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1.1. INTRODUCCIN.

1.2. CARACTERSTICAS DEL DIODO.


1.3. PARMETROS DE OPERACIN Y PROPIOS DEL
DIODO.
1.4. ESPECIFICACIONES DEL DIODO.
1.5. CARACTERSTICAS V I DE ALGUNOS DIODOS
ESPECIALES.
1.6. CIRCUITOS CON DIODOS.
1.1. INTRODUCCION
DIODO: Es un dispositivo electrnico que tiene la propiedad I de
conducir I en un sentido y bloquear en el otro.

Su estructura interna esta conformada por una unin PN:

P: Semiconductor con portadores mayoritarios tipo P o huecos.


N: Portadores minoritarios tipo N o electrones.
La polarizacin positiva o directa del diodo permite la conduccin
de la corriente a travs del diodo.

La polarizacin negativa o inversa del diodo bloquea el paso de


la corriente.
1.2. CARACTERISTICAS DEL DIODO
1.2.1. CARACTERISTICAS DEL DIODO IDEAL
Un diodo ideal tiene las siguientes caractersticas:
En polarizacin inversa, la corriente es cero en ambos sentidos.
No presenta resistencia interna = 0
No presenta tensin umbral = 0
El tiempo de conmutacin es cero = 0
En polarizacin inversa (tensin inversa pico)

Graficando su funcionamiento: Modelo circuital:

Io: corriente inversa de


Polarizacin inversa Polarizacin directa saturacin
bloqueo conduccin
1.2.2. CARACTERISTICAS DEL DIODO REAL
En polarizacin inversa, el diodo presenta una corriente.
Presenta resistencia interna (ri 0)
Presenta una tensin umbral (vr 0) o cada de tensin del diodo (vd 0)
El tiempo de conmutacin es cero (tc 0)
Grafica V - I:
Con pendiente (ri 0)

Zona de Polarizacin Zona de Polarizacin


inversa directa
Tensin
zener

Corriente zener Tensin = 0.7


o avalancha umbral = 0.3

Ecuacin del Ecuacin de


Diodo: = 0 1 Shokley
: Corriente del diodo
0 : Corriente inversa del diodo o de saturacin.
: Tensin del diodo (cada).
n: 2 Si
1 Ge
: Temperatura expresada en tensin

. Para 300K 25C


=
11600 26mV

Para: = -1V 1
= 0 226103 1
T = 25C
Diodo: Si 0
= 103
0 A
52 Mas pequeo
=0

= 0
Ejemplo: Determinar el valor de Id para un diodo d Silicio si Vd=0.8V, T=50C y Io=10A

= 0 1
0.8
( = 10 106 228103 1
=
11600 = 10 106 14.28 10 106
323 = 15.91 10 106
=
11600
= 27.8 = 15.91
28m

= +
1.2.3. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN CARACTERISTICAS DEL DIODO
La temperatura afecta a las caractersticas de Id, Vr e Io

T3T2T1

Ideal

A mayor temperatura
se aproxima
EFECTOS
Se mejora la caracterstica de conduccin del diodo (Io ideal).
Las tensiones umbrales (Vr)disminuye (Vr ideal).
La corriente inversa de saturacin (Io) se incrementa.
La tensin zener disminuye.

NOTA: En los diodos de silicio (Si), la temperatura afecta muy poco el incremento
de Io.
1.3. PARAMETROS DE OPERACIN Y PROPIOS DEL DIODO
Los diodos presentan los siguientes parmetros:
a) La resistencia:
* Resistencia directa o esttica.
* Resistencia dinmica.
*Resistencia propia.
b) La capacitancia.
1.3.1. RESISTENCIA ESTATICA O DIRECTA (RD)
Es aquella resistencia que presenta el diodo cuando trabaja en DC, y viene determinado por el
puerto de operacin del diodo (Q).

