Circuitos Integrados - MELLO PDF

CIRCUITOS
INTEG OS . HILTON A. MELLO

ivro-texto para as escolas tcnicas de eletrnica
l-
i
CIRCUITOS INTEGRADOS
I
I .
!
I
CAPA: Ilustrao do uso de equipamentos especiais
para a manuteno de equipamentos eletrnicos integrados.
Cortesia da Hewlett - Packard Company.
FICHA CATALOGRFICA
(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte,

Cmara Brasileira do Livro, SP)
Meio, Hilton Andrade de.

M485c Circuitos integrados [por] Hilton Andrade de Mello.
So Paulo, Edgard Blcher, 1976.
p. ilust.
Bibliografia.
1. Circuitos integrados
76-0235 CDD-621.38173
ndice para catlogo sistemtico:

1. Circuitos integrados: Microeletrnica 621.38173
HILTON ANDRADE DE MELLO
Engenheiro Eletrnico e Nuclear; graduado pela
Universidade de Stanford, Califrnia, EUA; Chefe
do Laboratrio de Instrumentao e Controle
do Instituto de Engenharia Nuclear.
~~
EDITORA EDGARD BLCHER LTDA.
1976Editora Edqard Blcher Ltda.
2.' Reimpresso 1981
proibido reproduo total ou parcial

por quaisquer meios
sem autorizao escrita da editora

O 1000 CAIXA POSTAL 5450
END. TELEGRFICO: BLUCHERLIVRO
SO PAULO - SP - BRASIL
Impresso no Brasil Printed in Brazil

A
Maria de Paula, Adriane e Mnica,
pela pacincia e compreenso
que tornaram possvel esta obra.
H.A.M.
CONTEDO
Captulo I. NoES BSICAS SOBRE A FABRICAO DE CIRCUITOS IN-

TEGRADOS .
1.1. Divises da mcroeletrnica .......... ................................ .. I
1.2. Detalhes tcnicos fundamentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1. Obteno das pastilhas de silcio _ _. . 3
1.2.2. Formao da camada epitaxial _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.3. Processo de difuso selecionada _ _. . 5
1.2.4. Processo de abertura de janelas no xido de silcio . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3. Fabricao de circuitos integrados monolticos _. . . . . . . . . 8
1.3.1. Formao de ilhas tipo N " _ _. _.. _. 8
1.3.2. Fabricao de transistores. _ _ _. . . . . . 9
1.3.3. Fabricao de resistores __. _ _ _.. . . . . .. .. . . . . . .. . . . . . . . . . . . 12
1.3.3. r. Resistores difundidos _. . . . . . . . . . . . 12
1.3.3.2. Resistores depositados _ _.. . . .. .. . . .. 13
1.3.4. Fabricao de capacitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.3.4.1. Capacitores de juno _ _.. _. . . . . . . . . . . . 13
1.3.4.2. Capacitores depositados _ _. _. . . . . 14
1.3.5. Fabricao de indutncias . . .. .. .. . . . . . . . . .. . . .. .. . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.3.6. Fabricao de diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 15
1.3.7. Fabricao simultnea de todos os componentes de um circuito.. .... 15
1.3.8. Consideraes sobre a produo em massa de circuitos integrados. . . . 17
1.3.9. Encapsulao e testes finais _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4. Tcnicas recentemente desenvolvidas.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.4.1. Circuitos integrados MOS _ _.. .. 19
1.4.2. Circuitos integrados COSI MOS _.... 20
1.4.3. Circuitos integrados SOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.4. Integrao de sistemas e subsistemas (MSI, LSI, VLSI) . . .. . . . . .... .. 21
Captulo 2. INVLUCROS DE CIRCUITOS INTEGRADOS................ 22

,.2.1. Generalidades.. .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . .. .. .. .. . . .. . . . . . . .. .. 22
2.2. Invlucro tipo TO _. . .. . . . . . . . . . . 23
2.3. Invlucro tipo plano iflat-pack . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.4. Invlucro tipo dual-em-linha (dual-in-line).............................. 23
2.5. Dimenses dos invlucros e identificao dos terminais. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 24
2.6. Escolha do tipo de invlucro para uma dada aplicao. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 25
Captulo 3. TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DISPONVEIS.. . . . . . . .. 28

3.1. Circuitos integrados digitais _ _ _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.1.1. Generalidades _. . . . . 28
3.1.2. Noes sobre circuitos digitais _. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.1.3. Famlias de circuitos integrados digitais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 31
3.1.3.1. Famlias de circuitos saturados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 31
3.1.3.2. Famlias de circuitos no-saturados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 34
3.1.4. Circuitos digitais MOS, COS/MOS e SOS , 34
3.2. Circuitos integrados lineares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Captulo 4. PROJETO DE CIRCUITOS UTILIZANDO CIRCUITOS INTE-

GRADOS 36
4.1. Polarizao de circuitos integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 36
4.2. Aplicao de circuitos integrados em projetos de circuitos lineares. . . . . . . . .. 40
4.2.1. Amplificadores operacionais (uso geral) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 40
4.2.1.1. Generalidades.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . .. 40
4.2.1.2. Caractersticas bsicas de um amplificador operacional . . . . . . . . 40
4.2.1.3. Funcionamento bsico de um amplificador operacional . . . . .. 41
4.2.1.4. Resposta de freqncia de um amplificador operacional . . . . .. 45
4.2.1.5. Estabilidade de um amplificador operacional .. . . .. .. .. . . .... 47
4.2.1.6. Definies complementares usando um exemplo especifico de um
amplificador operacional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 51
4.2.1.7. Estudo detalhado do funcionamento CC de um amplificador ope-
racional . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 54
4.2.1.8. Exemplo de um projeto simples usando um amplificador ope-
racional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.2.2. Amplificadores de udio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.2.2.1. Generalidades.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 61
4.2.2.2. Especificaes do amplificador constitudo pelo kit M-IOI . . .. 62
4.2.2.3. Diagrama do circuito do amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 62
4.2.2.4. Discusses importantes relacionadas ao kit M-IOI .. 63
4.2.2.5. Experincia adicional sugerida com o TAA 300 64
4.2.3. Amplificadores de alta-freqncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 66
4.2.3.1. Dados gerais sobre um amplificador de RF/IF MC ISSO .. .... 67
4.2.3.2. Exemplo de aplicaes do amplificador RF/IF MC ISSO . . . . .. 68
A. Amplificadores sintonizados usando o MC ISSO . . . . . . . . .. 68
B. Amplificador de vdeo usando o Me ISSO .. 72
4.2.4. Amplificadores lineares complexos para aplicaes especiais. . . . . . . . .. 72
4.2.5. Osciladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 74
4.2.5.1. Generalidades sobre osciladores .. . . .. .. .. .. .. .. . . . . .. .. .. 74
4.2.5.2. Exemplos de osciladores usando circuitos integrados........ 75
A. Oscilador usando o amplificador RF/IF MC 1550.. . .. 75
B. Oscilador usando amplificadores operacionais " 78
4.2.6. Fontes reguladas de alimentao.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . . . . .. .. . . .. .. 78
4.2.6.1. Generalidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 78
4.2.6.2. Exemplo especfico de um regulador de tenso integrado. . . . .. 79
4.2.6.3. Exemplos de fontes reguladas usando o TBA 281 ,. 89
4.2.6.4. Projeto de fontes reguladas usando amplificadores operacionais 89
4.3. Aplicao de circuitos integrados no projeto de circuitos digitais. . . . . . . . . . .. 92
4.3.1. Uso de circuitos digitais bsicos isolados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 93
4.3.1.1. Gatesem _geral- ,. . . . . .. . .. . . .. 93
4.3.1.2. Flip-flops................................................ 97
4.3.2. Uso de circuitos digitais bsicos associados.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.3.2.1. Exemplo de projeto de um circuito digital combinacional .... 100
4.3.2.2. Projeto de um registro de deslocamento (shift-registeri . . . . . . .. 108
4.3.3. Uso de circuitos integrados digitais complexos (MSI, LSI, VLSI) . . . . .. 110
*Muitos autores utilizam a expresso "circuitos-porta"
Captulo 5. PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS NO USO DE CIRCUI-
TOS INTEGRADOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. l11
5. I. Uso de circuitos impressos............................................ 111
5.2. Uso de soquetes para circuitos integrados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 111
5.3. Tcnicas de insero e retirada de circuitos integrados em soquetes e placas
impressas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 113
5.3.1. Uso de ferramentas especiais.................................... 113
5.3.2. Corte inclinado dos terminais de um circuito integrado 113
5.4. Soldagem de circuitos integrados........ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 114
5.5. Consideraes trmicas sobre circuitos integrados 116
5.6. Uso de placas padronizadas para a montagem de circuitos experimentais 119
Captulo 6. MANUTENO DE EQUIPAMENTOS ELETRNICOS INTE-

GRADOS 121
6. I. Comentrios gerais .. " " " 121
6.2. Diferenas fundamentais entre equipamentos integrados e com componentes
discretos " 121
6.3. Diferenas essenciais entre a manuteno de equipamentos analgicos e equi-
pamentos digitais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 122
6.4. Tcnicas modernas para a manuteno de equipamentos digitais. . . . . . . . . . .. 124
6.4. I. Pulsador lgico HP 10 526T 125
6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10 52ST . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 125
6.4.3. Garra lgica HP 10 528A , 126
6.4.4. Comparador lgico HP 10 529A 126
6.5. Produtos qumicos utilizados na manuteno 127
6.6. Calibrao e aferio de equipamentos eletrnicos 130
Apndice A. NOES SOBRE LGEBRA DE BOOLE 133

A \. Sinais binrios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. \33
A2. Postulados da lgebra de Boole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. \34
A3. Teoremas da lgebra de Boole 137
A3.1. Teoremas envolvendo apenas uma varivel........................ 137
A3.2. Teoremas envolvendo 2 ou mais variveis........................ 137
A3.3. Teoremas envolvendo n variveis 138
A4. Resumo dos postulados e teoremas da lgebra de Boole . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. \39
Apndice B. FABRICAO DE CIRCUITOS IMPRESSOS PARA EQUIPA-

MENTOS DE ENTRETENIMENTO 140
BI. Finalidade de um circuito impresso 140
B2. Materiais utilizados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 140
B3. Etapas da produo de um circuito impresso 141
B3.1. Estudo da "distribuio dos componentes" na chapa impressa ("/ayou!") 141
B3.2. Preparao do laminado 141
B3.3. Transferncia do layout para a chapa impressa , .. 142
B3.4. Proteo das ligaes de cobre' : . . . . . . . . . . . . . . . . .. 142
83.5. Banho de ataque (decapagem) 142
B3.5.1. Preparao da soluo de persulfato de amnio -(NH4)2S208 142
83.5.2. Preparao da soluo de percloreto de ferro -FeCI] 142
84. Procedimento experimental 143
B5. Obteno dos produtos necessrios no mercado , 143
86. Exemplo concreto de um circuito impresso 144
Apndice C. DESCRIO DETALHADA DA MONTAGEM E TESTES DO
KIT M-IOI da IBRAPE . . . . .. . . . . 147
Cl. Cuidados especiais quanto s soldagens 147
C2. Operaes de montagem.............................................. 147
C3. Ajuste da polarizao......................... . 149
C4. Instalao e ligaes externas . . .. . .. ISO
C5. Diagrama do circuito eltrico interno do TAA 300 151
C6. Observao importante. . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . .. .. .. .. .. . 151
Apndice D.
Nomes e endereos dos principais fabricantes de circuitos integrados 152
PREFCIO
o presente livro foi idealizado visando aos estudantes das escolas

tcnicas de eletrnica e aos tcnicos de nvel mdio do Brasil, embora
a cuidadosa seleo do material torne o livro til para que estudantes
de engenharia tenham uma viso prtica do uso de circuitos integrados.
No Capo 1 so apresentadas as noes bsicas, classificao e
introduo fabricao de circuitos integrados monolticos. O Capo 2
aborda os tipos de encapsulamento, abrangendo o problema da iden-
tificao dos terminais dos circuitos integrados. O Capo 3 apresenta
os circuitos integrados existentes no mercado, analisando separada-
mente os campos linear e digital. No Capo4 so estudadas as aplicaes
prticas de circuitos integrados, muitas das quais podero ser testadas
pelos leitores, por envolverem componentes existentes no mercado
nacional, como o caso do kit M-lOl da IBRAPE (amplificador de
udio com 1 w de sada). O Capo 5 aborda os problemas prticos
encontrados no uso de circuitos integrados, como montagens tpicas,
uso de soquetes, soldas, etc. O Capo 6 trata da manuteno de equipa-
mentos que utilizam circuitos integrados, ilustrando tcnicas modernas
para a manuteno de equipamentos digitais, como o uso de pulsadores,
comparadores, etc. No Apndice A so apresentadas noes sobre a
lgebra de Boole, e portanto, os leitores, no familiarizados com tcnicas
digitais, devem ler esse apndice, antes de estudarem a Seco3.1.2 (Noes
sobre circuitos digitais) e a Seco4.3 (Aplicao de circuitos integrados
no projeto de circuitos digitais). Nos cursos das escolas tcnicas de
eletrnica esse apndice poder ser integralmente inserido entre os
Caps. 2 e 3; no Apndice B apresentada a fabricao de circuitos
impressos para equipamentos de entretenimento; no Apndice C
apresentada uma descrio completa do kit M-lOl da IBRAPE -
Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A.; e no
~pndice D uma relao dos principais fabricantes de circuitos inte-
grados sendo, quando possvel, tambm indicados os respectivos repre-
sentantes ou revendedores.
Com relao s noes bsicas sobre dispositivos semicondutores
aconselhamos o leitor a consultar o livro Dispositivos semicondutores
- Hilton A. Mello e Edmond Intrator - Livros Tcnicos e Cientficos
Editora SA
Meno especial fazemos ao fato de que todos os dados tcnicos
foram publicados com a cooperao de firmas nacionais e estrangeiras,
que nos autorizaram a reproduo de curvas caractersticas, especi-
ficaes e fotografias de componentes e equipamentos, destacando-se
a Ibrape-Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A.,
a Motorola Semicondutores do Brasil Ltda., a Fairchild Camera and
Instrument Corporation e a Hewlett-Packard Company. A essas firmas
cabe realmente o crdito pelas informaes tcnicas contidas nesta obra.
Apresentamos, portanto, o presente livro, certos de estarmos
cooperando para a formao de tcnicos brasileiros nesse campo
fabuloso da microeletrnica.
Finalmente deixamos registrados os nossos agradecimentos ao
Dr. Jos de Anchieta Wanderley da Nbrega pelas crticas e sugestes,
s Srt'", Elona Cavalcanti Comes e Eneida A. Mendona pelo trabalho
de datilografia do original, e Srt". Maria da Conceio Franco da
Silveira e ao Sr. Antnio Carlos Fernandes da Silva, pela execuo
dos desenhos originais.
H.A.M.
1 NOES BSICAS SOBRE A
FABRICAO DE CIRCUITOS
I NTEG RADOS<*)
1.1. DIVISES DA MICROELETRNICA

o advento da microeletrnica foi um dos mais notveis avanos
tecnolgicos no campo da eletrnica, sendo fundamentalmente oriundo
das restries impostas ao peso, dimenses, potncia consumida e
confiabilidade dos circuitos, requisitos impossveis de serem satisfeitos
com os circuitos convencionais usando componentes discretos.
O campo da microeletrnica pode ser dividido em trs grupos.
No primeiro grupo temos o uso de minsculos componentes (ainda
convencionais) montados em unidades extremamente compactas, como
o caso dos micromdulos. No segundo grupo temos os chamados
circuitos integrados, podendo esse grupo ser subdividido nos dois
subgrupos seguintes: circuitos de semicondutores e circuitos de depo-
sio(**). A Fig. 1.1 ilustra essa classificao.
M ICROELETRONICA
Figura 1.1 O campo da microeletrnica
(*JEste captulo uma verso ampliada das Secs. 6.1 e 6.2 do livro Dispositivos
semicondutores.Hilton A..Mello e Edmond Intrator. Livros Tcnicos e Cientficos Editora
S.A. - 2." edio - 1974
(**JEm ingls chamamos thin-film circuits; o nome que adotamos, "circuitos de
deposio", no uma traduo literal mas ilustra como o circuito fabricado
2 Circuitos integrados
A concepo bsica, inerente aos circuitos integrados, a cons-

truo de todos os componentes de um circuito (componentes passivos
e ativos) numa mesma estrutura. Em outras palavras, os transistores,
diodos, resistores, etc., so todos fabricados, interligados e includos
em um mesmo invlucro. Por exemplo, um amplificador CC completo
com todos os seus componentes fabricado e encapsulado em um
invlucro, algumas vezes semelhante ao de um transistor comum
(evidentemente o nmero de terminais pode ser diferente).
Para ilustrar melhor a classificao anterior, consideremos o caso
dos circuitos integrados de semicondutores, que abrangem dois grupos:
os circuitos monolticosv" e os circuitos hbridos. Nos circuitos mono-
lticos todos os componentes dos circuitos so fabricados por meio de
uma tecnologia especial dentro da pastilha de silcio, enquanto que
nos circuitos hbridos vrias dessas pastilhas so colocadas em um
mesmo invlucro e so conectadas entre si. Na fabricao desses
circuitos integrados de semicondutores o que se faz uma srie de
difuses sucessivas, usando mscaras adequadas at se completar a
estrutura desejada.
Os circuitos de deposio, como o nome indica, so circuitos
obtidos pela "deposio" de camadas de materiais adequados, for-
mando os diversos componentes; por exemplo, a deposio sucessiva
de camadas de materiais metlico, isolante e metlico d origem a um
capacitor.
Tambm interessante observar que existem os chamados circuitos
integrados de deposio compatveis, designando-se com isso circuitos
fabricados por tcnicas de deposio que so compatveis com o processo
de fabricao dos circuitos monolticos. Por exemplo, em um circuito
monoltico quando se necessita de elevados valores de capacitncia
ou resistncia possvel obt-los usando tcnicas de deposio.
Finalmente, apenas para ser mais completo, podemos mencionar
um terceiro grupo em que a microeletrnica se divide, o dos chamados
dispositivos funcionais, o qual diz respeito a dispositivos nos quais
um pedao de material tratado, de tal modo a adquirir as funes
completas de um circuito, embora no se possa precisar qual a regio
do aludido material que possui essa ou aquela propriedade. Por exem-
plo, um filtro de quartzo pode funcionar como um circuito sintonizado,
embora no se possa precisar qual a parte do material que est
fazendo o papel da indutncia do circuito sintonizado. Isto , nos
dispositivos funcionais, so utilizadas as caractersticas globais dos
materiais.
(*)Do grego: mono (nico) e lithos (pedra); portanto o nome indica uma "nica
pedra" ou, melhor dizendo, um "nico cristal"
Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados 3
1.2. DETALHES TCNICOS FUNDAMENTAIS

Conforme j mencionamos os circuitos integrados monolticos
so aqueles em que todos os componentes do circuito so fabricados
em um nico cristal de silcio e interligados formando o circuito, sendo
finalmente essa pastilha encapsulada. Neste livro focalizaremos apenas
os circuitos integrados monolticos mas o leitor deve lembrar que
existem os outros tipos j mencionados anteriormente.
Ora, um circuito completo consta de transistores, diodos, capa-
citores, resistores, etc., interligados de modo a que o conjunto apresente
uma determinada caracterstica. Vamos, portanto, estudar separada-
mente como todos esses componentes podem ser fabricados usando-se
exclusivamente um material semicondutor como o silcio; mas estu-
daremos antes alguns tpicos importantes.
1.2.1. Obteno das pastilhas de silcio

Evidentemente, o passo inicial para a fabricao de dispositivos
de semicondutores utilizando o silcio a obteno do mesmo, o que
feito pela reduo do xido de silcio, obtendo-se, nesse processo,
silcio com 98 % de pureza. Uma vez que necessitamos reduzir o nvel
de impurezas para a faixa de um tomo de impurezas para cada 109
tomos de silcio, deve ser utilizado um processo adicional de puri-
ficao. Usa-se, ento, o chamado processo de fuso por zona, que se
baseia no fato de as impurezas serem mais solveis na fase lquida
do silcio do que na fase slida .:A idia' l' fundir o silcio em um ponto
da barra inicialmente impura; se o ponto de aquecimento , a seguir,
deslocado ao longo da barra (o que implica em deslocar a fase lquida
no mesmo sentido), as impurezas, mais solveis na fase lquida, tambm
se deslocaro no sentido do movimento do aquecimento. Essa ope-
rao repetida um grande nmero de vezes, at que as impurezas
estejam concentradas numa das extremidades da barra, possuindo,
o restante da barra, um nvel aceitvel de impurezas. A extremidade
impura ento desprezada, ficando-se apenas com a parte purificada.
Poderia parecer, neste ponto, que temos o silcio pronto para a
fabricao de dispositivos semicondutores; entretanto, a estrutura
cristalina do cristal obtido est cheia de anomalias. A fim de obter
um cristal em que a rede cristalina tenha a perfeio exigida, fundimos
o cristal anteriormente obtido e fazemos o chamado crescimento. Um
mtodo para fazer tal crescimento o chamado de Czochralsky, que
consiste em colocar em contato com o material fundido uma semente
perfeita do cristal em questo, com a orientao desejada; a seguir,
essa semente lentamente retirada, permitindo a solidificao do
material em tomo da mesma, crescendo o cristal com a mesma estru-
tura cristalina da semente utilizada. Por meio desse processo conse-
gue-se, por exemplo, uma barra cilndrica de 2,5 em de dimetro e,

digamos, 10 em de comprimento.
extremamente importante notar, neste ponto, que possvel
adicionar ao material fundido, antes da colocao da semente, a impu-
reza tipo P (boro, ndio, ... ) ou N (fsforo, antimnio, ... ) desejada,
crescendo o cristal, respectivamente, tipo P ou tipo N. Ainda nessa
fase de preparao do material, o cilindro obtido cortado em pas-
tilhas (wafers) de aproximadamente 2,5 em de dimetro e 200 flm
(1 flm = 10-6 m) de espessura, sendo o corte dessas pastilhas feito por
meio de serras anulares de diamante. Finalmente as pastilhas so
polidas (por processos mecnicos ou qumicos), a fim de apresentar
uma supetficie livre de imperfeies, estando prontas para serem sub-
metidas ao chamado processo epitaxial.
1.2.2. Formao da camada epitaxial

Suponhamos, por exemplo, que impurezas tipo P tenham sido
adicionadas ao silcio fundido, sendo obtidas pastilhas tipo P. Esquema-
ticamente, representaremos essa pastilha como na Fig. 1.2.
TIPoN 4-CAMADA
EPITAXIAL
p TIPO P
Figura 1.2 Pastilha de silcio Figura 1.3 Estrutura epitaxial PN. No

"tipo P h descontinuidade alguma na estru-
tura cristalina
A idia fazer crescer em cima da camada tipo P da Fig. 1.2 uma

camada tipo N, mantendo a mesma estrutura cristalina da camada
tipo P. Em outras palavras, no deve haver descontinuidade alguma
na estrutura global resultante, obtendo-se, portanto, uma estrutura
que um cristal nico. Apenas, o que acontece que, numa regio,
as impurezas so predominantemente do tipo P e, na outra regio,
as impurezas so predominantemente do tipo N. O crescimento dessa
camada, chamada camada epitaxial, feito em fomos especiais e o
nome epitaxial, na realidade, significa "arranjado em cima", dando
uma idia do processo.
Na Fig. 1.3 est representada esquematicamente a estrutura resul-
tante aps a formao da camada epitaxial, sendo a mesma bsica
para a fabricao dos circuitos integrados pelo processo chamado
epitaxial-difundido.
A regio P chamada de substrato e ter por funo dar resistncia
mecnica ao conjunto e servir para a formao de "ilhas" conforme
ser visto oportunamente.
1.2.3. Processo de difuso selecionada

Corihecemos o fenmeno da difuso e sabemos que h sempre o
deslocamento de partculas de um ponto onde a sua concentrao
elevada para pontos de concentrao reduzida?". Suponhamos, ento,
uma pastilha de silcio tipo N, colocada em contato com um gs con-
tendo uma impureza tipo P (boro, por exemplo); devido ao fenmeno
da difuso, o boro comear a penetrar no silcio, como indica a Fig. 1.4.
Figura 1.4 Difuso do boro no silcio

..i~
SILICIO
Imaginemos que pretendamos que o boro penetre apenas e-m

regies selecionadas da pastilha de silcio. Para conseguir esse objetivo,
devemos proteger a superficie do silcio com um material que impea
a penetrao da impureza nas regies indesejveis. Isso feito deixando
a superficie do silcio se oxidar e abrindo janelas no xido exatamente
onde o boro deve penetrar. A Fig. 1.5 ilustra o processo da difuso
selecionada, onde a impureza consegue penetrar no silcio exatamente
onde o xido no protege a superficie do cristal.
Figura 1.5 Difuso selecionada: o xido de silcio protege as regies onde a

impureza no deve penetrar
oportuno salientar neste ponto, que, se a pastilha fosse mantida

temperatura ambiente durante a difuso, um tempo praticamente
infinito seria necessrio para a penetrao da impureza. A fim de
acelerar o processo, a pastilha colocada em um fomo (fomo de
difuso), onde so mantidas temperaturas da ordem de 1100 a I 300 C
com grande preciso.
1.2.4. Processo de abertura de janelas no xido de silcio

A abertura de janelas no xido de silcio feita por um processo
inteiramente anlogo ao utilizado para a fabricao de circuitos impres-
sos pelo processo fotogrfico.
(*)Veja "Dispositivos Semicondutores - Hilton A. Mello e Edmond Intrator -
Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A. - Seco l.3.5a"
Suponhamos que a superficie do silcio est totalmente oxidada

e queremos abrir as janelas, conforme indicado na Fig. 1.6.
XIDO DE
[2 W 22222222 2:;~;:;~ 222222UZ2 22"',-
2 su.icro
(a)
~ ~ JANELAS
ZZZZ2Z
/ ';:~;.~;:'
7. ]
(b)
Figura 1.6 (a) Pastilha de silicio com superfcie totalmente oxidada; (b) janelas
a serem abertas no xido
o que se faz proteger a superficie do xido com uma resina

especial':" que, quando exposta luz ultravioleta, se polimeriza,
adquirindo uma estrutura tal que no dissolvida quando mergulhada
em um revelador determinado''?". A seguir, utiliza-se uma "mscara"
adequada que colocada sobre a resina de tal forma que quando a
luz ultravioleta incide sobre a mscara apenas em regies determinadas
a luz atinge a resina. A seguir, a pastilha mergulhada em um revelador
que dissolve a resina no exposta luz, isto , no polimerizada. Final-
mente o conjunto exposto a uma substncia que ataca o xido no
protegido, abrindo as janelas desejadas. A Fig. 1.7 resume as operaes
que acabamos de descrever.
[" 22zz 2::1:; ~~2:?:2~ ~?:;:"?? 222 2' 1- XIDO
(a )
a) Cristal de silcio com a superficie oxidada
:':I~;:~
:;2:;~;:1:222ZZ2 2Z21-
RESINA KPR
. . . . . . . . ""'----XIDO
[" ??222
(b)
b) A resina KPR aplicada sobre a superficie oxidada

Figura 1.7 Processo de abertura de janelas no xido de silcio (continua)
<*)Kodak Photo Resistor (KPR) - Resina KPR
(**)KPR Develloper - Revelador para a resina KPR
__ --- MSCARA
7l 1-"'"
~RESINA KPR
:';1:;:~:;':I~~:~:"
. . ._. . ._. . -
[W' 7l' 22 m
(c 1
c) A "mscara" colocada sobre a resina e o conjunto
T"
exposto luz ultravioleta
__ RESINA POLIMERIZADA
IZZ ~iz~?:i?
~?2:Z~:Z::;2~~I:Z?~~:Z?:z:2iD:Z2 EZ:;2ziZ:;Z:z~Z;;z::2I~:Z?Z::2Z?ZVZ;i/Z?
(d 1
d) A seguir retira-se a mscara e coloca-se o cristal em um

revelador adequado, que dissolve a resina KPR no atin-
gida pela luz ultravioleta. A figura acima ilustra o cristal
aps a revelao. Observe que onde a mscara barrou a
luz ultravioleta a resina foi dissolvida pelo solvente
I~Z~/zt2ZZ;Z:ZZZi.I-C-R-IS-T-A..irLZZZi
:~:ZizZ:;:~:L--CI-O_.if z:t2Z2:ZZZ22 1-'"'
/RESINA POllMERIZADA
( e 1
e) A pastilha est ento pronta para ser atacada por uma

soluo adequada, para retirar o xido no protegido pela
resina. Na figura acima ilustrado o cristal aps a corroso
do xido no protegido pela KPR
,--- -r- --...:JANEL/lS
I" zz"" CRI~r~'::':I'LCI: um:: 1-'"'

(I 1
f) Finalmente a resina Bolimerizada retirada pelo uso

de um solvente (Thinner), estando a pastilha pronta para
sofrer o processo de difuso selecionada
Figura 1.7 (continuao)

1.3. FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

MONOLTlCOS
1.3.1. Formao de ilhas tipo N
O primeiro passo para a fabricao monoltica a abertura de
"ilhas" tipo N, o que feito protegendo-se a superfcie da estrutura
epitaxial com xido de silcio, e retirando-se o mesmo apenas nas
regies onde feita a difuso de uma substncia tipo P (boro) at que
a impureza difundida encontre o substrato, formando assim as ilhas
tipo N. Esse processo ilustrado na Fig. 1.8.
I : I
["""""''' "~W"""'" "1-"""
.... - . flORO .... 60110 .: llORO -~ JANELA
rmci-ciI~I,;;mU~ .
Figura 1.8 Abertura das ilhas tipo N;

as janelas so abertas usando o pro-
SUBSTRATO P
cesso explicado na Seco 1.2.3
O motivo para a abertura das ilhas tipo N pode ser facilmente

compreendido; por exemplo, em uma das ilhas ser colocado um
resistor, em outra um transistor, e assim sucessivamente':", Posterior-
mente, esses elementos sero interconectados, completando o circuito,
mas no deve haver interao alguma entre os mesmos atravs do
cristal, devendo toda a interao ser feita pelas interconexes. A idia
bvia a ligao do substrato tenso mais negativa do circuito;
assim procedendo as junes PN formadas entre as ilhas N e o subs-
trato ficaro todas inversamente polarizadas como indica a Fig. 1.9.
Isso significa que os componentes estaro isolados, por meio de junes
inversamente polarizadas.
Podemos agora analisar como cada componente pode ser fabri-
cado em um cristal de silcio, nas ilhas inicialmente formadas. Inicial-
mente vamos fabricar cada componente isoladamente e depois dar
'*)Em muitos circuitos possvel fabricar mais de um elemento na mesma ilha

Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados .9
p
(TENSO MAIS NEGATIVA
DO CIRCUITO)
Figura 1.9 Isolamento das ilhas tipo N por meio de junes PN inversamente
polarizadas
um exemplo da fabricao simultnea dos componentes de um circuito

integrado.
1.3.2. Fabricao de transistores

A Fig. 1.10 ilustra como um transistor pode ser fabricado em
uma ilha tipo N.
ILHA N
)
\ SUBSTRATO p
(o)
a) Ilha tipo N no corpo do substrato tipo P

'.
. ~ "'.:. .
:-BORO',
.
N
) p
( b )
b) Pastilha com a janela aberta para a difuso e j exposta

a uma atmosfera contendo boro (tipo P)
( c )
c) Pastilha aps a difuso tipo P, e j com uma nova

camada de xido na sua superfcie
Figura 1.10 Etapas da fabricao de um transistor (continua)
. : . 1"777 n .:r '7"77J
p
N
) p
(d )
d) Pastilha com a janela aberta para a difuso tipo N

sobre a regio difundida anteriormente e j exposta a uma
atmosfera contendo fsforo. Observe que foi tambm aberta
uma pequena janela na regio N cuja finalidade ser expli-
cada posteriormente
EM I S SOR -----.Jf---+---t--I'f+ - N
~li I ~ I---
BASE ~ P L_JI ~N+
COLETOR N
)
\ p
( e)
e) Pastilha aps a difuso do emissor. A camada N da

ilha constitui o coletor; a camada P difundida ser a base;
a ltima camada N difundida ser o emissor. A regio N+
corresponde ao reforo feito na regio N e ser explicada
posteriormen te
. ALUMINIO' VAPORIZADO. .
.~ ..
(f)
f)Pastilha com janelas abertas para formao dos contatos

e expostas ao alumnio vaporizado ____ Ai
l1:!J pl ------ XIDO.
N
\ p
(g )
g) Pastilha com alumnio j depositado em toda a superfcie

Noes bsicas sobre c fabricao de circuitos integrados 11
E B C
p
( h )
h) Transistor completo. O alumnio foi retirado das regies

indesejadas deixando as ligaes apenas nas regies que
queremos: E = emissor, B = base e C = coletor
Antes de passarmos para a fabricao de outro componente,

vamos fazer uma srie de comentrios importantes.
Na Fig. 1.10(d) o leitor verifica que ao mesmo tempo em que se
abriu a janela para difuso do emissor tambm se abriu uma janela
em cima da regio do coletor (regio epitaxial); vimos que aps todos
os componentes terem sido fabricados os mesmos so interligados
por meio de alumnio depositado na superfcie da estrutura. Ora, o
alumnio um elemento aceitador (tipo P) e, caso ele esteja em contato
com um material tipo N, existe a possibilidade de formao de uma
juno PN. Por exemplo, consideremos a Fig. 1.11, na qual queremos
fazer contato com a base, o emissor e o coletor nos pontos C, B e E.
Figura 1.11 Contato entre o alu-

mnio e o semicondutor
N
SUBSTRATO
Caso simplesmente depositemos o AI como indicado na Fig. 1.11

h a possibilidade de formao de junes PN entre o AI (tipo P) e
o cristal constituinte do emissor e do coletor do transistor (tipo N).
Entretanto, verificou-se que o AI no forma tal juno com o material
tipo N caso a dopagem desse ltimo seja bastante elevada.
Uma vez que, ao se fazer a difuso do emissor do transistor, se
usa uma elevada concentrao de impurezas tipo N, no h formao
de juno entre o AI e o emissor. Por outro lado, sendo o coletor fraca-
mente dopado, se originaria uma juno entre o AI e o coletor do
transistor. A soluo para esse problema simples e bastante engenhosa:
o que se faz antes de fazer a deposio do alumnio, utilizar a prpria
difuso do emissor para produzir na regio do coletor onde o alumnio
vai ser depositado uma elevada concentrao tipo N; a seguir, pode-se

fazer a deposio do alumnio sem o perigo de formao de junes'?'.
Esse fato ilustrado novamente na Fig. 1.12.
P77777;>] /'7; '7/1 ~XIDO
BASE P
COLETOR N
P
( a)
~ 71 /'7;'71 !'77;1 ~XIDO

lli.j IEMISSOR NI Figura 1.12 Preparao para a
deposio do alumnio. (a) Janelas
P
abertas no xido na regio do
N coletor e na regio da base; (b)
Pastilha aps a difuso do emissor
p
e j com as janelas abertas no
(b ) xido, para a deposio do alumnio
Com relao Fig. 1.10(g) devemos mencionar que, aps as janelas

terem sido abertas no xido, o alumnio depositado em toda a super-
ficie da pastilha. A seguir, retira-se o alumnio indesejado deixando-se
apenas as conexes necessrias.
1.3.3. Fabricao de resistores

1.3.3.1. Resistores difundidos
A fabricao de resistores na forma integrada baseia-se no fato
do material semicondutor apresentar uma resistividade que funo
das impurezas adicionadas ao silcio. Por exemplo, se num cristal
puro, NA tomos de boro (impureza tipo P) so adicionados por em",
a resistividade do material ser dada aproximadamente por
1
P=flpNAq
onde,
cm2
flp = mobilidade para buracos = 480 V. s '
NA = nmero de tomos de impurezas adicionadas, por cm ' ;
q = valor absoluto da carga do eltron = 1,6 x 10-19 coulombs.
A resistncia de um bloco de material dada, em funo da resis-
tividade, pela frmula clssica indicada na Fig. 1.13.
<*JContatos em que no so formadas junes so chamados contatos hmicos,

e, no caso oposto, contalOs retificadores
Noes bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados ; 13
R :: re ststec!e em .n
_J_ p:: resistividade em fi m
R = p
A J:: comprimento em m
A = rea em m2
Figura 1.13 Resistncia de um bloco de material
Conseqentemente, variando a resistividade (funo do nmero

de impurezas adicionadas) ou as dimenses do bloco de cristal podemos
ajustar a resistncia do bloco para o valor desejado.
A Fig, 1.14 ilustra como, usando a estrutura epitaxial estudada,
podemos fabricar um resistor, sendo tambm indicado o percurso da
corrente no corpo do material tipo P.
ALUMNIO ALUMINIO
l~
__ ~_1
J
_XIDO
CAMADA EPITAXIAL N
Figura 1.14 Constituio de um re-
SU6STRATO P
sistor difundido
1.3.3.2. Resistores depositados

