Schaltungstechnik Moeglichetheorie SS2015

TU WIEN
354.019
Schaltungstechnik
Theorie zur Prfung
Studentenversion
01.11.2015
Da es bis jetzt kaum Ausarbeitungen zur LVA 354.019Schaltungstechnik gab wurde dieses Dokument
zu Lernzwecke fr Studenten der Elektrotechnik als Vorbereitung fr mgliche Theoriefragen
hergestellt. Es enthlt zwar keine 1:1-Fragestellungen, jedoch sollte man mit diesem
Studentenskript in Schaltungstechnik im Bereich der Theorie gut vorbereitet sein. Als Basis fr die
Herstellung wurde das Skript und alle Prfungen zwischen 2009 und 2015 verwendet. Da es eine
freiwillige Ausarbeitung war hat es ein wenig Zeit bentigt diese zu fertigen.
Theorie-Fragenkatalog 354.019 Schaltungstechnik November 2015
Inhaltsverzeichnis
1. Grundschaltungen .......................................................................................................................4
1.1. Basisschaltung .......................................................................................................................4
1.2. Emitterschaltung ...................................................................................................................5
1.3. Kollektorschaltung ................................................................................................................6
1.4. Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung. ........................................................................7
2. Konstantstromquellen .................................................................................................................8
3. Kaskodenschaltung................................................................................................................... 10
4. Frequenzgangkorrektur ............................................................................................................ 11
5. Slew-Rate.................................................................................................................................. 12
6. Komplementrer Emitterfolger im B-Betrieb........................................................................... 14
7. Schaltungen des komplementren Emitterfolgers .................................................................. 16

7.1. AB-Ruhestromeinstellung mit Stromquellen und 2 Dioden .............................................. 16
7.2. AB-Ruhestromeinstellung mit variabler Zenerdiode ...................................................... 17
8. Leistungsverstrker .................................................................................................................. 18
9. Dimensionierung der Khlung .................................................................................................. 19
10. Brckenverstrker .................................................................................................................... 19
11. Analoge Schalter....................................................................................................................... 20

11.1. Analoge Schalter allgemein ......................................................................................... 20
11.2. Dioden als Schalter ...................................................................................................... 21
11.3. FET als Schalter ............................................................................................................ 21

11.4. Transmission Gate des FETs......................................................................................... 22
11.5.
12. Arten des Operationsverstrkers ............................................................................................. 23
2
13. Grundschaltungen und Definitionen des Operationsverstrkers ............................................ 27

13.1. Der Verstrkungsfehler................................................................................................ 27
13.2. Der Gleichtaktfehler .................................................................................................... 28
14. Verschiedene Schaltungen des OPVs ....................................................................................... 29

14.1. Integrator ..................................................................................................................... 29
14.2. Tiefpassfilter ................................................................................................................ 29
14.3. Berechnung der DC-Verstrkung der OPV-Schaltung .................................................. 30
14.4. Transkonduktanzverstrker ......................................................................................... 31
14.5. Logarithmierer ............................................................................................................. 32
14.6. Transimpedanzverstrker ............................................................................................ 33
14.7. Stromverstrker ........................................................................................................... 34
15. Rauschen .................................................................................................................................. 35

15.1. Funkelrauschen ............................................................................................................ 35
15.2. Thermisches Rauschen ................................................................................................ 36
15.3. Schrotrauschen ............................................................................................................ 36

15.4. Telegrafenrauschen ..................................................................................................... 37
16. Rauscheigenschaften der Bauelemente .................................................................................. 38

16.1. Diode............................................................................................................................ 38
16.2. Bipolar-Transistor ........................................................................................................ 38
16.3. Feldeffekt-Transistor ................................................................................................... 40
17. Berechnung des Rauschens in Schaltungen ............................................................................. 41

17.1. Berechnung allgemein ................................................................................................. 41
17.2. quivalente Eingangsrauschquellen des Bipolar-Transistors ...................................... 42
17.3. quivalente Eingangsrauschquellen des Feldeffekt-Transistors ................................. 43

18. quivalente Rauschbandbreite (Noise Bandwidth) ................................................................. 45
19. Full Custom Entwurf / ASIC Entwurf......................................................................................... 46
20. Diverse Multiple Choice Fragen ............................................................................................... 50

3
1. Grundschaltungen
1.1 Basisschaltung
a. Zeichnen Sie die Grundschaltung.
b. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.
c. Geben Sie die Verstrkung an.
ua R C rBE R BV
A SR C
ue i a 0
rBE R BV
d. Geben Sie den Ausgangswiderstand an.
ua
ra RC
ia
4
1.2 Emitterschaltung
rCE R C
SR C rCE
ua
A - SR C
ue i a 0
ua rCE R C
ra R C rCE R C
ia
5
1.3 Kollektorschaltung
ua SR E SR E 1
A 1
ue i a 0
1 SR E
ua Rg 1
ra RE
S
ia
6
1.4 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung
ua SR C SR E 1 RC
A -
ue i a 0
1 SR E RE
ua
ra RC
ia
e. Warum wird es verwendet?
Fr konstanten Betrieb trotz fertigungs- und temperaturbedingten Schwankungen des Transistors. Steigt die
Temperatur steigt auch I C . Je grer IC desto grer die Spannung an R E , wodurch U BE sinkt, welches den
Kollektorstrom IC zum Sinken bringt Temperaturkompensation.
T I C U RE U BE I C
7
2. Konstantstromquellen
a. Erklren Sie das Prinzip einer Konstantstromquelle, welcher Effekt wirkt sich dabei aus?
Strom soll unabhngig davon wie viel Spannung an der Last abfllt konstant bleiben.
U CE U a
Je grer U A bzw. ra desto besser ra ideal wre ra . Das ra wird also durch das U A
I C I a
bestimmt.
b. Wie kann man die Stromquelle verbessern?
Durch eine Stromgegenkopplung. Steigt die Temperatur, so steigt der Kollektorstrom I C . Dadurch steigt U RE ,
womit U BE kleiner wird, das wiederum zu einem kleineren I C fhrt.
c. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand ra einer verbesserten Stromquelle (Bipolar Transistor).
ua rCE rBE
ra U 0 constant ra rCE (1 S(R E rBE ))
ia
8
d. Zeichnen Sie im Ausgangskennlinienfeld des Bipolar-Transistors den

Kanallngenmodulationsparameter.
e. Zeichnen Sie im Ausgangskennlinienfeld des Feldeffekt-Transistors den

Kanallngenmodulationsparameter.
f. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand ra einer Stromquelle mit Feldeffekttransistor.
ua
ra U 0 constant
ia
1 1
rDS rDS
S S
ra rDS (1 (S S B ) RS ) rDS (1 SRS )
g. Welche Art von Transistor wird blicherweise als Konstantstomquelle verwendet? Begrnden Sie Ihre
Entscheidung.
Feldeffekt-Transistoren haben eine niedrigere Ausgangsspannung U A und daher einen niedrigeren

Ausgangswiderstand ra . Daher eignet sich der Bipolar Transistor mehr fr eine Konstantstromquelle.
S(FET) S(BJFET), U A (FET) U A (BJFET) ra (FET) ra (BJFET)
9
3. Kaskodenschaltung
a. Zeichnen Sie die Schaltung der Kaskodenschaltung
b. Nennen Sie die Vor- und Nachteile der Kaskodenschaltung
+ hohe Verstrkung durch hohen Ausgangswiderstand
+ geringe Rckkopplung an den Eingang durch Kompensation des Miller-Effekts
-geringer Ausgangsspannung aufgrund des Transistors T2
c. Erklren Sie den Begriff Miller-Kapazitt und wie kann diese kompensiert werden?
Die Miller-Kapazitt ist die C-B-Kapazitt in der Emitterschaltung. Da an dieser parasitren Kapazitt C k die
A 0 1 -fache Spannung anliegt erscheint auch die Kapazitt um diesen Faktor grer. In der Emitterschaltung
wirkt sie als Tiefpass. Deswegen wird der Einsatz der Emitterschaltung auf kleine bis mittlere Frequenzen
beschrnkt niedrigere Bandbreite.
Abhilfe: Kaskodenschaltung
10
4. Frequenzgangkorrektur
(universelle Frequenzgangkompensation, Frequenzgangkompensation mit Pole Splitting)
a. Erklren Sie allgemein was bei der Frequenzgangkompensation gemacht wird?

