ;

Permet de caractriser des cellules PV concentration 1x ;

Permet de caractriser des cellules PV basse et haute temprature.

30
Ces besoins ont ensuite t traduits en une srie de fonctions principales et secondaires.
Les fonctions principales reprsentent galement les sous-systmes concevoir et sont :
clairer les cellules, maintenir les cellules en place, contrler la temprature, acquisition de
donnes et tre scuritaire. Avec les spcications dingnierie, ces fonctions constituent
le cahier des charges complet prsent en annexe B.

Le systme nal est prsent la gure 4.1. On y observe la lampe et son systme de
positionnement, lenceinte thermique et la structure de soutient. Les sections suivantes
dtailleront les aspects les plus importants de la conception de chacun de ces lments.

Figure 4.1 Vue globale du systme.

31
4.3 Modlisation thermique
La modlisation thermique sert estimer les quantits dnergie impliques dans le fonc-
tionnement du banc dessais. Ceci permet de guider le dimensionnement de lensemble des
sous-systmes et composants, en particulier le systme de contrle de la temprature.

Le maintient dune cellule une temprature dirente de la temprature ambiante introduit


une dirence de temprature T entre la cellule et lenvironnement. Des phnomnes de
conduction, de convection et de radiation apparaissent alors et tendent rtablir une
temprature homogne en rduisant T zro. An de maintenir une temprature stable
pour une dure indtermine, lnergie introduite dans le systme en rgime permanent
doit tre gale aux pertes radiatives et convectives selon lquation 4.1 :

Qin = qconv + qrad (4.1)

Les changes conductifs vers lenvironnement sont ngligs. Par contre, la grandeur de qconv
et qrad est directement incluence par les phnomnes de conduction au travers de la paroi
et donc de lpaisseur de lisolant. Le modle dvelopp permettra de dnir une paisseur
disolant adquate permettant datteindre les objectifs de temprature de la cellule et de
la surface externe prsents au tableau 4.1. Il prend en compte les trois modes de transfert
de chaleur en posant plusieurs hypothses :

La temprature ambiante est constante 23 C ;

La temprature interne au systme (lintrieur du cylindre de la gure 4.2) est


constante et uniforme ;

Lmissivit de la surface externe est uniforme ;

Le systme est uniformment isol sur lensemble de sa surface ;

La conduction au travers des faces planes suprieures et infrieures est considre


comme se produisant en parallle la conduction au travers de la paroi cylindrique.

Ces hypothses simplient le modle et permettent de considrer une approximation uni-


dimensionnelle du transfert de chaleur. La gure 4.2 montre la gomtrie simplie.

32
Figure 4.2 Gomtrie cylindrique du modle thermique. Aux ns
de simulation, h = 0, 25 m et d = 0, 25 m.

En considrant les transferts de chaleur sur chacune des surfaces, on peut ainsi utiliser
lanalogie dun circuit lectrique prsente la gure 4.3 pour rsoudre le systme. La
rsolution du systme dquations 4.2 par la mthode de Newton-Raphson permet de trou-
ver les puissances de refroidissement et de rchauement et la temprature de la surface
externe prsentes aux gures 4.4 et 4.5.

Rcond1 Rconv

Tint Tamb
Ts

Rcond2 Rrad
Figure 4.3 Circuit lectrique quivalent du modle thermique.

33


L

Rcond1 =  

k Sup + Sdown

d




+ L

ln 2 d



2

Rcond2 =

2hk



1

Rcond =

1
+ 1

Rcond1 Rcond2



1
Rconv =  
hconv Sup + Sdown + Sside (4.2)

 

kB (Ts + Tamb ) Ts2 + Tamb
2



Rrad =  

Sup + Sdown + Sside



1



Rs =


1
+ 1

Rconv Rrad

Ts Tint



q=

Rcond



Tamb Ts

q=
Rs

o Rcond est la rsistance combine de conduction, k est la rsistivit thermique de lisolant,


Rconv est la rsistance de convection, hconv = 3 W m2 K1 est le coecient estim de
convection, Rrad est la rsistance de radiation, Sup , Sside et Sdown sont respectivement les
surfaces de la face suprieure, infrieure et cylindrique, Tint est la temprature de la paroi
interne et q est le ux thermique.

Les gures 4.4 et 4.5 serviront de base pour les choix du systme de contrle, de rchauf-
fement et de refroidissement prsents la section suivante. Il est aussi noter que le
critre de temprature maximale de la surface prsent dans le cahier des charges est bas
sur la temprature dune surface mtallique. Dans le cas dun isolant dont la conductivit
est beaucoup plus faible, une temprature plus leve conduirait la mme sensation de
chaleur, et serait donc acceptable [50]. La contrainte de 50 C est donc conservatrice et
une temprature plus lev peut tre tolre.

Une paisseur de 1 cm disolant t choisie en sachant quil est possible den ajouter
lors de lopration du systme.

34
40
Puissance de refroidissement (W)
35

30

25

20

15
1 2 3 4
paisseur (cm)

Figure 4.4 Puissance de refroidissement en fonction de lpaisseur


disolant (k = 0, 06 W m1 K1 ) pour une cellule -20 C.

Temprature de la surface externe ( C)


90 120
Puissance de rchauement (W)

80 110

70 100

60 90

50 80

40 70

30 60

20 50
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
paisseur (cm)

Figure 4.5 Temprature de la surface externe en fonction de lpais-


seur disolant (k = 0, 06 W m1 K1 ) et puissance de rchauement
pour une cellule 200 C.

35
4.4 Systme de contrle de la temprature
La fonction principale du systme de contrle de la temprature est de permettre de main-
tenir la temprature de la cellule une valeur spcie par lutilisateur. An de sassurer
du bon fonctionnement du systme et de son utilit aux chercheurs, dautres fonctions, pr-
sentes au tableau 4.1, doivent tre considres. Le tableau 4.1 prsente galement les
spcications dingnierie qui ont servi dobjectifs lors de la conception.

Tableau 4.1 Fonctions et spcications du sous-systme de


contrle de la temprature.
Fonctions
Spcications Dnition Niveau
secondaires
Temprature minimale de
Permet de Temprature minimale
la cellule atteinte lorsque le -20 C
refroidir de la cellule
systme est en fonctionnement.
Temprature maximale de
Permet de Temprature maximale
la cellule atteinte lorsque le 200 C
rchauer de la cellule
systme est en fonctionnement.
Minimise les Temps de stabilisation Variation maximale de la
variations de de la temprature de temprature sur 10 secondes 2 C
temprature la cellule une fois stabilise.
Quantit deau Quantit deau de latmosphre
Empche la
condense sur qui sest condense sur la 0 ml
condensation
la cellule surface irradie de la cellule.
Temprature maximale dune
vite les Temprature maximale surface pouvant tre touche
50 C
brlures au toucher lorsque le systme est en
fonctionnement.

Les fonctions de refroidissement et de rchauement sont intrinsquement lies. En eet,


la plage entire de -20 C 200 C doit tre accessible sans discontinuit. La largeur de
cette plage sest avr un tre le d principal de ce sous-systme. En eet, il faut combiner
dirents systmes de transfert de chaleur et sassurer que leur superposition ninuence
pas la qualit du contrle de temprature. Une modlisation des changes thermiques du
systme a permi de dnir grossirement quels taient les besoins nergtiques associs
aux extrmes de la plage de temprature.

La section prcdente montre que le systme doit pouvoir fournir un minimum de 70 W


200 C et doit pouvoir retirer un minimum de 26 W -20 C. Certains modes dopration
requireront plus de puissance, notamment un fonctionnement sans couvercle. Pour cette
raison, il est judicieux de considrer ces valeurs comme minimums absolus.

36
Les principaux systmes de transfert de chaleur ayant t considrs dans direntes con-
gurations sont les pompes chaleur compression de vapeur (refroidissement compres-
seur) et eet Peltier et les modules rsistifs. Chacuns ont leurs avantages et limitations,
notamment :

Les modules Peltier permettent dajouter et de retirer de la chaleur, mais sont limits
par un T maximal denviron 70 C temprature ambiante, insusant pour la plage
cible ;

Les pompes chaleur compresseur sont limites au refroidissement et leur long


temps de rponse ne permet pas de satisfaire elles seules les exigences du cahier
des charges ;

Les modules rsistifs sont limits au rchauement.