Quando so necessrios valores elevados de resistncia, o que
exigiria uma rea grande do cristal, usando-se o processo de difuso,
uma soluo fabricar o resistor depositando uma camada de material
metlico conforme ilustrado na Fig. 1.15.
Variando o material empregado e as dimenses do resistor, po-
demos obter o valor desejado de resistncia.
MATERIAL METLICO (NICROME TNTALO ... )
~ / ~
~~~~~~~zzzzzzzzzzzzZ;~ _XIDO
CAMADA EPITAXIAL N
sueSTRATO P
Figura 1.15 Resistor de deposio
1.3.4. Fabricao de capacitores

Fundamentalmente, so usados dois tipos de capacitores na forma
integrada: capacitores de juno e capacitares de deposio.
1.3.4.1. Capacitares de juno

Esses capacitares se baseiam no fato de uma juno PN apresentar
uma capacitncia cujo valor depende da tenso inversa aplicada
juno. Portanto, o simples uso de uma juno PN inversamente

polarizada pode proporcionar o valor de capacitncia desejado. Por
exemplo, na Fig. 1.16 apresentamos as capacitncias tpicas de um
transistor integrado no qual o coletor (camada epitaxial) tem uma
resistividade de 0,1 Qcm; para esse transistor a juno base-coletor
tem uma capacitncia de aproximadamente 350 pF por milmetro
quadrado (350pF/mm2); portanto se quisermos saber o valor da capa-
citncia em picofarads basta multiplicar esse nmero pela rea da
juno expressa em mm".
2
JUNO BASE - EMISSOR '" 1600pF/mm
...
=l '"
'" / /
JUNCO BASE-COLETOR: V' 350pF/mm2
-
o
I 1 Ii
EM1S
~l SOR N ____ JUNO COLETOR-SUBSTR ATO:
-350PF/mm2
t BASE p
COLETOR
t P=O,I fi-em N
i SUBSTRATO p
Figura 1.16
transistor
Capaci tncias de um
o
Chamamos a ateno do leitor para o fato de que esses valores

foram mencionados como exemplo, apenas para ilustrar as diferentes
possibilidades existentes. Essas capacitncias dependem da geometria
(dimenses), dopagens, etc. Mas o grande inconveniente do seu uso
o fato delas dependerem fortemente da tenso e da temperatura, e,
alm disso, apenas podem ser obtidos valores limitados de capacitncia.
1.3.4.2. Capacitores depositados

Um processo de fabricao de. capacitares que compatvel com
o processo de fabricao de circuitos integrados a deposio, como
indicada na Fig. 1.17.
~b:;"'222W2222""""'222 ~ ~~~"'"
l J Figura 1.17 Capacitar de deposio
Inicialmente, no topo do xido de silcio que cobre o substrato

deposita-se o alumnio que servir como uma das placas do capacitar;
a seguir, deposita-se um material dieltrico (por exemplo, xido de
tntalo) e, finalmente, uma nova deposio de alumnio produz a
outra placa do capacitor. Por esse processo variando o dieltrico uti-
lizado consegue-se obter valores de capacitncias muito mais elevados
que as capacitncias de juno. Um valor tpico obtido, usando-se
xido de tntalo, de 3000 pF/mm2, destacando-se a dependncia
bem menor com a temperatura.
Nos bsicas sobre a fabricao de circuitos integrados 15
1.3.5. Fabricao de indutncias

Embora tenha sido empregado um grande esforo para se tentar
obter indutncias na forma integrada, ainda no se chegou a uma
soluo que permita obt-Ias com valores prticos. Algumas vezes
usa-se o artificio de usar um circuito para simular uma indutncia,
a qual geralmente fortemente dependente da temperatura.
Portanto o que se faz atualmente adicionar as indutncias exter-
namente ao circuito integrado, aguardando-se um progresso da tecno-
logia que permita a integrao eficiente das mesmas.
1.3.6. Fabricao de diodos

Ora, sendo um diodo constitudo apenas por uma juno PN,
possvel, conectando-se terminais de um transistor, obter-se um diodo
ou ento, simplesmente, usando a juno base-emissor ou base-coletor.
O que se faz ento usar o alumnio (durante a fase de interligao
dos componentes) para ligar os terminais convenientes do transistor.
Na Fig. 1.18 so ilustradas as configuraes utilizadas.
Figura 1.18 Configuraes de um transistor usadas como diodos
1.3.7. Fabricao simultnea de todos os componentes de um circuito

O leitor verifica, com facilidade, que todos os processos usados
para fabricao dos componentes de um circuito integrado partem
da estrutura epitaxial j estudada. A idia, no caso, fabricar todos
os componentes simultaneamente numa pastilha de silcio e, finalmente,
interligar todos os componentes pela deposio de alumnio, com-
pletando o circuito.
Para exemplificar a fabricao simultnea de diferentes compo-
nentes, mostramos, na Fig. 1.19, como um transistor e um resistor
'y=::::~""
so fabricados e interligados a partir de uma estrutura epitaxial.
[ , , , em m " , , , ': " , " , , " , , "
(a)
a) Estrutura epitaxial inicial

Figura 1.19 Fabricao simultnea de um transistor e um resistor (continua)
(b )
b) Pastilha pronta para sofrer a difuso para formao

das ilhas
ITRANSISTOR NI p I RESISTORNI
p p
(c )
c) Pastilha j com as ilhas formadas e com a superficie

novamente oxidada
Id )
d) Pastilha pronta para sofrer a difuso da base do transistor

e do corpo do resistor
( e )
e) Pastilha j com a base e o resistor difundidos e a super-

ficie novamente oxidada
If)
f) Pastilha pronta para sofrer a difuso que formar o

emissor e preparar a regio de contato do coletor
(g )
g) Pastilha j com o emissor difundido e o contato do

coletar preparado
( h )
h) Pastilha j com o alumnio depositado fazendo os con-

tatos (emissor do transistor ligado ao resistor)
As seguintes observaes so vlidas, no presente momento.

1. Na Fig. 1.19 no foram abordadas as etapas de abertura de
janelas no xido, as quais so repetidas inmeras vezes durante a
fabricao.
2. Conforme verificamos, o corpo do resistor integrado constitudo
por um material-tipo P e, obviamente, o que se faz aproveitar a prpria
difuso das bases dos transistores (tipo P) para formar o corpo dos
resistores do circuito. Assim sendo, formam-se n uma s etapa as bases
dos transistores e os corpos dos resistores do circuito. O inconveniente
desse procedimento o fato dos valores de resistncias ficarem limi-
tados pela concentrao de impurezas usadas para fabricar as bases
dos transistores. Quando so necessrios valores elevados de resis-
tncias usa-se o resistor depositado discutido na Seco 1.3.3b.
3. Neste exemplo fizemos apenas um transistor e um resistor mas
usando a tcnica descrita, vrios transistores, diodos, capacitores, etc.
podem ser fabricados e interligados constituindo um circuito completo .
. 1.3.8. Consideraes sobre a produo em massa de circuitos integrados

Na Seco 1.2.1 vimos como obter uma barra cilndrica de silcio,
com aproximadamente 2,5 em de dimetro e, digamos, 10 em de com-
primento, a qual cortada em fatias de aproximadamente 250 J1.m
(1 J1.m = 10-6 m) constituindo as chamadas pastilhas (wafers).
Ora, graas s dimenses microscpicas utilizadas, um circuito
completo pode ser fabricado em' um diminuto pedao de silcio, por
exemplo, 2 mm x 2 mm. Obviamente, ento, em uma nica pastilha'

(~ 2,5 em de dimetro) pode ser fabricado um grande nmero de
circuitos.
A tcnica para o processamento simultneo de todas as pastilhas
bastante engenhosa. Em vez de se utilizar uma "mscara" simples
para, por exemplo, fazer a difuso dos emissores dos transistores de
um circuito, faz-se uma mscara mltipla repetitiva':" formando uma
verdadeira matriz de mscaras iguais. Assim procedendo, so prepa-
rados vrios circuitos idnticos de uma s vez.
A Fig. 1.20 ilustra como um circuito simples abrange apenas uma
pequena poro da pastilha de silcio.
CONTATO PARA
O CIRCUITO
Figura 1.20 Numa mesma pastilha podem ser fabricados centenas e mesmo milha-
res (dependendo do tamanho de cada circuito) de circuitos integrados
Aps terem sido realizadas todas as difuses e interligados todos

os componentes, pela deposio do alumnio, feito um teste na pastilha,
procurando-se descobrir se houve alguma falha em alguma das fases
do processamento, podendo a pastilha ser rejeitada nesse momento.
A etapa seguinte o corte da pastilha, separando os circuitos
individuais, o que feito utilizando-se uma ponta de diamante em
um processo anlogo ao usado para cortar vidro; inicialmente a ponta
de diamante "risca" a pastilha em um sentido e a seguir a pastilha
girada de 90, sendo riscada perpendicularmente ao risco anterior.
A seguir, uma pequena presso na pastilha faz com que todos os
circuitos individuais se desliguem uns dos outros.
1.3.9. Encapsulao e testes finais

Os minsculos pedaos de pastilha, cada um contendo um circuito
completo, esto prontos para serem encapsulados de forma a poderem
ser utilizados. Os tipos de invlucros utilizados so abordados exaus-
tivamente no Capo 2.
1*)So utilizadas mquinas fotogrficas repetitivas

1.4. TCNICAS RECENTEMENTE DESENVOLVIDAS

A nossa idia neste captulo, foi abordar apenas o processo clssico
utilizado pelas indstrias de circuitos integrados, devendo-se ter em
mente que existem outras variantes no tratadas neste livro. Entre-
tanto convm lembrar que o campo digital tem sido sacudido por uma
tremenda revoluo, com a introduo dos circuitos integrados digitais
do tipo MOS (metal-oxide semiconducton, tipo COSjMOS icomple-
mentary symetryjmetal-oxide semiconductor) e tipo SOS isilicon-on-
-saphyre).
Conforme o leitor ver, so fundamentais, no campo digital, as
caractersticas de potncia dissipada e tempo de propagao do sinal,
e, com estes tipos de circuitos, principalmente o ltimo, consegue-se
boas velocidades com potncias extremamente reduzidas. Por este
motivo vamos abordar sucintamente a fabricao desses circuitos.
1.4.1. Circuitos integrados MOS

Sugerimos ao leitor estudar os transistores de efeito de campo,
principalmente os transistores de efeito de campo com o gatilho isolado
iinsulated gate field effect transistor IGFET, tambm chamado
metal-oxide semiconductor transistor - MOS)<*), antes de ler esta
seo.
A Fig. 1.21 ilustra algumas fases da fa'bricao de um transistor
com gatilho isolado e o leitor, nota de imediato, que essas fases so
perfeitamente compatveis com as fases anteriormente descritas para
a fabricao de circuitos integrados.
Apenas como lembrete chamamos a ateno para o fato de que
a camada de xido de silcio entre o gatilho e o substrato d origem
a uma elevadssima impedncia de entrada para o dispositivo. Alm
FZ::Z;ZZ:Z:Z;ZZ:ZZ:Z:Z:z:::t:zzz;z:ZZ<j- XIoo
SUBSTRATO P
SUBSTRATO SUBSTRATD p
Figura 1.21 Algumas fases de fabricao de um transistor MOS.

S = Source (fonte); D = Drain (dreno); G = Gate (gatilho). Trata-se no caso de
um transistor com canal tipo N
<*)VejaDispositivos semicondutores - Hilton A. Mello e Edmond Intrator. Livros

Tcnicos e Cientficos Editora S.A.
disso a potncia dissipada por esse dispositivo menor que para os

outros tipos de circuitos integrados anteriormente estudados, embora
apresente apenas uma velocidade mdia.
1.4.2. Circuitos integrados COS/MOS

No exemplo da Fig. 1.21 demos o exemplo de um transistor MOS
com canal tipo N. Evidentemente poderamos ter trocado as regies
P e N, criando um transistor MOS com canal tipo P. Ora, se os dois
tipos de estrutura forem realmente simtricos teremos 2 circuitos
complementares, de modo anlogo aos pares complementares de
transistores bipolares PNP e NPN.
Um fato notvel que, com a tecnologia integrada descrita pode-se,
simultaneamente, em uma mesma pastilha fabricar transistores MOS
com canal tipo N e com canal tipo P, constituindo circuitos comple-
mentares. Com isso, conseguem-se circuitos com uma potncia quies-
cente extremamente reduzida, velocidade de propagao mdia, exce-
lente imunidade a rudo, uma alta impedncia de entrada, e podendo
operar com uma nica fonte de alimentao, dentro de uma ampla
faixa de tenses, possibilitando aplicaes extraordinrias no campo
digital.
1.4.3. Circuitos integrados SOS

Esse tipo de circuito integrado a grande esperana de muitas
fbricas de circuitos integrados e com ele se pode obter velocidades
bastante elevadas, com uma potncia dissipada extremamente reduzida.
A idia , em vez de partir de uma estrutura epitaxial PN totalmente
de silcio, utilizar uma estrutura onde a camada epitaxial de silcio
tipo N crescida sobre um bloco de safira, derivando-se da o nome
silicon-on-saphyre (silcio sobre safira), para designar os circuitos inte-
grados derivados dessa estrutura. A Fig. 1.22 ilustra a estrutura epitaxial
formada sobre a safira.
SILCIO EPITAXIAL TIPO N

Figura 1.22 Estrutura bsica para a pro-
SAFIRA - TIPO P duo de um circuito integrado SOS
SUBSTRATO
A partir dessa estrutura, a fabricao segue os mesmos passos j

estudados, podendo ser fabricados, obviamente, COS/MOS usando
essa estrutura.
Como a safira tem uma resistividade muito maior que o silcio
as ilhas podem ficar muito mais prximas, sem haver interao entre
os componentes do circuito integrado, podendo-se obter um circuito
integrado COS/MOS extremamente compacto, e com uma velocidade

2 a 3 vezes maior que os COS/MOS usando substrato de silcio. Alm
disso a potncia dissipada a altas velocidades bastante reduzida,
conduzindo a um binmio potncia dissipada x tempo de propagao
inigualvel por qualquer outra tecnologia; provavelmente quando o
leitor estiver lendo este livro j estaro sua disposio, no mercado,
circuitos integrados do tipo SOS.
1.4.4. Integrao de sistemas e subsistemas (MSI, LSI, VLSI)<*)

Evidentemente o leitor deve estar imaginando em que ponto se
deve parar na confeco de um circuito integrado. Podemos fazer
qates.flip-flops, etc., ao mesmo tempo e, portanto, teoricamente, qualquer
circuito poderia ser fabricado em uma nica pastilha de silcio. Obvia-
mente vrios aspectos so importantes:
1. Quanto mais complexo for um circuito, menos flexvel ele ,
isto , menos compradores podero estar interessados no mesmo,
por ser de aplicao mais especial.
2. Quanto maior o tamanho da pastilha, maior a probabilidade
de um defeito localizado na mesma inutilizar completamente o circuito
integrado; ou seja, a probabilidade de rejeies aumenta com o tama-
nho da pastilha.
3. Quanto mais compactos os componentes podem ser fabricados
sem interagirem, (por exemplo, circuitos integrados SOS), maior a
densidade de componentes possvel por unidade de rea.
Muitas outras consideraes podem ser feitas e, atualmente, fala-se
em MSI, LSI e VLSI, caracterizando o nmero de componentes e
funes fabricados por unidade de rea da pastilha. Devemos apenas
lembrar que esses nomes se referem integrao de circuitos com-
pletos em ordem crescente de complexidade: MSI, LSI e VLSI.
Como exemplo de integrao em alta escala (LSI), usando a tecno-
logia MOS, podemos citar o acumulador 3800 da Fairchild, que
um circuito integrado contendo aproximadamente 200 gates. Trata-se
de um acumulador que capaz de adicionar e subtrair em paralelo,
e, deslocando a soma ou a diferena, para a direita ou para a esquerda,
torna-se capaz de realizar algoritmos de multiplicao e diviso.
Esse acumulador se apresenta na forma de um invlucro DU AL-IN-
-LI N E**) com 36 terminais.
(*)MSI - medium scale inteqration (integrao em escala mdia)

LSI - large scale inteqration (integrao em escala alta)
VLSI - very large scale inteqration (integrao em escala muito alta)
(n)Veja o Capo 2
2 INVLUCROS DE CIRCUITOS
INTEGRADOS
2.1. GENERALIDADES
No Capo 1 verificamos os principais detalhes da fabricao de
circuitos integrados monolticos, obtendo-se uma pastilha inteira, que
cortada em minsculos pedaos, cada um contendo um circuito
completo.
Aps a obteno dos circuitos individuais, o proxrmo passo
a encapsulao do minsculo bloco de cristal, para se obter um dis-
positivo pronto para ser utilizado.

invlucro de um dado circuito integrado apresenta 4 finalidades
importantes:
a. Proteo da pastilha de silcio contra a ao do meio ambiente,
o qual, evidentemente, pode alterar as caractersticas do circuito.
b. Proteo mecnica da pastilha.
c. Prover um meio simples de interconexo do circuito em questo,
com outros componentes.
d. Servir como dissipador para o calor gerado dentro da pastilha
de silcio.
Os circuitos integrados so normalmente encapsulados de trs
modos distintos, conforme resumido no quadro a seguir.
Invlucro N.O de terminais Material utilizado
Observaes
(package) (leads) no invlucro
Tipo TO 8, 10, 12 Metal Invlucros hermeticamente

selados, capazes de trabalhar
Tipo plano em severas condies am-
14, 16,24 Cermica
(flat-pack) bientais. Custo mais elevado
Dual-em-linha
14, 16, 24, 28 Cermica
(dual-in-line)
I Plstico Invlucros no selados proje-
tados para trabalhar em con-
dies menos severas. Ampla
I utilizao industrial
Na Fig. 2.1 so apresentados exemplos de circuitos integrados

que ilustram alguns dos tipos de invlucros descritos no quadro anterior,
devendo-se ressaltar que os invlucros tipo TO, e os tipos plano e
Invlucros de circuitos integrados 23
l ,
..
--
Ili li!
'I
9'
;lliij1flll!i
1'3 1'4 1<

S 8
Figura 2.1 Alguns tipos de invlucros utilizados na tecnologia de circuitos integrados
dual-em-linha cermicos so todos hermeticamente selados, contendo

uma atmosfera de nitrognio.
2.2. INVLUCRO TIPO TO

Esse tipo de encapsulao j bastante familiar para o leitor,
pois uma extenso do tipo inicialmente desenvolvido para transis-
tores, e que sempre apresentou uma excepcional confiabilidade. Na
Fig. 2.1, os trs primeiros invlucros so exemplos do tipo TO.
2.3. INVLUCRO TIPO PLANO (FLAT-PACK)

O invlucro tipo plano (j7at-pack) foi especialmente desenvolvido
para a encapsulao de circuitos integrados e consiste em uma estru-
tura, retangular ou quadrada, de cermica, que contm a pastilha de
silcio, sendo as conexes para o meio exterior feitas por tiras finas
metlicas, que so conectadas pastilha de silcio por fios de ouro. O
quarto e o quinto invlucros da Fig. 2.1 so exemplos do tipo [lat-pack.
2.4. INVLUCRO TIPO DUAL-EM-LINHA (DUAL-IN-LINE)

Esse invlucro, tambm especificamente desenvolvido para a
encapsulao de circuitos integrados, pode ser constitudo por um
material cermico ou plstico, tratando-se no primeiro caso de um
invlucro hermeticamente selado com uma atmosfera de nitrognio.
No caso do invlucro dual-em-linha tipo plstico, a cobertura plstica
moldada em tomo dos terminais da estrutura na qual a pastilha
montada. Os dois ltimos exemplos da Fig. 2.1 ilustram o aspecto

externo do tipo dual-em-linha,
Na Seco2.6 so estudadas as aplicaes de cada tipo de invlucro.
2.5. DIMENSES DOS INVLUCROS E IDENTIFICAO

DOS TERMINAIS
Nas Figs. 2.2 e 2.3 so apresentadas as dimenses de dois tipos
de invlucros, apenas para melhor orientao do leitor, com as dimen-
ses indicadas em mm. Evidentemente os catlogos dos fabricantes
de circuitos integrados apresentam todos os dados referentes a dimen-
ses, numerao dos terminais, etc. para todos os tipos de invlucros
utilizados.
Com relao identificao dos terminais, esta feita de modo
inteiramente anlogo ao usado para componentes discretos, onde uma
determinada referncia permite a localizao de todos os terminais.
VALOR MAX.
J 6,51 ....-----
7,75________.VALORM1N.
4,70
4,19
L
1,02
12,70
1,27
j 0,39
5,33
6,51 4,82
Figura 2.2 Exemplo de um inv61ucro tipo TO com 8 terminais

6:::::
~
,;'~i,~".o."~~
0,51
~ ~ : : : : : C:'::
I 2 3 4 5 6 7
1,52
1,02
\.---2,79 ,564
~14--
2,29 0,36 I
Figura 2.3 Exemplo de um invlucro tipo dual-em-linha plstico
Por exemplo, considerando a Fig. 2.2 o ressalto na base do dispo-

sitivo indica o pino 8 e olhando-se o dispositivo pela sua parte inferior
pode-se determinar a posio de todos os terminais. A Fig. 2.4 ilustra
esse processo de identificao.
Figura 2.4 Vista inferior do inv-

lucro da Fig. 2.2 correspondente a
um TO de 8 terminais
2.6. ESCOLHA DO TIPO DE INVLUCRO PARA UMA

DADA APLICAO
Em muitos casos, um mesmo circuito integrado fornecido pelos

fabricantes em invlucros diferentes, possibilitando uma otimizao
por parte do projetista. Por exemplo, o amplificador operacional
MC 1 709 da Motorola'"! pode ser adquirido nos seguintes invlucros:

invlucro [lat-pack cermico: MC 1709CF;
invlucro metlico (TO): MC 1709CG;
invlucro dual-em-linha cermico: MC 1709CL.
Note que as letras F, G e L caracterizam, "para a Motorola",
cada um dos invlucros disponveis.
Vamos, agora, analisar o problema da seleo de um determinado
tipo de invlucro para um projeto especfico.
Conforme explicamos anteriormente, tanto o invlucro tipo TO
(metlico) quanto os invlucros cermicos (do tipo flat-pack ou dual-
-in-line) so hermeticamente selados, e exigem um sistema complexo
para o seu teste, durante a produo. Portanto os circuitos integrados
utilizando esses invlucros so mais caros e, conseqentemente, eles
so utilizados em aplicaes especficas, onde necessrio garantir
um desempenho excepcional. Por exemplo, um invlucro cermico
especificado para a faixa de temperaturas de -55C a -:-125C, o
mesmo acontecendo com os tipos metlicos, o que evidentemente
muito alm do exigido em muitas aplicaes industriais. Exatamente
para essas aplicaes mais comuns que foi desenvolvido o invlucro
tipo dual-em-linha plstico, o qual especificado, por exemplo, para
a faixa de temperaturas de -40C a + 85C, e que no hermetica-
mente selado, o que o desaconselha tambm para uso em ambientes
especiais.
Evidentemente, caso se tenha disponvel um circuito integrado
com um invlucro metlico, nada impede que o mesmo seja utilizado
em condies menos severas; entretanto, caso se deva adquirir com-
ponentes para um dado projeto, deve-se faz-lo pensando na aplicao
em vista, visando uma reduo no custo.
Por outro lado, existem outros fatores que podem influenciar a
escolha de um determinado tipo de encapsulao. Inicialmente com-
paremos os tipos TO e flat-pack cermico, que so tipos hermeticamente
selados. O tipo TO, exaustivamente usado na fabricao de transis-
tores convencionais, goza, evidentemente, da vantagem de ter uma
produo maior que o tipo [lat-pack, apresentando portanto um custo
menor. Esse tipo de encapsulao apresenta, ainda, a vantagem de
ser totalmente compatvel com~os processos de fabricao anterior-
mente utilizados para componentes discretos, no exigindo alterao
alguma para a de montagem de circuitos.
Por outro lado, o tipo [lat-pack possibilita que, em um circuito
impresso, as ligaes impressas passem por sob o corpo do circuito
integrado, como ilustrado na Fig. 2.5.
<*)Esse amplificador MC 1 709C corresponde aos amplificadores pA 709C da
Fairchild e TRA 521 da Philips (IBRAPE), e ser estudado com detalhes no Capo 4
Com isso, consegue-se obter uma concentrao maior com os

circuitos [lat-pack, do que a obtida com os circuitos tipo TO. Alm
disso os circuitos [lat-pack podem ser montados utilizando-se, simul-
taneamente, os dois lados da chapa impressa, o que no pode ser feito
com o tipo TO. Isso significa dizer que para uma dada rea possvel
obter-se uma densidade da ordem de 2,5 a 3 vezes maior, usando
circuitos flat-pack, do que usando circuitos tipo metlico.
Com relao aos invlucros plsticos, conforme j mencionamos,
so mais baratos, apresentando entretanto algumas limitaes, tais
como uma menor faixa de operao com relao temperatura e uma
dissipao mxima permissvel menor que nos casos anteriores.
Finalizando este captulo devemos comentar que a escolha do
tipo de invlucro a ser utilizado (evidentemente quando existem vrias
opes para um mesmo circuito) feita, baseada em vrios aspectos
importantes como, a finalidade do equipamento, a produo prevista,
o mtodo de montagem a ser utilizado, etc. Evidentemente esses so
fatores complexos, geralmente da alada de engenheiros projetistas e
de produo, de forma que uma anlise detalhada foge inteiramente
ao escopo deste livro.
3 TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS
DISPONVEIS
Neste captulo procuraremos apresentar uma visao panorarmca

dos tipos de circuitos integrados existentes, deixando as aplicaes
tpicas de alguns desses circuitos para o prximo captulo . Evidente-
mente, tratando-se de um campo em plena evoluo, no nossa
inteno apresentar um estudo completo, mas apenas dar uma simples
idia das disponibilidades atuais do mercado.
A fim de facilitar a explanao vamos abordar, separadamente,
os campos digital e linear.
3.1. CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITAIS

3.1.1. Generalidades
O campo digital , sem sombra de dvidas, o que mais se desen-
volveu com a tecnologia integrada, possibilitando aplicaes e extraor-
dinrias, como as minicalculadoras, que efetuam clculos complexos,
relgios eletrnicos digitais de pulso, minicomputadores, etc.; podemos
dizer que no campo digital existem circuitos integrados para virtual-
mente qualquer aplicao.
Com a evoluo da tecnologia integrada foram surgindo vrias
famlias de circuitos integrados digitais, cada famlia caracterizada por
vantagens e desvantagens, quando comparadas entre si. Apenas como
exemplo, mencionamos, a seguir, algumas' dessas famlias que sero
estudadas adiante.
RTL - resistor transistor logic;
DTL - diode transistor logic;
TIL - transistor transistor logic;
ECL - emitter coupled loqic;
Os grandes fabricantes de circuitos integrados, em geral, produzem

vrias destas famlias, o que significa dizer que, por exemplo, um circuito
integrado TIL pode ser fabricado pela Texas, Motorola, Fairchild,
ete.. Alis, um dos segredos no projeto de um equipamento digital
o uso de tipos de circuitos integrados que sejam fabricados por vrias
indstrias ao mesmo tempo, evitando-se, com isto, a dependncia de
um s fornecedor de circuitos integrados, o que pode ser catastrfico
para um fabricante de equipamentos.
Tipos de circuitos integrados disponveis 29
Para ilustrar, apresentamos na Tab. 3.1 trs exemplos da famosa

srie 7400 de circuitos integrados digitais TIL, com os nomes de
algumas indstrias dentre as que os produzem.
Tabela 3.1 Alguns exemplos de circuitos digitais, ilustrando-se o fato de vrias

indstrias produzirem o mesmo tipo de circuito integrado
Motorola MC7400P MC7420P MC7410P

National SN7400N SN7420N SN7410N
Signetics N7400A N7420A N7410A
Sprague USN7400A USN7420A USN7410A
Texas SN7400N SN7420N SN7410N
Transitron TG7400E TG7420E TG7410E
Amperex FJH 131 FJH III FJH 121
Philips FJH 131 FJH 111 FJH 121 I
Descrio Descrio Descrio
QUAD2INPUT DUAL4 INPUT TRIPLE 3 INPUT
NANDGATE NANDGATE NANDGATE
(Circuito qudruplo (Circuito duplo (Circuito triplo
com qates NAND de com qates NAND de com gates NAND de
2 entradas) 4 entradas) 3 entradas)
3.1.2. Noes sobre circuitos digitais?"

Consideremos um circuito digital em qye trs entradas, Xl' X2 e X
3
(por exemplo), esto presentes. A Fig. 3.1 ilustra este circuito.
XI
Figura 3.1 Circuito digital com 3 entra-
X2 ---I I--_Y
das; x" Xl e XJ e uma sarda y
X3 ---j
As entradas xl' x2 e x3 so vanaveis digitais, isto , variveis

que s podem assumir os valores Oe 1. O mesmo sucede com a sada y.
A varivel de sada, y, uma funo dos valores que as variveis
Xl' X2 e X3 apresentam. Quando o valor da varivel de sada (no caso y)
em um dado instante apenas funo dos valores das variveis de
entrada (no caso Xl' X2 e X3) neste mesmo instante, diz-se que o circuito
digital um circuito combinacional. Quando o valor da varivel de
sada em um dado instante depende tambm de valores anteriores
das variveis de entrada o circuito digital dito seqencial.
A Tab. 3.2. apresenta um resumo de alguns tipos de circuitos
combinacionais bsicos.
(*)Caso o leitor no tenha conhecimento algum sobre tcnicas digitais, deve ler
antes o Apndice A: "Noes sobre lgebra de Boole"
Tabela 3.2 Tabela de funcionamento de alguns circuitos digitais bsicos
Combinaes possveis Circuitos digitais bsicos

dext,x2,x3 E (AND) OU (OR) NO E (NAND) NO OU (NOR)
-
~ ~ !
O O O O O 1 1
O O 1 O 1 1 ! O
O 1 O O 1 1 O ,
O 1 1 O 1 1 O !
1 O O O 1 1 O
1 O 1 I O 1 1 O
1 1 O O 1 1 O
I 1 I I 1 I O O I
Na coluna da esquerda aparecem todas as combinaes possveis
das variveis de entrada. Nas demais colunas aparecem o que acontece
com a varivel de sada y para cada um dos circuitos bsicos (a cada
combinao Xl' X2 e X3 corresponde um valor de y).
Por exemplo no circuito OU (OR), y = Xl + x2 + x3 e, portanto,
basta xl' OU X2' OU X3 ser igual a 1 que a sada y ser tambm igual
a 1. O leitor verifica que apenas para a combinao Xl = x2 = x3 = O
a sada y do circuito OU igual a zero.
Convm aqui introduzir um nome que o leitor encontrar a todo
momento em catlogos estrangeiros. Seja um circuito OU (OR) com
duas entradas Xl e x2 Na Fig. 3.2 apresentamos um esquema desse
circuito digital e uma tabela que simboliza o seu funcionamento.
XI X2 Y
O O O
O I I
I O I
I I I
(a)
(b)
Figura 3.2 (a}Esquema do circuito; (b) Tabela de funcionamento (truth table)
A tabela que exprime o funcionamento do circuito (b) chamada

de truth table e importante o tcnico conhecer este nome pois muitos
manuais, mesmo de manuteno, utilizam esse nome. Por exemplo,
para se verificar se um circuito integrado digital funciona corretamente
temos que verificar se a sua truth table est sendo observada; isto ,
medida que as variveis de entrada vo assumindo os valores da
coluna da esquerda da tabela, a sada y deve ser a correspondente
na coluna da direita.
Podemos agora apresentar para os leitores a razo da existncia

das diversas famlias de circuitos integrados.
3.1.3. Famlias de circuitos integrados digitais

3.1.3.1. Famlias de circuitos saturados
Inicialmente, vamos considerar os circuitos integrados digitais
cujos transistores so levados saturao.
Na Fig. 3.3 apresentamos um circuito que corresponde funo
NOR e nas Figs. 3.4 e 3.5 dois circuitos diferentes que correspondem
funo NAND.
No Capo 4 mostraremos que qualquer funo digital pode ser
realizada usando-se apenas circuitos NOR ou apenas circuitos NAND.
Em outras palavras, qualquer um dos circuitos das Figs. 3.3, 3.4 e 3.5
podem ser utilizados para realizar qualquer funo digital. Qual a
razo ento de utilizarmos um circuito como o da Fig. 3.5, que bem
--~~--------------~~---------------.----y
Figura 3.3 Circuito 16gico NOR usando resistores e transistores (resistor - tran-
sistor logic - RTL)
XI
Figura 3.4 Circuito 16gico NAND usando diodos e transistores (dode - transistor
lgic - DTL)
Figura 3.5 Circuito lgico NAND usando transistores em lugar dos diodos na
entrada (transistor - transistor logic - TIL; o transistor da esquerda um tran-
sistor que possui 3 emissores independentes)
mais complexo que o da Fig. 3.3? A resposta que cada um desses

circuitos apresenta caractersticas bem diferentes do outro.
De imediato poderamos falar em termos da potncia dissipada.
Isto , circuitos idnticos sob o ponto de vista de truth table, com o
mesmo nmero de entradas, apresentam uma dissipao diferente para
cada uma das configuraes apresentadas.
Outro fator importante a considerar a velocidade com que um
pulso se propaga no circuito em questo. Na Fig. 3.6 apresentamos
os pulsos de entrada e sada de um circuito integrado, no caso um
circuito inversor.
O tempo de retardo na propagao td tpropaqation delay) a
mdia aritmtica dos tempos de retardo tdl e td2, isto ,
td! + td2
td = 2
Pois bem, esse retardo na propagao varia substancialmente
para os circuitos apresentados nas Figs. 3.3 e 3.5 e, conseqentemente,
PULSO DE ENTR:D: - - - - - - -1---.-L----- 50%
I I
: I
ov . I I
PULSO DE SA(DA --------j- -\--t-j---- 50%
I I I I
I I I
Vi-QV S
Figura 3.6
~ ~
Determinao do tempo de retardo
TIpos de circuitos integrados disponveis 33
quando se deseja um circuito rpido deve-se escolher um que introduz

um menor retardo na propagao.
Somente como referncia apresentamos na Tab. 3.3 a potncia
dissipada e os tempos de retardo na propagao para um circuito
tpico das famlias RTL, DTL e TTL.
Tabela 3.3 Alguns valores comparativos de potncia dis-
sipada e retardo na propagao para um circuito tpico das
famlias RTL, DTL e TIL
Tempo de retardo
Famlia
I Potncia dissipada
na propagao
RTL 12mW 12 ns
DTL 9mW 30ns
TIL 30mW 10 ns
Entre essas trs famlias o leitor v que a famlia TIL bsica

a que apresenta menor retardo de propagao, mas ao mesmo tempo
a famlia (dessas trsl) que apresenta a maior potncia dissipada.
Em geral, quanto mais rpido um circuito integrado, maior a
potncia por ele dissipada.
Na realidade devemos chamar a ateno do leitor que a nossa
comparao foi extremamente simplificada levando em conta apenas
a potncia dissipada e o tempo de retardo na propagao.
Mas as vantagens e desvantagens de uma famlia sobre a outra
podem ser decorrentes de outras caractersticas dos circuitos integrados,
tais como a suscetibilidade a rudo, nmero de circuitos que podem
ser alimentados pelo circuito digital, mxima freqncia de operao
dos pulsos de relgio (dock pulse), etc. Portanto o leitor que quiser
entender, com profundidade, as vantagens e desvantagens de uma
famlia sobre a outra, deve estudar todos esses parmetros, o que
evidentemente foge ao escopo deste livro. Alm disso, mesmo dentro
de cada famlia, ligeiras modificaes podem alterar o comportamento
bsico, podendo, ento, categorizarem-se grupos, dentro de uma mesma
famlia; por exemplo, a famlia TTL, atualmente, possui 5 grupos,
chamados de TTL I, TTL 11, TTL I1I, TIL IV e TTL V; fato seme-
lhante ocorre para outras famlias. Portanto, a escolha perfeita da
famlia (e vlentro dessa, do grupo) de circuitos integrados a utilizar
para o projeto de um dado sistema algo que exige um conhecimento
grande, do projetista do circuito.
Finalmente, vale a pena mencionar que uma famlia (ou grupo
de uma famlia) composta de circuitos-porta tipo E, OU, NO OU,
NO E, flip-j1ops, expansores, buffers, etc. Isto significa dizer que, em
princpio, um circuito digital pode ser projetado utilizando os circuitos
bsicos existentes em uma famlia (ou em um especfico grupo de uma
famlia) de circuitos integrados digitais.
3.1.3.2. Famlias de circuitos no-saturados

Em todos os exemplos anteriores os transistores so levados
saturao, o que implica em um maior retardo devido ao armazena-
mento de portadores''". Quando h necessidade de altas velocidades
necessrio recorrer a circuitos digitais cujos transistores no so
levados saturao, geralmente conhecidos sob o nome global de
circuitos lgicos no-saturados. Por exemplo, uma famlia no-saturada
muito conhecida a chamada famlia de circuitos lgicos acoplados
a emissor (ECL; emitter - coupled logic) que possibilita tempos de
propagao da ordem de 3 ns.
3.1.4. Circuitos digitais MOS, COSjMOS e SOS

Em todos os exemplos anteriores, estivemos tratando de circuitos
integrados cujos transistores so do tipo bipolar.
No momento atual, est sendo dada uma enorme nfase aos cir-
cuitos integrados utilizando transistores com o gatilho isolado (MOS)
e combinaes, em um mesmo circuito integrado, de transistores MOS
complementares, isto , com canais tipo P e tipo N. Como j men-
cionamos no Capo 1, esses circuitos complementares (COSjMOS)
permitem obter potncias dissipadas extremamente reduzidas e velo-
cidade mdia de propagao.
Os mesmos tipos de funes digitais podem ser obtidas, com os
circuitos integrados COSjMOS. Como exemplo, apresentamos, na
Fig. 3.7, um inversor utilizando um par complementar de transistores
de efeito de campo MOS.
\_;),VOO
MOSFET CANAL P
/ / " '\
I \
I G \
,----+--'--,
\ I
",---~ -
\/G'
/--
Vi
\
'\
'- /
/
/ i
MOSFET CANAL N j- - --- vs s
Figura 3.7 Inversor usando transistores complementares de efeito de campo com
gatilho isolado (chamados COS/MOS)
(*)Veja Dispositivos semicondutores. Hilton A. Mello e Edmond Intrator. Livros
Tcnicos e Cientficos Editora S.A.
No campo dos circuitos digitais usando COSjMOS so encon-

trados gates, flip-flops, registradores, contadores, decodificadores, mul-
tivibradores, unidades aritmticas, etc. Alm desses circuitos poderemos
encontrar, em breve, os circuitos digitais utilizando a safira como
substrato, conforme explicamos no Capo 1. Essa uma grande espe-
rana dos fabricantes de circuitos integrados para o futuro. Esses
circuitos so chamados pelos especialistas de circuitos SOS onde as
iniciais se referem a silicon-on-saphvre (silcio sobre a safira). Entre-
tanto podemos afirmar que, atualmente, a maioria esmagadora dos
grandes projetos de eletrnica usa a famlia TTL por apresentar um
excelente compromisso entre potncia dissipada e velocidade de propa-
gao. Por exemplo, os minicomputadores, os computadores de grande
porte, etc. utilizam basicamente as famlias TTL.
Finalizando estes comentrios bsicos sobre os circuitos digitais,
podemos, apenas como complemento, ressaltar que, no campo digital,
alm de circuitos de uso geral, como circuitos porta, [lip-ftops, buJJers,
dcadas, etc., existem circuitos complexos especiais podendo-se citar
como exemplo memrias de acesso randmico (RAM), memrias
apenas de leitura (ROM), unidades aritmticas, circuitos completos
para minicalculadoras, etc., deslocando-se, ento, para o campo da
integrao em mdia escala (MSI), integrao em grande escala (LSI)
e integrao em escala muito grande (VLSI).
3.2. CIRCUITOS INTEGRADOS LINEARES

O campo linear um campo bem mais complexo do que o campo
digital, para integrao, pois ainda no so muitos os casos em que
um mesmo circuito pode ser usado no projeto de diferentes equipa-
mentos. Devemos lembrar que, no campo digital, possvel projetar
qualquer funo digital apenas utilizando os mesmos blocos bsicos.
Por exemplo, qualquer funo digital pode ser obtida apenas utili-
zando-se circuitos NO Ou. Portanto os fabricantes de circuitos
integrados lineares tm que descobrir, e conseguir impor ao mercado,
circuitos de uso geral, como o caso dos amplificadores operacionais
e alguns circuitos tpicos para dadas aplicaes, como amplificadores
de freqncia intermediria, amplificadores de vdeo, etc.
Sem sombra de dvidas o tipo de circuito integrado linear, mais
conhecido e utilizado existente no mercado, o amplificador opera-
cional, que, fundamentalmente, um amplificador CC de altssimo
ganho cujas caractersticas podem ser modeladas por meio de com-
ponentes externos colocados entre terminais adequados do circuito
integrado.
No captulo de aplicaes de circuitos integrados so apresentados
inmeros exemplos de circuitos integrados lineares, sendo detalhada-
mente estudados os amplificadores operacionais integrados.
4 PROJETO DE CIRCUITOS UTILIZANDO
Quando se fez o estudo de circuitos com componentes discretos

o leitor deve lembrar que os assuntos foram apresentados partindo da
polarizao de transistores e, da, caminhando para o estudo de ampli-
ficadores, osciladores, etc.
Para tornar o assunto bastante prtico, e possibilitar o uso deste
livro como texto para o estudo de circuitos nas escolas tcnicas de
eletrnica, procuramos dar a este captulo uma estrutura similar
utilizada no caso de circuitos com componentes discretos.
4.1. POLARIZAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Na elaborao do projeto de um circuito utilizando componentes
discretos (componentes individuais) recordamos que se devia escolher
os pontos de funcionamento dos transistores, adotar um processo
adequado de polarizao - que desse a estabilidade necessria ao
circuito - e da ento, calcular os valores de todos os componentes,
para atender, simultaneamente, s necessidades CC e CA exigidas
para o circuito.
No caso de circuitos integrados temos um circuito completo, que
pode apresentar um elevado nmero de transistores, resistores, etc.,
e no temos, em princpio, acesso a esses componentes. Entretanto a
fbrica que produz um circuito integrado, prev, durante o seu projeto
(geralmente feito com computadores), o funcionamento de cada com-
ponente do circuito dentro de suas caractersticas, indicando apenas
as tenses de polarizao externa que devem ser utilizadas, e indicando
tambm como a variao dessas tenses afeta o comportamento do
circuito.
Portanto bastante simples polarizar um circuito integrado;
basta seguir as indicaes do fabricante, estudando as informaes
existentes no catlogo, referentes influncia da tenso (ou tenses)
de polarizao, no comportamento do circuito.
A seguir, apresentamos um exemplo que ilustra o que acabamos
de explicar.
Consideremos um amplificador de udio, integrado, no caso o
TCA 160 da Philips, que se apresenta em um invlucro dual-ern-linha
plstico, com 16 terminais, ilustrado na Fig. 4.1.
Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados 37
DIMENSOES EM MM
4--a.25 .
lI -::~~----
Q,., -----.
,
1:-,0,2'
"
"
Wl
11-
4--- -'\ 9,:50-----..
7,60
DISSIPADOR DE CALOR Figura 4.1 Invlucro do circuito

INTERNO, DE COBRE TCA 160
o TCA 160 um amplificador de udio, monoltico, que, dada a

sua flexibilidade, pode ser aplicado em equipamentos utilizando baterias
ou fontes alimentadas pela rede.
Os seguintes dados so extrados diretamente do catlogo do

fabricante:
Valores absolutos mximos

Tenses
Tenso de alimentao (terminal n," 11) Vll-16 max = 16 V.
Tenso de alimentao sem carga (terminal n." 11, valor pico)
Vll-16 max = 18 V.
Correntes
Corrente de sada (terminais n.OS 13, 11, 4) 10 max = 1 A.
Corrente de sada de pico (no repetitiva) (terminais 13, 11, 4)
loMS max = 2 A.
Dissipao de potncia
Temperatura ambiente = 25C.
Dissipao sem dissipador de calor adicional:
Ptotal max = 0,9 W.
Caractersticas CC
Faixa da tenso de alimentao Vl1-16: 5 a 16 V.
Corrente quiescente total
111total: 5 a 15 mA (tpico = 8,7 mA).
Tenso de saturao dos estgios de sada para 10 = 0,5 A
VCE sal < 0,9 V.
Tambm do catlogo so obtidos dois circuitos tpicos de aplicao,
ilustrados na Fig. 4.2.
+
r------.---.-_vp
C7
220pF
(a) ( b )
Figura 4.2 Circuitos de aplicao do TCA 160: a) Para alimentao por baterias;
b) Para alimentao com fonte de ripple elevado, alimentada pela rede
o catlogo fornece tambm os valores constantes da Tab. 4.1,

que so as caractersticas bsicas do circuito para diversos valores
da tenso de alimentao e para vrias resistncias de carga.
NOTAS RELACIONADAS TAB. 4.1
1. Medida antes do capacitor de sada (Cs)

2. Medida sobre RL
3: Para RI = 47 Q. O ganho pode ser aumentado diminuindo-se o valor de RI; entre-
tanto, ao se decrescer o nvel do ganho o valor mximo tolerado para RI de 100 Q;
para obter ganhos ainda menores prefervel usar um atenuador na entrada.
4. Para limitar a resposta de freqncia um capacitor deve ser concctado em paralelo
com a entrada. Por exemplo, para R, = 2 kQ e Cx = 3,9 nF a freqncia de corte
superior de 20 kHz (-3 dB). Cx tambm evita oscilaes com a entrada aberta.
5. O valor limite inferior pode ser dimin udo aumentando-se proporcionalmente C3
Por exemplo para 60 Hz, C3 = 47 JlF. O capacitor C2 de desacoplamento da fonte
de alimentao deve tambm ser modificado para a freqncia mais baixa; no caso
para F min = 60 Hz, C2 = 680 JlF.
6. s, = OQ.
7. R, = 2kQ.
Tabela 4.1 Quadro comparativo do funcionamento para vrias tenses de alimen-

tao e resistncia de carga. As notas relacionadas a esta tabela so indicadas na
pgina anterior
Tenso de alimentao V 1-16 -> 7,5 9 9 12 V

Notas
Resistncia de carga-e- 4 4 8 8 n
Potncia de udio de sada no incio 0,9 1,2 1,0 U W (1)
do corte 0,8 1,1 0,9 1,4 W (2)
Potncia de udio de sada para 10% 1,2 1,6 1,3 2,2 W (1)
de distoro total 1,1 1,5 1,2 2,0 W (2)
Sensibilidade
para Po = 50mW Vi 1,4 1,4 2 1,8 mV
para d,., = 10% Vi
~ --
7,3 8,0 10 13,0 mV
Corrente de alimentao para po-
225 330 190 250 mA
tncia mxima de sada
Corrente quiescente 1101 8,1 8,7 8,7 8,6 mA
Mxima dissipao de potncia 710 1020 510 910 mW
Valor de RI 47 47 47 47 n
R2 5,1 5,1 5,1 5,1 n
Cl 1,6 1,6 1,6 1,6 jJ.F
C2 125 125 125 125 jJ.F
C3 22 22 22 22 jJ.F
C4 330 330 150 150 nF
C5 1000 1000 470 470 jJ.F
C6 220 220 220 220 jJ.F
Impedncia de entrada Zi 15 15 15 15 kn
Ganho de tenso malha fechada G v 50 50 50 50 dB (3)
Ganho de tenso malha aberta G,. 70 70 70 70 dB
Resposta de freqncia +-~- 145 Hz para 110 kHz -----. (4), (5)
Potncia de sada de rudo PN 2,5 2,5 1,0 1,0 nW (6)
Potncia de sada de rudo PN 19 19 9,5 10,2 nW (7)
Finalmente, nesse exemplo, ainda fornecido no catlogo a dis-

toro total do circuito em funo da potncia de sada, tendo como
parmetro a tenso de alimentao do circuito integrado. Na Fig. 4.:1
