Transistor Bipolar Diapositivas

INGENIERA ELECTRNICA-UPAO
Tema : El transistor bipolar
Ciclo: 2017-I
Componente electrnico: El transistor bipolar
Introduccin: tipos de transistores

Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Transistor tipo PNP
Transistor tipo NPN
Caractersticas elctricas de un transistor bipolar
El fototransistor
Conclusiones
Introduccin: tipos de transistores
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor

- -
+
- - -
+
-
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
+
+
-
+
- + + - -
-
+ +
-
+
+
+
+
- - - - -
+
-
+
+
-
+
-
+
- - +
+
- - -
+
+
+
P N N + - P
Concentracin
de huecos
P N N N P
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el de dos diodos en

serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda
P N P
P N P
P N P
El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
Base
Emisor Colector
Transistor PNP
P N P
El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
Transistor NPN
N P N
Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.
En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y
base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
Transistor NPN
Base
Emisor Colector
Transistor NPN
N P N
La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de
forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de
aplicaciones.
Concentracin de portadores en equilibrio
P N P
Emisor Base Colector
Concentracin de
portadores de carga
P P
pp0 nn0 p'p0
np0 pn0 n'p0
N
Polarizacin en forma activa
P N P
Emisor Base Colector
E E
Concentracin de
P portadores de carga P
pp0 nn0 p'p0
np0 n'p0
Difusin
E N E
Conclusiones:
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos
condiciones.
1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2) El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C
N- Descubiertos por
Shockley, Brattain
P N+ y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
B E
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3
tensiones y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
IC, IB, IE
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
En la prctica basta con conocer solo
IB - VCE 2 corrientes y 2 tensiones.
+
VBE Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
IE y VBE.
-
-
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fcilmente:
IE = IC + I B
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida VCB = VCE - VBE
Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE
IC IB
+
IB VCE
+
VBE VBE
-
-
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.
La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC IC
+
IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

base IB.
Equivalente hidrulico del transistor
h2
Caudal Apertura
h1 - h2
h1
Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin
Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
Zona activa: IC=IB

IC IC (mA) IB (A)
+ 400
40
IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturacin
Zona de corte
El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del

transistor es la ganancia de corriente .
Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
VCE
IC IB
+
IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE
La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean

las aproximaciones lineales vistas en clases anteriores.
Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC
+
IC Zona IB
+ activa + IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturacin + IC<IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un

IC
transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturacin. F (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lgico.
12 V VCE
Electrnica de Potencia y Electrnica F (OFF)
digital
Transistor PNP
IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC
IC IB
-
IB VEC
-
VEB VEB
+ +
Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.
Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es

saliente.
Transistor PNP
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

IC IC
-
IB
IB VEC
-
VEB
+ + VEC
La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante

la corriente de base IB.
Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP
12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor. 4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al F (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar la
zona de saturacin. OFF
12 V VEC
F (OFF)
Caractersticas reales (NPN)
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5
Saturacin IB4 PMax = VCEIC
IB3
Avalancha
IB2 Primaria
IB1
VBE IB= 0
1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Salida
Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC
C
IC-MAX Corriente mxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tensin mxima CE E
PMAX Potencia mxima PMAX
VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin SOAR

VCE-MAX
HFE Ganancia
VCE
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
Estructura del transistor. NPN
Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada.
Con la unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE > V ) los electrones (mayoritarios) alcanzan el
Colector a travs de la Base muy fina. La unin Base-Colector se polariza inversamente, de manera que
ayuda al movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unin p-n
polarizada en inversa).
VBE VBC
Al igual que en los diodos:
- + - +
Emisor
iE iB iC
iE I S (evBE /VT 1)
Base
Colector E B Las corrientes en el transistor:
C
iC iE
N
iB (1 ) iE
N iE iC iB
Huecos iC iE

P i B (1 ) i E (1 )
Electrones iC i B Amplificacin
: Ganancia de corriente continua en emisor comn.

