iseo[editar]

Una celda de memoria SRAM usando seis transistores MOS

Celda de memoria SRAM con los transistores centrales representados como un lazo
cerrado usando inversores

Estas memorias son de acceso aleatorio, lo que significa que las posiciones en la
memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual
fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en
cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados
estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros
dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones
de lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit.
Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms
transistores por bit.123 Esto es utilizado para implementar ms de un puerto de lectura o
escritura en determinados tipos de memoria de video.
Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de esta,
reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms celdas en una
misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de
tres transistores45 o uno solo se estara hablando de memoria DRAM, no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los
dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los
buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de
lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos
buses, se suelen implementar para mejorar los mrgenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un
capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de lectura, en
las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha seal, mientras
que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones de voltaje con mayor
precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir
todos los bits de direccin al mismo tiempo.
El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos es
2m palabras, o 2m n bits.

Modos de operacin de una SRAM[editar]

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el
circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos
desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos
almacenados en la memoria.

Reposo[editar]
Si el bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan
la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 M4 mantendrn los
datos almacenados, en tanto dure la alimentacin elctrica.

Lectura[editar]
Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo de
lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL y los
transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se transfieren a
los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a travs de M1 y
M5 al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el
efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

Escritura[editar]
El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de
escribir un 0, se ajusta, almacena, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.

Aplicaciones y usos[editar]
Caractersticas[editar]
La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es
necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos.
Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es
utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la
memoria principal de los computadores personales.
Frecuencia de reloj y potencia[editar]
El consumo elctrico de una SRAM vara dependiendo de la frecuencia con la cual se
accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a la DRAM cuando es usada
en alta frecuencia, y algunos circuitos integrados pueden consumir varios vatios durante su
funcionamiento. Por otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un
consumo bastante menor, del orden de micro-vatios.

Usos de las SRAM[editar]

Como producto de propsito general:
Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y
productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.
Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que
requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por chip.
Integrados en chip:
Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.
Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia x86.
 Para almacenar los registros de microprocesadores.
En circuitos integrados.
En FPGAs y CPLDs.
Usos integrados en productos[editar]
Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del automvil, y
similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos los productos de uso
cotidiano que implementen una interfaz electrnica de usuario.
Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales,
estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos.

Uso de aficionados[editar]
Los aficionados a la electrnica prefieren las memorias SRAM debido a su sencilla interfaz,
ya que es mucho ms fcil trabajar con SRAM que con DRAM, al no existir ciclos
de refresco, y poder acceder directamente a los buses de direccin y de datos en lugar de
tener que utilizar multiplexores. Adems, las SRAM solo necesitan tres buses de control:
Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM
sncronas, se tiene adems la seal de reloj (CLK)

Tipos de SRAM[editar]
SRAM no voltiles[editar]
Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el funcionamiento tpico de las
RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los datos almacenados en ellas son
preservados aun cuando se interrumpe la alimentacin elctrica. Se utilizan en situaciones
donde se requiere conservar la informacin almacenada sin necesidad de alimentacin
alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es posible).6

SRAM asncrona[editar]
Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un
tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones,
como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrnica de automocin.

Por tipo de transistor[editar]

Transistor de unin bipolar o BJT (de tipo TTL o ECL) muy rpidos, pero con un
consumo muy alto.
MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados actualmente.
Por funcin[editar]
Asncronas independientes de la frecuencia de reloj.
Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.