apresentada a curva de distoro para o caso em que RL = 8 n e
o alto-falante est conectado ao terminal positivo da bateria, como
sugere o circuito da Fig. 4.2(a).
Esse exemplo simples deve ter ilustrado ao leitor o que dissemos
acerca do comportamento externo de um circuito integrado. Simples-
mente so apresentados dados externos ao circuito sem haver neces-
sidade de indicar o que est acontecendo com cada componente interno
ao circuito integrado. O circuito TCA 160 possui, internamente, 11
transistores, 5 diodos, 15 resistores e 1 capacito r e no temos que no'
preocupar individualmente com o comportamento de cada um desses
7,5
v =
v~ 12V
2,5
J
o
10-2 10
Figura 4.3 Distoro total para o caso em que R L = 8 n e o alto-falante est ligado
ao terminal positivo da bateria (valores tpicos)
componentes. Temos, contudo, que entender bem o significado dos

dados fornecidos pelo fabricante e no ultrapassar os valores mximos
especificados, o que poderia provocar a destruio do circuito integrado.
4.2. APLICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS EM

PROJETOS DE CIRCUITOS LINEARES
4.2.1. Amplificadores operacionais (uso geral)
No campo linear de aplicaes vamos iniciar pelo mais flexvel
circuito existente, o amplificador operacional. A importncia desse
circuito to grande que apresentamos, a seguir, um estudo detalhado
sobre esse dispositivo.
t2.1.1. Generalidades
Um amplificador operacional um amplificador CC de alto ganho,
previsto para uso em um circuito realimentado. Com o uso de estruturas
de realimentao externas ligadas ao amplificador CC bsico, pode
ser obtida uma gama enorme de funes de transferncias. Por exem-
plo, um mesmo amplificador operacional bsico pode ser utilizado para
fornecer a ampla faixa de freqncias exigida por um amplificador de
vdeo ou pode ser utilizado para, fornecer uma curva de resposta com
pico em uma determinada freqncia, o que serve para vrios tipos
de amplificadores modeladores.
4.2.1.2. Caractersticas bsicas de um amplificador operacional

As seguintes caractersticas so importantes em um amplificador
operacional.
a) Ganho malha aberta muito elevado, geralmente na faixa de

103 a 109.
b) Ampla banda passante, geralmente de CC a uma freqncia
na faixa de 1 a 100 MHz.
c) Alta irnpedncia de entrada e baixa impedncia de sada.
d) Ampla faixa dinmica.
e) OjJset<*l da tenso de entrada bastante reduzido.
f) Pouca variao de suas caractersticas com o tempo e com
a temperatura (pouco drift).
g) Baixo rudo.
4.2.1.3. Funcionamento bsico de um amplificador operacional

Suponhamos um amplificador operacional com um ganho A
muito elevado e negativo; suponhamos agora. que sejam conectadas,
a esse amplificador operacional, impedncias z, e Z!, como indicado
na Fig. 4.4.
z,
t t t
l_i ~I_P ----1
Figura 4.4 Amplificador operacional realimentado
Analisemos, agora, em termos prticos o que ocorre com ep' a

tenso na entrada do amplificador operacional. Suponhamos que ('..
tem um determinado valor. Ora, como IAI muito elevado. leI" = l~i
ser praticamente nula e, portanto, o ponto P, embora no ligado
fisicamente terra, ter potencial praticamente igual ao de terra.
Da o ponto P ser chamado de terra virtual do amplificador
operacional. Por outro lado se admitirmos que a impedncia de
entrada do amplificador operacional infinita obteremos as condies
ilustradas na Fig. 4.5.
Observemos que ep e eo foram indicadas ambas positivas com
relao terra T; portanto, se queremos usar o ganho A como um
(*/0 offse: da tenso de entrada (i'lput offset vollage) definido como a tenso que
deve ser aplicada ao terminal de entrada para obter uma tenso nula no terminal de sada
Z P
-
t
lin
z, P
+t
-
1=0
:;::.--- -- ... +
ei
_jp?O
J 1
Figura 4.5 Amplificador com impedncia de entrada infinita e ganho muito ele-
vado e negativo
nmero positivo, devemos introduzir o sinal na equao:

eo =- Aep' (Eq. 4.1)
isto , a tenso ep tem sinal oposto tenso eo
Geralmente procede-se dessa forma, para se lidar com A sempre
como nmero positivo, sendo o sinal introduzido nas equaes.
Observando o n P podemos escrever:
Jin = - I f' (Eq. 4.2)
pois a corrente de entrada no amplificador operacional nula uma
vez que consideramos a irnpedncia de entrada infinita.
Por outro lado podemos escrever
J = ~j - e", (Eq. 4.3)
!n Zj
_ ea-ep
I f- (Eg. 4.4)
Zf
Substituindo as Eqs. 4.3 e 4.4 na Eq. 4.2 temos
ei-ep _ eu-ep
Z, - - Zf ' (Eg. 4.5)
Alm disso,
ep = - ~. (Lembramos que A positivo nesta equao) (Eq. 4.6)
Substituindo a Eq. 4.6 na Eq. 4.5 temos

eo eo
ei + A ea + A
Zj Zf
ZJei e; - Z e Z eo.
+ ZJ A - - i " - i A'
~ =_ --;Z::::-,-( _=-
ei Z + Zj + Z( z, + ZJ + AZj
i A
e, finalmente,
(Eq. 4.7)
Z
1 + '. A
z, + ZJ
Lembramos que essa frmula vlida para o caso em que a impe-
dncia de entrada infinita, e o ganho A muito elevado (o sinal foi
introduzido nas equaes).
Conforme vemos, eo o sinal de sada, quando existe a realimen-
tao produzida pela impedncia Z J' e A o ganho malha aberta.
Da chamarmos a relao e fe, de ganho malha fechada (closed loop
gain); simbolizando esse ganho malha fechada por ACL' temos
A ZJ
ZJ+ Z,
(Eq. 4.8)
Z
1+Z 'ZA
j+ J
Um caso importante o caso limite quando o ganho malha
aberta (A) tende para infinito. Vejamos o que ocorre nesse caso, rees-
crevendo a Eq. 4.8;
(Eq. 4.9)
1 Z
-+
A z, +'ZJ
Portanto se A -> 00 teremos
_ eo _ ZJ + Z, _- ZJ
ACL - - - - --, (Eq. 4.10)
e, Zj z,
z, + ZJ
que conduz a uma concluso importante, pois significa que, se o ganho
malha aberta for muito grande, o ganho malha fechada ACL depen-
der exclusivamente de elementos externos ao amplificador operacional
(no caso z, e Z J).
Vamos agora estudar, um pouco mais detalhadarnente, a relao
entre os ganhos malha aberta (A), o ganho malha fechada (ACL)
e o que denominaremos de ganho da malha.
Na Fig. 4.6 mostramos (colocando em curto a entrada) a frao
do sinal de sada que retoma entrada.
Podemos escrever
,e'p
t
Figura 4.6 Definio do fator de realimentao {J = ~

Z, + ZJ
onde
z.
fi = 'z chamado de fator de realimentao. (Eq. 4.11)
Z, + f
Retornemos Eq. 4.8 - repetida a seguir por uma convenincia

A 1
A __ Z.Lf_ Z.
1 +-'
Zf + z, Zf
ACL =- Z
1 + A/3
I+Z 'ZA
f + j
Geralmente Z f ~ Z, e Af3 ~ 1; considerando essas duas condies,

simultaneamente, podemos escrever
(Eq. 4.12)
ou
IA/31 ~ ~ = ganho de malha, (Eq. 4.13)

IAcL1
onde Af3 chamado ganho da malha (lembre que A o ganho malha
aberta e ACL o ganho malha fechada).
Consideremos agora os ganhos em decibis?".
(AfJ)em dec ibe l = (Eq. 4.14)
(A)decibel - (ACL)decibel
Ou seja, o ganho de malha (em dB) a diferena entre o ganho

malha aberta (em dB) e o ganho malha fechada (em dB).
Essa Eq. 4.14 muito importante para a compreenso das curvas
de variao dos ganhos de um amplificador operacional com a fre-
qncia, como veremos a seguir.
(*)Se o ganho A = Al/Az, o ganho A em dB dado por (A)dB = 20 log,o IAI =
= 20 logloIAII- 20 log,o IA
21 = (A1)dB -(A2)dB
4.2.1.4. Resposta de freqncia de um amplificador operacional

Ora, como um amplificador operacional um amplificador CC
de alto ganho, a resposta de freqncia como a apresentada na Fig. 4.7.
A( d B)
Figura 4.7 Variao do ganho malha aberta

(em decibis) com a freqncia; to a freqncia
de quebra e Ao o valor do ganho A para baixas
freqncias
fog f
A freqncia fo a freqncia de quebra para o ganho malha

aberta, iniciando-se nela a queda do ganho razo de 6 dB/oitava
(diz-se seis decibis por oitava':").
Podemos agora, tendo em vista a equao (AfJ)dB = (A)dB - (ACL)dB'
superpor em um s diagrama esses ganhos. Para ilustrar isso, conside-
remos um amplificador operacional de ganho malha aberta A,
realimentado como indica a Fig. 4.8.
Figura 4.8 Amplificador operacional onde A. ACL e Ap esto determinados
Lembramos que
I ganho malha aberta I=A
I ganho malha fechada I ~ 1-~~I
[ganho de malha I = IAf31 = IAII Zj !i zJI
(*)Se /2 = 2 fi diz-se que f2 est lima oitllUa acima de fi' i\nalogamente se f2 = 10 fi
diz-se que l : est uma dcada acima de fI' Existem amplificadores operacionais especiais
nos quais O ganho cai na razo de 12 dBjoitava
Fixando Zf e Zi' o ganho malha fechada ACL fica determinado,

e, portanto, podemos calcular
e marcar esse valor superposto curva de ganho malha aberta como

indica a Fig. 4.9.
GANHO EM dB
Figura 4.9 Ganhos em dB ilustrados em

um mesmo grfico; observe que A u o
ganho malha aberta. para baixas fre-
qncias. e que MN (em dB) = ganho da
malha. NO (em dB) = ganho malha
fechada e MO (em dB) = ganho malha
aberta
M
tO fi LOG t
Verifique que a equao (Af3)dB = (A)dB - (ACL)dB satisfeita no

traado da Fig. 4.9.
A freqncia fi a freqncia de quebra para o ganho malha
fechada, ACL (freqncia onde o ganho ACL comea a cair com a
mesma), e pode-se provar que
fi = (1 + Aof3)fu, (Eq. 4.15)
onde, Ao o valor do ganho malha aberta, para baixas freqncias,

e f3 o fator de realimentao.
Para altas freqncias, os ganhos malha aberta e malha fechada
so iguais, isto , as curvas se juntam a partir do ponto S, na Fig. 4.9.
De fato, por mais artificios externos que se use, no se pode nunca
ultrapassar as caractersticas malha aberta para altas freqncias.
Isto , medida que a freqncia vai subindo o ganho da malha comea
a diminuir at que no ponto S se anula, passando os ganhos malha
aberta e fechada a serem iguais.
4.2.1.5. Estabilidade de um amplificador operacional

Vimos, at agora, o comportamento geral de um amplificador
operacional, verificando os ganhos malha aberta, o ganho malha
fechada e o ganho da malha. Sabemos que, associado ao ganho de
um amplificador, devemos considerar a defasagem introduzida pelo
mesmo.
Na Fig. 4.10 apresentamos, para o amplificador Me 1 530 da
Motorola, as respostas de freqncia do ganho e da diferena da fase
introduzida pelo circuito.
GANHO (d B)
t
o~ __ ,Ao(dB)
~ __ ~~ __ ~ FASE
O
Figura 4.10 Ganho e fase, em
funo da freqncia. para o am-
,,
plificador Me 1 530 da Motorola.
Observamos que a Motorola apre- - 2o 1--~--~-4I-----\-+--: "40
,
senta esse grfico tomando como
O dB o valor do ganho malha - 3o 1-----1----l---~~-\---i: _60
aberta para baixas freqncias. Para
_4 o 1-----1---+---+-\--.1-\----.,'_80
obter o grfico convencional obser- ,
ve que a linha indicada ganho - 5 o 1-----1----l----+-\--+--lr--<'_100
unitrio a linha correspondente a
o
O dB - 60 I--~-+--+---+-l-M~: -120
, o
- 7 o 1----+--+----1--t--l--~' - 140
GANHO UNITRIO'---_-. +_
..I- _ -t - - I- --l -; o
- 80 I-----I---+---+-+-t----l -160
I '
_ 9 O 1-_--1-
__ _1800
+-_--1-_-\--..;..,_,
I .
o
_I 00 L-_-l.. __ ~_--I-_.......L~--.J - 200
.01 0,1 1,0 10 50
(MHZ)
Entretanto antes de utilizarmos os dados existentes em um grfico

como o da Fig. 4.10, para o estudo da estabilidade de um amplificador,
achamos oportuno fazer uma recordao sobre amplificadores reali-
mentados.
Na Fig. 4.11 mostramos um amplificador com uma realimentao
tal que uma frao f3 do sinal de sada retoma entrada e a essa se
subtrai antes de entrar propriamente no amplificador.
A frao do sinal de sada que retoma a entrada, eR, dada por
eR = fieo' (Eq. 4.16)
A tenso na entrada do amplificador, cujo ganho malha aberta

AOL' dada por
(Eq. 4.17)
Por outro lado
(Eq. 4.18)
+ + +
,
ej ej A M PlI FI CADOR eo
.---- eR+~
(AOL)
'---
ESTRUTURA DE
REAlIMEN TA O
(j3 )
Figura 4.11 Amplificador realimentado. Observe que e; = ei - eR

e, portanto,
eQ = AOL(e j - f3e Q)
(Eq. 4.19)
e (1Q + AOLf3) = AOLei (Eq. 4.20)
Portanto teremos, para o ganho malha fechada,
e, AOL
ACL = - = . (Eq. 4.21)
ej 1 + AOLP
Vamos analisar cuidadosamente essa expresso. Se o denominador
se aproximar do valor zero (1 + AOLf3 = O), o valor de ACL tender
para infinito o que pode ser interpretado como a possibilidade de
existir uma tenso de sada, sem sinal algum externo aplicado na
entrada do amplificador.
Em outras palavras, a condio que devemos evitar em um ampli-
ficador que AOLP = - 1 o que anularia o denominador da Eq. 4.21,
e tornaria o amplificador instvel.
Podemos considerar essa condio em termos de amplitude e
fase, resultando
mdulo de AoLf3 = IAoLoBI = 1, (Eq. 4.22)
fase de AOLf3 jAOLf3 = 180 0
(Eq. 4.23)
Entendamos bem o significado dessa condio. A fase de AOLf3
exatamente a defasagem total que a malha apresenta; no caso, obser-
vamos que eR na Fig. 4.11 tem polaridade oposta a e e, portanto, se j
a malha introduzir uma defasagem de 180 eR ter sua polaridade 0

,
invertida e ficar exatamente em fase com e.. Se, alm disso, jAOLf31 = 1
o valor de leRI ser exatamente igual a le;1 e, se ei for retirado do circuito
(colocado em curto) o amplificador "no notar" e o circuito ficar
"oscilando" mantendo uma amplitude constante. Esse fato usado
no projeto de osciladores e ser visto posteriormente.
Entretanto se queremos um amplificador estvel, devemos impedir
que, quando IAoLf31 = 1, a defasagem atinja 1800.
Voltemos agora ao estudo dos amplificadores operacionais. Na

Fig. 4.10 foram apresentadas as curvas de variao dos ganhos e da
defasagem introduzida pelo amplificador, em funo da freqncia.
Suponhamos que estejamos usando uma estrutura de realimentao
puramente resistiva, o que significa dizer que essa estrutura no intro-
duzir defasagem adicional alguma. Fixada a realimentao, podemos
traar a linha que define o ganho malha fechada e verificar, na curva
de fase, a defasagem introduzida no sinal, para a freqncia em que
o ganho da malha IAoLPI igual a 1 (OdB). Ilustramos esse procedi-
mento na Fig. 4.12.
I NESTE PONTO
IIAPI'I(OdB)
I
(d 8) )ACL), 1 (GRAUS)
O --.::r---,... i--T --:-o
_'~d.~L_~. .: -='C-'--
- 10 r----L----+-~~~
__+-~-20
{ J
-20 , '_40
,
I
-3 o r----r----+---~~_T+-~'-60
,
- 4 O r----r----~--,,~~~_;: _80
-50 r----t-----l----+-+--;-t-I-i' _100(6 (li ) I

,
,
-60 r----+-----l-----1--t+-+-+-lh'
_12
I

-70 r----r----r----+--wh-~~, : _140
,
-60 r----r----!----t--'--H-+--.-;: _160
I
I
_90 r----+-----t-----i--'-+l----l: ~le o
-100
0,01 0,1
Figura 4.12 Verificao da fase para um dado ganho malha fechada para o
amplificador Me 1 530 da Motorola
Por exemplo, para o ganho (ACL) > a defasagem de 90 para a

freqncia fI onde IAPI = 1 e, conseqentemente, podemos aumentar

a realimentao sem atingir 180 de defasagem. A variao que se
pode introduzir na defasagem, sem atingir 180, chamada de margem
de fase e tambm ilustrada na Fig. 4.12. (~~)1'
No caso do Me 1530, quando se chega a um ganho da malha
de aproximadamente 15 dB, a defasagem igual a 180, conforme
pode ser visto na Fig. 4.12.
Portanto, para o amplificador MC 1530 a mxima realimentao

que pode ser aplicada sem compensao alguma de freqncia de
15 dB<*I.
A compensao de freqncia visa, utilizando componentes externos
ao circuito integrado, a modelar as caractersticas a lao aberto do
amplificador operacional, permitindo que uma quantidade maior de
realimentao seja aplicada e ainda se permanea com uma margem
de fase adequada (por exemplo, 45).
Essa compensao de freqncia indicada pelo fabricante do
amplificador operacional e dependendo de sua natureza, recebe nomes
especiais como compensao de avano (lead compensationt, compen-
sao de avano e retardo (lead-lag compensatior, etc.
Geralmente, o fabricante indica terminais especficos no circuito
para a conexo das estruturas de compensao e tambm apresenta
dados no catlogo que permitem determinar os valores dos compo-,
nentes a serem usados. Neste ponto esse assunto j comea a ficar
bastante complexo para ser apresentado a estudantes de nvel mdio.
Como exemplo concreto, apresentamos, na Fig. 4.13, o efeito da
compensao de freqncia, para o amplificador MC 1 530 da Motorola.
Observe que as curvas A (CR = CL = O) correspondem ao caso
anteriormente apresentado, sem compensao alguma, e os casos B
GANHO < dB) FASE
O' o
o
- I O - 20
o
- 2 O _ 40
A o
-3 O - 60
o
-40 _ 80
-50 _ 1000
Q
-60 _120
o
-7 _140
---=-o GANHO UNITARIO
- 80 _160
-90
o
-100 _ 200 Figura 4.13 Compensao de
0,001 0,01 0,1 1,0 10 50 freqncia para o amplificador
FREQNCIA (MHZ) MC 1 530 da Motorola
(*'Convm lembrar, embora a explicao detalhada fuja ao escopo deste livro, que
sempre utilizamos uma margem de fase mnima para evitar picos na resposta de fre-
qncia, exatamente na freqncia f, onde o ganho da malha O dB. Geralmente espe-
cifica-se uma margem de fase mnima de 45 e que corresponde a ter menos que 3 dB
de pico na resposta
e C com as compensaes indicadas. Por exemplo, no caso B, CR = 0,01

flF e CL = 4 pF e o ganho malha aberto comea a cair, em torno de
0,002 MHz (2 KHz), ao passo que sem compensao alguma (caso A),
o ganho s comea a cair em 1 MHz.
4.2.1.6. Definies complementares usando um exemplo especifico

de um amplificador operacional
Ainda h necessidade de estudarmos outras definies relativas
aos amplificadores operacionais, mas achamos mais interessante apre-
sentar essas definies utilizando um exemplo especfico.
Escolhemos o amplificadoroperacional flA 709C da Fairchild,
fabricado tambm por outras indstrias como a Motorola (MC 1709C),
Philips (TRA 521), etc.
Vamos analisar os dados principais apresentados pela Fairchild,
no seu catlogo.
Na Fig. 4.14 apresentamos o diagrama do circuito eltrico do
amplificador operacional flA 709C e na Fig. 4.15 a numerao dos
terminais para os invlucros TO-99 e dual-em-linha.
ENTRADA COMPENSAO
FREONClA
R?
05 IKD RI5
30K!l SAlDA
ENTRADA (-)
SAiDA COMPENSAO
FR EQNCIA
ENTRADA ( ..)
_---\:.01 013
012
13
L- __ -'-- __ --'-'75:....0"-'---''-eV-
Figura 4.14 Diagrama de circuito eltrico do amplificador {tA 709C da Fairchild
Na Tab. 4.2 so identificadas as funes dos terminais do flA 709C

para os dois invlucros disponveis.
De incio o leitor deve observar que existem 2 entradas, uma
chamada de entrada inversora iinoertinq input) e a outra chamada de
entrada no-inversora tnon-inoertinq input). Quando aplicamos um
V 1ST A S DE C I MA
14
Z I~
2
6
:I 12
4 I1
5 10
4
6 9
7 8
(O) (b)
Figura 4.15 Numerao dos terminais correspondentes aos invlucros TO-99 (a)
e dual-em-linha (b) para o amplificador operacional pA 709C.
Tabela 4.2 Indicao das funes dos terminais para o pA 709C
Funo TO-99 Dual

entrada inversora 2 4
entrada no-inversora 3 5
alimentaonegativa (V-) 4 6
alimentao positiva (V+) 7 11
sada 6 10
entrada de compensao de freqncia 1, 8 3, 12
sada de compensao de freqncia 5 ,9
terminais no-ligadas 1. 2. 8, 13. 14
substrato 7 (Ligar ao 6)
sinal na entrada inversora, o ganho negativo, isto , o sinal ampli-

ficado e invertido. Quando aplicamos um sinal na entrada no-inversora
o ganho positivo, isto , o sinal amplificado sem inverso.
A entrada inversora indicada por um sinal (-) e a entrada no-
-inversora por um sinal (+). Da, normalmente, representarmos um
amplificador operacional como indica a Fig. 4.16.
Agora conveniente explorarmos um pouco mais, e apresentar
vrias definies importantes.
a) Offset da tenso de entrada (input offset voltage) - a tenso
que deve ser aplicada aos terminais da entrada para obter tenso de
sada nula. O offset da tenso de entrada pode ser tambm definido
:---[>--..
Figura 4.16 Simbolo utilizado para um amplificador operacional
para o caso em que duas resistncias iguais so inseridas em srie

com os terminais de entrada ....
b) Offse: da corrente de entrada (input oJJset current) - a diferena
entre as correntes nos dois terminais de entrada para produzir uma
tenso de sada nula.
c) Corrente mdia de polarizao de entrada (average input bias
current) - o valor mdio das duas correntes de entrada.
d) Resistncia de entrada iinput resistance) - a resistncia obser-
vada em qualquer dos terminais de entrada com o outro curto-circuitado.
e) Resistncia de sada (outpul resistance) - a resistncia obser-
vada no terminal de sada com tenso de sada nula. Esse parrnetro
definido somente para sinais de pequena amplitude e para freqncias
acima de algumas centenas de hertz, para eliminar a influncia do
drift e da realimentao trmica.
f) Ganho de tenso para sinais grandes (large signal voltage gain)
- a relao entre a mxima excurso da tenso de sada com carga,
e a variao na tenso de entrada necessria para variar a tenso de
sada de zero at a excurso mxima.
g) Potncia consumida ipower consumption) - a potncia de cor-
rente contnua necessria para operar o amplificador com a tenso
de sada nula e nenhuma corrente de carga.
A seguir, resumimos na Tab. 4.3 os valores correspondentes a
essas definies 'para o amplificador JlA 709C da Fairchild
Tabela 4.3 . Especificaes correspondentes ao amplificador liA 709C. A menos que

indicado em contrrio, as especificaes so dadas para Vs = 15 V e Tamb = 25C
Parmetro Condies Min. Tpico Max. Unidade
a) l nput ofJset uoltaqe Rs5: IOkQ,9Y:S: I'" 5: ISY 2,0 7,5 mV

b) l nput offset current 100 500 nA
c) l nput bia.~ current 0,3 1,5 JlA
d) lnput resistance 50 250 I!
e) Output resistance 150 n
f) Larqe-siqnal vottaqe qain RL ~ 2 kQ, V, = 10 V 15000 45000
g) Power consumptioll 80 200 mW
Finalmente, apresentamos na Fig. 4.17, os dados referentes

compensao de freqncia para o p.A 709C.
Evidentemente, no estamos sendo completos nesta apresentao,
existindo outros parmetros importantes que poderiam ser analisados,
como a "razo de rejeio da entrada de modo comum", a"excurso
mxima da tenso de sada", a "resposta transitria" (resposta a um
degrau), etc.
Mas achamos que o leitor j assimilou os conhecimentos bsicos
sobre amplificadores operacionais, sendo oportuno passar para o
estudo detalhado do funcionamento CC de um amplificador operacional.
-'"
"
<t
o
<t
:r
u
w
u,
<t
r
...
R
2
,.
<t
'<t
o
';,1
z
w
I-
uJ
o
o
:r
z
<t
'"
101 (b)
Figura 4.17 Curvas ilustrando a compensao de freqncia para o amplificador

operacional p.A 709C da Fairchild. Use R z = 50Q para cargas indutivas
4.2.1.7. Estudo detalhado do funcionamento CC de um amplificador

operacional
Apresentaremos, na prxima seo, um projeto simples usando
um amplificador operacional. Antes, porm, consideremos algumas
equaes importantes para esse projeto.
Inicialmente, faamos um estudo detalhado da polarizao CC
de um amplificador .operacional, utilizando as definies anterior-
mente apresentadas. Vamos estudar cada parmetro isoladamente e
a seguir "construir" um modelo geral, utilizando esses parmetrosv".
a) Offset da tenso de entrada (input offset voltage) = Vos'
A Fig. 4.18 ilustra que Vos a tenso necessria para anular a
tenso V. de sada, isto , quando Vin = Vos temos Vo = O V.
~ V : o VOLlS
o
+
Figura 4.18 Ilustrao do offset da tenso de entrada
b) Offset da corrente de entrada iinpu: offset current) = Ios'

Por definio, a diferena entre as correntes nas duas entradas
(inversora e no-inversora), necessria para produzir uma tenso de
1*)As noes a seguir foram extradas de "AN-204-High Performance lnteqrated
Operotional Amplifiers - Leo Wisseman and John 1. Robertson" da Motorola, com
a sua permisso
Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados' 55
sada nula, chamada de offset da corrente de entrada (Ios = 11 - 12),

e ilustrada na Fig, 4.19.
-:;:>- v : oV
o
Figura 4.19 Definio do offset da corrente de entrada
c) Corrente mdia de polarizao da entrada (average input bias

current) = Ia'
Na Fig. 4.20, ilustramos as correntes 11 e 12 que penetram nas
entradas inversora e no-inversora; por definio, chamamos
1B = (lI + 12)/2
de corrente mdia de polarizao da entrada.
Figura 4.20 Definio da corrente mdia de polarizao da entrada
Com base nesses valores, apresentamos, na Fig. 4.21, um mo-

delo completo, para anlise da polarizao CC de um amplificador
operacional.
,-------- --- -------- ---- ---- - ------- --- ------,

, MALHA 2 I
,
.,
,
I
: Eo
,
I
1
Figura 4.21 Modelo completo para estudo do funcionamento CC de um ampli-
ficador operacional. Ri a resistncia de entrada, Ei e Eo as tenses CC de entrada
e sada, e A = EoIE2 o ganho de tenso malha aberta
So importantes, os seguintes comentrios, sobre os parrnetros

utilizados na Fig. 4.21:
- R. e R2 so resistores externos colocados na entrada e RI' a resis-
tncia de realimentao;
- Vos a tenso que deve ser aplicada entre a entrada inversora e a
no-inversora para produzir lima tenso de sada nula; da Vos
estar colocada entre os 2 terminais. no modelo:
- Ri a resistncia de entrada e, evidentemente, s pode estar entre
esses mesmos terminais.
Seguindo a malha 1, temos
Ej- Vos = (I + IB + IF)R. + IRj + [I -(IB + Ios)] R2 (Eq. 4.24)
Seguindo a malha 2, temos
-Eo + Vos =- [I-(IB + Ias}] R1-IRj + IFRF' (Eq. 4.25)
Alm disso,
Eo
E A E
1= ---.!. = - = - _o . (Eq. 4.26)
Rj Rj ARj
(Eq. 4.27)
(Eq. 4.28)
Chamando
RF
R = K, (Eq. 4.30)

R. 1 R2 1 1 R2 ]
Eu [ AR
I
+K + ARK
I
+ KA +A + AR
I
= - E; + Vos +
Vos [IB Ias ]

+K + lBR. -R1 K +K + IB + Ias, (Eq.4.31)
Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados" 57
multiplicando ambos os lados por K
R I K R2 1 K K R 2J
s, [ R. A + 1 + AR + A + A +
I I
AR
z
=- KEi + KVos + Vos +
+ KIBRI-R2 [IB + 10s + KIB + K10s]. (Eq.4.32)
Eo [ 1
K (RI s,
+ A Ri + KR, + K + 1 + Ri
1 Rz)J
=- KEi + Vos(K + 1) +
+ KIBRI -Rz [iB(K + 1) + Ios(K + 1)]. (Eq. 4.33)
E" {I + : [~i(RI + :z + R:) + ~ + 1 J} = - KEi + Vos(K + 1) +

+ KI BRI - (K + 1) (I B + Ios) Rz (Eq. 4.34)
E" {I + ~ [~i{RI + s, (K: I)} + lJ}K: =-KEi + Vos(K + 1) +
+KIBRl-(K+ 1)(lB+Ios)RC" (Eq.4.35)
-KEi + Vos(K + 1) + KIBRI -(K + 1)(1B + los)R2

Eu (Eq. 4.36)
1 + ~ {~i[RI + R (K; I)J + K; I}. 2
A Eq. 4.36 a expresso final que estvamos procurando.

Chamando
Vos(K + 1) + KIBR1-(K + 1)(18 + Ios)R2 = L\l (Eq. 4.37)
~{~i[RI + R (K : 1)J + K: I} =
2 ~2 (Eq. 4.38)
R'
e tendo em vista K = R F, podemos escrever
I
(Eq. 4.39)
Vamos, agora, analisar cuidadosamente essa equao. Lembramos

que, no caso do ganho A infinito e Ri infinito, temos
RI'
e, = -REi' (Eq. 4.40)
I
Portanto os termos ~l e ~2 representam "erros" que surgem em

funo do amplificador no ser ideal, isto , apresentar Ri finito, ganho
finito, correntes e tenses de offset e correntes de polarizao de entrada.
Observe que, se lB = 10s = Vos = O, teramos d[ = O.

Por outro lado, se A fosse infinito, teramos d2 = o.
Se o ganho no fosse infinito, mas apenas Ri fosse infinita, teramos
d
2
= K [K +
A K
1J = K A+ 1
Podemos, com esse estudo, tirar uma equao bsica importan-
tssima. Analisemos novamente d[:
d[ = Vos(K + 1) + Kl BR1 - (K + 1) (1B + 10s) R2. (Eq. 4.37)
Separando os termos que contm 1B' temos
d1 = Vos(K + 1) + lB[RF-(K + 1)RzJ-(K + 1)JosR2. (Eq.4.41)
Como,
RF
K=-,
R[
temos,
K + 1= RF + RI, (Eq. 4.42)
R1
que s se anularia para RF = - R[ o que impossvel. No podemos
pois, mexendo nos valores de R[, RI" e R2, anular nem o coeficiente
que multiplica Vos nem o coeficiente que multiplica 10s.
Geralmente, o que se faz escolher os resistores de modo que a
influncia da corrente de polarizao 1B seja anulada, isto , de
forma que
(Eq. 4.43)
o que implica que
(Eq. 4.44)
(Eq. 4.45)
(Eq. 4.46)
e, finalmente,
(Eq. 4.47)
4.2.1.8. Exemplo de um projeto simples usando um amplificador

operacional
Suponhamos que temos disponvel o amplificador operacional
MC 1530 da Motorola e queremos usar esse amplificador para somar
as tenses e [' e2 e e3.
COMPENSAO
DE RETARDO ~
~
10
ENTRAOAS r--.v->/'-~--..SAIOA
TERRA
Figura 4.22 Identificao dos terminais do amplificador operacional Me 1 530 da

Motorola
Antes de mais nada apresentamos na Fig. 4.22 a identificao

dos terminais, para o aludido circuito integrado.
A idia bsica para somar as tenses e I' e2 e e3 utilizar o circuito
indicado na Fig. 4.23.
Se o amplificador fosse ideal, teramos
No caso em questo, para efeito de polarizao, as 3 resistncias

R I ' em paralelo, fazem o papel da resistncia R I' da Fig. 4.21; podemos,
pois, falar de uma resistncia equivalente R' = RI/3 (paralelo das 3
resistncias). Analogamente, a resistncia R2' da Fig. 4.23, faz o papel
da resistncia R2, da Fig. 4.2l.
Conseqentemente, utilizando a condio de anular o efeito
produzido pela corrente de polarizao, teremos
RI
3 RF
R =-- (Eq. 4.48)
2 R,
3+ RF
Figura 4.23 Amplificado. amador usando o circuito integrado Me 1 530 da

Motorola
Suponhamos que queremos um ganho unitrio, isto , RFR I 1.

Escolhendo RI = 10kQ, teramos RF = RI = lOkQ
e, finalmente,
10kQ x 10kQ 100
Rz = lOkQ + 3 x 10kQ = 40 = 2,5kQ,
Vejamos agora a seleo do capacitor C de compensao, anali-

sando novamente a Fig. 4.13 que apresenta a curva de variao do
ganho com a freqncia. Vemos que, usando CR = 0,01 /lF, o ampli-
ficador pode ser usado para somar as tenses e(, e2 e e3 at a banda
passante da malha fechada, no caso, da ordem de 10 MHz.
Podemos agora verificar a mxima excurso possvel para a tenso
de sada, usando CR = 0,01 /lF. Para isso utilizamos a curva dada no
catlogo do fabricante e reproduzida na Fig. 4.24.
Usando a curva correspondente a CR = 0,01 /lF verificamos que,
at uma freqncia da orderri de 10 kHz, pode-se ter uma excurso
da ordem de 10 V de pico a pico; para uma freqncia de 500 kHz
essa excurso cai para a faixa de 1 V de pico a pico, como pode ser
verificado no grfico.
o
u
o..
<t
o
>2
o..
,01 0,1 1,0 10 100 500 (KHZ)
Figura 4.24 Mxima excurso de sada, em funo da freqncia, para o Me 1 530
4.2.2. Amplificadores de udio

4.2.2.1. Generalidades
Na Seco4.1 (Polarizao de circuitos integrados), apresentamos o
amplificador de udio TCA 160 da Philips. Nesta seo vamos apre-
sentar um outro amplificador, para dar uma viso mais ampla sobre
o assunto.
Escolhemos um caso bastante prtico, correspondente a um kit
comercialmente disponvel, para que os nossos leitores possam mon-
t-lo e se familiarizar com as aplicaes desse circuito.
Trata-se do kit M-IOl da IBRAPEI*), um amplificador de udio
capaz de proporcionar uma potncia de sada de 1 W sobre a carga
de 8 n, utilizando o circuito integrado TAA 300 da Philips.
Propositalmente, esse mesmo amplificador (kit M-101) apre-
sentado no Apndice A, ilustrando a fabricao de circuitos impressos.
Dessa forma, caso o leitor queira comprar (ou possua) os componentes,
poder fabricar o seu circuito impresso e montar o amplificador cor-
respondente ao kit M-l 01. No Apndice B, reproduzimos, integralmente,
todas as informaes existentes no folheto explicativo que acompanha
(*lPublicados com autorizao da lBRAPE - Indstria Brasileira de Produtos
Eletrnicos e Eltricos S.A.
o kit M-101 da IBRAPE. Neste captulo, apenas apresentamos os

detalhes importantes propriamente relacionados ao funcionamento do
amplificador em questo.
4.2.2.2. Especificaes do amplificador constitudo pelo kit M-I01

As seguintes especificaes so apresentadas pela IBRAPE, para
o amplificador constitudo pelo kit M-101:
- tenso de alimentao 9 V;
- potncia mxima sobre 8Q 1 W;
- distoro potncia mxima 9,2/6;
- distoro no incio do corte 1,5%;
- potncia no incio do corte O,77W;
- sensibilidade 10mV;
- impedncia de entrada 12 kQ;
- relao sinal/rudo mnima 60dB;
- consumo s/sinal (9 V) 7,5mA;
- consumo a potncia mxima 150 mA;
- faixa de passagem 100Hz-20 kHz.
4.2.2.3. Diagrama do circuito do amplificador

O diagrama do circuito do amplificador constitudo pelo kit M-I0l
apresentado na Fig. 4.25.
+ 9V
R3
150n
ce ~3 4
12~!vF~ C7 r[>TAA300 C6
12,5; F
C3
IO)lF 12S,/F 6 2 25V
16V 10V
;OO~
+ 7 9
IO'C"1
ENTRADA
R4
47Kft
C2
680
PF
10
e
+C3
So)lF
6,4V
R2- 25Kn
C4
47.F
M
~en
RI
47n
Figura 4.25 Diagrama do circuito do amplificador constitudo pelo kit M-l0l

da IBRAPE
O circuito amplificador (formado por onze transistores, cinco

diodos e quatorze resistores) est contido no TAA 300, cujo invlucro
e circuito interno so apresentados no Apndice C.
4.2.2.4. Discusses importantes relacionadas ao kit M-101

A seguir, apresentamos vrias observaes que ilustram o uso
do TAA 300 nesse circuito.
1. Inicialmente verifique que o
terminal 3 do invlucro no est
ligado a ponto algum do circuito integrado, no sendo portanto uti-
lizado, como pode ser verificado na Fig. 4.25.
2. Observe que todos os componentes ativos so internos ao
circuito integrado T AA 300; apenas componentes passivos foram
adicionados externamente.
3. Verifique que a polarizao dada pela tenso de + 9 V aplicada
entre o terminal 4 e a terra (terminais 10 e 1 ligados terra).
4. O capacitar Cs' de 125 flF, foi colocado entre o pino 4 e a terra,
ou seja, em paralelo com a fonte de alimentao. Essa uma indicao
existente no catlogo do fabricante do circuito integrado, e visa a
evitar instabilidades que poderiam surgir, por causa da alta resistncia
interna das baterias, principalmente no final da vida das mesmas.
5. Por razes anlogas pense e responda: por que foi colocado o
capacitar C7 entre o terminal 6 e a terra?
6. O capacitor C2 (680 pF) limita a freqncia de corte superior
do amplificador. Realmente, observando-se o circuito de entrada,
vemos um circuito como o da Fig. 4,26,
7 TAA 300
C 680 PF
2
R; = 15 K!l
!T'PICO)
Figura 4.26 Circuito para o clculo da freqncia de quebra superior do amplificador
Para todos os efeitos o capacitar C1 se comporta para altas fre-

qncias como um curto e, portanto, o circuito se simplifica para o
da Fig. 4.27.
Conseqentemente a freqncia de quebra ser dada por
. 1 1
lc = 2rrRC = 2rr x 11,4 x 104 x 680 x 10 12 = 20541 Hz,
que est coerente com O especificado para o amplificador.
7. Tambm para evitar instabilidade de alta-freqncia o capacitor
C:!' de 47 nF, foi colocado, como sugerido no manual do circuito
47 KO 680 PF
15 KO ~....."
Tl680
-LJ PF
Figura 4.27 Circuito simplificado para a determinao de freqncia de quebra

superior
integrado, entre o terminal :'l e a terra (previne in-tabilid.u!c ti,) tran-

sistor Darlington de sada do I AA 3()())
~. Observe que o potencirnetro R2 ajusta a corrente total do
circuito, que no deve ultrapassar 8 mA, conforme foi indicado ante-
riormente.
9. Observe, na Fig. 4.25 o resistor RI (47 Q) em srie com o
capacitor C3 (50 flF). Esses elementos formam uma estrutura de reali-
mentao estando conectdos entre os terminais 8 e 1 do TAA 300.
4.2.2.5. E\IJ('ri1~l1cia adicional suqerida com () T AA 300

Sugerimos antes de iniciar a montagem do amplificador corres-
pondente ao kit M-101, uma srie de testes, utilizando o circuito da
Fig. 4.28, que o circuito de teste existente no catlogo da Philips
para o circuito integrado TAA 300.
+vB = 9V
125J..lF I tot
~+
8n
5
2
TAA
~+7 9
300
0,64J..lF 8
+
2511F
10
ENTRADA
47 fi
47 nF
Figura 4.28 Circuito de teste (test set up) do 300. O potencimetro PI

ajustado para /'0' = 8 mA. com V B = 9 V
Aps montar o circuito indicado na Fig. 4.28, o leitor deve proceder

da seguinte maneira:
a) Ajuste o potencimetro PI at que o miliampermetro M 1 indique
1101 = 8 mA, com VB = + 9 V. No mexa mais nesse potencirnetro.
b) Varie a tenso VB entre o O e 10 V, e mea, para cada valor de
VB, o valor de 1101 ( claro que, conforme o item 2, quando VB = + 9 V,
1tol = 8 mA).
Trace o grfico de variao de I,,,, (mA) em funo de VII (V).

Compare com a Fig. 4.29 fornecida pela Philips.
15
,
Ito t
(mA )
10
Figura 4.29 Corrente total (I, .,) em fun-

o da tenso de alimentao V 8
o
O 5 VB(V) 10
c) Aplique um gerador na entrada, de modo que, a cada momento,

possa ser lido o valor da tenso de entrada em volts eficazes (RMS).
Varie o valor do resistor de [eedback usando os valores seguintes:
1 n 5 o, 10 n, 50 n, 100 n 500 n e I 000 n Para cada valor de ~,',.IllCI,:<I
o valor de Vo sobre o alto-falante (de 8 n) e calcule a potncia de sada P o:
r, = -tV
2
(Vo em volts eficazes). (Eq. 4.49)
Para uma potncia de sada de 1W devemos ter

V2
P =_0 =lW
o 8
e portanto
V = Q
J8-;t = 2,82 V (RMS).
Para uma potncia de sada de 0,5 W devemos ter
V2
Po=_o =05W
8 '
e, portanto,
= J
8 x 0,5 = 2 V (RMS).
Vo
Procedimen to para P o = 1 W:
- coloque Vi = 0,1 mV (RMS); varie RI at que Vo = 2,82 V (RMS),
correspondente a uma potncia de sada de 1 W. Anote o valor de RI;
- coloque Vi = 0,5 mV (RMS); varie novamente RI at que
Vo = 2,82 V (RMS). Anote esse. valor de R I;
- continue a proceder dessa forma usando V = 1 mV (RMS),
5 mV (RMS), 10 mV (RMS), 50 mV (RMS), 100 mV (RMS), 500 mV
(RMS), 1 000 m V (RMS) anotando os valores correspondentes de R I
para Vo = 2,82 V;
- trace, em uma escala logartmica, a curva de variao de Vi
em funo de RI para Vo = 2,82 V, isto , para Po = 1 W.
Procedimento para P; = 0,5 W:

- repita todo o procedimento anterior fazendo Vo = 2 V (RMS),
isto , fixando Po = 0,5 W e trace um grfico anlogo ao anterior,
utilizando os mesmos eixos de referncia.
Compare com o grfico da Fig. 4,30 apresentado no ,catlogo
do fabricante.
1000
VI(RMS )
(mV)
100
Figura 4.30 Variao da tenso de

I Po=IW .
~.5W entrada com o resistor de realimen-
10
tao para potncias de sada de
0,5We 1W
O,I
I 10
4.2.3. Amplificadores de alta-freqncia

Consultando um catlogo de circuitos integrados verificamos que
j existem disponveis vrios tipos de circuitos idealizados para apli-
caes em alta-freqncia, como amplificadores de freqncia inter-
mediria, amplificadores de rdio-freqncia, amplificadores de vdeo,

etc. Evidentemente, no seria possvel abranger, neste livro, todas as
aplicaes dos amplificadores de alta-freqncia existentes no mer-
cado, de forma que vamos apresentar um exemplo tpico desse grupo
de amplificadores de alta-freqncia, escolhendo para isso o amplifi-
cador MC 1 SSO da Motorola, que um amplificador para rdio-
-freqncia e para freqncia intermediria.
4.2.3.1. Dados gerais sobre um amplificador de 'RF/IF MC 1 SSO<*)

Na Fig. 4.31, observa-se dentro da linha tracejada, o diagrama
do circuito eltrico interno do amplificador de RF/IF MC 1 S50, o
qual apresentado em invlucros metlico e flat-pack, ambos com 10
terminais.
O circuito MC 1550 um circuito integrado monoltico que
utiliza trs transistores, Ql' Qz e Q3' O sinal de entrada aplicado
entre os terminais 1 e 4, estando o terminal 4 acoplado terra, sob o
ponto de vista de CA. A resistncia CC da fonte entre os terminais
1 e 4 deve ser pequena, menor que 100 Q. Os terminais 2 e 3 devem
ser interligados e conectados terra. Os terminais 8 e 10 devem ser
conectados terra por meio de capacitares.
A tenso de alimentao positiva aplicada ao terminal 9 e, para
freqncias mais altas, esse terminal deve ser tambm acoplado
terra. O sinal de sada obtido entre os terminais 6 e 9, e o substrato,
o qual conectado ao terminal 7, deve ser aterrado. A tenso de AGC(**)
aplicada ao terminal 5. Uma excepcional atuao do controle auto-
mtico de ganho obtida derivando o sinal por meio do transistor
Q3' mantendo fixo o ponto de operao do transistor Ql' o que faz
com que a impedncia de entrada fique constante em toda a faixa
de controle automtico de ganho.
Na Tab. 4.4 so apresentadas as especificaes mximas para o
MC 1550.
Com relao a essas especificaes podemos acrescentar os se-
guintes comentrios:
- na especificao da tenso diferencial de entrada, esta foi indi-
cada entre os terminais 1 e 4, com uma resistncia da fonte (source)
Rs = 500Q;
- na especificao da dissipao de potncia, observamos que
so dados os valores a 25C, e indicadas as "degradaes" acima de
25C. Por exemplo, para o invlucro metlico, a potncia mxima
<*)Dados extrados do catlogo da Motorola Semiconductor Products Inc. "The

Microeiectronics Data Book" - 2.a edio
(U) Automatic qain control - Controle automtico de ganho
Tabela 4.4 Especificaes mximas para o circuito integrado Me 1 550
Especificaes mximas a 25C

Descrio Smbolo Valor. Unidade
Tenso de alimentao v+ 20 V(CC)
Tenso de alimentao de AGe v.wc 20 V (CC)
Tenso diferencial de entrada (entre terminais
e 4; Rs = 5(00) Vin 15 V (RMS)
Dissipao de potncia PD
Invlucro metlico 680 mW
Degradao acima de 25C 4,6 mWj"C
Invlucro plano 500 mW
Degradao acima de 25C 3,3 mWj"C
Faixa de temperatura de 'operao TA -55a + 125 C
Faixa de temperatura de armazenamento (storage) T". -65a+150 C
que o dispositivo pode dissipar a 40C dada por

P(a 40C para o invlucro metlico) = 680 - (40 - 25) x 4,6 =
= 680-69 = 611 mW.
4.2.3.2. Exemplo de aplicaes do amplificador RFjI F Me 1550
A. Amplificadores sintonizados usando o Me 1550<*)

A nossa primeira aplicao a de um amplificador de faixa estreita,
sintonizado em 60 MHz. A Fig. 4.31 mostra o diagrama do circuito
do aludido amplificador, estando todos os componentes internos ao
Me 1 550 dentro da linha tracejada,
Observe que os pinos 8, 9 e 10 esto acoplados terra, por meio
do capacitor e = 1 000 pF, e que o terminal 4 tambm est acoplado
terra por meio de um capacitor de mesmo valor. Alm disso, os
terminais 2, 3 e 7 esto ligados terra, e o terminal 7 est conectado
ao substrato do circuito integrado.
Antes de analisar o ganho do amplificador faamos uma reviso
importante. Na Fig. 4.32 ilustramos um amplificador onde a fonte
tem resistncia interna Rs, fornecendo ao amplificador a potncia P i
e mantendo a tenso Vi na sua entrada. Por sua vez o amplificador
fornece a potncia P 2 carga RL mantendo uma tenso V2 sobre a
mesma.
Sabemos que, se a fonte tem uma impedncia interna Rs' a mxima
potncia que esta pode fornecer ocorre quando a impedncia de entrada
do amplificador igual resistncia interna da fonte, como indicado
na Fig. 4.33.
f*)F,trado de "An Integrated Circuit R r - 11- \mplifier - ~rcnt Wcllin-, -

A;\-c-lT-_ l'uhljc-;II;;11l
<I" \lutorola SC-/lI'L"'1!Juct\lrI'" .lucts, Inc,
c
p
VAGC
5
------,9
I
I I
I
I
' L2
I
R 3k R4 18k
I
c 10 I
R3 -,
I
3k I
C 8
ri I
I
I
I
I
'--------<t-~--I
_ _i~_,u, - -':T~Oj
L, = O,231'H L
2
= 0.26jJH
CI 40 pF c" e 200pF
C =33pF"
2 C
4
= 27pF
R : 50/'1.
C [BY PASS): 1000pF L
Figura 4.31 Amplificador sintonizado em 60 MHz usando o MC 1 550 da Motorola.

Dentro da linha tracejada est representado o circuito interno do MC 1 550
~ __ F_~_:_T_E :~:.
__ -~ :~;__ ~ CA_:_~_A _
Figura 4.32 Amplificador recebendo a potncia P I da fonte, e fornecendo a

potncia P 2 carga
FONTE
RS I
Figura 4.33 Mxima potncia que .--'\JIV'---te- ==-P_
pode ser fornecida pela fonte com
resistncia interna Rs
Quando isso ocorre, a potncia fornecida pela fonte dada por
= = ( R; ~
V.)2 ( V. Y V.2
PD f2'R, Rj . R, = 2R) . Rs = 4Rs'
que a mxima potncia que a fonte pode fornecer, e que chamada

de potncia disponvel da fonte (P D)'
Define-se como ganho de potncia de um transdutor (Transducer
power qain - GT) a relao entre a potncia fornecida pelo amplificador
carga (P L)' e a potncia disponvel da fonte, isto ,
P
GT = PL (Eq. 4.51)
D
Na Fig. 4.34, so apresentadas as caractersticas de controle auto-

mtico de ganho (AGC) do amplificador, isto , a variao do ganho
de potncia GT com a freqncia, para vrios valores da tenso de
AGe.
40
30
./
v ..
v AGC=O,ov
t-..
<,
10
=> <; Figura 4.34 Caractersticas de con-
o V =40V trole automtico de ganho, para o
AGC '
amplificador sintonizado da Fig. 4.31
_10
-20
V =6,0 V
-30
I-- --t GC
59 60 61
FREQNCIA (MHZ)
Notamos, na Fig. 4.34, que a freqncia central (fo = 60 MHz)

e a banda passante so praticamente constantes, para uma atuao
do A GC de mais de 40 dB.
Na Fig. 4.35, o ganho de potncia (GT) apresentado em funo
da temperatura, verificando-se que a "pior variao" de -2 dB, em
toda a faixa de temperaturas. Observe que, para o traado dessa curva,
manteve-se io = 60 MHz, e uma banda passante de 0,6 MHz.
40
_I
11I,5dB 11
30
Ir
f-
'" fo = 60 MHZ ~b
BW =OJ MHZ Figura 4.35 Variao do ganho de
20
potncia G T com a temperatura para
to = 60 MHz e banda passante igual
a 0,6 MHz
10
o
-60-40-20 o 20 40 60 80 100 120 140
TEMPERATURA (Oe)
Deve-se notar que conseguimos, nesse exemplo, um ganho muito

elevado, mas isso s foi possvel porque a banda passante foi bastante
reduzida, isto , porque projetamos um amplificador de banda pas-
sante muito estreita.
Quando se deseja um ganho elevado, com uma banda passante
mais larga, necessrio usar vrios estgios com o circuito integrado
MC 1 550. Por exemplo, a Fig. 4.36 mostra um amplificador com 2
estgios usando o MC 1 550, conduzindo a um ganho GT de 30 dB,
uma freqncia 10 de 45 MHz e uma banda passante de 15 MHz, e
a Fig. 4.37 mostra a atuao do AGe para esse amplificador.
~ ~~L~.r- -e- __ ~~!:.L....r-_--<VAGC