Frequenzgang su sekilde degisir, verstrker voller gegenkopplungda yani Ag=1 da phasenreserve 45 de hala stabil kalir.bununla birlikte phasenreserve ulasir, verstrkung
Der Frequenzgang wird so verndert, dass der Verstrker sogar bei voller Gegenkopplung A g 1
2. Tiefpassin grenzfrequnezinde auf A=1 abgefallen sein.
(Phasenreserve 45) noch stabil bleibt. Damit Phasenreserve erreicht wird muss die Verstrkung bei der
Grenzfrequenz des 2.Tiefpassses f g2 auf A 1 abgefallen sein.
b. Zhlen Sie das Prinzip der universellen Frequenzgangkompensation.
Universell korrigierte Verstrker erfordern keine Frequenzgangkorrektur (-Kompensation) durch den

Anwender
Gutes Einschwingverhalten und stabil fr alle ueren Beschaltungen (solange die Gegenkopplung
keine zustzliche Nacheilung verursacht)
Bandbreite geringer, wenn Verstrkung >1
c. Skizzieren Sie die Manahmen im Bodediagramm.
d. Was ist das Problem bei der Integration von Frequenzkompensation?
f g2 auf A 1 , kann durch hohen C realisiert werden (z.B. 160nF). Dadurch ist der Kondensator fr die Integration
zu hoch.
e. Welche Abhilfemanahme kann fr das Problem der Integration unternommen werden?
Durch Pole-Splitting (Pole auseinander schieben) und Miller-Effektkann Abhilfe geleistet werden. C-B-Kapazitt
wird vom Eingang aus betrachtet um die Spannungsverstrkung B erhht man erhlt eine kleine
Korrekturkapazitt die noch zu gro ist. Hie hilft der zweite Vorteil des Miller-Effekts: Miller-Kondensator bewirkt
Gegenkopplung Ausgangswiderstand der Verstrkerstufe sinkt.
11
f. Was wird bei der Frequenzgangkompensation mit Pole Splitting im Wesentlichen gemacht?
Verschieben von f g1 runter und f g2 rauf. Somit ist f g3 dann die zweite Grenzfrequenz.
g. Skizzieren Sie die Manahmen der Frequenzgangkompensation mit Pole Splitting im Bodediagramm.
h. Erklren Sie den Unterschied zur universellen Frequenzgangkompensation
Da bei der Frequenzgangkorrektur die neue zweite Grenzfrequenz die ursprngliche dritte Grenzfrequenz ist, ist
die Bandbreite hier positiver Verstrkungen grer als bei der universellen Freqenzgangkompenasation
A A min 1 . Der OPV darf nur mit Verstrkungen A A min 1 beschaltet werden um Stabilitt zu
gewhrleisten.
5. Slew-Rate
a. Erklren Sie was man unter dem Begriff Slew-Rate versteht?
Die Frequenzgangkorrektur begrenzt die maximale Anstiegsgeschwindigkeit der Ausgangsspannung des OPVs.
Ursache dafr ist die Korrekturkapazitt C k .
dU 0
IC
dt
Volle Ausgangsspannung U a liegt an C k .
dU a
SR
dt max
Die Ausgangsspannung kann sich zu keiner Zeit ndern als es die SR zulsst.
12
b. Wie gro ist die maximale Frequenz fr unverzerrte sinusfrmige Vollaussteuerung?
dU a
* cos( * t)
dt
d 2Ua
2 * sin( * t) 0 t
dt
dU a dU a SR
* U a 2 * * f * U a f max
dt dt t 0
max 2 * * Ua
c. Zeichnen Sie die Auswirkung der Slew-Rate auf ein sinusfrmiges Signal.
Teilkorrigierte OPVs: deutlich kleineres C k deutlich grere SR
d. Wodurch entsteht ein Ausgangsspannungsdrift?
Ein Ausgangsspannungsdrift entsteht durch die Temperaturabhngigkeit der Basis-Emitter-Spannung U BE . U BE

mV
nimmt etwa 2 Temperaturehhung ab.
K
e. Wie kann der Ausgangsspannungsdrift stabilisiert werden?
Arbeitspunkteinstellung durch konstanten Basisstrom I B . Dazu schliet man die Basis ber
einen hochohmigen Widerstand an die Betriebsspannung-
Arbeitspunkteinstellung durch Gleichstromgegenkopplung. Dazu schliet man einen
Widerstand an den Emitter und einen Kondensator parallel dazu um tiefe Frequenzen zu
entkoppeln.
13
6. Komplementrer Emitterfolger im B-Betrieb
a. Zeichnen Sie die Schaltung des komplementren Emitterfolgers im B-Betrieb.
b. Erklren Sie die Funktion des komplementren Emitterfolgers im B-Betrieb.
Fr positive Signale liefert der obere npn-Transitor den Strom durch den Lastwiderstand R L , fr negative Signale
der untere pnp-Transistor. Um Symmetrie zu wahren, sollten die Transistorpaare mit mglichst gleicher
Stromverstrkung und Belastbarkeit sein. Bei Vernachlssigung der bernahmeverzerrung u a u e ,
Spannungsverstrkung = 1, nur Strom wird verstrkt. Der Aussteuerbereich betrgt U b / U b bei
Vernachlssigung der kleinen Kollektorspannung. Ausgangsleistung PL ist proportional zum Leitwert von R L und
2
steigt mit u a grter Wert wenn Aussteuerbereich erreicht werden.
c. Geben Sie an die an der Last abgegebene Leistung an.
2
Ua
PL fr u a (t ) U a * sin( * t )
2*RL
d. Geben Sie die am Transistor abgegebene Leistung an.

fr u a (t ) U a * sin( * t )
T/2 T/2
u (t) 2 * u B 1
* U a * * cos( * t) 0
2 * UB * UA 2 * UB * Ua

2 2 T/2 2
PB u B * i L (t)dt uB * a *
T T RL RL *T RL *T 1 RL *
0 0 2* *
T
(fr 1 Transistor)
2 2
2 * UB * Ua Ua 2 UB * Ua Ua
PT PB PL
RL * 2*RL RL 4

14
e. Geben Sie den Wirkungsgrad des Transistors an.

P Ua
L *
PB 4 U B
f. Stellen Sie den komplementren Emitterfolger im AB-Betrieb gegenber B-Betrieb dar.
AB-Betrieb B-Betrieb
-Geringer Ruhestrom +kein Ruhestrom
+Geringe bernahmeverzerrungen -bernahmeverzerrungen weil
Stromflusswinkel<180(fr ein
Transistor)
g. Erklren Sie die Funktion des komplementren Emitterfolgers

(Aussteuerbarkeit, Spannungsverstrkung, Stromflusswinkel, bernahmeverzerrungen).
Die Schaltung ist im B-Betrieb nur dort einsetzbar, wo bernahmeverzerrungen keine Rolle spielen. Die
Basisdiode des npn- und pnp-Transistors verursachen beim bergang vom npn zu pnp bernahmeverzerrungen.
Je kleiner die Aussteuerung, desto grer die bernahmeverzerrungen. Bei Vollaussteuerung ist der
Stromflusswinkel eines Transistors 180.
Abhilfe: U AB 1 2VDC zwischen Basisanschlssen des Emitterfolgers im B-Betrieb dann fliet ein kleiner
Ruhestrom I C0 im Arbeitspunkt der den AB-Betrieb charakterisiert. Je mehr man sich durch Erhhung des
Ruhestromes dem A-Betrieb nhert, desto mehr nhert man sich der idealen bertragungskennlinie. Die
bernahmeverzerrungen werden dadurch geringer, jedoch muss die Verlustleistung durch eine Khlung
abgefhrt werden.
15
7. Schaltungen des komplementren Emitterfolgers
7.1 AB-Ruhestromeinstellung mit Stromquellen und 2 Dioden
a. Um welche Schalung handelt es sich bei der Abbildung?
Das ist der komplementre Emitterfolger im AB-Betrieb mit Temperatur-Kompensation (AB-Ruhestromeinstellung

mit Stromquellen und 2 Dioden).
b. Erklren Sie die Funktion dieser Schaltung.

