Eletrnica I

1 Aula Diodo Semicondutor

1) Isolantes, Semicondutores e Metais

Isolante um condutor de
eletricidade muito pobre;
Metal um excelente condutor de
eletricidade;
Semicondutor possui condutividade
entre os dois extremos acima.
1.1) Teoria dos Semicondutores
O material bsico utilizado na construo de
dispositivos eletrnicos semicondutores, em estado
natural, no um bom condutor, nem um bom
isolante.

3
Silcio e o Germnio

O silcio e o germnio so muito

utilizados na construo de dispositivos
eletrnicos.

O silcio o mais utilizado, devido as

suas caractersticas serem melhores
em comparao ao germnio e
tambm por ser mais abundante na
face da terra.
 Temperatura, Luz e Impurezas

Em comparao com os metais e os

isolantes, as propriedades eltricas dos
semicondutores so afetadas por
variao de temperatura, exposio a luz
e acrscimos de impurezas.
MODELOS ATMICOS DE BOHR
O tomo - constitudo por partculas
elementares, as mais importantes para o
nosso estudo so os eltrons, os prtons e
os nutrons.

Camada de Valncia - A ltima

camada eletrnica (nvel energtico)
chamada camada de valncia. O silcio e
o germnio so tomos tetravalentes, pois
possuem quatro eltrons na camada de
valncia.
 Camada de Valncia
O silcio e o germnio so tomos tetravalentes,
pois possuem quatro eltrons na camada de
valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer
um dos eltrons de valncia menor que o
necessrio para remover qualquer outro da
estrutura.
Os eltrons de valncia podem absorver energia
externa suficiente para se tornarem eltrons livres.
9

MATERIAIS SEMICONDUTORES
Corrente em Semicondutores
Em um semicondutor intrnseco, tanto eltrons
quanto lacunas contribuem para o fluxo de
corrente.
Eltrons livres de sua posio fixa no reticulado:
movem-se na banda de conduo.
Eltrons na banda de
valncia: movem-se
ocupando posies
disponveis no reticulado,
preenchendo os vazios
deixados pelos eltrons livres
- Conduo de lacunas
migrando ao longo do
material no sentido oposto ao
movimento do eltron livre.
 MATERIAIS EXTRNSECOS
Dopagem - A adio de certos tomos estranhos
aos tomos de silcio ou germnio, chamados de
tomos de impurezas, pode alterar a estrutura de
camadas (bandas) de energia de forma suficiente
para mudar as propriedades eltricas dos materiais
intrnsecos.

Material extrnseco - Um material semicondutor

que tenha sido submetido a um processo de
dopagem por impurezas chamado de material
extrnseco.

Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P.

MATERIAL DOPADO TIPO N
Um mtodo de dopagem consiste na utilizao
de elementos contendo 5 eltrons na camada
de valncia (penta-valente), como o antimnio,
arsnio e fsforo.
O quinto eltron, porm, fica desassociado de
qualquer ligao. Esse eltron pode tornar-se
livre mais facilmente que qualquer outro,
podendo nessas condies vagar pelo cristal.
O material tipo N resultante, eletricamente
neutro.
 13

MATERIAL DOPADO TIPO P

O material tipo P formado pela dopagem do
semicondutor intrnseco por tomos trivalentes
como o boro, glio e ndio.
H agora um nmero insuficiente de eltrons
para completar as ligaes covalentes. A falta
dessa ligao chamada de lacuna ou
(buraco).
Como uma lacuna pode ser preenchida por um
eltron, as impurezas trivalentes acrescentadas
ao silcio ou germnio intrnseco, so chamados
de tomos aceitadores ou receptores.
O material tipo P resultante eletricamente
neutro.
Semicondutores dopados ou extrnsecos

Impurezas pentavalentes: antimnio, arsnico,

fsforo produzem semicondutores do tipo-n,
por contriburem com eltrons extras (impurezas
doadoras).
Impurezas trivalentes: bro, alumnio, glio
produzem semicondutores do tipo-p, por
produzirem lacunas ou deficincia de eltrons
(impurezas aceitadoras).

