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IF-UFRJ

Elementos de Eletrnica Analgica Mestrado Profisssional em Ensino de Fsica


Prof. Antnio Carlos Santos

Aula 4: Diodos

Este material foi baseado em livros e manuais existentes


na literatura (vide referncias) e na internet e foi
confeccionado exclusivamente para uso como nota de
aula para as prticas de Laboratrio de Fsica Moderna
Eletrnica. Pela forma rpida que foi confeccionado,
algumas partes foram extradas quase verbatim de outros
autores citados na lista de referncias. Trata-se de um
texto em processo de constante modificao. Por
gentileza, me informe os erros que encontrar.

Teoria de bandas em slidos

Os eltrons em um tomo isolado ocupam orbitais atmicos, que forma um conjunto discreto de nveis de energia. Se
vrios tomos so postos lado a lado, formando uma molcula, seus ortbitais atmicos se dividem, com osciladores
acoplados. Isto produz um nmero de orbitais moleculares proporcional ao nmero de tomos. Quando um grande
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nmero de tomos ( da ordem de 10 ou mais) so juntados formando um slido, o nmero de orbitais torna-se
excessivamente elevado. Em conseqncia, a diferena em energia entre eles torna-se muito pequena. Assim, em
slidos, os nveis de energia formam bandas contnuas. No entanto, alguns intervalos de energia no contm nenhum
orbital, formando intervalos (gaps).

Introduo, semicondutores, Tipos de Diodo

Os diferentes materiais podem ser caracterizados, de forma ampla, como condutores, semicondutores e isolantes, de
acordo com a sua maior ou menor resistncia passagem da corrente eltrica.
-5 -8 10 16
Os valores da resistividade variam de 10 a 10 m para condutores, at 10 a 10 m para dieltricos. Os
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semicondutores caracterizam-se por uma resistividade varivel na faixa de 10 a 10 m, dependendo do material e da
temperatura.

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Semicondutor intrnseco :

Num semicondutor puro (ou intrnseco) como o Ge, ou Si, que possuem valncia 4, em seu estado slido
(cristalino) cada tomo se encontra cercado de 4 tomos vizinhos, com seus eltrons partilhados entre dois tomos,
numa ligao covalente formando pares. A baixa temperatura estes eltrons esto fixos aos tomos que os
compartilham, resultando assim que o semicondutor no apresenta portadores mveis de carga comportando-se,
portanto, como isolante. Aumentando a temperatura estes eltrons podem adquirir energia suficiente para romper esta
ligao covalente, liberando-se dos tomos e tornando-se portadores livres no corpo do cristal, hbeis, portanto, para
reagir a um campo eltrico externo, conduzindo corrente.

Fig. 3.1 Um semicondutor intrnseco

Ao mesmo tempo, quando um eltron liberado de sua posio original, forma-se uma lacuna de carga no
corpo do cristal. Como o tomo era inicialmente neutro, forma-se uma lacuna (buraco) de carga positiva na posio
originalmente ocupada pelo eltron liberado. A lacuna pode ser preenchida por um outro eltron liberado de um tomo
vizinho. Esta nova lacuna, da mesma forma, pode ser preenchida por um eltron liberado de um outro tomo, e assim
sucessivamente num processo catico.
Desta forma, se observamos apenas o buraco de carga positiva, vemo-lo se mover pelo cristal de forma
aleatria, como faria uma carga livre. Podemos ento dizer que o buraco se comporta com um portador de carga
positivo.
claro que, sob a ao de um campo eltrico externo aplicado ao cristal, este movimento se ordena,
resultando numa corrente eltrica portada pelos buracos de forma inteiramente similar quela portada por eltrons
livres. Assim podemos dizer que com o aumento da temperatura o semicondutor apresentar um nmero cada vez
maior de pares eltrons-buraco criados, ou seja, de portadores de carga positivos (buracos) e negativos (eltrons)
variando assim a sua resistividade. A corrente eltrica total ser a soma da corrente provocada pelos eltrons se
movendo em sentido contrrio ao do campo eltrico e dos buracos se movendo no sentido do campo. Temos assim o
que chamada a conduo intrnseca do semicondutor e a condutibilidade (inverso da resistividade) a ela associada
chamamos condutividade intrnseca.

Semicondutor extrnseco:

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Se adicionarmos a um semicondutor, por exemplo o Ge, que tem valncia 4, quando em estado lquido (derretido), uma
nfima quantidade de um outro elemento, por exemplo, o As (valncia 5), ao solidificar-se, o cristal resultante ser
essencialmente o de Ge, com alguns tomos de As tomando o lugar, na estrutura cristalina, de tomos de Ge.
Como o As tem valncia 5 e todos os tomos circundantes, de Ge, tm valncia 4, haver um eltron do As
que estar muito fracamente ligado, de tal modo que, em baixas temperaturas (ambiente) este eltron estar livre com
resultado da excitao trmica. Assim, este cristal de Ge, dopado com As, ter um excesso de portadores negativos
(eltrons), adicionalmente queles portadores resultantes dos pares eltron-buraco que j discutimos. Note que o cristal
como um todo continua a ter carga total zero. Estes eltrons livres podem assim reagir a uma campo eltrico externo,
tal como ocorre num metal, tornando-se fundamentalmente responsveis pela condutibilidade eltrica do cristal.
Chamamos este cristal, agora impuro com As, de semicondutor do tipo n devido ao excesso de portadores de carga
negativa.
Da mesma forma podemos dopar um cristal de Ge com uma impureza de valncia 3,por exemplo o Ga. Neste
caso, teremos a falta de um eltron em cada centro cristalino em que se encontre o um tomo de Ga.

A B

Fig. 3.2 Semicondutores extrnsecos: A) tipo n; B) tipo p

Temos ento uma lacuna que ser preenchida por um eltron de um tomo de Ge que ao ced-lo ter uma
carga positiva.
Como descrito anteriormente, este buraco poder deslocar-se pelo cristal, caoticamente, ou ordenadamente
caso seja aplicado um campo eltrico, resultando numa conduo do tipo p, positiva. A este cristal chamamos
semicondutor do tipo p.
Assim podemos dizer que num semicondutor do tipo p (n) os buracos (eltrons) so os portadores de carga
majoritrios e os eltrons (buracos) os minoritrios.
Em baixas temperaturas os portadores minoritrios tm pouca influncia na condutibilidade total. Contudo, em
temperaturas mais altas um semicondutor do tipo p, ou n, ter uma conduo mista.
Consideremos um cristal de Ge do tipo p (tipo n); se aplicarmos uma diferena de potencial a este cristal,
observaremos que os portadores majoritrios, que so os buracos no tipo p (eltrons no tipo n) se movimentaro no
sentido do campo (contrrio ao do campo) e os minoritrios, que so os eltrons no tipo p (buracos no tipo n) no sentido
contrrio ao do campo (sentido do campo) estabelecendo-se uma corrente eltrica. Assim o semicondutor dopado se
comportar como um condutor razovel.

Juno semicondutora pn

Consideremos um semicondutor dopado diversamente em duas regies, uma do tipo p e outra do tipo n. Observemos a
dinmica que se estabelece com os portadores de carga na juno destas duas camadas (figura abaixo).

Consideremos o instante da juno: a parte do tipo p, que neutra, contm um excesso de buracos e a do tipo n
(tambm neutra) um excesso de eltrons. Por difuso, pelo seu movimento trmico (aleatrio), buracos migraro de p
para n e eltrons migraro de n para p. Aps algum tempo, devido a esta migrao, haver um excesso de cargas
negativas na regio p e um excesso de cargas positivas na regio n.
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Estabelece-se um campo eltrico numa faixa em torno da juno que leva a reduzir (ou cessar) a migrao dos
portadores majoritrios de p para n (buracos) e de n para p (eltrons).