Punto de operacin
del diodo
RD es grande para
pequeo.
RD es pequeo para
grande.
EJEMPLO:
Si ID = 10mA y VD = 0.75V
0.75
=
10

= 75

Si ID = 120mA y VD = 0.82V

0.82
=
120

= 6.83
1.3.3. RESISTENCIA DINAMICA O DE C.A. ( )
Es aquella resistencia cuando trabaja en C.A.

(
= =
(

Si:

=

De donde:

=
=
=
EJEMPLO:
Determinar la de un diodo que trabaja en C.A. cuya variacin de corriente y tensin
son:
a) 1 = 10 2 = 30 1 = 0.65 2 = 0.8

= 30 10 = 20
= 0.8 0.65 = 0.15
0.15
= = 7.5
20
26
b) Aplicando = y derivando con T = 25C

1 + 2
= = 20
2

26
= = 1.3
20
1.3.3. RESISTENCIA PROPIA
Es aquella resistencia que presenta el diodo debido al material del cual estn fabricados.
Esta resistencia puede ser considerada como:

Resistencia total: = +

1.3.4. CAPACITANCIA
La capacitancia en los diodos se presenta a frecuencias relativamente altas. Para frecuencias
pequeas no se considera.
En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados.
Ambos tipos de capacitancia estn presentes en las regiones de polarizacin en directa y en
inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada regin por lo que consideramos los efectos
de slo uno en cada regin.
En la regin de polarizacin en inversa tenemos la capacitancia de transicin o de regin
de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la regin de polarizacin en directa tenemos la
capacitancia de almacenamiento o difusin (CD ).

Polarizacin Inversa
Polarizacin Directa
1.4. ESPECIFICACIONES DEL DIODO
El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)
La corriente mxima en directa IF (a una temperatura especificada)
La corriente de saturacin en inversa IR (a un voltaje y temperatura
especificados)
El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR
proviene del trmino
breakdown (ruptura) (a una temperatura especificada)]
El nivel de disipacin de potencia mximo a una temperatura particular
Niveles de capacitancia
Tiempo de recuperacin en inversa trr
Intervalo de temperatura de operacin.
Segn el tipo de diodo que se est considerando, es posible que tambin se den ms
datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutacin, niveles de
resistencia trmica y valores repetitivos pico. Para la aplicacin pensada, la importancia
de los datos casi siempre es autoaparente. Si tambin se da el coeficiente de
disipacin o potencia mxima, se entiende que es igual al siguiente producto:

max =
donde ID y VD son la corriente y el voltaje en el diodo, respectivamente, en un punto de
operacin particular.
Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (una ocurrencia
comn), podemos sustituir VD = VT = 0.7V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.8) y
determinar la disipacin de potencia resultante por comparacin contra el coeficiente
de potencia mximo. Es decir:
(0.7
1.5. CARACTERISTICAS V-I DE ALGUNOS DIODOS ESPECIALES
1.5.1. DIODO SCHOTTKY
Tiene mejores caractersticas V-I del diodo general.
Son de alta velocidad y generalmente trabajan a altas frecuencias.
Se utilizan en sistemas de computo, telecomunicaciones.
ltimamente se viene utilizando en fuentes de alimentacin.

No necesita mucha
tensin umbral para
conducir
1.5.2. DIODO ZENER
Es un diodo que trabaja en la zona de polarizacin inversa.
A la tensin zener VZ el diodo conduce altas corrientes y corrientes de avalancha.
Son utilizados en reguladores de tensin.

