El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de

disparo para SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor,
tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad

est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con
una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas
impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura.
Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el
diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este
dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R y R equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos

1 2

entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada

por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre
bases es igual a:
Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre
las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que
corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin
se cumplir que:

Si llamamos =R /R , la ecuacin queda: V = V .

1 BB 1 BB

El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones

V yV .
1 BB

As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica

igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el
terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar
de la siguiente forma:

Al valor de V se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay

1

que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si

aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el
ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a
la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado
inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los
10,2V de V ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo
1

comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En

resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es
necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin
de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores
mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N
comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est
fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto
produce una disminucin repentina de la resistencia R y, con ella, una
1

reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que

hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.
Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I ), elv

diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta

corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele
ser del orden de 5mA.
En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas
caractersticas de un UJT. V (punto Q ) nos indica la tensin pico que hay
p 1

que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT

(recordar que V = V + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del
p 1

emisor aumenta (se hace mayor que I ), provocndose el descebado del UJT
p

cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento

I (punto ).
v Q2

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo
de la puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin V al circuito

CC

serie R-C, formado por la resistencia variable R y el condensador C , dicho

S S
condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado
al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en
conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R es muy 1

pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de

B aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga
1

del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de

mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1
aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede
utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC.
Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor
hmico de la resistencia variable R , ya que de sta depende la constante de
S

tiempo de carga del condensador.

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de

pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR.
Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de
cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin
de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la
velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en
dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro
RS.
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html
Oscilador de relajacin con transistor UJT
Oscilador de relajacin con transistor UJT
Circuito que sirve para generar seales para dispositivos de control de potencia
como Tiristores o TRIACs

Smbolo del UJT (Unijunction Transistor)

Funcionamiento del oscilador con UJT

El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT. Cuando esto sucede,
ste se descarga a travs de la unin E-B1. (ver el grfico del transistor UJT).

El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) que es
de aproximadamente 2.5 voltios. Con este voltaje el transistor UJT se apaga (deja de conducir
entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la lnea verde en el grfico).
La lnea negra en el segundo grfico representa el voltaje que aparece en el resistor R3
(conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga. Si se desea variar la frecuencia
de oscilacin se puede modificar tanto el valor del capacitor C como el valor del resistor R1.
R2 y R3 tambin son importantes encontrar la frecuencia de oscilacin.
La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R1C. Es muy importante
saber que R1 debe tener valores que deben estar entre lmites aceptables para que
el circuito pueda oscilar. Estos valores se obtienen con las siguientes frmulas: R1 mximo =
(Vs Vp) / Ip, R1 mnimo = (Vs Vv) / Iv . donde:
Vs = es el valor del voltaje de alimentacin (en nuestro circuito es de 20 voltios)
Vp = valor obtenido dependiendo de los parmetro del UJT en particular
Ip = dato del fabricante
Vv =dato del fabricante
Iv = dato del fabricante

Lista de componentes del circuito

Transistores: 1 transistor de uniunin UJT 2N4870 o 2N2646
Resistores: 1 de 50 K, (Kilohmios), 1 de 330, (Ohmios), 1 de 47, (Ohmios)
Capacitores: 1 de 0.1 uF, (uF = microfaradios)
Otros: 1 fuente de 20 voltios (una batera de 12 o 9 voltios puede funcionar)
Nota: UJT: Unijuntion Transistor (Transistor Uniunin)

http://unicrom.com/cir_oscilador_con_ujt.asp
Transistor UJT. Dispositivo de disparo
Transistor UJT Unijuntion Transistor. Dispositivo de disparo
Qu es un transistor UJT?

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con

un funcionamientodiferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un
dispositivo que consiste de una sola unin PN que es utilizado para hacer osciladores. Muy
importante: No es un FET.
Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones
elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de
aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el
aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver los
siguientes grficos.
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp
= 0.7 + n x VB2B1.

Donde:

n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)

VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Dos ejemplos sencillos con el transistor UJT
Ejemplo 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje
de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
Ejemplo 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje
de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios.
Notas:

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre
E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de
material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se
comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs.
http://unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
Transistor uniunin

Smbolo del UJT.

El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor que
contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( ), base
uno ( ) y base dos ( ). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo
largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como
razn de resistencias o factor intrnseco.

Construccin[editar]

Estructura
 Circuito equivalente

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de
base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como y
respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la
varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a
partir de este material tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p
est fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta
resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est
fuertemente contaminado.

Caractersticas[editar]

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el

voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin
de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta
baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de
resistencia negativa. Este es un proceso con realimentacin positiva, por lo que esta regin no
es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en
osciladores de relajacin.

Operacin[editar]
 El UJT se polariza normalmente segn se v en su curva de polarizacin. La base se lleva
a una tensin positiva (5VVBB30V). Por la resistencia circula entonces una
corriente :

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

El diodo puede presentar una polarizacin inversa si es inferior a por lo que se

presentar una corriente de fuga muy pequea. Por otro lado si es superior , el
diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente formada por
portadores minoritarios que son depositados en . Esta se anula disminuyendo su valor; por
esto la tensin disminuye tambin, ahora si bien si es constante, debe aumentar,
lo que disminuye an ms a .
Categora:

Transistores