Universidad Nacional Federico Villarreal FIEI Ing.

Telecomunicaciones

Escuela Profesional de Ingeniera de

Telecomunicaciones

Laboratorio de Microprocesadores I
VIII Ciclo

Laboratorio N1

TRANSISTOR BJT Y OPAMP

Integrantes
Apellidos y Nombres Cdigo

Fecha de realizacin del laboratorio:

2017 - II
 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Transistor BJT, configuraciones bsicas del

OPAMP

Objetivos
1. Identificar los tipos de transistores e identificar sus elementos y
caractersticas.
2. Comprobar el funcionamiento del transistor como interruptor.
3. Aplicar el transistor como interface de potencia.
4. Comprobar los efectos de la realimentacin negativa.
5. Identificar las principales configuraciones de un OPAMP.
6. Verificar los conceptos de corto circuito virtual y tierra virtual.

Introduccin
El Transistor es un dispositivo pequeo que aprovecha las propiedades semiconductoras y
cristalinas del germanio o del silicio y que sirve para ampliar las oscilaciones elctricas. El
transistor sirve como amplificador y tambin como interruptor. Los elementos del transistor son:
BASE COLECTOR EMISOR, pueden ser del tipo PNP o NPN.

El amplificador operacional (Opamp) es un circuito integrado de mucha importancia en el campo

de la electrnica. Sus configuraciones bsicas incluyen: amplificador inversor, amplificador no
inversor, seguidor de tensin o buffer, amplificador sumador inversor . etc. Estas configuraciones
se implementan con muy pocos dispositivos externos, tales como resistencias o condensadores .

Procedimiento
PARTE I: TRANSISTORES BJT

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Caractersticas de los Transistores

1. Identifique el tipo de encapsulado que corresponde a cada uno de los

transistores mostrados

2N3055: 2N3904: TIP122:

2N2222: BD237:

2. El transistor como interruptor: Comprobar el funcionamiento de un transistor

como interruptor.
Implementar el siguiente circuito:

Figura 3

Realizar las siguientes mediciones:

3
 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

3. Vare la posicin del interruptor y llene la siguiente tabla, considerar R=1.2K

Posicin Tensin Tensin Corriente Corriente Zona de

del Colector/Emiso Colector/Emiso de Colector de Base Trabajo del
Interruptor r r Ic ( mA) Ib (mA) Transistor
VCE (voltios) VBE (voltios)
Posicin
12V
Posicin
GND

El transistor se comporta como un interruptor?

.................
Porqu?....................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
...............

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Reemplace la resistencia de Base R1 por una de 10K y repita el paso anterior.

Posicin Tensin Tensin Corriente Corriente Zona de
del Colector/Emiso Colector/Emiso de Colector de Base Trabajo del
Interruptor r r Ic ( mA) Ib (mA) Transistor
VCE (voltios) VBE (voltios)
Posicin
12V
Posicin
GND

Qu observa respecto a la corriente de base y colector?, sustente su respuesta:

4. Interfase Transistor Rel: Simule el siguiente circuito.

Cmo se comporta el Rel en la posicin 12V?, Qu se observa en la lmpara?

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Sustentar respuesta.
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................

Cmo se comporta el rel en la posicin GND?, Qu observa en la lmpara?

Sustentar respuesta.
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................

5. Anlisis dinmico del transistor

Obtenga del generador de funciones una seal cuadrada TTL de 5 VDC. A una
frecuencia de 1 Hz. y conecte corno se indica en la siguiente figura.

Qu observa en el led?, explique porqu.

....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................

Aumente la frecuencia del generador a 1 Khz, Qu diferencia nota en el

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

funcionamiento del circuito?

....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
...................................................................................

PARTE II: OPAMP

Configuraciones bsicas
6. AMPLIFICADOR INVERSOR

Implementar el circuito de la Figura No. 1. Utilizar como Vin una seal sinusoidal de 2 Vpp
con una frecuencia de 1Khz. R1=1k ; R2=3k.

Determine experimentalmente lo siguiente:

V (entrada no inversora) = _______________

V (entrada inversora) = _______________

Compare los resultados obtenidos con los conceptos de cortocircuito virtual y tierra virtual que se
dan cuando se tiene realimentacin negativa.

Utilizando los dos canales del osciloscopio, observe la tensin en la salida del Opamp y
determine lo siguiente:
Av (Teora) = _________________
Av (Experimental) = _________________

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Av(db) = _________________
Desfasaje = _________________

Aumente progresivamente la amplitud de la seal de entrada y observe la salida hasta que

ocurra la condicin de saturacin y determine experimentalmente lo siguiente:
Vin max = ________________
Vout sat. = ________________

7. AMPLIFICADOR NO INVERSOR
Implemente el siguiente circuito.
Utilizar como Vin una seal sinusoidal de 2 Vpp con una frecuencia de 1Khz.

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Determine experimentalmente lo siguiente:

V (entrada no inversora) = _______________
V (entrada inversora) = _______________
Compare los resultados obtenidos con los conceptos de cortocircuito virtual y tierra virtual que se
dan cuando se tiene realimentacin negativa.

Utilizando los dos canales del osciloscopio, observe la tensin en la salida del Opamp y
determine lo siguiente:
Av (Teora) = _________________
Av (Experimental) = _________________
Av(db) = _________________
Desfasaje = _________________

8. Circuito comparador Inversor

Implementar el circuito mostrado en la siguiente figura.

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

Alimentar al circuito con una onda de 1 Khz y 4 Vpp.

Dibujar las formas de onda de entrada y salida del circuito. Diga si es un circuito
detector de cruce por cero.

..

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

9. Comparador no Inversor

Armar el circuito comparador no inversor y conectar la fuente de alimentacin.

Ajustar el generador de seal para tener una tensin senoidal de 2V (de pico) con
Offset=1.5VDC y 500Hz de frecuencia
Conectar el canal 1 del osciloscopio a la entrada del circuito y el 2 a la salida.
Aplicar la seal senoidal al circuito. Dibujar y observar la forma de las seales de entrada y
salida.

Entrada Salida

4. Variar el potencimetro y explicar lo que sucede.

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 Lab. N 1 Transistor BJT y OPAMP

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