Le concept choisi utilise les trois approches de manire superpose. La gure 4.6 montre
lintrieur du systme et la gure 4.7 expose plus prcisment le systme de contrle. Les
lments 1, 2 et 4 sont en cuivre pour minimiser les pertes par conduction. Le module
rsistif t inclus de manire prventive. En eet, la dirence de temprature T entre
les deux surfaces dun module Peltier augmente en fonction de la temprature de la surface
chaude. Puisque les spcications du manufacturier ne mentionnent pas le comportement
plus de 70 C, le module rsistif peut servir dapport thermique si le ux est insusant
pour atteindre la valeur cible.

Figure 4.6 Vue de coupe du systme.

37
Figure 4.7 Vue rapproche du systme de contrle de temprature.
Llment 1 est lchangeur de chaleur liquide (chiller), llment
2 est le support lments rsistifs, llment 3 est le module
eet Peltier et llment 4 est le support cellules et de la sonde
thermique.

Qcell
WPeltier

Qheat

Qchiller
Figure 4.8 Flux de chaleur lorsque le systme opre en refroidis-
sement.

Qcell
WPeltier

Qchiller

Figure 4.9 Flux de chaleur lorsque le systme opre en rchaue-


ment.

38
Les gures 4.8 et 4.9 montrent les ux de chaleur au sein du systme. La puissance du
refroidisseur liquide et du module Peltier peuvent tre calcules partir des quations 4.3
et 4.4 et des spcications du manufacturier des quipements. Daprs les rsultats de la
modlisation thermique, Qcell 26 W est la contrainte respecter et le module Peltier
ainsi que le refroidisseur liquide ont t slectionn en consquent. Le tableau 4.2 montre
les quantits calcules daprs les spcications du manufacturier pour le cas extrme dune
cellule -20 C sans couvercle (Qcell 60 W).

WPeltier + Qcell = Qheat Qchiller (4.3)

 
1
Qcell +1 Qchiller (4.4)
C OPPeltier

Tableau 4.2 Flux thermiques au sein du systme fonctionnant sans


couvercle pour une cellule -20 C.
Qcell COP WPeltier Qheat Qchiller
Module Peltier
60 W 0,85 70 W 130 W
Te Technology VT-199-1.4-1.15
Circulateur > 150 W

JULABO F32-EH -15 C

Dans ce cas dopration extme, le systme prsente donc une marge dau moins 20 W
entre le besoin et la capacit de refroidissement.

4.4.1 Le refroidisseur liquide

Le premier lment de la chane de contrle est le refroidissement liquide. Lquipement


est le circulateur F32-EH du manufacturier JULABO (gure 4.10). Le systme permet de
rchauer un uide caloporteur laide dune rsistance thermique ou de le refroidir laide
dune pompe thermique compresseur. Il est utilis ici uniquement comme circulateur pour
acheminer le uide vers lchangeur de chaleur (lment 1 de la gure 4.7 et gure 4.12).
Les conduits ont t isols an de minimiser les pertes thermiques (gure 4.11).

Le uide caloporteur utilis est une solution aqueuse dthylne glycol de fraction molaire
= 0, 24, quivalent une concentration massique de 52,8 %. La gure 4.13 montre les
tempratures dbulition et de solidication. La concentration massique doit se trouver entre
40 % et 95 % an datteindre la limite infrieure de temprature. Daprs ce graphique, une
concentration leve est dsirable et permettrait dliminer le module rsistif en raison du

39
Figure 4.10 Circulateur JULABO Figure 4.11 Isolation des
F32-EH. conduits entrants et sortants du
circulateur.

Figure 4.12 changeur de chaleur.

40
point dbulition lev. Malheureusement, le uide devient trs visqueux ces concentra-
tions et dpasse largement la limite de 30 mm2 /s du circulateur. Pour cette raison, une
solution 50% en volume ( = 0, 24) largement rpandue a t choisie. Dautres uides
caloporteurs (par exemple le polydimthylsiloxane) ont t considrs et pourraient tre
utiliss, mais le faible cot de lthylne glycol et sa grande disponibilit ont simplis le
choix.

0 200
Temprature de solidication ( C)

Temprature dbulition ( C)
-10 180

-20 160

-30 140

-40 120

-50 100
0 10 20 30 40 52.8 60 70 80 90 100
thylne Glycol (%/masse)

Figure 4.13 Points dbulition et de solidication dune solution


aqueuse dthylne glycol [51, 52].

4.4.2 La sonde de temprature et le contrleur

Plusieurs technologies de mesures de la temprature ont t considrs, notamment les


dispositifs rsistance de platine (RTD), les thermocouples et les thermistances. Les cri-
tres de slection dcoulants du cahier des charges sont la stabilit et la sensibilit de la
mesure, le temps de rponse tant une caractristique gnralement ngligeable dans un
systme avec une inertie thermique importante. Pour cette raison, un capteur RTD a t
choisi puisque cest la technologie orant la meilleure stabilit et une sensibilit susante.

Llment RTD sinsre au centre du support cellules (voir la gure 4.7) une distance de
3, 5 mm du contact arrire de la cellule. Le matriau du support (cuivre) et une pte haute
conductivit thermique linterface de la sonde et du support favorisent la conduction et
assurent une mesure juste.

Le contrleur est de type proportionnel, intgral, drive (PID) et est assur de manire
autonome par le module ATEC302 de la compagnie Accuthermo Technology. La gure 4.14

41
montre les communications entre les lments du systme. Lordinateur envoi une commande
de temprature au module ATEC302 (le PID). Ce dernier calcule lerreur entre la consigne
et la valeur de mesure et laide des paramtres spcis au tableau 4.3, produit un signal
PWM (Modulation de Largeur dimpulsion) reprsentant la tension devant tre applique
aux bornes du module Peltier. Ce signal et un autre spciant la polarit devant tre
applique sont achemins un amplicateur de type pont en H (modle FTX700D de
la mme compagnie). En parallle ce processus, le module PID mesure la temprature
du capteur RTD et utilise cette valeur pour litration suivante du calcul de lerreur. Le
module PID envoie aussi au PC la valeur de la temprature mesure et le rapport cyclique
instantan du signal PWM.

Tc,mesure
Rapport cyclique
Tc,mesure
PID PC
Ampli.
Tc,consigne

Figure 4.14 Schma des interactions entre le contrleur (PID), lor-


dinateur (PC ), lamplicateur de puissance (Ampli.) le module Peltier
et la sonde de temprature.

Linterface utilisateur permettant de spcier la consigne et dobserver le signal envoy au


module Peltier a t programme laide de lenvironnement LabVIEW (gure 4.15). Le
listing en schmas blocs du programme est prsent en annexe C.

Figure 4.15 Interface utilisateur de lapplication LabVIEW.

La dnition des paramtre du contrleur PID sest fait laide de la fonction de calibration
automatique du module. La gure 4.16 montre comment la plage de temprature a t

42
divise en sections dans lesquelles les sytmes Peltier, de pompe chaleur compression
et le module rsistif interagissent de manire dirente. Les valeurs de temprature ont
t trouves en ralisant plusieurs essais de contrle et de calibration pour direntes
tempratures de transition dun niveau lautre. Plusieurs scnarios ont produit un rsultat
acceptable, celui prsent nest quun deux. La sparation en plages rend aussi le contrle
plus simple puisque le correcteur PID prsent la section 4.4.2 fonctionne mieux lorsque
la plage de contrle est rduite puisque les paramtres physiques du systme restent
similaires. Chaque zone est donc traite comme un systme dirent avec des coecients
distincts.

A B C D

-10 C 100 C 165 C 200 C


Figure 4.16 Zones distinctes de contrle de temprature.

Tableau 4.3 Paramtres de fonctionnement du contrleur


PID et du refroidisseur liquide.
Plage de
Bande Coe. Coe. Bande Temprature
temprature I initial
prop. (%) intgral driv int. (%) du uide ( C)
( C)
<-10 11,7 1069 267 5 95 -16
-10 100 4,9 165 41 6 94 -16
100 165 4,5 125 31 16,4 83,6 80
165 200 6,4 195 48 21,9 78,1 80

4.4.3 Systme d'tanchit

Le systme dtanchit permet de satisfaire la fonction Empche la condensation du cahier


des charges. En eet, une fois tanchi, le systme peut tre rempli dun atmosphre
dazote dit sec pour eectuer des mesures moins de 0 C. Cet atmosphre empche
eectivement la condensation puisque la teneur en eau de lazote est faible.

Il nest pas ncessaire datteindre un niveau dtanchit spcique puisquune lgre fuite
dazote ne cause aucun danger ou risque de sant. Linstallation de joints en silicone
rsistants une large plage de temprature entre les surfaces de contact (indiques la
gure 4.17) est donc susant.

43
Figure 4.17 Vue de coupe du systme. Les ches indiquent les
emplacements des joints dtanchit.

4.5 Systme de xation des cellules et sondes lectriques

Le support cellule est compos de cuivre recouvert dune ne couche dor dpose par
galvanoplastie an dviter la corrosion du cuivre et ainsi favoriser un bon contact thermique
et lectrique. Cette couche doit idalement remplir compltement les asprits du matriau
recouvert. Daprs Song et al., une paisseur dau moins 0,6 m est gnralement ncessaire
pour sassurer dune bonne protection [53]. Une telle quantit dor est trs coteuse et un
compromis conomique a t fait avec une paisseur denviron 0,1 m.

Lutilisation du montage peut se faire sans couvercle lorsque la temprature de caractri-


sation dpasse 0 C. Chaque mode dopration requiert des considrations direntes et
sont donc prsentes ici.

4.5.1 Opration sans couvercle

Le systme de xation des cellules est reprsent la gure 4.18. Dans le cas dune
opration sans couvercle, la cellule vient se dposer directement sur lorice 1 auquel est
branch une pompe vide Linicon LV-125. La succion cre par la pompe produit une force
de friction qui empche le mouvement latral de la cellule sur le support.

Les mesures lectriques sont assures par un contact sur la face arrire et deux sondes
sur la face avant, une pour le courant et lautre pour la tension. Le contact face arrire est
ensuite spar en deux conducteur avant de retourner au systme de mesure. La grande sur-
face du contact arrire rend leet de la rsistance sur la mesure de la tension ngligeable

44
4

Figure 4.18 Support de cellule. 1 est lorice de succion, 2 est le


conduit dinsertion de la sonde RTD, 3 sont les trous de xation du
support au systme et 4 sont des trous de xation pour les patins
de conduction lectrique.

Figure 4.19 Support cellule et pointes de mesure.

45
et une mesure 4 pointes telle que prsente la section 2.1.4 est donc raisonnablement
approxime.

4.5.2 Opration avec couvercle

Lorsque des mesures doivent tre faites moins de 0 C, la prsence du couvercle rend
lutilisation de pointes et de micro-positionneurs impossible et les patins de conduction
doivent tre installs (voir la gure 4.20). Ces patins sont forms dune partie mtallique
en cuivre (pointe par les ches), dune vis dassemblage et dune rondelle et entretoise
isolants en cramique. La partie mtallique est ainsi compltement isole du systme et
peut servir de sonde lectrique.

patins de
conduction

Figure 4.20 Support de cellule avec les patins de conduction ins-


talls.

La cellule doit tre installe sur un support intermdiaire appel carrier (voir la gure 4.21).
Le carrier est form dun mince substrat doxide daluminium (Al2 O3 ) recouvert de deux zones
de cuivre distinctes. La cellule est xe sur la zone A laide dune rsine poxyde haute
conductivit lectrique et rsistante aux hautes tempratures comme la srie Duralco de la
compagnie Cotronics. Des micro-soudures sont ensuite ralises entre le contact de face
avant et la zone B. Cet assemblage est ensuite dpos sur lorice de succion pour assurer
son immobilit et les patins sont mis en contact avec les surface conductrices du carrier.

46
A
B

Figure 4.21 Support intermdiaire de cellule. Les zones A et B


sont distinctes et permettent lisolation du contact de face arrire et
avant.

4.6 Systme d'illumination


Le systme dillumination est compos dune lampe et dune source de courant. Le systme
est modulaire et permet la xation de dirents types de lampes en changeant la plaque
dinterface (voir la page 90 pour une plaque adapte un boitier de lampe Newport 66905).
Cette plaque est elle-mme installe sur une platine de translation verticale Newport 271
qui permet dajuster prcisment la distance entre la source de lumire et la cellule (voir
la gure 4.22).

Newport 66905

Newport 271

Figure 4.22 Assemblage de la lampe et de la platine de translation.

Aux ns de validation du banc dessais, une lampe incandescente halogne a t utilise


pour illuminer la cellule. Le spectre dmission radiative typique dune lampe halogne est
prsent la gure 4.23. Malgr une grande dirence avec le spectre solaire typique, il
permet tout de mme une comparaison juste de la variation de performance dune cellule
en fonction de la temprature. En eet, lnergie de bande interdite est la seule caract-

47
ristique qui varie en fonction de la temprature tout en tant lie directement au spectre
dirradiation. Ainsi, une mme variation de lnergie de bande interdite pourrait avoir un
eet dirent sur la performance dune cellule lorsquelle est irradie dun spectre dirent.
La section 2.2 a nanmoins montr que linuence de la variation de Eg sur le courant
est gnralement mineur et nest pas le facteur principal dterminant le changement de
performance en fonction de la temprature.

Le ux lumineux de la source est intercept par un verre de quartz dune paisseur de


3 mm lorsque le systme est opr avec un couvercle. Ce verre a t slectionn pour sa
transmittance leve et uniforme de 92 % entre les longueurs donde 210 nm et 1300 nm.

1.4 Soleil AM1.5D


Halogne
Intensit (kW/m2 .nm)

1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 1000 2000 3000 4000
Longueur donde (nm)
Figure 4.23 Spectres dirradiation du soleil [54] et dune lampe
halogne incandescente (calcul pour Tfilament = 2900 K). Le spectre
halogne a t ltr par le verre de quartz entre la lampe et la
cellule.

4.6.1 Source de courant

La source de courant alimentant la lampe du montage nal est lalimentation de laboratoire


Sorensen DLM 20-30. Une autre source de courant bon march et non-rgule a initia-
lement t utilise. Elle a t carte suite quelques essais puisquelle semblait tre la
source dune instabilit importante dans lintensit lumineuse.

4.7 Systme d'acquisition de donnes


Le systme dacquisition de donnes est bas sur une unit de source et mesure (SMU)
Keithley 2602B. Cet appareil permet de soumettre la cellule une tension spcique tout

48
en mesurant prcisment le courant associ. En rptant cette opration pour un grand
nombre de tensions, on obtient la courbe courant-tension (IV ) unique cette temprature
de fonctionnement.

Le SMU est branch par cble rseau au PC et est contrl par le logiciel TSP Express
intgr au SMU. Lutilisateur peut alors spcier le nombre de points dsir, la sensibilit,
le temps dattente entre chaque mesure, etc. Une fois la courbe trace, les points sont
exports par TSP Express vers un chier de donnes pour tre trait.

49
CHAPITRE 5
CARACTRISATION DE CELLULES

La caractrisation de cellules a deux objectifs principaux :

Vrier le fonctionnement du systme en sassurant que les rsultats sont justes et


reproductibles ;

Sassurer que le systme permet dobserver le changement de performance en fonction


de la temprature.

La prsente section traitera plutt du second aspect alors que le chapitre 6 laborera sur le
premier. Deux types de cellules seront caractrises (c-Si et InGaP) et leur comportement
sera compar avec les prdictions gnrales du modle thorique de la section 3.

5.1 Caractrisation d'une cellule c-Si


Les premires cellules mesures sont de type silicium polycristallin, soit le type de cellule
photovoltaque de loin le plus rpandu. Leur comportement est trs bien document, ce qui
fait deux un bon choix dtalon.

5.1.1 Courbe I-V sous obscurit

La mesure dune cellule c-Si dans lobscurit permet ici principalement de valider la prci-
sion de mesure du systme. En eet, une caractrisation dans lobscurit limine la source
principale de bruit, soit linstabilit de la source lumineuse qui se rpercute directement
sous la forme dune instabilit de courant. Les porteurs de charges sont donc exclusivement
introduits de manitre lectrique par le SMU qui est beaucoup plus prcis et stable.

Le cahier des charges spcie une prcision de mesure dau moins 1 mA. La gure 5.1
montre que le systme peut mesurer de manire prcise jusqu au moins 50 A avant
quune variation dtectable ne sintroduise et quil peut produire des donnes utilisables
jusqu 10 A. Les courbes de tendance traces montrent un comportement du courant
dune cellule au silicium bien connu dans la littrature (voir gure 5.2). Ces deux zones
distinctes expliquent pourquoi le comportement de certains types de cellules, notamment
celles au silicium, est mal prdit par un modle thorique une diode unique lorsquune

50
102

101
Courant (mA)

100

101

0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7
Tension (V)
Figure 5.1 Courbe IV mesure 0 C dune cellule de silicium po-
lycristallin dans lobscurit. Les courbes de tendance en pointilles
dmontrent les deux zones distinctes o le courant suit une loi dif-
frente.

Figure 5.2 Courbes IV mesures par Hu et White [55]. Les deux


courbes de tendance distinctes de la cellule Si mettent en vidence
une caractristique propre aux cellules c-Si.

51
large plage de polarisation directe est considre. Dans ce cas prcis, un modle deux
diodes permetteraient de prendre en compte les deux plages ainsi que la zone de transition.

5.1.2 Courbes I-V sous illumination

Les mesures sous illumination ont t compltes avec une lampe halogne incandescente
ayant une densit de puissance au niveau de la cellule lgrement infrieure celle du
soleil, soit environ 800 W/m2 . Lintensit a t estime en comparant la performance dune
mme cellule entre le montage actuel et un autre ayant dj t calibr. Puisque lobjectif du
systme nest pas de mesurer prcisment lintensit dirradiation mais plutt de sassurer
quelle soit constante dune mesure lautre, une prcision plus grande de la valeur de la
puissance ou lallure du spectre nest pas ncessaire.

La mesure de Voc suit les lignes directrices mises par Luque et Hegedus en interpolant
linairement la courbe IV chantillonne entre les deux points prcdant et suivant le point
I = 0 de la courbe IV. De manire similaire, Isc est calcul en interpolant linairement
les 4 points les plus prs de V = 0. Ces mthodes diminuent lincertitude associe aux
erreurs alatoires de mesure. Finalement, le calcul de la puissance maximale Pmax est
fait en ajustant un polynome dordre 4 autour du point associ la tension satisfaisant
lquation 5.1 [15]. Cette mthode limine lerreur associe lchantillonage discret de la
tension.

d (IV )
0 (5.1)
dV

La gure 5.3 montre les mesures successives direntes tempratures, de 0 200 C.


Laxe du courant est invers par rapport aux gures 5.1 et 5.2 an dtre conforme avec la
reprsentation commune dune courbe IV. Les caractristiques gnrales prsentes ltat
de lart sont observables, soient une diminution de la tension de circuit ouvert (mise en
vidence la gure 5.4) et une augmentation du courant de court-circuit.

Le coecient CV oc la gure 5.5 suit une loi trs similaire celle prdite par le modle
simple. Le dcalage vertical de la courbe est vraisemblablement d une erreur de pr-
diction du courant de saturation ou dans la valeur du facteur didalit choisi. En eet, ces
deux facteurs inuencent le calcul de Voc et donc celui de CV oc . La tendance est tout de
mme essentiellement la mme.

Le calcul de CIsc la gure 5.6 est beaucoup moins concluant. Malgr une valeur moyenne
relativement prs des prdictions, linstabilit en temprature (presque inexistante pour

52
35

30

25
Courant (mA)

20

15

10

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6
Tension (V)
Figure 5.3 Courbes IV dune cellule c-Si sous illumination. Les
tempratures dopration sont, de la courbe noire la courbe grise :
0, 25, 50, 75, 100, 125, 150, 175 et 195 C.

0.5
Voc (V)

0.4

0.3

0.2
0 25 50 75 100 125 150 175 195
Temprature (C)
Figure 5.4 Voc en fonction de la temprature pour une cellule c-Si
et un spectre halogne.

53
-0.2

-0.3
CV oc (%/ CV) -0.4

-0.5

-0.6

-0.7 Donnes exprimentales


-0.8 Modle thorique

-0.9
12.5 50 87.5 125 162.5 185

Temprature ( C)
Figure 5.5 Coecient CV oc en fonction de la temprature pour une
cellule c-Si et un spectre halogne.

CV oc ) rend une conclusion plus dicile tirer. Le fait que le courant semble plus alatoire
que les autres mesures pointe vers une source de bruit inuenant principalement le cou-
rant, soit la source de lumire. Cet eet est expliqu brivement aux sections 3.2.1 et 3.2.2
et sera tudi plus en dtail au chapitre 6. De plus, haute temprature, la rsistance
srie vient inuencer ne manire importante la mesure de Isc et le plateau du courant
gnralement observ disparat.

0.4
Donnes exprimentales
0.3
Simulation
0.2
CIsc (%/ CA)

0.1

-0.1

-0.2
12.5 50 87.5 125 162.5 185
Temprature (C)
Figure 5.6 Coecient CIsc en fonction de la temprature pour une
cellule c-Si et un spectre halogne.

54
Comme il a t fait pour le Voc et Isc , on calcule un coecient de puissance reprsentant
le taux de variation de puissance (quation 5.2). Contrairement ces deux derniers, CPmax
est normalis par une valeur xe de la puissance 25 C. De cette manire, il est plus
facilement comparable aux donnes classiques de la littrature. En eet, une relation simple
existe entre la puissance normalise et le rendement de converison, et par consquent le
coecient de temprature sur le rendement.

dP (T ) 1
CPmax = = ref (5.2)
dT P25 C

La gure 5.7 montre la puissance normalise 25 C. Le coecient de temprature, soit


la drive ngative, vaut 0,48 %/ C, trs prs de la valeur recenses dans la littrature de
0,45 %/ C [28].

1
Puissance relative

0.8

0.6

0.4

0 25 50 75 100 125 150 175 195


Temprature ( C)
Figure 5.7 Puissance normalise 25 C en fonction de la temp-
rature pour une cellule c-Si et un spectre halogne. La pente est de
-0,48 %/ C.

5.2 Caractrisation d'une cellule InGaP


Les cellules de type InGaP laissent envisager une plus faible dgradation de leur perfor-
mance haute temprature en partie cause de lnergie de bande interdite plus leve.
En eet, la tension en circuit ouvert augmente avec lnergie de bande interdite. Ainsi
haute temprature et pour une diminution absolue du Voc gale, la diminution relative sera
moindre. Leet sur la puissance sera donc lui aussi moindre. Ce sont donc des cellules

55
dont le rendement de conversion, plus faible que le c-Si basse temprature, est moins
aect par laugmentation de temprature.

La caractrisation sest produite dans les mmes conditions que prcdemment.

5.2.1 Courbes I-V sous illumination

La gure 5.8 montre les mesures successives direntes tempratures, de 25 200 C.


Comme pour la cellule c-Si, les caractristiques gnrales prsentes ltat de lart sont
observables. On remarque notamment la gure 5.10 que le coecient de tension de circuit
ouvert diminue un taux plus faible que pour la cellule c-Si. Ceci explique en partie la
diminution plus faible de performance dune cellule InGaP haute temprature par rapport
une cellule c-Si. Le phnomne est essentiellement d lnergie de bande interdite
dirente qui inuence directement la tension de circuit ouvert Voc . En eet, la tension en
circuit ouvert augmente avec lnergie de bande interdite. Daprs lquation 3.8, un Voc
plus grand implique que le coecient et son taux de variation seront plus faibles si toutes
les autres variables restent semblables.

0.6

0.5

0.4
Courant (mA)

0.3

0.2

0.1

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Tension (V)
Figure 5.8 Courbes IV dune cellule InGaP sous illumination. Les
tempratures dopration sont, de la courbe noire la courbe grise :
25, 50, 75, 100, 125, 150, 175 et 195 C.

La gure 5.11 met en vidence le mme problme observ la section prcdente dinsta-
bilit du courant. Des solutions seront proposes au chapitre 7.

56
1.3

1.2
Voc (V)

1.1

0.9

0.8
25 50 75 100 125 150 175 195
Temprature ( C)
Figure 5.9 Tension de circuit ouvert Voc en fonction de la temp-
rature pour une cellule InGaP et un spectre halogne.

-0.16

-0.18

-0.2
CV oc (%/ CV)

-0.22

-0.24

-0.26 Donnes exprimentales


-0.28 Simulation

-0.3
25 50 75 100 125 150 175 195
Temprature ( C)
Figure 5.10 Coecient CV oc en fonction de la temprature pour
une cellule InGaP et un spectre halogne.

57
Le gure 5.12 montre la diminution de la puissance normalise 25 C en fonction de la
temprature. On observe entre autre leet de linstabilit du courant sur la puissance. Le
coecient de puissance associ est de 0,086 %/ C, soit plus de 5 fois plus petit que pour
le silicium. Ceci conrme donc les attentes concernant la performance de cellules InGaP
haute temprature. Il est aussi intressant de noter quun autre type de cellule base
de matriaux III-V largement rpandu, le GaAs, possde un coecient denviron 0,21 %/ C
(voir le clapitre 2). Les cellules InGaP orent donc une piste intressante explorer par
rapport aux autres types de cellules similaires.

0.35
Donnes exprimentales
0.3
Simulation
0.25
CIsc (%/ CA)

0.2

0.15

0.1

0.05

0
50 87.5 125 162.5 185
Temprature ( C)
Figure 5.11 Coecient CIsc en fonction de la temprature pour une
cellule InGaP et un spectre halogne.

58
1.05

1
Puissance relative

0.95

0.9

Donnes exprimentales
0.85
Rgression linaire
0.8
25 50 75 100 125 150 175 195
Temprature ( C)
Figure 5.12 Puissance normalise 25 C en fonction de la tem-
prature pour une cellule InGaP et un spectre halogne. La pente
de la rgression est de -0,086 %/ C.

59
CHAPITRE 6
VALIDATION DU BANC D'ESSAIS

La validation du banc dessais passe par 2 critres : la dlit et la justesse de mesure.


Daprs le Vocabulaire international de mtrologie Concepts fondamentaux et gn-
raux et termes associs, ces deux caractristiques dnissent ensemble lexactitude dune
mesure, ou ltroitesse de laccord entre une valeur mesure et une valeur vraie dun
mesurande [56].

6.1 Justesse de la mesure


La justesse reprsente laccord entre la moyenne dun chantillon de mesures et la valeur
relle. Une mesure est juste lorsque la moyenne dun nombre inni de mesures coincide
avec la valeur relle.

Dans le cadre de ce projet, cest la variation relative de performance direntes tempra-


tures qui est dintrt. Une erreur de justesse qui se rpercute chaque mesure ne devrait
donc pas avoir dimpact signicatif.

6.2 Fidlit de la mesure


La dlit reprsente gnralement la rptabilit de mesure. Elle a t vrie en rptant
plusieur fois la caractrisation dune mme cellule soumise aux mme conditions, soient une
temprature de 25 C stabilise et une irradiation constante avec un spectre halogne. La
lampe a fonctionn plusieurs minutes avant les mesures an de sassurer quelle atteigne
lquilibre thermique avec son environnement. Les donnes sont rsumes au tableau 6.1.

La variation observe dune mesure lautre donne une indication de la dlit. An de


dterminer limportance relative de chaque mesure sur la caractrisation de la performance,
on calcule premirement les incertitudes u(V ) et u(I) associes lchantillon prsent au
tableau 6.1 (quations 6.1 et 6.2).

60
Tableau 6.1 Mesures de Voc et de Isc pour dirents essais
aux mmes conditions dopration.
Voc Isc
essai #
(mV) (mA)
1 531,8 27,99
2 531,9 27,80
3 531,7 27,91
4 531,9 27,96
5 532,0 27,76

SV oc
u(V ) = = 0,05 mV (6.1)
N

SIsc
u(I) = = 0,04 mA (6.2)
N

SV oc est lcart-type des mesures de Voc , SIsc est lcart-type des mesures de Isc , u repr-
sente lcart-type sur la moyenne et N est le nombre de mesures. Ensuite, lquation 6.3
exprime lincertitude sur la mesure de la puissance.


 2  2
u(P) u(V ) u(I)
= + (6.3)
P V I

On observe limportance de la grandeur de la quantit mesure (I ou V ) sur lincertitude


relative associe. En eectuant le calcul pour une cellule c-Si 25 C au point de puissance
maximale, on observe que lincertitude sur la puissance serait essentiellement la mme si
seule lincertitude sur le courant tant prsente (quation 6.4).

u(I)
I


2
2 1,000 (6.4)
 u(V ) u(I)
 +
V I

La taille de lchantillon utilis (N = 5) est certes petite et ne permet pas de tirer de


conclusions sur la prcision de chaque mesure individuelle, mais permet sans doutes dob-
V
server limportance relative des incertitudes. Ainsi, lquation 6.5, valide pour + 1,
I

61
renforce donc la ncessit dune source de lumire stable et dune mesure du courant pr-
cise. Puisque le SMU peut mesurer un courant de 10 mA avec une prcision de 0,02 mA,
les variations observes au tableau 6.1 doivent tre principalement dues aux autres sources
de bruit, soit la source de lumire.

u(P) u(I)
(6.5)
P I

Lquation 6.5 explique aussi la dirence marque entre la gure 5.7 et la gure 5.12. En
eet, la cellule InGaP possde un courant beaucoup plus faible (environ 50x) que la cellule
c-Si, ce qui aecte ngativement le calcul dincertitude sur la puissance.

De manire gnral, le banc dessai prsente une bonne dlit et rencontre les critres
du cahier des charges lorsque les courants mesurs sont suprieurs quelques dizaines de
miliampres. Le chapitre 5 et la prsente analyse ont nanmoins montr quun courant plus
stable permettrait de rduire grandement lincertitude sur la puissance mesure et donc
de rendre les mesures plus signicatives. Ceci est dautant plus vrai lorsque la taille des
cellules est rduite puisque le courant est directement proportionnel la surface expose.
Le chapitre suivant prsentera des pistes damliorations pour la caractrisation de cellules
ayant un courant faible.

62
CHAPITRE 7
CONCLUSION

Le projet de recherche visait dvelopper un systme permettant la caractrisation de


cellules photovoltaques sur une large plage de temprature. Il comportant trois grandes
tapes : la premire tait thorique et posait les bases du fonctionnement des cellules et
des obstacles un rendement lev haute temprature. Ensuite, la phase de conception
a prsent le processus de dveloppement du systme, de ltablissement du cahier des
charges la fabrication. Finalement, la caractrisation de cellules a permi de valider le
fonctionnement du systme en comparant les donnes avec la littrature et les rsultats de
simulations.

7.1 Recommandations

Des variation signicatives du courant mesur, malgr le remplacement de lalimentation


originale par une alimentation rgule et plus stable, ont t attribues la source lumi-
neuse. Limpact ngatif de ces variations est plus prononc sur des cellules de petite taille.
An damliorer la caractrisation de cellules ayant un courant trs faible, deux approches
peuvent tre considres. Premirement, lutilisation dune source de lumire rpute pour
sa stabilit comme les lampes au Xenon permettrait de rduire la variabilit observe sur
chaque mesures individuelles et pourrait tre susant. Une autre option explorer serait
de fournir une puissance constante au lament laide dune source puissance constante.
En eet, la plupart des alimentations (incluant le modle utilis) sont rgules soit en
tension, soit en courant. Puisque lintensit lumineuse mise par un lament dpend de
sa temprature et donc de la puissance consomme, une rgulation de la puissance est
le meilleur moyen de stabiliser le ux. Une dernire option serait de placer un capteur
de puissance prs de la lampe et de chercher stabiliser ce signal dans une boucle de
contrle PID.

Deuximement, la rptition dune mme mesure et lutilisation de mthodes statistiques


pour valuer lincertitude sur la moyenne permettrait thoriquement datteindre nimporte
quel niveau de prcision dsir en augmentant le nombre dessais. En ralit, des consi-
drations pratiques limite la quantit dessais pouvant tre eectus. Nanmois, un faible

63
nombre de mesures succesives (N = 5) tel que ralises au chapitre 6 permettrait de
rduire lincertitude de moiti et serait aisment ralisable.

La caractrisation IV haute temprature permet dtudier le comportement de plusieurs


caractristiques. En eet, les courbes IV sont riches en information, surtout lorsquelles sont
combines des modles thoriques. titre dexemple, certains travaux ont dj montr
quil est possible de rsoudre les quations du modle 5 paramtres (une diode et deux
rsistances, Rp et Rs ) en utilisant une fonction de Lambert [57, chapitre 1] ou par une
mthode itrative [58]. Les mthodes dcrites pourraient tre utilises pour associer les
donnes exprimentales au modle et ainsi calculer les valeurs de Rp et de Rs qui corres-
pondent au fonctionnement de la cellule chaque temprature de mesure. Les tendances
observes pourraient donner des informations intressantes sur les phnomnes physiques
lorigine des eets rsistifs en nayant besoin que des courbes IV.

Finalement, le projet a dmontr thoriquement et exprimentalement que les cellules


ayant une nergie de bande interdite leve ont tendance tre moins aectes par la
variation de temprature. Les eorts de conception et de fabrication de cellules adquates
haute temprature devront donc en prendre compte. titre dexemple, des cellules base
de InGaP, de GaAs et de CdTe devraient tre considres pour une utilisation haute
temprature.

64
ANNEXE A
CAHIER DES CHARGES : LES BESOINS

Mesure la performance lectrique de cellules PV ;


Permet de caractriser des cellules PV concentration 1x ;
Permet de caractriser des cellules PV basse et haute temprature ;
Est constitu de composants rapidement disponibles ;
Utilise le maximum de pices standards ;
Permet le cyclage en temprature des cellules ;
Permet le contrle prcis de la temprature des cellule ;
Ne brle pas au toucher lorsque lappareil est en fonction ;
vite la condensation lorsque la cellule est froide ;
Peut tre dplac par deux personnes de force moyenne ;
Impose un prol de temprature raliste sur la cellule ;
Est scuritaire ;
Est peu coteux ;
Est facilement dplaable.

65
ANNEXE B
CAHIER DES CHARGES FONCTIONNEL
Fonctions principales Fonctions secondaires Spcifications Dfinition Niveau Flexibilit
Fraction de la puissance totale qui atteint la
Rayonnement provenant d'une source non cellule mais qui ne provient pas de la source
Confiner l'clairage dsire atteignant la cellule de lumire principale. 1% max.
Temps ncessaire pour installer la source
clairer les cellules Temps d'un cycle d'assemblage / de lumire et l'ajuster pour qu'elle soit prte
Source de lumire facilement amovible dmontage fonctionner suivi d'un dmontage. 15 minutes max.
Nombre de cycles de montage / dmontage
pouvant tre effectu sur la lampe sans
N'endommage pas la lampe Nombre de cycles de montage / dmontage l'endommager. 1000 min.
Fraction de la puissance totale de la source
N'obstrue pas l'clairage Rayonnement bloqu par le systme qui est obstru par le systme. 1% max
Maintenir les cellules en Temps ncessaire pour installer la cellule e
place l'ajuster pour qu'elle soit prte fonctionner
Facilite le changement de cellules Temps de montage d'une cellule et tre mesure. 30 minutes max.

Temprature minimale de la cellule atteinte


Permet de refroidir Temprature minimale de la cellule lorsque le systme est en fonctionnement. -20 C max.

Temprature maximale de la cellule atteinte


Permet de rchauffer Temprature maximale de la cellule lorsque le systme est en fonctionnement. 200 C min.
Temps de stabilisation de la temprature de Variation maximale de la temprature sur 10
Contrler la temprature Minimise les variations de temprature
la cellule secondes une fois stabilise. 2 C max.
Quantit d'eau de l'atmosphre qui s'es
condense sur la surface irradie de la
Empche la condensation Quantit d'eau condense sur la cellule cellule. 0 ml max.
Temprature maximale d'une surface
pouvant tre touche lorsque le systme est
vite les brlures Temprature maximale au toucher en fonctionnement. 50 C max.
Diffrence entre la temprature mesure e
Mesurer la temprature Erreure sur la mesure en temprature la temprature relle de la surface. 1 C max.
Acquisition de donnes Diffrence entre la tension mesure et la
de performance Mesurer la tension Erreure sur la mesure en tension tension relle aux bornes de la cellule. 5 mV max.
Diffrence entre le courant mesur et le
Mesurer le courant Erreure sur la mesure en courant courant relle la sortie de la cellule. 1 mA max.
Tension maximal entre deux conducteurs
facilement accessibles lors du
viter les lectrocutions et les lectrisations dangereuses Tension maximal entre deux conducteurs fonctionnement normal du systme. 50 V max.
tre scuritaire
Est facilement dplaable Masse du systme Masse du systme en entier 50 kg max.
Dimension maximale du systme dans
Dimension maximale n'importe quelle direction. 1,5 m max.
ANNEXE C
PROGRAMME DE CONTRLE LABVIEW

67
Figure C.1 Diagramme global du logiciel de contrle du contrleur
Accuthermo ATEC302 montrant la section Duty Cycle.

68
Figure C.2 Diagramme global du logiciel de contrle du contrleur
Accuthermo ATEC302 montrant la section Temperature.

Figure C.3 Diagramme du sous-unit WRITE GEN SIMPLE.

69
Figure C.4 Diagramme du sous-unit CRC CALC.

70
Figure C.5 Diagramme du sous-unit SEND GET.

Figure C.6 Diagramme du sous-unit READ STR. GEN.

Figure C.7 Diagramme du sous-unit WRITE STR. GEN.

71
Figure C.8 Diagramme du sous-unit CONFIG VISA.

72
ANNEXE D
DESSINS DE FABRICATION

73

1RDUWLFOH 1XPpURGHSLqFH 4XDQWLWp
 %$1&%2,7,(5 
)  %$1&%2,7,(5 
)
 %$1&%2,7,(5 

(
(



 $ %
75286

'
'

 $ %


&
&

%
%

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 % 7,75( 120'(/
$66(0%/$*(QRQVSpFLILp!
(17,(5 
$ 'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 180e52'
$66(0%/$*(QRQVSpFLILp!
'e&,0$/(6  $
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5(  0$66( OEV 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,/,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





)
)

3HUFHU 

QRPLQDOVFKHGXOHSLSH
7DUDXGHU81& $
WURXV



   
(
(





'     
 '


  
WURXV

& 
&


$   

   
  



&283($$

%
%

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 % 7,75(
(17,(5 
$ 'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
'e&,0$/(6  $
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 7 66 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





) )
 

  

( (

% %

7URXWDUDXGp0[ '
'
WURXV

 

 

    


   

& &

  

&283(%%

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 $ 7,75(
(17,(5 
e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
$ 'e&,0$/(
'e&,0$/(6


$
'e&,0$/(6
$1*/(


0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





) )

$


( (


  
 

 

' '


75286

 
$
&283($$

& &

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 $ 7,75(
(17,(5 
e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
$ 'e&,0$/(
'e&,0$/(6


$
'e&,0$/(6
$1*/(


0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





 

' '

& &

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75( 3ODTXHVXSSRUWZDWHUEORFN
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( NJ 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





) )

 

( (



' '

 

& &
 

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 $ 7,75( 7XEHVXSSRUWZDWHUEORFN
(17,(5 
e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
$ 'e&,0$/(
'e&,0$/(6


$
'e&,0$/(6
$1*/(


0$7,5( 0$66(  48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(1328&(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





) )
   

[ (
(

' '

