Apostila Eletronica de Potencia Samuel Parte1 PDF

UNIVERSIDADE DE PERNAMBUCO
ESCOLA POLITCNIA DE PERNAMBUCO
ELETRNICA DE POTNCIA
PROF. ANTONIO SAMUEL NETO

Eletrnica de Potncia
NDICE
INTRODUO .........................................................................................................................................4
UM REOSTATO COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE................................................................5
UMA CHAVE COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE ....................................................................5
CHAVES SEMICONDUTORES DE POTNCIA ...............................................................................6
APLICAES.......................................................................................................................................6
CLASSIFICAO ................................................................................................................................7
PARMETROS PRINCIPAIS DE UM SEMICONDUTOR USADO.....................................................9
COMO CHAVE.........................................................................................................................................9
A CHAVE IDEAL E A CHAVE REAL ...............................................................................................9
CLASSIFICAO DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA.........................11
CARACTERSTICAS ESTTICAS DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA............................11
DIODOS ..............................................................................................................................................15
DIODOS DE USO GERAL.................................................................................................................15
DIODOS RPIDOS ............................................................................................................................16
DIODOS ULTRA-RPIDOS..............................................................................................................16
DIODOS SCHOTTKY ........................................................................................................................16
CIRCUITO EQUIVALENTE..............................................................................................................17
APLICAO DO DIODO ..................................................................................................................18
EXERCCIOS RESOLVIDOS ............................................................................................................18
RESUMO.........................................................................................................................................24
TRANSISTOR BIPOLAR...................................................................................................................25
TENSES E CORRENTES NOS TRANSISTORES NPN E PNP ................................................26
CONFIGURAES BSICAS ......................................................................................................28
POLARIZAO DE TRANSISTORES.........................................................................................30
PONTO DE OPERAO (QUIESCENTE) ...................................................................................30
CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES...................................................................................33
CARACTERSTICAS TCNICAS.................................................................................................34
EXERCCIOS RESOLVIDOS ........................................................................................................34
RESUMO.........................................................................................................................................37
TIRISTORES.......................................................................................................................................38
SIMBOLOGIA E PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ..............................................................39
REGIES DE OPERAO............................................................................................................41
CARACTERSTICA TENSO - CORRENTE ..............................................................................44
MTODOS DE CONTROLE DE POTNCIA ENTREGUE CARGA .....................................44
Disparo por CC - Carga CA.............................................................................................................45
Disparo CA - Carga CA - Retificador Controlado Meia Onda.......................................................46
RESUMO.........................................................................................................................................54
MOSFETS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET) TIPO DEPLEO.............................58
MOSFET TIPO CRESCIMENTO...................................................................................................59
EXERCCIOS RESOLVIDOS ........................................................................................................61
GTO .....................................................................................................................................................68
IGBT ....................................................................................................................................................70
COMPARAO ENTRE CHAVES CONTROLADAS ....................................................................73
CARACTERSTICAS DOS DISPOSITIVOS ................................................................................73
COMBINAO TPICA DE SEMICONDUTORES.....................................................................73
Prof. Antonio Samuel Neto

2

3
INTRODUO
Eletrnica de Potncia trata do processamento de energia. Sendo a eficincia uma das
caractersticas importante nesse processamento. A diferena entre a energia que entra no sistema e a
que sai geralmente transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiada gere
preocupao, a remoo dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na sua utilizao.
Atualmente conversores estticos utilizados para transformar a energia eltrica de uma forma para
outra, apresentam eficincia entre 85% e 99% dependendo da aplicao da faixa de potncia. Essa
eficincia elevada obtida utilizando semicondutores de potncia, que apresentam uma queda de
tenso prxima de zero quando em conduo, e uma corrente praticamente nula quando em bloqueado.
Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996:

A unit that employs static rectifier devices such semiconductor
rectifiers or thyristors, transistors, electron tubes, or magnetic
amplifiers to change ac power to dc power and vice versa.
A Eletrnica de Potncia trata da aplicao de dispositivos semicondutores de potncia, como
transistores e tiristores, na converso e no controle de energia eltrica em nveis altos de potncia
Essa converso normalmente de AC para DC por conta do sistema eltrico ser AC e grande
parte do controle ser feito em DC. Porm, a converso DC para AC tambm vivel. Os parmetros
controlados so tenso, corrente e frequncia.
A transferncia de potncia eltrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada pela
variao da tenso de alimentao (transformador varivel) ou pela insero de um regulador (reostato,
reator varivel ou uma chave). As principais caractersticas dos dispositivos semicondutores, as quais
so responsveis pela sua grande gama de aplicao e crescente interesse, so descritas a seguir

4
UM REOSTATO COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE

A figura a seguir mostra um exemplo de um reostato controlando uma carga. Quando R1 tem
zero de resistncia, a carga recebe toda a potncia. Quando R1 mxima, a potncia entregue carga
praticamente igual a zero.
Nas aplicaes em que a potncia a ser controlada grande, a eficincia de converso passa a
ser importante. Uma eficincia baixa significa grandes perdas, uma preocupao de carter econmico,
alm de gerar calor, que ter de ser removido do sistema para evitar superaquecimento.
Determinar a potncia entregue a carga, a

potncia dissipada no reostato, a potncia
fornecida pela fonte e a eficincia.
Pelo exemplo acima, fica claro que quanto maior o valor de R1 menor a eficincia da
transferncia de potncia da fonte.
UMA CHAVE COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE
Na figura a seguir, uma chave usada para o controle da carga. Quando a chave est ligada, um
mximo de potncia transferido para a carga. A perda de potncia na chave nula, uma vez que no
h tenso sobre ela. Quando a chave est desligada, no existe potncia entregue carga. Da mesma
maneira, nesse caso no h perda de potncia na chave, uma vez que no passa nenhuma corrente por
ela. A eficincia de 100%, porque a chave no consome energia em qualquer um dos dois casos.

5
O problema existente nesse mtodo que, ao contrrio do reostato, a chave no pode ser
colocada em posies intermedirias, de modo que proporcione variao de potncia. No entanto,
podemos criar o mesmo efeito abrindo e fechando a chave periodicamente. Os transistores e os SCRs
usados como chaves podem abrir e fechar de maneira automtica centenas de vezes por segundo. Se
precisarmos de mais potncia, a chave eletrnica deve ficar ligada por perodos maiores e desligadas
durante a menor parte do tempo. Do contrrio, basta deixar a chave desligada por mais tempo.
Exemplo: Uma fonte DC esta fornecendo energia para uma carga resistiva de 10W atravs de
uma chave. Determine a potncia fornecida carga, a perda de potncia na chave e a potncia total
fornecida pela fonte se a chave estiver:
a) fechada
b) aberta
c) fechada 50% do tempo
d) aberta 50% do tempo
CHAVES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

Tipos de chaves semicondutoes:
Diodos
Transistores Bipolares de Juno BJT.
Transistores de Efeito de Campo Metal-xido-Semicondutor MOSFETS.
Transistores Bipolares de Porta Isolada IGBT.
Retificadores Controlados de Silcio SCR.
Triacs
Tiristores de desligamentos por porta GTO
Para todos os tipos de chaves apresentadas acima, verifica-se as seguintes condies desejveis
de operao:
Liga e desliga instantaneamente.

Quando esta ligada, a queda de tenso nela zero.
Quando esta desligada, a corrente que passa por ela zero.
No dissipa potncia.
Quando ligada, que possa suportar altas correntes.
Quando desligada, que possa suportar altas tenses.
Que utilize pouca potncia para o controle da operao.
Que seja altamente confivel.
Que seja pequena e leve.
Que tenha baixo custo.
Que no requeira manuteno.
APLICAES
Fontes CC chaveadas e sistemas de energia ininterrupta
Fontes para computadores e equipamentos de telecomunicaes.

6
Conservao da energia
Operao de lmpadas fluorescentes em alta freqncia.
Acionamento de bombas e compressores com velocidade controlada.
Controle de processos e automao industrial
Acionamento com velocidade controlada em controle de processos.
Transporte
Carros eltricos.
Aplicaes em eletrotcnica
Equipamentos para soldagem, eletrlise e aquecimento indutivo.
Aplicaes relacionadas ao suprimento
Transmisso de potncia em alta tenso CC.
Sistemas de gerao solares e elicos.
CLASSIFICAO
Processadores
Sada para a carga:
CC
Amplitude constante.
Amplitude varivel.
CA
Freqncia constante e amplitude varivel.
Freqncia e amplitude variveis.
Conversores

7
De acordo com a forma dos dois lados:

CA-CC
CC-CA
CC-CC
CA-CA
De acordo com o modo de chaveamento:
Conversores com comutao natural
Tenses de suprimento presentes em um lado do conversor facilitam o bloqueio dos dispositivos
semicondutores de potncia.
Conversores com comutao forada
Chaves controladas no conversor so ligadas e desligadas em freqncias elevadas quando comparadas
freqncia da rede.
Conversores ressonantes
Chaves controladas ligam e/ou desligam com tenso nula e/ou corrente nula.