~~~~-----~--'~~~----<~C
L
50 fi C~3 50n.
FONTE c C4 CARGA
C5
c = 2000 pF c3:: 2-BpF L2:= O,68.u.H L :: I uH
CI:: C2:: C4= C!5:= 9-35pF LI := 0,42 uH L3=O,5!5u.H R :: 510-0
Figura 4.36 Amplificador sintonizado de faixa larga (10 = 45 MHz. Gr = 30 dB,

B = 15 MHz) usando o Me 1 550 da Motorola
40
I I
I I
I
30 ~ t'\...
L.---
'"
." 20
VAGc=OV71
r0
<t VAGC=3,Oj
~
o ~I , ~
z 10
lI; )v-.. N-. \

<lU
l-
a !
o.
; ~
~ O
o VA~C= 3,5V I 1 vAGC =4,OV
:I: ,
Z I I
~ 10
I 1
20
10 20 30
:
40 50
I
70 100
FREQNCIA ( MHZ )
Figura ~.37 Atuao do AGe para o amplificador da Fig. 4.36

B. Amplificador de vdeo usando O M C 1 550

Um outro exemplo de aplicao do MC 1550 no projeto de
um amplificador de vdeo; na Fig. 4.38 apresentamos o diagrama do
circuito eltrico de um amplificador de vdeo, utilizando o MC 1550 .
5 6V
9
RL
IO~_-----.
6
CLT-,- Figura 4.38 Amplificador de vdeo

8~ ~~ __ ~~ usando o Me 1 550
ENTRADA
DE ViDEO
~' SUBSTRATO
T
C
Na Fig. 4.39, apresentamos a curva de variao do ganho de tenso

(Av) com a freqncia, para um circuito como o da Fig. 4.38, projetado
para as seguintes condies:
Vcc = 6 V;
Av(O) = 28 dB;
banda passante> 20 MHz;
resistncia da fonte = 50 Q;
RL = 625 Q;
CL<5pF.
4.2.4. Amplificadores lineares complexos para aplicaes especiais

Atualmente, j existem no campo linear, muitos circuitos com-
plexos para aplicaes industriais, realizando funes mltiplas, que
em nenhuma das sees anteriores podemos enquadrar. Por esse mo-
tivo, abrimos esta seo, onde queremos exemplificar o uso de um
amplificador complexo, escolhendo, para tal, a rea de televiso, por
ser talvez de interesse mais imediato para muitos leitores.
Como exemplo, apresentaremos o uso do TBA 750A da Philips,
que um amplificador limitador, com detetor de FM, controle de
volume em CC e pr-amplificador de audiofreqncia, previsto para
operao em 4,5 MHz, 5,5 MHz ou 10,7 MHz.
O amplificador limitador TBA 750A um amplificador diferencial
com 4 estgios, que apresenta excelente supresso de rudo e inter-
30
25
"",
ai 20
I
,~ 15
'"
:z
w
I- 10
I \
'"o
~
z
5 -~
<l I
'" o -I-
-5
0,1 I ,o 10
"-~
100 1000
FREQ~NCIA (MHZI
Figura 4.39 Ganho de tenso em funo da freqncia para o amplificador de

vdeo da Fig. 4.38
ferncia. O detetor do tipo balanceado operando como oscilador de

quadratura e o controle de volume em CC tem excelentes caracters-
ticas de controle, com uma faixa de controle de mais que 80 dB. O
pr-amplificador de audiofreqncia pode alimentar um estgio de
sada triodo-pentodo ou um estgio transistorizado de sada, classe A,
tipo push-pull. O leitor deve atentar para a complexidade de tal circuito,
que externamente, se apresenta em um simples invlucro dual-em-linha
com 16 terminais.
A seguir apresentamos, na Fig. 4.40, a aplicao do TBA 750A
no canal de som do televisor TV SS-I projetado pela IBRA PE(*).
O sinal de FI de som obtido diretamente no detetor de vdeo
e levado ao TBA 750A por meio de um filtro de dupla sintonia. O
TBA 750A desempenha as funes de amplificador de FI de som,
limitador, demodulador de FM e pr-amplificador de udio. O detetor
de quadratura (interno ao circuito integrado) dispensa a bobina dis-
criminadora, empregando em seu lugar uma bobina mais simples. O
controle de volume por CC, possvel com o TBA 750A, dispensa o
uso de fio blindado, dando flexibilidade maior para a montagem. O
estgio de sada de udio constitudo por um transistor de alta tenso
(Tl)' operando em classe A, o qual, alimentado pelo + VB geral, (127 V)
fornece 2 W de sada. A alimentao do circuito integrado retirada
do emissor de T, (verifique que o pino 2 do TBA 750A est ligado ao
+ 12 V entre as resistncias R 118 e R 119' no circuito do emissor de Tl)'
"'Projeto da lBRAPE - Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltricos

.S.A. Todas as informaes aqui apresentadas so reproduzidas com permisso da IBRAPE
DETETOR DE VDEO
Figura 4.40 Canal de som do televisor TV 55-1 (lBRAPE). Todas as funes

dessa etapa so desempenhadas por um circuito integrado e um transistor de
potncia que opera com tenso elevada (+ \iB)
4.2.5. Osciladores
4.2.5.1. Generalidades sobre osciladores
Recordemos aqui que, para que um circuito oscile, determinadas
condies devem ser satisfeitas. Antes de apresentarmos alguns exemplos
de projetos de osciladores, usando circuitos integrados, faamos alguns
comentrios a respeito dessas condies.
Na Fig. 4.11 apresentamos um amplificador com uma realimen-
tao tal que, uma frao 13 do sinal de sada retoma entrada, e a
esta se adiciona, antes propriamente de entrar no amplificador, e veri-
ficamos que o ganho malha fechada ACL dado por
< AOL
ACL = -e 1 + AOL 13
i
Verificamos tambm que AOLf3 = -1 a condio de oscilao

do circuito, que corresponde a ter simultaneamente
IA
oLf3l == 1
jAOLf3 = 1800
Sabemos que tanto AOL como 13 so funes da freqncia J e,

portanto, se quisermos descobrir a freqncia de oscilao, devemos
impor a condio
(Eq. 4.52)
Essa equao, que uma funo de J, permite determinar a fre-
qncia de oscilao, io.
Aps determinar a freqncia io' podemos calcular f3Uo) e deter-
minar o valor limite para o ganho, abaixo do qual o circuito no oscilar:
1
I(AoL)limitel ~ 113(/0)1
(Eq. 4.53)
Dessa forma o que temos que fazer para obter um oscilador

ter um amplificador bsico e introduzir uma realimentao adequada,
de forma que o sinal realimentado esteja em fase com o sinal na entrada,
permitindo que a oscilao seja mantida (se o ganho for acima do
valor limite).
Em outras palavras, se a tenso e; que retoma entrada igual,
em valor absoluto, e est em fase com a tenso e., podemos retirar
a tenso ej, que o circuito ficar oscilando na freqncia dada pela
Eq. 4.52.
Conseqentemente, se o amplificador bsico tem um ganho nega-
tivo (Ao L < O) a estrutura de realimentao deve introduzir uma outra
inverso para que o sinal retome entrada em fase com a mesma.
Caso o ganho AOL seja positivo, isto , o amplificador no introduza
defasagem alguma, a estrutura de realimentao tambm no deve
introduzir defasagem adicional alguma.
. Baseado nas razes expostas conclumos que em princpio, os
osciladores podem ser realizados na prtica utilizando amplificadores
integrados existentes, associados a estruturas de realimentao ade-
quadas, conforme passamos a exemplificar.
4.2.5.2. Exemplos de osciladores usando circuitos integrados

A. Oscilador usando o amplificador RFIIF Me 1550(*)
Observando na Fig. 4.31 o circuito eltrico interno do circuito
integrado MC 1 550, verificaremos que se um sinal for aplicado ao
terminal 1 e a sada for o terminal 6 haver uma inverso de 180 no 0
sinal, pois Ql far uma inverso (emissor comum) e Q3 no far inver-

so alguma (base comum). Portanto para utilizar o MC 1 550 neces-
srio usar uma estrutura de realimentao que produza uma defasagem
de 1800 no sinal realimentado.
A Fig. 4.41 ilustra o uso de um simples transformador como estru-
tura de realimentao, introduzindo a defasagem necessria.
Observando a Fig. 4.41 podemos escrever
eo = -/1e;. (Eq. 4.54)
Por outro lado
e e
P = --'-= _,_o (Eq. 4.55)
eo -/lei
A condio de oscilao IAoLPI = 1 conduz ento a

IAoLPI = 1;
IAoLII(- ~)I = 1; (Eq. 4.56)
IAoLI = 11. (Eq. 4.57)

t*lDados extrados de "An Integrated Circuit RF - IF Amplifier - Brent Welling
AN-247", publicao da Motorola
Figura 4.41 Amplificador MC

1 550 com um transformador na
:-- ---- - - ---I malha de realimentao. Veri-
fique que o CI produz uma
inverso no sinal, o qual
novamente invertido pelo trans-
ti t RI
formador
Isto , considerando o transformador realimentador como ideal,

com uma relao de espiras igual a 11, o ganho malha aberta deve
ter no mnimo um ganho igual relao de espiras do transformador.
Como um exemplo especfico apresentamos, na Fig. 4.42, um
oscilador cuja freqncia pode estar entre 5 MHz e 10 MHz.
t
10
I
Figura 4.42 Oscilador para a faixa
de 5 a 10 MHz usando o MC 1 550
da Motorola
T {21 ESPIRAS - 7 ESPIRAS

Fio n." 36 em ncleo T-12-2
Lp = 1,3 JlH
Ls = 0,1 JlH
C = O,lJlf
C;: = 170-790pF
Na Fig. 4.43 apresentamos variao da freqncia de oscilao

em funo do capacitor C2 o qual um capacitor varivel.
Na Fig. 4.44 apresentamos a tenso de sada (pico a pico) em
funo da resistncia de carga para vrias tenses de alimentao.
Finalmente, na Fig. 4.45, apresentada a curva de variao da
freqncia com a temperatura de operao, para tenses de alimen-
tao de 6 e 12 V.
15
13
I
1\
N
:r
::E
9
\
s
U
z
1\
'uJ 7
:;:,
o
W
o::
- i 1
"- 5
r-,
3
II r-
Figura 4.43 Curva de variao
de r. com C2
I
10 100 1000 10000
c2 (PICOFARAOS)
o ,.
o
1i:
Vee :1 '2,OV
-c '2
o 1----1-- I .1
<.J
: 10 v vee ;I,o,ov.
V
....
'"
..J / V~e ~
/' B,OV I I 1
L-J- I--
o
>
..:6
c
,r/vI--'V V
I f
cc ", 6,OV-
.~
uJ '" 4 1~
/'
I,
C
o ,I
. ..: 2
Figura 4.44 Tenso de saida em funo ~

da resistncia de carga para vrias tenses ~ o I
lI< 21< 31< 41< 5K 6k 7K 81< 9K 101<
de alimentao
RESISTNCIA DE CARGA (R -Dhms)
L
0, ,
r--.r-,
0,
..:
o
z
<w
o;:, ~
o
~ 4, 9
~~
... Vcc' '2,~ ;---
Figura 4.45 Freqncia de ope-
rao em funo da temperatura ,8
o
I
para Vcc = + 6 V e Vcc = + 12 V 2~ 50 7' '00
TEMPERATURA (OC)
B. Oscilador usando amplificadores operacionais

No exemplo anterior demos um exemplo detalhado do uso do
MC 1550 no projeto de um oscilador de 5 a 10 MHz. claro que,
usando as mesmas consideraes gerais sobre osciladores, estes podem
ser projetados usando amplificadores operacionais. Para ilustrar esse
fato apresentamos na Fig. 4.46 um oscilador em ponte de Wien, cuja
freqncia pode variar de 0,01 HZ a 10 kHz usando o amplificador
operacional MCH 2 870 da Motorola.
:~~;JENC~:r--"-:A-:JU=$=TE:-:O-=E---+---------'
ANPLlTUDE +----f"h
100 .L,
fo:O: 1,0 KHZ
C,
0,0016
vF
GE49
R, Zo
100K
c.
0,0016
~f
.,
IOOK
Figura 4.46 Oscilador em ponte de Wien usando o MCH 2870 da Motorola.

