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Conduo de eletricidade

em slidos
Condutores
Semicondutores
Prof. Karen Fiuza
Maio/2017
Slidos cristalinos

Condutores
Semi-condutores
Isolantes
Propriedades eltricas dos slidos
Resistividade (.m).
O coeficiente de temperatura da resistividade
= (1/)(d/dT), cuja unidade no SI o inverso do
Kelvin (K-1). Para determinar experimentalmente o
de um slido basta medir a resistividade para
vrias temperaturas.
A concentrao de portadores de carga n,
definidada como o nmero de portadores de carga
por unidade de volume, cuja unidade no SI o
inverso do metro cbico (m-3).
Algumas propriedades eltricas
dos slidos

Propriedade Cobre Silcio


Tipo de conduo Condutor Semicondutor
Resistidade (.m) 2x10-8 3x10+3
Coef. temp. da +4x10-3 -70x10-3
resistividade (K-1)
Concentrao de 9x1028 1x1016
portadores de carga (m-3)
Coeficiente de temperatura da
resistividade,

1 d

dT
Sendo que a resistividade dos metais aumenta com a temperatura,
enquanto a resistividade dos semicondutores diminui com a
temperatura (de maneira que o negativo).
Pergunta:

O que faz do diamante um


isolante, do cobre um metal e
do silcio um semicondutor?
tomos isolados
Eltrons de um tomo unitrio ocupam um conjunto
discreto de nveis de energia. Quando medimos as
energias dos eltrons em um tomo isolado, no
encontramos uma distribuio contnua de energias,
mas um conjunto de energias quantizadas.
As energias dos eltrons so quantizadas.
Apenas dois eltrons podem ocupar um
determinado nvel de energia caracterizado pelos
nmeros qunticos n, l e m.
Um desses eltrons ter spin up e o outro ter
o spin down.
Eltrons que esto mais fortemente ligados
geralmente so aqueles mais prximos ao ncleo.
tomos so construdos preenchendo os nveis
de energia a partir do mais negativo at o menos
negativo.
Slidos
Quando os tomos formam um slido, a energia potencial de cada
eltron muda, e tambm os possves valores de energia mudam. A
energia dos eltrons mais fortemente ligados muda muito pouco, e
esses eltrons permanecem localizados no mesmo lugar. Porm os
eltrons ligados mais fracamente no permanecem no mesmo lugar,
e os possveis valores de energia agora formaro bandas de valores
possveis, separados por gaps (bandas proibidas)..
Nveis de energia em slido
cristalino
Bandas de conduo e valncia
Existem infinitos nmeros de bandas em uma estrutura de bandas
em um dado material.
As mais significativas para determinar as propriedades ticas e
eletrnicas de um material so: bandas de conduo e de valncia.
Estas bandas esto separadas por bandas proibidas (gaps), que so
energias que nenhum eltron pode ter.

Os slidos cristalinos so colees


de tomos arranjados em uma
estrutura repetitiva tridimensional.
Os nveis de energia em slidos se
tornam agrupados por bandas, que
so separadas por gaps. Os
eltrons NO podem ter energias
que cairiam em gaps.
Isolantes
Em um isolante, a banda mais alta est
completamente ocupada. Pelo Princpio de
Excluso de Pauli, nenhum eltron pode se
mover para um nvel j ocupado, logo, nenhum
eltron no slido pode se mover.
Os nveis no-ocupados esto energeticamente
distantes, isto , necessrio grande
quantidade de energia para cruzar o gap entre
as bandas.
No diamante, por exemplo, a energia
necessria 5.5eV, aproximadamente 140 vezes
a energia trmica de uma partcula livre a
temperatura ambiente. Essencialmente,
nenhum eltron capaz de cruzar este gap, o
que faz do diamante um excelente isolante.
Isolantes
Exerccio
Qual a probabilidade de um eltron que est na
banda preenchida de mais alta energia de um
diamante temperatura ambiente (300K) de cruzar
um gap de energia de 5.5 eV?
Usando a equao de Ludwig Boltzmann:
Ex E0 / kT
N x N0e
Que relaciona o nmero de tomos no estado mais alto x de
energia com o nmero de tomos no estado fundamental 0,
onde a quantidade kT a energia cintica mdia de um tomo
temperatura T.
Use k = 8.62x10-5 eV/K.

Resposta: ~ 4,3 x 10-93.


Metais
O mais alto nvel ocupado
de um metal cai em algum
lugar prximo metade de
uma banda de energia.
Assim, quando aplicamos
uma diferena de
potencial, uma corrente
pode existir porque existe
muitos nveis vazios
prximos nais quais os
eltrons podem ocupar.
Nvel de Fermi
O nvel mais alto ocupado em uma banda no zero
absoluto (T = 0K) chamado de nvel de Fermi, e a
energia correspondente chamado de energia de
Fermi EF. Para o cobre: EF=7.0eV.
Quantidade de eltrons de conduo
Um tomo monovalente contribui com um eltron
para a banda de conduo em um metal; um tomo
bivalente contibui com dois. O nmero total de
eltrons condutores :
nmero _ de _ eltrons nmero _ de nmero _ de _ eltrons

de _ conduo tomos de _ valncia _ por _ tomo
A densidade numrica n de eltrons condutores em
uma amostra o nmero de eltrons de conduo
por unidade de volume.
n _ tomos_ am ostra massa _ amostra massa _ amostra

massa _ atmica massa _ molar
NA

massa _ especfica volume _ amostra


massa _ molar
NA

Onde a massa molar M a massa de um mol do material de que


feita a amostra e NA o nmero de Avogadro (6,02x1023 mol-1).
Exerccio
Quantos eltrons de conduo existem em um
cubo de magnsio com volume de 2,00x10-6m3?
Os tomos de magnsio so bivalentes
(contribuem com dois eltrons).
Massa especfica = 1,738 g/cm3
Massa molar = 24,312 g/mol

Resposta: 1,72x1023 eltrons


Condutividade acima do zero absoluto

Mesmo para T=1000K, temperatura na qual o cobre j est


incandescente, a distribuio de eltrons entre os nveis disponveis
no muito diferente da distribuio para T = 0K.
Semicondutores

Concentrao de portadores de carga na banda


de valncia e de conduo; resistividade diminui
com a temperatura.
Silcio: exemplo clssico de
semicondutor
A energia de gap
do silcio 1,1eV,
logo, existe uma
probabilidade
significativa de
que a agitao
trmica faa um
eltron passar da
banda de
valncia para a
banda de
conduo.
Semicondutores dopados
Processo: dopagem.
Aproximadamente 1 tomo a cada 106 substitudo...
Propriedades de semicondutores dopados
Propriedade Semicondutor P Semicondutor N
Material da matriz Silcio Silcio
Carga nuclear matriz +14e +14e
Eg da matriz 1,2eV 1,2eV
Dopante Alumnio Fsforo
Tipo de dopante Aceitador Doador
Portadores (maioria) Buracos Eltrons
Portadores (minoria) Eltrons Buracos
E do dopante Ea=0,067eV Ed=0,045eV
Valncia do dopante 3 5
Carga nuclear dopante +13e +15e
Carga do on do dopante -e +e
Tipo N e Tipo P

tomo doador tomo aceitador


Em um semicondutor do tipo P o nvel de Em um semicondutor do tipo N o nvel de
energia introduzido por uma impureza energia introduzido por uma impureza
aceitadora est a uma pequena distncia doadora est a uma pequena distncia Ed
Ea da banda de valncia. Como os eltrons da banda de conduo. Como os eltrons
da banda de valncia podem ser do tomo doador podem ser facilmente
facilmente excitados para o nvel dos excitados para a banda de conduo
aceitadores, passam a existir muito mais passam a existir muito mais eltrons nesta
buracos nesta banda. O nmero de banda. O nmero de buracos na banda de
eltrons na banda de conduo se torna valncia se torna ainda menor que no
ainda menor que no semicondutor puro, semicondutor puro, j que alguns buracos
j que alguns eltrons se recombinam com se recombinam com eltrons da banda de
buracos da banda de valncia. conduo.
Juno p-n
Movimento dos portadores em maioria
Corrente de difuso Idif
Zona de depleo: assim chamada porque quase no
contm cargas mveis
Diferena de potencial de contato V0
Diferena de potencial de polarizao Vb

e V Vb

N x Nee kT
Juno p-n
Transistores
https://www.youtube.com/watch?v=IcrBqC
FLHIY
LED : Diodo emissor de luz
(laboratrio)

c c hc

f Eg / h Eg
Lei de Moore: o nmero de transistores
incorporados em um chip ir dobrar a cada 2
anos. (Gordon Moore, 1975)
Podemos relacionar o nmero de tomos em
uma amostra com vrias outras propriedades
da amostra e do material de que feita a
amostra atravs das seguintes equaes:
nmero _ de _ tomos massa _ amostra _ M am M am

na _ amostra massa _ atmica (massa _ molar _ M ) / N A


densidade _ do _ material volume _ da _ amostra _ V
(massa _ molar _ M ) / N A

Onde a massa molar M a massa de um mol


do material da amostra, e NA o nmero de
Avogadro (6.02x1023 mol-1).
Quantos estados qunticos tem?

8 2m 1
3/ 2
N (E) 3
E 2
h
3 1
densidade _ de _ estados, m J
31
m 9,109 x10 kg
34
h 6,626 x10 J .s
Probabilidade de Ocupncia P(E)
Estatstica de Fermi-Dirac
1
P( E ) ( E E F ) / kT
e 1
A energia de Fermi de um dado material a
energia de um estado quntico que tem
probabilidade de 0,5 de ser ocupado por um
eltron.
Quantos estados?
Densidade de estados ocupados

N o ( E ) N ( E ) P( E )
Calculando a Energia de Fermi
Integrando o nmero de estados ocupados por unidade de volume
para T=0K, em todas as energias de E=0 at E=EF, resultando no
nmero de eltrons de conduo por unidade de volume para o
metal.
EF EF

n N
0
o ( E )dE N ( E )dE
0

8 2m 3 / 2 EF
8 2m 3/ 2
2E3/ 2
n 0 E dE h3
1/ 2 F
3
h 3
2/3
3 h 2 2 / 3 0,121h 2 2 / 3
EF n n
16 2 m m