&  7URXWDUDXGp &


   WURXV

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 $ 7,75(
(17,(5 
e&+(//(  180e52 180e52'(3,&(QRQVSpFLILp!
$ 'e&,0$/(
'e&,0$/(6


$
'e&,0$/(6
$1*/(


0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





127(6

/(6',0(6,216$9(& '2,9(17  


75($-867e(6$8; 
' 3,&(6 )2851,5 '

$-867(0(176(55e 
$-867(0(17/$0$,1  
92,5127( 7URXWDUDXGp
 % 7<3

 
 $ $
&

&  &


7<3

 
%  7<3
&283(%% 7<3 
7<3 
7<3
% %

   &283($$ 
 5
92,5127(  7<3
 7<3



5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(
  'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 681+27
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75( 3/$48('(68332573285/(&$55,(5'(&(//8/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
 (17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52
%$1&6833257B&$55,(5BUHGHVLJQYDFXXP
'e&,0$/(6 
'e7$,/& 'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( &XLYUH 0$66(  48$17,7e 
(&+(//( ),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(




1RDUWLFOH 1XPpURGHSLqFH 4XDQWLWp
6833257B/$03(%$55(B/21*,78
 
',1$/(
) 7$5$8'(581& 6833257B/$03(%$55(B75$169(
& 75286   )
  56$/(
6833257B/$03(%$55(B326,7,21
 
1(856
 6833257B/$03(*/,66,(5( 
6833257B/$03(%$55(B326,7,21
 
1(856
 6833257B/$03(5$,6(5 
  6833257B/$03(5$,6(5 

(  &
(

  


$


'
'




& 
&


 $    
 %

%
%
%

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 % 7,75(
(17,(5 
$ 'e&,0$/(  e&+(//(  180e52
'e&,0$/(6  $
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





' '

&   &

 

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75(
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(%$55(B/21*,78',1$/(
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





' '



& &



% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75(
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(%$55(B75$169(56$/(
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





' '



&  &





  

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75(
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(%$55(B326,7,211(856
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





) )



  

( (

' '



& &

% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
)250$7 $ 7,75(
(17,(5 
e&+(//(  180e52 6833257B/$03(*/,66,(5(
$ 'e&,0$/(
'e&,0$/(6


$
'e&,0$/(6
$1*/(


0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(







'  '



  

& &



% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75(
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52
6833257B/$03(%$55(B326,7,211(856
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 0$66( 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





' '





& &

%  %
  

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75( 120'(/$3,&(QRQVSpFLILp!
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(5$,6(5
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 7 66 0$66( NJ 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





' '


  

& &





% %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( 352-(7QRQVSpFLILp!
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75( 120'(/$3,&(QRQVSpFLILp!
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(5$,6(5
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 7 66 0$66( NJ 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(10,//,075(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(





;
 
7<3
'  $ '


 $





& &

 

; $75$9(567287
81&$75$9(567287

&283($$
$
 
127(6 
%  e%$985(5/(6$557(6)5$1&+(6 %

5e9,6,21 '(6&5,37,21 3$5 $333$5 '$7(

'e3$57(0(17'(*e1,(0e&$1,48( 352-(7
81,9(56,7e'(6+(5%522.( %$1&&$5$&7&39
72/e5$1&(6*e1e5$/(6 )250$7 $ 7,75( 3/$48('(),;$7,21'(/$/$03(
6$8),1',&$7,21&2175$,5(
$ $
(17,(5 
'e&,0$/(  e&+(//(  180e52 6833257B/$03(DGDSWHXUBODPSH
'e&,0$/(6 
'e&,0$/(6 
$1*/( 
0$7,5( 7 66 0$66( OEV 48$17,7e 
),1,'(685)$&( 

/(6',0(16,2166217(1328&(6 5e$/,6e3$5 QRQVSpFLILp! $335289e3$5 '$7(  )(8,//( '(



LISTE DES RFRENCES

[1] Krauter, S. C. W. (2006). Solar Electric Power Generation - Photovoltaic Energy


Systems. Springer-Verlag, 271 p.
[2] Frei, C., Whitney, R., Schier, H.-W., Rose, K., Rieser, D. A., Al-Qahtani, A. et Thomas,
P. (2013). World Energy Scenarios : Composing energy futures to 2050. World Energy
Council, London, 280 p.
[3] National Renewable Energy Laboratory (2012). SunShot Vision Study : February
2012. Golden, 320 p.
[4] Paquette, B., Boucherif, A., Aimez, V. et Ars, R. (2016). Novel multijunction solar cell
design for low cost, high concentration systems. Progress in Photovoltaics : Research
and Applications, volume 24, numro 2, p. 150158.
[5] Wrfel, P. (2005). Physics of Solar Cells : From Principles to New Concepts, 1re
dition. Wiley-VCH Verlag GmbH, Weinheim, 186 p.
[6] TheNoise sous license CC BY-SA 1.0 (2007). Dans Wikipedia, A p-n junction in
thermal equilibrium with zero bias voltage applied. https://commons.wikimedia.
org/wiki/File:Pn-junction-equilibrium.png (page consulte le 09-12-2016).
[7] Yastrebova, N. V. (2007). High-eciency multi-junction solar cells : Current status
and future potential. Centre for Research in Photonics, University of Ottawa, Ottawa.
[8] De Vos, A. (1980). Detailed balance limit of the eciency of tandem solar cells. Journal
of Physics D : Applied Physics, volume 13, numro 5, p. 839.
[9] De Vos, A. (1992). Endoreversible Thermodynamics of Solar Energy Conversion, 1re
dition. Oxford University Press, Oxford, 186 p.
[10] Glunz, S. W., Preu, R. et Biro, D. (2012). 1.16 - Crystalline Silicon Solar Cells :
State-of-the-Art and Future Developments. Dans Comprehensive Renewable Energy.
Elsevier, Oxford, p. 353387.
[11] Green, M. A., Emery, K., Hishikawa, Y., Warta, W. et Dunlop, E. D. (2012). Solar cell
eciency tables (version 39). Progress in Photovoltaics : Research and Applications,
volume 20, numro 1, p. 1220.
[12] Razykov, T. M., Ferekides, C. S., Morel, D., Stefanakos, E., Ullal, H. S. et Upadhyaya,
H. M. (2011). Solar photovoltaic electricity : Current status and future prospects. Solar
Energy, volume 85, numro 8, p. 15801608.
[13] Vossier, A., Chemisana, D., Flamant, G. et Dollet, A. (2012). Very high uxes for
concentrating photovoltaics : Considerations from simple experiments and modeling.
Renewable Energy, volume 38, numro 1, p. 3139.
[14] Emery, K. (2003). Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, chapitre 16.
John Wiley & Sons, Ltd, p. 701752.