(Arbeitspunkt, Funktion der Dioden, Funktion von R 1 und R 2 ).
Arbeitspunkt:
Die bernahmeverzerrungen sind gering, weil der Arbeitspunkt bei kleinem Ruhestrom eingestellt wird.
Der Stromflusswinkel ist ca. 180.
Dioden:
Die Dioden sind thermisch an T1 und T2 gekoppelt (Montage auf demselben Khlblech). D 1 muss
whrend des vollen positiven Spannungshubes bis U B und genauso D 2 bis U B leiten. Dies werden
durch die Stromquellen I B0 gewhrleistet, die im ganzen Aussteuerbereich mehr Strom als die jeweiligen
Basisstrme von T1 und T2 fr Vollaussteuerung liefern.
Widerstnde:
Sind fr die Kurzschlussfestigkeit sowie zur thermischen Gegenkopplung wichtig.
c. Geben Sie fr diese Schaltung die an der Last abgegebene Leistung an.
2
Ua
2*RL
d. Geben Sie den Wirkungsgrad fr diese Schaltung im Verhltnis zum komplementren Emitterfolger im
B-Betrieb.
2
RL
mit Faktor
R L R1
16
7.2 AB-Ruhestromeinstellung mit variabler Zenerdiode
a. Um welche Schalung handelt es sich bei der Abbildung?
Das ist der komplementre Emitterfolger im AB-Betrieb mit variabler Zenerdiode (AB-Ruhestromeinstellung mit
variabler Zenerdiode).
b. Erklren Sie die Funktion dieser Schaltung

(Arbeitspunkt, Funktion von T3, Funktion von R 1 , R 2 , R 3 und R NTC ).
Arbeitspunkt:
Die bernahmeverzerrungen sind gering, weil der Arbeitspunkt bei einem kleinen Ruhestrom eingestellt
wird. Der Stromflusswinkel ist ca. 180.
T3:
R NTC sitzt mit T1, T2 und T3 auf gemeinsamen Khlkrper. Fr den mit R NTC gekoppelten Transistor
U CE R NTC R 3
T3 gilt: . So wird die Spannung U CE an T3 von der relativ konstanten Teilspannung
U BE R3
U BE von dem Spannungsteiler abgeleitet. Wird R NTC hei, dann macht T3 auf und zieht einen Teil des
konstanten Basisstromes I B0 von T1 und T2 ab. Sehr gute Temperatur-Kompensation.
Durch geeignete Wahl von R NTC und R 3 kann der Einfluss der hohen Sperrschichttemperatur von T1
und T2 auf I C0 ganz ausgeglichen werden. Auch berkompensation ist mglich I C0 0 B-Betrieb
mit bernahmeverzerrungen.
Widerstnde:
Sind fr die Kurzschlussfestigkeit sowie zur thermischen Gegenkopplung wichtig.
c. Geben Sie fr diese Schaltung die an der Last abgegebene Leistung an.
2
Ua
2*RL
d. Geben Sie den Wirkungsgrad fr diese Schaltung im Verhltnis zum komplementren Emitterfolger im
B-Betrieb.
2
RL
mit Faktor
R L R1
17
8. Leistungsverstrker
a. Zeichnen Sie eine Gegentaktendstufe mit Darlington-Transistoren
b. Erklren Sie die Funktion der Darlington-Transitoren, in welchem Arbeitspunkt wird die Schaltung
betrieben?
Die Schaltung wird im AB-Betrieb betrieben. Der Ruhestrom I C0 fliet ohne Aussteuerung durch die Treiber T1
und T2. Erst ab merklicher Aussteuerung beteiligen sich die Endstufentransistoren T1 bzw. T2 an der
Stromlieferung an R L . Damit werden R 1 und R 2 von greren Ausgangsstrmen nicht durchflossen und somit
tritt eine Verminderung von Ausgangsleistung und Wirkungsgrad nicht ein. Die beiden Widerstnde R 1 und R 2
tragen auch zur Beherrschung des Durchschalt-Effektes bei, der sich bei hohen Frequenzen und groen
Strmen katastrophal fr T1 bzw. T2 auswirken kann. Ein hoher Strom baut whrend einer Halbwelle eine groe
Basisladung in einem Transistor (z.B. T1) auf. Wenn die dazu entgegengesetzte Periode so schnell erfolgt, dass
T2 schon leitet bevor sich die Basisladung abgebaut hat, dann entsteht eine rasche Umschaltung von U B auf
U B durch gleichzeitig leitende T und T2 und die Endstufe stirbt durch den second breakdown ab. Die
Widerstnde R 1 und R 2 ermglichen also den Abbau der Basisladung bei der Umschaltung und erhht damit die
Leistungsbandbreite der Darlington-Endstufe. Die Kondensatoren dienen zur Minderung der Stufen-Verstrkung
bei zunehmender Frequenz (Stabilitt).
18
9. Dimensionierung der Khlung
a. Wozu ist eine Khlung bei Bipolar und MOS-FETs oder ICs zu dimensionieren?
Der Transistor bzw. IC wird dort am heiesten, wo die grte Verlustleistung, d.h. im Allgemeinen der grte
Spannungsabfall auftritt. Im Bipolar-Transistor ist dies im Stromleitungsquerschnitt die Raumladungszone (RLZ)
der Kollektordiode und im Feldeffekt-Transistor. Der eingeschnrte Kanal knapp vor der Raumladungszone des
Drains. In beiden Fllen wird die pn-junction temperature (Sperrschichttemperatur) als kritische Grenze der
einwandfreien Funktion des Transistors vom Hersteller angegeben. Sie liegt bei SI-Transistoren bei maximal
150C-200C. Von den heien Raumladungszone breitet sich die Wrme mit einem Wrmewiderstand R th zum
Gehuse hin aus, der in K als Verlustleistung PT angegeben wird.
W
b. Erklren Sie die Parameter fr die Dimensionierung und geben Sie die Formel an.
T j Tk
PT
R thB R thK
Fest vorgegeben ist die erlaubte Sperrschichttemperatur T j und die Temperatur Tk des Khlmediums mit
unendlich groer Wrmekapazitt. Im Zhler steht die Temperaturdifferenz zwischen Sperrschicht und
Khlmedium, im Nenner die Summe aller auftretenden Wrmewiderstnde zwischen Sperrschicht und
Khlmedium. Mit R thB wird hier der Wrmebergang Sperrschicht Blech und mit R thK der bergang Blech
Khlmedium (Luft) charakterisiert. Fr R thK und bestimmte quadratische Bleche bzw. Khlkrper werden vom
Hersteller Werte pro cm2 Blech bzw. pro cm Khlkrperlnge angegeben. Wasser als Khlmedium ist aufgrund
der Kocheigenschaft bei 100C nicht bevorzugt eingesetzt. Die Berechnung beruht auf stationre
Temperaturverteilung. Die Khlung sollte trotzdem fr den schlimmsten Fall dimensioniert werden.
10. Brckenverstrker
c. Zeichnen Sie einen Brckenverstrker.
d. Was ist der Vorteil dieser Schaltung?
Durch die Brckenschaltung kann man die volle Batteriespannung in beide Richtungen benutzen 4-fache
Verstrkung.
19
11. Analoge Schalter
11.1 Analoge Schalter Allgemein
a. Welche Anordnungen von Schalter gibt es?
Serienschalter Kurzschlussschalter Serien-Kurzschlussschalter
b. Beschreiben und vergleichen Sie die Anordnungen.
Serienschalter:
Solange der Kontakt geschlossen ist, gilt u

a u e . ffnet der Kontakt, wird u a 0. Dies gilt nur fr den
unbelasteten Fall. Bei kapazitiver Belastung sinkt die Ausgangsspannung wegen des endlichen ra nur allmhlich
auf 0 ab.
Kurzschlussschalter:
Weist den Nachteil von Serienschalter nicht. Dafr weist er im eingeschalteten Zustand einen endlichen
Ausgangswiderstand ra .
Serien-Kurzschlussschalter:
Besitzt in beiden Schaltzustnden einen niedrigen endlichen Ausgangswiderstand ra . Die Sperrdmpfung ist
jedoch hoch. Der im ausgeschalteten Zustand kurzgeschlossene Ausgang kann auch stren. Dies ist z.B dann
der Fall, wenn man die Ausgangsspannung in einem Kondensator speichern mchte wie bei Abtast-
Haltegliedern: In diesen Fllen kann man einen Schalter S3 hinzufgen. Wenn der Schalter S3 offen ist, wird das
kapazitiv ber S1 gekoppelte Eingangssignal von S2 kurzgeschlossen; der verhlt sich wie ein
Kurzschlussschalter, besitzt jedoch fr hhere Frequenzen eine bessere Sperrdmpfung.
20
11.2 Dioden als Schalter
a. Warum eignen sich Dioden als Schalter?
Dioden eignen sich wegen ihres hohen Sperr- und niedrigen Durchlasswiderstandes fr den Einsatz als Schalter.
b. Zeichnen und erklren Sie einen Serienschalter mit Dioden.
Um geringe Spannungsdifferenzen zwischen Ein- und Ausgang zu erreichen bentigt man mehrere Dioden. Legt
man bei der Dioden-Brcke eine positive Steuerspannung U st an, sperren D5 und D6. Somit fliet der Strom I
ber die Zweige D 1 , D 2 und D 2 , D 3 von der einen zur anderen Stromquelle. Dadurch stellen sich folgende
Potenziale ein: U1 U e U D ; U2 U e U D .
Die Ausgangsspannung U a wird dann U a U1 U D U 2 U D U e , wenn die Durchlassspannungen gleich