8
PARMETROS PRINCIPAIS DE UM SEMICONDUTOR USADO

COMO CHAVE
A CHAVE IDEAL E A CHAVE REAL
Uma chave ideal apresenta dois estados: aberta e fechada.
Quando aberta sua resistncia infinita, no permitindo a passagem de corrente. Para qualquer
tenso aplicada, ela mantm essa caracterstica. Quando fechada sua resistncia nula e, portanto, no
h tenso sobre ela. Ela mantm essa caracterstica para qualquer corrente que passe por ela. O tempo
que uma chave ideal leva para mudar de estado nulo, isto , ela abre ou fecha instantaneamente.
A chave real pode diferir bastante deste comportamento. Primeiramente, ela no apresenta uma
resistncia infinita quando aberta, podendo permitir a passagem de uma pequena corrente denominada
de corrente de fuga. Alm disso, ela apresenta uma alta resistncia apenas at um certo valor de tenso,
a partir do qual rompe-se a isolao. Esta tenso chamada de tenso mxima. Para os semicondutores
geralmente ela chamada de tenso de ruptura.
Quando fechada, a chave real no um curto, mas apresenta uma pequena resistncia, chamada
de resistncia de conduo (Ron). Esta resistncia a responsvel pela queda de tenso em conduo
da chave. Alm disso, existe uma mxima corrente que pode passar pela chave, a partir da qual ela
danifica-se.
Finalmente, a mudana de estado de uma chave real no instantnea, podendo demorar de
nanosegundos a milisegundos. O tempo que ela leva para se abrir chamado de trr (tempo de
recuperao reversa) e, em geral, o mais lento da chave. Genericamente, o tempo que a chave leva
para mudar de estado chamado de tempo de chaveamento.
Quando comparada com uma chave mecnica , uma chave eletrnica apresenta vantagens e
desvantagens.
Vantagens:
No apresenta desgastes
Dissipa potncia ao conduzir, necessitando de dissipador.
No apresenta arco voltaico
Velocidade de comutao muito alta
Desvantagens:
Apresenta uma pequena queda de tenso pois tem uma pequena resistncia ao conduzir.
Apresenta uma pequena corrente de fuga (nA) quando aberta.
Dissipa potncia ao conduzir, necessitando de dissipador.
A tabela 1 mostra, para os principais dispositivos, estes parmetros aqui vistos. A figura 1
mostra, de acordo com os parmetros vistos, o campo de aplicao dos principais dispositivos.

9
Tabela 1- Limites de Operao para os principais tipos de semicondutores
Figura 1- Aplicaes dos Dispositivos de Potncia (Cortesia da Powerex, Inc.)

10
CLASSIFICAO DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA.

Os dispositivos semicondutores de potncia podem ser classificados sob vrios aspectos:
1) Controlabilidade da entrada em conduo ou desligamento.
Neste caso os dispositivos se dividem em controlveis ou no. Por exemplo, um diodo no
controlvel nem na entrada em conduo, nem no desligamento. Um SCR controlvel na entrada em
conduo, mas no no desligamento. Um transistor ou um GTO controlvel sob os dois aspectos.
2) Necessidade de sinal contnuo de disparo.
Esta classificao divide os dispositivos em disparveis por pulso (por exemplo, os tiristores) e
os que necessitam de um sinal contnuo para permanecer conduzindo (por exemplo, transistores
bipolares, MOSFETs, IGBTs, etc.).
3) Capacidade de bloquear tenses reversas.
Alguns componentes conseguem bloquear altas tenses quando reversamente polarizados (por
exemplo, SCRs, GTOs, etc) e outros no (transistores bipolares, MOSFETs, etc).
4) Capacidade de conduzir corrente nos dois sentidos.
Podemos classificar os dispositivos em bidirecionais, ou seja, aqueles que permitem a passagem
de corrente nos dois sentidos (por exemplo, o TRIAC) e aqueles unidirecionais (por exemplo, SCR,
transistor bipolar, GTO, etc). Alguns dispositivos, como o MOSFET, apesar de permitirem a passagem
de corrente em ambos os sentidos, em apenas um deles ela controlvel, sendo, portanto, considerado
unidirecional.
CARACTERSTICAS ESTTICAS DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA.

Os principais dispositivos empregados em eletrnica de potncia tm evoludo
consideravelmente nos ltimos anos. Cada vez mais tem se desenvolvido dispositivos para processar
mais potncia, como pode se verificar na figura abaixo (extrado de Mohan, 2002).

11
Figura 2 - Semicondutores de potencia disponveis no mercado em funo da corrente tenso e frequncia de

operao
Figura 3 - Caractersticas gerais dos Semicondutores de Potncia.

12
Figura 4 - Caractersticas e smbolos de alguns dispositivos de potncia
O maior desafio no projeto de semicondutores de potncia obter altas tenses de bloqueio com
baixas quedas diretas quanto em conduo. Outro desafio que aqueles dispositivos semicondutores
que apresentam altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas resultam tempos de comutao
significativos. A tenso mxima de bloqueio de uma juno p-n e a sua regio de depleo so uma
funo do grau de dopagem. Para obter altas tenses de bloqueio necessrio reduzir a dopagem, e
assim aumentar a resistividade. Por outro lado, essa regio de alta resistividade contribui
significativamente para resistncia de conduo do diapositivo. Assim dispositivos de alta tenso
apresentam maiores resistncias de conduo do que dispositivos de baixa tenso. Em dispositivos de
portadores majoritrios, por exemplo, os MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito responsvel

13
pela dependncia da queda direta ou sua resistncia de conduo com a tenso mxima de bloqueio.
Por outro lado, e dispositivos de portadores minoritrios, diodo de difuso, BJT , IGBT, SCR,GTO e
MCT outro fenmeno chamado de modulao de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de
portadores minoritrios encontra-se em conduo portadores minoritrios so injetados na regio de
baixa dopagem atravs da juno que est diretamente polarizada. A elevada concentrao de
portadores minoritrios na regio de alta resistividade reduz a resistncia aparente da juno p-n
durante a conduo. Devido a esse fenmeno os dispositivos de portadores minoritrios apresentam
uma menor resistncia se comprado com os dispositivos de portadores majoritrios.
Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritrios de reduzir a
resistncia de conduo traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutao. O estado de
conduo de qualquer semicondutor controlado pela presena ou ausncia de algumas cargas dentro
do dispositivo, e os tempos de entrada em conduo e bloqueio so uma funo do tempo necessrio
para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas que controlam o estado de
conduo de dispositivos de portadores minoritrios muito maior que as cargas necessrias para
controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritrios.
Apresas dos mecanismos de insero e remoo das cargas de controle dos diferentes
dispositivos, (BJT, IGBT, MOSFET, DIODO, etc.) serem diferentes, verdade que, devido maior
quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritrios, esses apresentam tempos de
comutao significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritrios. Com uma
conseqncia dispositivos de portadores majoritrios so usualmente utilizados em aplicaes de
baixas tenses e alta freqncia, dispositivos de portadores minoritrios em altas tenses e alta
potncia. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas aplicaes tpicas.
Figura 5 - Semicondutores de potncia em diferents aplicaes

14
DIODOS
O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado determinado
pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer ao que possamos
tomar. Apresenta as seguintes caractersticas:
um dispositivo no-controlado (comuta somente espontaneamente);
Conduz quando diretamente polarizado (Vak>0) e bloqueia quando i<0;
Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo (VF ~ 1V);
No so facilmente operados em paralelo, devido aos seus coeficientes trmicos de conduo serem
negativos. Ou seja, quanto maior temperatura menor a queda direta.
Pode conduzir reversamente durante um tempo trr, que especificado pelo fabricante.
Idealmente, um dodo ir conduzir corrente no sentido definido pela seta no smbolo e age como
circuito aberto para qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto.
Simbologia do diodo
Curva caracterstica ideal
Curva caracterstica real

Observa-se que existe uma tenso mxima reversa de bloqueio Vrated, a partir da qual o diodo entra
em avalanche, o qual leva o componente sua distruio.
Estados de (a) conduo polarizao direta e (b) no-conduo polarizao reversa do diodo
ideal determinados pela polarizao aplicada
DIODOS DE USO GERAL
Estes diodos so os mais comuns no mercado, e tambm so conhecidos com line-frequency
diodes ou standard recovery diodes. So os diodos que foram desenvolvidos para operar em