Nesse circuito 'o
= 1/2rrR C oo
e na figura ilustrado o caso para 'o = 1,0 kHz
o MCH um amplificador operacional de potncia que pode

fornecer uma corrente de carga de, no mximo, 300 mA ee (valor
tpico), sendo ideal para a alimentao de cargas de baixa impedncia.
Esse amplificador apresentado em duas verses: uma abrangendo
a faixa de temperaturas de uso militar, de -55C a + 125C (MCH
2 870 MR) e a outra abrangendo a faixa de temperaturas de uso comer-
cial, de O C a 75C (MCH 2870 CR).
Observe que a freqncia de oscilao definida por R; e C;
(io 2n~oeJ' sendo indicados,
= no desenho, os valores correspon-
dentes a ia = 1,0 kHz.
4.2.6. Fontes reguladas de alimentao

4.2.6.1. Generalidades
A necessidade de fontes reguladas to grande, para muitos pro-
jetos de eletrnica, que resolvemos abordar, com detalhes, esse assunto,
dada a excepcional aplicao de circuitos integrados, no projeto de
fontes reguladas.
Projeto de circuitos utilizando circuitos integrados. 79
A Fig. 4.47 ilustra o que normalmente ocorre em uma fonte de

alimentao, onde uma tenso no-regulada alimenta o regulador
propriamente dito, fornecendo a tenso regulada de sada.
TENSO REGULADOR
SADA
NAO- DE
REGULADA
-REGULADA TENSo
Figura 4.47 Diagrama em blocos de uma fonte de tenso regulada
Neste ponto, para evitar confuso, vamos definir exatamente o

que chamamos de regulao.
Dois tipos de regulao so definidos para uma fonte de alimen-
tao, a regulao de linha e a regulao de carga. A regulao de linha,
s vezes impropriamente chamada de estabilizao, traduz a capacidade
da fonte de alimentao em manter a tenso de sada constante, inde-
pendentemente das flutuaes da tenso de entrada. Nesse caso, a
carga deve ser mantida constante e, quando nada mencionado, suben-
tende-se a carga mxima. Geralmente traa-se a curva da variao
percentual da tenso de sada (11 VoI Vo) %, em funo da variao da
tenso de entrada.
A regulao de carga traduz a capacidade da fonte de alimen-
tao em manter a tenso de sada constante, quando a carga varia.
Ao se especificar a regulao de carga, a tenso de alimentao deve
ser constante, geralmente adotando-se o seu valor nominal. Em geral
traa-se a curva de variao percentual da tenso de sada (11 VolVo) %,
em funo da corrente de carga da fonte.
4.2.6.2. Exemplo especfico de um regulador de tenso integrado

Podemos agora passar ao estudo dos reguladores de tenso inte-
grados, e, para servir como exemplo, utilizaremos os dados referentes
ao regulador de tenso (voltage regulator) TBA 281 da Philips, equiva-
lente ao regulador 723C fabricado por outras indstrias':".
Vamos aproveitar o exemplo, novamente, para familiarizar o
leitor com os dados normalmente apresentados em um catlogo. Para
isso, apresentamos, com permisso da IBRAPE, os dados principais
que constam do catlogo da Philips, acerca do TBA 281, dividindo-o
em sees, que sero analisadas posteriormente.
SEO I. Regulador de tenso TBA 2RI
O TBA 281 um regulador de tenso monoltico, que consiste de
um amplificador de referncia, compensado quanto temperatura,
1*'Fairchild J1 723C, Motorola MC 1723C, etc.
um amplificador de erro, um transistor srie de passagem, e um cir-

cuito limitador de corrente. Transistores srie externos de passagem
podem ser adicionados, se a corrente de carga exceder o limite mximo.
O circuito pode ser usado com limitao ajustvel de corrente com
desligamento remoto, apresentando baixa corrente quiescente de ope-
rao, baixa variao de suas caracteristicas em relao temperatura
(baixo drift) e alta rejeio da ondulao. O TBA 281 pode ser usado
com tenses de alimentao positivas ou negativas, como um regulador
srie, paralelo ou flutuante, na faixa de temperaturas ambientes de
a 70 -c O TBA 281 equivalente ao 723C.
SEO lI. Dados sucintos de referncia
Regulao de linha Vi = 12 V a 40 V, tpico 0,1 % Vo'
Regulao de carga I L = 1 mA a 50 mA, tpico 0,03 % Vo'
Dreno de corrente quiescente Vi = 30 V, 10 = O. tpico 2,3 mA.
Faixa de variao da tenso de entrada 9,5 a 40 V.
Faixa de variao da tenso de sada 2,0 a 37 V.
Diferena entre as tenses de entrada e de sada 3,0 a 38 V.
SEO I lI. Limitaes

Tenses
Tenso de entrada V7 max 4OV.
Tenso de alimentao V8 max 40 V.
Diferena entre as tenses de entrada e sada V7_6 max 40 V.
Correntes
Corrente de sada -16 max 150 mA.
Corrente de sada do amplificador de referncia - 1. max 15 mA.
Dissipado de potencio:" PIO tal max sou mW.
Temperaturas
Temperatura ambiente de operao Tam O a + 70C.
Temperatura de armazenamento (storage) TSlg -65 a + 150C.
SEO 1 V. Diagrama do circuito e invlucro (Figs. 4.48 e 4.49)
1ndicao dos terminais
1. Sensor de corrente
2. Entrada inversora
3. Entrada no-inversora
4. Tenso de referncia (VreC)
5. Tenso de alimentao negativa (- VN)
<*lpara operao acima de 25 "C essa especificao deve ser diminuda linearmerue,
na razo de 6,8 m w/oe
6. Tenso de sada (Vo)

7. Tenso de coletor (Vc)
8. Tenso de alimentao positiva (Vp)
9. Cotnpensao de freqncia
10. Limite de corrente
7
DI
Figura 4.48 Diagrama do circuito eltrico do TBA 281
DIMENSES EM MM
Figura 4.49 Invlucro do TBA 281
Figura 4.50 Regulador bsico de
Vi
baixa tenso (V. = 2 a 7 V). Per-
formance tpica: tenso regulada
de saida = 5 V; regulao de linha SAlDA
(liVi = 3 V) = 0,5 mV; regulao de RI REGULADA
carga (lil L = 50 mA) = 1,5 mV. Para
drift mnimo de temperatura use
R3 = R,Rz/(R, + Rz); R3 pode ser
eliminado, para se ter um gasto
menor com componentes (colocar
um curto)
SEO V. Caractersticas para: Tamb = 25C; Vi = Vp = Vc = 12 V;

-VN OV; Vo = 5V; IL = 5mA; Rsc = O; C1 = l00pF; Cref = O, a
::;=
menos que seja especificado. (Para o circuito de teste veja as Figs.

4.50, 4.51 e 4.52)
Regulao de linha
para Vi = 12 a Vi = 15 V tpico 0,01 % Vo
< 0,1% Vo
para Vi = 12 a Vi = 40 V itpico 0,1 % Vo
< 0,5% Vo
para V = 12 a Vi = 15 V e Tamb = O a 70C < 0,3% Vo
Requlao de carga
para I L = 1 a I L = 50 mA tpico 0,03 % Vo
< 0,2% Vo
para 1L = 1 a I L = 50 mA e Tamb = a 70C < 0,6% Vo
Rejeio da ondulao (para f = 50 HZ a 10 kHz)
Cref = O upico 74 dB.
Cref = 5 flF 'tpico 86 dB.
Coeficiente mdio de temperatura da tenso de sada
(para Tamb = O a + 70C) tpico 0,003 %rC
< 0,015%rc.
Limite da corrente de curto-circuito
Rsc = 10 Q; Vo = tpico 65 mA.
Tenso de referncia (V4) tpico 7,15 V
6,8 a 7,5 V.
Tenso de rudo na sada (para B = 100 HZ a 10kHz)
Cref = O Vn tpico 20 flV.
Cref = 5 flF Vn tpico 2,5 flV.
Estabilidade a longo prazo
Acima de 1 000 h 0,1%.
Dreno quiescente de corrente (I p)
I L = O; Vi = 30 V tpico 2,3 mA
< 4,0 mA.
Faixa da tenso de entrada (VJ 9,5 a 40 V.
Faixa da tenso de sada (Vo) 2,0 a 37 V.
Diferena entre as tenses de entrada e sada
(Vi- Vo) 3,0 a 38 V.
SEO VI. Frmulas para tenses intermedirias de sada
R2
Sada de + 2 V a 7 V (Fig. 4.50) Vo = Vref R R
1 + 2
Projeto de ctrcuitos utilizando circuitos integrados 83
Sada de + 7 V a + 37 V (Fig. 4.51)
SE O V lI. Valores dos resistores para tenses de sada padro-

nizadas (Em kQ).
Sada fixa Sada ajustvel

Tenso de sada N." da ( 5%) ( 10%)
positiva figura
Rl R2 Rl Rv R2
+ 3,0 4.50 4,12 3,01 1,8 0,5 1,2

+ 3,6 4.50 3,57 3,65 1,5 0,5 1,5
+ 5,0 4.50 2,15 4,99 0,75 0,5 2,2
+ 6,0 4.50 1,15 6,04 0,5 0,5 2,7
+ 9,0 4.51 1,87 7,15 0,75 1,0 2,7
+ 12 4.51 4,87 7,15 2,0 1,0 3,0
+ 15 4.51 7,87 7,15 3,3 1,0 3,0
+ 28 4.51 21,0 7,15 5,6 1,0 2,0
Vamos agora analisar, cuidadosamente, todas as caractersticas

apresentadas nas sees anteriores.
Seo 1. Nessa seo, o leitor verifica que apresentada uma
breve descrio do TBA 281, focalizando fundamentalmente as pos-
sibilidades de aplicao desse circuito integrado.
Seo lI. Nessa seo, o fabricante,apresenta alguns dados sucintos,
e, sendo o TBA 281 um regulador de tenso, os dados referentes s
caractersticas de regulao so resumidos nessa seo.
Seo l l l, So apresentados, nessa seo, os valores limites m-
ximos permissveis, para o TBA 281.
Seo IV. Nas figuras existentes nessa seo so apresentados o
diagrama do circuito interno e o invlucro do TBA 281, sendo indicada
a finalidade de cada terminal.
Seo V. Nessa seo, so apresentadas as diversas caractersticas
importantes do TBA 281, devendo-se ressaltar o seguinte:
a) geralmente apresentado um valor tpico para cada parmetro
e, logo abaixo deste valor, indicada a faixa onde normalmente esse
valor se situa. Por exemplo, a regulao de linha, para Vi = 12 V a
Vi = 15 V, tem um valor tpico de 0,01 % Vo e garante-se que esse valor
sempre inferior a 0,1 % Vo'
(OBS.: 0,01 % Vo significa 0,01 % de Vo);
b) observe que Rsc uma resistncia colocada em srie com os
terminais 6 e 10, que esto interligados;
c) note que, no coeficiente de temperatura, se l o valor tpico
0,003 %rc. Isso significa que, para cada C de variao da temperatura,
a tenso de sada varia 0,003 % do seu valor;
d) verifique que o termo estabilidade nada tem a ver com o

termo regulao.
-- Fig. 4.50. Sugesto para um regulador bsico de baixa-tenso
(2 a 7 V), utilizando o TBA 28l.
Fig. 4.51. Sugesto para um regulador bsico de alta-tenso (7 a
37 V), utilizando o TBA 281.
-- Fig. 4.52. Nessa figura, apresentado um divisor resistivo, para
ajustar a tenso de sada. Para isso os resistores RI/R2 existentes nas
Figs. 4.50 e 4.51 devem ser substitudos por esse divisor.
8 7
Figura 4.51 Regulador bsico de

~L-rlhr-l~ SAlDA
alta-tenso (VO = 7 a 37 V). Per-
REGULADA
formance tpica: tenso regulada
RI de sada = 15 V; regulao de linha
(l'. V; = 3 V) = 1.5 mV; regulao de
carga (M" = 50 mA) = 4,5 mV. Para
drift mnimo de temperatura use
R2
R3 = R.R,/(R. + R,): R3 pode ser
eliminado, para se ter um gasto
menor, com componentes
Figura 4.52 Ajustagem da tenso de salda. Para ter uma

tenso de sada ajustvel. substitua R,/R,. nas Figs. 4.50 e
4.~)1. pelo divisar ilustrado ao lado
Seo V I. Para cada um dos circuitos das Figs. 4.50 e 4.51, so

apresentadas, nessa seo, frmulas que permitem calcular valores
intermedirios da tenso de sada, em funo da tenso de referncia
Vref e dos resistores R, e R2
Seo VII. Nessa seo, apresentada uma tabela contendo os
valores dos resistores para fornecer tenses padronizadas de sada.
-- Fig. 4.53. Trata-se, simplesmente, da curva de regulao de carga
(~I,) V,,), em funo de 10 (mA), para diferentes temperaturas (OC, 25C
e 75C), para Vj = 12 V, Vo = 5 VeRse = O.
Em suma, para as condies especificadas, varia-se a corrente de
carga 10 (variando RJ e verifica-se a variao percentual da tenso
de sada em torno de Vo = 5 V.
0,1
REGULAO DE
CARGA
(%Vo)
Figura 4.53 Curva de' regulao de carga

o
- h-..
-...:::: f......:
-"-
i'...:::: t- r-......
Tamb,Ooc_
r-=-:;~
i'- :--.... r-.. 25OC-
I--...L
para Vi = 12 V, V. = 5 V, Rsc = O, para <,
diferentes temperaturas, em funo de '. ~
70OC ..
-0,1
-0,20
50 Io (mA) 100
-- Fig. 4.54. Idem para Rsc = 10 Q. claro que a incluso de Rsc

piora a regulao, ocasionando maiores variaes em Vo'
- Fig. 4.55. Regulao de carga (% Vo)' em funo de Vi - Vo' para
Vo = 5 V, I L = 1 a 50 mA, T,,,nb = 25C e Rsc = O. Essa curva merece
uma explicao mais cuidadosa. Vi a tenso entre o pino 8 (ou 7 pois
esses esto interligados nos circuitos de aplicao) e a terra, e Vo
a tenso de sada (pino 6 quando Rsc = O). claro ento que Vi - Vo
a tenso existente entre o coletor e o emissor do transistor TR 16
REGULAO DE
CARGA
(% Vol
~
~ ~
Figura 4.54 Curva de regulao
de carga para Vi = 12 V, V. = 5 V,
f\. ~ i-,
r-, r-, ~amb'OoC
I-- I--
R se = 10 Q, para diferentes tem-
peraturas, em funo de '.
<,
1\. 25C
-o, I
\ 70C
- -
.;.0,2 o
25 Io(mAI. 50
REGULAO OE
CARGA 0,2
(% Vo)
0,1
Figura 4.55 Curva de regulao de carga para

V. = 5 V, 'L = 1 a 50 mA,Tamb= 25 e e R se = O, , 1__- - ~ .1
. -r .IF
~Im;-Il.!~t'I~
em funo de Vi - V.
-0,2
H
-0,3 LL-'-'-'--'--L-'--'--'--'-L.L'--'--'-'--''-'--'-'
10 20

(interno ao circuito integrado) e, portanto, natural que essa tenso
seja especificada para o circuito integrado. De fato, nas especificaes
limites, o leitor pode verificar que V7-6 foi limitado ao valor mximo
de 40 V (Vi - Vo = V7 - V6 = max 40 V).
Essa curva d uma idia da influncia, sobre a regulao de carga,
da utilizao de valores diferentes para a tenso no regulada Vi'
Quanto maior essa tenso no regulada Vi' pior a regulao de
carga. Por exemplo, para Vi - Vo = 28 V, como Vo = 5 V (condio
imposta no traado da curva), Vi = 28 + Vo = 28 + 5 = 33 V; por-
tanto se usarmos Vi = 33 V para gerar a tenso regulada Vo = 5 V,
com Rsc = O, Tamb = 25C, e I L entre 1 e 50 mA, podemos usar esse
grfico e obter, para Vi - Vo = 28 V, a regulao de - 0,08 % Vo'
- Fig. 4.56. Temos nessa figura a curva da regulao de linha. Para
o traado dessa curva, foi usado Vo = 5 V, I L = 1 mA, Tamb = 25C
0,4
LINHA 0,3
(% Vo)
0,2
Figura 4.56 Curvas de regulao de linha para 0,1

Vi=3V, V.=5V, '1.=1 mA, Tamb=25C e
Rse = O, em funo de Vi - V :

-0,1
-0,2 o~J....L.JWIO--'--L..L..L2::':O,.-'-L.L.L3:'-::O-'-'-L-'-:'40
'-tVo (V)
Rsc = O e A Vi = 3 V. Ou seja, L'1 Vi = 3 V a variao imposta sobre

a tenso 11,; por exemplo, para V;- Vu = 20 V, como Vo = 5 V, V; = 25 V;
faz-se Vi variar entre 25 V e 28 V (AVi = 3 V) e mede-se a variao
de Vo (em torno de 5 V) mantendo I L' Tamb e Rsc como foram indi-
cados. Procedendo assim, sobre toda a faixa de Vi' obtm-se o grfico
da Fig. 4.56.
-- Fig. 4.57. Nessa curva, apresentada a mxima corrente de carga
permissvel, em funo de Vi - Vo' para Tamb = 25C e Tamb = 70C;
observamos que a corrente limite de 150 mA est claramente indicada
nessa figura.
150
100 \
\
Figura 4.57 Corrente mxima de carga per-
missvel, em funo de Vi - V.' para TJ = 150C. i\ 1\
K J A = 150 C/W. sem dissipador de calor \ \
To~b:250(
50
1\ \
....
r-, ........
70C ~ r-
O
o
- Fig. 4.58. I p a chamada corrente quiescente, e caracterizada

pela condio da corrente de carga ser nula No caso, foi traada a
curva de 1/" em funo de Vi - Vo' para IL = O e Vo = Vref, para 3
temperaturas diferentes T = O C, 25C e 70C.
3
Ip
(mA )
2
I ! I
/v
'/ 1/
J
,
-
/~
!.
...- ~
Tomb;OOC
I--
2SOC
700 e
Figura 4.58 Corrente quiescente de operao

(stand-by current), para V. = V,c( e I L = O. em I I
I
funo de Vi' para diferentes temperaturas
O
o 25 Vi (V) 50
-- Fig. 4.59. Nessa figura, so apresentadas as caractersticas de

limitao de corrente, tendo sido traado o grfico de variao de V Q
com a corrente de carga, para V = 12 VeRse = 10 n. Considere por

exemplo a temperatura de 25C; quando a corrente de carga atinge o
valor de 65 mA a tenso de sada cai bruscamente a zero, protegendo
a fonte regulada.
- Fig. 4.60. Nessa figura apresentada a variao da resistncia de
sada (em ohm), em funo da freqncia, para Vi = 12 V, Vo = 5 V,
,
5
1"\ !
--f--
Tomb' o=c
25C Figura 4.59 Caracteristicas de limitao
70o~
de corrente para Vi = 12 VeR se = 10 n
para diferentes temperaturas
I
o 100
o
I
,,11
CL'"
Ro
(fi )
1I i
cl :lllF
'-- ,- ..
I I 1 ..
~T :
j ~ : ~
-: 11
I
10-
10-
2 II
4 5
102 Ia' 10 10 t( Hll 10'
Figura 4.60 Resistncia de saida da fonte, em funo da freqncia, para C L = O e

C I. = 1 !.F (capacitores de carga) mantendo-se Vi = 12 V, V. = 5 V, I L = 50 mA,
Tamb = 25C e Rsc = O
I L = 50 mA, Tamb = 25C e Rsc = O, para dois valores de capacitncia

de carga (CL = O e CL = 1,uF).
OBSERVAO
No catlogo da Philips, trs outras curvas so fornecidas, a saber,
a tenso sensora, que faz o controle da limitao de corrente, e as res-
postas transitrias para variaes bruscas na corrente de carga, e na
tenso de entrada V.
4.2.6.3. Exemplos de [onies reguladas usando o TBA 281
Podemos agora estudar algumas fontes reguladas, construdas
usando o TBA 281.
Os circuitos das Figs. 4.50 e 4.51 so dois exemplos iniciais. O
primeiro para Vo entre 2 e 7 V, e o segundo para uma tenso de sada
entre 7 e 37 V.
Observemos que, em ambos os exemplos, foi especificada a regu-
lao de carga do seguinte modo:
a) fonte de 2 a 7 V - regulao de carga (M L = 50 mA) = 1,5 mV
(para v;, = 5 V);
b) fonte de 7 a 37 V - regulao de carga (ML = 50 mA) = 4,5 mV
(para Vo = 15 V),
ou seja, a carga foi variada apenas at 50 mA garantindo, em ambos
os casos, as regulaes especificadas.
Agora observemos os limites mximos especificados na Seco Ill.
Vemos que a corrente mxima especificada de 11Llmax = 150 mA
(corrente no terminal 6). Portanto claro que sem destruir o circuito
integrado, podemos passar dos 50 mA especificados para as duas
partes. Apenas a regulao de carga poder ser diferente.
Observando tambm a curva da Fig. 4.57 vemos que podemos
chegar at ao valor mximo de 150 mA. (Somente medindo que
podemos saber a regulao esperada).
Finalmente, devemos pensar na possibilidade de utilizar o mesmo
TBA 281 para fontes que ultrapassem a corrente limite de 150 mA.
Para isso, entretanto, temos que usar transistores externos, como foi
sugerido na Seco I, que deve ser lida novamente pelo leitor. As Figs.
4.61 e 4.62 ilustram como proceder com as fontes de baixa e alta-tenso,
com as correntes maiores que 150 mA.
4.2.6.4. Projeto de fontes reguladas usando amplificadores operacionais

No captulo sobre amplificadores operacionais, estes foram utili-
zados para a realizao de amplificadores, mas esses mesmos ampli-
ficadores operacionais podem ser usados, vantajosamente, no projeto
de reguladores de tenso de alta preciso. A alta impedncia de entrada,
ENTRADA NAO-
-REGULADA
ENTRADA NAO-
-REGULADA
SADA
R2 REGULADA
RI
SADA
REGULADA 3
R3
IL=--II-L1i R4
R5
TBA281
> 150mA >150mA
Figura 4.61 Fonte de baixa tenso Figura 4.62 Fonte de alta-tenso (7 a

(2 V a 7 V), usando o TBA 281, para 37 V), usando o TBA 281, para correntes
correntes maiores que 150 mA, usando maiores que 150 mA. usando um tran-
um transistor externo sistor externo
baixas tenses de ojJset e baixo drift trmico do uma excelente per-

formance aos reguladores de tenso usando amplificadores operacionais.
Na Fig. 4.63, apresentamos um circuito tpico de aplicao de
um amplificador operacional em um circuito regulador de tenso,
usando o amplificador flA 709C da Fairchild j por ns estudado.
Nesse circuito observamos o seguinte:
a) o amplificador flA 709C serve como isolador entre o diodo
de referncia e a sada do circuito;
b) um seguidor de emissor (Q 1)' na sada, permite fornecer uma
corrente maior que a possvel usando somente o .uA 709C;
c) o transistor Qz limita a corrente que alimenta a base de Q l'
quando a corrente de sada excede 100 mA, protegendo o circuito; o
limite de corrente pode ser ajustado variando o resistor R4 (veja que
a corrente de sada, ao passar em R4' produz uma queda de tenso
entre a base e o emissor de Q2);
d) a tenso de sada variada entre 10 e 25 V por meio do
potencimetro R;
e) se a fonte serve apenas para fornecer uma corrente de carga
menor que 10 mA, podemos usar o flA 709C sozinho, sem necessidade
de Ql' Q2' R3 e R4
Como complemento, apresentamos, na Fig. 4.64, uma fonte usando
componentes existentes no mercado nacional, sugerindo ao leitor
mont-Ia e determinar todas as caractersticas importantes.
Os seguintes comentrios podem ser feitos a respeito do circuito
da Fig. 4.64.
a) O resistor R2 permite ajustar, para 5 mA, a corrente de pola-
rizao do diodo Zener de referncia.
RI
12KO
3KQ
R2 QI
IN4611
DI
60
R4
5nF
CI
-= R5
2KQ SADA
2,5K!l.
10 - 25V
RG
100mA
I,GKO-
RG
-= (o)
.30V
RI IOKO
G,GV
R9 F0300
5,IKD
02
R6
IOKO
3'
R7
6,2KO
IN4611
01
60
R4
-e- -=- R5
10KQ. SAIOA
2-5V
IOOmA
lb)
Figura 4.63 Uso do amplificador lIA 709C em uma fonte regulada de tenso. (a)
Tenso de sada maior que a tenso Zener de referncia; (b) Tenso de sada menor
que a tenso Zener de referncia. Cortesia da Fairchild Semiconductor
+12V
ucn
I TI- BCI09
B
zx79
(5,6V) I'
R8 3,3Kn
IKn
4,5Kn
Figura 4,64 Fonte regulada de alta pre-

ciso usando o TAA 521 (10 V, 40 mA)
b) O resistor Rs permite ajustar a tenso de sada entre 9 e 11 V.

c) O transistor TI permite usar a fonte at 40 mA de sada, o que
muito alm dos 10 mA permissveis na sada do TAA 521.
d) O resistor R4 usado para limitar a corrente do amplificador
operacional em 10 mA.
e) O resistor R6 e o transistor Tz agem na limitao da corrente
total da fonte em 60 mA, protegendo o circuito.
4.3. APLICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS NO

PROJETO DE CIRCUITOS DIGITAIS
No Capo 3 apresentamos uma recordao sobre circuitos digitais,
visando apresentao das diversas famlias de circuitos integrados
digitais.
Naquela oportunidade, apresentamos o funcionamento dos gates
ANO, OR, NANO e NOR e chamamos a ateno que, em uma famlia,
existem, alm desses qates, outros circuitos, como registradores de
deslocamento (shift-registers), [lip-jlops, etc. Portanto quando de uma
aplicao, devemos, imediatamente, estudar o problema em questo
e verificar se existe um circuito integrado simples, que apresente o
comportamento digital desejado; quando isso ocorre temos apenas
que usar o circuito integrado escolhido, observando as indicaes
dadas pelos fabricantes.
Entretanto na grande maioria dos casos, verifica-se que vrios
circuitos integrados digitais devem ser interligados para que o conjunto
apresente um determinado comportamento digital. Essa sntese de
circuitos digitais faz parte dos currculos de engenharia, de modo que

vamos apresentar apenas alguns exemplos simples de aplicao.
4.3.1. Uso de circuitos digitais bsicos isolados

Esse o caso em que o comportamento digital que se deseja
pode ser realizado por um circuito integrado simples. Ento, claro
que basta utilizar o circuito integrado em questo, atentando para as
especificaes existentes no catlogo. Portanto julgamos conveniente,
neste momento, analisar as caractersticas dos circuitos digitais mais
comuns, procurando analisar as especificaes apresentadas pelos
fabricantes, em seus catlogos.
4.3.1.1. "Gates" em geral

Como exemplo, vamos considerar o caso do circuito FJH 111,
o qual est indicado na Tab. 3.1, onde ilustrado o fato do mesmo
ser fabricado por vrias indstrias. /iamos analisar cuidadosamente
o catlogo da Philips, procurando, a
cada momento, introduzir as
definies e explanaes necessrias.
O circuito FJH 111 um circuito duplo, com 2 gates NAND
de 4 entradas; trata-se de um circuito monoltico da famlia TTL,
idealizado para o projeto de equipamentos digitais de velocidade mdia
e apresentado em um invlucro dual-em-linha com 14 terminais.
Nas Figs. 4.65 e 4.66 so apresentados o invlucro e o diagrama
lgico do FJH 111.
FJ H "I FJH III
Figura 4.65 Invlucro do FJH 111 Figura 4.66 Diagrama lgico do cir-
(dual-em-linha com 14 terminais) cuito integrado FJH 111. Como se v
trata-se de um circuito duplo com 2
gates NAND com 4 entradas
Dados sucintos de referncia do FJ H 111

a) Tenso de alimentao Vp = 5,0 5 % V.
b) Faixa de temperatura ambiente de operao
c) Fan-out CC de sada (em toda a faixa de
Tamb = a+ 70 "C,
temperatura)
d) Tempo mdio de retardo na propagao

(fan-ollt = 10; T"mh = 25C) {.pd (tpico) 13 ns.
e) Margem de rudo CC (em toda a faixa de
temperatura)
M
L
{> 0,4 V
tpico 1,0 V.
f) Consumo mdio de potncia (por gate) (tem-
peratura ambiente = 25C) r.: (tpico) lOmW.
Vamos, de imediato, analisar esses dados sucintos de referncia
apresentados no catlogo.
Os dados a, b e f so auto-explicativos, sendo apenas necessrio
mencionar que o consumo mdio de potncia (f) indicado para
apenas um dos gates que compem o FJH 111.
Vamos agora analisar o que entendemos por [an-in e [an-out
de um {Iate.
O nmero de entradas de um gate chamado de fan-in e para o
caso do FJH 111 cada um dos gates tem umfan-in igual a 4 (4 entradas).
O [an-out precisa ser estudado com mais cuidado. Geralmente
em um sistema digital vrios qates so interligados e geralmente a
sada de um gate alimenta (comanda) vrios outros gates. Ora, evi-
dente que, por exemplo, quando a sada de um gate est no estado
alto (1) ele fornece corrente para todas as entradas dos gates que est
comandando. A Fig. 4.67 ilustra esse fato.
Figura 4.67 O gate A quando est no estado 1 fornece corrente para as entradas
de todos os gates conectados sua sada
claro ento que deve haver um nmero mximo de gates que

podem ser alimentados pelo gate em questo, sem ultrapassar as suas
limitaes de corrente. Ao nmero mximo de gates que podem ser
alimentados por um dado gate da mesma famlia chamamos de [an-out
do qate. Como as correntes de diferentes famlias so geralmente dife-
rentes, quando as famlias so misturadas deve-se verificar a corres-
pondncia entre as correntes para saber o [an-out do gate considerado.
No caso do FJH I I I especificado um [an-out (de O a 70C)

maior ou igual a 10.
Para o tempo mdio de retardo na propagao (item d) espe-
cificado o valor tpico tpd = 13 ns. Observe que especificada a carga
imposta ao qate (fan-out = 10) e a temperatura de operao.
Finalmente, no item (e) especificada a margem de rudo do gate
que explicaremos a seguir.
Na Fig. 4.68 apresentamos a resposta de um gate inversor quando
o mesmo comandado de modo a ir sua sada do estado 1 para o
estado O.
A {v = o I (DIGITAL)
\... Vi =0 (DIGITAL)
Vo = I (DIGITAL)
I
I
I
I
1...- VMA----------;
I
I
: {Vo ' o (DIGITAL)