sind. Ist dies nicht der Fall tritt eine Offsetspannung auf. Legt man eine negative Steuerspannung werden die
beiden Dioden D5 und D6 leitend und die Diodenbrcke sperrt. Dadurch wird der Ausgang 2-fach vom Eingang
getrennt und die Mitte auf konstantes Potenzial gelegt. Es liegt daher ein Analogschalter mit hoher
Sperrdmpfung vor. Schaltzeiten von 1ns ist bei Einsatz schnell schaltender Dioden mglich. Fr geringe
Offsetspannung sind gepaarte oder monolithisch integrierte Dioden in Form von Dioden-Arrays notwendig.
11.3 FET als Schalter
a. Zeichnen Sie die Schaltung sowie die Kennlinie des FETs als Schalter und geben Sie die Formel an.
U 2th
rDS
2 * I D * U GS U th
21
b. Erklren Sie die Funktionsweise des Feldeffekt Transistors als Schalter.
Bei kleinem U GS verhlt sich ein FET/MOSFET wie ein ohmscher Widerstand, der mit U GS um mehrere
Zehnerpotenzen gendert werden kann. Wenn der FET leiten soll, muss U GS auf 0 gehalten werden, weil fr
U GS 0,6V ein Strom in das Gate flieen wrde, der das Signal beeinflussen kann. Diese Bedingung ist nicht
ganz einfach zu erfllen, da das Source-Potenzial nicht festliegt.
c. Geben Sie den Ausgangswiderstand des
raein R DS R raaus R im G-Bereich
11.4 Transmission Gate des FETs als Schalter
a. Zeichnen Sie die Schaltung sowie die Kennlinie des Transmission-Gate und geben Sie die Formel an.
U 2th
rDS
2 * I D * U GS U th
b. Erklren Sie die Funktionsweise des Transmission Gate und zeichnen Sie die Kennlinie.
+
Die Schaltung leitet wenn man das Gate des p-MOSFETs auf V -Potenzial legt und das Gate vom n-Kanal-
MOSFET auf Masse legt. Bei mittleren Eingangsspannungen U e sind dann beide MOSFETs leitend. Steigt U e auf
grere positive Werte verringert sich U GS1 p-MOSFET wird hochohmiger. Gleichzeitig vergrert sich U GS2
n-MOSFET wird niederohmiger. Bei kleinen Eingangsspannungen ist es genau umgekehrt. U e darf jeden
+
Zustand zwischen 0 und V annehmen.
22
12. Arten des Operationsverstrkers
a. Zeichnen Sie den Aufbau und zhlen Sie die Vor-/ und Nachteile eines normalen OPVs.
Wo werden sie eingesetzt?
VV-OPV
Vorteile:
+ Geringe Offsetspannung
+ Geringe Drift
+ Hohe Przision bei niedrigen Frequenzen
Nachteile:
- Ungeeignet bei hohen Frequenzen

- Stabilittsprobleme bei kapazitiver und induktiver Last
Anwendungen: Verstrker fr niedrige Frequenzen
23
b. Zeichnen Sie den Aufbau und zhlen Sie die Vor-/ und Nachteile eines Transkonduktanzverstrkers.
VC-OPV
Vorteile:
+ Geringe Offsetspannung
+ Geringe Drift
+ Gutes Einschwingverhalten bei kapazitiver und induktiver Last
Nachteile:
- Last muss vor der Dimensionierung bekannt sein.
Anwendungen: Treiber fr kapazitive Lasten.
24
c. Zeichnen Sie den Aufbau und zhlen Sie die Vor-/ und Nachteile eines Transimpedanzverstrkers.
CV-OPV
Vorteile:
+ Hohe Bandbreite
+ Hohe Slew-Rate
Nachteile:
- Stabilittsprobleme bei kapazitiver und induktiver Last
Anwendungen: Leitungstreiber
25
d. Zeichnen Sie den Aufbau und zhlen Sie die Vor-/ und Nachteile eines Strom-Verstrkers.
CC-OPV
Vorteile:
+ Hohe Bandbreite
+ Hohe Slew-Rate
Nachteile:
- Last muss vor der Dimensionierung bekannt sein.
Anwendungen: Aktive Filter fr hohe Frequenzen, Stromtreiber fr Magnetkpfe, Laserdioden, Leitungstreiber
26
13. Grundschaltungen und Definitionen des Operationsverstrker
13.1 Verstrkungsfehler
a. Zeichnen Sie eine invertierende OPV-Grundschaltung und berechnen Sie den Einfluss der endlichen
Geradeaus-Leerlaufverstrkung.
R1 ua
; u en
R1 R 2 vg
R1
u en u e (u e u a )*
R1 R 2

SpannunganR1
ua R 1 R
vr 2 * 2 * F

ue R1 R1 R 2 R 1 vr
1
R1 * v g
b. Beschreiben und berechnen Sie den Fehlerfaktor F .
Der Fehlerfaktor F beschreibt die Verminderung von v r durch die endliche Geradeausverstrkung v g .
1 1 1
F
R1 R 2 1 1
1 1 1
R1 * v g * vg vs
27
13.2 Der Gleichtaktfehler
a. In welcher Grundschalung tritt der Gleichtaktfehler auf?
Nur in der nichtinvertierenden Schaltung.
b. Zeichnen Sie den Schaltplan der Grundschaltung
c. Berechnen Sie die Verstrkung unter Bercksichtigung der Gleichtaktverstrkung und des Fehlerfaktors
F.
u gt * u a
*u a
u ed u a v g * u ed v gt * u gt
2
u a v g * u e * u a v gt * * u a
u ed
u gt *ua
2

vernachls sigen
u a * 1 v g * v gt * v g * u e
ua 1 1 1
* v r * v r * F
ue 1 v gt 1 1
1 1
* vg vg v s CMRR
vg
CMRR
v gt
CMRR 0 : u a wird erhht, F wird erniedrigt
CMRR 0 : u a wird erniedrigt, F wird erhht
28
14. Verschiedene Schaltungen des OPVs
14.1 Integrator
a. Zeichnen Sie die Schaltung des Integrators.
b. Beschreiben Sie den Integrator.
Unter Annahme eines idealen OPVs ndert sich die Ausgangsspannung u a so, dass der Eingangsstrom i e als
Strom i c in den Kondensator C fliet ( i t C du a t ) und der invertierende Eingang an Masse liegt. Der
e
dt
Eingangsstrom kann ber eine Spannungsquelle mit Innenwiderstand R oder ber eine Stromquelle geliefert
werden.
t t
u a t u a t 0 i e d u a t 0
u e d
1 1
C R *C
t0 t0
14.2 Tiefpassfilter
a. Zeichnen Sie die Schaltung eines invertierenden Tiefpassfilters mit OPV und dimensionieren Sie es so,
10
dass es folgende bertragungsfunktion hat.
j* 2 * * f
1
1kHz
1 R2
R2
ua j* * C 1 j* * R 2 * C R 1
2 *
ue R1 R1 R1 1 j * * R 2 * C
R2
10 z.B.: gewhlt fr R 2 10k R 1 1k
R1
1
1kHz eingesetzt C 0,1,
R2 *C
29
14.3 Berechnen der DC-Verstrkung der OPV-Schaltung
Der OPV ist bis auf die begrenzte Geradausverstrkung v g ideal.
ua
vg u e u 1 u ed u a u ed u 2
u ed
u e u ed u ed u a

R1 R2
ua ua
ue ua
u ed u ed

R1 R2
R2 R
R2 * ue * u a u a 1 R1
vg vg

R2 R R2
R2 * ue * ua ua 1 R1
vg vg

ua R2

u e R1 R 2
R1
vg
30
14.4 Transkonduktanzverstrkers
a. Was ist das wesentliche Merkmal eines Transkonduktanzverstrkers?
Transkonduktanzverstrker hat Spannungseingang und Stromeingang.
b. Erklren Sie typische Anwendungen des Transkonduktanzverstrkers.
VC-OPVs werden als Treiber fr Koaxialleitungen angewendet. Der Ausgangswiderstand der VC-OPVs ist viel
grer als der Wellenwiderstand einer typischen Leitung R W . Deshalb ist die Leitung an beiden Enden mit dem
Wellenwiderstand terminierbar. Der Verstrker arbeitet mit Stromgegenkopplung durch R E .Die
Ausgangsspannung ist:
1 k R kIR W
Ua Ia R W I W Ue Damit U a U e wird, muss R E gelten.
2 2 RE 2
Der Vorteil dieser Parallel-Terminierung bei kleineren U B Spannungen ist, dass am Koaxialkabel die
Verstrkerausgangsspannung liegt. Bei Serien-Terminierung msste der Verstrker die doppelte Spannung
aufbringen.
c. Erklren Sie die Funktion als Bandpassfilters.
Bandpassfilter lassen bis zur 1.Grenzfrequenz die Frequenz hoch passieren und hat ein Hochpassverhalten. Ab
der 2.Grenzfrequenz lsst er tiefe Frequenzen passieren und hat dann ein Tiefpassverhalten. Dazwischen ist sie
konstant. Als Grundschaltung kann man den invertierenden Verstrker nehmen. Mit einem komplexen
Emitterwiderstand kann man ein Hochpassverhalten erreichen und am Ausgang mit einem RC-Glied ein Tiefpass,
wodurch man ein Bandpassverhalten bekommt. Die Grenzfrequenzen werden also entkoppelt.
31
14.5 Logarithmierer
a. Zeichnen Sie die Prinzipschaltung eines Logarithmierers.
b. Erklren Sie das Prinzip und leiten Sie die Ausgangsspannung u a ab.
Fr den Logarithmierer wird die ungestrte Diodenkennlinie angenommen.
U kB *T Ws
i I0 * e UT
UT ( k B ..Boltzmann-Konstante 1,38 )
e K
i
Diodenspannung u 0 U T * 2,302 * log

I0
R R2 R R2 u1
* U 1
U1
i ua 1 * U T * 2,3 * log

R R1 R1 R * I0
R1
Der -Spannungsteiler dient zur Einstellung des Ausgangsspannungsintervalls fr eine Dekade (z.B. 1V ).
R2 dek
Die e-Funktion ist mit Si-Dioden im Diodenstrombereich von 10A bis mA-Bereich herstellbar. Unterhalb fhrt der
U
Generations- bzw. Rekombinationswechsel zu einer Kennlinie der Form i I 0 * e mT mit m 1,5 2. D.h. es
kommt zu einer Abweichung der idealen Diodenkennlinie. Die Diode wird durch eine Basissschaltung ersetzt.
Dadurch ist ein Logarithmierbereich von 9 Dekaden mglich.
i c setzt sich aus drei Teilen zusammen:
Aus den von U E gesteuerten, der mit Stromverstrkung 1 am Kollektor eintrifft. Er wird durch
Elektronen gebildet und deswegen gibt es keine Rekombination und m 1.
2 weitere von u c gesteuerte und enthalten Terme m 1. Sie knnen mit u c 0 zum Verschwinden
gebracht werden.
Uc Uc Uc
m *U
i c B * I ES * e U T 1 I CS * e U T 1

I CSj * e j T 1

j

Emiittersperrstrom Kollktorsperrstrom
der der
kurzgeschlossenen kurzgeschlossenen
E B Diode E B Diode
32
14.6 Transimpedanzverstrker
a. Was ist das Merkmal eines Transimpedanzverstrkers?
Transimpedanz: Stromeingang und Spannungsausgang=CV-OPV
b. Wo werden Transimpedanzverstrker hauptschlich eingesetzt?
Invertierender Verstrker Nicht invertierender Verstrker
R N bestimmt die Schleifenverstrkung R 1 bestimmt die Spannungsverstrkung. Transimpedanzverstrker

werden dort eingesetzt, wo es auf eine hohe Grenzfrequenz und kurze Anstiegszeiten ankommt.
c. Nennen Sie Unterschiede zwischen VV-OPV und CV-OPV bei konstanten R N und Einstellung der
Verstrkung ber R 1
Die Bandbreite der gegengekoppelten Schaltung ist unabhngig von der gewhlten Verstrkung.
Die Schleifenverstrkung der gegengekoppelten Schaltung ist unabhngig von der gewhlten
Verstrkung
Die Transittfrequenz der gegengekoppelten Schaltung ist proportional zur gewhlten Verstrkung
d. Wovon hngt das Frequenzverhalten ab?
Die Steilheit der Eingangsstufe wird vom Widerstand am invertierenden Eingang bestimmt:
S
Ia

1

1
U e rs R E rs R 1 R N
rs R 1 R N
Die Verstrkung des CV-OPVs ist viel kleiner als die des VV-OPVs, die Grenzfrequenz aber gleich. Die
Transittfrequenz hngt beim CV-OPV von der ueren Beschaltung ab. Die Grenzfrequenz ist unabhngig von
der Verstrkung, wenn R N konstant gelassen wird und die Verstrkung mit R 1 eingestellt wird.
33
14.7 Stromverstrker
a. Was ist das Merkmal eines Stromverstrkers?
Stromverstrker: Stromeingang und Stromausgang=CC-OPV
b. Nennen Sie die Gemeinsamkeiten eines Stromverstrkers und eines einfachen Transistors?
Der Kollektorstrom ist betragsmig gleich dem Emitterstrom.

Der Eingangswiderstand an der Basis ist hoch, am Emitter ist er niedrig
Der Ausgangswiderstand am Kollektor hoch.
c. Nennen Sie Unterschiede, die den Einsatz im Vergleich zum Transistor vereinfachen.
Der Kollektorstrom besitzt wegen des Stromspiegels die umgekehrte Richtung.

Die Basis-Emitterspannung ist Null: U BE,0 0 wegen der Kompensation durch T1.
Emitter- und Kollektorstrom knnen beide Richtungen annehmen.
Die Arbeitspunkteinstellung erfolgt intern.
34
15. Rauschen
15.1 Funkelrauschen
a. Beschreiben Sie das Funkelrauschen.
Aufgrund von fluktuierender Umladung von Strstellen und Oberflchenzustnden entsteht in

Halbleiterbauelementen eine spektrale Rauschleistungsdichte, die nicht wei ist, sondern bei niedrigen
Frequenzen anwchst. Sie ist in guter Nherung proportional zu 1 . Im Bipolar Transistor wird es durch
f
Verunreinigungen und Kristallfehler in der Emitter-Basis-Verarmungszone verursacht, beim JFET durch tiefe
Strstellen im Kanal und an der Grenze der Raumladungszone. Bei MOSET ist das Funkelrausschen erheblich
grer als in Bipolar Transitoren oder JFETs. Es ist bei niedrigen Frequenzen wichtig und ist mit Stromfluss
verbunden.
Ia
i 2 K1 * * f
fb
a .Konstante 0,5-2
b .1
K 1 Konstante fr ein bestimmtes Bauelement ,hngt vom Herstellungsprozess ab
f schmales Frequenzintervall bei der Frequenz
b. Wo tritt es auf?
Es tritt in allen aktiven Bauelementen und Kohleschichtwiderstnden auf.
c. Zeichnen Sie die spektrale Dichte als Funktion der Frequenz
35
15.2 Thermisches Rauschen
a. Beschreiben Sie thermisches Rauschen.
Alle Molekle im Inneren eines Krpers fhren bei T 0K eine thermische Bewegung aus, die durch
Impulsbertragung auf die elektrischen Ladungstrger bergeht. Damit ist der warme Widerstand ein Generator
fr eine elektrisches Schwankungssignal, das Widerstandsrauschen.
b. Wo tritt es auf?
berall wo sich Ladungstrger bei T 0K aufhalten.
15.3 Schrotrauschen
a. Beschreiben Sie Schrotrauschen
Schrotrauschen beruht auf der endlichen Gre der Elementarladung q. Die Struktur der Ladung ist krnig.
Schrotrauschen tritt immer bei Flieen eines Stromes auf. Es ist in Dioden und Transistoren vorhanden.
b. Beschreiben Sie Schrotrauschen anhand der pn-Diode.
Der Durchlassstrom einer Diode setzt sich aus Lchern aus dem p-Gebiet und Elektronen aus dem n-Gebiet, die
gengend Energie besitzen, um die Potenzialbarriere zu berwinden. Nach berquerung des pn-berganges
diffundieren sie als Miniorittsladungstrger. Die berquerung ist ein zuflliger Vorgang. Der externe Strom I setzt
sich aus voneinander unabhngigen Stromimpulsen zusammen.
Rauschen ist ein zuflliger Vorgang. Deshalb kann de genaue Wert eines Stromes nicht exakt vorausgesagt
werden. Die einzig verfgbare Information zur Berechnung von Schalungen ist das Rauschspannungsquadrat
oder Rauschstromquadrat. Das Rauschspannungsquadrat ist die zeitlich gemittelte Abweichung des Stromes
vom Mittelwert:
T
i 2 I I D 2 lim I I 2 dt
1
D
T T
0
36
Die Fluktuation in I wird Schrotrauschen als bezeichnet. Fr unabhngige Stromimpulse:
i 2 2 * q * I D * f [A 2 ]
Ist q 0, verschwindet Schrotrauschen. Das mittlere Rauschstromquadrat ist proportional zur Bandbreite f. Fr
f muss man die Bandbreite der Schaltung einsetzen, in der man das Rauschen berechnen will. Die spektrale
2
Rauschstromdichte i des Schrotrauschen ist konstant bezglich der Frequenz, Schrotrauchen ist weies
f
1
Rauschen. Die obige Gleichung gilt fr Frequenzen .