: Ganancia de corriente continua en base comn
Circuito simple ideal (Emisor Comn)
Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin Base-Colector polarizada

inversamente. Fuente de corriente controlada por corriente.
iC RC
C
iB B C
B
VCC VBB iB iC iB
VBB iE VCC
E
iC i B Amplificacin
Zonas de funcionamiento
Zona Activa: Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin Base-

Colector polarizada inversamente.
iB iC
iC iB
B C Amplificacin
i E i C i
VBE i B B
iE
Zona de corte: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector

polarizada inversamente. No hay movimiento de electrones (slo minoritarios)
iB iC
B C
iC 0 Interruptor abierto
iE 0
iE
Zonas de funcionamiento
Zona Saturacin: Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin

Base-Colector polarizada directamente. La polarizacin directa BC evita que pasen los e-
provenientes del Emisor. Sin embargo provoca que la tensin CE sea prcticamente nula.
La corriente de colector ic depende del circuito externo.
iB VBC iC
B C iE iC Interruptor cerrado
VBE
iE
Zona de Transistor inverso: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base-

Colector polarizada directamente. Es como la zona activa, pero slo mueve los electrones
de fugas, no los mayoritarios. Transistor muy malo.
Ejemplo: DETERMINACION DE LA REGION DE OPERACIN DE UN
TRANSISTOR BJT
Asumamos que los voltmetros dan las
siguientes lecturas:
Luego: - = 0,7v
La conexin BE est conectada en directo; y

la corriente en la base ser:
= 50 A
Al mismo tiempo, la corriente en el colector
ser:
= 4 mA
Y la correspondiente ganancia:
El transistor est en la regin lineal activa, ya que hay ganancia.
Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:
De modo que podemos hallar el rgimen de trabajo en las grficas.

Ejemplo: Hallar el rgimen Solucin: Determinar si las uniones BE y
de trabajo del transistor en BC se encuentran en conexin directa o
el circuito mostrado si: inversa.
En la regin de saturacin ambas
conexiones estn en directo. En la regin
activa, BE est en directo y BC en inversa.
De los datos anteriores:
= - = 0,7v
= - = 0,4v
Ambos estn en directo.

1 = = 2,7v
= - = 0,3v
2 = = 2,0v
El ltimo valor nos indica que estamos en la
3 = = 2,3v
regin de saturacin.
Configuracin emisor comn.
En este caso el emisor del transistor y la fuente de tensin estn unidos en
un mismo punto.
Con esta disposicin general existen tres polarizaciones ampliamente
utilizadas:
polarizacin de base polarizacin de colector polarizacin de emisor
ventajas inconvenientes ventajas inconvenientes

. Fcil de construir . Resistencia de colector . Impedancia de . Ms complejo de
. Pocos componentes. depende de . entrada media. calcular
. Polarizacin utilizada como . Polarizacin sensible a . Realimentacin . Mayor nmero de
interruptor. cambios de negativa. componentes.
ventajas inconvenientes
. Buena impedancia de . No destaca
entrada.
. Realimentacin negativa.
Curvas caractersticas V-I (Emisor Comn)
Caracterstica V-I de entrada

La Base-Emisor es una unin P-N:
iB iB I BS (evBE /VT 1) (1 ) I ES (evBE /VT 1)

La tensin mnima para polarizar
directamente la Base-Emisor es 0,5 0,7V.
Zona Corte
Depende de VCB
Depende del circuito de entrada:
iB 0; Zona Activa o Saturacin
Zona Conduccin
iB 0; Zona de Corte
iC RC
C
RB iB
B
VBB iE VCC
E
vBE
Curvas caractersticas V-I (Emisor Comn)
Caracterstica V-I de salida

La salida depende de la ib:
iC Zona Saturacin iB 0; Zona Activa o Saturacin
Potencia mxima
iC ib iC f RC ,VCC
ibn iB 0;
Zona Activa o Lineal
Zona de Corte iC 0
ib3
La potencia disipada limita el rea de
operacin segura:
ib2
ib1 P iC vCE Pmax Cte.
ib0 = 0 En la zona activa la ic no es plana, tiene un

ligera pendiente positiva (0,01-0,05mA/V).
Zona Corte Modulacin del ancho de la base. Tensin
VCEsat vCE Early.
Ejemplo: El transistor de la figura a tiene = 300. Calcular IB, IC, VCE y P
(a) (b)
Rpta:
= 9,3 A
= 2,79 mA
= 4,42 v
P = 12,3 mW
(c)
Polarizacin: Anlisis en CC. (Emisor Comn)
Obtencin del Punto de Operacin.

Caracterstica V-I de entrada de un transistor
iB
Circuito de entrada
VBB iB RB VBE
V
iB BB
RB Recta de carga a la entrada
VBB
Punto de operacin Q VBE 0 iB
IBQ RB
iB 0 VBE VBB
Punto de operacin. Interseccin

vBEQ VBE VBB vBE de la recta de carga con la curva
caracterstica de entrada.
Polarizacin. Anlisis en CC. (Emisor Comn)
Obtencin del Punto de Operacin.