Vo = o (DIGITAL) I
I
I N
\J
B
Vi' I (DIGITAL)
Vo = o - - - - - - J- - - - - - - - - - -- :- - - - - - - - - ~ - - I Vi
tv; (ESTADO O) ;"VBN-:\Vi (ESTADO I)
Figura 4.68 Margem de rudo de um gate
Vemos que quando a entrada Vi est no estado digital O (e por-

tanto Vo est no estado digital 1) o ponto de operao o ponto A.
Se comeamos a aumentar Vi' ao ser atingido o ponto de transido M
o qate ser comandado para o ponto B. Da chamarmos a diferena
de potencial entre os pontos M e A (V MA) de margem de rudo para
o nirei O na entrada. Da mesma forma se Vi est no estado digital 1
(e portanto V2 est no estado digital O) o ponto de operao o ponto
B, e se a tenso Vi for diminuda a partir de B, ao ser atingido o ponto
de transio N o gate mudar de estado. Da a diferena de tenso
entre os pontos B e N (VBN) ser chamada de margem de rudo para O
nvel 1 na entrada.
No catlogo especificado, para a margem de rudo CC, na faixa
de temperatura de O a + 70C, o valor tpico de 1,0 V, sendo indicado
que essa margem sempre maior que 0,4 V (no especificado se
para a entrada O ou e, portanto, supe-se que seja a condio mais

desfavorvel).
Tambm so fornecidos no catlogo da Philips os valores mximos
limites para o FJH 111, conforme segue:
Tenso de alimentao V;, max = 7,0 V.
Tenso de sada VQ max = 5,5 V.
Tenso de entrada VG O a 5,5 V.
Pico negativo da tenso de entrada VGM max = 2 V.
Temperatura de armazenamento Tstg - 55 a + 150C.
Temperatura ambiente de operao Tamb O a + 70C.
Um fato importante a observar que apresentamos, at agora,
apenas um resumo das caractersticas do FJH 111. Na realidade, o
catlogo da Philips ainda apresenta uma tabela com as caractersticas
estticas e dinmicas de tenses, correntes e tempos de retardo na
propagao, de modo que o leitor que necessitar maiores detalhes
deve consult-lo.
Finalizando apresentamos alguns comentrios que facilitaro ao
leitor uma consulta ao catlogo da Philips.
a) Observe a Fig. 4.66 e verifique que a Philips chama os terminais
de entrada pela letra G e os termos de sada pela letra Q. Portanto
VG significa tenso de um terminal de entrada e VQ tenso do terminal
de sada.
b) Muitas vezes um determinado valor de corrente indicado
como negativo. Lembre da conveno adotada em quadripolos de
que a corrente convencional que sai de um terminal negativa. A
Fig. 4.69 ilustra esse fato.
~
Q= I (DIGITAL)

~
a= o
~----
(DIGITAL)
.. Ia >0
Figura 4.69 Conveno de corrente. Quando VQ = 1 (digital), a corrente de carga

estar saindo do gate e ser negativa I < O; quando V Q = O (digital), a corrente
de carga estar entrando no gate e ser' positiva
c) As abreviaturas max e min significam valores mximo e mnimo

das grandezas representadas.
d) A abreviatura se significa short-cireuit (curto-circuito), portanto,
I Qscmin significa corrente mnima de sada, com a sada em curto-circuito.
e) O terminal P (terminal 14) onde a tenso de alimentao
aplicada; portanto a tenso Vp a tenso de alimentao e I p a
corrente que fornecida pela fonte de alimentao.
O leitor deve, neste ponto, fazer uma pausa, obter um catlogo
de circuitos integrados digitais e verificar todos os gates existentes
em cada uma das famlias de circuitos integrados digitais, observando
a existncia de gates AND, OR, NAND, NO R, inversores, expan-

sares, ete.
4.3.1.2. "Flip-flops"
Osflip-flops so multivibradores biestveis com os quais os leitores
j devem estar familiarizados sob o ponto de vista eletrnico.
Na Fig. 4.70 apresentamos umflip-flop onde existem duas entradas
S (set = aciona) e R ireset = rearma) e duas sadas, uma Q e outra Q',
onde Q' o complemento de Q.
Figura 4.70 Flip-flop RS onde R
J,----C
(reser) comando para rearmar o
flip-flop (fazer Q = O) e S (ser) o
FLIP- FLOP
comando para armar o flip-flop (fazer
RS
Q = t ). Lembre que Q e Q' so va- R5 QQ'
riveis complementares, isto , se R = 0,
R' = 1 e vice-versa
Vamos chamar Qt o estado da sada Q em um dado instante, e

Q,+ 1 o estado dessa mesma sada aps a aplicao de valores deter-
minados de S e R.
Na Tab. 4.5 apresentamos o comportamento do flip-flop RS.
Tabela 4.5 Funcionamento do flip-flop RS; as colunas da esquerda indicam as

combinaes possiveis de R e S. a, o valor de a antes da aplicao dos valores de
R e S, colocados esquerda, e a,. I o valor de Q aps a aplicao desses valores
Referncia R S Q, c..
1 O O O O
2 O O 1 1
3 O 1 O 1
4 O 1 1 1
5 1 O O O
6 1 O 1 O
7 1 1 O No permitida
8 1 1 1 No permitida
Observe, por exemplo, as linhas 1 e 2, que so ambas linhas para

R = S = O. Na linha 1, Q, = O e Q, + 1 = O, isto , o valor de Q era O
e continuou em O. Na linha 2, Q, = 1 e Qt+ 1 = 1, isto , o valor de
Q era 1 e continuou 1. Portanto sempre que se aplica R = S = O, o
flip110p RS no muda o seu estado.
Nas linhas 3 e 4 temos o caso R = O e S = 1 e vemos que nos
dois casos Q,+ 1 = 1, isto , sempre que R = O e S = 1 o flip-flop
apresenta Q = 1.
As linhas 5 e 6 correspondem a R = 1 e S = O, isto , a condio

de rearme do flip-flop. Vemos que nos dois casos Qt+ 1 = O, isto ,
a sada Q assume sempre valor O quando R = 1 e S = O.
Finalmente, as linhas 7 e 8 correspondem a duas situaes no
permitidas para os flip-flops RS. Em outras palavras no se deve per-
mitir que R e S sejam iguais a 1 simultaneamente em um flip-flop RS.
claro que essa tabela pode ser simplificada tomando o aspecto
da Tab. 4.6, a qual a usualmente apresentada para os flip-flops RS.
Tabela 4.6 Tabela de funcionamento do flip-flop RS
R s Q
o o No muda No muda
o o
o o
No permitida
Conforme o leitor verifica, os flip-flops so elementos cujo com-

portamento depende no s dos estados atuais da entrada, como
tambm de estados anteriores, servindo como elemento de memria.
Existem outros tipos de [lip-flops alm do flip-flop RS. Um outro
tipo extremamente utilizado o chamado flip-j1op J K cujo compor-
tamento apresentado na Tab. 4.7.
Tabela 4.7 Tabela de funcionamento do flip-flop JK
J K Q, c...
O O O O
O O 1 1
O 1 O O
O 1 1 O
1 O O 1
1 O 1 1
1 1 (I 1
1 I I O
o leitor verifica que para o flip-flop J K possvel entrar simul-

taneamente com J e K ambos iguais a 1, e nesse caso sempre Qt+ 1 = Q;
(verifique esse fato nas duas ltimas linhas da tabela).
Existem outros tipos de flip-flops mas no achamos necessrio
estudar todos eles para a finalidade do nosso livro. conveniente
apenas saber da existncia de flip-flops tipo D, tipo T, etc.
Na realidade a tecnologia integrada to flexvel que os fabri-
cantes apresentam flip-flops com um desempenho bastante completo.
Por exemplo, um flip-flop J K pode apresentar terminais R e S para
"armar" e "rearrnar" o flip-flop, um terminal C para relgio (dock),

etc, permitindo uma grande versatilidade no uso do dispositivo.
Na Fig. 4.71 so apresentadas as duas partes que compem o
Me 2023, um flip-flop J K duplo da Motorola, com indicao dos
seus terminais.
SET 14
~ J 6 a 9
J 2 a f--13 C LOCK 5
CLOCK 3 K 7 1I
K f--12
SET 8
Figura 4.71 Identificao dos terminais dos dois flip-f1ops que constituem o Me
2 023 da Motorola
Esses flip-flops realizam a funo J K e so comandados apenas

durante a descida do pulso do relgio. So circuitos integrados en-
capsulados em invlucros dos tipos plano e dual-em-linha, cermico
e plstico, projetados para uma freqncia de operao da ordem de
70 MHz (tpico).
Muitas vezes no dispomos diretamente de um flip-flop, mas
dispomos dos gates bsicos (NAND, NOR, etc.). possvel construir
um circuito flip-flop utilizando esses gates.
Na Fig. 4.72 apresentamos a interligao de dois gates tipo NAND,
constituindo um flip-flop RS.
R'.------------1
1---,------ Q
s'.---------+---------------~
Figura 4.72 Flip-flop RS formado por gates NAND
Observe que na entrada esto representados R' e S' (complementos

de R e S). Deixamos a cargo do leitor atribuir valores especficos a
R e S e verificar que o circuito funciona como um flip-flop RS.
4.3.2. Uso de circuitos digitais bsicos associados

Na seo anterior, nosso principal objetivo foi apresentar alguns
circuitos integrados bsicos para o projeto de sistemas digitais. Em
geral, bem poucos casos correspondem utilizao de um circuito
integrado simples. Vamos apresentar agora dois exemplos especficos,
um de uma funo digital puramente combinacional, e outro de um

circuito digital seqencial.
4.3.2.1. Exemplo de projeto de um circuito digital combinacional

Suponhamos que A, B e C so trs variveis digitais e que que-
remos uma funo 1de A, B e C tal que a Tab. 4.8 seja satisfeita.
Tabela 4.8 Exemplo de um projeto; queremos um cir-
cuito digital de forma que a funo f de A, B e C satisfaa
a tabela acima
Referncia A B C f
O O O O O
1 O O 1 1
2 O 1 O O
3 O 1 1 1
4 1 O O O
5 1 O 1 1
6 1 1 O 1
7 1 1 1 O
Podemos facilmente verificar que essa funo no corresponde a

nenhum dos qates simples anteriormente apresentados.
Um modo simples para obtermos a funo desejada, observar
cada uma das linhas em que a funo igual a 1 e escrever uma
expresso que force isso a ocorrer. Por exemplo, para a linha 1, A = O,
B = O e C = 1 e queremos 1= 1. Portanto se 1tiver uma parcela
11 = A' B' C para A = O, B = O e C = 1 teremos A' = 1, B' = 1 e
C = 1 e, portanto,
11= 1 . 1 . 1 = 1.
Vejamos a prxima linha em que 1= 1. Isso ocorre para A = O,

B = 1, C = 1 (linha 3). Portanto se fizermos 13 = A' B C, 13 ser igual
a 1, para A = O, B = 1, C = 1, pois nesse caso A' = 1, B = 1, C = 1.
Analogamente, devemos ter 15 = A B' C para a linha cinco e
16 = A B C para a linha 6.
claro ento que a funo 1desejada deve ser dada por
A primeira idia evidentemente compor logo a funo 1usando

circuitos integrados. Se assim procedssemos teramos o circuito esque-
matizado na Fig. 4.73.
Nesse caso so precisos 3 inversores, 4 gates AND com 3 entradas
e 1 qate OR com 4 entradas. Observe o uso dos inversores para a
obteno de A', B' e C.
A S c C I B 1 AI
INV.
H>
D
INV.
A's'e
D
D A'SC
LJ L=~
WAS'C ir=~
--
l)
WASC'
LJ
Figura 4.73 Obteno da funo f do exemplo, sem simplificao alguma
Vamos agora simplificar a funo f antes de realiz-Ia com gates.

Voltemos expresso anterior de f.
f = A'B'C + A'BC + AB'C + ABe'
De acordo com o teorema 3, da Tab. A.4, do Apndice A
x + x = x.
Portanto podemos repetir o 1.0 termo da soma, entre o 2. e 3.
termos, o que no alterar a expresso.
f =(A'B'C)+A'BC-+CDiQ+ AB'C + ABC,
f = A'C(B + B') + B'C(A + A') + ABC
mas B + B'= 1 e A + A' = 1 (T4, Tab. A.4), e portanto
f = A' C + B' C + ABC;
f = (A' + B')C + ABC,
tendo em vista o teorema de De Morgan (Til, Tab. AA)

A' + B' = (AB)'
e portanto
f = (AR)' C + ABc'.
Na Fig. 4.74 apresentamos essa funo realizada com gates.
A B c
Figura 4.74 Obteno da funo t, que satisfaz a

Tab. 4.7, aps a simplificao
Observe que precisamos de 2 inversores, 3 gates AND com 2

entradas, e um gate OR com 2 entradas, o que conduz a um circuito
mais confivel, por ter menos ligaes (menos entradas) e ser mais
econmico.
Aparentemente poderamos agora consultar um catlogo de cir-
cuitos integrados e escolher os que sero utilizados. Entretanto dificil-
mente encontramos nos catlogos gates AND e gates OR. De fato,
a grande maioria dos gates existentes so gates tipo NAND e NOR.
Acontece que possvel construir qualquer funo usando apenas
gates NAND ou apenas gates NOR.
Temos que verificar ento como transformar o circuito inicial
para outro usando apenas um desses tipos de gates. Para tal recor-
demos antes alguns fatos importantes.
A Fig. 4.75 ilustra novamente o comportamento das funes AND,
OR, NAND e NOR, considerando Xl e X2 duas variveis digitais.
Inicialmente vamos ver como /1l'erter usando apenas qates NAND.
Ligando os terminais Xl e x2 de um circuito AND teremos Xl = x2 = x
e, portanto, f = X'I + x~ = x' + x = x, o que significa que o qate
estar funcionando como um inversor. Da mesma forma, um gate
NOR pode ser usado como inversor pois, se Xl = x2 = X, f = X'IX~ =
= x' . X' = x. Ambos os casos so ilustrados na Fig. 4.76 (a) e (b),
respectivamente.
x 2 __ [)f-----
~I__--- f f = X'I + x~(se Xl = X2 = 1, ento f = O;
x 2 ----LJ veja que a negativa da funo AND)
,2----i8~- f =
f =
Xl
1)
+ x2 (se Xl = 1 ou x2 = 1, ento
f = X'IX~ (se XI = 1 ou x2 = 1, ento

f = O; veja que a negativa da funo OU)
X2------[:)~-----
Figura 4,75 Funes digitais bsicas
Figura 4,76 (a) Gete NAND ligado

...
-cB- "
(A)
como inversor; (b) gate NOR ligado
como inversor
(6)
Vejamos agora como usar qates NAND em lugar de qates AND,

Na Fig, 4.77(a), temos um gate AND e, na Fig. 4,77(b), dois inversores
(que podem ser 2 circuitos NAND com as entradas ligadas) esto
colocados em srie com o circuito AND o que no altera o compor-
tamento global - h uma dupla inverso.
Na Fig. 4.77(c) o circuito AND e um inversor so identificados
como um circuito NAND e, finalmente, na Fig. 4,77(d) o inversor
foi realizado usando tambm um circuito NAND, conforme foi expli-
cado anteriormente,
Portanto sempre que tivermos circuitos AND podemos usar
somente circuitos NAND. De modo inteiramente anlogo se mostra
que os circuitos OR podem ser substitudos completamente por cir-
cuitos NOR,
Finalmente, vamos ilustrar um artifcio muito importante. Na
Fig. 4.n(a) apresentamos um qate AND seguido de um inversor e na
Fig. 4,R5(h) um qate OR onde os inversores foram colocados em cada
entrada do qate.
XI -----I
XI~ AND f
'2
'2----1
=8
(o) (b)
I
INV
X
NAND~--------~[::>o
'2
( c)
::=8~--E8f----- (d 1
Figura 4.77 Uso de circuitos NAND em lugar de circuitos AND
'2
I
--B x I x2
INV.
~
( xI x21' x: +
,
'2
INV.
INV.
Figura 4.78 Ilustrao do fato de que os inversores podem ser deslocados da

sada para a entrada, se invertermos o tipo de gate
Verifique que nos dois casos .fI = X'I + x~, isto , um inversor
que est na sada de um qate pode ser substitudo por inversores na
entrada do qate desde que se mude o tipo de "qate" - era AND, e
passou para OR.
Na Fig. 4.79 apresentado outro exemplo em que os inversores
so deslocados mildando-se o tipo de qate.
INV.
INV.
Figura 4.79 Outro exemplo de deslocamento dos inversores com a devida troca
do tipo de gate
Podemos agora de posse de todas essas informaes, retomar

funo.f da Fig. 4.74 e realiz-Ia usando apenas gates tipo NAND.
Na Fig. 4.80 redesenhamos o circuito da Fig. 4.74, introduzindo
pares de inversores em srie, o que obviamente no altera a funo .f.
A B C
'-
19:
INV.
(4)
________J
1
;
I
INV.
(2)
Figura 4.80 Primeira transformao do circuito da Fig. 4.81: introduo de pares

de inversores em srie
Observando-se a Fig. 4.80 notamos o seguinte:

a) os inversores 1 e 3 (INV. 1 e INV. 3) podem ser substitudos
por um nico inversor;
b) os inversores 6 e 8 (INV. 6 e INV. 8) podem ser transferidos
para a sada do circuito OR, mudando-se esse gate de tipo OR para
tipo ANO.
Procedendo desse modo obtemos a Fig. 4.81.
A 8
Figura 4.81 Diagrama aps as transformaes sugeridas
A seguir os circuitos ANO seguidos por inversores podem ser

simplesmente substitudos por circuitos NAND, conforme ilustrado
na Fig. 4.82. '
Entretanto j verificamos que os inversores podem ser realizados
utilizando apenas gates NAND. A Fig. 4.83 apresenta o diagrama
lgico completo para a funo [, utilizando apenas gates NAND.
A B C
Figura 4.82 Diagrama final contendo gales NAND e inversores
A B C
f e (AB1'C + ABC'
Figura 4.83 Diagrama lgico final para a realizao da funo f = (AB)' C + ABC'
Suponhamos agora, para completar o exemplo, que disponhamos

dos seguintes circuitos integrados.
FJH 101 - gate NAND simples com 8 entradas.
FJH 111 - gate NAND duplo com 4 entradas.
FJH 121 - qate NAND triplo com 3 entradas.
FJH 131 - gate NAND qudruplo com 2 entradas.
A Fig. 4.84 apresenta os esquemas dos gates FJH 111 e FJH 131
e a Fig. 4.85 ilustra a realizao do circuito com apenas um FJH 111
e um FJH 131.
importante notar que h outras possibilidades para realizar a
funo I, quando se dispe dos circuitos FJH 101, FJH 111, FJH 121
e FJH 131, tendo sido apresentada apenas uma das possibilidades.
Deixamos como exerccio para o leitor, verificar outras maneiras de
UI--+- __ 3
1---+----1 2---+----1
2---+----1
4 +-_-1 ~-+-_6
5---+---1 4 __ -+_----1
6
5---+----1
9 __ +-_--1
8
9 +-_--1 10__ -+_-----1
10----t--,
I? I-+--e
13 +-_--1 12----+--,
11
13----+--,
F JH 111
Figura 4.84 Esquema dos gates NAND FJH 111 e FJH 131
A B C
1
2
Iro'
I
~
4
5 v- L3
r- - -- - -
C
'
f , (AB)'C ASC'
10
IJ 8
~ ~ -
- ~-
~
L (AS)' , c
~
#= ~
6'" --v AS
9
I~ =====J \ c'e
I;...
-U
FJH 111
I
Figura 4.85 Realizao da funo f do exemplo utilizando um gate FJH 111 e
um gate FJH 131
realizar a funo f, e comparar os resultados, para ver qual a realizao

mais simples e mais econmica.
Antes de passarmos para outro exemplo de projeto, vamos fazer
vrios comentrios importantes.
1. Verificamos que, aps a funo f ter sido obtida, foi feita urna
simplificao da mesma. Geralmente, no projeto de um sistema digital,
estamos lidando com vrias variveis digitais e com vrias funes
de sada, que devem ser otimizadas simultaneamente. Existem cursos
especiais nos currculos de engenharia (teoria da comutao) que
tratam dos mtodos de projeto de sistemas digitais, sendo estudada
amplamente a simplificao das funes. Evidentemente tal estudo
foge ao escopo deste livro.
2. Mesmo quando se chega s funes digitais j simplificadas,
existe o problema da passagem para o circuito eltrico real, isto ,
a escolha dos circuitos integrados e interligaes entre os mesmos.
Normalmente, existem vrios meios de compor, fisicamente, o sistema
e deve-se procurar a soluo que alie dois importantes aspectos, isto ,
custo e confiabilidade. (Note que cada entrada representa urna solda
a mais o que diminui a confiabilidade do sistema).
3. Observe que urna mesma funo digital pode ser constituda
com qates de qualquer das famlias de circuitos integrados j estudadas.
No exemplo anterior, usamos os circuitos FJH 101, FJH 111, FJH 121
e FJH 131, que so da famlia TIL de circuitos integrados da Philips.
Lembremos que, ao se escolher a famlia, ficam definidos parmetros
como o tempo de retardo na propagao, a potncia consumida, etc.
4.3.2.2. Projeto de um registro de deslocamento ("shift register")

Vamos, agora, projetar um registro de deslocamento com 4 bits
utilizando flip-flops do tipo RS, comandado por um pulso de relgio
(dock).
Em outras palavras, queremos um conjunto de 4 flip~rlo(ls RS,
no qual, quando o pulso de relgio chega (e = 1), o valor que est
na entrada X transferido para o 1.0 flip-flop (Ql)' o que est em Q 1
transferido para o 2. flip-flop (Q2) e assim, sucessivamente, isto ,
o que est em cada entrada va sendo deslocado para a direita, a cada
pulso do clock.
A Fig. 4.86 ilustra o esquema do shift reqister desejado.
Figura 4.86 Shift register de 4 bits, formado por 4 flip-flops RS. O que est na
entrada X deve ser deslocado para a direita, a cada pulso do clock
o nosso problema, ento, descobrir que estrutura lgica de

gates deve interligar X, C, FFl, FF2, FF3 e FF4, para que o conjunto
funcione como um registro de deslocamento.
Basta um pouco de ateno para vermos que, se em um flip-flop,
S = CX e R = cx, o que est na entrada desse flip-flop (X) aparecer
na sada (Q) sempre que C = 1. Verifiquemos se isso de fato ocorre,
observando a Fig. 4.87, onde apresentamos um [lip-flop RS, com
R = CX' e S = CX, e a respectiva tabela de funcionamento.
Figura 4.87 Ffip-flop RS onde S = CX

---------------,
C :: o C :: I I(
e R = CX'
.-_4-----.----1_----~_.--._~i
:x,~_4----~----1_----~_4--~~'
a SROI
o o No mu o I (_1 I
do - -
r'\ o o No o (i"\
( "_~ mudo ..._~ )
, - - ..... _ - 1
Vemos que, quando C = 1, o que estava na entrada X aparece,

exatamente, na sada Q.
Como o deslocamento (shift) deve ser contnuo a partir do jlip-
-flop 1 para a direita, o que temos a fazer simplesmente considerar
para o flip-flop 1 a entrada como X, para o [iip-flop 2 a entrada como
Q l' para o flip-flop 3 a entrada como Q2 e para o flip-flop 4 a entrada
como Q3' A Fig. 4.88 ilustra o que se obtm.
x c
SI_coal FFI
52-CQI
RI : CX' Q I RZ =CC '
1
'------'
Figura 4.88 A sada de cada ffip-flop multiplicada por C deve alimentar a entrada
para o flip-ffop seguinte
Introduzindo, agora, gates AND, para gerar os produtos, e um

inversor, para obter X', podemos desenhar o circuito completo, como
na Fig. 4.89.
Esse circuito representa o diagrama lgico do shift register dese-
jado. Deixamos a cargo do leitor transformar o circuito para utilizar
exclusivamente gates NAND, supondo que esto disponveis os
mesmos qates anteriores (FJH 101/13I). e fazer um desenho com-
pleto, usando os qates necessrios e mostrando todas as ligaes.
Figura 4.89 Circuito completo do shift register de 4 bits usando flip-flops RS
Lembramos que os flip-flops RS podem tambm ser feitos usando

os qates mencionados.
4.3.3. Uso de circuitos integrados digitais complexos (MSI, LSI, VLSI)

No Capo 1 verificamos o extraordinrio avano da tecnologia de
circuitos integrados, analisando a possibilidade da integrao de sis-
temas e subsistemas completos em uma nica pastilha, ou em vrias
pastilhas interligadas. Naquela oportunidade, mencionamos o acumu-
lador 3800 da Fairchild que um exemplo de um circuito com inte-
grao em alta escala (LSI), contendo aproximadamente 200 gates.
No campo digital, o projeto de sistemas complexos tem evoludo
extraordinariamente com o uso do MSI, LSI e VLSI, possibilitando
montagens extremamente compactas e confiveis. Evidentemente, no
podemos, neste livro, nos aprofundar nesse assunto, mas o leitor deve
ter em mente que quase todos os grandes projetos digitais utilizam
esses blocos, salientando-se memrias de acesso randmicos (RAM),
unidades aritmticas, registradores, memrias apenas de leitura (ROM),
lgica completa de voltmetros digitais, multiplexadores de 4, 6 e 8
canais, conversores anlogo-digitais e vice-versa, acumuladores, etc.
5 PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS
NO USO DE CIRCUITOS INTEGRADOS
5.1. USO DE CIRCUITOS IMPRESSOS

Suponhamos que o leitor possua o diagrama de um circuito e
tenha obtido os componentes necessrios para a sua montagem. Em
condies precrias evidentemente poderamos pensar em, por exem-
plo, apanhar uma chapa isolante, fazer os furos para todos os com-
ponentes, inclusive para os circuitos integrados, e pelo lado inferior
da chapa isolante efetuar todas as conexes utilizando cabinhos.
No precisamos explicar ao leitor as deficincias dessa monta-
gem, quando comparada com um circuito impresso devidamente
preparado.
Portanto para um teste preliminar podemos proceder como men-
cionamos anteriormente, mas para uma montagem mais confivel, e
mais apresentvel, imprescindvel alguma forma de ligao impressa.
Muitas vezes podemos adquirir os componentes para um dado
circuito, incluindo a chapa impressa para a sua montagem; mas se
isso no for possvel teremos mesmo que ou encomendar em uma
fbrica pequena o circuito impresso em questo (a preo e prazos de
entrega exorbitantes) ou ento produzir o nosso prprio circuito im-
presso. Por esse motivo abordamos, no Apndice A, a produo de
circuitos impressos para equipamentos de entretenimento, dando todos
os detalhes prticos para uma fabricao simples.
5.2. USO DE SOQUETES PARA CIRCUITOS INTEGRADOS

Um modo bastante prtico para a montagem de um circuito
integrado a utilizao de soquetes, de modo anlogo ao utilizado
para transistores. A diferena bsica que, tendo os circuitos integrados
um maior nmero de terminais, e dependendo do caso, possuindo
formas diferentes (por exemplo, dual-em-linha), os soquetes so mais
sofisticados do que os utilizados para transistores.
Na Fig. 5.1 ilustramos vrios tipos de soquetes utilizados para a
montagem de circuitos integrados.
Como ilustrao apresentamos na Fig. 5.2 um exemplo onde
circuitos integrados dual-em-Iinha esto montados em soquetes
A esta altura o leitor deve estar conjecturando sobre o que mr.is
conveniente, usar soquetes ou montar diretamente os circuitos inte-
5 PROBLEMAS PRTICOS ENCONTRADOS
NO USO DE CIRCUITOS INTEGRADOS
5.1. USO DE CIRCUITOS IMPRESSOS

Suponhamos que o leitor possua o diagrama de um circuito e
tenha obtido os componentes necessrios para a sua montagem. Em
condies precrias evidentemente poderamos pensar em, por exem-
plo, apanhar uma chapa isolante, fazer os furos para todos os com-
ponentes, inclusive para os circuitos integrados, e pelo lado inferior
da chapa isolante efetuar todas as conexes utilizando cabinhos.
No precisamos explicar ao leitor as deficincias dessa monta-
gem, quando comparada com um circuito impresso devidamente
preparado.
Portanto para um teste preliminar podemos proceder como men-
cionamos anteriormente, mas para uma montagem mais confivel, e
mais apresentvel, imprescindvel alguma forma de ligao impressa.
Muitas vezes podemos adquirir os componentes para um dado
circuito, incluindo a chapa impressa para a sua montagem; mas se
isso no for possvel teremos mesmo que ou encomendar em uma
fbrica pequena o circuito impresso em questo (a preo e prazos de
entrega exorbitantes) ou ento produzir o nosso prprio circuito im-
presso. Por esse motivo abordamos, no Apndice A, a produo de
circuitos impressos para equipamentos de entretenimento, dando todos
os detalhes prticos para uma fabricao simples.
5.2. USO DE SOQUETES PARA CIRCUITOS INTEGRADOS

Um modo bastante prtico para a montagem de um circuito
integrado a utilizao de soquetes, de modo anlogo ao utilizado
para transistores. A diferena bsica que, tendo os circuitos integrados
um maior nmero de terminais, e dependendo do caso, possuindo
formas diferentes (por exemplo, dual-em-linha], os soquetes so mais
sofisticados do que os utilizados para transistores.
Na Fig. 5.1 ilustramos vrios tipos de soquetes utilizados para a
montagem de circuitos integrados.
Como ilustrao apresentamos na Fig. 5.2 um exemplo onde
circuitos integrados dual-em-linha esto montados em soquetes
A esta altura o leitor deve estar conjecturando sobre o que mr.is
conveniente, usar soquetes ou montar diretamente os circuitos inte-
Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados 113
apresentam, a possibilidade de maus contatos em alguns dos ter-

minais do circuito integrado; o leitor deve lembrar que podemos estar,
por exemplo, usando um circuito integrado com 24 terminais e que
todos esses devem ter um contato firme com o soquete. Por outro
lado, soldar um circuito integrado de muitos pinos, exige alguma
prtica para no destruir o circuito integrado por aquecimento excessivo.
Industrialmente falando, veremos que os dois tipos de montagens
so comercialmente utilizados, dependendo da filosofia adotada pela
companhia e do tipo do circuito em questo.
Evidentemente, a manuteno de um equipamento , geralmente,
mais simples, quando so usados soquetes, pois um circuito integrado
supostamente defeituoso pode ser facilmente substitudo por outro.
fcil imaginar que, retirar um circuito integrado, por exemplo, de
16 terminais diretamente soldados uma placa impressa deve ser um
problema razoavelmente complicado. Esse detalhe abordado na Seco
5.4 que trata da soldagem de circuitos integrados.
5.3. TCNICAS DE INSERO E RETIRADA DE CIRCUITOS

INTEGRADOS EM SOQUETES E PLACAS IMPRESSAS
5.3.1. Uso de ferramentas especiais
No momento de colocar um circuito integrado em um soquete
ou, diretamente, em um circuito impresso, o leitor pode encontrar
algumas dificuldades de ordem prtica como resultado do grande
nmero de terminais do circuito integrado.
Para facilitar a insero e a retirada de cir cuitos integrados, exis-
tem alguns dispositivos no mercado, como uma ferramenta que tem
um aspecto semelhante a um "pregador", de forma que quando se
pressiona a parte superior a parte inferior se abre (como em um pre-
gador) e se encaixa no corpo do circuito integrado o qual ento
extraido ou colocado na placa impressa ou no soquete.
5.3.2. Corte inclinado dos terminais de um circuito integrado

Consideremos, por exemplo, um circuito dual-em-linha, que deva
ser introduzido em um soquete ou, diretamente, em um circuito impres-
so, para a devida solda. Evidentemente, como todos os terminais do
circuito integrado possuem o mesmo tamanho, todos esses terminais
devero entrar ao mesmo tempo no soquete ou na chapa impressa;
basta haver qualquer desalinhamento de um terminal para no se
conseguir introduzir o circuito integrado facilmente.
Para evitar isso, um artifcio utilizado o de cortar os terminais
do circuito integrado desigualmente, na forma de uma rampa, de modo
que o terminal mais comprido penetre primeiro no furo do soquete
ou chapa impressa. A Fig. 5.3 ilustra o corte inclinado dos terminais

de um circuito integrado dual-em-linha.
claro que o corte sugerido deve ser bastante pequeno para evitar
lima diminuio muito grande do terminal o que poderia trazer problemas
de contato (no caso do uso de soquetes) ou problemas de aquecimento
excessivo durante a operao de solda.
__ .J
Figura 5.3 Corte inlinado dos terminais de um circuito integrado. Nesse exempto
os terminais 1 e 16 seriam os primeiros a serem introduzidos; a seguir o 2 e o 15,
o 3 e o '4 e assim sucessivamente at penetrao total do circuito integrado
5.4. SOLDAGEM DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Para a soldagem de circuitos integrados o leitor deve usar um
ferro da ordem de 30 W com uma ponta fina e utilizar uma solda de
boa qualidade. Caso essa solda contenha fluxo no devemos esquecer
de limpar cuidadosamente o circuito impresso quando acabar a mon-
tagem pois os fluxos utilizados so muito ativos e podem alterar as
propriedades da chapa impressa.
A operao de solda deve ser rpida para no danificar o com-
ponente por efeito de temperatura e o leitor deve lembrar as mesmas
regras que j aprendeu com relao a soldas, como no colocar a solda
no ferro de soldar e depois encost-Io em duas "partes frias" a serem
soldadas. As superficies que so aquecidas com o ferro e a solda
colocada nas superficies quentes, efetuando a conexo.
Vamos agora abordar um problema que geralmente exige percia
e pacincia. Suponhamos que um dado circuito integrado de um cir-
cuito est aparentemente defeituoso, mas no temos certeza absoluta
e. conseqentemente, no queremos danificar O componente. Como
Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados. 115
retirar um circuito dual-em-linha, cujos 16 pinos esto soldados direta-

mente na chapa impressa?
Logo ao tentar, verificamos o que acontece. Inicialmente o ferro
encostado em um terminal, fundindo a solda; em seguida passamos
para o 2. terminal, 3.0, etc. e a verificamos, com pesar, que o 1.0 ter-
minal j est de novo soldado!
A retirada de um circuito integrado intacto realmente difcil
a menos que o leitor disponha de uma ferramenta especial.
Uma dessas ferramenlas constituda por um tubo acionado por
uma mola como ilustra a Fig. 5.4; inicialmente "arma-se" o sistema,
comprimindo a mola M at que o pino P encaixe na ranhura R. Quando
esta liberada pressionando-se o boto B, o mbolo E se desloca
fazendo o vcuo na regio V, sendo ento a solda fundida aspirada
para essa regio.
RwlAO DE vcuo (v)
L:L::jjBj=/~=R;N"URA (R)
SOLDA - '---1-.JjJ.J]L!]JIIJ:z:
PINO {p)
MOLA o.)
Figura 5.4 Diagrama esquemuco de um "aspirador de solda" (tin-cleaner)
A aplicao dessa ferramenla bastante simples e ilustrada na

Fig. 5.5.
O ferro de soldar toca na solda a ser desfeita e, logo que essa se
funde, o operador aperta o boto B, aspirando a solda fundida para
dentro do tubo. Essa operao repetida para cada terminal do circuito
integrado conseguindo- se retirar o circuito integrado intacto do circuito.
Figura 5.5 Aplicao do tin-cteener

na aspirao da solda fundida pelo
ferro de soldar
Evidentemente, quand., no se faz questo de retirar o circuito

integrado intacto, o modo mais prtico cortar, de imediato) com
um alicate, todos os terminais, retirando logo o corpo do circuito
integrado. A seguir, aquece-se cada ponto de solda e puxa-se cada
um dos pinos que ficaram presos na placa impressa.
5.5. CONSIDERAES TRMICAS SOBRE CIRCUITOS

INTEGRADOS
Com relao aos problemas trmicos, os circuitos integrados
apresentam algumas caractersticas marcantes, quando comparados
com o caso de componentes discretos?".
Inicialmente devemos lembrar que, em uma minscula pastilha
de silcio, foram fabricados transistores, resistores, ete. Portanto no
se pode mais pensar na juno real entre O coletor e a base porque,
numa mesma pastilha, podem existir vrios transistores e, portanto,
vrias junes.
Por outro lado, o silcio um bom condutor de calor e, portanto,
dadas as minsculas dimenses da pastilha de silcio, praticamente
toda a pastilha pode ser considerada como estando a uma mesma
temperatura, isto , como uma superfcie isotrmica.
Com base nestes argumentos, o que se faz considerar a "juno"
entre a pastilha (que se supe estar a uma temperatura "mdia") e
a base de montagem, ou o invlucro do circuito integrado.
A Fig, 5.6 ilustra para o caso de um circuito integrado com inv-
lucro tipo TO referida juno.
JlWAO _
Figura 5.6 Ilustrao da juno entre
a pastilha de silcio (em preto) e a
base de montagem
O calor gerado na pastilha atravessa a "juno" entre a pastilha

e a base de montagem e atinge o invlucro e os terminais do circuito
integrado, sendo da irradiado para meio ambiente.
Chamando
TA = temperatura ambiente,
T, = temperatura mdia da pastilha,
P = potncia total sendo dissipada na pastilha,
KJ[ = resistncia trmica entre a juno e o invlucro,
KJA = resistncia trmica entre o invlucro e o meio ambiente,
('Veja Dispositivos semicanutores. Hilton A Mello e Edmond lntrator. Livros

Tcnicos e Cientficos Editora S.A. - 2* edio - 1974
Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados, 117
temos
TJ = TA + P(KJI + K1A) = TA +r KJA
onde
K]A = resistncia trmica total entre a pastilha e o meio ambiente =
= KJI + KfA
Geralmente, as resistncias trmicas KJl e KIA so indicadas nos

catlogos dos fabricantes, de modo que possivel, sendo conhecidos
TA e P, calcular a mxima temperatura prevista para a pastilha (tem-
peratura mdia de todas as junes existentes no circuito integrado)
e ter, portanto, uma idia da confiabilidade do projeto, pois a vida de
um dispositivo semicondutor est intimamente ligada temperatura
de funcionamento da juno.
Como exemplo, apresentamos na Tab. 5.1 os dados trmicos
. referentes s sries Me 5 400L/7 400L da famlia de TIL da Motorola.
Tabela 5.1 Especificao trmica para as sries Me 5400 e Me 7400 da Motorola

(famlia TIL)
Especificao Valor Unidade
Faixa de temperaturas de SrieMe 5 400 - 55"C a + 12SO

C
operao s~reMe 74000a + 70
Faixa de temperaturas de invlucro cermico -65 a + 150
C
armazenamento invlucro plstico - 55 a + 125
Temperatura mxima da Srie MC 54()() + 175
C
juno Srie MC 7400 + 150
Resistncia trmica entre invlucro cermica 0,09
"C/mW
a juno e o invlucro invlucro plstico 0,15
Resistncia trmica entre invlucro cermco 0,26
a juno e o meio amo
"CjmW
invlucro plstico 0.30
bicnrc
A pergunta bvia que os nossos leitores devem estar fazendo

se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circui to
integrado sem ser necessrio recorrer a estes dados.
Geralmente, o que o projetista faz ficar dentro das limitaes
que so dadas no catlogo como "variao da fonte de alimentao",
mxima excurso da entrada, mxima carga imposta ao circuito inte-
grado, ete. Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro
das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos.
Mas, algumas vezes, surge a necessidade de utilizao de dissipadores
de calor para um circuito integrado e o projetista deve, nesses casos
limites, ter total compreenso das caractersticas trmicas dos circuitos
integrados.
temos
T] = TA + P(KJI + KIA) = TA + p. KJA'
onde
=KJI+KIAo
Geralmente, as resistncias trmicas KJI e K1A so indicadas nos

catlogos dos fabricantes, de modo que possivel, sendo conhecidos
Como exemplo, apresentamos na Tab, 5.1 os dados trmicos
.referentes s sries MC 5 4OOL/7400L da famlia de TIL da Motorola,

(famlia TIL)
Bspecificao Valor Unidade
Faixa de temperaturas de Srie Me 5 400 - 55C a + 1250
operao Srie Me 74000 a + 70- 'e

Faixa de temperaturas de invlucro cermica -65 a + 1SO
armazenamento invlucro plstico - 55 a + 125 'e
Temperatura mxima da Srie Me 5400 + 175
juno Srie Me 7400 + 150
Resistncia trmica entre invlucro cermico 0,09
CjrnW
a juno e o invlucro invlucro plstico 0,15
. -------c-------'----------
Resistncia trmica entre invlucro cermico 0.26
CjmW
a juno e o meio am- invlucro plstico 0.30
biente

se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circuito
grado, etc. Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro
das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos.
integrados.
temos
T, = TA + P(KJI + K'A) = TA + p. KJA'
onde
= KJJ + K1A-
Geralmente, as resistncias trmicas K JI e KIA so indicadas nos
catlogos dos fabricantes, de modo que possvel, sendo conhecidos
Como exemplo, apresentamos na Tab. 5.1 os dados trmicos
. referentes s sries MC 5 4OOL/7400L da famlia de TIL da Motorola,

(famlia TIL)
Especificao Valor Unidade
Faixa de temperaturas de Srie Me 5400 - 55 De a + 1250

C
operao Srie Me 74000a + 70
Faixa de temperaturas de invlucro cermico -65 a + 150
C
armazenamento invlucro plstico-55 a + J25
Temperatura mxima da Srie Me 5400 + 175
C
juno Srie MC 7400 + 150
Resistncia trmica entre invlucro cermicc 0,09
CjrnW
a juno e o invlucro invlucro plstico 0,J5
.~----------~-------------------
Resistncia trmica entre invlucro cermico 0.26 CjmW
a juno e o meio am- invlucro plstico 0.30
biente

se no h outro meio de ficar dentro das especificaes do circuito
grado, etc, Seguindo estas especificaes, o projetista estar dentro
das especificaes trmicas sem necessidade de clculos complexos,
integrados.
Quanto aos dissipadores de calor propriamente ditos, claro que

para os invlucros tipo TO os dissipadores so iguais aos usados para
componentes discretosv" sendo encaixados sobre o circuito integrado.
Para os circuitos integrados dual-em-linba evidentemente existem dis-
sipadores novos projetados para tal fim, havendo algumas firmas se
especializado nessa produo"?",
\\\\\\\\\i\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
,<
.. ":,
- -
Figura 5.7 Ilustrao do uso do Logic Lab (laboratrio Lgico) da Hewlett Packard:
no caso o tcnico deteta o sinal em um ponto do circuito usando a logic probe (ponta
de prova lgica) e verifica simultaneamente o estado em vrios terminais usando
O logic clip (garra lgica), estando o pulser (pulsador) sobre a bancada. (Esses
acessrios sero estudados no Cap. 6). Cortesia da Hewlett Packard
A apreciao completa dos fenmenos trmicos em circuitos com-

plexos, usando circuitos integrados, foge ao escopo deste livro por
se tratar de assunto intimamente ligado ao projeto de circuitos.
1)Dispositivos semicondutores. Hilton A. MelJo e Edmoad Intrator. Livros Tcnicos

e Cientficos Editora S.A.
l"'IPor exemplo: International Electronic Research Corporation
135 West Magnolia Boulevard, Burbank, Califomia 91502 - EUA
Problemas orticos encontrados no uso de circuitos integrados- 119
5.6. Uso de placas padronizadas para a montagem de circuitos

experimentais
A fim de facilitar a montagem de circuitos experimentais, e mesmo
visando possibilitar um treinamento no uso de circuitos integrados,
existem no mercado vrias placas impressas padronizadas (com e sem
soquetes) que possibilitam, por meio de conexes simples, a realizao
prtica de um circuito completo.
Tendo em vista a necessidade de treinamento de tcnicos nesse
novo campo, algumas indstrias lanaram no mercado sistemas espe-
ciais que do grande flexibilidade montagem e teste de circuitos.
,.
Figura 5.8 Ilustrao do uso do Logie Lab (laboratrio Lgico) da Hewtett Packard;
no caso o tcnico utiliza simultaneamente os trs acessrios. Cortesia da Hew1eu
Packard
Nesse caso enquadra-se, o Laboratrio Lgico 5035T da Hewlett

Packard, o qual ilustrado nas Figs. 5.7 e 5.8.
Nessas ilustraes devemos ressaltar o seguinte:

1 - o painel central (branco) existente no Logic Lab removvel.
Isso significa dizer que vrios estudantes podem usar a mesma estru-
tura bsica (MAINFRAME), isto , enquanto um tcnico est mon-
tando seu circuito, outro pode estar usando O arcabouo do Logic Lab;
2 - as conexes so feitas por meio de cabinhos, cujos terminais
encaixam, por presso, em minsculos conectores existentes no painel
e no "MAINFRAME";
3 - nas figuras observa-se o uso combinado do Logic Lab 5035T,
com os dispositivos apresentados na manuteno de equipamentos,
como o pulsador lgico, a ponta de prova lgica, a garra lgica, ete.
(Veja o Cap. 6).
Para organizaes que projetam instrumentos usando circuitos
integrados, um conjunto como o Lagic Lab HP 5035T e demais aces-
srios (pulsador, garra lgica, etc.) pode prestar inestimvel auxlio
para o desenvolvimento dos seus prottipos.
6 MANUTENO DE EQUIPAMENTOS
ELETRNICOS INTEGRADOS
6.1. COMENTRIOS GERAIS

Evidentemente no podemos, em um livro com a finalidade de
apresentar o campo da eletrnica integrada, tratar, com detalhes, a
manuteno de equipamentos eletrnicos. Alm disso deve-se ter em
vista que a existncia de equipamentos complexos no mercado tem
acarretado, cada vez mais, a formao de tcnicos especializados na
manuteno desses equipamentos. Algumas companhias possuem equi-
pamentos to complexos que so obrigadas a enviar seus tcnicos para
treinamento nas prprias fbricas, ou ento a utilizar a assistncia
tcnica fornecida pelos representantes ou pelas prprias indstrias
montadas no Pas.
De qualquer forma, partiremos do princpio de que um tcnico,
que se prope a fazer a manuteno em um dado equipamento, possui
o conhecimento global de seu funcionamento e de sua manuteno,
sendo apresentadas neste livro apenas noes complementares, que
podero ser teis para os tcnicos envolvidos em tal assunto.
Assim, vamos procurar, neste livro, abordar aspectos tpicos da
manuteno de equipamentos, usando circuitos integrados, apresen-
tando tcnicas modernas para a localizao de falhas em equipamentos
eletrnicos (troubleshooting techniques), mormente nos equipamentos
digitais.
6.2. DIFERENAS FUNDAMENTAIS ENTRE EQUIPAMENTOS

INTEGRADOS E COM COMPONENTES DISCRETOS
No caso de componentes discretos, pode-se medir o sinal em
qualquer componente individual do circuito. No caso de um equipa-
mento integrado cada circuito integrado , em si, um circuito completo,
que pode possuir inmeros transistores, diodos, resistores, etc. e no
temos, em princpio, acesso a esses componentes. H, portanto, neces-
sidade de analisar o circuito integrado como um todo, interessando
apenas o seu comportamento externo. Em outras palavras, deve-se
verificar se o circuito integrado est alimentado corretamente - tenso
de alimentao dentro dos valores especificados - e verificar se o
sinal de entrada est correto (nvel e forma de onda); se isso est cor-
reto ento, na sada do circuito integrado, deve existir o sinal previsto
pelo fabricante do equipamento. Caso o sinal na sada esteja incor-

reto no significa, necessariamente, que seja devido ao circuito inte-
grado, podendo o problema ser provocado por um dos componentes
a ele associados. A Fig. 6.1 ilustra esse fato.
eo
Figura 6. Um amplificador operacional com componentes externos associados

ao mesmo
No circuito da Fig. 6.1, se o sinal e est correto, e se Vcc est

j
correto pode ser que o sinal eo esteja incorreto no por causa do cir-
cuito integrado em si, mas de algum componente da estrutura de
realimentao.
6.3. DIFERENAS ESSENCIAIS ENTRE A MANUTENO DE

EQUIPAMENTOS ANALGICOS E EQUIPAMENTOS
DIGITAIS
Recordemos aqui o tipo de procedimento e equipamentos utili-
zados na manuteno de equipamentos analgicos. Nesses equipa-
mentos, estamos interessados que valores e formas de ondas corretos
estejam presentes em cada ponto especfico do circuito. Por exemplo,
tratando-se de um amplificador de udio sabemos que, para o seu
teste, devemos injetar um sinal de udio, e verificar, na forma de onda
de sada, a amplitude, a distoro, etc. Dai serem necessrios geradores,
voltmetros, osciloscpios, distormetros, etc. Evidentemente, para
alguns aparelhos simples, s vezes um simples multiteste permite, a
um tcnico experimentado, a identificao da causa da falha e o seu
devido reparo. Outras vezes, a manuteno de complexos equipamentos
analgicos exige equipamentos mais refinados.
Por exemplo, a manuteno, com respectiva calibrao, de alguns
estgios de um receptor colorido de televiso exige, alm da expe-
rincia do tcnico, o uso de equipamentos especiais. Mas, fundamental-
mente, se est medindo valores de tenses, correntes, verificando formas
de onda, freqncias, ete.
Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados 123
No caso da manuteno de equipamentos digitais, por exemplo,

um minicomputador, o caso muda radicalmente de figura. Em V
lugar no estamos interessados, em princpio, no valor exato de um
pulso que vai comandar um determinado gate. No campo digital esta-
mos lidando com valores de tenso acima de um determinado nvel
chamado limite superior (high threshold) e abaixo de um outro nvel,
chamado limite injerior (low threshold). Qualquer valor de tenso acima
do limite superior dito estar no estado 1 (estado alto - high state)
e qualquer valor de tenso abaixo do limite inferior dito estar no
estado O (estado baixo - low state). A Fig. 6.2 ilustra essa explanao,
para o caso da lgica TTV*).
ESTADO
ALTO
t LIMITE SUPE laR
_____ 2,4V
LIMITE INF RIOR

________ O,4V
Figura 6.2 Ilustrao dos limites superior e inferior
Portanto mesmo que essa forma de onda seja observada em um

osciloscpio no obtemos muitas informaes adicionais, pois basta
apenas saber se o valor de tenso est acima do limite superior, abaixo
do limite superior, ou entre.esses dois limites. Por exemplo, para o
comportamento do gate alimentado por esse gate indiferente se o
valor da tenso 0,2 V ou 0,3 V pois, em ambos os casos, o gate se-
guinte se comporta como tendo um estado baixo na sua entrada.
Alm disso, geralmente estamos interessados na existncia "simul-
tnea" de pulsos em determinadas entradas. Ou seja o momento da
ocorrncia de um pulso, em relao a outros, importantssimo para
o funcionamento de um circuito digital.
Portanto temos que saber como os valores de tenso se comparam
com os valores limites e tambm ter idia dos tempos de ocorrncia
dos pulsos.
Obviamente, o uso de equipamentos comuns como osciloscpios,
voltmetros, etc. seria bastante neficiente para a pesquisa da falha
<*)Todas as noes bsicas relativas manuteno de equipamentos digitais foram

extradas da excelente publicao "Techniques of Digital Troubleshooting-Application
Note, AN 163-1" da Hew!ett Packard, com permisso da mesma
de um equipamento contendo, s vezes, centenas de gates, flip-flops,

memrias, etc.
razovel ento que se desenvolvam equipamentos auxiliares
para a manuteno de equipamentos digitais. Essas ferramentas so to
importantes, e os mtodos de trabalho to diferentes dos mtodos nor-
mais de manuteno de equipamentos analgicos que resolvemos, com
a devida autorizao da Hewlett Packard, apresentar um resumo de sua
Nota de Aplicao AN 163-1 dando detalhes da manuteno de equi-
pamentos digitais, usando as ferramentas especiais por ela desenvolvidas.
6.4. TCNICAS MODERNAS PARA A MANUTENO DE

EQUIPAMENTOS DIGITAIS
Acabamos de verificar a necessidade de novos mtodos e novos
equipamentos para a manuteno eficiente de equipamentos digitais.
Vimos que no estamos interessados no valor exato de tenses
e formas de onda, mas sim com o fato do valor dessa tenso ser acima,
abaixo. ou entre nveis limites especificados. caracterizando os nveis
digitais 1 e O.
Com um pouco de raciocnio podemos ilustrar os tipos de equi-
pamentos que seriam interessantes para a manuteno de equipa-
mentos digitais.
Inicialmente, claro que devemos ter um dispositivo que permita
injetar um pulso em um dado terminal de um circuito integrado, e
esse "pulsador" deve ler capacidade de corrente para alterar momen-
taneamente o estado de um terminal, isto , lev-Io do nvel "I" para
o nvel "O" e vice-versa.
Tambm evidente a necessidade de um dispositivo correspon-
dente para verificar um terminal de um circuito integrado, e na reali-
dade esse dispositivo no precisa medir a tenso mas apenas indicar
se o seu valor inferior ao limite inferior, superior ao limite superior
ou se est entre esses dois nveis.
Consideremos um circuito integrado dual-em-linha com 16 ter-
minais. Geralmente, quando entra um pulso em uma determinada
entrada estamos interessados em saber o que ocorre com vrios ter-
minais simultaneamente. Da ser tambm importante haver um outro
dispositivo que permita saber simultaneamente o estado de cada termi-
nal do circuito integrado.
Finalmente, um quarto dispositivo pode ter valor inestimvel no
teste de um circuito integrado especfico. Suponhamos, por exemplo,
que estejamos em dvida sobre o comportamento de um determinado
circuito integrado. A idia ter um dispositivo que permita fazer
uma comparao entre o circuito integrado existente no circuito e
um circuito integrado idntico ou equivalente; ou seja, o dispositivo
deve permitir ligar um circuito integrado de referncia de modo que

o pulso na entrada no circuito integrado suposto defeituoso seja
tambm aplicado no circuito integrado de referncia. Alm disso o
dispositivo deve permitir a comparao dos sinais nos terminais do
circuito integrado suposto defeituoso, com o circuito integrado de
referncia, estabelecendo-se qualquer discrepncia entre os valores,
podendo-se ento constatar o funcionamento anormal do circuito
integrado em questo.
Com essas consideraes em vista, podemos entender o lana-
mento, no mercado, de dispositivos especiais para a manuteno de
equipamentos digitais, dos quais so exemplos tpicos os seguintes
dispositivos da Hewlett Packard.
Pulsador lgico (logic pulser) HP 10 526T

Ponta de prova lgica (logic probei HP 10 525T
Garra lgica iloqic clip) HP 10 528A
Comparador lgico (logic comparator) HP 10529A
6.4.1. Pulsador lgico HP 10 526T
o pulsador lgico HP 10526T consiste, essencialmente, num

gerador de pulsos individuais isinqle-shot qenerators com grande capa-
cidade de corrente (0,65 A) de forma a poder sobrepujar o estado O
ou 1 de qualquer terminal; isto , mesmo que um terminal de um
circuito integrado esteja no estado O possvel lev-Io, momentanea-
mente, para o estado 1 pela aplicao do pulso proveniente do pul-
sador lgico.
O pulsador tem uma forma extremamente simples de usar, com
a alimentao (5 V 10% a 25 mA) sendo fornecida por um conector
tipo BNC.
. Quando a ponta do pulsador lgico tocada no terminal de um
circuito integrado e uma pequena chave existente no corpo do pulsador
acionada, um pulso injetado no terminal do circuito integrado.
Esse pulsador HP 10 526T , basicamente, destinado ao teste de cir-
cuitos integrados TIL e DTL.
6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10 525T
A ponta de prova lgica se destina, conforme mencionamos, a

indicar o estado de um terminal, tocado pela ponta. Da mesma forma
que no pulsador, um conector BNC utilizado para alimentar o cir-
cuito da ponta de prova. A ponta ento encostada no terminal a ser
verificado.
deve permitir ligar um circuito integrado de referncia de modo que

o pulso na entrada no circuito integrado suposto defeituoso seja
tambm aplicado no circuito integrado de referncia. Alm disso o
dispositivo deve permitir a comparao dos sinais nos terminais do
circuito integrado suposto defeituoso, com o circuito integrado de
referncia, estabelecendo-se qualquer discrepncia entre os valores,
podendo-se ento constatar o funcionamento anormal do circuito
integrado em questo.
Com essas consideraes em vista, podemos entender o lana-
mento, no mercado, de dispositivos especiais para a manuteno de
equipamentos digitais, dos quais so exemplos tpicos os seguintes
dispositivos da Hewlett Packard.
Pulsador lgico (logic pulser) HP 10 526T

Ponta de prova lgica iloqic probe) HP 10 525T
Garra lgica (logic clip) HP 10 528A
Comparador lgico (logic comparatori HP 10 529A
6.4.1. Pulsador lgico HP 10 526T
o pulsador lgico HP 10526T consiste, essencialmente, num

gerador de pulsos individuais isinqle-shot qeneratori com grande capa-
cidade de corrente (0,65 A) de forma a poder sobrepujar o estado O
ou 1 de qualquer terminal; isto , mesmo que um terminal de um
circuito integrado esteja no estado O possvel lev-lo, momentanea-
mente, para o estado 1 pela aplicao do pulso proveniente do pul-
sador lgico.
O pulsador tem uma forma extremamente simples de usar, com
a alimentao (5 V 10% a 25 mA) sendo fornecida por um conector
tipo BNC.
. Quando a ponta do pulsador lgico tacada no terminal de um
circuito integrado e uma pequena chave existente no corpo do pulsador
acionada, um pulso injetado no terminal do circuito integrado.
Esse pulsador HP 10 526T , basicamente, destinado ao teste de cir-
cuitos integrados TTL e DTL.
6.4.2. Ponta de prova lgica HP 10525T
A ponta de prova lgica se destina, conforme mencionamos, a

indicar o estado de um terminal, tocado pela ponta. Da mesma forma
que no pulsador, um conector BNC utilizado para alimentar o cir-
cuito da ponta de prova. A ponta ento encostada no terminal a ser
verificado.
Na ponta de prova, h uma regio translcida branca, junto da

ponta, que iluminada de trs modos:
a) ponta fortemente iluminada - indica que o terminal do circuito
integrado no qual a ponta est tocando est no nvel alto (1);
b) ponta fracamente iluminada - indica que o terminal do circuito
integrado no qual a ponta est tocando est aberto, ou est com uma
tenso no definida entre os nveis limites (nem no nvel 1 nem no
nvel O);
c) ponta apagada - indica que o terminal do circuito integrado,
no qual a ponta est tocando, est no nvel baixo (O).
A ponta de prova HP 10 525T destinada ao teste de circuitos
integrados das famlias TTL e DTL(*l.
6.4.3. Garra lgica HP 10 528A

A garra lgica HP 10528A, apresentada em tamanho maior na
Fig. 6.3, se presta para indicar, simultaneamente, o estado de todos
os terminais de um circuito integrado dual-em-linha de 14 ou 16 pinos.
A garra lgica colocada sobre o circuito dual-em-linha, como
um pregador, com suas garras fazendo presso nos terminais do cir-
cuito integrado.
Os 16 diodos emissores de luz, existentes na parte superior da
garra, indicam o estado do terminal do circuito integrado correspon-
dente. A garra lgica HP 10 528A tem apenas um nvel limite; quando
a tenso no terminal do circuito integrado excede esse nvel o diodo
emissor de luz correspondente acende; quando a tenso no terminal
do circuito integrado est abaixo desse limite, o diodo emissor de luz
correspondente fica apagado. O nvel de disparo o correspondente
s linhas TIL e DTL (1,4 0,6 V).
Um exemplo da extraordinria aplicao da garra lgica o
teste de uma dcada, a qual para ser devidamente testada, devem ser
observados um sinal de entrada e quatro sinais de sada, simultanea-
mente. Com o logic clip e o logic pulser isso extremamente simples.
Coloca-se o clip sobre o circuito integrado em questo e injeta-se os
pulsos na entrada do circuito integrado observando-se no logic clip
as mudanas simultneas de todos os 4 [lip-flops.
6.4.4. Comparador lgico HP 10 529A

No cornparador lgico, o sinal de teste estimula, simultaneamente,
o circuito integrado em teste e um circuito integrado de referncia.
1*Para a famlia ECL usar a ponta de prova HP 10 525E. (ECL logic probe). Para
outras linhas inclusive circuitos com componentes discretos e circuitos lgicos com
rels, usar a prova HP 10525H (high levei logic probe)
Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados' 127
[@P.]I
'O&Z8A
LOGIC CLIP
_\. ... T 011II. "0
Figura 6.3 Ilustrao da garra 16gica HP 10528A. Na parte superior esto os diodos
emissores de luz e na parte inferior a garra que faz contato com o circuito integrado
dual-em-linha. Cortesia da Hewlett-Packard
Todas as discrepncias, maiores que 200 ns, so indicadas. Um grupo

de circuitos integrados de referncia, j montados nas placas adequadas
para o comparador, pode ser obtido da HP ou ento, simplesmente,
as placas impressas para que o usurio coloque os circuitos integrados
de referncia, de seu interesse.
Apresentamos, a seguir, uma srie de fotografias cedidas gentil-
mente pela Hewlett Packard, ilustrando o uso desses dispositivos na
prtica.
O uso eficiente desses dispositivos d auxlio manuteno exige
alguma prtica e o tcnico tem que se familiarizar com os tipos de
defeitos apresentados por circuitos integrados, o que muito bem
tratado na Nota de Aplicao AN 163-1 "Troubleshooting Techniques"
da Hewlett Packard'?".
6.5. PRODUTOS QUMICOS UTILIZADOS NA MANUTENO

Com o desenvolvimento da indstria qumica muitos produtos
foram sendo lanados no mercado, que so extremamente importantes
<*>Sugerimosaos tcnicos interessados entrarem em contato com a Hewlett Packard
do Brasil Ind. e Com. Ltda. Rua Siqueira Campos, 53 - 4. andar Copa cabana - ZC-07
- 20000 Rio de Janeiro - RI. Rua Coronel Oscar Porto, 691 - So Paulo, Capital
Figura 6.4 Ilustrao do uso do pulsador lgico HP 10526T no teste de um equi-

pamento. Cortesia da Hewlen-Packard
para qualquer ncleo de manuteno. Esses produtos so destinados

limpeza, refrigerao de contatos, melhoria de contatos trmicos, etc.
Na Tab. 6.1, apresentamos alguns produtos usados na manuteno,
e como os mesmos esto disponveis em lojas especializadas de ele-
trnica, recomendamos enfaticamente o seu uso.
Tabela 6.1 Alguns produtos qumicos usados na manuteno
Nome Exemplos de nomes comerciais

Congeladores de contatos - Congelador de contatos
- Contact cooling
Limpadores de contatos eletrnicos - Limpador de contatos eletrnicos

LC-150 - Freon TF
- Contact cleaner coatinq lubricant
Lubrificante de uso geral - YD - 50
Silicone em spray - Silicone L-40
Graxa de silicone - Graxa de silicone
Figura 6.5 Ilustrao do uso simultneo do pulsador lgico HP 10526T (direita)

e da prova lgica HP 10525T (esquerda). Cortesia da Hewlett-Packard
Os congeladores de contatos, conforme o nome indca, servem

para o resfriamento brusco de um contato, transistor, solda, etc. e
so geralmente base do Freon 12.
Os limpadores de contatos eletrnicos so, normalmente, base
de Freon TF mas devemos atentar que quando o Freon TF puro,
o produto excepcional para a limpeza, praticamente inerte, e no
ataca nenhum dos componentes eletrnicos. Alguns limpadores de
contato possuem, entretanto, certos lubrificantes, no totalmente inertes
como o Freon TF. necessrio bastante cuidado para no destruir
um equipamento. nspcrgiudo. inadvertidamente, um produto que, por
exemplo, ataca o verniz das bobinas. Em princpio sugerimos usar o
Freon TF para a limpeza em geral.
Quando se trata entretanto de uma limpeza simples de um
contato, pode ser utilizado um limpador de contatos contendo lubri-
Figura 6.6 Ilustrao do uso do comparador HP 10529A. Observe sobre a mesa

duas placas contendo circuitos integrados de referncia. para serem comparados
com os circuitos integrados do equipamento. Cortesia da Hewlett-Packard
ficante como o caso do contact cleanerlcoatinqjlubrificant da Philips.

O YD-50 um lubrificante em spray de uso geral.
O silicone em spray serve para a lubrificao de certas peas
sensveis e a graxa de silicone bastante utilizada na montagem de
transistores de potncia, para diminuir a resistncia de contato entre
a base de montagem do transistor e o dissipador de calor.
6.6.. CALIBRAO E AFERIO DE EQUIPAMENTOS

ELETRNICOS
Deixamos para esta seo final essas noes sobre calibrao e
aferio que, normalmente, no so apresentadas com clareza, nas
escolas tcnicas, ocasionando muitas dvidas.
Antes, porm, procuraremos esclarecer, com um exemplo espe-
cfico, um comportamento muitas vezes por ns presenciado. Supo-
nhamos que, para um dado equipamento, seja necessria a utilizao
de uma resistncia de 10 Q 1 %. Temos verificado que, muitas vezes,
so apanhados vrios componentes iguais, que so "selecionados"

utilizando-se um dado equipamento, por exemplo, uma ponte de
resistncias. Neste ponto devemos observar que no ser possvel
garantir o valor medido, a menos que a ponte utilizada possua uma
preciso compatvel com a medida a ser feita. Lembremos, portanto,
que cada equipamento de medida apresenta uma determinada preciso
e, para termos certeza de que a preciso do equipamento est dentro
dos valores especificados, h a necessidade de utilizar padres cujas
precises estejam asseguradas intrinsecamente, ou que so comparados
com outros padres mais precisos.
Da falarmos em padres secundrios, primrios, etc.
Suponhamos, por exemplo, que, em um ncleo de manuteno,
seja necessrio calibrar a base de tempo de um osciloscpio. Na Fig. 6.7
apresentamos a cadeia de equipamentos que assegura que a calibrao
feita estar dentro de uma preciso especificada,
PADRO DE FREQNCIA
,
( PADRO DE CESIO)
I
CONTADOR ELETRONICO
DE
ALTA PRECISAO
Figura 6.7 Calibrao da base de tempo
de um oscilosc6pio I
GERADOR DE MARCAS
DE TEMPO
I
,
OSCILOSCOPIO A SER
CALIBRADO ( BASE DE
TEMPO)
A base de tempo do osciloscpio calibrada utilizando-se um

gerador de marca de tempos (time-mark generator) que nada mais
que um gerador de pulsos estreitos, com perodo selecionvel no seu
painel frontal. Esse time-mark qenerator geralmente calibrado usando
um contador de alta preciso, que permite verificar o nmero de pulsos
em certo intervalo de tempo, isto , a preciso das "marcas de tempo".
Por sua vez, para saber se o contador utilizado apresenta uma preciso,
por exemplo, adequada para a calibrao do time-mark generator,
temos que recorrer a um padro de csio que consiste num ressonador
atmico (utilizando uma transio hiperfina do csio 133) para esta-
bilizar a freqncia de sada de um oscilador de quartzo de alta quali-

dade. O ponto importante que essa transio atmica altamente
independente de fatores externos, possibilitando preciso da ordem
de I parte em 1011, para o padro de freqncia.
Esse equipamento que gera pulsos de extrema estabilidade e com
excepcional preciso de freqncia (1/1011 partes) , ento, utilizado
para verificar o estado do contador de alta preciso, anteriormente
mencionado.
Verificamos, nesse exemplo, apenas o caso de freqncia e, obvia-
mente, o leitor deve imaginar que existem cadeias anlogas para
assegurar a medio de tenses contnuas, alternadas, resistncias, etc.
Evidentemente, os centros de manuteno no podem ter todos
os equipamentos necessrios e, geralmente, so poucos os centros
que possuem os padres primrios, que geralmente pertencem a orga-
nizaes governamentais que prestam o servio de calibrao e aferio
dos padres secundrios a serem utilizados pelos ncleos de manuteno.
Como exemplo de Laboratrio de aferio e calibrao podemos
citar o existente no Parque de Eletrnica da Aeronutica do Rio de
Janeiro':" que possui vrias cadeias de calibrao e aferio, possuindo
padres que so levados periodicamente, USAF, para comparao
com os da mesma, que por sua vez esto intimamente interligados com
o National Bureau of Standards (NBS) dos EUA.
A razo de introduzirmos este breve estudo alertar o leitor que,
para lidar com equipamentos de alta preciso necessrio ter meios
reais de calibrar ou aferir estes equipamentos.
Por exemplo, a calibrao de um voltmetro digital com preciso
de 0,0001 % exige equipamentos normalmente no disponveis em
ncleos de manuteno precariamente estabelecidos. Portanto, lem-
bremos sempre que, para que seja garantida a calibrao de um detere
minado equipamento, necessrio estarmos seguros de que o equipa-
mento utilizado na medida esteja devidamente calibrado ou aferido,
e possua a sensibilidade adequada para garantir o teste.
(*)Rua General Gurjo, 4 - Caju - ZC-08 - 20000 Rio de Janeiro - RJ

APNDICE A
NOES SOBRE LGEBRA DE BOOLE

Neste apndice apresentamos uma breve introduo ao estudo
da lgebra de Boole, de modo que os leitores, no familiarizados com
a mesma, tenham acesso imediato s principais informaes que sero
teis para a compreenso dos Caps. :I e 4.
A I. SINAIS BINRIOS
Entendemos por sinais binrios aqueles que podem assumir apenas
dois valores distintos. Par exemplo, consideremos os contatos de uma
chave, conforme indicado na Fig. AI.
Nc c
x=o
x = I
..-_.,..------ ~ / / /
Figura A1 Contatos de uma cha- Figura A2 O transistor estar cortado

ve; Quando x = O os contatos esto ou saturado. dependendo do nivel do
abertos e quando x = 1 os contatos sinal de entrada
esto fechados
Chamando de x a varivel que representa o "estado" dos contatos

da chave, podemos atribuir a x o valor de "O", quando a chave est
aberta, e o valor "I", quando a chave est fechada; dessa forma, a
varivel x representa um sinal binrio podendo apenas assumir os
valores "O" e "1".
Um outro exemplo esclarecer melhor o conceito de sinal binrio;
consideremos um transistor, como indicado na Fig. A2, o qual estar
cartado ou saturado dependendo do nvel do sinal de entrada.
Digamos que a mxima tenso de saturao do transistor seja
0,4 V e que a tenso entre o coletar e o emissor (VCE)' quando o tran-
sistor est cortado, seja sempre maior que 5,5 V. Portanto, a tenso
APNDICE A
NOES SOBRE LGEBRA DE BOO-t:E

Neste apndice apresentamos uma breve introduo ao estudo
da lgebra de Boole, de modo que os leitores, no familiarizados com
a mesma, tenham acesso imediato s principais informaes que sero
teis para a compreenso dos Caps. 3 e 4.
AI. SINAIS BINRIOS

Entendemos por sinais binrios aqueles que podem assumir apenas
dois valores distintos. Por exemplo, consideremos os contatos de uma
chave, conforme indicado na Fig. AI.
Vcc
x=o
Figura A1 Contatos de uma cha- Figura A2 O transistor estar cortado

ve; quando x = O os contatos esto ou saturado, dependendo do nvel do
abertos e quando x = 1 os contatos sinal de entrada
esto fechados
Chamando de x a varivel que representa o "estado" dos contatos

da chave, podemos atribuir a x o valor de "O", quando a chave est
aberta, e o valor "1", quando a chave est fechada; dessa forma, a
varivel x representa um sinal binrio podendo apenas assumir os
valores "O" e "1".
Um outro exemplo esclarecer melhor o conceito de sinal binrio;
consideremos um transistor, como indicado na Fig. A2, o qual estar
cortado ou saturado dependendo do nvel do sinal de entrada.
Digamos que a mxima tenso de saturao do transistor seja
0,4 V e que a tenso entre o coletor e o emissor (VCE)' quando o tran-
sistor est cortado, seja sempre maior que 5,5 V. Portanto, a tenso
de sada eo' pode ser considerada apenas em funo dos limites 0,4 V
e 5,5 V, conforme ilustrado na Fig. A3.
Se chamarmos de x uma varivel que represente "digitalmente" o
estado da tenso eo podemos arbitrariamente dizer que, para eo < 0,4 V,
a varivel x est no estado "O" e que, para eo > 5,5 V, a varivel x est
no estado "1". Note que o "O" e "1" digitais no tm, realmente, uma
correspondncia direta com a tenso, isto , o "O" digital no representa
zero volt mas apenas um dos estados da varivel digital x.
tleo>5,5V
0,4 V
1 '0 (0,4 V
Figura A3 Identificao da tenso e. com uma varivel digital x
A2. POSTULADOS DA LGEBRA DE BOOLE

Conforme verificamos anteriormente, os dois smbolos normal-
mente utilizados para representar os dois estados de uma varivel binria
so o "O" e o "1".
Chamando de x uma varivel binria, podemos apresentar os
seguintes postulados relativos a essa varivel.
a) Se x #; 1, ento x = O; se x #; O ento x = 1.
Esse um postulado bvio pois como x s pode assumir os valores
O e 1 evidente que se x for diferente de 1 ter que ser igual a O, e
vice-versa,
b) Se x = 0, ento x' = 1; se x = 1 ento x' = O.
Para ns x' representa o "complemento", ou a negativa lgica da
varivel x e, portanto, lgico que se x = 0, x' = 1e, vice-versa, se
x = 1, x' = O.
Para -apresentar os outros postulados necessrio definir duas
operaes lgicas importantes. Consideremos a Fig, A4, onde os con-
tatos x 1 e x2 de uma chave esto ligados em srie.
claro que para existir continuidade no circuito, isto , para a
varivel Xo (total) ser igual a 1 (digital) necessrio que ambos x 1 e x2
sejam iguais a 1, ou seja, que ambos os contatos estejam fechados.
Apndice A 135
Tabela A1 Comportamento de 2 con-

tatos, ligados em srie
XI X2 Xo
~,-------~~------~~ O
O
O
I
O
O
Xo
I O O
Figura A4 Contatos de uma cha-
ve, ligados em srie I I I
evidente que a seguinte tabela pode ser construda observando-se

a Fig. A4.
Como essa tabela idntica tabela que representa a multipli-
cao de XI e x2 resolveu-se adotar o sinal (-) para representar a
operao entre Xl e x2 que forneceu a varivel xo' isto ,
Xo = xJ . x2
Em termos digitais diramos que Xo ser a varivel de sada de
um circuito porta (gate), tipo E (ANO), cujas entradas so Xl e x2'
conforme representado na Fig. A5.
XI x2
..--,,/ ..-"'....... ~Xo= xI x2
Xo
Figura A5 Definio da multiplicao lgica x. = x I . X l' Apenas quando x I =
= x, = 1, x. ser igual a 1
Analogamente, para dois contatos em paralelo teramos a repre-

sentao esquematizada na Fig. A6, onde definimos o circuito porta
tipo OU (OR).
Devemos observar que os sinais (-) e (+) no significam simples
smbolos numricos como no caso algbrico comum mas smbolos
que representam as funes E e OU respectivamente.
xI
Xo
Figura A6 Definio da soma lgica x. = x I + X ,; basta que x J ou X 1 seja igual
a 1, para que a sada x. seja tambm igual a 1
Podemos agora apresentar os outros postulados da lgebra de

Boole.
c) O' O = O,
d) 11 = 1,
e) 1 O = O' 1 = O.
Para ilustrar que esses postulados so verdadeiros podemos pensar
em termos de contatos de chaves. Por exemplo O O significa dois o
contatos abertos em srie, o que sem sombra de dvidas implica que

no haver continuidade e, conseqentemente, O 0= O. A Fig. A7 o
ilustra os postulados c, d e e, em termos de contatos de chaves.

c) --../
o -.-/
o _ -Y.__
d)~
Figura A7 Visualizao por meio de chaves dos postulados c, d e e
Note que na figura estamos usando o smbolo (==) para indicar

equivalncia entre os membros situados esquerda e direita desse
smbolo.
Os postulados correspondentes, para o caso da soma lgica,
seriam os seguintes:
c') 1+ 1 = 1,
d) O + O = O,
i) O + 1 = 1 + O = 1.
A Fig. A8 ilustra, em termos de chaves, que esses postulados so
verdadeiros.
c' ) --o- - -------

I
d' ) -GY- -
o
---../0_-
e') -O- -~- I

I
.--c.....-
Figura A8 Visualizao, por meio de chaves, dos postulados c', d' e e'
Apndice A 137
Um erro muito comum a identificao dos sinais + e O como

se fossem sinais algbricos comuns; de imediato vemos que isso
falso pois na lgebra de boole 1 + 1 = 1, enquanto que na lgebra
convencional 1 + 1 = 2.
A3. TEOREMAS DA LGEBRA DE BOOLE
A3.!. Teoremas envolvendo apenas uma varivel

Chamando de x a varivel digital em questo, os seguintes teoremas
so verdadeiros:
a) x + O = x x1 = x
x + 1= 1 X'O = O
x+x=x x'x = x
(x)' = x
x + x' = 1 x x'
i = O
Vamos deixar a cargo do leitor verificar, considerando contatos
de chaves, que todos esses teoremas so verdadeiros, limitando-nos a
apresentar apenas um caso como exemplo. Por exemplo, consideremos
o teorema que diz que x : x = x.
Ora, x s pode assumir os valores O e 1 e, em termos de chaves,
x . x significa dois contatos 110 mesmo estado em srie, conforme ilus-
trado na Fig. A9.
- 0./
---"'- ~--
Figura A9
~---- I I
~
I
Visualizar;:o por meio de chaves, do teorema x x =x
Ou seja, dois contatos iguais abertos, em srie, equivalem a um

nico contato aberto, e, reciprocamente, dois contatos iguais fechados,
em srie, equivalem a um nico contato fechado (x x = x).
A3.2. Teoremas envolvendo 2 ou mais variveis

Chamando x, y e z variveis digitais, os seguintes teoremas so
verdadeiros:
x + Y = v + x,
x + xy = x,
~+~+z=x+~+~=x+y+~
xy + xz = x (y + z).
(x + y) (x' + z) = xz + x'y.
Para ilustrar um exemplo, consideremos x + xy; como tanto x

como y podem assumir os valores O e 1 podemos construir uma tabela
que mostra que x + xy = x.
Tabela A2 Verificao do teorema x + xy = x;
observe Que a primeira e a ltima colunas so
iguais
x y xy x+xy
,- _., ~~:
,O O O
:0: , O 'O
, ,
,I, O O : I'
I
: I: I I : I I
L_ '-_J
Verificao semelhante pode ser feita para cada um dos casos

indicados.
A3.3. Teoremas envolvendo 11 variveis
Nesse caso vamos apresentar apenas o famoso teorema de De
Morgan; sejam XI' x2, .. XII' 11 variveis digitais; esse teorema esta-
belece que
(XI + x2 + xJ = X'I X2 . --~---- \" . . Ir ~
(XI x2 XII)' = X'I + x~ + ------- + x~'

Ou seja, o complemento de uma soma lgica igual ao produto
lgico dos complementos e, reciprocamente, o complemento de um
produto lgico igual soma lgica dos complementos.
Exemplifiquemos esse teorema para o caso de duas variveis XI
e x2 A Tab, A3 auto-explicativa e mostra que (XI + xJ = X'I . x~
e que (XI' xzl' = X'I + X~
Tabela A3 Verificao do teorema de De Morgan para o caso de apenas duas
variveis
x, x. x; x., XI . '1.
2 ,
x' + x'
r-o,
. Xi "2 Xi' Jl2
(x a)'
,-- -.
I 2
(xi" x2)
,
O O I I O , I
[
,
, O ri'i ;~l I
[ [ [
I I
I I I
,
O I I O I
I
,
I I
I
I O I
[O
:
I
[ O
I
I
I
I
I
, I
I
, ,
I
, I
I! ' ,
I
[ I I
I O O I I i I I
O 101 101
I
I I
I
I I I
I
I I O O I 10
I
L_J
[
[
[ [O
I
L _ .J
I
I
: O : 10:
[
L _
,
J
L_ J
Apndice A 139
A4. RESUMO DOS POSTULADOS E TEOREMAS DA LGEBRA

DE BOOLE
Para facilitar a utilizao das noes contidas neste apndice,
apresentamos a seguir um resumo dos postulados e teoremas relativos
lgebra de Boole, numerados para facilitar a referncia feita no Capo 4.
Tabela A4 Postulados e teoremas da lgebra de Boole
POSTULADOS
Pl Se x # 1, ento x = O; se x # O, ento x = 1
P2 Se x = O, ento x' = 1; se x = 1, ento x' = O
P3 00 = O e, dualmente,l + 1 = 1
P4 1 . 1 = I e, dualmente, O + O == O
P5 I . O = O I = O e, dualmente, O + 1 = 1 + O = 1
TEOREMAS
TI x + O = x e, dualmente, x 1 = x
T2 x + 1 = I e, dualmente, X O = O
T3 x + x = x e, dualmente, x x = x
T4 x + x' = I e, dualmente, X x' = O
T5 (x')' = x
T6 x+y=y+x
T7 x + xy = x
T8 (x + y) + z = x + (y + z) = x +y +z
T9 xy+xz=x(y+z)
TIO (x + y)(x' + z) = xz + x'y
TEOREMA DE De MORGAN
TIl (x, + x2 + + xJ = x~ . x'2 . xn
e dualmente,
(x. . x2 xJ = x~ + x~ + + x~
APNDICE B
FABRICAO DE CIRCUITOS IMPRESSOS PARA

EQUIPAMENTOS DE ENTRETLNIMENTO
Neste apndice procuramos explicar, em uma linguagem bastante
simples, a fabricao de um circuito impresso que, embora possa no
passar em um rigoroso teste de qualidade, para fins industriais, se
presta, excepcionalmente bem, para a montagem de circuitos como
hobby.
B1. FINALIDADE DE UM CIRCUITO IMPRESSO

A finalidade de um circuito impresso a substituio das ligaes
entre componentes, anteriormente feita por meio de fios, por conexes
metlicas (cobre) suportadas em uma chapa isolante (fenolite ou fibra
de vidro). Caso o leitor nunca tenha visto um circuito impresso, suge-
rimos retirar a tampa de seu rdio de pilha e ver como o mesmo se
apresenta.
B2. MATERIAIS UTILIZADOS

Basicamente, so utilizadas a fenolite e a fibra de vidro, na fabri-
cao de circuitos impressos, e a qualidade superior da fibra de vidro,
principalmente com relao sua baixa absoro de umidade justifica
o seu emprego, quase que exclusivo, nos circuitos industriais. Mas o
leitor poder encontrar ainda alguns equipamentos que, por uma
questo de preo, ainda utilizam a fenolite.
No processo de fabricao das placas para a produo de circuitos
impressos, faz-se uma prensagem, a quente, do material base (resina
fenlica ou fibra de vidro impregnada) com cobre laminado, obten-
do-se uma placa de fenolite ou fibra recoberta com uma fina camada
de cobre, chamada de Ia minado recoherto de cobre tcopper-clad
lamiuates. Dois tipos de placas so normalmente fabricados, a simples
e a dupla, referindo-se s chapas que tm cobre de um lado s e de
dois lados. A Fig. Bl ilustra os dois tipos de placas utilizadas.
I FIBRA DE VIDRO 1"-- COBRE ~ I FIBRA OE VIDRO j

(a ) ( b )
Figura B1 (a) Chapa de fibra de vidro com cobertura simples de cobre; (b) Chapa
de fibra de vidro com cobertura dupla de cobre
Apndice B 141
B3. ETAPAS DA PRODUO DE UM CIRCUITO IMPRESSO

Dado O "esquema" de um circuito, as etapas abordadas a seguir
so necessrias para a fabricao de um circuito impresso.
B3.1. Estudo da "distribuio dos componentes" na chapa impressa

("layoll r")
Nessa etapa, de posse das dimenses de todos os componentes

a serem utilizados e tendo em vista o esquema do circuito, procura-se
a distribuio adequada dos componentes que permita, em princpio,
a ligao completa dos mesmos por meio das linhas impressas.
Geralmente, o layout a que se chega no reproduz, no circuito
impresso, a forma do esquema do circuito, pois se assim procedssemos,
o circuito impresso ficaria muito grande. Essa etapa de projeto do
lavout pode ser bastante dificil, para circuitos complexos e, geralmente,
existem, nas fbricas, elementos especializados no projeto do lavout.
interessante observar que, exatamente para evitar essa tarefa,
que a maior parte das revistas tcnicas que apresentam novos cir-
cuitos para serem montados, geralmente apresentam o lavout do
circuito impresso.
Para a produo domstica de circuitos impressos esse lavout
feito diretamente com as dimenses reais da chapa impressa.
Em uma fbrica de circuitos impressos esse desenho (chamado
masteri , geralmente, feito em uma escala, com o dobro das dimenses
reais do circuito final. Posteriormente, na produo industrial, esse
desenho fotografado e automaticamente reduzido e, com o negativo
(e o positivo, conforme o tipo de produo industrial), so atacadas
as etapas seguintes.
B3.2. Preparao do laminado

Ao adquirirmos um pedao de laminado de fibra de vidro (ou
fenolite) recoberta com cobre verificamos que a superficie est escura,
pela formao de xido de cobre na superficie da placa. J de posse
do layout do circuito deve-se cortar a chapa com o tamanho necessrio
(deixando alguma folga), o que pode ser feito com uma pequena serra.
Em seguida, deve-se providenciar a limpeza da chapa j cortada
o que pode ser feito com o uso de "bornbril". Lembre que em uma
produo sria de circuitos impressos isto no permitido, sendo a
limpeza feita por meio de produtos qumicos, pois a esponja de ao
deixa muitas irregularidades na superfcie do cohrc: mas. como hobby,
no h nenhum inconveniente srio em us-!a.
Neste ponto a chapa est pronta para as prximas etapas do
processo.
B3.3. Transferncia do lavout para a chapa impressa

Uma vez pronta a chapa pode-se passar o desenho projetado
para a chapa de cobre. Sobre a face cobreada, coloca-se um carbono
e, sobre este, o desenho previsto para as linhas impressas, fazendo-se
a seguir a transferncia do desenho para o cobre.
B3.4. Proteo das ligaes de cobre
Como o cobre est sobre toda a superfcie da fibra, e queremos
o mesmo apenas nas linhas que correspondem ao layout, o que temos
a fazer retirar o cobre excedente.
Para isso vamos utilizar um produto qumico que ataca o cobre
nas regies indesejadas, e, portanto, necessrio proteger as ligaes
que queremos que fiquem impressas.
Para isso podemos usar uma fita isolante plstica, facilmente
encontrada no mercado. necessrio cortar tiras finas dessa fita o que
pode ser feito colando a fita sobre uma superfcie de vidro, por exemplo,
e, com uma lmina de barbear e uma rgua cortar as aludidas tiras,
que sero utilizadas posteriormente. Quando as linhas do circuito
forem curvas o leitor pode colar a fita plstica sobre um papel imper-
mevel transparente e com uma tesoura cortar as formas desejadas.
Na hora de colocar sobre o cobre, evidentemente, o papel impermevel
deve ser retirado.
oportuno salientar que muitas vezes o tcnico experimentado
no chega nem a fazer um desenho, isto , conhecendo as dimenses
dos componentes, vai colando diretamente a fita plstica na chapa.
B3.5. Banho de ataque (decapagem)
Dois produtos so utilizados para a corroso do cobre: o persulfato
de amnio e o percIoreto de ferro.
A seguir apresentamos os principais dados para a preparao
dessas solues.
B3.5.l. Preparao da soluo de persulfato de amnio - (NH4)2S2g
240 gramas de persulfato por litro de gua e
27 gramas de elo reto mercrico por litro de gua (HgCI2)
cloreto mercrico serve como catalisador para a reao entre o
persulfato de amnio e cobre, isto , para acelerar a reao. A dis-
soluo do persulfato de mercrio na gua pode ser facilmente feita
em torno de 60C, agitando-se continuamente.
B3.5.2. Preparao da soluo de percloreto de ferro - FeC13

Dissolve-se 450 g de percIoreto de ferro em um litro de gua,
agitando continuamente em torno de 60C.
Apndice B 143
o leitor deve, de imediato, notar que essas solues so corrosivas

e, por exemplo, o FeCl3 ataca o ferro, devendo-se portanto, ter cuidado
com os materiais usados para utilizao e armazenamento dessas
solues.
Aconselhamos o leitor a usar, para essas solues, cubas de PVC
ou ento um Pirex.
O persulfato de amnio s usado quando se quer uma definio
maior do circuito impresso e, por ser mais caro que o percloreto de
ferro, esse ltimo o mais popular produto para decapagem, usado
nas indstrias.
B4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

De posse da soluo preparada de percloreto de ferro e da chapa j
devidamente protegida pela fita, deve-se proceder da seguinte forma:
a) Escolha um local adequado para o trabalho. Lembremos que,
como resultado do ataque, so liberados gases nocivos sade. Deve-se
trabalhar em uma rea ventilada, e evitar respirar diretamente da
cuba utilizada.
b) Coloque a soluo em uma cuba de PVC (ou Pirex) e aquea
ligeiramente, para obter uma ao mais rpida. (Geralmente a faixa
de 25C a 60 C razovel; recomendamos a temperatura em torno
de 45C).
c) Coloque a chapa de fibra, j devidamente protegida pela fita
plstica, dentro da soluo de percloreto.
d) Com uma pina de madeira ou de ao inoxidvel (no use ferro,
cobre, etc.) mergulhe e retire a placa lentamente, mantendo uma certa
inclinao para o lquido escorrer. Repita essa operao tantas vezes
quantas forem necessrias para que todo o cobre seja retirado das
regies -no protegidas pela fita.
e) Quando todo o cobre for retirado, retire a placa da cuba e
lave-a cuidadosamente.
f) Retire as fitas plsticas.
g) Lave novamente, com cuidado, para retirar qualquer vestgio
da soluo corrosiva. A placa est, ento, pronta para ser furada.
h) Para a furao da placa use uma broca de 0,8 mm, ou mais,
conforme o terminal do componente a ser introduzido no furo. Depois
de toda furada a placa est pronta para ser montada.
BS. OBTENO DOS PRODUTOS NECESSRIOS NO

MERCADO
I. Chapa cobreada, com base fenlica ou de fibra de vidro. Vrias
lojas de eletrnica vendem pedaos dessas chapas que podero ser
adquiridos pelos leitores. Os fabricantes, geralmente, s aceitam enco-

mendas de vrias chapas inteiras, podendo se citar entre esses a Perstorp
Indstria de Plsticos S.A. e a Companhia Qumica Industrial de
Laminados.
Il. Fita isolante plstica, disponvel em qualquer loja de produtos
eltricos e eletrnicos.
III. Percloreto de ferro, persulfato de amnio, so produtos encon-
trados em qualquer grande loja de produtos qumicos.
IV. Cubas de PVC, disponveis em qualquer loja especializada
em produtos fotogrficos. Na falta dessas, usar pirex comum.
V. Mquina de furar. Evidentemente s se for necessrio produzir
muitas peas se tornar conveniente a compra de uma mquina de
furar. Mas, se for esse o caso, sugerimos uma mquina miniatura de
alta rotao, por exemplo 1 900 rpm.
B6. EXEMPLO CONCRETO DE UM CIRCUITO IMPRESSO

Como complemento, e para possibilitar ao leitor um treinamento
prtico, apresentamos a seguir um exemplo concreto da fabricao
de um circuito.
Evidentemente a primeira coisa que temos a considerar o esquema
eltrico do circuito em estudo. No nosso exemplo consideraremos um
amplificador de udio correspondente ao kit M-IOl. A Fig. B2 apre-
senta esse circuito, cuja montagem ser estudada com detalhes no
Apndice c.
+ 9V
R3
150Sl.
TAA 300
C6 +
6
[>
12.5)1 F
C3
2 25V
7 ;OO?
IO,~r ~
C2
680
10
C4
47nF
M
~8.n
PF
Figura 82 Esquema do circuito considerado. Trata-se de um amplificador de udio

de 1 W usando o circuito integrado TAA 300 (kit M-101 da 18RAPE)
A prxima etapa , conforme mencionamos, o estudo do lavout,

isto , da distribuio dos componentes na placa. A Fig. B3 ilustra
o layout a que se chegou.
Apndice B 145
H ,G - PARA FIXAO
Figura B3 Layout dos componentes do kit M-101 da IBRAPE. A posio dos

componentes est indicada com linhas tracejadas
Figura B4 Placa para montagem do amplificador da Fig. B2 j pronta para a

montagem
A seguir, o desenho das linhas transferido para a placa de fibra

de vidro (devidamente limpa e cortada conforme j foi explicado
anteriormente) e colocada a fita plstica sobre as linhas desenhadas
na placa. A placa est ento pronta para sofrer a decapagem com a
soluo de percloreto de ferro ou persulfato de amnio de acordo
com o processo anteriormente explicado. Aps a decapagem, retirada
da fita, limpeza e. furao, a placa apresenta o aspecto da Fig. B4
estando pronta para a montagem.
APNDICE C
DESCRIO DETALHADA DA MONTAGEM E TESTES DO KIT

M-IOl DA IBRAPEl*)
O diagrama do circuito eltrico do amplificador constitudo pelo
kit M-lOl, as especificaes tcnicas, e um estudo do circuito foram
apresentados no Capo 4.
Leia com ateno antes de iniciar a montagem. Identifique cada
um dos componentes mencionados. Verifique o valor de cada resistor
(consulte o cdigo de cores). Confira os componentes do conjunto
(consulte a lista de materiais).
Cl. CUIDADOS ESPECIAIS QUANTO S SOLDAGENS

- ateno que a presena de tenses na ponta do soldador pode
provocar a destruio do circuito integrado. Verifique se a ponta do
ferro de soldar est completamente isolada da rede eltrica (utilize
um pequeno provador neon em srie com a ponta do soldador). Em
caso de dvida, desligue o soldador (retirando o plugue da tomada)
no momento de efetuar qualquer soldagem nos terminais do circuito
integrado;
- utilize somente a solda fornecida com o kit M-I01;
- mantenha perfeitamente limpas as partes a serem soldadas e
a ponta do soldador;
- execute as soldagens com rapidez, utilizando a quantidade de
calor estritamente necessria. A dissipao do ferro de soldar no
deve ultrapassar 50 W;
- a ponta do soldador deve ser aplicada juno, do terminal
do componente, com a fiao impressa. Mantenha a ponta nessa
posio at que a solda aplicada junta - e no ponta do solda-
dor derreta e envolva a conexo;
utilize pouca solda - apenas o necessrio -;
no abale a conexo antes que a solda esfrie.
C2. OPERAES DE MONTAGEM

A posio de cada componente est indicada, mediante o smbolo
correspondente, na face isolante da placa. Consulte a Fig. B3, que
<'Dados publicados com a permisso da mesma

mostra a disposio correta de todas as peas. Todos os componentes

devem ser colocados sobre a face isolante. Os terminais devem atraves-
sar os respectivos orifcios, fazendo contato com a parte cobreada
na face oposta. Limpe e dobre, no comprimento adequado, os terminais
dos componentes, antes de inseri-Ios nos orifcios da placa de fiao
impressa. Aps a soldagem, corte o excesso do terminal, rente solda.
Efetue as operaes na seguinte ordem:
- coloque e solde os 6 terminais destinados s ligaes externas:

2 para entrada do sinal, 2 para sada e 2 para alimentao. Esses ter-
minais so introduzidos mediante presso. Cuidado para no rachar
a placa impressa;
- coloque e solde os resistores RI' R3 e R4;
- coloque e solde os capacitores eletrolticos Cl' C3, Cs' C6,
C7 e C8 Ateno nos valores e na polaridade. Os capacitores Cs' C7
e Cs devero ter a carcaa encostada chapa fenlica;
- coloque, e solde no seu lugar, o capacitor cermico C 2 de
680 pF, bem como o de polister C 4 de 47 /lF;
- coloque e solde o potencirnetro R2 (trimpot);
- coloque R2 na posio de resistncia mxima (pino de plstico
encostado no batente externo - veja a Fig. Cl), Essa precauo
indispensvel para evitar que o aparelho se danifique ao ser ligado
pela primeira vez;
Figura Cl Ilustrao do trimmer de

25 kn (R.)
- monte o circuito integrado (TAA 300), procedendo da seguinte

maneira:
a) verifique a disposio dos terminais (veja a Fig. C2);

b) corte o terminal n." 3 (no-utilizado);
c) una os terminais 1 elO;
d) disponha os terminais de acordo com a posio dos orifcios
correspondentes na placa impressa;
e) introduza os terminais nos orifcios correspondentes (a orien-
tao da lingeta do T AA 300 deve coincidir com a da seta impressa
na placa);
f) mantenha o corpo do T AA 300 paralelo placa impressa. As
pontas dos terminais no devero sobressair mais do que 2 mm da
face cobreada;
Apndice C 149
g) solde os terminais aos pontos correspondentes da fiao, sem

alterar a posio do componente. Lembre-se da recomendao inicial
quanto ao isolamento da ponta do soldador;
h) passe graxa de silicone (ou vaselina) na parte superior do
TAA 300;
i) introduza o dissipador trmico, que dever ficar firmemente
adaptado ao corpo do TAA 300. Para facilitar o encaixe, force ligeira-
mente o dissipador, com uma chave de fenda (Fig. C3);
j) verifique cuidadosamente toda a montagem.
~
co
{~~I~
l5.3m ~II_' _---'1-=<2l'--..m_\n __ .1
Figura C2 Invlucro do circuito integrado TAA 300
C3. AJUSTE DA POLARIZAO

Material necessrio
Fonte de alimentao (9 V CC); miliamperimetro CC; chave
interruptora; resistor de 47 n (1 W).
Oriente-se pela Fig. C4.
- ponha em "curto" os terminais A e B, interligando-os com
um pedao de fio de cobre nu;
ligue um alto-falante de 8 n aos terminais de sada (D e E);
ligue o plo negativo da fonte de alimentao ao terminal F;
MILlAMPERMETRO
CURTO -
CIRCUITO
OA C o+--c::::::lf-t-o +9V
C OB D<>+----,
E
____
F~It--II------~~
101-101 CON~UNTO ~
DE PILHAS J
OU FONTE
ee
figura C3 Artificio para colocao Figura C4 Esquema do circuito para

do dissipador de calor ajuste da polarizao
ligue o plo positivo da fonte ao terminal C, atravs do con-

junto formado pelo interruptor, pelo miliampermetro e pelo resistor
de 47 Q, ligados em srie (o interruptor deve estar aberto);
- feche o interruptor; decorridos dez segundos, observe a indi-
cao do miliampermetro; se a montagem estiver correta, a corrente
deve ser inferior a 8 mA;
- ajuste cuidadosamente RJ at obter uma leitura de 7,5 mA;
- ponha em "curto" o resistor de 47 Q ligado ao terminal C.
Se houver alterao de indicao do miliampermetro, retoque com
cuidado o ajuste de Rz at restabelecer a corrente de 7,5 mA;
ateno: mesmo durante os ajustes, o valor da corrente no pode
ultrapassar 8 mA, sob pena de avaria doTAA 300;
- retire o miliampermetro e o resistor de 47 Q, e desfaa a ligao
entre os terminais A e B. O amplificador est pronto para funcionar.
C4. INSTALAO E LIGAES EXTERNAS

- ligue uma cpsula de alta impedncia (cermica ou de cristal)
aos terminais A e B. Conforme ilustrado na Fig. CS, a malha de blin-
dagem do cabo ligada ao terminal A. O condutor interno ligado a
um resistor de 330 kQ, em srie com um potencimetro logartmico
de 500 kQ ou 1 MO. A extremidade livre do potencirnetro ligada
ao terminal A, e o cursor ao terminal B. Se, em lugar da cpsula, for
empregada uma fonte de sinal de baixa impedncia (4 a 16 Q), elimine
o resisto r de 330 kil e altere para 10 kQ ou 20 kil o valor do poten-
cirnetro ;
- ligue um alto-falante de 8 Q aos terminais D e E;
- ligue a fonte de alimentao conforme indicado na Fig. C5:
plo positivo ao terminal C e plo negativo ao terminal F. A tenso
de alimentao (9 V) pode ser fornecida por um conjunto de 6 pilhas
comuns de lanterna, ligadas em srie, ou por um eliminador de pilhas
(9 V, 150 mA). O valor da tenso de alimentao no pode ultrapassar
10 V, em circunstncia alguma, sob pena de imediata destruio do
aparelho;
AM PL.IFICADOR
CPSULA
~~OkA
DE CRIS]AL C
OU CERA_ A
loUCA D .-11---.,
E
U'--It--t-"B
F
OOOk n , L.OG.
OU
-9V
IM.o. - LOG.
Figura C5 Instalao e ligaes externas do amplificador

Apndice C 151
- para fixar o amplificador utilize os orifcios G e H. Cuidado

para que a fiao no faa contato com as partes metlicas. Coloque
espaadores nos parafusos de fixao.
CS. DIAGRAMA DO CIRCUITO ELTRICO INTERNO DO TAA

300
R8 ~ ~ ,, 4
6 I-.---.--+--~5
2
~--+-+~9
L-------~------------------------_4~--.8
10
Figura C6 Diagrama do circuito eltrico interno do TAA 300
C6. OBSERVAO IMPORTANTE

Tratando-se de um amplificador com circuito integrado, a apli-
cao de tenses indevidas a qualquer ponto do circuito pode provocar
a destruio de todas as junes internas. A ocorrncia de ligaes
erradas ou abertas, bem como de "curtos" entre os terminais de qualquer
componente ou entre partes de fiao, pode acarretar tenses capazes
de danificar, parcial ou totalmente, o aparelho.
APNDICE D
Nomes e endereos dos principais fabricantes de

circuitos integrados
AEG- Telefunken, D-71 Heilbronn, Postfach 1042, Alemanha Ocidental
Analog Devices, Route 1, Industrial Park, P. O. Box 280, Norwood,
Mass. 02062, EU A
Ferranti Ltd., Electronics Dept., Gem Mill, Chadderton, Oldham,
Lancashire, Inglaterra
Fairchild Semiconductor, 464 Ellis St. MS: 20-1066, Mountain View,
California 94040, EUA
General Electric Company - Syracuse - NY 13201, EUA
No Brasil: General Electric
Aplicaes Eletrnicas ARTIMAR LTDA.
Largo So Bento, 64 - Conj. 12516 - So Paulo
Harris Semiconductor, P. O. Box 883, Melbourne, Florida 32902, EUA
ITT Semiconductors, 3301 Electronics Way, West Piam Beach, Florida
33407, EUA -
Matsushita Electronics Corpo Semicon. Div., 1 Kotari-Yakemachi,
Nagaokakyo, Kyoto 716, Japo
Motorola Semiconductor Products, Inc., 5005 E. McDowell Rd.,
Phoenix, Arizona 85008
No Brasil: Motorola Semicondutores do Brasil S.A.
Av. Onze de Junho, 1005
Vila Clementino - CEP - 04041 - So Paulo
Telefone: 71-3185
Mullard Ltd., Mullard House, Torrington Place, Londres, WClE 7HD,
Inglaterra (under PHIN, Seco 14)
National Semiconductor, 2900 Semiconductor Drive, Santa Clara,
California 95051, EUA
N. V. Philips Gloeilampenfabrieken, Dept. Elcoma, T. C. Integrated
Circuits, Eindhoven, Holanda
N o Brasil: IBRAPE - Ind. Bras. de Produtos Eletrnicos e Eltricos S.A
Fbrica componentes: Rua Manoel Ramos Paiva, 506 -
. So Paulo
Escritrio: Av. Paulista, 2073 - 1.0 andar - Conjuntos
1/2 - So Paulo
Plessey Semiconductor, Cheney Manor, Swindon, Witshire, Inglaterra
RCA CqI:patation,Solid State Div., Route 202, Somerville, New Jersey
08876, EUA
Apndice D 153
No Brasil: RCA Telesistores S.A.

Av. Ipiranga, 1097 - So Paulo
R. T. C. La Radiotechnique-Compelec, 130, Avenue Ledru-Rollin
Raytheon Company, 350 Ellis Street, Mountain View, Califomia
94042, EUA
Silicon General, Inc., 7382 Bolsa Avenue, Westminister, California
92683, EUA
Signetics Corporation 811 East Arques' Ave., Sunnyvale, Califomia
94086, EUA
Siemens Aktiengesellschaft, Serniconductor Div., Balanstrasse 73, 8000
Munique 8, Alemanha
Siliconix, Inc., 2201 Laurelwood Rd., Santa Clara, California 95054,
EUA
Solitron Devices, Inc., 256 Oak Road, Tappan, New York 10983, EUA
Sprague Electric Company, North Adams, Massachusetts 01247, EUA
Thomson-CSF, Div. Semiconductors SESCOSEM, 101 Blvd. Murat,
75781-Paris Cedex 16, Frana
Texas Instruments, Inc., MS5, P. O. Box 5012, Dallas, Texas 75222, EUA
No Brasil: Texas Instrumentos Eletrnicos do Brasil Ltda.
Escritrio: Rua Joo Annes, 153 - Lapa - So Paulo
Tels: 260-8351. - 260-8331
Fbrica: Rua Abolio, 1657 - CP-86 - Campinas -
So Paulo
Distribuidor no Rio de Janeiro: Magnaton Rdio S.A.
Av. Marechal Floriano,
41/43, RJ
Teledyne Semiconductor, 1300 Terra Bella Ave., Moutain View, Cali-
fornia 94043, EUA
Este trabalho foi elaborado pelo processo de FOTOCOMPOSIo
Monophoto - no Departamento de Composio da Editora
Edgard Blcher Ltda. - So Paulo - Brasil
impresso na
planimpress grfica e editora
rua anhaia, 247 . s.p.
Livro-texto para escolas tcnicas de Eletrnica
PARA USO EM
Estudo sucinto
Estudo dos circuitos integrados existentes no mercado
Projeto de circuitos lineares
Projeto de circuitos digitais
Problemas prticos encontrados no uso de circuitos integrados
Manuteno de equipamentos eletrnicos integrados
Fabricao de circuitos impressos
Montagem de circuitos
~~
05435

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CIRCUITOS

INTEG OS . HILTON A. MELLO

(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte,

Meio, Hilton Andrade de.

ndice para catlogo sistemtico:

2.' Reimpresso 1981

proibido reproduo total ou parcial

EDITORA EDGARD BLCHER LTDA.

Impresso no Brasil Printed in Brazil

Captulo I. NoES BSICAS SOBRE A FABRICAO DE CIRCUITOS IN-

Captulo 2. INVLUCROS DE CIRCUITOS INTEGRADOS................ 22

Captulo 3. TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS DISPONVEIS.. . . . . . . .. 28

Captulo 4. PROJETO DE CIRCUITOS UTILIZANDO CIRCUITOS INTE-

Captulo 6. MANUTENO DE EQUIPAMENTOS ELETRNICOS INTE-

Apndice A. NOES SOBRE LGEBRA DE BOOLE 133

Apndice B. FABRICAO DE CIRCUITOS IMPRESSOS PARA EQUIPA-

o presente livro foi idealizado visando aos estudantes das escolas

1.1. DIVISES DA MICROELETRNICA

Figura 1.1 O campo da microeletrnica

A concepo bsica, inerente aos circuitos integrados, a cons-

1.2. DETALHES TCNICOS FUNDAMENTAIS

1.2.1. Obteno das pastilhas de silcio

gue-se, por exemplo, uma barra cilndrica de 2,5 em de dimetro e,

1.2.2. Formao da camada epitaxial

Figura 1.2 Pastilha de silcio Figura 1.3 Estrutura epitaxial PN. No

A idia fazer crescer em cima da camada tipo P da Fig. 1.2 uma

1.2.3. Processo de difuso selecionada

Figura 1.4 Difuso do boro no silcio

Imaginemos que pretendamos que o boro penetre apenas e-m

Figura 1.5 Difuso selecionada: o xido de silcio protege as regies onde a

oportuno salientar neste ponto, que, se a pastilha fosse mantida

1.2.4. Processo de abertura de janelas no xido de silcio

Suponhamos que a superficie do silcio est totalmente oxidada

o que se faz proteger a superficie do xido com uma resina

[" 22zz 2::1:; ~~2:?:2~ ~?:;:"?? 222 2' 1- XIDO

a) Cristal de silcio com a superficie oxidada

b) A resina KPR aplicada sobre a superficie oxidada

c) A "mscara" colocada sobre a resina e o conjunto

d) A seguir retira-se a mscara e coloca-se o cristal em um

e) A pastilha est ento pronta para ser atacada por uma

I" zz"" CRI~r~'::':I'LCI: um:: 1-'"'

f) Finalmente a resina Bolimerizada retirada pelo uso

Figura 1.7 (continuao)

1.3. FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Figura 1.8 Abertura das ilhas tipo N;

O motivo para a abertura das ilhas tipo N pode ser facilmente

'*)Em muitos circuitos possvel fabricar mais de um elemento na mesma ilha

um exemplo da fabricao simultnea dos componentes de um circuito

1.3.2. Fabricao de transistores

a) Ilha tipo N no corpo do substrato tipo P

b) Pastilha com a janela aberta para a difuso e j exposta

c) Pastilha aps a difuso tipo P, e j com uma nova

. : . 1"777 n .:r '7"77J

d) Pastilha com a janela aberta para a difuso tipo N

e) Pastilha aps a difuso do emissor. A camada N da

f)Pastilha com janelas abertas para formao dos contatos

l1:!J pl ------ XIDO.

g) Pastilha com alumnio j depositado em toda a superfcie

h) Transistor completo. O alumnio foi retirado das regies

Antes de passarmos para a fabricao de outro componente,

Figura 1.11 Contato entre o alu-

Caso simplesmente depositemos o AI como indicado na Fig. 1.11

vai ser depositado uma elevada concentrao tipo N; a seguir, pode-se