.Ladungstrgertransittzeit
c. Zeichnen Sie die spektrale Dichte des Schrotrauschens in einer Diode.
15.4 Telegrafen-Rauschen (Burst Rauschen)
a. Erklren Sie das Telegrafen-Rauschen.
Werden auch Popcorn-Rauschen genannt, weil sie den Funkeleffekt in Rhren durch unregelmig starke
Knacken im Strom des zu beobachtenden Bauelements hnelt. Typisch treten diese in einem mittleren Abstand
von Sekunden oder Bruchteilen davon auf. Dieses Rauchen ist bei niedrigen Frequenzen (einige Hz-kHz) wichtig.
Es wird zum Teil durch Schwermetallkontaminationen verursacht und ist immer mit Stromfluss verbunden.
Ic
i2 K2 * 2
* f
f K 2 ist eine Konstante fr ein bestimmtes Bauelement im Bereich 0,5-2.
1

fc
f c ist eine Frequenz fr ein bestimmtes Herstellungsprozess
37
16. Rauscheigenschaften der Bauelemente
16.1 Diode
a. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild der Diode.
v s2 4 * k B * Trs * f
I D
i 2 2 * q * I D * f K * * f
f
b. Wodurch wird das thermische Rauschen bei der Diode verursacht?
Reale Dioden besitzen einen Serienwiderstand der thermisches Rauschen v s2 verursacht. Der
Rauschstromgenerator i 2 bercksichtigt Schrot-Rauschen und 1 Rauschen.

f
16.2 Bipolar-Transistor
a. Zeichnen Sie das gesamte Kleinsignalersatzschaltbild eines Bipolar-Transistors.
38
b. Erklren Sie die Rauchquellen eines Bipolar-Transistors.
Der Basis- und Kollektorstrom zeigen Schrotrauschen. Der parasitre Basiswiderstand ist fr das thermische
Rauschen verantwortlich. Der Kollektorserienwiderstand rC ist oft vernachlssigbar und die fiktiven Widerstnde
r sowie r0 sind nur aus Modellzwecken vorhanden (sie erzeugen also kein Rauschen). Funkel- und Burst-
Rauschen werden im Rauschstromgenerator des Bipolar Transistors bercksichtigt.
v 2b 4 * k * T * rb * f
i c2 2 * q * I C * f
Ia I cB
i 2b 2 * q * I B * f K1 * B * f K 2 * * f
2
f f
Schrotrauschen
1
1 Ruaschen f
f
c

Telegrafen rauschen
c. Zeichnen und erklren Sie die spektrale Dichte des Basisstromrauschgenerators.
f a ist die Flicker-Rausch-Eckfrequenz (flicker noise corner frequency). Sie kann beim Bipolar Transistor je nach
Arbeitspunkt im Bereich 100Hz-10MHz liegen. Das i r Basisstrom-Schrotrauschen (inklusive Funkeleffekt)
berwiegt fr groe I E0 und das in den Eingang als Spannungsquelle u r transformierte Kollektorstrom-
Schrotrauschen berwiegt fr kleine I E0 .
39
16.3 Feldeffekt-Transistor
a. Zeichnen Sie das gesamte Kleinsignalersatzschaltbild eines Feldeffekt Transistors.
b. Erklren Sie die Rauschquellen des Feldeffekt-Transistors.
Der Kanal eines FETs besitzt einen Widerstand, der thermisches Rauschen verursacht. Das thermische
Rauschen des Kanalwiderstandes ist die dominierende Rauschquelle im JFET und im MOSFET. Der Gate-
Leckstrom verursacht Schrotrauschen, das oft vernachlssigbar ist. Das 1 -Rauschen kann im Drain-
f
Rauschstromgenerator bercksichtigt werden.
i g2 2 * q * I G * f ..Schrotrauschen
2 Ia
i d2 4 * k * T * * g m * f K * D * f

3

f
thermisches 1 Rauschen
f
Rauschen
I G ist der Gate-Leckstrom, I D der Drainstrom. K ist eine Konstante fr ein bestimmtes Bauelement, a liegt im
Bereich 0,5-2. Der Faktor 2 gilt im Sttigungs- und Stromquellenbereich der FETs. Im ohmschen Bereich ist statt
3
2 der Faktor 1 zu verwenden. Heie Ladungstrger sind Grund fr die Abweichung vom Faktor 1 im
3
Sttigungsbereich, die dort nicht im thermischen Gleichgewicht sind und damit Ursache fr das thermische
Rauschen sind.
40
17. Berechnung des Rauschens in Schaltungen
17.1 Berechnung allgemein
a. Wie kann der Rauschstrom und die Rauschspannung eines Widerstandes berechnet werden?
Prinzipiell knnen Rauschspannungen und Rauschstrme nur ber die Leistung d.h. den Effektivwert gemessen
werden, da ihr ber lngere Zeit gemittelter arithmetischer Mittelwert 0 ist. Das zeitlich gemittelte
Spannungsquadrat der Leerlaufrauschspannung (Leerlaufspannungsquadrat) eines Widerstandes R und das
gemittelte Kurzstromrauschquadrat ist:
v 2 4 * k B * T * R * f [V 2 ]
1
i2 4 * kB * T * * f [A 2 ]
R
So ergeben sich die effektive Leerlaufrauschspannung und Kurzschlussrauschstrom.
u neff v 2 2 * k B * T * R * f [Veff ]
1
i neff i 2 2 * k B * T * *f [Aeff ]
R
b. Erklren Sie wie Sie bei einem und bei mehreren Rauschgeneratoren die Berechnung angehen wrden.
Betrachtet man eine Rauschstromquelle mit dem mittleren Rauschquadrat i 2 und der spektralen Rauschdichte
Sf so gilt zunchst:
i 2 Sf * f.
In einem schmalen Frequenzintervall kann man durch Ziehen der Wurzel i Sf * f den Rauschstrom
berechnen. Bei mehreren Rauschgeneratoren wird fr jeden einzeln die Rauschausgangsspannung oder der
Rauschausgangsstrom im selben Frequenzintervall berechnet und das gesamte Ausgangsrauschen wird als
Wurzel der Summe der quadratischen Einzelausgangsrauschwerte gewonnen. Dies setzt allerding voraus, dass
die verschiedenen Rauschgeneratoren unabhngig voneinander sind.
41
17.2 quivalente Eingangsrauchquellen des Bipolar-Transistors
a. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild mit quivalenten Eingangsrauchquellen des Bipolar-

Transistors.
u 2b 4 * k * T * rb * f thermisches Rauschen
I aB
i 2b 2 * q * I B * f K1 * f 1 f -Rauschen, Schrotrauschen
f
i c2 2 * q * I C * f Schrotrauschen
b. Berechnen Sie die quivalente Eingansgsrauschspannung und den quivalenten Eingangsrauschstrom

des Bipolar-Transistors.
Eingangsrauschspannung wird durch Kurzschluss des Einganges berechnet:
1 r
Z r
j * * C 1 j * * r * C
Z Z
gm * ub * i c g m * u Ti *
Z rb Z rb
i c Z rb
u Ti u b *
gm Z
2
u Ti u 2b
i c2
*
rb r 2 * C * r * rb 2
g 2m r2
u T2 i 4 * k * T * rb * f
2 * q * I c * f
*
rb r 2 * C * r * rb 2
g 2m r2
2
u Ti 2 * q * I c rb r 2 * C * r * rb 2
4 * k * T * rb *
f g 2m r2
42
Fr den Eingangssrauschstrom wird der Eingang als Leerlauf betrachtet:
2
2 r r2
Z
1 j * * C * r 1 * C 2 * r2
i Ti * Z * g m i c i b * Z * g m
i c2
2
i Ti i 2b
Z * g 2m
2
i Ti Ia
2 * q * I B K 1 * B I C *

1 2 * C 2 * r2

K 2
K1
f f r2 * g 2m 2*q
17.3 quivalente Eingangsrauchquellen des Feldeffekt-Transistors
a. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild mit quivalenten Eingangsrauchquellen des Feldeffekt-

Transistors.
i g2 2 * q * I G * f Schrotrauschen durch Leckstrom
2 I
i d2 4 * k * T * * g m * f K * D * f Thermisches Rauschen des Kanals, 1 f -Rauschen des Transistors
3 f
43
b. Berechnen Sie den quivalenten Eingansgsrauschspannung und den quivalenten

Eingangsrauschstrom des Feldeffekt-Transistors.
Fr die quivalente Eingangsrauschspannung wird der Eingang kurzgeschlossen:
i d g m * u Ti
i d2
u T2 i
g 2m
2
u Ti 2 1 Ia
4*k *T * K* 2D
f 3 gm gm *f
Fr den quivalenten Eingangsrauschstrom wird der Eingang als Leerlauf betrachtet:
gm gm
iTi * ig * id
j * * C gs j * * C gs
2 * C gs
2
2
i Ti i g2 i d2 *
g 2m
2
i Ti 2 1 Ia
2 * q * I G 2 * C gs * 4 * k * T * * K* 2 D
f 3 gm
gm * f
c. Zeichnen Sie den typischen Verlauf der quivalenten Eingansrauschspannung fr ein FET.
44
18. quivalente Rauschbandbreite (Noise Bandwidth)
a. Erklren Sie die quivalente Rauschbandbreite.
Die quivalente Rauschbandbreite ist hilfreich, wenn eine Schaltung eine konstante quivalente spektrale
Eingangsrauschdichte besitzt. Der folgende Verstrker wird mit einer Signalquelle mit kleinem Innenwiderstand
v i2
gespeist. Die spektrale Dichte der Eingangsrauschspannung Si f Sio sei flach:
f
Das zweite Bild stellt die Spannungsverstrkung der Schaltung dar. Im dritten Bild ist die spektrale Dichte der
v o2
Ausgangsrauschspannung S o f als Produkt der spektralen Eingangsrauschspannung S io und den
f
Quadrat der Spannungsverstrkung A V dargestellt. Die gesamte Ausgangsrauschspannung wird ber alle
Frequenzintervalle zwischen 0 und aufsummiert bzw. integriert:
S o f * f S o f df A v jf * Si0 df Si0 * A jf 2 df
2
2
v oT v
f 0 0 0 0
Die Berechnung dieses Integrals kann kompliziert sein, deswegen wird eine bertragungsfunktion mit derselben
Niederfrequenzspannungsverstrkung A v0 und einer abrupten Bandbreite f N eingefhrt.
Dir Frequenz f N wird do gewhlt, dass man dieselbe Ausgangsspannung wie nach dem Integral bekommt.

2
v oT S o * A 2v0 * f N f N
1
A v jf 2 df
A 2v0 0
45
Die quivalente Rauschbandbreite ist also jene Frequenz bei der die ursprngliche bertragungsfunktion durch
eine konstante ersetzt werden kann. Das Ausgangsrauschen bleibt unverndert.
19. Full Custom Entwurf / ASIC Entwurf
19.1 Ablauf des ASIC-Entwurfs
a. Erklren Sie den Ablauf eines ASIC-Entwurfs.
Nach Entwurf des Schaltplans wird vor der Erstellung des Layouts durch die erste Simulation (Pre-Lyout) die
Schaltungsfunktion beurteilt. Die Netzliste enthlt die Transistoren und deren Betriebsspannungen. Parasitre
Effekte (wie zu groe Leiterbahnlngen) knnen bei der ersten Simulation nicht erfasst werden. Fr die
Beschreibung des auf Grundlage des Layouts erzeugten ICs wird vor dem Herstellungsprozess die
Postlayoutsimulation durchgefhrt. Dabei wird in automatisierter Weise aus dem Layout die zugehrigen
Bauelemente extrahiert und daraus eine weitere Netzliste erstellt. Bei der Extraktion werden die eigentlichen
Funktionselemente und die parasitren Elemente identifiziert.
b. Was ist ein LVS-Check (mit Erklrung)?
Beim LVS-Check wird die bereinstimmung des erzeugten Layouts mit dem spezifizierten (ursprnglichen)
Schaltplan berprft. Konkret werden beim LVS-Check die Netzliste der spezifizierten und die aus der Extraktion
gewonnene des Layouts gewonnene Netzliste miteinander verglichen. Probleme knnen sich aufgrund der
parasitren Elemente und der zustzlichen Knoten in der extrahierten Netzliste ergeben, die bei einem
empfindlich eingestellten Vergleich leicht zu Fehlermeldungen fhren.
46
c. Was ist ein DRC (mit Erklrung)?
Mit dem Design-Rule-Check wird berprft, ob das erzeugte Layout den Entwurfsregeln der zugrundeliegenden
Technologie gengt. Der DRC geschieht auf rein geometrischer Basis und wird in der Regel vor den
weiterfhrenden elektrischen berprfungen durchgefhrt. Die geometrischen Entwurfsregeln definieren fr die
verschiedenen Arten von Strukturen bestimmte Mindestgren und Mindestabstnde, die nicht unterschritten
werden drfen. Man unterscheidet folgende Arten von Regeln:
Breite eines Gebietes z.B.: Metallisierungen

Abstand zwischen Gebieten
berlappungen unterschiedlicher Gebiete z.B.: zwischen Metallisierungen und kontaktiertem
Diffusionsgebiet
Einschluss eines Gebietes in ein anderes z.B.: eines Kontaktlochs in der kontaktierten Metallisierung
d. Was ist ein ERC (mit Erklrung)?
Der ERC dient zur elektrischen berprfung des Layouts auf elementare elektrische Fehler (z.B.:
Unterbrechungen, Kurschlsse, falsche Bauelementeparameter). Die dafr bentigten elektrischen Regeln dafr
sind in der Technologiedatei enthalten. Eine Untersuchung des Schaltungsverhaltens ist wie bei der Simulation
nicht mglich. Um den ERC durchzufhren, mssen im Layout alle Eingnge, Ausgnge und
Betriebsspannungen durch Labels gekennzeichnet werden. Folgende Fehler beim Entwurf knnen erkannt
werden:
Kurzschlsse zwischen den Versorgungsspannungen und Masse

