Projeto de circuito de RF

Cap 5 Introduo aos

Semicondutores

Prof. Thiago Coelho

Departamento de Circuitos Eltricos Faculdade de Engenharia 1

 Introduo
Utilizados na construo de osciladores, mixers, amplificadores pois todos
estes so baseados em semicondutores, por este motivo so cahamdos de
dispositivos de estado slido tais como dodo e transstores.
Iremos relembrar conceitos de fsica de estados slidos, mais
especialmente dos semicondutores, envolvendo junes pn e de metais-
semicondutores.
Esse estudo necessrio pois:
Em alta frequncia os modos de operao, a capacitncia adicional e os efeitos
indutivos nos modelos de circuito em RF afetam a performance do dispositivo.
Analisando a juno pn e o contato Schottky, iremos ter uma perspectiva mais
completa das funes dos circuitos eletrnicos que so bases dos sistemas de
retificao, amplificao, sintonia em RF e de chaveamento.
 Semicondutores
Os eltrons ligados ao tomo possuem valores discretos de energia devido a
ligao com o ncleo. Em um slido cristalino (semicondutores) devido a
interao na rede cristalina de diversos tomos os eltrons podem assumir
diversos valores de energias em nveis muito prximos podendo ser definido
como uma banda de energia, isto uma faixa praticamente continua de
valores que o eltron pode assumir.
Isto da origem a 3 diferentes bandas, duas bandas com valores que o eltron
pode assumir e uma banda proibida.
Banda de Conduo: Nesta banda os eltrons esto livres podendo criar uma
corrente eltrica de conduo no material devido a ao de um campo eltrico.
Banda de Valncia: Nesta banda encontram-se os eltrons mais afastados do ncleos
mas que no esto livres, podendo ser chamados de semilivres.
Banda proibida (Band gap): chamada de banda proibida pois representa os valores
de energia no material que os eltrons no podem assumir.
Bandas de Energia

ENERGIA
 Semicondutores
Os semicondutores so dispositivos slidos que se arranjam em uma estrutura
cristalina atravs de ligaes covalentes entre os eltrons da banda de valncia.
 Semicondutores
Vamos concentrar nossas discusses nos 3 principais elementos
semicondutores:
Silcio (Si)
Germnio (Ge)
Arseneto de Glio

Sabemos que o aumento de temperatura ou outra excitao energtica

responsvel por ceder energia (Wg) ao eltron que seja suficiente para
quebra a ligao covalente e fazer com que o mesmo ultrapasse a banda
proibida. Sendo assim temos que:
=
Sendo Wc energia da banda de conduo e Wv energia da banda de valncia
 Semicondutores
Os valores de energia de banda proibida na temperatura ambiente so:
Silcio (1,12 eV)
Germnio (0,62 eV)
Arseneto de Glio (1,42 eV)
A criao de um eltron livre na banda de conduo responsvel pela
criao de uma lacuna na banda de valncia que tambm se movimentar
sobre a influncia de um campo eltrico.
Sem a influncia de um campo eltrico os pares eltrons e lacuna esto em
movimento aleatrio na matriz cristalina do semicondutor devido a energia
trmica.
Caso um eltron livre encontre uma lacuna ocorre a recombinao e ambos
os portadores de carga desaparecem.
 Semicondutores
No equilbrio trmico tem-se o mesmo nmero de gerao e recombinao de
portadores (eltrons e lacunas).
A concentrao de portadores de carga segue uma distribuio estatstica que
obedece ao critrio de Fermi de acordo com:

(1)

(2)
Onde
Sendo Nc,v a concentrao efetiva de portadores na banda de conduo e na
banda de valncia respectivamente e WF o nvel de Fermi que indica o nvel de
energia mdio ocupado pelos portadores de energia e m*n,p a massa efetiva de
eltrons e lacunas e K a constante de Boltzman igual a 8,617x10-5 eV/K.
 Semicondutores
Dizemos que um semicondutor intrnseco quando em sua matriz cristalina
no h nenhum tomo dopante, isto so formados apenas pelos tomos
do elemento semicondutor.
No semicondutor intrnseco o nmero de eltrons livres produzidos igual
ao de lacunas (n=p=ni) sendo ni a concentrao intrnseca de portadores de
carga. Nesse cenrio o nvel de Fermi est no meio do band gap e temos:
= 2 (3)
A equao (3) ser verdade no apenas para semicondutores intrnsecos
mas tambm para semicondutores dopados que sero discutidos mais a
frente.
 Semicondutores
Substituindo as equaes (1) e (2) em (3) tem-se:

= = (4)
2 2

A tabela abaixo mostra o valor de cada parametro de interesse em 300K

 Semicondutores
Sabemos que a condutividade () para um material e dado pela lei clssica do
eletromagnetismo
=
A condutividade para um material semicondutor (modelo de Drude) pode ser
encontrado pela concentrao de portadores de carga N, o valor da carga
unitria q, a velocidade de deriva e o campo aplicado.

(5)

Nos semicondutores temos eltrons e lacunas contribuindo para a condutividade

do material.
Para campos eletricos pequenos, a velocidade de drift e proporcional ao campo
aplicado por uma constante de proporcionalidade conhecida por fator de
mobilidade ()
 Semicondutores
Podemos reescrever a equacao (5) na forma:
(6)
onde n, p [cm2/Vs] sao os fatores de mobilidade de eletrons e lacunas e
dependem do material.
Para os semicondutores intrnsecos, utilizando a equao dos portadores de
carga intrnsecos (4), a equao (6) pode ser escrita da forma:
(7)

Logo a condutividade para uma determinada temperatura pode ser

calculada para o tipo de semicondutor conhecendo seus parmetros de
portadores de carga com a temperatura.
 Semicondutores
Semicondutor n p WG NC NV ni
Si 3900 1900 1,12 2,8x1019 1,04x1019 1,45x1010
Ge 1350 480 0,62 1,04x1019 6x1018 2,4x1013
AsGa 8500 400 1,424 4,7x1017 7,0x1018 1,79x106

Calcule para a temperatura ambiente a

condutividade do silicio, do germnio e do
arseneto de glio. Calcule tambm para a
temperatura de zero graus celsius. Calcule na
temperatura ambiente o campo eltrico
necessrio para gerar uma corrente de 2mA em
um wafer de silicio 1 cm2
 Semicondutores tipo n
Uma maior mudana nas propriedades
eltricas dos semicondutores pode ser
realizada pela introduo de tomos de
impurezas.
Este processo chamado de dopagem.
Para conseguir uma dopagem do tipo n
(isto que fornece uma quantidade
adicional de eletrons na banda de
conduo) introduzimos tomos com
um nmero de eltrons na banda de
valncia maior que o dos tomos na
estrutura cristalina do semicondutor.
O tomo de impureza chamado de
tomo doador, sendo o mais usado
neste caso o fosforo.
 Semicondutores tipo n
Assim mantendo a neutralidade da carga, o tomo doa um eltron sem criar uma
lacuna na banda de valncia na estrutura cristalina.
Isto resulta em um aumento no nivel de Fermi pois h mais eltrons na banda de
conduo.
No semicondutor n tem uma concentrao de eltrons livres (nn) que pode ser
relacionado a concentrao de lacunas (pn) pela seguinte expresso:
(8)
onde ND e a concentrao de tomos doadores. Utilizando a equao 3 dos
concentradores intrnsecos de carga podemos em conjunto com a equao 8
encontrar:
(9a)

(9b)
 Semicondutores tipo n
Se a concentrao de ons doadores ND for muito maior que a concentrao
intrnseca (ni) tem-se:
(10a)

(10b)

Sendo assim o produto entre os portadores de carga igual ao quadrado da

concentrao intrnseca conforme a equao 3.
 Semicondutores tipo p
Agora iremos tratar de estruturas
cristalinas com tomos de impureza com
um menor nmero de eltrons na
camada de valncia em relao aos
tomos da estutura cristalina. Estes
elementos dopantes so chamados de
aceitadores
Este tipo de dopagem origina um
semicondutor do tipo p, pois h uma
lacuna que representa uma ligao
covalente incompleta na estrutura
cristalina, essa ligao incompleta
introduz um estado de energia na banda
proibida mais proxima a banda de
valncia
 Semicondutores tipo p
Quando a temperatura aumenta acima do zero absoluto, alguns eltrons
ganham energia suficiente para ocupar as ligaes incompletas mas no
possuem energia suficiente para atravessar a bandgap.
Assim tomos de impureza aceitam eltrons adicionais formando uma rede de
cargas negativas. Nos locais onde os eltrons so removidos so formados
lacunas.
Estas lacunas esto livre para migrar dentro da rede cristalina e contribuir com
a conduo de corrente dentro do material semicondutor.
A concentracao dos portadores majoritarios (pp) no semicondutor dado por:
(11)
onde NA e nP sao as concentraes dos tomos aceitadores e dos portadores
minoritrios (eltrons).
 Semicondutores tipo p
Resolvendo (11) atravs da equao (3) temos:

(12a)

(12b)
De forma similar ao caso do semicondutor do tipo n, podemos ter NA>>ni,
assim:
(13a)

(13b)

As concentraes de portadores minoritrios e majoritrios desempenham

papel fundamental no comportamento de dispositivos semicondutores
Semicondutores
 Caractersticas das Junes pn
Unio de um cristal do tipo n com outro do tipo p

Corrente de difuso
Corrente de deriva
Regio de depleo (~1m)
 Caractersticas das Junes pn

Portadores majoritrios: so cargas livres proveninetes do

processo de dopagem;
Portadores minoritrios: so cargas livres indesejadas devido ao
processo de agitao trmica;
A corrente de migrao dos portadores minoritrios chamada de
corrente de saturao (varia com a temperatura 8%/oC no silcio
(pA) e 11%/oC no germnio (A))
 Juno polarizada

A Ruptura da juno pode ocorrer devido a efeito avalanche ou Zener. Ir

ocorrer um aumento drstico da corrente reversa podendo ocasionar
destruio do componente.
Juno polarizada Caracterstica de corrente de diodo
Sendo Vd a tenso aplicada diretamente na juno tem-se:

= 1 (14)
sendo Is a corrente de saturao, K=1,38x10-23 J/K, T a temperatura em kelvins e
q=1,6x10-19 C e um fator que depende do tipo de cristal (Para o silicio tende
a 2 para uma tenso de ~2 volts e tende a 1 para centenas de milivolts).
=
1 (15)
Na temperatura ambiente de 300 K, as constantes envolvidas no expoente so
denominadas tenso termodinmica que equivalem a:

= 26 (16)

Juno polarizada Caracterstica de corrente de diodo
A forma mais simples de explicitar a corrente e a tenso na regio de
cargas espaciais so:

=
1 (17)

= 1 + (18)

Trabalho: Um diodo de silicio tem fator =1,4 com resistncia total dos
contatos metlicos de 1,2 . Calcule a tenso termodinmica e levante a
sua curva caracterstica em polarizao direta em temperatura ambiente
admitindo uma corrente de saturao da ordem de 200pA.
 Potencial de barreira
No equilibrio temos que a corrente de difuso e de deriva se igualam

Sendo a corrente de difuso de portadores

(19)
Sendo Dn,p as constantes de difuso de eltrons e lacunas dada por
 Potencial de barreira
Com a existncia da corrente de difuso vai se formando a regio de
depleo com a formao de cargas espaciais gerandoo campo eltrico que
ir formar acorrente de deriva IF.

Usando a expresso da condutividade (6) podemos escrever

(20)
J que a corrente total nula, temos para os eltrons:

(21)
 Potencial de barreira
Integrando a equao (21) temos o potencial de barreira (Vdiff)

(22)

Se levssemos em conta as lacunas encontraramos

(23)

Para uma concentrao de dopantes alta e temos:

 Potencial de barreira
Assim obtemos:

(24)

Podemos tambm provar que a largura da regio de depleo dado por:

Exercicio: Encontre a barreira de potencial na temperatura ambiente, para

uma juno pn de silicio (1,5x1010 cm-3) com dopagem NA= 1018 cm-3 e ND=
5x1015 cm-3 e o comprimento da zona de depleo
 Propriedades da juno PN
Capacitncia de juno (VD<Vdiff) as cargas fixas na regio depleo geram
o campo eltrico de deriva, assim tem-se uma concentrao de cargas
positivas e negativas concentrado campos gerando assim uma capacitncia
ao longo da barreira de potencial. Essa capacitncia diminui com a tenso
reversa, devido o aumento da regio de depleo. Perto da difuso essa
equao ir saturar.

(25)

(26)

(27)
Exercicio
Para uma juno pn de silicio (r=11,9 e ni=1,5x1010 cm-3) com NA=
1015 cm-3 e ND= 5x1015 cm-3 , calcule a capacitncia de juno sem
polarizo e com uma polarizao direta de 0,6 volts na temperatura
ambiente para um wafer com rea de 10-4cm2
 Propriedades da juno PN
Capacitncia de difuso Quando polarizado diretamente ocorre injeo de
portadores por corrente de difuso para alm da regio de depleo que iro
levar algum tempo para atingir os terminais da fonte como se o cristal tivesse
um tempo de carga por processo de difuso e um posterior descarregamento.
Este comportamento pode ser enxergado como um efeito capacitivo.
oPodemos enxergar as cargas minoritrias armazenadas no processo de difuso
como sendo:
 Propriedades da juno PN
Em geral o comportamento capacitivo pode ser dividido em 3 regies
Vd < 0 : somente o efeito da capacitncia de juno
0 < Vd <Vdiff: combinaoda capacitncia de juno e difuso. C = Cd + Cj
Vd > Vdiff : Apenas a capacitncia de difuso significativa.

Levando em considerao um diodo operando com tenso direta de 1 V e

assumindo um tempo de transio padro de 100 ps e uma corrente
reversa de 1 fA na temperatura ambiente iremos encontrar uma Cd=194 nF,
esta capacitncia para resistncias de contato da ordem de 0,1 a 1 ,
restringem o uso da juno pn em altas frequncia devido ao alto fator de
tempo RC.
 Contato schottky

Formado pela juno de um material semicondutor e um metal;

Dependendo dos materiais envolvidos o mesmo pode se apresentar
como um contato ohmico ou possuir uma funo retificadora.
A corrente de saturao reversa possui um mecanismo diferente do caso
da juno pn pois so formados por portadores majoritrios;
Esta corrente ento em ordens de grandeza bem superior (10-6 A/cm2)
a corrente reversa da juno pn (10-11 A/cm2).
Bandas de Energia

Contato hmico Contato Retificador

Contato Retificador (m< s)
 Contato Retificador

Quem emite eltrons quem possui a menor funo trabalho.

Por trabalhar com portadores majoritrios, a capacitncia de difuso menor,
tempo de trnsito menor, o que ocasiona um melhor comportamento em alta
frequncia.
Normalmente o contato metlico bem pequeno sendo assim, este diodo
mais utlizado em detetores de RF