Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
em slidos
Condutores
Semicondutores
Prof. Karen Fiuza
Maio/2017
Slidos cristalinos
Condutores
Semi-condutores
Isolantes
Propriedades eltricas dos slidos
Resistividade (.m).
O coeficiente de temperatura da resistividade
= (1/)(d/dT), cuja unidade no SI o inverso do
Kelvin (K-1). Para determinar experimentalmente o
de um slido basta medir a resistividade para
vrias temperaturas.
A concentrao de portadores de carga n,
definidada como o nmero de portadores de carga
por unidade de volume, cuja unidade no SI o
inverso do metro cbico (m-3).
Algumas propriedades eltricas
dos slidos
1 d
dT
Sendo que a resistividade dos metais aumenta com a temperatura,
enquanto a resistividade dos semicondutores diminui com a
temperatura (de maneira que o negativo).
Pergunta:
e V Vb
N x Nee kT
Juno p-n
Transistores
https://www.youtube.com/watch?v=IcrBqC
FLHIY
LED : Diodo emissor de luz
(laboratrio)
c c hc
f Eg / h Eg
Lei de Moore: o nmero de transistores
incorporados em um chip ir dobrar a cada 2
anos. (Gordon Moore, 1975)
Podemos relacionar o nmero de tomos em
uma amostra com vrias outras propriedades
da amostra e do material de que feita a
amostra atravs das seguintes equaes:
nmero _ de _ tomos massa _ amostra _ M am M am
na _ amostra massa _ atmica (massa _ molar _ M ) / N A
densidade _ do _ material volume _ da _ amostra _ V
(massa _ molar _ M ) / N A
8 2m 1
3/ 2
N (E) 3
E 2
h
3 1
densidade _ de _ estados, m J
31
m 9,109 x10 kg
34
h 6,626 x10 J .s
Probabilidade de Ocupncia P(E)
Estatstica de Fermi-Dirac
1
P( E ) ( E E F ) / kT
e 1
A energia de Fermi de um dado material a
energia de um estado quntico que tem
probabilidade de 0,5 de ser ocupado por um
eltron.
Quantos estados?
Densidade de estados ocupados
N o ( E ) N ( E ) P( E )
Calculando a Energia de Fermi
Integrando o nmero de estados ocupados por unidade de volume
para T=0K, em todas as energias de E=0 at E=EF, resultando no
nmero de eltrons de conduo por unidade de volume para o
metal.
EF EF
n N
0
o ( E )dE N ( E )dE
0
8 2m 3 / 2 EF
8 2m 3/ 2
2E3/ 2
n 0 E dE h3
1/ 2 F
3
h 3
2/3
3 h 2 2 / 3 0,121h 2 2 / 3
EF n n
16 2 m m