N P
1.2) Juno PN
Camada
Camadadede
Depleo
Depleo

15
1.2) JunoPN
Quando se juntam em uma nica pastilha dois materiais
extrnsecos um do tipo P e outro do tipo N forma-se uma
juno PN comumente chamado de diodo. No instante
de formao o lado P tem muitas lacunas (falta de
eltrons) e o lado N tem excesso de eltrons. Devido
fora de repulso que ocorrem entre cargas
semelhantes, os eltrons em excesso migram do lado N
para o lado P de forma a ocupar as lacunas deste
material. Esta migrao no infinita pois os eltrons
ocupam as lacunas do material P prximo a regio de
contato formando uma zona de tomos com ligaes
covalentes estabilizadas (no possuindo eltrons livres
ou lacunas). Esta regio de certa estabilidade
chamada de camada de depleo.
16
1.3) Barreira de Potencial
o A diferena de potencial atravs da camada
de depleo chamada de barreira de
potencial.

o A 25C, esta barreira de 0,7V para o silcio

e 0,3V para o germnio.

o A medida que a corrente aumenta, esta

tenso tambm aumenta, devido a
resistncia dinmica do diodo rT.

17
1.3) Barreira de Potencial

18
1.4) Simbolo

19
1.5) Polarizao do Diodo
o Polarizar um diodo significa aplicar
uma diferena de potencial s suas
extremidades.

1.5.1) Polarizao Direta

1.5.2) Polarizao Reversa

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1.5.1) Polarizao Direta
Na polarizao direta de uma juno
PN, o positivo da fonte ligado ao
material tipo P (anodo) e o negativo
ligado ao material tipo N (catodo).
Quando isto acontece o terminal
negativo repele os eltrons livres do
material N em direo a juno, que por
terem energia adicional podem
atravessar a juno e encontrar as
lacunas do lado P. Conforme os
eltrons encontram as lacunas eles se
recombinam com as lacunas
sucessivamente, continuando a se
deslocar para a esquerda atravs das
lacunas at atingirem a extremidade
esquerda do material P, quando ento
deixam o cristal e fluem para o plo
positivo da
21 fonte.
1.5.2) Polarizao Reversa
Quando se liga o plo positivo da
bateria ao lado N diz-se que a juno
est reversamente polarizada.
Quando isto acontece os eltrons
livres do lado N se afastam da
juno em direo ao plo positivo
da bateria; as lacunas da regio P
tambm se afastam da regio de
juno, aumentando a largura da
camada de depleo. Com o
aumento da tenso reversa aplicada
sobre a juno, mais larga se
torna a camada de depleo. A
camada s para de aumentar quando
a tenso sobre a camada de
depleo for igual a tenso da fonte.

22
1.5.2) Polarizao Reversa
O aumento da camada de depleo no infinito pois na maior
parte das vezes ela se rompe destruindo o componente.
Somente alguns tipos de diodos especiais podem conduzir
reversamente polarizados sem que haja danificao da juno.
Quando polarizada reversamente, uma juno PN possui uma
corrente de fuga na sentido reverso produzido pelos
portadores minoritrios.

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1.6) Tenso de Ruptura
Se a tenso reversa for aumentada haver um valor
chamado de tenso de ruptura em que o diodo
retificador (feito para s conduzir em um sentido)
passa a conduzir intensamente no sentido reverso.
Isto ocorre devido liberao progressiva de eltrons
de valncia causada pela corrente de fuga. Este
movimento chega a um ponto em que passa a existir
uma avalanche de eltrons em direo ao plo
positivo destruindo o componente.

Diodos comerciais para retificao quase sempre

possui tenso reversa acima de 50 V. (VRRM - tenso
reversa repetitiva mxima).
24
1.7) Modelo do Diodo Ideal
Neste modelo, o diodo funciona como uma chave ideal (abre/fecha),
ou seja, quando diretamente polarizado o diodo permite a passage
m de corrente, funcionando como uma chave fechada. Quando revers
amente polarizado o diodo no conduz, funcionando como
uma chave fechada. Como um modelo se trata de um circuito equ
ivalente, na analise de circuitos o diodo substitudo:

a) por um curto-circuito (polarizado diretamente - ID 0 )

b) por um circuito aberto (polarizado reversamente ID 0 ).

A figura a seguir ilustra o diodo ideal (preenchido de preto para

diferenciar da simbologia do diodo real) e sua curva caracterstica.

Repare que para uma tenso aplicada VD 0 h plena

conduo de corrente.

25
1.7) Modelo do Diodo Ideal

26
1.7) Modelo do Diodo Ideal
Dado o circuito abaixo, supondo diodo ideal, calcule a corrente,
a tenso e potencia na carga e no diodo.

Rl = 100

V = 10v

27
1.7) Modelo do Diodo Ideal
2 Aproximao:
Neste caso, vamos levar em conta que
o diodo precisa de 0,7v para poder
comear a conduzir

0,7
28
1.7) Modelo do Diodo Ideal
2 Aproximao:
Dado o circuito abaixo, supondo diodo ideal, calcule a corrente,
a tenso e potencia na carga e no diodo.

Rl = 100

V = 10v

29
1.7) Modelo do Diodo Ideal
3 Aproximao:
Neste caso, vamos levar em conta que
o diodo precisa de 0,7v para poder
comear a conduzir e que possui uma
resistncia interna.

30
1.7) Modelo do Diodo Ideal
3 Aproximao:
Dado o circuito abaixo, supondo diodo ideal, calcule a corrente,
a tenso e potencia na carga e no diodo.
Dados: Rb = 0,23

Rl = 100

V = 10v

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1.8) Modelo do Diodo Real

O diodo real bem diferente do

diodo ideal pois apresenta uma
queda de tenso quando polarizado
diretamente, alm de uma corrente
de fuga no quando polarizado no
sentido reverso.

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1.8) Modelo do Diodo Real
Curva Caracteristica
A curva caracterstica de um diodo um grfico que
relaciona cada valor da tenso aplicada com a
respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

I = Is.(e (Vd/nTt) 1) (eq. 1),

onde:
Tt = (Tc+273) /11600 (a temperatura ambiente por convenincia)
n = 1 Circuito Integrado
n = 2 Comp. Discreto
Is Corrente de saturao reversa
33
Curva Eq. 1

Caracte
ristica
Curva Caracteristica
1.9) Influncia da Temperatura Diodo

I = Is.(e (Vd/nTt) 1),

onde:

Tt = (Tc+273) /11600 (a temperatura ambiente por convenincia)

n Varia de 1 a 2 para o silcio e vale 1 para o germnio.
Is Corrente de saturao reversa

36
1.9) Influncia da Temperatura Diodo

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2) Nveis de Resistncia
A medida que o ponto de operao de um diodo
move-se de uma regio para outra, a resistncia
do diodo tambm ser alterada devido a forma
no-linear da curva caracterstica.

Desta forma temos 3 tipos de resistncias no

diodo.
a)Resistncia DC ou Esttica
b)Resistncia AC ou Dinmica
c)Resistncia AC Mdia
38
2) Nveis de Resistncia
2.1) Resistncia DC ou Esttica
A aplicao de uma tenso dc num circuito contendo um diodo
semicondutor resultara em um ponto de operao sobre a
curva do diodo inalterado com o tempo. A resistncia do diodo
no ponto de operao pode ser encontrada simplesmente
encontrando-se os valores correspondentes de V. e I. conforme
mostrado na figura abaixo, aplicando-se a seguinte equao:
A designao do ponto Q
obtida da palavra quiescente, que
Q significa "nvel invarivel ou
estacionrio".

RD =

39
2) Nveis de Resistncia
2.1) Resistncia DC ou Esttica

o Os nveis de resistncia dc no joelho e

abaixo deste sero maiores do que os
nveis de resistncia obtidos para a
regio de aumento vertical da curva.

o Os nveis de resistncia na regio de

polarizao reversa sero,
naturalmente, bem maiores.
2) Nveis de Resistncia
2.1) Resistncia DC ou Esttica
Determine os nveis de resistncia dc
para o diodo em:

(a)Io =2mA

(b) Io = 20 mA

(c) V0=-10V
2) Nveis de Resistncia
Determine os nveis de resistncia dc
para o diodo em:
,
a) RD = RD = RD = 250

,
b) RD = RD = RD = 40

c) RD = RD = RD = 10M

2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Se uma senoide, ao invs de
uma entrada dc, for aplicada,
a situao mudara
completamente. A entrada
variando, mover o ponto de
operao instantneo para
cima e para baixo em uma
regio da curva, definindo,
portanto, uma mudana
especfica na corrente e
tenso.43
2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Como definir a RD AC, no ponto Q.
Uma linha reta desenhada tangente
a curva atravs do ponto Q,
conforme mostrado na figura ao
lado, definira uma variao
particular da tenso e corrente, e
pode ser usada para determinar a
resistncia AC ou dinmica para
esta regio da curva caraterstica do
diodo.