IZ
ANALISIS DE CIRCUITOS
CON DIODOD
Circuitos en DC
Circuitos en AC
Circuitos en DC y AC
1.6 CIRCUITOS CON DIODOS

1.6.1 Circuito serie en DC


Anlisis grafico
Uso de las caractersticas V-I del diodo
Uso de la LVK
Uso de la recta de carga esttica
La interseccin de las dos curvas definir la solucin para la red, as
como los niveles de corriente y voltaje.
.
CIRCUITOS EN SERIE
a) Si PLICANDO LEYES DE TENSIONES TE
KIRCHOFF
LVK: V=I* +0.7+0.3
+
V E (1.0
I I=
-

Ge
1.6.2 Circuitos paralelos
CIRCUITOS PARALELOS
a)
0

0 = =2 *
+ +
Si 2
V E -
-
b) 1
0 2
0

+ +
Si 2 Ge
V E V E
- -

0 = = *2 +0.7
b)

V0 V0

0 = = 0.7 + 2
C) 1
0
0

+ + - +
+
D1 2 D2
V E -
V E
- + - -

0 =1
1.6.3 Circuitos mixtos
CIRCUITOS MIXTOS
a) 1 Ge

0 0.7=0.3 + 2 *2

+ + 0 =0.7 0.3=0.4
Si 2
V E -
-
B) 1 Si
0 0 =0.3 + 2 3

ECUACIONES MALLA 1
=1 (1 +2 ) - 2 2
+ +
2 Ge
V E
- - ECUACIONES MALLA 2
(2 +3 )*2 - 2 2 + + = 0
DONDE 0 NO SE PUEDE HALLAR
1.6.4. Circuitos serie en C.C y C.A en pequea seal.

Condiciones:

v1 es una seal pequea (Vr>Vm)


El diodo tiene R (0.1 2.2)

Para el anlisis:

Vi=Vm Sen t

El Anlisis se realiza en C.C y luego en C:A


a) Circuito en C.C.

ID

Se determina el punto de
equilibrio
b) Circuito en C.A.

26
=


=
+ +
Considerando la curva V-I
EJEMPLO

Determinar el valor a travs de la corriente que circula por el circuito mostrado

rd=1 En C.C.

IDQ

10 = 0.7 + 1
10 0.7
=
1
= 9.

26 103
= = 2.8
9.3 103
En C.A.

0.3
=
1 + 2.8 + 1000
= 9.3 + 0.3
= 0.2985

0.3 1
2 = 2

= 0.3
1.6.5. Circuitos Recortadores

a) Circuito Serie sin fuente VE

Polaridad positiva ciclo positivo

Polaridad negativa ciclo negativo

Considerando ciclo ideal

El diodo acta como un recortador de media onda en


el ciclo negativo, dejando pasar la seal de tipo
positivo.
b) Circuito Serie con fuente VE.

iL

Condicin Vm>Vr
determinar la tensin vL de la figura.

VL

= 20
EJEMPLO

Determinar la seal de salida en el circuito mostrado.

VL

10; 0 1
=
10; 1 2

Seal vi
c) Circuito recortador paralelo sin VE

El diodo acta como recortador paralelo que


recorta seales positivas y muestra seales
negativas
d) Circuito recortador paralelo con VE

; 0 1
=
; 1 2
1.6.5 Circuitos recortadores
1.6.6 circuitos con diodo zener
1.6.6 Circuitos con diodos Zener

Por divisor de tensin:


I
IL
IZ
=
+

= +

Tambin: Por L.V.K.

= +

Por otro lado:

=
1.6.6 Circuitos con diodos Zener

Por divisor de tensin:


I
IL
IZ
=
+

= +

Tambin: Por L.V.K.

= +

Por otro lado:

=
EJEMPLO

En el circuito que se muestra determinar el valor de la corriente IZ para VZ = 9V.

9
= = 0.09
100

I = 10 + 9
IL

= 0.6
IZ

= 0.51
Si VE = 25
Luego
= +
= 9 1.51 = 13.59
= 90
En el circuito anterior determinar IZ Si VE=10V
25 = 10 + 9
=
= 1.6. = 0.1
= 0.09
= 1.6 0.09 = 1 0.09
= 0.01
= 1.51

Conclusin: Existe un VEmin y un VEmax . Pero


las cadas el diodo Zener regula el voltaje de
entrada.