Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Itatiba
2011
RODRIGO MORAES LEME R.A. 002200900632
Itatiba
2011
A minha amada me, Sueli Aparecida de
Moraes Leme, e meu amado pai, Jair Raimundo
Leme, por tudo que eles fizeram e continuam
fazendo por mim.
Se voc quer ser bem sucedido, precisa
ter dedicao total, buscar seu ltimo limite e dar
o melhor de si mesmo.
Ayrton Senna
AGRADECIMENTOS
Gostaria de agradecer primeiramente a Deus por conceber o dom da vida e sade para
sempre seguir em frente e jamais desistir perante aos empecilhos que surgiram no decorrer desse
trabalho e tambm durante todo o curso. E por guiar meus passos e por me conceder mais essa
realizao.
Agradeo a minha famlia, que me apia e incentiva em cada momento de minha vida e sem
a qual eu no seria nada.
Agradeo aos professores Geraldo Peres Caixeta e Renato Franco de Camargo que me deram
orientaes valiosas para a elaborao deste trabalho.
RESUMO
In many companies of the casting and forging of metals, the main device for performing
this function are the magnetic induction furnaces crucibles that using the frequency
inverters in the process. This type of device works on different frequencies of the
network and thereby damages in the power lines. In this work will be a detailed study
by harmonics on this type of equipment and their impacts on power lines and you obtain
an energy efficiency index greater than 0,92 to not incurring fines by the
concessionaires energy.
1. Introduo................................................................................................. 14
3. Partes do Forno......................................................................................... 21
3.1.1. Cadinho............................................................................................... 21
5.1. Harmnicas............................................................................................ 44
5.3. Melhorias................................................................................................ 52
7. Consideraes Finais................................................................................. 57
8. Referencias Bibliogrficas........................................................................ 58
1
1. INTRODUO
Isso acontece porque atualmente impossvel no termos contato com algum equipamento
de origem metlica, por exemplo, um carro. A lataria do carro no nasce com aquele formato na
natureza, preciso que se obtenha o metal bruto e posteriormente que se trabalhe o mesmo, para
que se obtenha a forma desejada como produto final para determinado tipo de aplicao.
A principal funo de um forno a induo exatamente essa, pelo metal ser um elemento
com rigidez altamente elevada no to simples trabalh-lo. O forno atravs de induo magntica
consegue derreter o metal para que posteriormente ele seja trabalhado e assuma a forma desejada de
acordo com a finalidade do ramo em questo.
Depois da Segunda Guerra Mundial, ocorreu a migrao da alta freqncia para a mdia
freqncia em fornos induo a cadinhos. Era o inicio da era de freqncia de linha nos fornos a
induo a cadinhos. Com esse avano foi possvel que se atingisse, na dcada de 70, uma potencia
de 21MW de operao e assim fundir aproximadamente 60 toneladas de metal num curto espao de
tempo.
Aquecimento indutivo passou a ser considerado em fundies de ferro como uma tecnologia
economicamente vivel.
Se compararmos os antigos fornos que utilizavam alta freqncia com os de hoje que
utilizam freqncia de linha, estes atravs dos conversores de potncia levam larga vantagem, pois
2
sua capacidade de operao trs vezes maior do que a dos fornos antigos, sem perder rendimento
no aquecimento.
Enquanto problemas como rudos, transientes, subtenses, sobre tenses podem passar quase
despercebidos por mquinas e equipamentos de uso comum em residncias ou indstrias, esses
mesmos problemas podem comprometer seriamente os dispositivos de TI.
O foco desse trabalho ser um breve estudo sobre o funcionamento desse tipo de
equipamento, dos conversores de potncia a IGBT e por operar em potncia relativamente alta e
freqncia diferente de 60 Hz, os impactos que os fornos (inversores de freqncia) causam na rede
de transmisso de energia eltrica. Esse trabalho ser realizado atravs do estudo de harmnicas
quando o forno est com potncia mxima de operao.
3
(Para que a variao do fluxo no tempo seja grande preciso que o fluxo seja elevado e /
ou que o tempo de variao t seja pequeno. Esta ltima condio corresponde a uma freqncia
elevada).