RD =

2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Determine os nveis
de resistncia AC
para o diodo em:
(a)Io =2mA
(b) Io = 25 mA
(c) Comparar com
nvel DC, para estes
mesmos pontos
2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Determine os nveis de resistncia AC para o diodo
em:
(a) Io =2mA
2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Determine os nveis de resistncia AC para o diodo
em:
(b) Io = 25 mA
2) Nveis de Resistncia
2.2) Resistncia AC ou Dinmica
Determine os nveis de resistncia AC para o diodo
em:
(c) Comparar com nvel DC, para estes mesmos
pontos
2) Nveis de Resistncia
2.3) Resistncia AC Mdia
Se o sinal de entrada for
suficientemente grande para produzir a
amplitude mostrada na figura ao lado ,
a resistncia associada ao dispositivo
para esta regio chamada resistncia
ac mdia. A resistncia ac mdia e, por
definio, determinada pela linha reta
desenhada entre as duas intersees
estabelecidas pelos valores
mximo e mnimo da tenso de
entrada. Na forma de equao:

RAV =

3) Reta de Carga
o Sendo a curva caracterstica do diodo
no linear, torna-se complexo determinar
atravs de equaes o valor da corrente
e tenso sobre o diodo e resistor. Um
mtodo para determinar o valor
aproximado da corrente e da tenso
sobre o diodo, o uso da reta de carga.

o Baseia-se no uso grfico das curvas do

diodo e da curva do resistor.
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo
o A corrente I atravs do circuito a
seguinte: R

I
= = V

o No circuito em srie a corrente a mesma

no diodo e no resistor. Se forem dados a
tenso da fonte e a resistncia R, ento so
desconhecidas a corrente e a tenso sob o
diodo.
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo - Reta de Carga x Curva Diodo

Podemos perceber
uma relao linear
V/R
entre a corrente e a
tenso ( y = -ax + b).

V
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo Pontos da Reta de Carga
Ponto de Saturao:_Esse ponto chamado de ponto de
saturao, pois o mximo valor que a corrente pode assumir.
R

VD=0V I=V/R I
V

Ponto de Corte: Esse ponto chamado corte, pois

representa a corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo.

I=0A VD = V
53
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo - Reta de Carga x Curva Diodo
Saturao

V/R

Corte

V
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo
o Se, por exemplo, no circuito ao lado o V =2V e R
= 100, ento:
R

I 2 VD
VD
V

o Devemos encontrar 2 pontos da reta de

carga para podermos determin-la,
utilizaremos :
o Ponto de Saturao
o Ponto de Corte
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo - Reta de Carga x Curva Diodo
Sobrepondo esta curva com a curva do diodo
tem-se:
(I=12mA,U=0,78V) -
Ponto de operao ou
ponto quiescente.
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo
o Se, por exemplo, no circuito ao lado o V =10V e
R = 1k, ento:
R

I
V

o Devemos encontrar 2 pontos da reta de

carga para podermos determin-la,
utilizaremos :
o Ponto de Saturao
o Ponto de Corte
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo
3) Reta de Carga
3.1) Mtodo

V/R

V
4) Anlise de circuitos com diodos
Exemplo
Determinar a corrente do diodo no circuito da
Figura:
Soluo: O diodo est polarizado diretamente, portanto age
como uma chave fechada em srie com uma bateria.
4) Anlise de circuitos com diodos
Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz
necessrio conhecer a curva do diodo, mas
dependendo da aplicao pode-se fazer
aproximaes para facilitar os clculos. Vamos
utilizar a seguinte aproximao:
Leva-se em conta o fato
de o diodo precisar de
0,7V para iniciar a
conduzir.

Pensa-se no diodo como

uma chave em srie com
uma bateria de 0,7V.
5) Exerccios
1. Calcule a tenso V e a corrente I utilizando o modelo simplificado do
diodo (Vd = 0,7 V)
5) Exerccios
5) Exerccios
2. Identifique os diodos em conduo e determine I e V
5) Exerccios
6) Bibliografia

BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY L. Dispositivos Eletrnicos e

Teoria dos Circuitos

MALVINO, Albert P. Eletrnica V1 CAP 2 e 3

CIPELLI, Eng Antonio M. V. ; SANDRINI, Eng Waldir J. Teoria e

Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos