Vous êtes sur la page 1sur 8

INFORME N 2

Ferreira Espinoza Edson C.

Flores Calle Rodrigo A

Prudencio Nina Isabel

Ferreira Espinoza Edson C. / Telfono: 70775433 / -Email: nosdefe@hotmail.com


Flores Calle Rodrigo A / Telfono: 79340367 / E-mail: cryn137@hotmail.com
Prudencio Nina Isabel /Telfono: 70755028 / E-mail: isabel@prudencio.org
RESUMEN
Los objetivos del laboratorio N2 son: hallar los parmetros de la matriz cadena de un transistor JFET en
cascada con una combinacin de transistores BJT configurados como amplificador diferencial; que dar
como resultado un nullor prctico para el anlisis del comportamiento del mismo. Analizar sus distintas
configuraciones con el nullor ya obtenido como amplificador de tensin y de corriente.

P1. Disear una configuracin nullor en


base a JFET y BJT, tal como indica en
el esquema de la Fig. 1 con las
caractersticas de diseo ideales de
matriz cadena nula. Para efectos de
polarizacin, utilizar fuentes de
corriente y tensin adecuados.
P2. Determinar la ganancia, el ancho de
banda y los valores prcticos de la
matriz cadena A, B, C, D del nullor de
la fig. 1

Fig.1.

Para tal caso el parmetro que ms problemas


provoca a la hora del diseo del nullor es el
parmetro B, entonces para hacerlo pequeo se
tomarn los siguientes cuidados:

Vi
Parmetro A= io = 0
Ro = Rc 2
Vo

Vo = 2 I b2Ro

R g Vi
VG =
R g + Ri

Para medias frecuencias el circuito queda de la Rg Vi


siguiente manera: V gs = VG VS = gmV gs RS 1
R g + Ri

Rg Vi
V gs + gmV gs R S1 =
R g + Ri
V
R gVi X I b 2 YI b 2 = Z Z = gmV gs
V gs = U
(R g + Ri )(1 + gmRS1 )
Z gmR g Vi
Anlisis con el mtodo de nodo I b2 = Z=
Y+
XV (R g + Ri )(1 + gmRS1 )
VA U
1) gmV gs + + I b1 = 0
Rd
Vo = 2 I b 2 Ro
VB
2) I b1 1 I b1 + I b2 2 I b2 = 0
Re gmR
gVi

Z (Rg + Ri )(1+ gmR
S1)
V A VB I b2 Vo = 2Ro =2Ro
= I b1 4) VB = XV R1 1
Y +
R 1 Rt U 1 R +1 R R +1+ 2
+ d e t
V A = I b1 R 1 + VB Rt Rd 1+ 1

Ro = Rc 2
I b2
3) V A = I b1 R 1
Rt Rt = R 2 + RB
Reemplazando 3) y 4) en 1) y 2)
R 1 1
+ 1 + 1 + 2
R R R
gmV gs +
1 I
I b1 R 1 b 2 + I b1 = 0
(Rg + Ri )(1 + gmRS1 ) 1 + d e t
Vi Rt Rd 1 + 1
Rd Rt A= =
Vo 2 Ro gmRg

R 1 1 Vi
gmV gs + I b1 I b 2 + I b1 = 0 Parmetro B= Vo = 0 entonces Ro = 0
Rd Rt Rd Io


R 1 1



+ 1 I b1 I b 2 = gmV gs 5) I o = 2 Ib2 = 2
Z
= 2
gmR gVi

Rd Rt Rd Y + XV



Y + XV (R + R )(1 + gmR )
U U
g i S1

Ib 2
+ I b1 + 1I b1 + + Ib 2 + 2 Ib 2 = 0
XV
(Rg + Ri )(1 + gmRS1 )
Re Rt
Y +
=
Vi U
B=
1 Io 2 gmRg
(1 + 1 )I b1 + + 1 + 2 I b 2 = 0 6)
Re Rt

XI b1 YI b 2 = Z 5) R1 1
+1 +1+ 2
UI b1 + VI b 2 = 0 6)
(Rg + Ri )(1+ gmRS1 ) R1R + Rd 1R+eRt

t d 1
V
I b1 = I b2 = Z Vi

U B= =
Io 2 gmRg
Ii B
Parmetro D= Vo = 0 entonces Ro = 0 A= Ro = Rc 2
Io Ro
B
Vi D=
Ii = I o = 2 Ib2 R g + Ri
(Rg + Ri )
gm = 7.3 10 3
Vi = (Rg + Ri ) + I i
R 1 = 6.86 10 2 R 2 = 7.43 10 3
1 = 2.19 10 2 2 = 2.20 10 2
Z gmRg (Rg + Ri )I i
I o = 2 = 2 I c1 = 9.01mA I c 2 = 8.32mA
Y + XV XV

U

Y + U (Rg + Ri )(1 + gmRS1 )

Ro = Rc1 // Rl
R 1 1
+ 1 + 1 + 2 Rt = Rc 2 + RB 2
(Rg + Ri )(1 + gmRS1 ) 1 + Rd ReRt

Rt Rd 1 + 1
XI b1 YI b 2 = Z 5)
Ii

D= = UI b1 + VI b 2 = 0 6)
Io 2 gmRg (Rg + Ri )

U
I b2 = I b1
Ii V
Parmetro C= I o =0 entonces Ro = Rc 2 V
Vo XI b1 Y I b1 = Z
U
Vo = 2 I b 2 Ro
Z
I b1 =
Vi YV
Ii = X+
R g + Ri U

1
(1 + 1 )
Z YV R 1 Rt Rd
g(Rg +Ri )Ii
gmR X+ = + 1 +
Vo =2Ro =2Ro U Rd 1
+ 2 +1
Y+ XV Y+ XV(R +R)(1+gmR) Re Rt

U
U g i S1

Vi
R1 1 Parmetro A= Ro = Rc 2
+1 +1+2 Vo io = 0

(Rg +Ri )(1+gmRS1) 1 + Rd ReRt


Vo = 2 I b2Ro
RR 1+1
t d
Ii
Z


C= = gmR gVi
Vo 2RogmRg(Rg +Ri ) Vo = 2 Ro

= 2 Ro

X +

YV


(Rg + R i )(1 + gmRs1 ) X + YV
U U

A YU
C= (Rg + Ri )(1 + gmRS1 ) X +
R g + Ri V
A= i = V
Vo 2 Ro gmRg
La matriz cadena es:
V
Parmetro B = i Vo = 0 entonces Ro = 0
Io
y los parametros son:

Z gmR gVi
I o = 1 I b1 = 1 = 1
Y + XV Y + XV (R + R )(1 + gmR )


U U
g i S 1

XV
Y + (Rg + Ri )(1 + gmRS1 )
B = i =
V U

Io 1gmRg

Entonces las graficas son:
B A B
A= C= D=
Ro R g + Ri R g + Ri

Ro = Rc1

Entonces los valores de diseo de las resistencias y


de los parmetros de la matriz cadena son:

Resistencias Capacitores
Ri 600 [] C1 3.3 F
Rg 1.2 M [] C2 2.2 F
RD 33 [] C3 2.2 F
RS1 2.2 [] Cx 820 pF
RS2 33 [] Cs 10 F Parmetro A:
RB1 560K [] Matriz Cadena
RB2 360K [] A 1.43 m
RC1 560 [] B 0.8
RC2 560 [] C 15.8n
RE 2.2 [] D 8.8

El circuito para mayor estabilidad qued de la


siguiente forma, utilizando una fuente de corriente
para el transistor JFET:

Parmetro C:
Fig. 2.

El nullor entonces queda de la siguiente forma


configurado como amplificador de voltaje:
Parmetro B:

Parmetro D:

P3. En el circuito de la Fig. 2, disear el


El circuito entonces queda determinado por la
amplificador de ganancia de tensin de ecuacin de ganancia de tensin:
modo que Av= X*5 3% dB. El ancho de
banda debe ser: Bw=X*50 KHz. X es el
promedio de los ltimos nmeros de los R2
Av = +1
C.I. del grupo. R1
Para la prctica existe un rango de valores en la cual
la relacin se logra cumplir, este rango fue obtenido
con un valor de resistencia de 680 []. Entonces se
analiz con la opcin parametric del simulador pspice
y se hallo un valor ptimo para esta relacin:
910
Av = + 1 = 2.34
680

Las graficas para estos resultados son:

El circuito entonces queda determinado por la


ecuacin de ganancia de corriente:

P4. Disear y describir el comportamiento


del nullor con el circuito amplificador R2
Ai = +1
de corriente de la fig. 3, de acuerdo a R1
las especificaciones de AI= X*5 3%. Para la prctica existe un rango de valores en la cual
la relacin se logra cumplir, este rango fue obtenido
con un valor de resistencia de 680 []. Entonces se
analiz con la opcin parametric del simulador pspice
y se hallo un valor ptimo para esta relacin:
7 .5 k
Ai = + 1 = 2.34
5 .6 k

Las graficas para estos resultados son:

Fig. 3

Entonces el nullor queda configurado de la siguiente


forma par funcionar como amplificador de corriente:
Considerar tambin que el circuito es muy fcil de
ser interferido y producir respuestas no deseadas, y se
debe tener cuidado, con los valores de potencia de los
componentes utilizados, tanto as como los valores
mximos de tensin y corriente admitidos por los
dispostivos.

Al no tener una referencia adecuada en cuanto a


la simulacin se puede llegar a tener algunas
variaciones con los resultados reales obtenidos.

REFERENCIAS
1. SCHILLING - BELOVE.: Circuitos Electrnicos
Discretos e Integrados.
2. Verhoeven-Staveren-Monna: Structured
Electronic Design

I3. En razn de un orden en la realizacin


del laboratorio, llenar la siguiente
tabla:

Tericos Simulacin Laboratorio


A 1.43m 1.3m 2.5m
B 0.8 0.7 1.5
C 15.8n 0.56u 11.3n
D 8.8u 0.3m 9.3u
Av 2.32 2.31 2.42
Bw - - -
AI 2.4 2.43 -
Bw - - -

ESCRIBIR LAS CONCLUSIONES A


LAS QUE ARRIB AL TRMINO
DEL LABORATORIO.

Se ha logrado disear el circuito del nullor, viendo


las caractersticas de la polarizacin y estabilidad del
mismo para una ptima respuesta del circuito.

Se ha realizado la operacin de algunas


configuraciones con circuitos de nullor, y se ha logrado
observar el correcto funcionamiento en rangos de
valores de resistores, para obtener el valor de
ganancia adecuado.

Vous aimerez peut-être aussi