Caracterstica V-I de salida de un transistor
iC
Circuito de salida
V
iC CC
RC VCC iC RC VCE
Punto de operacin Q Recta de carga a la salida
ICQ
VCC
VCE 0 iC
RC
iC 0 VCE VCC
VCE VCC
Punto de Operacin. Interseccin
vCEQ vCE de la recta de carga con la curva del
valor de iB dado por la caracterstica de
entrada.
EJEMPLO: ELECCION DE UN PUNTO DE
OPERACIN DE UN TRANSISTOR BJT
Usemos el circuito mostrado para calcular

el punto de operacin, tambin denominado
punto Q.
Las correspondientes Ecuaciones de
Kirchhoff:
De la ltima ecuacin obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente son:
Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este

recta con la curva de la familia correspondiente a la corriente de base.
En este punto, el BJT puede usarse como amplificador lineal
Polarizacin del transistor bipolar (anlisis simplificado)
a) Polarizacin por divisor de tensin
Ejemplo: Cul es la tensin colector-emisor en el circuito de la figura ?
Solucin
= 1,1 V
= 6,04V
Polarizacin del transistor bipolar (anlisis preciso)
Qu es un circuito de polarizacin mediante divisor de tensin bien diseado? Es aqul

en el que el divisor de tensin se mantiene constante en la resistencia de entrada de la
base. Esta afirmacin necesita una explicacin.
(a) (b) (c)
Divisor de tensin constante

Si el transistor de la fig. c tiene una ganancia de 100, su corriente de colector
(o emisor) ser 100 veces mayor que la corriente de base. Luego la resistencia
R E parece ser 100 veces mayor.
R IN = R E
Como: 0,01 entonces 1 2 0,01 = 0,01 R E
Con estas caractersticas se obtiene un punto Q extremadamente estable.

Divisor de tensin casi constante

Algunas veces, el diseo para obtener una tensin constante genera
valores pequeos de R1 y R 2 . En este caso muchos diseadores utilizan la
siguiente regla de compromiso:
Divisor de tensin (regla 10:1) casi constante: 1 2 0,1 R E
En este caso la corriente de colector ser aproximadamente un 10 % menor

que el valor obtenido con el divisor de tensin constante.
Aproximacin ms cercana
Para obtener un valor ms preciso para la corriente de emisor:

=
+
1 2

Ejemplo
Es el divisor de tensin de la fig. constante? Calcule el valor ms preciso de
la corriente de emisor utilizando la ltima ecuacin del prrafo anterior.
Sol. Comprobamos la regla 100: 1:

Divisor de tensin constante:
1 2 0,01 R E
La resistencia Thevenin del divisor de tensin es:

1 2 = 1,8k
La resistencia de entrada de la base es:

R E = 200 (1k) = 200 k
La centsima parte: 0,01 R E = 2k
1 2 0,01 R E 1,8 k 2k

= =
1,8 0,7
= 1,09mA
+

1 2 1+
1,8
200

Otras configuraciones de polarizacin (ejemplos)
Ejemplo
Hallar el punto de trabajo del circuito de la fig. Considerar
que VCC = 15 V; RC = 1 kW; RB = 400 kW; = 200 y que
VBE = 0,7 V.
Sol.
Para la malla de base:
Para la malla de colector:

Ejemplo Ejemplo
En el circuito de la fig. si = 0,98 y En el circuito de la fig. calcule el
VBE = 0,7 V, calcular el valor de la punto de operacin y la potencia
resistencia R1, para una corriente de disipada en colector del transistor en
emisor 2 mA reposo.
Rpta. R1 = 81,1K Datos: = 100; VBE = 0,7V;
VCEsat = 0,1V
Rpta.
IBQ = 27,35A
ICQ =2,735 mA
VCEQ =3,44V
PC = 9,44mW
Ejemplo Ejemplo
Para la red de polarizacin de emisor Dado que IcQ = 2mA y VBEQ = 10V,
de la figura, determine: IB ,IC,VCE, VC, c, determine R1 y RC para el circuito de
VB ,VBC la figura
Rpta:
IB = 40,1 uA
IC = 2,01 mA
VCE = 13,97 V
VC = 15,98 V
VB = 2,71 V
VBC = -13,27 V
Ejemplo
En el circuito mostrado en la fig., calcule:
a) El punto de operacin del transistor y la

potencia que disipa el transistor en reposo.
b) El valor mximo de RC con el cual el
transistor permanece trabajando en la regin
activa.
c) Represente el punto de operacin y la lnea
de carga esttica en la caracterstica de salida
del transistor.
Datos: =100; VBE = 0,6 V; VBEsat = 0,8 V;