15
freqncias muito baixas, geralmente menor que 1kHz.. Possuem baixa queda em conduo, desta
forma estes diodos esto aptos para operar at vrios kV de tenso e kA de corrente. Como o tempo de
recuperao desses dispositivos elevado (dezenas ou centenas de micro-segundos), estes dispositivos
no so indicados para operarem em altas freqncias.
DIODOS RPIDOS
Diodos rpidos possuem tempos de recuperao trr da ordem de, no mximo, poucos micro-
segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da
corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j
estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas
associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram
desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os
picos de tenso gerados.
Os diodos rpidos so dispositivos projetados para o uso em aplicaes envolvendo alta
freqncia, onde um pequeno tempo de recuperao necessrio. Em elevados nveis de potncia, os
diodos rpidos possuem trr de poucos microssegundos ou at ns, alm disso, esta classe de diodo
possui baixa queda em conduo direta.
DIODOS ULTRA-RPIDOS
uma famlia melhorada dos diodos rpidos. So semelhantes aos diodos rpidos em termos de
queda em conduo, porm possuem menor tempo de recuperao. Como recuperao ocorre de forma
suave, possvel reduzir ou mesmo eliminar o uso de snubbers na maioria das aplicaes. Sendo um
dispositivo de portadores minoritrios, sua queda em conduo pequena, de tal forma que pode ser
aplicado em altas tenses de bloqueio. muito empregado em fontes chaveadas de alta freqncia de
alta eficincia, nos quais se incluem aqueles que operaram com comutao ZVS e ZCS.
Para ilustrar, mostramos os diferentes comportamentos dos diodos durante as comutaes:
DIODOS SCHOTTKY
So dispositivos basicamente de portadores majoritrios, usados quando necessria uma queda
de conduo direta pequena em circuitos com baixa tenso de sada. Possuem baixos tempos de
recuperao, podendo operar em altas freqncias.
Estes diodos possuem uma queda de tenso em conduo muito baixa, tipicamente de 0,3V.
Entretanto, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V, sendo difcil de serem
encontrados diodos Schottky para tenses reversas maiores que 45V. Alm disso, as correntes de fuga
16
reversas so altas se comparveis aos diodos por juno P-N. Note que, diferentemente dos diodos
convencionais (mostrado em uma figura anterior), assim que a corrente se inverte a tenso comea a
crescer, o que indica que esse dispositivo no possui portadores minoritrios.
A aplicao deste dos diodos do tipo Schottky ocorre principalmente em fontes de baixa tenso,
nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. As duas caractersticas do diodo Schottky
que fazem ele ser um ganhador no mercado se comparado com retificadores de juno PN em
aplicaes de fontes chaveadas a sua queda direta baixa e ausncia de recuperao reversa devido a
portadores minoritrios. A ausncia de portadores minoritrios significa uma reduo significativa das
perdas de comutao. Talvez no menos importante, o as oscilaes de tenso quando do bloqueio
que so menores se comparadas com aquelas dos diodos de juno PN, fazendo com que os circuitos
Snubbers sejam menores e menos dissipativos ou mesmo desnecessrios. A queda de tenso menor dos
diodos Schottky, se comparadas com as dos diodos de Juno PN, resulta em um maior rendimento e
menores dissipadores.
CIRCUITO EQUIVALENTE
Para a maioria das aplicaes, a resistncia rav suficientemente pequena para ser desprezada
em comparao aos outros elementos do circuito.
Circuito equivalente simplificado para o diodo semicondutor de silcio

17
APLICAO DO DIODO
Em geral, um diodo esta ligado se a corrente estabelecida pelas fontes tal que sua direo
esta no mesmo sentido que a seta do smbolo do diodo e VD > 0,7V para o silcio VD > 0,3V para o
germnico.
Para cada configurao, substitua mentalmente os diodos por elementos resistivos e note a
direo resultante da corrente como sendo resultado das tenses aplicadas. Se a direo resultante esta
no mesmo sentido que a seta do smbolo do diodo, a conduo ser estabelecida atravs do diodo, e o
dispositivo esta no estado ligado. Em seguida, caso ele esteja conduzindo, substitua-o por seu modelo
equivalente. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se, comportando-se como circuito
aberto.
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo1: Determinar I, V1, V2 e V0 para a configurao abaixo. As fontes so desenhadas, e o
sentdio da corrente indicado. O diodo esta conduzindo, e a notao utilizada includa para indicar
este estado.

18
Notao
Exemplo 2: Determinar I1, I2 e ID2, para o circuito abaixo.
Exemplo 3 Seja o circuito da Figura 0.10, determine os etapas de operao, bem como as
principais formas de ondas do circuito. Considere que os parmetros da Tabela I
19
V
R
VB
U
O circuito apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo
e bloqueado.
Etapa 1 . Durao q1 <wt< q2: Em wt=q1 a tenso sobre o diodo, vak, tornasse positiva levando o
diodo entrar em conduo. As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa
etapa so:
vak = 0 V
iD =(v-vB )/ R
vR = v
O ngulo q1 pode ser obtido a partir do instante que a tenso sobre o diodo torna-se zero
Por outro lado ngulos q2 pode ser obtido do instante que a corrente sobre o diodo passa por
zero, ou seja:
Etapa 2 . Durao q2 <wt< 2 p+q1. : Em wt =q2 a corrente no diodo , iD, torna-se negativa, devido a v torna-
se menor que vB, levando o diodo entrar em bloqueio. As principais equaes que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa so:
vak = v-vB
iD =0
vR = vB

20
Tenso da fonte
350
[V]
175
-175
-350
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :V
Tenso no diodo
50
[V]
-50
-150
-250
-350
-450
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :V -VR
Tenso Vr+Vb (vermelho) e Tenso no resistor (verde)
400
[V]
300
200
100
-100
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :VR v :VB -VR
factors: 1 1 -1
offsets: 0,00E+00 0,00E+000,00E+00
Exemplo 2: Seja o circuito da Figura abaixo, determine os etapas de operao, bem como as principais
formas de ondas do circuito.
V
R
v =V sin(wt)

21
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no
indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de
conduo do diodo.
Etapa 1 . Durao 0 <wt< q1: Em wt = 0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se positiva levando o diodo
entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura (a) a seguir. As equaes que
descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
O final dessa etapa ocorre em wt= q1 quando a corrente torna-se zero. Logo q1 pode ser obtido da soluo
da seguinte equao para q1
Solucionando numericamente a equao acima temos

22
Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva a0 a durao da etapa 1 estendem-
se no semi-ciclo negativo da rede, por outro lado quando a carga torna-se mais resistiva a a durao da
primeira etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Durao q1 <wt< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a corrente no circuito zero. A
seguir so mostrados resultados de simulao para ilustrar o comportamento do circuito
35.0
17.5
0.0
-17.5
-35.0
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :V c:VL -
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
Tenso da rede, v/10,(vermelho) e corrente na carga (A) (verde)
50
25
-25
-50
0.10 7.08 14.06 21.04 28.02 [ms] 35.00
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :VR c:VL -
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+000,00E+00
Tenso na Carga / 10 (vermelho), e corrente de carga (verde).

23
20
-8
-22
-36
-50
0.10 7.08 14.06 21.04 28.02 [ms] 35.00
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :V -VR c:V -VR
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
Tenso sobre diodo vak /10 (vermelho) e corrente no diodo (verde).
RESUMO
t
A corrente no diodo reverte por um tempo de recuperao reversa rr . Em muitos circuitos, a
corrente de recuperao reversa no afeta a caracterstica do conversor e o diodo pode ser considerado
ideal.
Tipos de diodos
Schottky
Baixa queda de tenso (0,3V) e baixa tenso reversa de bloqueio (100V).
De rpida recuperao
Pequeno
t rr (poucos ms na faixa de centenas de volts e centenas de ampres).
De freqncia da rede
Baixa queda de tenso e grande

t rr .
Tenso reversa de bloqueio de vrios kV e corrente nominal de vrios kA.

24
TRANSISTOR BIPOLAR
O princpio do transistor poder controlar a corrente. constitudo por duas junes PN
(juno base-emissor e juno base-colector) de material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs
terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C)
N Material semicondutor com excesso de electres livres

P Material semicondutor com excesso de lacunas
A seta do smbolo define o sentido de conduo da corrente. Para que o transstor bipolar
conduza necessrio que seja aplicada na Base uma corrente mnima (VBE 0,7 Volt), caso contrrio
no haver passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transstor conduz e pode amplificar a corrente
que passa do emissor para o colector.
Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente

de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

25
Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e

vice-versa.
A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variao de
IB provoca uma grande variao de IC, isto significa que a variao de corrente de
coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base.
O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja
considerado um dispositivo ativo.
Este efeito de amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente
pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de base , isto :
TENSES E CORRENTES NOS TRANSISTORES NPN E PNP

26
VCE Tenso colector - emissor

VBE Tenso base emissor
VCB Tenso colector - base
IC Corrente de colector
IB Corrente de base
IE Corrente de emissor
VRE Tenso na resistncia de emissor

VRC Tenso na resistncia de colector
Rc
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao
Rb das correntes num transstor bipolar
IC
IB
IE = I C + I B
IE
Caracterstica Idealizada
Smbolo
Caracterstica i x v

27
CONFIGURAES BSICAS
Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor
comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal comum a entrada e a
sada do circuito.
Configurao BC
Ganho de corrente menor que 1
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
No ocorre inverso de fase
Configurao CC
Ganho de tenso menor que 1
Ganho de corrente elevado;
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada alta
Impedncia de sada baixa
No ocorre a inverso de fase.
Configurao EC
Ganho de tenso elevado
Ganho de corrente elevado
Ganho de potncia elevado
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
Ocorre a inverso de fase.
Esta configurao a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos

parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como referncia a configurao
emissor comum. Podemos trabalhar com a chamada curva caracterstica de entrada. Nesta curva, para
cada valor constante de VCE, variando-se a tenso de entrada VBE, obtm-se uma corrente de entrada IB,
resultando num grfico com o seguinte aspecto.