Sendo muito usado para fuso de materiais condutores, formam-se nestes materiais
correntes de Foucault (correntes induzidas em massas metlicas) que produzem grande elevao de
temperatura. Se os materiais forem magnticos, haver tambm o fenmeno da histerese, que
contribui para o aumento de temperatura.
Net Net U U1
Fuses Choke
RF Cdc INV
C1
V V1
Power
Supply
Un=660V
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
Para este fim retificado a tenso, neste caso, de 660 volts de entrada (60Hz), elevada para
uma tenso linear aproximada de 900 volts e invertida numa freqncia de 1000Hz com tenso de
pico igual a tenso retificada, tudo isso obtido na sada do mdulo IGBT, sendo os demais
componentes complementos e sistemas de proteo.
Ambos os inversores esto ligados eletricamente em srie. Com isso, flui pelos dois
inversores a mesma corrente. Na sada de cada inversor est conectado um forno.
Os fornos sero ampliados, cada um, atravs de um banco de capacitores C, para um circuito
oscilatrio paralelo.
Modo de Funcionamento:
O controle cuida para que a freqncia de servio de cada inversor seja ajustada de maneira
que a impedncia do circuito oscilatrio adapte-se potncia nominal desejada.
Atravs de ignio adequada dos IGBTs do inversor, a absoro de potncia ativa de cada
forno poder ser grandemente modificada (at uma banda de regulao mxima de
aproximadamente 50 por 1). Nesta ocasio, a regulao assegura que a potncia total permitida de
100% no seja sobre passada.
Para, alm disso, sero monitorizados, a todo o momento, os valores de sobrecarga dos
IGBTs e, no caso de sobre passo ameaador dos valores limites, reguladores de valor limite
assumem uma limitao segura para valores permitidos. Com isso, pode ocorrer, por exemplo, que
um forno, que deve atingir 90% de potncia, no atinja este valor, pois a tenso nominal j foi
anteriormente atingida. O outro forno, ento, pode, entretanto, levar a potncia restante at 100% da
potncia total.
6
Com esta tcnica de controle, a potncia poder ser distribuda tambm arbitrariamente aos
fornos, quando estes so muito diferentes no seu estado.
Exemplo: Um forno sinterizado e funciona 12 horas com aproximadamente 10% da sua potncia
nominal. O outro forno tem sua disposio, ento, durante este tempo, 90% da potncia
remanescente.
A proteo contra tenso excessiva est disposta antes de cada retificador. Ela possui as
seguintes funes:
Dispositivo de arranque:
Auxiliado pelo controle, poder ser verificado o funcionamento impecvel dos inversores e
do circuito de carga.
8
3. PARTES DO FORNO
3.1. Composio Mecnica
3.1.1.Cadinho
O forno de cadinho por induo FS (ver fig. 4 e fig. 5) consiste de:
Esse sistema, como mostrado na figura 6, consiste numa inclinao do forno em torno de 91
at 93 para que o metal seja vazado nas panelas coletoras de metal. Esse sistema acionado
hidraulicamente, para tal fim entra o papel da unidade hidrulica.
A Unidade Hidrulica a responsvel pelo envio de leo nos cilindros de basculamento para
a execuo de determinada funo. Outra funo desta quando se deseja abrir e fechar a tampa do
cadinho para que o metal em processo de fuso no saia de dentro do cadinho podendo colocar o
operador, ou algum prximo ao forno em perigo. O abre-fecha da tampa acionado, assim como o
basculamento, pela Unidade Hidrulica.
10
- Ncleos da bobina
- Bobina
- Retificador
- Reator de linha
- Reatores de acoplamento
Na estao de bombeamento, existem 2 bombas para tal funo. A primeira a que executa
diretamente o bombeamento e a outra fica em mdulo de espera, pois qualquer problema que ocorra
com a bomba primria, a de espera atua automaticamente para que no coloque em risco o
equipamento por falta de refrigerao.
3.1.4.Torre de Resfriamento
A Torre de Resfriamento ligada, assim como a estao de bombeamento, a parte de
refrigerao do forno. No processo de refrigerao do equipamento, a gua aquecida, trata-se de
um ciclo. Em novo ciclo a gua tem de novamente estar em temperatura baixa na qual se terminou o
ciclo anterior.
A Torre de Resfriamento faz exatamente essa funo. Entre um ciclo e outro a gua que j
refrigerou as partes do forno entra na Torre para ser resfriada e novamente entra no ciclo de
refrigerao. Existem diversos componentes para monitorao da gua de refrigerao. Entre eles
esto: termostatos, pressostatos, manmetros e fluxostatos com a finalidade de estarem monitorando
o tempo todo, a presso, temperatura e fluxo da gua de refrigerao.
No Retificador:
No Inversor:
3.2.2.Cubculo de Proteo
Entre a linha de transmisso de mdia freqncia 13.8kV e o transformador abaixador de
tenso, que ser explicado em outro tpico, existe o cubculo de proteo de MT.
Resumidamente, o Cubculo composto por um disjuntor a vcuo para mdia tenso, que
acionado atravs de um rel de sobre corrente. Esse rel parametrizado, de acordo do tipo de
aplicao, para que caso haja um curto-circuito na instalao ele desarme o disjuntor no colocando
em risco o equipamento.
3.2.3.Plpito de Basculamento
O plpito uma espcie de mesa de operao que geralmente fica prximo ao cadinho, a
fim de facilitar a vida do operador. Para que o operador no precise ficar indo at o conversor para
ligar e desligar o equipamento, o plpito possui essa funo, alem da funo de parada de
emergncia e aterramento do banho.
Com a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, houve um grande avano nos
dispositivos semicondutores de potncia.
tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz, nos
componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres.
Juntando o que h de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT um componente que se
torna cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de alta
velocidade.
A figura 10 apresenta a estrutura de um tpico IGBT de canal tipo N. Onde, no caso o IGBT,
ter uma dupla difuso de uma regio do tipo P e uma do tipo N.
Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser formada a partir da
aplicao de certa tenso entre a porta e o emissor (emitter), para faz-lo entrar em conduo.
Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta est conectado a duas
regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio
(SiO2) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, o IGBT
apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um.
17
Se for aplicado uma pequena tenso de porta positiva em relao ao emissor, a juno J1 da
figura anterior ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno.
No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um
campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao
substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente
abaixo da porta.
juno mais larga. Uma regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo
eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar em breakdown mais
baixo, o que implica no fato de que o dispositivo poder suportar altas tenses na regio de corte.
Esta a razo pela qual a regio N- da regio de arrastamento mais levemente dopada que a
regio tipo P da regio de corpo (Body). Os dispositivos prticos geralmente so projetados para
possurem uma tenso de breakdown entre 600 V e 1200 V.
Quando se aplica uma tenso entre porta e emissor do dispositivo, uma corrente de pequena
intensidade e de curta durao circula pela porta de forma a carregar a capacitncia parasita que
existe entre a porta e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de porta. A tenso faz com
que um campo eltrico aparea entre o terminal de porta e a poro de semicondutor p logo abaixo
da porta. Este campo eltrico atrai alguns eltrons livres da prpria regio tipo p e alguns eltrons
livres das pores n+ localizadas dentro desse substrato p, em virtude do fato de essa regio estar
fortemente dopada. Ao se aumentar a tenso entre a porta e o emissor, conseqentemente, aumenta-
se esse campo eltrico e mais portadores negativos sero atrados para a regio imediatamente
abaixo do terminal de porta.
Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite que depende
do dispositivo conhecido como tenso de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a
quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente
abaixo da porta acaba por se transformar do tipo p para o tipo n, fenmeno conhecido como
inverso sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inverso, mais
comumente conhecida como canal.
Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo n entre a pequena regio n+ e a
regio de arrastamento, tal canal permite a conduo de corrente atravs de uma pequena regio na
juno J1 que estava reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o valor
limiar. Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal at a regio de arrastamento
onde iro fazer parte da corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo
com que o diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a
camada p+ conectada ao coletor injeta lacunas positivamente carregadas na regio de arrastamento
n-.
19
Algumas das lacunas injetadas na regio n- so recombinadas nesta mesma regio com os
eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcanam a regio no se
recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram
um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da polarizao reversa da
juno. Com este campo eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de
difuso pela regio de arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do tipo
p onde est conectado o terminal de coletor.
A figura 11 ilustra trs fatias de semicondutores formando uma juno PNP que a mesma
que forma um transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os terminais de
coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP. Na parte de cima da figura, existe
uma estrutura que opera com uma corrente de dreno. Essa corrente injetada na regio de
20
arrastamento que corresponde base do transistor PNP de potncia que temos ao longo do IGBT.
Essa corrente de dreno do IGBT atua como o disparo do transistor.
Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de comutao
o Efeito Miller.
O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor (VCE), atravs
da capacitncia existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC).
Isso que dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito
que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao.
Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As
maiores variaes de CCG ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em
conseqncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:
Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo com
uma corrente constante carregando a porta, um aumento linear da tenso de porta obtido.
21
Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE, a corrente de polarizao de porta usada
para carregar CGC, e a tenso de porta permanece constante.
Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma
que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um aumento da corrente de porta.
Somente quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta aumenta.
Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, VGE positiva ou maior que a tenso limiar
Vth a tenso de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente
constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento da carga aumenta a tenso.
Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta, a tenso porta-emissor
se mantm constante.
Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta usada para
manter a tenso de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de
operao.
devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao (ligado ou desligado)
usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando, a
porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de CGC e
VCC regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na porta usada. Isso
esclarece porque um resistor de grande valor ligado em srie com a porta faz que todos os eventos
que envolvam a comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.
Uma das aplicaes de IGBT que mais so utilizadas em eletrnica de potncia a construo
de inversores de frequncia, os quais produzem tenso alternada atravs de tenso contnua. Tal
processo muito utilizado na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso
HVDC de energia eltrica. A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai produz energia
com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produo gerada em 60Hz e a outra
metade gerada em 50Hz. No entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia
vendida ao Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se
um retificador de potncia que transforma a tenso a ser transmitida em tenso contnua e a energia
transmitida em DC at os centros consumidores onde novamente alternada, agora em 60Hz para
22
ser enviada aos transformadores que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores
de energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso de GTOs ou IGBTs.
No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-
se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias.
Figura 13 Tenses em cada um dos IGBTs e a forma de onda da tenso na fase C com relao ao
neutro.
Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada
por 6 segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional
denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a
mesma forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em
relao outra.
O sistema completo pode ser cortado a partir do fornecimento de energia por um disjuntor de
circuito. O retificador integrado ao mdulo IGBT e ligados s trs fases L1, L2 e L3 da fonte de
alimentao atravs do disjuntor de circuito, os fusveis de segurana e de rede trifsica.
A ponte retificadora meia-controlada (Tiristor-Diodo-Ponte TDB1 TDB3 ...) serve apenas para o
controle de carga dos capacitores DC-link (Cdc1. .. Cdc10), que tambm so integradas ao mdulo
24
IGBT. A definio do DC-link tenso nominal da UDC = 900V alcanado quando a placa de
controle do retificador do IGBT, ou seja, o IRCB, tem acionado o retificador com = 0.
A ponte retificadora no assim usado para regular o desempenho de potncia. Isso significa que o
fator de potncia, que o cos() > 0,95 ou 95% em todas as condies de funcionamento.
A oferta secundria ou tenso de ligao definida pelo DC-link tenso nominal e vem ULlsek =
Udc/1.35 = 660V. Assim que a ligao DC-tenso nominal de 900V foi atingido, a liberao ocorre
e o conversor de energia pode ser iniciado, desde que o sistema completo esteja em condies
adequadas de funcionamento.
Os reatores de acoplamento servem para acoplar a tenso do DC-link para a tenso de sada do
conversor UU1V1, que por sua vez, determinada pela condio de desligamento do inversor e a
tenso do forno.
Os reatores de acoplamento devem ser instalados como uma corrente alternada. As perdas nos
reatores tornam-se cada vez mais significativas nas freqncias de funcionamento.
Para minimizar essas perdas, o motor de arranque concebido como um ncleo de ar. Isso
elimina as perdas de ferro (perdas de magnetizao).
A freqncia de operao de 1000 Hz, o efeito da pele tambm entram em jogo. O efeito da pele
minimiza o efetivo de seo transversal, de modo que as perdas de conduo aumentam
desproporcionalmente. O reator de acoplamento , portanto, individualmente fios de cobre
revestidos com um dimetro de 0.2mm. Isto reduz significativamente as perdas de conduo.
25
U, I
UC1=UFurn
Udc
UWR
IWR
' '
2 =t
-Udc
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
A tenso de sada do inversor UWR equivalente ao do DC-link cuja tenso Udc = 900V e
dirige uma corrente IWR crescente de tenso positiva atravs dos transistores T1 e T2 e o reator de
acoplamento Lc. A curva de tenso do IWR limitada apenas pela tenso UC1 e a indutividade do
reator de acoplamento Lc.
26
T1 T3
D1 D3
L R
+ IWR UC1
U1 V1
Udc U V
- Lc
C1
UWR
T4 T2
D4 D2
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
Time range 2 ( ):
T1 T3
D1 D3
L R
+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1
UWR
T4 T2
D4 D2
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
Time range 3 ( ):
Todas as tenses, exceto para a tenso de circuito ressonante, so zero. O circuito ressonante
do forno, no entanto continua a oscilar. Se a tenso do forno agora se torna negativo, diagonal B
ser ativada por controle eletrnico. Portanto, no tempo = , os transistores T3 e T4 sero ligados.
T1 T3
D1 D3
L R
+ U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1
UWR
T4 T2
D4 D2
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
T1 T3
D1 D3
L R
+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1
UWR
T4 T2
D4 D2
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
T1 T3
D1 D3
L R
+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1
UWR
T4 T2
D4 D2
29
Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick
Todas as tenses, exceto para a tenso de circuito ressonante so zero. O circuito ressonante
do forno no entanto continua oscilante. Se a tenso do forno agora torna-se positiva, os transistores
T1 e T2 sero ligados e o padro de mudana pode ser mantido em sincronizao com a tenso do
forno.
Em geral, capacitores so componentes volumosos e custosos, o que faz com que o aumento
da freqncia seja uma alternativa muito atraente. Assim, cada vez mais h necessidade de que os
dispositivos de potncia trabalhem em maiores freqncias. Nos tiristores, o incio da conduo
ocorre quando se tem a injeo de corrente eltrica na porta (gate), portanto trata-se de um
componente controlado por corrente.
O IGBT consiste em um transistor bipolar PNP acionado por um mosfet canal-n em uma
configurao do tipo psudo-darlington.
Os IGBTs so acionados por tenso, diferentemente dos tiristores que so acionados por
corrente eltrica.
30
- Em Conversores
A figura 21 mostra um retificador a diodos alimentando uma carga do tipo RL, ou seja, que
tende a consumir uma corrente constante, caso sua constante de tempo seja muito maior do que o
perodo da rede.
Na figura 22 tem-se a forma de tenso de sada do retificador, numa situao ideal. Supondo
uma corrente constante, sem ondulao sendo consumida pela carga, a forma de onda da corrente na
entrada do retificador mostrada na figura 23.
Ih = 1 / h ;
h = k * q * (+ - 1) ;
onde:
32
h a ordem harmnica;
Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio
Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio
Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio
Figura 23 - Tenses e corrente de entrada com carga indutiva ideal (a) e espectro da corrente (b).
O grau com que harmnicas podem ser toleradas em um sistema de alimentao, depende
da susceptibilidade da carga ou da fonte de potncia. Os equipamentos menos sensveis, geralmente,
so os de aquecimento (carga resistiva), para os quais a forma de onda no relevante. Os mais
sensveis so aqueles que, em seu projeto, assumem a existncia de uma alimentao senoidal
como, por exemplo, equipamentos de comunicao e processamento de dados. No entanto, mesmo
para as cargas de baixa susceptibilidade, a presena de harmnicas (de tenso ou de corrente) pode
ser prejudicial, produzindo maiores esforos nos componentes e isolantes.
- Motores e geradores
O sobre-aquecimento que pode ser tolerado depende do tipo de rotor utilizado. Rotores
bobinados so mais seriamente afetados do que os de gaiola. Os de gaiola profunda, por causa do
efeito pelicular, que conduz a conduo da corrente para a superfcie do condutor em freqncias
elevadas, produzem maior elevao de temperatura do que os de gaiola convencional.
- Transformadores
Tambm neste caso tem-se um aumento nas perdas. Harmnicos na tenso aumentam as
perdas ferro, enquanto harmnicos na corrente elevam as perdas cobre. A elevao das perdas cobre
deve-se principalmente ao efeito pelicular, que implica numa reduo da rea efetivamente
condutora medida que se eleva a frequncia da corrente.
Alm disso, o efeito das reatncias de disperso fica ampliado, uma vez que seu valor
aumenta com a freqncia.
Associada disperso existe ainda outro fator de perdas que se refere s correntes induzidas
pelo fluxo disperso. Esta corrente manifesta-se nos enrolamentos, no ncleo, e nas peas metlicas
adjacentes aos enrolamentos. Estas perdas crescem proporcionalmente ao quadrado da freqncia e
da corrente.
35
Tem-se ainda uma maior influncia das capacitncias parasitas (entre espiras e entre
enrolamento) que podem realizar acoplamentos no desejados e, eventualmente, produzir
ressonncias no prprio dispositivo.
- Cabos de alimentao
Alm disso, caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados tenham suas ressonncias
excitadas pelas componentes harmnicas, podem aparecer elevadas sobre-tenses ao longo da linha,
podendo danificar o cabo.
Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio
Figura 24 - rea de seo e dimetro de fio de cobre que deve ser usado em funo da freqncia da corrente
para que o aumento da resistncia seja menor que 1%.
Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio
Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio
Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio
Figura 27 - Resposta no tempo de cabo de transmisso a uma entrada com componente na freqncia
de ressonncia.
38
- Capacitores
A figura 28 mostra um exemplo de correo do fator de potncia de uma carga e que leva
ocorrncia de ressonncia no sistema. Na figura 29 so mostradas as figuras relativas tenso e s
correntes da fonte nos diferentes circuitos.
Considere o circuito (a), no qual alimentada uma carga do tipo RL, apresentando um baixo
fator de potncia. No circuito (b), inserido um capacitor que corrige o fator de potncia, como se
observa pela forma da corrente mostrada na figura 29 (intermediria). Suponhamos que o sistema
de alimentao possua uma reatncia indutiva, a qual interage com o capacitor e produz uma
ressonncia srie (que conduz a um curto-circuito na frequncia de sintonia). Caso a tenso de
alimentao possua uma componente nesta freqncia, esta harmnica ser amplificada. Isto
observado na figura 29 (inferior), considerando a presena de uma componente de tenso de
5a harmnica, com 3% de amplitude. Observe a notvel amplificao na corrente, o que poderia
produzir importantes efeitos sobre o sistema.
Figura 28 - Circuitos equivalentes para anlise de ressonncia da linha com capacitor de correo do fator de
potncia.
39
Figura 29 - Formas de onda relativas aos circuitos da figura 29: (a) - superior; (b) - intermedirio; (c) -
inferior.
A forma de onda na sada do inversor semelhante a uma forma de onda senoidal, embora
ainda possua muita distoro harmnica que possui componentes harmnicos de freqncias mais
altas. Para melhorar o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais
blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado abaixo em srie, da seguinte forma
apresentada na figura 30:
40
Essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de onda anterior. Para
suavizar esta forma de onda de forma que se aproxime mais de uma senide, bastando para isso
utilizar um filtro passa-baixas para eliminar as componentes de altas frequncias que so
responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de
distoro harmnica.
Pela tabela possvel observar que quanto maior o numero de pulsos que o inversor possuir,
menor ser a distora harmnica na rede de transmisso de energia eltrica.
42
Hoje em dia, um assunto que esta em pauta em todos os setores da indstria mundial, a
sustentabilidade. Quando nos referimos s indstrias de fundio e forjaria de metais esse assunto
torna-se mais agravante pois na fuso do metal utiliza-se um equipamento bastante agressivo ao
meio ambiente.
Sustentabilidade passa a ser o equilbrio entre economia, ecologia e sociologia. E por que
no falar que tambm uma forma de estratgia de marketing em todo o mundo.
No caso dos fornos a induo que esto sendo estudados no trabalho, existem diversos
mecanismos de economia de energia e consequentemente preocupao com o meia ambiente devido
ao alto rendimento energtico.
Partes do forno com alta eficincia energtica: Fornalha, Fonte de Potncia, Transformador e
Estao de Bombeamento.
No processo de fuso pode-se observar um alto nvel energtico, entre eles: Quando o forno
esta trabalhando em sistema TWIN-POWER, maior eficincia no tamanho da panela coletora de
metal fundido, o sistema de exausto s trabalha apenas quando a tampa aberta, economizando
grande quantidade de energia, e o sistema de basculamento muito mais eficiente do que fornos
que utilizam panelas abertas para coleta do metal fundido.
O equipamento tem longa vida de durao, estima-se que um forno a induo a cadinhos
suporte duas geraes de fundidores. de fcil manuteno, baixo custo de peas de reposio.
Atualmente, o mundo esta ciente de que a gua talvez seja o elemento mais importante e que
corremos serio risco de ficar sem nas prximas geraes. Com esse pensamento em mente, damos
43
destaque aos fornos a induo a cadinhos, pois a principal caracterstica destes em relao ao meio
ambiente, que esse tipo de forno no desperdia gua.
Atravs desse grfico pode-se observar que aparecem novos mecanismos de fuso alem dos
indutivos.
44
Outro forno que esta presente no grfico o rotary furnace, ou seja, o forno rotativo e seu
princpio de operao a queima de leo e gs mineral para que a temperatura de fuso seja
atingida.
Os fornos a induo levam larga vantagem quando se diz respeito a eficincia energtica e
sustentabilidade para com o meio ambiente e eficincia energtica por se tratar de fornos
basicamente eltricos e com fator de potencia em torno de 95%.
O grfico 33 mostra uma projeo futura em % para a reduo de CO2 na atmosfera atravs
da industria de fuso de metal:
A reduo de CO2 na atmosfera j uma realidade, e ser maior nos prximos anos. Isso quer
dizer que as industriais j esto aumentando, para a fuso de metal, os fornos a induo mais do que
os outros tipos de fornos.
7. CONSIDERAES FINAIS
Foi possvel verificar no decorrer desse trabalho que o setor de fundio e forjaria de metal
esto crescendo gradativamente com o passar dos anos. Isso acontece porque cada vez mais estamos
dependentes de equipamento de origem metlica e, portanto h a necessidade de fabricao de cada
vez mais equipamentos para tal fim.
Observou-se que com o aumento do numero de fornos a induo, tem que se ter uma
preocupao com a qualidade da energia eltrica porque so equipamentos que trabalham em
frequncias elevadas, diferentes das de linha, e devido ao processo de comutao dos
semicondutores de potncia para tal fim, as linhas de transmisso de energia eltrica sofrem danos.
Pde-se observar que atravs dos conversores de potncia com o uso de IGBTs, o
rendimento energtico do equipamento melhorou, e seu fator de potncia atinge em torno de 0,95
ou 95%, estando livre de multas. O IGBT um componente relativamente novo se comparado aos
demais componentes de potncia, e sua principal deficincia de no suportar trabalhar em altas
potncias mas que atravs de estudos e pesquisas esta ganhando mercado e hoje existem diversos
fornos a induo a IGBTs que podem atingir potencias na casa de mega watts.
Outro agravante que foi demonstrado com relao ao meio ambiente, tema que preocupa o
mundo todo atualmente, em consequncia do problema do aquecimento global, problema no qual, o
crescimento da fundio metlica tem grande participao.
Foi dado destaque para a fuso por induo, que atravs de dados e estudos leva larga
vantagem em sustentabilidade e eficincia energtica.
8. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[4] "IEEE Recommended Practices and Requirements for Harmonic Control in Electric Power
Systems." Project IEEE-519. October 1991.
[5] Mohan et. All., Power electronics: Converters, applications and design, Second edition
[7] PENELLO, Luiz Fernando. Filtro Ativo de Potncia Shunt. Tese de Mestrado,
Universidade Federal do Rio de Janeiro COPPE: 1992.
[8] POMILIO, Jos Antenor. Harmnicos e fator de potncia: Um curso de exteno. Publicao
FEEC 05/97. Disponvel em < http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor.html >
[9] RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications. 2
ed. Prentice Hall, New Jer1sey: 1993
[10] "Sine-wave Distortions in Power Systems and the Impact on Protective Relaying." Report
prepared by the Power System Relaying Committee of the IEEE Power Engineering Society.
Novembro 1982.