Rigidez Dieltrica

A rigidez dieltrica especifica a tenso mxima que pode ser aplicada entre dois eletrodos
(normalmente indicada em funo de eletrodos esfricos) sem que ocorra o centelhamento,
quando o material deixa de ser isolante. Em outras palavras, a rigidez mede a qualidade de um
material como isolante. Para o ar, por exemplo, o valor indicado resulta em que a cada 1 cm
temos uma tenso de 10 000 volts. Assim, se entre dois eletrodos que so afastados
gradualmente, o faiscamento ocorre em distncias at 2 cm, por exemplo, podemos dizer que
a tenso aplicada da ordem de 20 000 V. Veja que nesse caso, o valor refere-se ao ar seco.

O valor da rigidez dieltrica depende de diversos fatores como:

Temperatura.
Espessura do dieltrico.
Tempo de aplicao da diferena de potencial
Taxa de crescimento da tenso.
Para um gs, a presso fator importante.

Exemplos:

Material Rigidez Dieltrica (V/m)

Ar 3 x 106
Baquelite 24 x 106
Borracha de Neopreno 12 x 106
Nylon 14 x 106
Papel 16 x 106
Polistireno 24 x 106

Condutibilidade Eltrica
Condutividade eltrica ( ) usada para especificar o carter eltrico de um material. Ela
simplesmente o recproco da resistividade, ou seja, inversamente proporcionais e indicativa
da facilidade com a qual um material capaz de conduzir uma corrente eltrica. A unidade a
recproca de ohm-metro, isto , [(-m)-1]. As seguintes discusses sobre propriedades
eltricas usam tanto a resistividade quanto a condutividade.
Materiais slidos exibem uma espantosa faixa de condutividades. De fato, uma maneira de
classificar materiais slidos de acordo com a facilidade com que conduzem uma corrente
eltrica; dentro deste esquema de classificao existem 3 grupamentos: condutores,
semicondutores e isolantes. Metais so bons condutores, tipicamente tendo condutividades da
ordem de 107 (-m)-1. No outro extremo esto os materiais com muito baixas condutividades,
situando-se entre 10-10 e 10-20 (-m)-1; estes so os isolantes eltricos. Materiais com
condutividades intermedirias, geralmente entre 10-6 e 104 (-m)-1, so denominados
semicondutores. No Sistema Internacional de Unidades, medida em siemens por metro.

Constitui engano achar que o ouro o melhor condutor eltrico. Na temperatura

ambiente, no planeta Terra, o material melhor condutor eltrico ainda a prata.
Relativamente, a prata tem condutividade eltrica de 108%; o cobre 100%; o ouro
70%; o alumnio 60% e o titnio apenas 1%. A base de comparao o cobre. O
ouro, em qualquer comparao, seja no mesmo volume, ou na mesma massa,
sempre perde em condutividade eltrica ou trmica para o cobre. Entretanto, para
conexes eltricas, em que a corrente eltrica deve passar de uma superfcie para
outra, o ouro leva muita vantagem sobre os demais materiais, pois sua oxidao
ao ar livre extremamente baixa, resultando numa elevada durabilidade na
manuteno do bom contato eltrico.

Abaixo, a tabela demonstra alguns bons condutores eltricos:

Material Condutividade (S.m/mm)

Prata 62,5
Cobre Puro 61,7
Ouro 43,5
Alumnio 34,2

Condutividade de Semi-condutores
Num condutor slido existe uma nuvem muito densa de eltrons de conduo, que no esto
ligados a nenhum tomo em particular. Por exemplo, os tomos de cobre no seu estado
neutro tm 29 eltrons volta do ncleo; 28 desses eltrons esto fortemente ligados ao
tomo, enquanto que o ltimo eltron encontra-se numa rbita mais distante do ncleo e sai
com maior facilidade para a nuvem de eltrons de conduo.

Um pequeno deslocamento da nuvem de eltrons de conduo faz acumular um excesso de

cargas negativas num extremo e cargas positivas no extremo oposto. As cargas positivas so
tomos com um eltron a menos em relao ao nmero de prtons. Quando se liga um fio
condutor aos eltrodos de uma pilha, a nuvem eletrnica atrada pelo eltrodo positivo e
repelida pelo eltrodo negativo; estabelece-se no condutor um fluxo contnuo de eltrons
desde o eletrodo negativo para o positivo.

Os semicondutores so materiais semelhantes aos isoladores, sem cargas de conduo, mas

que podem adquirir cargas de conduo passando a ser condutores, atravs de diversos
mecanismos: aumento da temperatura, incidncia de luz, presena de cargas eltricas externas
ou existncia de impurezas dentro do prprio material.

Atualmente os semicondutores so construdos a partir de silcio ou germnio. Os

tomos de silcio e de germnio tm 4 eltrons de valncia. Num cristal de silcio ou
germnio, os tomos esto colocados numa rede uniforme, como a que aparece na
figura abaixo: os 4 eltrons de valncia ligam cada tomo aos tomos na sua
vizinhana.

Na figura abaixo representam-se dois blocos semicondutores dos dois tipos, N e P. Cada bloco
um cristal de silcio ou de germnio; os crculos representam os tomos de arsnio e de glio
introduzidos no cristal. Esses tomos encontram-se fixos na rede, em quanto que os eletres
de conduo, no semicondutor N, e os buracos no semicondutor P, podem deslocar-se entre
os stios(locais) onde existam outros tomos de arsnio ou de glio.

Se os extremos do um fio semicondutor do tipo P forem ligados aos eletrodos de uma pilha. Os
buracos perto do eletrodo negativo sero preenchidos com eltrons fornecidos por esse
eltrodo; esses eltrons podero saltar para outros buracos vizinhos e assim sucessivamente.
Os eltrons deslocam-se no sentido do eletrodo negativo para o positivo, mas saltam apenas
de um buraco para o vizinho. No entanto, os buracos deslocam-se todo o percurso desde o
eltrodo positivo at o negativo. semelhante circulao de automveis hora de ponta,
quando h filas compactas; os automveis conseguem apenas deslocar-se uma pequena
distncia no sentido da estrada, mas aparecem buracos na fila, que se deslocam rapidamente
no sentido oposto.

Assim, quando ligamos um fio semicondutor entre os eletrodos da pilha, o resultado o

mesmo, independentemente do tipo de semicondutor: passagem de cargas positivas do
eletrodo positivo para o negativo, e passagem de carga negativa do eletrodo negativo para o
positivo.1

Nos condutores lquidos, gasosos ou em p existem cargas de conduo tanto negativas como
positivas. J vimos por exemplo o caso do eletrlito de uma pilha, onde existem ons positivos
e negativos. Num gs ionizado tambm existem ons positivos e negativos que se podem
deslocar dentro do gs. Quando existir uma fem entre dois pontos desse tipo de condutores,
os ons positivos e negativos deslocam-se em sentidos opostos. O efeito resultante, em termos
de conduo de cargas, produzido pelo movimento dos dois tipos de ons o mesmo: entram
cargas negativas no eltrodo positivo e entram cargas positivas no eletrodo negativo.1

Numa lmpada fluorescente, uma fora eletromotriz usada para ionizar o gs. A ionizao do
gs produz ons positivos e eltrons livres (figura abaixo). Se num determinado instante
o eltrodo A estiver a maior potencial que o eltrodo B, os ons positivos deslocar-se-o de
A para B, e os eltrons de B para A. A passagem dessas partculas produz colises
com molculas do gs que produzem mais ons e luz. Assim, uma vez aquecida, precisa uma
diferena de potencial menor para manter o fluxo de cargas na lmpada.

io = on ; electro = eltron

ons e eltrons livre dentro de uma lmpada fluorescente.

O potencial do ponto A maior que o do ponto B

Existem outros mecanismos de conduo das cargas eltricas, como por exemplo o que
usado nos detectores de incndio. Dentro do detector existe uma cmara de ionizao
(cilindro preto) onde a passagem de cargas devida produo de partculas alfa emitidas por
uma substncia radioativa. As partculas alfa so ncleos de hlio, com carga igual a duas
unidades elementares de carga. As partculas so disparadas para fora da substncia
radioativa, passando pelo ar volta da substncia, antes de serem recolhidas num eltrodo no
detector. A presena de fumo introduz partculas slidas no ar, que travam as partculas alfa,
produzindo uma reduo do nmero de partculas recolhidas no eletrodo. A reduo do fluxo
de cargas faz disparar um sinal de alarme.

Frmula da Conduo no semicondutor representa-se por:

onde
condutividade

q mdulo da carga eltrica do eltron

n concentrao de eltrons

p concentrao de lacunas

n mobilidade dos eltrons (1350 cm2/(V.s))

p mobilidade das lacunas (500 cm2/(V.s))

Agitao trmica (ionizao trmica) quebra de ligao covalente gerao de par

eltronlacuna. Tambm por agitao trmica restabelecimento de ligao covalente por
recombinao de par eltronlacuna.
Ento:

onde
p - concentrao de lacunas (lacunas / cm)
n - concentrao de eltrons livres (eltrons / cm)
- concentrao intrnseca (portadores / cm)
A independente da concentrao de impurezas dadores; funo da
temperatura.

Polarizao

Polarizao Dieltrica
A polarizao dieltrica o fenmeno de deslocamento reversvel das nuvens eletrnicas nos
tomos ou molculas de um material isolante (em qualquer estado) exposio de um campo
eltrico externo, no qual as nuvens eletrnicas (de carga negativa) puxada contra o campo
eltrico e os ncleos (de carga positiva) empurrado na direo deste por foras eltricas. No
regime de campo eltrico externo forte, ou seja, grande em comparao energia de
ligao do tomo ou molcula, possvel gerar ionizao, e nesse caso a deformao passa a
ser irreversvel. A deformao das nuvens eletrnicas gerada pelo campo externo faz com que
os tomos ou molculas do meio dieltrico comportem-se como dipolos eltricos, cujo campo
eltrico atua em oposio quele externo. Exemplo:

Interao do campo eltrico com um tomo segundo o modelo dieltrico clssico.

 Polarizao de um tomo
Dado um tomo em um campo eltrico , aps o equilbrio, forma-se o momento de dipolo
no tomo polarizado, onde a constante de proporcionalidade chamada de polarizabilidade
atmica:

O momento de dipolo clssico formado por duas cargas pontuais e ( ) separadas

por um vetor distncia equivale como:

Polarizao de uma molcula

Diferentemente do que ocorre com tomos em que o campo eltrico induzido por polarizao
sempre paralelo ao campo externo , em materiais formados
por molculas poliatmicas, o momento de dipolo induzido ser
dado de forma geral por uma equao tensorial :

onde o tensor de polarizabilidade.

Molculas polares so aquelas que possuem momento de dipolo mesmo na ausncia de campos
eltricos externos. Tais molculas, na presena deste um campo eltrico sofrem um torque
dado por:

Cargas eltricas Ligadas

Em um meio polarizado, verifica-se a formao de dipolos microscpicos que se afetam
mutualmente de modo que o polo positivo de um atrai o polo negativo de outro e assim por
diante. Como resultado, dizemos que se formam cargas eltricas ligadas tanto no volume do
material como em sua superfcie. Nessa situao, cada volume infinitesimal do material pode
ser visto como um pequeno dipolo eltrico e til definir a chamada polarizao como o
momento de dipolo por unidade de volume. O termo ligada utilizado para diferenciar essas
cargas, presas aos seus respectivos tomos e molculas em material isolante, das cargas ditas
livres, capazes de se mover com facilidade pelo material. As densidades de carga superficial
ligada e a volumtrica ligada so dadas por:

onde a normal externa superfcie do material, ou seja, um vetor unitrio perpendicular

superfcie do dieltrico.

Susceptibilidade eltrica

O conceito de susceptibilidade eltrica equivale a facilidade de polarizao em um dado campo

eltrico e apresentada na seguinte relao de proporcionalidade para campos eltricos
suficientemente baixos:

onde a permissividade eltrica no vcuo, susceptibilidade eltrica, o campo

eltrico total (incluindo o campo eltrico formado pelo material em resposta ao campo eltrico
externo) e o momento de dipolo por unidade de volume. Materiais que obedecem esta
equao so chamados dieltricos lineares.

Sua equivalente em termos de deslocamento eltrico descrita por:

Onde a permissividade do meio e a permissividade relativa.

Em geral, dieltricos no lineares como cristais, usada o tensor de susceptibilidade :

 Relao de Clausius-Mossotti
A frmula de Clausius-Mossotti relaciona a constante dieltrica de um meio formado por
tomos ou molculas apolares com a polarizabilidade desses. A relao leva este nome em
homenagem ao fsico italiano Ottaviano Fabrizio Mossotti, que escreveu em 1850 um
livro sobre a anlise da relao entre as constante dieltricas de dois meios diferentes, e o
fsico alemo Rudolf Clausius, que obteve explicitamente a relao em 1879 em termos dos
ndices de refrao. A relao tambm pode ser escrita em termos da condutividade eltrica e
conhecida como frmula de Maxwell e em termos da refrao, conhecida como equao de
Lorenz-Lorentz.

A equao de ClausiusMossotti se aplica a dieltricos lineares e pode ser escrita como:

Onde:

a constante dieltrica do meio

a permissividade eltrica do vcuo

a massa molar da substncia do meio

sua densidade

o Constante de Avogadro

o nmero de tomos por unidade de volume

a polarizabilidade

Aplicao: determinao do raio molecular

Aplicando a relao de Clausius-Mossoti a molculas neutras tomando como o nmero de
molculas por unidade de volume e multiplicando o denominador e numerador do lado direito
da equao pela massa de uma molcula, temos:

onde a densidade do material.

Para dieltricos gasosos muito diludos podemos considerar: . Logo:

Ento:
 Tendo em vista que a polarizao de uma molcula aproximadamente proporcional a

cubo do raio molecular , uma relao para fornece o valor desse raio mediante
a medida de massa da molcula.

Energia
Diferentemente da energia dada em uma simples configurao de cargas livres, a energia de um
dieltrico envolve a interao entre as cargas opostas separadas por uma distncia infinitesimal, ou
seja, as cargas ligadas, de modo anlogo a energia de uma mola que as mantm unidas. A energia
contida em um dieltrico dada pela integral do produto escalar do deslocamento eltrico pelo
campo eltrico por todo o volume do dieltrico:

Onde:

a energia contida no dieltrico

o deslocamento eltrico
o campo eltrico

Densidade do Fluxo Magntico em meio Material

Primeiramente define-se como densidade de fluxo magntico o produto da permeabilidade

magntica do meio pelo vetor campo magntico

Ao contrrio do campo magntico, que uma grandeza independente da natureza do material

no qual se encontra imerso o fluxo de corrente, a densidade de fluxo define uma grandeza cuja
intensidade se encontra intensamente relacionada com as propriedades magnticas do
material, em particular a sua permeabilidade s linhas de fluxo. Com efeito, existem materiais
cujas correntes ao nvel atmico e spin dos eltrons contribuem, tambm, para a criao de
linhas de fora magnticas, ou seja, contudo para aumentar a intensidade do campo
relativamente quele tpico do espao vazio. Em geral, a densidade de fluxo magntico
expressa pelo produto:

E estabelece a relao entre a fora e o campo magntico, nota-se que na totalidade dos fios
paralelos a intensidade da fora pode tambm ser expressa com base na relao:

Que neste caso, est em funo da densidade do fluxo magntico no meio, no qual se
encontram imersos os fluxos de corrente. A intensidade da fora , conclusivamente, uma
funo crescente da permeabilidade magntica relativa do material. Coeficiente que em certos
casos pode atingir valores de vrias dezenas de milhar de unidades.
A grandeza densidade de fluxo magntico duas vezes a grandeza densidade de fluxo eltrico.
No entanto, se se analisarem as expresses das foras magntica e eltrica, verifica-se que a
permeabilidade relativa (mr >1) dos materiais refora a fora magntica exercida entre dois
fluxos de corrente elctrica, relativamente ao caso do vazio, ao passo que a permitividade
relativa (er >1) tende a atenuar, isto , a blindar a fora elctrica exercida entre cargas
elctricas. No entanto, e como se ver adiante, a permeabilidade relativa do meio actua no
sentido de aumentar a indutncia de uma bobina (mr >1), do mesmo modo que a
permitividade relativa o faz relativamente capacidade de um condensador.
Conforme se indica na Figura 8.5, define-se fluxo magntico (F) como a quantidade de linhas
de fora que atravessam perpendicularmente uma dada superfcie S.

Figura 8.5 Fluxo e densidade de fluxo magntico

De acordo com esta definio, a relao entre fluxo e densidade de fluxo

Wb, weber (8.18)

a qual, no caso particular em que as linhas de fluxo so perpendiculares superfcie de

integrao, conduz ao resultado
(8.19)