28
Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso entre a base e o
emissor. Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se
uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.
Atravs desta curva, podemos definir trs estados do transistor, o CORTE, a SATURAO e a
DATIVA
CORTE: IC = 0
SATURAO: VCE = 0
ACTIVA: Regio entre o corte e a saturao.
Para a configurao EC a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada determina o
ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio).
O ganho de corrente b no constante, valores tpicos so de 50 a 900.

29
POLARIZAO DE TRANSISTORES
Para o transstor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC.
Para o transstor estar correctamente polarizado a juno PN base emissor deve ser polarizada
directamente e a juno base colector deve ser polarizada inversamente.
Regra prtica:
O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui.
Emissor Base Colector Emissor Base Colector
P N P N P N
+ - - - + +
_ +
Rc
Rc
Rb Resistncia de polarizao de base
Rb Rb
Rc Resistncia de colector ou resistncia de carga
+ _
PONTO DE OPERAO (QUIESCENTE)

Os transistores so utilizados como elementos de amplificao de corrente e tenso, ou como
elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicaes, o transistor deve estar
polarizado corretamente.
Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, dentro de suas
curvas caractersticas. Tambm chamado de polarizao DC, este ponto de operao (ou quiescente)
pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou altiva da curva caracterstica de sada.
Os pontos QA, QB e QC da figura a seguir caracterizam as trs regies citadas.
QA: Regio ativa
QB: Regio de saturao
QC: Regio de corte

30
A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos de operao possveis para uma
determinada polarizao. Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.
Desta forma, quando operando na regio ativa ou regio de amplificao o transistor opera
como amplificador, isto , existe linearidade entre as suas correntes valendo a seguinte relao
IC = b.IB, isto , a corrente de coletor diretamente proporcional corrente de base, se IB dobrar de
valor IC tambm dobra. A constante de proporcionalidade b (beta) um dos parmetros do transistor
muitas vezes encontrado nos manuais como hFE, sendo que o seu valor no o mesmo para um
determinado tipo de transistor podendo variar numa razo de 1:5 para um mesmo tipo de transistor.
Na regio de corte todas as correntes so aproximadamente nulas (nA para transistor de S e mA

para transistor de Ge) e o transistor comportar como uma chave aberta.
Para cortar um transistor basta fazer VBE 0 para transistor de S ou VBE -0,4V para
transistor de Ge (caso orientao em contrrio neste livro usaremos sempre transistor de S ). A figura a
seguir mostra um transistor polarizado no corte e o modelo equivalente simplificado (chave aberta).
31
Quando saturado o transistor simula um chave fechada. A corrente de coletor constante

valendo a seguinte relao entre IC e IB em um transistor saturado: IC b.IB.
Para saturar um transistor a corrente de base deve ser maior ou pelo menos igual um
determinado valor especificado pelas curvas caractersticas de coletor. A figura abaixo mostra um
transistor saturado e o circuito equivalente (chave fechada).
Para compreenderemos melhor como um transistor passa do corte para a saturao ou vice-
versa, consideremos a configurao emissor comum e as curvas caractersticas de coletor mostradas na
figura a seguir.
Inicialmente com VBB = 0 e como IB = (VBB - VBE)/RB @ VBB/RB o transistor estar

cortado, isto , IB= 0 e IC = 0 o ponto de operao estar localizado abaixo da reta de carga, e nestas
condies VCE = VCC o transistor se comportar como uma chave aberta, existir apenas uma
pequena corrente de fuga da ordem de nA, caso o transistor seja de S. Aumentando VBB,
aumentaremos IB ( no esquea IB = VBB/RB) e o transistor entra na regio ativa, onde IC = b.IB.
Se IB aumentar, IC aumenta na mesma proporo, porm existe um valor de IB para o qual um

32
aumento adicional em IB no provocar aumento em IC, dizemos que o transistor saturou.. A saturao
, portanto caracterizada por IC b.IB, onde
IC =VCC/RC a corrente de coletor na saturao (estamos admitindo que VCE = 0). Para
saturar deve ser observada a condio B IC/b=VCC/b.RC. Como j foi dito, na prtica, o valor de b
pode variar muito de transistor para transistor, de um mnimo (bmin) at um mximo (bMx), para
garantir a saturao do transistor devemos usar o bmin.
CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES

Pequenos Sinais
Baixas Frequncias
Uso Geral Correntes IC entre 20 e 500mA
Tenso mxima entre 10 e 80 V
Frequncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz
Correntes elevadas
Baixas frequncias
Potncia Correntes IC inferior a 15A
Frequncia de transio entre
Uso de radiadores de calor
Pequenos sinais
Frequncia elevada
RF Correntes IC inferior a 200mA
Tenso mxima entre 10 e 30V;
Frequncia de transio em 1,5 GHz

33
CARACTERSTICAS TCNICAS
Utilizando o cdigo alfanumrico do transstor podem-se obter as suas

caractersticas tcnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
IC a mxima corrente de colector que o transstor pode suportar. Se
este parmetro for excedido o componente poder queimar.
VCEO Tenso mxima colector emissor com a base aberta.
VCBO Tenso mxima colector base com o emissor aberto.
VEBO Tenso mxima emissor base com o colector aberto.
hFE ou b Ganho ou factor de amplificao do transstor.
hFE = IC : IB
Pd Potncia mxima de dissipao.
fT Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transstor
1 ou seja, o transstor no amplifica mais a corrente).
Exemplo 1: Dada a curva caracterstica do dispositivo, determinar VCC, RB e RC para a configurao
indicada
Da reta de carga, tem-se:

34
Valores comerciais de resistores:

RC = 2,4kW
RB = 2,4kW
Utilizando os valores comerciais resulta em:
IB = 41,1 A (que esta dentro da faixa de tolerncia de 5% do valor especificado)
Exemplo 2: Dada que ICQ = 2mA e VCEQ = 10V, determine R1 e RC para o circuito abaixo

35
Os valores comerciais mais prximos a R1 so 82kW e 91 kW. Entretanto, utilizando a

combinao srie dos valores comerciais 82kW e 4,7kW = 86,7kW resulta em um valor muito prximo
ao valor de projeto.
Exemplo 3: calcular R4 e R3 no circuito para que o transistor sature com IC = 10mA. Considerar
transistor de Si com bmin = 100 , VBesat = 0,7V e VCesat = 0.
Soluo: ICsat = 10mA =VCC/RC logo R3 =12V/10mA =1K2
Para saturar IB ICsat / bmin = 10mA /100 = 0,1mA adotando IB = 0,2mA e como
R4 = (VBB - VBE)/IB = (5 0,7)/0,2mA = 21,5K adotamos o valor comercial imediatamente abaixo
(aumenta mais ainda a garantia se saturao ) no caso R4 = 18K.
Exemplo 2: Dimensionar R2 para o transistor acionar o rel . Dados: Rel 12V/40mA bmin =100
VBesat= 0,7V.
Soluo: ICsat = 40mA para saturar o transistor IB ICsat/ bmin = 40mA/100 = 0,4mA.

36
Por outro lado R2 (12 0,7)/0,4 = 11,3V/0,4mA = 28,25K e para dar uma garantia adicional
adotamos R2 = 15K.
Obs: a finalidade do diodo em paralelo com a bobina do diodo eliminar a fcem gerada na bobina
quando o transistor corta.
RESUMO
Corrente de base necessria para conduo plena

IC
IB >
hFE
onde hFE o ganho de corrente CC do dispositivo

O ganho de corrente CC usualmente de 5 a 10 em transistores de potncia

37
Configurao Darlington
Caractersticas
Tempo de chaveamento tpico na faixa de poucas centenas de ns
Correntes de centenas de ampres, tenses de bloqueio de at 1,4kV
Coeficiente de temperatura da resistncia de conduo negativo
TIRISTORES
O tiristor conhecido tambm como SCR ( silicon-controlled rectifier ) um retificador de silcio
que funciona essencialmente como um interruptor esttico unidireccional, isto , abre ou fecha um
circuito atravs da aplicao de uma pequena tenso num dos seus terminais, no possuindo por isso
qualquer contato mecnico, o que tem como vantagem um grande aumento do seu tempo de vida til.
Utiliza-se fundamentalmente no controlo de potncia, quer em circuitos de corrente contnua quer de
corrente alternada.
Permite no s retificar uma corrente alternada mas tambm controlar a corrente que passa por
ele e pela carga ligada em srie com ele.

38
SIMBOLOGIA E PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
Como pode ser visto, o SCR assemelha-se a um diodo com um terminal de controle. Como um
dodo, s conduz corrente no sentido do nodo para o ctodo, mas apenas quando lhe aplicamos um
sinal de tenso no terminal chamado GATE. Na figura seguinte podemos ver um esquema que
representa o seu circuito equivalente.
O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a familia, o diodo de
quatro camadas ou diodo Shockley ( no confundir com o diodo Schottky, diodo com duas camadas e
usado para altas freqncias). As figuras a seguir mostram a estrutura e curva caracterstica.

39
Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando altssima
resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (UBK) o diodo ser destrudo. Com
polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a tenso for menor do que um valor
chamado de tenso de breakover (UBO). Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir,
somente voltando a cortar quando a tenso (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de
tenso (corrente) de manuteno, UH (IH).
Qualquer mecanismo que provoque um aumento interno de corrente pode disparar a estrutura de
4 camadas, dentre eles temos:
Aumento de temperatura
Incidencia de radiao luminosa (LASCR)
Taxa de variao de tenso (dv/dt)
Injeo de corrente
O tiristor pode mudar de estado de conduo com aplicao de um pulso de corrente na porta
(gate) quando a tenso vak for positiva. Uma vez em conduo, ele continua em conduo mesmo que
corrente de gate seja removida. Neste estado o tiristor comporta-se como um diodo. Somente quando a
corrente IA, que governada pelo circuito externo, torna-se negativa que o tiristor retorna ao estado
bloqueado.
(a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um tiristor
O nodo dever estar positivo em relao ao ctodo. Se no enviarmos qualquer sinal de GATE
ao SCR, este permanecer bloqueado pois nenhum dos transistores estar em conduo. Enviando um
curto impulso de tenso entre a GATE e o CTODO o transistor T1 receber na sua base uma corrente
que ser amplificada vezes no coletor. Esta corrente de coletor colocar o transistor T2 em conduo.
Por sua vez a conduo de T2 (corrente no coletor, IC2) far com que exista corrente na base de T1
mantendo-o em conduo.

40
De notar que se o SCR estiver inversamente polarizado, no entrar em conduo de forma

alguma pois a corrente no poder contrariar o sentido das correntes dos transistores.
REGIES DE OPERAO
Um SCR basicamente um diodo de 4 camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro
eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeo de corrente.
O SCR tem trs regies de operao, consideradas a seguir, com IG = 0 :
Bloqueio Reverso: O anodo negativo em relao ao catodo, nessas condies o SCR se comporta
exatamente como um diodo comum. Se a tenso reversa aumentar alm da da tenso de breakdown
(UBK ), o SCR ser destrudo pelo efeito avalanche.

41
Bloqueio Direto: O anodo positivo em relao ao catodo, mas a tenso no suficiente para disparar
o SCR. Para disparar o SCR com o gate aberto (IG = 0 ) necessrio que a tenso de anodo atinja um
valor chamado de tenso de breakover (UBO ). Se UA for menor do que UBO o SCR continuar cortado.
Conduo (Disparo): Quando a tenso de anodo atingir o valor UBO, o SCR dispara, isto , a corrente
de anodo passa bruscamente de zero para um valor determinado pela resistncia em srie com o SCR.
A tenso no SCR cai para um valor baixo (0,5V a 2V).
Fig6: SCR polarizado diretamente aps o disparo
Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A tenso de
anodo cai para um valor baixo ( 0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar quando a tenso (corrente) cair
abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH) cujo valor depende do tipo
de SCR (Por exemplo o TIC106 tem IH@ 0,5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de 4 camadas pode ser representado por dois transistores
ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro eletrodo, a porta,
poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de 4 camadas para valores de tenso
menores do que UBO. Na realidade quanto maior for a corrente injetada menor a tenso de anodo
42
necessria para disparar a estrutura de 4 camadas, da o nome de Diodo controlado para esse
dispositivo.
Se for injetado uma corrente na porta (gate), ser possvel disparar o SCR com tenses de anodo
bem menores do que UBO. Quanto maior a corrente de porta injetada, menor a tenso de anodo
necessria para disparar o SCR, dai o nome diodo controlado.
Aps o disparo o gate perde o controle o sobre o SCR, isto , aps o disparo o gate pode ser
aberto ou curto circuitado ao catodo que o SCR continua conduzindo. O SCR s volta ao corte quando
a corrente de anodo cair abaixo da corrente de manuteno.
A tenso mxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no sentido direto com IG = 0
como vimos chamada de UBO, mas muitas vezes designada de VDRM esta informao muitas
vezes vem codificada no corpo do SCR, por exemplo :
TIC 106 Y - 30V MCR 106-1 - 30V
TIC 106 F - 50V MCR 106-2 - 60V
TIC 106 A - 100V MCR 106-3 - 100V
TIC 106 B - 200V MCR 106 4 200V
TIC 106 C - 300V MCR 106 5 - 300V
TIC 106 D 400V MCR 106 6 - 400V

Outra informao importante a mxima tenso reversa que pode ser aplicada sem que ocorra
breakdown, designada por VRRM, tipicamente da mesma ordem de VDRM. Os valores de corrente
tambm devem ser conhecidos, IT, a mxima corrente que o SCR pode manipular e pode ser
especificada em termos de valor continuo ou eficaz (RMS) e depende da temperatura e do ngulo de
conduo (qF). Por exempo, o TIC 106 pode conduzir uma corrente continua de at 5A.
A corrente de gate necessria para disparar o SCR designada IGT e pode ser da ordem de mA
no caso do TIC 106.

43
CARACTERSTICA TENSO - CORRENTE

A caracterstica U/I de um SCR traa-se dando valores de tenso entre o nodo e o ctodo e
registrando a evoluo dos valores da corrente que atravessam o SCR. O SCR tanto pode estar
diretamente como inversamente polarizado, sendo o seu comportamento completamente distinto numa
e noutra situao. Assim vamos analisar a caracterstica U/I do SCR dividida em duas:
CARACTERSTICA DIRETA VAK 0 V
CARACTERSTICA INVERSA VAK < 0 V
Com o interruptor do circuito da gate aberto, verifica-se que, para baixas tenses nodo-ctodo,
designadas por VD, o SCR conduz apenas uma pequena corrente, ID, chamada corrente de fugas.
Continuando a aumentar o valor de VF, a corrente ID mantm-se praticamente constante,
conforme se v no grfico. S quando alcana um determinado valor de VD que o SCR entra em
conduo e observamos ento que circula uma corrente ID elevada, limitada apenas pela resistncia de
carga, RS. A tenso aos terminais do SCR cai para valores muito baixos. Ao valor da tenso que
colocou o SCR em conduo sem necessitar de impulso de gate chama-se TENSO DE RUPTURA
NO SENTIDO DIRECTO e designa-se por VBO
Podemos ainda observar que para um grande aumento de ID o valor de VD aumenta
ligeiramente, mantendo-se baixo (cerca de 1,4 V).
IH a mnima corrente necessria que deve circular no SCR para que este, estando em
conduo, no passe ao estado de bloqueio. IL a corrente mnima necessria que se estabelece no
circuito no instante que o SCR vai passar de bloqueado a condutor. Esta corrente normalmente
superior a IH.
MTODOS DE CONTROLE DE POTNCIA ENTREGUE CARGA

Disparo sncrono ou disparo a tenso nula
O disparo do tiristor produz-se neste sistema de controle de potncia entregue carga, quando a
tenso nodo ctodo est a zero (da disparo a tenso nula).
A carga e o tirstor esto ligados em srie com a alimentao da corrente alternada e s pode
passar corrente na carga durante os semicclos em que o nodo positivo em, relao ao ctodo e na
porta (ou gate) se aplica um impulso positivo de corrente. O impulso na gate (ou porta) controla o
perodo de conduo do tirstor.
Se na porta se aplicarem impulsos positivos de corrente que coincidam com o incio de cada
semicclo positivo, o tirstor conduzir todos os semicclos positivos

44
Controlo de fase
Enquanto que no disparo sncrono os impulsos de corrente aplicados na porta coincidem com o
incio de todos ou de alguns dos semicclos positivos, no controlo de fase os impulsos da corrente de
disparo tm lugar dentro de cada semiciclo positivo da tenso de alimentao.
O ngulo a para o qual se inicia a conduo designa-se por ngulo de disparo, enquanto o ngulo q
durante o qual o tirstor se encontra conduo denomina-se de ngulo de conduo.
Disparo por CC - Carga CA

Como foi visto anteriormente, quando o disparo em CC com carga CC , necessrio circuito
de reset para cortar o SCR, ao mesmo tempo no necessrio manter corrente no gate. Quando o
disparo por corrente contnua (CC) mas a carga CA, para manter o SCR conduzindo necessrio

45
manter sinal no gate, pois se o sinal de gate for retirado, o SCR cortar quando a tenso de anodo
passar por zero. A figura (a) abaixo mostra um circuito com disparo CC e carga CA e a figura (b) a
forma de onda na carga quando a chave CH fechada num instante t1 e aberta em t2.
(a)
(b)
No circuito da figura (a) podemos observar que, ao fechar a chave o SCR s disparar se a
tenso de anodo for positiva. A partir desse instante toda a tenso da rede cair sobre a carga e a tenso
no SCR ser de aproximadamente 1V. Se a carga for resistiva podem ocorrer picos de corrente
excessivamente altos os quais podem destruir o SCR e/ou a carga. Para evitar isso que existem
circuitos que s disparam o SCR quando a tenso da rede for prxima de zero, chamados de ZVS (
Zero Voltage Switch ).
Disparo CA - Carga CA - Retificador Controlado Meia Onda

No disparo por CA a alimentao de anodo e de gate obtida da mesma fonte senoidal. O
controle de disparo feito controlando-se o instante (ou o ngulo de disparo) em que o SCR gatilhado
no semi-ciclo positivo. Para melhor compreenso vamos supor que o SCR da figura abaixo entra em
conduo no instante que a tenso de entrada estiver passando por um angulo de fase qF, chamado de
ngulo de disparo. A conduo comea nesse ponto e termina quando a tenso de anodo cair abaixo da
tenso de manuteno, UH, que consideraremos desprezvel face tenso de pico da rede, VM.A figura
(b) a seguir mostra as principais formas de onda.

46
(a)
(b)
A tenso na carga tem um valor mdio (V DC) e um valor eficaz (V RMS) que podem ser
calculados usando o calculo diferencial e integral. Atravs do clculo diferencial e integral pode-se
demonstrar que a tenso mdia (contnua ) na carga calculada por :
VDC = = tenso mdia (contnua ) na carga
Fica como exerccio para o aluno a demonstrao.
Obs: A tenso mdia a tenso que ser medida por um voltmetro CC.
Por exemplo se qF = 0 resulta VDC= e a forma de onda corresponde forma de
onda de um retificador meia onda com diodo comum.

47
Se qF = 180 resulta VDC = 0, isto , no existe tenso na carga.
Por clculo integral tambm obtm-se a expresso que d a tem eficaz (VEF ou VRMS) na
carga:
VRMS = = tenso eficaz na carga
Por exemplo se qF = 0 VRMS = que igual ao mesmo valor da tenso
do retificador de meia onda.
Se qF = 180 VRMS = 0
Obs: A tenso eficaz est relacionada potncia dissipada na carga
Exerccio Resolvido
Considere que no circuito da figura (a) acima o ngulo de disparo 60 e que RL=100W. Calcular : a)
Tenso e corrente contnua na carga b) Potncia dissipada na carga
Dados : ve =110, senwt(V)

Soluo: a) qF = 60, cos60 = 0,5 VM =110. senwt(V
logo IDC = 37V/100W =0,37A
= . = 75V
PD = = = 56,25W
Exemplo 1 Determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito.

48
No circuito v =V sin(wt) e os pulsos de corrente de gate para is tiristores T1 e T2 esto em

sincronismos com a rede como mostrado na figura abaixo. Topo: Tenso da Rede; Meio: Pulsos para
gerar a corrente de gate do Tiristor 1. Baixo: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 2.
Tenso da fonte (azul). Pulso 1(vermelho). Pulso 2(verde)

3.500
2.625
1.750
0.875
0.000
-0.875
-1.750
-2.625
-3.500
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(file Circuito_com_SCR.pl4; x-var t) t: SCR1 t: SCR2 v:V
factors: 1 1 1 0,01
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a
corrente no indutor em wt = a seja nula. Como possivelmente essa hiptese poder ser violada, vamos
chamar desse modo de operao de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de
operao dependendo do estado de conduo dos tiristores.
Etapa 1 . Durao 0 <wt< a. Em wt = 0 a tenso sobre o tiristor T1, vak1, torna-se positiva. Entretanto
como no h pulso de corrente no gate o tiristor opera com um circuito aberto. O circuito equivalente
mostrado na Figura abaixo. Esta etapa finaliza em wt=a com a entrada em conduo de T1.

49
Etapa 2 . Durao a <wt< q1. Em wt = a a tenso sobre o tiristor T1, vak1, positiva e este recebe um
pulos de corrente no gate, entrando assim em conduo. O circuito equivalente mostrado na Figura
abaixo.

50

51
Note que se q'1 for maior que 180 a hiptese inicial que a corrente no indutor nula em wt
= a no mais vlida. Neste caso, o circuito passa a operar em um outro modo de operao, aqui
denominado de Modo 2 de operao.

52
Formas de onda do gradador. V=311 V, w=377 rad/s; R =10 W, L = 100mH. (a) Tenso da rede,
v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo
vak /10 e corrente no diodo. e d = 0,265

53
RESUMO

54
Disparo
O tiristor ligado por aplicao de corrente de gatilho positiva.
Conduo
Queda de tenso de 1 a 3V (depende da tenso de bloqueio).
Uma vez conduzindo, a corrente de gatilho pode ser removida.
Bloqueio
O tiristor no pode ser desligado pelo gatilho (conduz como um diodo).
Em polarizao reversa, apenas uma corrente desprezvel flui no tiristor.
Exemplo

55
Tiristor ideal
Quando a corrente no tiristor tenta reverter, ela se torna zero imediatamente.
Tiristor real
A corrente no tiristor reverte antes de se tornar zero.
Tempo t q : passagem por zero da corrente at a passagem por zero da tenso.
Se uma tenso direta aplicada ao tiristor durante t q , ele pode ligar.
Tipos de tiristores
Tiristores para controle de fase.
Correntes de at 4kA, tenses de bloqueio de at 7kV.
Queda de tenso de 1,5V (dispositivo de 1kV) a 3V (dispositivo de 7kV).
Tiristores para inversor
Correntes de at 1,5kA, tenses de bloqueio de at 2,5kV.
Tempo t q de at 100ms (depende da tenso de bloqueio e da queda de tenso).
Tiristores ativados por luz

Ligados por um pulso de luz guiado por fibra ptica.
Correntes de at 3kA, tenses de bloqueio de at 4kV.
Queda de tenso de 2V e potncia do circuito de gatilho de 5mW.

56
MOSFET
Power FETs ou Power MOSFETS so FETs especiais projetados para conduzir altas correntes
sob regime de altas tenses. Esses FETs so encontrados em muitas aplicaes modernas no controle
de motores, solenoides e outras cargas de alta potncia. A estrutura e o princpio de funcionamento do
mosfet de potncia a mesma dos MOSTFETs comuns exceto pela sua alta capacidade de controle.
Assim, as principais diferenas esto no tamanho da pastilha de material semicondutor de silcio e no
processo de fabricao.
A principal vantagem encontrada no emprego dos MOSFETs em muitas aplicaes est no fato
de que, quando conduzindo eles apresentam uma resistncia extremamente baixa entre o dreno e a
fonte (chamada Rds). Como o dispositivo praticamente no tm resistncia ao conduzir, a quantidade
de calor que ele dissipa mnima. Esse fato permite que ele controle correntes muito intensas
praticamente sem dissipar calor. MOSFETs de potncia comuns podem controlar correntes de dezenas
e at centenas de ampres dissipando um mnimo de calor. Na figura abaixo temos os smbolos
adotados para representar os dois principais tipos de MOSFETs de potncia assim como os aspectos.
O MOSFET um dispositivo controlado pela tenso, como indicado na curva caracterstica

i v apresentada acima. O dispositivo totalmente ligado e se aproxima de uma chave fechada quando
a tenso gate-fonte menor que o valor de referncia, VGS(th).
O MOSFET necessita uma aplicao contnua de uma tenso gate-fonte em um valor
apropriado para manter o dispositivo ligado. Nenhuma corrente circula pelo gate, exceto durante a
transio d condio de ligado para desligado ou vice-versa quado as capacitncias esto carregadas ou
descarregadas. O tempo de mudana de estados so muito rpidos, variando de cerca de dezenas de
nanossegundos at centenas de nanossegundos, dependendo do dispositivo.
Devido a rpida velocidade de chaveamento, as perdas durante o chaveamento podem sem bem
pequenas. A seguir apresnetamos as principais caractersticas dos MOSFET
Dispositivo controlado por tenso
Aplicao contnua de sinal de gatilho para se manter conduzindo
Corrente de gatilho nula, exceto durante bloqueio ou disparo
Tempos de chaveamento tpico na faixa de dezenas de ns: baixas perdas
A resistncia de conduo cresce com a tenso de bloqueio BVDSS
2. 5 - 2. 7
o rDS ( on ) = kBVDSS
o onde k uma constante que depende da geometria do dispositivo.
57
MOSFETs de 300-400V competem com BJTs se a freqncia de chaveamento for

superior a 30kHz
Disponveis para 1000V (baixa corrente) ou at 100A (baixa tenso)
Coeficiente de temperatura da resistncia de conduo positivo
MOSFETS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET) TIPO DEPLEO

O MOFET, como os BJT, um semicondutor totalmente controlado. A caracterstica esttica de
um MOSFET ideal mostrada na figura abaixo. O MOSFET pode conduzir corrente somente em uma
direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente tenses positivas, ou seja, id>0 e vDS>0.
Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vGS, o MOSFET entra em
conduo. Com a remoo da tenso vGS o MOSFET volta ao estado bloqueado.
(a) Smbolo e (b) Caracterstica ideal de um MOSFET.

Um transistor MOSFET (FET com gate a metal-xido-semicondutor) parecido com um JFET,
porm seu terminal de gate isolado do semicondutor por um xido, razo de seu nome, no tendo,
portanto, a juno que caracteriza aquele. Um MOSFET pode ser de dois tipos: depleo ou
crescimento.
A figura abaixo mostra a estrutura e o smbolo de um MOSFET tipo depleo, tanto de canal N
como de canal P. O funcionamento o mesmo para os dois transistores, independentemente do canal.
Apenas as polaridades so invertidas bem como o sentido das correntes. Assim explicaremos apenas o
funcionamento para o transistor canal N. Ele recebe este nome porque o canal, caminho que liga o
source ao dreno, constitudo de cristal tipo N.
O substrato geralmente ligado ao source de modo a polarizar a juno drenosubstrato

reversamente, uma vez que a tenso no dreno positiva em relao ao source. Observe que fazendo

58
isso temos uma juno, ou seja, um diodo, conectado reversamente entre dreno e source. Isso significa
que quando polarizado reversamente (dreno negativo em relao ao source) o MOSFET conduz.
Supondo o MOSFET canal N polarizado diretamente (dreno positivo em relao ao source), se
aplicarmos uma tenso negativa no gate em relao ao source, criado um campo eltrico no gate, que
repele os eltrons do canal, diminuindo sua condutividade, aumentando a resistncia dreno-source. Se
aumentarmos a tenso no gate, chega um ponto em que todo o canal foi extinto e o transistor deixa de
conduzir. Esta tenso chamada de Vp (tenso de pinch-off), da mesma forma que para um JFET.
Alis todo o comportamento descrito at aqui similar ao de um JFET, com a diferena de que, devido
ao xido (que um isolante) a resistncia da gate de um MOSFET ainda maior do que a de um JFET,
sendo sua corrente de gate perfeitamente desprezvel.
Entretanto, diferentemente de um JFET, j que no existe mais a juno do gate, tenses
positivas podem ser aplicadas ao gate em relao ao source. Se fizermos isso, eltrons sero atrados
para o canal, aumentando sua condutividade. Quanto maior a tenso aplicada ao gate, maior a
condutividade do canal e, portanto, menor a resistncia drenosource. A figura abaixo mostra as curvas
caractersticas de um MOSFET tipo depleo canal N. Repare que ela muito parecida com as de um
JFET, podendo, no entanto, trabalhar com Vgs positivo.
MOSFET TIPO CRESCIMENTO

O fato do MOSFET tipo depleo conduzir com Vgs=0 (sem tenso entre gatesource)
indesejvel quando se deseja que o mesmo trabalhe como uma chave, j que o sinal em seu gate teria
de ter valores positivos e negativos. Assim foi desenvolvido um segundo tipo de MOSFET, chamado
de tipo crescimento. A figura abaixo mostra a estrutura e o smbolo para um MOSFET tipo crescimento
tanto para um canal N como para um canal P. Novamente, devido a complementaridade do
funcionamento, explicaes sero dadas apenas para o MOSFET canal N.

59
Primeiramente notamos que o canal agora no mais formado por um cristal N, mas sim por
um acumulo de eltrons dentro do prprio substrato P. Assim, se nenhuma tenso ou se uma tenso
negativa aplicada ao gate em relao ao source, no h a formao do canal e a resistncia dreno-
source muito grande, ou seja, o MOSFET no conduz.
Se aplicarmos agora uma tenso positiva no gate em relao ao source, eltrons so atrados
para a regio prxima ao gate, dando incio formao da canal. Entretanto, enquanto esta tenso no
for maior que um determinado valor, chamado de tenso de limiar (Vt, tenso de threshold), o canal
ainda no consegue ligar o cristal N do dreno ao cristal N do source e o MOSFET no conduz, isto , a
resistncia dreno-source muito alta. A partir deste valor, o canal j est formado e apenas aumenta a
medida que Vgs aumenta, diminuindo cada vez mais a resistncia dreno-source. Este comportamento
mostrado na figura a seguir.
Para que um MOSFET trabalhe como uma chave, basta aplicarmos uma tenso suficientemente
alta entre gate e source, quando desejarmos que ele conduza, e aplicarmos uma tenso nula para que ele
entre no corte. Entretanto, para apressar a descarga de sua capacitncia de gate e, portanto, acelerar seu
desligamento, normalmente aplicada uma tenso Vgs negativa para lev-lo a no conduo.
O nome crescimento vem do fato do canal sempre crescer a medida que polarizamos seu gate.
MOSFETS de potncia so geralmente do tipo crescimento e canal N, devido a sua maior velocidade.
Alis, a rapidez dos MOSFETs sua principal vantagem em relao aos outros componentes. As
principais desvantagens dos MOSFETS so sua resistncia quando em conduo, maior que a dos
transistores bipolares e dos tiristores, e a necessidade de um maior cuidado em seu manuseio, pois
facilmente a sua camada de xido pode se romper. Porm, j existem hoje famlias de dispositivos com
baixa resistncia de conduo e bem mais resistentes ao rompimento de seu xido.

60
MOSFETs, a princpio, no necessitam de corrente em seus gates. Porm, devido a capacitncia

entre o terminal de gate e o semicondutor, inicialmente uma corrente deve ser fornecida de modo a
carregar esta capacitncia (para entrar em conduo) ou descarreg-la (para deixar de conduzir). Assim,
o circuito bsico para acionamento de um MOSFET mostrado na figura abaixo. O resistor R1 tem a
funo de limitar a corrente no gate e seu valor normalmente pequeno (algumas dezenas de ohm) para
que a constante de tempo de carga e descarga da capacitncia de gate seja pequena. A tenso Ve pode
apresentar uma tenso negativa em lugar de uma tenso nula para que mais rapidamente o MOSFET
deixe de conduzir. Quando isso no ocorre, normalmente colocado um diodo em paralelo com R1
para acelerar a descarga da capacitncia de gate.
Exemplo 3 determine as etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito,
assumindo que:

61
O objetivo desse exemplo determinar quais as restries que devem ser satisfeitas para o
circuito opere como as hipteses realizadas. razovel assumir que o circuito apresente uma
freqncia de operao constante devido a natureza da tenso de gate-source, vgs . Ainda, quando vgs
=10 V, o MOSFET conduz e o diodo bloqueado, uma vez que vin >0. O circuito equivalente o
mostrado abaixo, e esta etapa ser chamada de Etapa 1.

62

63

64

65

66

67
GTO
O smbolo e as caractersticas i v em regime permanente para o GTO so mostrados na figura
abaixo.
Todos os tiristores s se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de manuteno, o

que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO permite o desligamento pelo
gate, por pulso negativo de alta corrente, da o nome (Gate Turn Off, desligamento pelo gate).
Assim como o tiristor, o GTO pode ser ligado por um pulso de corrente ao gate de curta
durao, e uma vez ligado, o GTO pode ficar sem nenhuma corrente ao gate. Entretanto, diferente do
tiristor, o GTO pode ser desligado aplicando uma tenso negativa entre o gate-catodo, causando assim
um fluxo considervel de corrente negativa ao gate. Esta corrente negativa ao gate necessita circular
apenas por uns poucos microssegundos, mas tem que tem que ter uma grande magnitude.
Se aplicarmos um impulso positivo na gate o tirstor conduz, se aplicarmos um impulso
negativo na gate o tirstor deixa de conduzir. Todos os tirstores s se desligam quando a corrente cai
abaixo da corrente mnima de manuteno (IH), o que exige em certos casos circuitos especiais para
desligar. O GTO permite ser desligado por impulso negativo de alta corrente na gate, em geral
produzido atravs da descarga de um condensadorEstruturalmente, similar ao SCR, mas a dopagem e
a geometria da camada do gate permite minimizar o sobre-aquecimento durante o desligamento (o que
destruiria um SCR). O desligamento feito em geral atravs de descarga de um capacitor.
O GTO, Gate Turn Off Thyristors, um dispositivo moderno que pode ser desligado pelo gate.
O contato de gate e do catodo so interdigitados, de forma que toda a juno gate-catodo pode ser
reversamente polarizada durante a transio de bloqueio.
O ganho de desligamento do GTO a razo entre a corrente negativa de gate e a corrente
necessria para levar o dispositivo ao bloqueio. Valores tpicos de ganho so de 2 a 5. Isto significa que
vrias centenas de ampares de corrente de gate negativa so necessrios para bloquear um GTO de
1000 A.
A figura abaixo mostra formas de onda tpicas de um GTO.