91
[15] Luque, A. et Hegedus, S. (2011). Handbook of Photovoltaic Science, 2e dition. John
Wiley & Sons, Chichester, 1132 p.
[16] Goetzberger, A. et Homann, V. U. (2005). Photovoltaic Solar Energy Generation, 1re
dition. Springer Series in Optical Sciences, Springer-Verlag, Berlin, 232 p.
[17] Goetzberger, A., Knobloch, J. et Voss, B. (1998). Crystalline Silicon Solar Cells, 1re
dition. John Wiley & Sons, Chichester, 229 p.
[18] ibiblio.org (2006). Chapter 8 : DC metering circuits. Dans Kuphaldt, T. R., Les-
sons In Electric Circuits : Volume 1 - DC. http://www.ibiblio.org/kuphaldt/
electricCircuits/DC/DC_8.html (page consulte le 09-12-2016).
[19] Klugmann, E. et Polowczyk, M. (2000). Semiconducting diamond as material for high
temperature thermistors. Materials Research Innovations, volume 4, numro 1, p. 45
48.
[20] Grundmann, M. (2010). The Physics of Semiconductors, 2e dition. Graduate Texts in
Physics, Springer-Verlag, Berlin, 864 p.
[21] Solanki, C. S. (2009). Solar Photovoltaics : Fundamentals, Technologies and Applica-
tions, 1re dition. Prentice-Hall of India, New Delhi, 478 p.
[22] Radziemska, E. (2003). Thermal performance of Si and GaAs based solar cells and
modules : a review. Progress in Energy and Combustion Science, volume 29, numro 5,
p. 407424.
[23] van Dyk, E. E., Meyer, E. L., Leitch, A. W. R. et Scott, B. J. (2000). Temperature
dependence of performance of crystalline silicon photovoltaic modules. South African
Journal of Science, volume 96, numro 4, p. 198200.
[24] Meneses-Rodrguez, D., Horley, P., Gonzlez-Hernndez, J., Vorobiev, Y. et Gorley, P.
(2005). Photovoltaic solar cells performance at elevated temperatures. Solar Energy,
volume 78, numro 2, p. 243250.
[25] Wysocki, J. (1960). Eect of temperature on photovoltaic solar energy conversion.
Journal of Applied Physics, volume 31, numro 3, p. 571578.
[26] Singh, P. et Ravindra, N. M. (2012). Temperature dependence of solar cell perfor-
mancean analysis. Solar Energy Materials and Solar Cells, volume 101, numro 0,
p. 3645.
[27] Arora, N. D. et Hauser, J. R. (1982). Temperature dependence of silicon solar cell
characteristics. Solar Energy Materials, volume 6, numro 2, p. 151158.
[28] Skoplaki, E. et Palyvos, J. A. (2009). On the temperature dependence of photovoltaic
module electrical performance : A review of eciency/power correlations. Solar Energy,
volume 83, numro 5, p. 614624.
[29] Evans, D. L. (1977). On the performance of cylindrical parabolic solar concentrators
with at absorbers. Solar Energy, volume 19, numro 4, p. 379385.

92
[30] Emery, K., Burdick, J., Caiyem, Y., Dunlavy, D., Field, H., Kroposki, B., Moriarty, T.,
Ottoson, L., Rummel, S., Strand, T. et Wanlass, M. W. (1996). Temperature dependence
of photovoltaic cells, modules and systems. Dans Conference Record of the Twenty
Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. p. 12751278.
[31] Mbewe, D. J., Card, H. C. et Card, D. C. (1985). A model of silicon solar cells for concen-
trator photovoltaic and photovoltaic/thermal system design. Solar Energy, volume 35,
numro 3, p. 247258.
[32] Coventry, J. S. (2004). A solar concentrating photovoltaic/thermal collector. Thse de
doctorat, Australian National University, Sydney, 261 p.
[33] Charalambous, P. G., Maidment, G. G., Kalogirou, S. A. et Yiakoumetti, K. (2007). Pho-
tovoltaic thermal (PV/T) collectors : A review. Applied Thermal Engineering, volume 27,
numro 23, p. 275286.
[34] Hasan, M. A. et Sumathy, K. (2010). Photovoltaic thermal module concepts and their
performance analysis : A review. Renewable and Sustainable Energy Reviews, vo-
lume 14, numro 7, p. 18451859.
[35] Stine, W. B. et Geyer, M. (2001). Power from the Sun. http://www.powerfromthesun.
net/book.html (page consulte le 16-09-2012).
[36] Rosell, J. I., Vallverd, X., Lechn, M. A. et Ibez, M. (2005). Design and simulation of a
low concentrating photovoltaic/thermal system. Energy Conversion and Management,
volume 46, numro 1819, p. 30343046.
[37] Vorobiev, Y. V., Gonzlez-Hernndez, J. et Kribus, A. (2006). Analysis of Potential
Conversion Eciency of a Solar Hybrid System With High-Temperature Stage. Journal
of Solar Energy Engineering, volume 128, numro 2, p. 258260.
[38] Imenes, A. et Mills, D. (2004). Spectral beam splitting technology for increased conver-
sion eciency in solar concentrating systems : a review. Solar Energy Materials and
Solar Cells, volume 84, numro 1-4, p. 1969.
[39] Lasich, J. B., Cleeve, A., Kaila, N., Ganakas, G., Timmons, M., Venkatasubramanian,
R., Colpitts, T. et Hills, J. (1994). Close-packed cell arrays for dish concentrators.
Dans IEEE First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. volume 2.
p. 19381941.
[40] Jiang, S., Hu, P., Mo, S. et Chen, Z. (2010). Optical modeling for a two-stage parabolic
trough concentrating photovoltaic/thermal system using spectral beam splitting tech-
nology. Solar Energy Materials and Solar Cells, volume 94, numro 10, p. 16861696.
[41] Segal, A., Epstein, M. et Yogev, A. (2004). Hybrid concentrated photovoltaic and ther-
mal power conversion at dierent spectral bands. Solar Energy, volume 76, numro 5,
p. 591601.
[42] Nell, M. E. et Barnett, A. M. (1987). The spectral p-n junction model for tandem solar-
cell design. IEEE Transactions on Electron Devices, volume 34, numro 2, p. 257266.

93
[43] Gow, J. A. et Manning, C. D. (1999). Development of a photovoltaic array model
for use in power-electronics simulation studies. IEE Proceedings - Electric Power
Applications, volume 146, numro 2, p. 193200.
[44] Varshni, Y. P. (1967). Temperature dependence of the energy gap in semiconductors.
Physica, volume 34, numro 1, p. 149154.
[45] Singh, J. (1993). Physics of Semiconductors and their Heterostructures. McGraw-Hill
College, New York, 851 p.
[46] Vurgaftman, I., Meyer, J. R. et Ram-Mohan, L. R. (2001). Band parameters for III-V
compound semiconductors and their alloys. Journal of Applied Physics, volume 89,
numro 11 I, p. 58155875.
[47] Kuo, Y. K., Chen, J. R., Chen, M. L. et Liou, B. T. (2007). Numerical study on strai-
ned InGaAsP/InGaP quantum wells for 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers.
Applied Physics B : Lasers and Optics, volume 86, numro 4, p. 623631.
[48] Green, M. A. (1982). Solar cells : operating principles, technology, and system appli-
cations. Prentice-Hall, Englewood Clis, N. J., 267 p.
[49] Fan, J. C., Palm, B. J. et Tsaur, B. Y. (1982). Optimal design of high-eciency tandem
cells. Dans Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference.
[50] Ho, H.-N. et Jones, L. A. (2006). Contribution of thermal cues to material discrimination
and localization. Perception & Psychophysics, volume 68, numro 1, p. 118128.
[51] MEGlobal (2013). Monoethylene Glycol (MEG) Technical Product Bro-
chure. http://www.meglobal.biz/sites/default/files/MEG-0002_MEG_Guide_
Rev_Aug_2013.pdf (page consulte le 28-07-2016).
[52] Cordray, D. R., Kaplan, L. R., Woyciesjes, P. M. et Kozak, T. F. (1996). Solid - liquid
phase diagram for ethylene glycol + water. Fluid Phase Equilibria, volume 117,
numro 1, p. 146152.
[53] Song, J., Wang, L., Zibart, A. et Koch, C. (2012). Corrosion Protection of Electrically
Conductive Surfaces. Metals, volume 2, numro 4, p. 450477.
[54] ASTM G173-03 (2012). Standard Tables for Reference Solar Spectral Irradiances :
Direct Normal and Hemispherical on 37 Tilted Surface (Rapport technique). West
Conshohocken.
[55] Hu, C. et White, R. M. (1983). Solar Cells From Basics to Advanced Systems. McGraw-
Hill, New-York, 294 p.
[56] BIPM, IEC, IFCC, ILAC, IUPAC, IUPAP, ISO et OIML (2008). Vocabulaire internatio-
nal de mtrologie Concepts fondamentaux et gnraux et termes associs (JCGM
200 :2012), 3e dition. JCGM (Joint Committee for Guides in Metrology), 91 p.
[57] Femia, N., Petrone, G., Spagnuolo, G. et Vitelli, M. (2012). Power Electronics and
Control Techniques for Maximum Energy Harvesting in Photovoltaic Systems. Indus-
trial Electronics, CRC Press, Boca Raton, 309 p.

94
[58] Nassar-eddine, I., Obbadi, A., Errami, Y., El fajri, A. et Agunaou, M. (2016). Parameter
estimation of photovoltaic modules using iterative method and the Lambert W function :
A comparative study. Energy Conversion and Management, volume 119, p. 3748.

95