Agora somente aqueles buracos da regio p ou eltrons da regio n que tiverem energia cintica suficiente para
ultrapassar a barreira de potencial podero migrar (aumentando ainda mais a barreira e tendendo a fazer cessar o fluxo
de portadores majoritrios)

No entanto, em funo de seu movimento catico no interior do cristal, os portadores minoritrios podero se aproximar
da juno e serem assim puxados pelo campo eltrico j estabelecido atravs da juno para a outra regio.

O campo eltrico estabelecido pelos portadores majoritrios facilitar a difuso, de uma regio para outra, dos
portadores minoritrios. Os fluxos de difuso em ambos os sentidos ter resultante nula. Assim, sem a presena de um
campo externo, a corrente total atravs da faixa de transio (regio de depleo) zero. Note que no equilbrio,
praticamente no haver portadores mveis na regio de depleo, pois estes so acelerados pelo campo eltrico,
restando apenas os ons da rede cristalina,o que resulta ser esta regio de baixa condutividade. No restante do cristal,
tanto na regio n quanto na regio p, continuamos a ter portadores (mveis) de carga, tanto majoritrios quanto
minoritrios, tendo estas regies alta condutividade. Assim, se for aplicado um campo eltrico a esta juno de
semicondutores, tudo se passar como se esta diferena de potencial estivesse aplicada diretamente regio de
depleo que contm a juno.

O diodo semicondutor

At a aula passada, estudamos apenas componentes lineares, ou seja, que apresentam uma relao linear entre a
tenso aplicada e a corrente. A juno semicondutora estudada acima, pela suas caractersticas de resposta
aplicao de um campo eltrico externo, chamada diodo. Um estudo detalhado de um diodo nos mostra que,
conservando a temperatura constante, a variao da corrente com a tenso aplicada segue uma lei exponencial da
forma:

eV
I = I o e kT 1

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Fig. 3.5 Caracterstica volt-ampere do diodo.

Onde V a tenso aplicada ao diodo, Io a corrente reversa de saturao, ou corrente intrnseca (valor de I quando V
negativo e grande, ou seja, tenso reversa grande) k a constante de Boltzman e T a temperatura em Kelvin.

O diodo um elemento no linear bsico, porm muito importante que possui dois terminais, o anodo e o catodo. O
diodo convencionalmente indicado num circuito por uma seta e um trao vertical (vide figura abaixo). O sentido da
seta indica o sentido da corrente direta.

O diodo ideal (primeira aproximao para o diodo) o termo ideal refere-se a qualquer componente que possui
caractersticas ideais (perfeito!). O diodo ideal um componente com dois terminais e que conduz corrente em uma
direo (do anodo para o catodo, no sentido convencional da corrente) e que atua como um circuito aberto para
correntes no sentido oposto. O diodo ideal um curto-circuito na sua regio de conduo, ou seja, possui resistncia
nula se a tenso no anodo for maior do que a do catodo. Se a tenso no catodo for maior do que a do anodo, o diodo
possui resistncia infinita. Note que o diodo ideal, como o prprio nome diz, uma idealizao.

Segunda aproximao para o diodo- Algumas vezes desejamos um modelo mais preciso do que a hiptese do diodo
ideal, mas ainda no queremos utilizar equaes no lineares. Ento podemos utilizar modelos que cada vez mais
realistas. Na segunda aproximao para o diodo, o diodo conduzir se a diferena de potencial entre o anodo e o
catodo seja igual ou superior a 0,7 V.

Terceira aproximao- Na terceira aproximao (aproximao linear por partes) acrescentada uma resistncia
interna.

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Um parmetro importante a potncia mxima dissipada PDmx = VDID , onde VD a tenso aplicada ao diodo e ID a
corrente que o atravessa. Na maioria dos casos que trataremos aqui, VD 0,7 V, ento PDmx = 0,7ID

Reta de carga - Considerando-se um circuito simples com dois componentes passivos em srie e uma fonte de tenso
contnua, como o da figura abaixo, indaga-se como a tenso da fonte ir se distribuir entre os outros dois
componentes. Uma sada seria usar um dos modelos simples acima para o diodo (primeira, segunda ou terceira
aproximao). Mas, se conhecemos a curva caracterstica de do diodo I=I(V), podemos aplic-la para determinar a
diviso de tenso. Aplicando a lei das malhas: V + VD + VR = 0, como VR = -RI e VD a curva tpica do diodo, podemos
resolver esta equao (no linear) graficamente. O problema consiste em localizar o ponto comum, ou interseo, das
curvas (equaes) acima. Apresentamos o resultado no grfico ID versus VD, onde a lei das malhas representada pro
uma reta que passa pelos pontos (V,0) e (0,V/R). Esta reta recebe o nome de reta de carga, sendo a carga, no caso, o
resistor R.

Tipos de diodo

Diodo retificador o diodo prprio para trabalhar com


altas correntes (acima de 1 A). Normalmente tem o
corpo preto com um anel cinza nas extremidades

Diodo de sinal - o diodo fabricado para trabalhar com baixa correntes (na faixa dos mA).
Tem geralmente o corpo de vidro, menor e tem os terminais mais finos que o diodo
retificador.

Diodo de germnio tem o corpo de vidro transparente e era usado nos rdios antigos
para demodular os sinais de AM e FM (transformar um sinal de alta freqncia (RF) num
de baixa (udio)).

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LED (Light Emitting Diode) um diodo que quando convenientemente
polarizado emite luz. Sua funcionalidade bsica a emisso de luz em
locais e instrumentos onde se torna mais conveniente a sua utilizao no
lugar de uma lmpada. Especialmente utilizado em produtos de
microeletrnica como sinalizador de avisos, tambm pode ser encontrado
em tamanho maior, como em alguns modelos de semfos.

Fotodiodo um fotodetector, ou seja, serve para


detectar luz visvel, ultra-violeta ou raios-x. Utilizado
na polarizao direta, produz uma corrente quando
luz incide sobre ele pelo efeito fotoeltrico. Um
exemplo so os utilizados nas calculadoras solares.
Na polarizao reversa, pode atuar como detector de
luz. A sua resistncia em polarizao reversa muito LDR
alta, mais diminui com a incidncia de luz (LDR ou
Light depending resistor) O LDR muito
frequentemente utilizado nas chamadas fotoclulas
que controlam o acendimento de poste de
iluminao e luzes em residncias. Tambm
utilizado em sensores foto-eltricos assim como foto-
diodos

Testes de diodos com multmetro digital Para diodos e transistores em geral usamos o multmetro digital na escala
marcada com um smbolo de diodo. A seguir medimos a pea nos dois sentidos. Se ele indicar baixa resistncia num
sentido (entre 400 e 900 ) e infinita no outro, o diodo estar bom.

Parte prtica

Material Experimental
Gerador de sinais
Osciloscpio
Fonte varivel
Diodo
Resistores de 1 k, 10 k e 100 k

I Levantamento da curva do diodo

1 Mea com um ohmmetro a resistncia direta e reversa do diodo.

Resistncia direta
Resistncia reversa

2- Monte o circuito da figura abaixo

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Tenso (V) Corrente (mA)

3- Inverta a polaridade do diodo e repita o item anterior

Tenso (V) Corrente (mA)

4- Faa um grfico corrente versus tensa com os dados obtidos


corrente (mA)

tenso (V)

Referncias
[1] Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica , F. G. Capuano e M. A. M. Marino. Ed. rica
[2] David. E. LaLond e John A. Ross, Dispositivos e Circuitos Eletrnicos Vol. 1, Makron Books.
[3] Roteiro de Fisica Experimental IV (UFRJ)

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Lista de exerccios para casa

1- Encontre os valores de corrente (I) e tenso (V) para os circuitos abaixo, considerando os diodos como ideais
(segunda aproximao).

A
B

C
D

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