68
A seguir apresentamos as principais caractersticas dos GTO:

Gatilho por pulso de corrente de curta durao
Uma vez conduzindo, o sinal de disparo pode ser retirado
Pode ser desligado pela aplicao de tenso gatilho-catodo negativa
Corrente negativa necessria dura poucos ms, mas deve ter alto valor
Capacidade de bloqueio de tenso reversa
Devido baixa suportabilidade a dv/dt, no podem desligar correntes indutivas sem um circuito
snubber

69
Queda de tenso tpica sob conduo 2 a 3V

Tempo de chaveamento tpico 25ms
Correntes nominais de poucos kA, tenses nominais de at 4,5kV
Altas tenses e grandes correntes em freqncias de at 10kHz
IGBT
O smbolo e as caractersticas i v para o IGBT so apresentadas a seguir:
Um IGBT (transistor bipolar de gate isolado) um componente que junta as principais

vantagens de um transistor bipolar, um MOSFET e um tiristor. O IGBT possui baixa resistncia de
conduo, como um transistor bipolar. Possui alta velocidade e facilidade de acionamento, como um
70
MOSFET. E pode suportar grandes tenses reversas, como um tiristor. O IGBT tem alta impedncia de
gate, a qual requer apenas uma pequena quantidade de energia para chavear o dispositivo.
O IGBT um dispositivo semicondutor moderno de quatro camadas de gate isolado. Pode-se

notar que o IGBT muito parecido com o MOSFET com relao ao tipo construtivo. A diferena
fundamental a regio p conectada ao coletor do IGBT. A funo da camada p de injetar portadores
minoritrios na regio n- quando o dispositivo opera na regio de conduo.
Quando o IGBT conduz a juno pn- polarizada diretamente e portadores minoritrios so
injetados na regio n- e a resistncia reduzida pelo efeito de modulao de condutividade. Isto reduz a
resistncia ON da regio n-, que permite a construo de IGBTs de alta tenso de bloqueio apresentar
queda de tenso direta aceitveis. Em 1999 IGBTs de 600 V a 3300V eram disponveis com quedas
diretas entre 2 a 4 V, que so muito menor do que as de MOSFETs com a mesma rea do
semicondutor.
O IGBT funciona como um MOSFET de canal n conectado a um transistor pnp. A caracterstica

esttica ideal de um IGBT semelhante de um MOSFET. O IGBT pode conduzir corrente somente
em uma direo, e quando em estado bloqueado, suporta somente tenses positivas, ou seja id>0 e vce>0.
Quando uma tenso adequada aplicada entre os termais da porta e fonte, vge, o IGBT entra em conduo.
Com a remoo da tenso vge o IGBT volta ao estado bloqueado.

71
O preo pago por reduzir a tenso do IGBT o aumento dos tempos de comutao, especialmente os
tempos de desligamentos. Os IGBT tem um tempo de conduo e de bloqueio da ordem de 1 ms e esto
disponveis em mdulos to grande quanto 1700V 1200A. As tenses nominasi de projeto so 2 3
kV.
As principais caracterstica do IGBT so:
Disparo por sinal de tenso
Devido alta impedncia, requer pouca energia no circuito de disparo
Baixa queda de tenso sob conduo: 2V em um dispositivo de 1000V
Pode bloquear tenses negativas
t on e t off da ordem de 1ms
Correntes de 1200A, tenses de bloqueio de at 3kV

72
COMPARAO ENTRE CHAVES CONTROLADAS

Dispositivo Potncia Velocidade de chaveamento
BJT Mdia
Mdia
MOSFET Baixa Rpida
GTO Alta
Lenta
IGBT Mdia Mdia
CARACTERSTICAS DOS DISPOSITIVOS

Tenso e resistncia de conduo definem as perdas de conduo
Tempos de chaveamento definem as perdas de chaveamento e a mxima freqncia de
operao possvel
Tenses e correntes nominais determinam a mxima potncia da chave
Potncia do circuito de disparo/bloqueio determina a facilidade de controle
Coeficiente de temperatura da resistncia de conduo determina a facilidade de
conectar as chaves em paralelo
Custo do dispositivo um fator em sua seleo
COMBINAO TPICA DE SEMICONDUTORES

As combinaes tpicas de semicondutores encontrados em conversores estticos so:
Tiristores em antiparalelo Tiristores com diodo em Antiparalelo
BJT com Diodo em Antiparalelo MOSFET com Diodo em Antiparalelo
IGBT com Diodo em Antiparalelo IGBT com Diodo Serie

73
Exemplo 4 O circuito da Figura 0.34 um conversor CC-CC que se caracteriza por operar com
freqncia de comutao varivel. Este conversor apresenta como vantagem a comutao em entrada
em conduo e bloqueio do IGBT com corrente nula. Aqui este conversor ser utilizado para
exemplificar a soluo de circuitos comutados de segunda ordem. As seguintes hipteses so assumidas
para a anlise do circuito:

74

75

76

77

78

79

80

81

Apostila Eletronica de Potencia Samuel Parte1 PDF

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Apostila Eletronica de Potencia Samuel Parte1 PDF

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UNIVERSIDADE DE PERNAMBUCO

ESCOLA POLITCNIA DE PERNAMBUCO

PROF. ANTONIO SAMUEL NETO

Prof. Antonio Samuel Neto

EXERCCIOS RESOLVIDOS ............................................................................................................74

Prof. Antonio Samuel Neto

Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996:

Prof. Antonio Samuel Neto

UM REOSTATO COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE

Determinar a potncia entregue a carga, a

Prof. Antonio Samuel Neto

CHAVES SEMICONDUTORES DE POTNCIA

Liga e desliga instantaneamente.

Prof. Antonio Samuel Neto

Prof. Antonio Samuel Neto

De acordo com a forma dos dois lados:

Prof. Antonio Samuel Neto

PARMETROS PRINCIPAIS DE UM SEMICONDUTOR USADO

Prof. Antonio Samuel Neto

Tabela 1- Limites de Operao para os principais tipos de semicondutores

Figura 1- Aplicaes dos Dispositivos de Potncia (Cortesia da Powerex, Inc.)

Prof. Antonio Samuel Neto

CLASSIFICAO DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA.

CARACTERSTICAS ESTTICAS DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA.

Prof. Antonio Samuel Neto

Figura 2 - Semicondutores de potencia disponveis no mercado em funo da corrente tenso e frequncia de

Figura 3 - Caractersticas gerais dos Semicondutores de Potncia.

Prof. Antonio Samuel Neto

Figura 4 - Caractersticas e smbolos de alguns dispositivos de potncia

Prof. Antonio Samuel Neto

Figura 5 - Semicondutores de potncia em diferents aplicaes

Prof. Antonio Samuel Neto

Curva caracterstica ideal

Curva caracterstica real

Prof. Antonio Samuel Neto

Circuito equivalente simplificado para o diodo semicondutor de silcio

Prof. Antonio Samuel Neto

Prof. Antonio Samuel Neto

Exemplo 2: Determinar I1, I2 e ID2, para o circuito abaixo.

Prof. Antonio Samuel Neto

Prof. Antonio Samuel Neto

Solucionando numericamente a equao acima temos

Prof. Antonio Samuel Neto

Tenso da rede, v/10,(vermelho) e corrente na carga (A) (verde)

Tenso na Carga / 10 (vermelho), e corrente de carga (verde).

Prof. Antonio Samuel Neto

Tenso sobre diodo vak /10 (vermelho) e corrente no diodo (verde).

Baixa queda de tenso e grande

Tenso reversa de bloqueio de vrios kV e corrente nominal de vrios kA.

Prof. Antonio Samuel Neto

N Material semicondutor com excesso de electres livres

Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente

Prof. Antonio Samuel Neto

Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e

TENSES E CORRENTES NOS TRANSISTORES NPN E PNP

Prof. Antonio Samuel Neto

VCE Tenso colector - emissor

VRE Tenso na resistncia de emissor

Prof. Antonio Samuel Neto

Esta configurao a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos

Prof. Antonio Samuel Neto

O ganho de corrente b no constante, valores tpicos so de 50 a 900.

Prof. Antonio Samuel Neto