Kurzschlsse zwischen Ein- und Ausgngen
Nicht angeschlossene Bauelemente
Falsch angeschlossene Bauelemente
Knoten ohne definiertes Potenzial
e. Welcher parasitre Widerstand entsteht durch eine Leiterbahn die 200nm weit und 1m lang ist, wenn
sie einen Schichtwiderstand von 1 aufweist?
R Schicht 1
l l 1 * 10 6 m
R * R R Schicht * 1 * 5
w w 200 * 10 9 m
47
19.2 ASIC-Entwurfsmodelle
a. Beschreiben Sie die 3 Entwurfsmodelle.
Full-Custom
Vorteile:
Das Layout wird bis zum einzelnen Transistor ausgearbeitet, wodurch hhere Leistungsdichte wie z.B.:
Leistungsverbrauch, Schaltgeschwindigkeit ausgebessert werden knnen. Es knnen damit digitale und analoge
sowie Mixed-Signal-ASICs entworfen werden.
Nachteile:
Es stellt jedoch ein Risiko fr den Anwender dar, da auf die Funktionseinheiten mit genauen definierten und
garantierten Eigenschaften nicht zurckgegriffen werden kann. Auerdem ist dieser Entwurf zeitaufwendig und
kostspielig.
Aufgrund des Aufwandes lohnt sich dieses Entwurfsmodell nur wenn mit Standardbibliotheken gearbeitet wird
und in hohen Stckzahlen produziert wird.
Semi-Custom
Die meisten ASICs werden durch dieses Modell erzeugt.
Standardzellen:
Bei Standardzellen greift der ASIC-Entwickler auf eine Bibliothek mit standardisierten Zellen, die oft Standard-IC-
Familien wie z.B.: digitale Grundfunktionen (Gatter,Flipflop,Decoder) beinhalten zurck. Dieser Entwurf ist also
geeignet fr die berfhrung einer diskreten in eine integrierte. Die Elemente der Zellbibliothek werden im Full-
Custom vom hergestellten ASIC-Hersteller hergestellt und dem Kunden samt Leistungsdaten als
Funktionsgarantie bergeben. Der Entwickler ist damit mit den schaltungstechnischen Problemen befreit und
muss nur die Zellen aufgrund von Logikplnen anordnen.
Gate-Array:
Gate-Array sind regelmig, meist matrixfrmige Anordnungen von Gatterstrukturen, die ohne Verdrahtung in
groer Stckzahlen erzeugt werden. Bis zu Verdrahtung sind sie ICs. Es werden so viele Masken bentigt, wie
sie im entsprechenden Prozess zur Strukturierung der Verdrahtungsebenen erforderlich sind. Die Verdrahtung
erfolgt durch Kanle zwischen den Gattern die beliebig ber den Chip gefhrt werden. Die Zeitdauer fr die
Verdrahtung ist sehr kurz, weil die Wafer bis auf Metallisierung vorprozessiert sind. Die Herstellungsdauer ist als
krzer als Full-Custom und bei Standardzellen-ASICs, weshalb dieses Verfahren bevorzugt wird. Die
48
Herstellungsdauer fr Standardzellen und Full-Custom sind also gleich. Die vorhandenen Gatterzahlen werden zu
60-80% ausgenutzt.
PLD (Programmeble Logic Device)
PLDs sind programmierbare Logikbausteine (EPLD, PROMs, PALs, PLAs), bei denen ber die Verschaltung 2er
Matrizen aus MOS-Transistoren beliebige logische Verknpfungen der Eingangsgren mglich sind. Bei PGA
(Programmable Gate Array) sind die Verbindungswege hardwaremig zwischen den Zellen nicht festgelegt.
FPGA (Field Programmable Gate Array) bestehen aus waagrechte und senkrechten Verbindungleitungen, die mit
Kreuzungsstellen programmiert werden.
Vorteile:
PLDs haben einen geringen Preis, weil sie in groen Stckzahlen produziert werden. Der Entwicklungsaufwand
ist sehr gering, da nicht mit dem Layout gearbeitet wird.
Nachteile:
Das Konzept ist nicht flexibel, weil sie ausschlielich fr digitale Anwendungen verwendet wird, wo sie
konkurrenzlos ist.
PLDs sind bis zur Programmierung ICs und bekommen nach der Programmierung erst den ASIC-
Charakter.
b. Worin unterscheiden sich die Entwurfsmodelle hinsichtlich Platzbedarfs auf dem Chip?
Der Full-Custom-Entwurf hat die hchste Packungsdichte. Beim Semi-Custom bentigen die Standardzellen 20%
mehr Platz als im Full-Custom hingegen bei Gate-Array sogar mehr als die Standardzellen im Semi-Custom-
Entwurf. Die Auenpads der Chipflchen sind zwischen Full-Custom und den anderen Entwrfen gleich. Nur die
inneren ndern sich je nach Anforderung.
49
20. Diverse Multiple Choice-Fragen
a. Kreuzen Sie die richtigen Arbeitspunkte im Ausgangskennlinienfeld an!
b. Welche Ausgangsspannung liefert die Schaltung?
50
c. quivalente Eingangsrauschquellen des Differenzverstrkers. Kreuzen Sie die richtigen bitte an!
d. AB-Betrieb; Kreuzen Sie die richtigen an:
e. Kreuzen Sie die korrekte Ersatzschaltung an.
51
f. Whlen Sie korrekten Design Folw eines Full-Costom-Entwurfs.
g. Verstrkungsfehler bei OPVs:
52
h. Verstrkungsfehler, kreuzen Sie den richtigen an.
i. A-Betrieb, kreuzen Sie die richtige Aussage an.
j. Welche Spannung liefert die Ausgangsspannung?
53
k. Um welche Schaltung handelt es sich?
l. Die gegebene Schaltung ist ein:
m. Verstrkungsfehler bei OPVs
54
n. Beschriften Sie die Arbeitspunkte
o. Kreuzen Sie die korrekte Schleifenverstrkung an.
55
p. Mit welcher Schaltung erreicht man die gewnschte Ausgangsspannung U a lt. Diaggramm
q. Die gegebene Schaltung ist ein:
r. Der Rckkopplungsfaktor betrgt:
56
s. Kreuzen Sie den Transimpedanzverstrker an.
t. Zeichnen Sie Ausgangsspannung
57
u. Zeichnen Sie Ausgangsspannung (Achtung auf Pfeil im FET!).
58
v. Der OPV (DC-Verstrkung der OPV-Schaltung) ist bis auf die begrenzte Geradeausverstrkung v g ideal.
Kreuzen Sie die richtige Antwort an.
w. Welche Ausgangsspannung liefert die Schaltung?
59

Schaltungstechnik Moeglichetheorie SS2015

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Schaltungstechnik Moeglichetheorie SS2015

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

TU WIEN

6. Komplementrer Emitterfolger im B-Betrieb........................................................................... 14

7. Schaltungen des komplementren Emitterfolgers .................................................................. 16

10. Brckenverstrker .................................................................................................................... 19

11. Analoge Schalter....................................................................................................................... 20

11.3. FET als Schalter ............................................................................................................ 21

12. Arten des Operationsverstrkers ............................................................................................. 23

13. Grundschaltungen und Definitionen des Operationsverstrkers ............................................ 27

14. Verschiedene Schaltungen des OPVs ....................................................................................... 29

15. Rauschen .................................................................................................................................. 35

15.3. Schrotrauschen ............................................................................................................ 36

16. Rauscheigenschaften der Bauelemente .................................................................................. 38

16.3. Feldeffekt-Transistor ................................................................................................... 40

17. Berechnung des Rauschens in Schaltungen ............................................................................. 41

17.3. quivalente Eingangsrauschquellen des Feldeffekt-Transistors ................................. 43

19. Full Custom Entwurf / ASIC Entwurf......................................................................................... 46

20. Diverse Multiple Choice Fragen ............................................................................................... 50

a. Zeichnen Sie die Grundschaltung.

b. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.

c. Geben Sie die Verstrkung an.

d. Geben Sie den Ausgangswiderstand an.

a. Zeichnen Sie die Grundschaltung.

b. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.

c. Geben Sie die Verstrkung an.

d. Geben Sie den Ausgangswiderstand an.

a. Zeichnen Sie die Grundschaltung.

b. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.

c. Geben Sie die Verstrkung an.

d. Geben Sie den Ausgangswiderstand an.

1.4 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung

a. Zeichnen Sie die Grundschaltung.

b. Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild.

c. Geben Sie die Verstrkung an.

d. Geben Sie den Ausgangswiderstand an.

e. Warum wird es verwendet?

b. Wie kann man die Stromquelle verbessern?

c. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand ra einer verbesserten Stromquelle (Bipolar Transistor).

d. Zeichnen Sie im Ausgangskennlinienfeld des Bipolar-Transistors den

e. Zeichnen Sie im Ausgangskennlinienfeld des Feldeffekt-Transistors den

f. Berechnen Sie den Ausgangswiderstand ra einer Stromquelle mit Feldeffekttransistor.

Feldeffekt-Transistoren haben eine niedrigere Ausgangsspannung U A und daher einen niedrigeren

S(FET) S(BJFET), U A (FET) U A (BJFET) ra (FET) ra (BJFET)

a. Zeichnen Sie die Schaltung der Kaskodenschaltung

b. Nennen Sie die Vor- und Nachteile der Kaskodenschaltung

+ hohe Verstrkung durch hohen Ausgangswiderstand

+ geringe Rckkopplung an den Eingang durch Kompensation des Miller-Effekts

-geringer Ausgangsspannung aufgrund des Transistors T2

a. Erklren Sie allgemein was bei der Frequenzgangkompensation gemacht wird?

b. Zhlen Sie das Prinzip der universellen Frequenzgangkompensation.

Universell korrigierte Verstrker erfordern keine Frequenzgangkorrektur (-Kompensation) durch den

c. Skizzieren Sie die Manahmen im Bodediagramm.

d. Was ist das Problem bei der Integration von Frequenzkompensation?

e. Welche Abhilfemanahme kann fr das Problem der Integration unternommen werden?

h. Erklren Sie den Unterschied zur universellen Frequenzgangkompensation

a. Erklren Sie was man unter dem Begriff Slew-Rate versteht?

Volle Ausgangsspannung U a liegt an C k .

b. Wie gro ist die maximale Frequenz fr unverzerrte sinusfrmige Vollaussteuerung?

Teilkorrigierte OPVs: deutlich kleineres C k deutlich grere SR

d. Wodurch entsteht ein Ausgangsspannungsdrift?

Ein Ausgangsspannungsdrift entsteht durch die Temperaturabhngigkeit der Basis-Emitter-Spannung U BE . U BE

e. Wie kann der Ausgangsspannungsdrift stabilisiert werden?

6. Komplementrer Emitterfolger im B-Betrieb

a. Zeichnen Sie die Schaltung des komplementren Emitterfolgers im B-Betrieb.