VCEsat = 0,2 V
Rpta.
(a) IBQ = 12,3A ; ICQ = 1,23 mA ; VCEQ = 1,85V ; PC = 2,28 mW

(b) RCmx = 4,34 k
Ejemplo
En el circuito de la figura, obtenga la variacin de la tensin Vo cuando VBB

cambia de 1 V a 2 V.
Datos: =100
Rpta. V0 = 3,05 V
Ejemplo
El conmutador de la figura sirve para
poner en marcha el motor de continua, a
travs de un rel. La bobina del rel se
activa cuando pasa como mnimo 10mA
por ella, cerrando el interruptor (Relay 1)
en ese caso. (a) calcular el valor mximo
de Rb para que funcione el sistema. (b)
Tensin VCE en ese instante. (c) Si Rb
fuese un potencimetro, cul sera la
mxima corriente que podramos hacer
pasar por la bobina? (d) Calcular la
potencia que estara disipando la bobina
en ese instante.
Datos: R (bobina) = 100 , V1 = 5 V, V2 = 2
V , =100
Rpta. (a) RBmx = 43 k (b) VCE = 4 V (c) IBBmx = 48mA (d)

; PBBmx = 230,4 mW;
TOSHIBA
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de corriente de base
C
El terminal de Base, puede estar presente o no.
No confundir con un fotodiodo.

E
El fototransistor
El fototransistor
DISTINTOS ENCAPSULADOS
El fototransistor
OPTOACOPLADOR
Conjunto fotodiodo + fototransistor
OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico

y proteccin elctrica.
Deteccin de obstculos.
Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de

Potencia y en Electrnica Digital.
Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica

Analgica.
Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante

intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona

bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos
(Mayoritarios del emisor en cada caso).
Recurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los

huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de
condiciones.

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Tema : El transistor bipolar

Introduccin: tipos de transistores

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

* FET : Field Effect Transistor

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el de dos diodos en

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las

Concentracin de portadores en equilibrio

np0 pn0 n'p0

Polarizacin en forma activa

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada VCE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La caracterstica de este diodo depende de VCE pero la variacin es pequea.

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

Zona activa: IC=IB

El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del

La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean

Sustituimos el interruptor principal por un

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN.

Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es

IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida

La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante

Saturacin IB4 PMax = VCEIC

VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin SOAR

: Ganancia de corriente continua en emisor comn.

Circuito simple ideal (Emisor Comn)

Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin Base-Colector polarizada

Zona Activa: Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin Base-

Zona de corte: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector

Zona Saturacin: Unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE>V). Unin

Zona de Transistor inverso: Unin Base-Emisor polarizada inversamente. Base-

La conexin BE est conectada en directo; y

De modo que podemos hallar el rgimen de trabajo en las grficas.

De los datos anteriores:

Ambos estn en directo.

polarizacin de base polarizacin de colector polarizacin de emisor

ventajas inconvenientes ventajas inconvenientes

Curvas caractersticas V-I (Emisor Comn)

Caracterstica V-I de entrada

iB iB I BS (evBE /VT 1) (1 ) I ES (evBE /VT 1)

Curvas caractersticas V-I (Emisor Comn)

Caracterstica V-I de salida

ib0 = 0 En la zona activa la ic no es plana, tiene un

Obtencin del Punto de Operacin.

Punto de operacin. Interseccin

Polarizacin. Anlisis en CC. (Emisor Comn)

Obtencin del Punto de Operacin.

Usemos el circuito mostrado para calcular

De la ltima ecuacin obtenemos una recta cuyos interceptos y pendiente son:

Trazando esta recta, se encuentra el referido punto Q en el cruce de este

Qu es un circuito de polarizacin mediante divisor de tensin bien diseado? Es aqul

(a) (b) (c)

Divisor de tensin constante

Como: 0,01 entonces 1 2 0,01 = 0,01 R E

Con estas caractersticas se obtiene un punto Q extremadamente estable.

Divisor de tensin casi constante

Divisor de tensin (regla 10:1) casi constante: 1 2 0,1 R E

En este caso la corriente de colector ser aproximadamente un 10 % menor

Sol. Comprobamos la regla 100: 1: