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Numro d'ordre : 2005-ISAL-0097 Anne 2005

THSE
prsente

devant l'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUES DE LYON

pour obtenir

LE GRADE DE DOCTEUR

COLE DOCTORALE : LECTRONIQUE LECTROTECHNIQUE AUTOMATIQUE


FORMATION DOCTORALE : GNIE LECTRIQUE

par

Pierre LEFRANC
Ingnieur Suplec

tude, conception et ralisation de circuits de commande


d'IGBT de forte puissance

Soutenue le 30 novembre 2005 devant la commission d'examen

Jury : Rapporteur S. Lefebvre SATIE - Matre de confrences


Rapporteur JP. Ferrieux LEG - Professeur
Directeur de thse JP. Chante CEGELY - Professeur
Directeur de thse D. Bergogne CEGELY - Matre de confrences
Examinateur T. Meynard LEEI Directeur de Recherche
Invit J.F. Roche ARCEL - Industriel

Cette thse a t prpare au Centre de Gnie Electrique de Lyon (CEGELY) avec le financement de la socit ARCEL,
Champagne Au mont d'Or 69.
Novembre 2003

INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON

Directeur : STORCK A.

Professeurs :
AMGHAR Y. LIRIS
AUDISIO S. PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
BABOT D. CONT. NON DESTR. PAR RAYONNEMENTS IONISANTS
BABOUX J.C. GEMPPM***
BALLAND B. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BAPTISTE P. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BARBIER D. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BASKURT A. LIRIS
BASTIDE J.P. LAEPSI****
BAYADA G. MECANIQUE DES CONTACTS
BENADDA B. LAEPSI****
BETEMPS M. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
BIENNIER F. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BLANCHARD J.M. LAEPSI****
BOISSE P. LAMCOS
BOISSON C. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
BOIVIN M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES SOLIDES
BOTTA H. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Dveloppement Urbain
BOTTA-ZIMMERMANN M. (Mme) UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Dveloppement Urbain
BOULAYE G. (Prof. mrite) INFORMATIQUE
BOYER J.C. MECANIQUE DES SOLIDES
BRAU J. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Thermique du btiment
BREMOND G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BRISSAUD M. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
BRUNET M. MECANIQUE DES SOLIDES
BRUNIE L. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
BUFFIERE J-Y. GEMPPM***
BUREAU J.C. CEGELY*
CAMPAGNE J-P. PRISMA
CAVAILLE J.Y. GEMPPM***
CHAMPAGNE J-Y. LMFA
CHANTE J.P. CEGELY*- Composants de puissance et applications
CHOCAT B. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Hydrologie urbaine
COMBESCURE A. MECANIQUE DES CONTACTS
COURBON GEMPPM
COUSIN M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
DAUMAS F. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et Thermique
DJERAN-MAIGRE I. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL
DOUTHEAU A. CHIMIE ORGANIQUE
DUBUY-MASSARD N. ESCHIL
DUFOUR R. MECANIQUE DES STRUCTURES
DUPUY J.C. PHYSIQUE DE LA MATIERE
EMPTOZ H. RECONNAISSANCE DE FORMES ET VISION
ESNOUF C. GEMPPM***
EYRAUD L. (Prof. mrite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
FANTOZZI G. GEMPPM***
FAVREL J. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
FAYARD J.M. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
FAYET M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES SOLIDES
FAZEKAS A. GEMPPM
FERRARIS-BESSO G. MECANIQUE DES STRUCTURES
FLAMAND L. MECANIQUE DES CONTACTS
FLEURY E. CITI
FLORY A. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATIONS
FOUGERES R. GEMPPM***
FOUQUET F. GEMPPM***
FRECON L. (Prof. mrite) REGROUPEMENT DES ENSEIGNANTS CHERCHEURS ISOLES
GERARD J.F. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
GERMAIN P. LAEPSI****
GIMENEZ G. CREATIS**
GOBIN P.F. (Prof. mrite) GEMPPM***
GONNARD P. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GONTRAND M. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GOUTTE R. (Prof. mrite) CREATIS**
GOUJON L. GEMPPM***
GOURDON R. LAEPSI****.
GRANGE G. (Prof. mrite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GUENIN G. GEMPPM***
GUICHARDANT M. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
GUILLOT G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GUINET A. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
GUYADER J.L. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
GUYOMAR D. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
Novembre 2003

HEIBIG A. MATHEMATIQUE APPLIQUEES DE LYON


JACQUET-RICHARDET G. MECANIQUE DES STRUCTURES
JAYET Y. GEMPPM***
JOLION J.M. RECONNAISSANCE DE FORMES ET VISION
JULLIEN J.F. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
JUTARD A. (Prof. mrite) AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
KASTNER R. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Gotechnique
KOULOUMDJIAN J. (Prof. mrite) INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
LAGARDE M. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
LALANNE M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES STRUCTURES
LALLEMAND A. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et thermique
LALLEMAND M. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et thermique
LAREAL P (Prof. mrite) UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Gotechnique
LAUGIER A. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE
LAUGIER C. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
LAURINI R. INFORMATIQUE EN IMAGE ET SYSTEMES DINFORMATION
LEJEUNE P. UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
LUBRECHT A. MECANIQUE DES CONTACTS
MASSARD N. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
MAZILLE H. (Prof. mrite) PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
MERLE P. GEMPPM***
MERLIN J. GEMPPM***
MIGNOTTE A. (Mle) INGENIERIE, INFORMATIQUE INDUSTRIELLE
MILLET J.P. PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
MIRAMOND M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Hydrologie urbaine
MOREL R. (Prof. mrite) MECANIQUE DES FLUIDES ET DACOUSTIQUES
MOSZKOWICZ P. LAEPSI****
NARDON P. (Prof. mrite) BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
NAVARRO Alain (Prof. mrite) LAEPSI****
NELIAS D. LAMCOS
NIEL E. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
NORMAND B. GEMPPM
NORTIER P. DREP
ODET C. CREATIS**
OTTERBEIN M. (Prof. mrite) LAEPSI****
PARIZET E. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
PASCAULT J.P. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
PAVIC G. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
PECORARO S. GEMPPM
PELLETIER J.M. GEMPPM***
PERA J. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Matriaux
PERRIAT P. GEMPPM***
PERRIN J. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
PINARD P. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE
PINON J.M. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
PONCET A. PHYSIQUE DE LA MATIERE
POUSIN J. MODELISATION MATHEMATIQUE ET CALCUL SCIENTIFIQUE
PREVOT P. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
PROST R. CREATIS**
RAYNAUD M. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Transferts Interfaces et Matriaux
REDARCE H. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
RETIF J-M. CEGELY*
REYNOUARD J.M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
RICHARD C. LGEF
RIGAL J.F. MECANIQUE DES SOLIDES
RIEUTORD E. (Prof. mrite) MECANIQUE DES FLUIDES
ROBERT-BAUDOUY J. (Mme) (Prof. mrite) GENETIQUE MOLECULAIRE DES MICROORGANISMES
ROUBY D. GEMPPM***
ROUX J.J. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON Thermique de lHabitat
RUBEL P. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
SACADURA J.F. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Transferts Interfaces et Matriaux
SAUTEREAU H. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
SCAVARDA S. (Prof. mrite) AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
SOUIFI A. PHYSIQUE DE LA MATIERE
SOUROUILLE J.L. INGENIERIE INFORMATIQUE INDUSTRIELLE
THOMASSET D. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
THUDEROZ C. ESCHIL Equipe Sciences Humaines de lInsa de Lyon
UBEDA S. CENTRE DINNOV. EN TELECOM ET INTEGRATION DE SERVICES
VELEX P. MECANIQUE DES CONTACTS
VERMANDE P. (Prof mrite) LAEPSI
VIGIER G. GEMPPM***
VINCENT A. GEMPPM***
VRAY D. CREATIS**
VUILLERMOZ P.L. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE

Directeurs de recherche C.N.R.S. :


BERTHIER Y. MECANIQUE DES CONTACTS
CONDEMINE G. UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
COTTE-PATAT N. (Mme) UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
ESCUDIE D. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON
FRANCIOSI P. GEMPPM***
MANDRAND M.A. (Mme) UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
POUSIN G. BIOLOGIE ET PHARMACOLOGIE
ROCHE A. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
SEGUELA A. GEMPPM***
VERGNE P. LaMcos

Directeurs de recherche I.N.R.A. :


FEBVAY G. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
GRENIER S. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
RAHBE Y. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS

Directeurs de recherche I.N.S.E.R.M. :


KOBAYASHI T. PLM
PRIGENT A.F. (Mme) BIOLOGIE ET PHARMACOLOGIE
MAGNIN I. (Mme) CREATIS**

* CEGELY CENTRE DE GENIE ELECTRIQUE DE LYON


** CREATIS CENTRE DE RECHERCHE ET DAPPLICATIONS EN TRAITEMENT DE LIMAGE ET DU SIGNAL
***GEMPPM GROUPE D'ETUDE METALLURGIE PHYSIQUE ET PHYSIQUE DES MATERIAUX
****LAEPSI LABORATOIRE DANALYSE ENVIRONNEMENTALE DES PROCEDES ET SYSTEMES INDUSTRIELS
2005
SIGLE ECOLE DOCTORALE NOM ET COORDONNEES DU RESPONSABLE

CHIMIE DE LYON M. Denis SINOU


Universit Claude Bernard Lyon 1
Lab Synthse Asymtrique UMR UCB/CNRS 5622
Responsable : M. Denis SINOU Bt 308
2me tage
43 bd du 11 novembre 1918
69622 VILLEURBANNE Cedex
Tl : 04.72.44.81.83 Fax : 04 78 89 89 14
sinou@univ-lyon1.fr
ECONOMIE, ESPACE ET M. Alain BONNAFOUS
E2MC MODELISATION DES COMPORTEMENTS Universit Lyon 2
14 avenue Berthelot
MRASH M. Alain BONNAFOUS
Responsable : M. Alain BONNAFOUS Laboratoire dEconomie des Transports
69363 LYON Cedex 07
Tl : 04.78.69.72.76
Alain.bonnafousish-lyon.cnrs.fr
ELECTRONIQUE, ELECTROTECHNIQUE, M. Daniel BARBIER
E.E.A. AUTOMATIQUE INSA DE LYON
Laboratoire Physique de la Matire
Btiment Blaise Pascal
M. Daniel BARBIER 69621 VILLEURBANNE Cedex
Tl : 04.72.43.64.43 Fax 04 72 43 60 82
Daniel.Barbier@insa-lyon.fr
EVOLUTION, ECOSYSTEME, M. Jean-Pierre FLANDROIS
E2M2 MICROBIOLOGIE, MODELISATION UMR 5558 Biomtrie et Biologie Evolutive
http://biomserv.univ-lyon1.fr/E2M2 Equipe Dynamique des Populations Bactriennes
Facult de Mdecine Lyon-Sud Laboratoire de Bactriologie BP
M. Jean-Pierre FLANDROIS 1269600 OULLINS
Tl : 04.78.86.31.50 Fax 04 72 43 13 88
E2m2biomserv.univ-lyon1.fr
INFORMATIQUE ET INFORMATION M. Lionel BRUNIE
EDIIS POUR LA SOCIETE INSA DE LYON
http://www.insa-lyon.fr/ediis EDIIS
Btiment Blaise Pascal
M. Lionel BRUNIE 69621 VILLEURBANNE Cedex
Tl : 04.72.43.60.55 Fax 04 72 43 60 71
ediis@insa-lyon.fr
INTERDISCIPLINAIRE SCIENCES-SANTE M. Alain Jean COZZONE
EDISS http://www.ibcp.fr/ediss IBCP (UCBL1)
7 passage du Vercors
M. Alain Jean COZZONE 69367 LYON Cedex 07
Tl : 04.72.72.26.75 Fax : 04 72 72 26 01
cozzone@ibcp.fr
MATERIAUX DE LYON M. Jacques JOSEPH
http://www.ec-lyon.fr/sites/edml Ecole Centrale de Lyon
Bt F7 Lab. Sciences et Techniques des Matriaux et des
M. Jacques JOSEPH Surfaces
36 Avenue Guy de Collongue BP 163
69131 ECULLY Cedex
Tl : 04.72.18.62.51 Fax 04 72 18 60 90
Jacques.Joseph@ec-lyon.fr
MATHEMATIQUES ET INFORMATIQUE M. Franck WAGNER
Math IF FONDAMENTALE Universit Claude Bernard Lyon1
http://www.ens-lyon.fr/MathIS Institut Girard Desargues
UMR 5028 MATHEMATIQUES
M. Franck WAGNER Btiment Doyen Jean Braconnier
Bureau 101 Bis, 1er tage
69622 VILLEURBANNE Cedex
Tl : 04.72.43.27.86 Fax : 04 72 43 16 87
wagner@desargues.univ-lyon1.fr
MECANIQUE, ENERGETIQUE, GENIE M. Franois SIDOROFF
MEGA CIVIL, ACOUSTIQUE Ecole Centrale de Lyon
http://www.lmfa.ec- Lab. Tribologie et Dynamique des Systmes Bt G8
lyon.fr/autres/MEGA/index.html 36 avenue Guy de Collongue
BP 163
M. Franois SIDOROFF 69131 ECULLY Cedex
Tl :04.72.18.62.14 Fax : 04 72 18 65 37
Francois.Sidoroff@ec-lyon.fr
Ce matin, jai imagin que des hommes et des femmes venus de tous les horizons de
la connaissance, sociologues, mathmaticiens, historiens, biologistes, philosophes, politi-
ciens, auteurs de science-fiction, astronomes, se runissaient dans un lieu isol de toute
influence. Ils formeraient un club : le Club des visionnaires.
Jai imagin que ces spcialistes discuteraient et tenteraient de mler leurs savoirs et leurs
intuitions pour tablir une arborescence, larborescence de tous les futurs possibles pour
lhumanit, la plante, la conscience.
Ils pourraient avoir des avis contraires, cela naurait aucune importance. Ils pourraient
mme se tromper. Peu importe qui aurait raison ou tort, ils ne feraient quaccumuler, sans
notion de jugement moral, les pisodes possibles pour lavenir de lhumanit. Lensemble
constituerait une banque de donnes de tous les scnarios de futurs imaginables.
Sur les feuilles de larbres sinscriraient des hypothses : "Si une guerre mondiale clatait",
ou "Si la mtorologie se drglait", ou "Si lon se mettait manquer deau potable", ou
"Si on utilisait le clonage pour engendrer de la main doeuvre gratuite", ou "Si lon arrivait
crer une ville sur Mars", ou "Si lon dcouvrait quune viande a provoqu une maladie
contaminant tous ceux qui en ont consomm", ou "Si on russissait brancher des cer-
veaux directement sur des ordinateurs", ou "Si des matires radioactives commenaient
suppurer des sous-marins nuclaires russes couls dans les ocans".
Mais il pourrait y avoir des feuilles plus bnignes ou plus quotidiennes comme "Si la mode
des minijupes revenait", ou "Si on abaissait lge de la retraite", ou "Si lon rduisait le
temps de travail", ou "Si lon abaissait les normes de pollution automobile autorises".
On verrait alors sur cet immmense arbre se dployer toutes les branches et les feuilles du
futur possible de notre espce.
On verrait aussi apparatre de nouvelles utopies.
Ce travail dapprentissage visionnaire serait entirement reprsent dans ce schma. Evi-
demment, il naurait pas la prtention de "prdire lavenir" mais en tout cas lavantage de
dsigner les enchanements logiques dvnements.
Et travers cet arbre des futurs possibles, on discuterait ce que jai appel la VMV : "Voie
de moindre violence". On verrait quune dcision impopulaire sur le moment peut viter
un gros problme, moyen ou long terme.
LArbre des possible aiderait ainsi les politiciens surmonter leur peur de dplaire pour
revenir plus de pragmatisme. Ils pourraient dclarer : "LArbre des possibles montre que,
si jagis en ce sens, cela aura des consquences pnibles dans limmdiat, mais nous chap-
perons telle ou telle crise ; tandis que si je ne fais rien, nous risquons probablement telle
ou telle catastrophe."
Le public, moins apathique quon ne se le figure gnralement, comprendrait et ne r-
agirait plus de manire pidermique, mais en tenant compte de lintrt de ses enfants,
petits-enfants et arrires-petits-enfants.
Certaines mesures cologiques difficiles prendre deviendraient plus acceptables.
LArbre des possibles aurait pour vocation non seulement de permettre de dtecter la VMV
mais aussi de passer un pacte politique avec les gnrations venir, en vue de leur laisser
une terre viable.

Bernard Werber, LArbre des possibles.

vi
Ces travaux de thse ont t effectus au sein du laboratoire CEGELY de
lINSA de Lyon et de la socit ARCEL. Je tiens en premier lieu remercier Mon-
sieur le Professeur Jean-Pierre Chante pour mavoir accueilli au sein de son labo-
ratoire et Monsieur Yves Paris au sein de sa socit.

Merci Dominique Bergogne et Jean-Pierre Chante davoir t mes directeurs


de thse. Jespre avoir t un bon thsard.

Je remercie Monsieur Stphane Lefebvre et Monsieur Jean-Paul Ferrieux de


participer au jury en tant que rapporteurs.

Je remercie Monsieur Thierry Meynard de participer au jury en tant quexami-


nateur.

Je remercie Monsieur Franois Costa, professeur au SATIE de lENS Cachan


et Monsieur Dejan Vasic pour leur collaboration et leur aide en matire de trans-
formateur pizolectrique.

Je remercie Monsieur Paul Gonnard, professeur au LGEF de lINSA de Lyon


pour sa collaboration et son aide en matire de transformateur pizolectrique.

Je tiens remercier Jean-Franois Roche pour mavoir encadr pendant ces


trois annes et de mavoir fait participer activement lactivit du service tech-
nique de la socit ARCEL.

Je remercie galement Philippe Lardet et Ludovic Derouen pour leurs conseils


et leur aide quotidienne. Mes remerciements se portent galement sur Mathieu He-
rodet (pour sa bonne humeur et sa culture musicale), Nonos (pour son rire), Affif
(pour ses discussions passionnantes), le BE (pour leurs blagues), Chantal - Fran-
oise - Caroline - Isabelle - Odile - Sandra et Jojo (pour leur gentillesse) et tous
ceux que je nai pas cit.

Un grand merci Herv Morel et Bruno Allard pour leurs conseils et leurs re-
lectures ; Dominique Planson pour mavoir confi des enseignements et mavoir
grandement aid pour les simulations ; Pierre Brosselard pour son aide et ses
histoires de vieux tracteurs ; Jean-Pierre Masson et Pascal Venet pour mavoir
fait entrer au CEGELY ; Cyril Buttay pour son aide gargantuesque ; "lpre",
"lbomb" et "lglaude" (ils se reconnatrons) ; et toute lquipe du CEGELY.

Un grand merci mes parents, mon frre et toute ma famille.

vii
Table des matires

Introduction gnrale xii

1 Etat de lart des modules IGBT de puissance 1


1.1 Les convertisseurs statiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Les semiconducteurs de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Les modules IGBT de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.1 Historique de lIGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.2 Comportement physique dune cellule IGBT . . . . . . . 4
1.3.3 Les diffrentes technologies de puces IGBT . . . . . . . . 8
1.3.4 Les diffrents types de botiers des modules IGBT . . . . 15
1.3.5 Les diodes des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.4 Bilan et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

2 Etat de lart des circuits de commande dIGBT 25


2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans leur environ-
nement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Commande de grille des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2.1 Commande en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2 Commande en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.3 Commande mixte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2.4 Commande en tension avec plusieurs rsistances de grille . 35
2.2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3 Protections des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.1 Causes de destruction de modules IGBT . . . . . . . . . . 37
2.3.2 Protection thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.3.3 Protections contre les court-circuits et surintensits . . . . 41
2.3.4 Protections contre les surtensions . . . . . . . . . . . . . 44
2.3.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.4 Transmission des ordres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.4.1 Transmission optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.2 Transformateur magntique . . . . . . . . . . . . . . . . 51

ix
TABLE DES MATIRES

2.4.3 Transformateur sans noyau magntique : transformateur


coreless . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.4.4 Transformateur piezo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . 54
2.4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.5 Transmission de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.5.1 Transformateurs magntiques . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.5.2 Transformateur coreless . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.5.3 Transformateur piezo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . 68
2.5.4 Transmission optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.5.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

3 Analyse et modlisation en commutation des modules IGBT 73


3.1 Modlisation lectrique simplifie de puce IGBT . . . . . . . . . 73
3.1.1 Modlisation statique des puces IGBT . . . . . . . . . . . 73
3.1.2 Modlisation des effets capacitifs des puces IGBT . . . . 74
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande 77
3.2.1 Commande de grille en tension avec diode parfaite - simu-
lation analytique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.2.2 Commande de grille en tension avec diode relle et induc-
tance de cblage - simulation analytique . . . . . . . . . . 85
3.2.3 Commande de grille en courant avec diode relle et c-
blage - simulation analytique . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.2.4 Influence du circuit de commande de grille sur la commu-
tation de lIGBT - simulations analytique et numrique . . 93
3.2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module
IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.3.1 Intrt de la prise en compte des inductances de cblage . 98
3.3.2 Influence des inductances de cblage . . . . . . . . . . . 99
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules
IGBT 1200A-3300V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.4.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.4.2 Identification de L7 par une mesure en commutation . . . 117
3.4.3 Estimation de L7 avec le logiciel InCa . . . . . . . . . . . 118
3.4.4 Comparaison des mthodes et des modules . . . . . . . . 122
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.2 Phnomne physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.3 Influence de la nature des puces IGBT . . . . . . . . . . . 125
3.5.4 Influence du courant coup et de la rsistance de grille . . 127
3.5.5 Simulation numrique dune cellule IGBT Punch Through 128
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139

x
TABLE DES MATIRES

4 Conception et ralisation dune gamme de drivers dIGBT 141


4.1 Contraintes de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2 Commande de grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.2.2 Simultations et exprimentations . . . . . . . . . . . . . . 154
4.2.3 Consquences des gradients de tension sur la commande
de grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
4.3 Protection des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.3.1 Description de la solution . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
4.3.2 Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.4 Transmission des ordres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.4.1 Transmission du primaire vers secondaire . . . . . . . . . 180
4.4.2 Transmission du secondaire vers primaire . . . . . . . . . 185
4.5 Transmission de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.5.1 Analyse et conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.5.2 Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
4.5.3 Alimentation base de transformateur piezolectrique . . 198
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203

Conclusion gnrale et perspectives 205

Bibliographie 207

xi
Introduction gnrale

Depuis ses dbuts en 1980, lIGBT a pris une importance norme pour arriver
lheure actuelle concurrencer tous les autres composants de puissance : bipo-
laire, MOSFET, GTO, . . . Une large gamme de modules IGBT est actuellement
disponible : de quelques dizaines dAmpre quelques kilo-Ampre et de 300V
6500V.

Dans les convertisseurs de puissance, les modules IGBT sont associs une
carte appele "driver". Le driver a pour fonction de piloter son module IGBT as-
soci et de garantir son intgrit en cas de dfauts (surintensit et surtension). Le
driver constitue un sous systme au sein du convertisseur. Il devient aussi impor-
tant que le module IGBT. Lenjeu est de taille car certains modules cotent plus de
1000 C lunit.

Le travail prsent dans ce mmoire a pour but dtudier la conception et la ra-


lisation dune gamme de circuits de commande de modules IGBT (gamme de trois
drivers). Ces drivers rpondent un besoin industriel et seront produits en moyenne
srie en technologie hybride (circuit imprim et composants traditionnels).

Le premier et second chapitre de ce mmoire constituent un tat de lart des


modules IGBT et des drivers dIGBT. Les diffrentes technologies de puces IGBT
propres aux diffrents constructeurs sont exposes et expliques afin de clarifier
labondance de technologies de puces. Les fonctions de base des drivers dIGBT
sont exposes ainsi que les solutions technologiques classiques associes.

Dans le troisime chapitre, une modlisation des puces IGBT est propose afin
dtudier leurs commutations en vue de leur commande. On propose galement de
prendre en compte les effets inductifs dus au cblage dans les botiers des modules
IGBT. Afin de finaliser la modlisation des puces IGBT, nous proposons ltude du
phnomne davalanche dynamique prsent sur certaines technologies de puces
laide dquations simples puis de simulations par lments finis.

Enfin, nous proposons lanalyse et la conception des fonctions lmentaires


propres aux drivers dIGBT. Des mthodes de conception, des simulations et des
rsultats exprimentaux sont proposs.

xii
Chapitre 1

Etat de lart des modules IGBT


de puissance

Dans ce chapitre, nous exposons lhistorique de la technologie de lIGBT1 de-


puis ses dbuts jusquen 2005. Les diffrentes structures de puce sont expliques
(PT2 , NPT3 , . . .) ainsi que les diffrentes technologies propres certains construc-
teurs (CSTBT4 , IEGT5 , . . .) dans le but de clarifier les abrviations rencontres
dans la litterature.

1.1 Les convertisseurs statiques


La plupart des convertisseurs modernes sont constitus dinterrupteurs base
de composants semiconducteur, dlments passifs (inductances, capacits, r-
sistances, transformateurs magntiques et piezolectriques) et de dissipateurs ther-
miques. La nature de linterrupteur dpend de la frquence de dcoupage, du type
de commutation (dure, ZVS6 , ZCS7 , . . .), du courant et de la tension commuts.
Dans la majorit des cas, lobjectif est de diminuer le temps de conception (et in-
directement le cot), le poids et le volume du convertisseur tout en respectant les
contraintes CEM8 . Ceci passe par un compromis entre :
la topologie de lalimentation
le type de commutation
la frquence de dcoupage
1 Insulated Gate Bipolar Transistor
2 Punch Through
3 Non Punch Through
4 Carrier Stored Trench gate Bipolar Transistor
5 Injection Enhancement Gate Transistor
6 Zero Voltage Switching
7 Zero Current Switching
8 Compatibilit Electro-Magntique

1
1.2 Les semiconducteurs de puissance

la nature du dissipateur thermique


la nature des interrupteurs
La figure 1.1 donne une bonne classification des applications des convertisseurs
en fonction des courants et tensions mis en jeux.

Courant [A]
HVDC
1000

Traction

100
Alimentation

dcoupage
Contrle Modules
10 moteur IGBT
Automobile

Telecom
0.1
Alimentations
intgres
Tension [V]
0.01

10 100 1000 10000

F IG . 1.1 Classification des applications des convertisseurs statiques en fonction


du courant commut et de la tension bloque des composants semiconducteurs
[Bal96]

1.2 Les semiconducteurs de puissance


Les composants de puissance commandables sont apparus dans les annes
1950 avec les premiers thyristors de puissance. Ils nont cess dvoluer et ont
donn naissance au MOSFET9 dans les annes 1970 et lIGBT dans les annes
9 Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

2
1.3 Les modules IGBT de puissance

1980 [Bal96].
Le MOSFET est trs bien adapt pour les convertisseurs basse-tension et fr-
quence leve (infrieure 100V et suprieure 50kHz) alors que lIGBT est uti-
lis pour les tensions suprieures 300V et des frquences rarement suprieures
20kHz. Les GTO10 et thyristors sont ddis aux applications haute tension (>1kV)
fort courant (>1kA). La figure 1.2 rsume cette classification de composants de
puissance en fonction de la frquence de commutation et du produit U.I des com-
posants.

F IG . 1.2 Classification des composants de puissance en fonction de la frquence


de dcoupage et le produit U.I des composants

Les modules IGBT ont un domaine dapplication qui recouvre totalement celui
des transistors bipolaires, partiellement celui des MOSFET et des GTO. Cest pour-
quoi les modules IGBT sont des composants davenir dans les fortes et moyennes
puissances [Bal96].

1.3 Les modules IGBT de puissance


1.3.1 Historique de lIGBT
Les transistors MOSFET permettent dobtenir des commutations rapides avec
une commande qui ncessite peu dnergie. Ils prsentent des chutes de potentiel
levs et donc des pertes en conduction importantes surtout pour les composants
haute tension. Les transistors bipolaires ont une chute de tension ltat passant
trs faible surtout pour les hautes tensions mais ont des commutations lentes. Cer-
tains constructeurs ont voulu runir dans un composant de puissance les avantages
des MOSFET et des bipolaires.
10 Gate Turn Off thyristor

3
1.3 Les modules IGBT de puissance

En 1982, General Electric dpose un brevet pour lIGR11 et RCA pour le COM-
FET12 . En 1983, Motorola propose la structure GEMFET13 . Dautres noms sont
associs cette structure de composant : IGT14 , TGB15 [Arn92], Bipolar MOS
Transistor, . . .[Per04]. Depuis le dbut des annes 1990, les constructeurs utilisent
couramment le nom dIGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor.

1.3.2 Comportement physique dune cellule IGBT


Le point de dpart dune cellule IGBT est une cellule MOSFET canal hori-
zontal et courant vertical (VDMOS).

F IG . 1.3 Coupe schmatique dune cellule IGBT structure symtrique ou base


homogne

Sur la figure 1.4, on montre le mouvement des trous et des lectrons dans une
cellule IGBT lors de la conduction. On fait apparatre la zone de charge despace,
la cration dun effet JFET et du canal dlectron sous la grille.
Sur la figure 1.5, apparaissent les lments constitutifs internes cette struc-
ture. Tout dabord, un transistor bipolaire PNP qui a pour metteur le collecteur de
lIGBT. Ensuite, un transistor NPN qui a pour collecteur la zone de drain N . Un
effet JFET est associ la zone de charge despace entre les caissons PP+ prs de
lmetteur de lIGBT et augmente la rsistivit interne de lIGBT. Les diffrentes
rsistances internes sont galement associes aux types de couches.
Sur la figure 1.6, on reprsente les circuits quivalents dune cellule IGBT. On
voit apparatre sur la figure 1.6(a) une structure thyristor avec les transistors PNP
11 Insulated Gate Rectifier
12 COnductivity Modulated Field Effect Transistor
13 Gain Enhanced Field Effect Transistor
14 Insulated Gate Transistor
15 Transistor Grille Bipolaire

4
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.4 Conduction dune cellule IGBT - trajets des trous et des lectrons

F IG . 1.5 Schma de principe dune cellule IGBT - lments constitutifs et para-


sites

5
1.3 Les modules IGBT de puissance

et NPN. Celle-ci ne doit pas tre active pour garder le contrle de louverture de
lIGBT par la grille.

Collecteur Collecteur

Rn(mod) Rn(mod)
N- N-

Grille Grille

Rb
P+

Emetteur Emetteur

(a) (b)

F IG . 1.6 Circuits quivalents dune cellule IGBT

Pour que la structure thyristor N + PN P+ ne samorce pas (phnomne de d-


clenchement ou de verrouillage du thyristor parasite ou "latch-up"), il faut que la
jonction base-metteur du transistor NPN reste bloque. Pour cela, on diminue le
plus possible la rsistance Rb qui court-circuite la jonction base-metteur du tran-
sistor NPN. Dans la pratique, le gain du transistor PNP est ajust 0.3 pour que
70% du courant passe par le MOSFET. Mais le gain du transistor PNP ne doit pas
tre trop diminu pour ne pas trop pnaliser la modulation de rsistivit de la zone
N et de ce fait la chute de tension ltat passant.
Une technique simple pour diminuer la valeur de Rp consiste doper plus forte-
ment le caisson P au niveau des mtallisations dmetteurs. Mais le dopage de cette
zone P est limit pour ne pas changer la tension de seuil du canal. Une technique
plus volue, mais largement rpandue, consiste utiliser des formes spcifiques
de cellules pour repousser le dclenchement du thyristor parasite [Alo98] [Per04].
Par exemple, pour la forme en U, on introduit une rsistance R1 entre la source
du MOSFET et lmetteur de lIGBT (figures 1.7 et 1.8). La chute de tension dans
R1 empche la polarisation de la jonction base-metteur du transistor NPN. Cette
technique repousse le phnomne de verrouillage du thyristor mais a pour effet de
rduire la valeur du courant de court-circuit [Alo98]. Cette technique se traduit par
la forme gomtrique des cellules dIGBT : sur la figure 1.8, apparat la rsistance
R1 entre le contact mtallique dmetteur et la source du MOSFET.

6
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.7 Schma de principe pour repousser le verrouillage de lIGBT

F IG . 1.8 Cellule en U pour rpousser le verrouillage de lIGBT

7
1.3 Les modules IGBT de puissance

1.3.3 Les diffrentes technologies de puces IGBT


NPT - PT : description [Alo98] [Per04]
Historiquement, il existe deux types de structures de cellules IGBT : NPT16 et
PT17 . La structure NPT tant apparue en 1982 et PT en 1985 [Bal96].

(a) (b)

F IG . 1.9 Coupe schmatique dune cellule IGBT NPT (a) et PT (b)

Une cellule de type NPT est reprsente figure 1.9(a). Pour des tensions sup-
rieures ou gales 1200V, on peut utiliser directement une plaquette brute de type
N . Il faut compter 10V par micromtre pour la tenue en tension de la couche N .
Linconvnient est que pour les tensions infrieures 1200V, les plaquettes sont
fines et ncessitent des machines transport par coussin dair pour viter les casses
[Alo98] [Per04].
Pour la technologie NPT, la couche N est le substrat, la couche P+ ct col-
lecteur est ralise par diffusion ou implantation et est peu paisse. La tenue en ten-
sion directe bloque est assure par la zone paisse N . Cette couche N paisse
confre la puce IGBT une chute de tension ltat passant assez leve. Ceci
devient trs pnalisant surtout pour la gamme des tensions bloques infrieures
1200V. Mais, ce problme peut tre rsolu en utilisant une couche N plus fine. La
quantit de charges stockes dans la zone N peut tre contrle par la rduction
du coefficient dinjection18 de trous en agissant sur lpaisseur et la concentration
de la couche P+ .
Sur la figure 1.9(b), on reprsente une cellule de type PT. Le substrat est de
type P+ sur lequel on fait crotre par pitaxie la couche N + (couche tampon) puis la
couche N . Cela permet davoir une couche N plus fine que pour la technologie
NPT pour la mme tenue en tension. Ceci est possible grce la dcroissance
rapide du champ lectrique en polarisation directe dans la zone tampon N + . Mais,
la tenue en tension dune cellule PT est dissymtrique contrairement une cellule
16 Non Punch Through : structure symtrique
17 Punch Through : structure asymtrique
18 rapport entre le courant total et le courant de trous au niveau de la couche P+ ct collecteur

8
1.3 Les modules IGBT de puissance

de type NPT. Une structure PT offre une chute de tension ltat passant trs faible
grce la faible paisseur de la zone N mais ncessite soit une injection de mtaux
lourds soit une irradiation de la zone N pour crer des centres de recombinaison
pour acclrer la recombinaison des trous (porteurs minoritaires de la zone N )
lors de louverture de lIGBT (queue de courant) mais au dtriment du Vcesat .

NPT - PT : comparaison, comportement


Dans cette partie, on montre les diffrences de comportement pour des IGBT
PT et NPT pour des tensions comprises entre 600V et 1200V. Les courbes et ana-
lyses sont tires de la publication [She03] qui donnent des rsultats pour des IGBT
PT et NPT "trench gate" (voir page 10).
La technologie PT permet davoir des pertes faibles en conduction alors que la
technologie NPT offre des pertes faibles en commutation. Mais la liaison entre ces
deux technologies se fait lavantage de la structure NPT. La figure 1.10(a) rsume
ces tendances.
La structure NPT est fabrique avec la technique "transparent anode" et permet
de contrler la concentration des porteurs du ct de lanode (collecteur) sans avoir
une grande rpercussion sur la concentration des porteurs du ct de la cathode
(metteur) ce qui est bon pour le compromis Vcesat /Eo f f .
Sur une structure de type PT, le substrat est la couche P+ du collecteur, lpais-
seur est limite par les procds de fabrication pour des raisons mcaniques, son
dopage ne peut pas tre infrieur une certaine valeur (environ 1018 cm3 ) cause
de la rsistance de cette couche. De plus, il est difficile de bien matriser le dopage
et lpaisseur de la couche tampon N + . Il faut utiliser une technique dirradiation
dlectrons de la couche N pour limiter les pertes en commutation. Mais, la du-
re de vie des trous est amliore ct collecteur et malheureusement aussi ct
metteur de la zone N ce qui a pour effet daugmenter le Vcesat (figure 1.10(a)).

Eoff Eoff

Sans
Irradiation Trench IGBT
PT
PT Avec
irradiation

NPT NPT

Vcesat Tj

(a) (b)

F IG . 1.10 Comportement des technologies PT et NPT

On voit que la technique "transparent anode" pour les IGBT NPT donne un
meilleur rsultat que la technique dirradiation pour les IGBT PT. Pour amliorer

9
1.3 Les modules IGBT de puissance

les pertes louverture de la structure PT, on peut galement utiliser limplantation


ionique qui permet de concurrencer la structure NPT.
Sur la figure 1.10(b), on note que la structure PT est sensible la temprature au
niveau des pertes louverture (Eo f f ). Sur la figure 1.11, on montre que la structure
PT est instable thermiquement avant la structure NPT dans les mmes conditions
de test.

Tj
NPT
PT

F IG . 1.11 Comportement en temprature des cellule NPT et PT en fonction de la


frquence de commutation

La structure NPT permet de tenir plus longtemps le court-circuit que la struc-


ture PT. Ceci sexplique par le fait que la zone N de la structure PT est plus fine
que celle de la structure NPT. La temprature crot plus rapidement dans la zone
N de la structure PT. Dans [She03], une simulation montre que la temprature
maximale pour la structure NPT est de 520K et de 750K pour la structure PT lors
dun court-circuit.

Trench gate

La structure "trench gate" est apparue en 1987 pour les IGBT [Bal96]. Cette
technologie permet dliminer leffet JFET entre les cellules IGBT : voir figure
1.12.
La chute de tension ltat passant de lIGBT est amliore pour la technologie
trench gate. Par ailleurs, la rsistance de canal (Rcanal ) est rduite. La largeur de la
grille est plus petite quen technologie planar et permet une meilleure densit de
courant. De plus, le courant de "latch-up" est amlior [Mot98]. Linconvnient de
cette technologie est que la capacit grille-metteur augmente et de ce fait change
le comportement dynamique de lIGBT [Mal01].

10
1.3 Les modules IGBT de puissance

(a) (b)

F IG . 1.12 Coupes schmatique de cellules planar et trench gate

Field Stop, Light Punch Through, Soft Punch Through


A partir de la structure PT, les concepteurs de puce IGBT ont eu lide dutiliser
la couche N comme substrat fin, une couche tampon N et une couche P+ pour
linjection de trous (figure 1.13).

F IG . 1.13 Coupe schmatique dune cellule IGBT Field Stop et profil du champ
lectrique lors dune polarisation directe bloque

Cette structure est appele Field Stop (FS) par Eupec et Fuji. La fine couche
N "Field Stop" faiblement dope modifie linjection de trous de la couche P (ct
collecteur) et permet de stopper le champ lectrique de la zone N en polarisation
directe bloque : voir figure 1.13 pour le profil du champ lectrique thorique de
la structure Field Stop. Le tableau 1.1 compare les diffrentes structures de cellule

11
1.3 Les modules IGBT de puissance

PT NPT FS
Couche P ct Fortement dope, Faiblement Faiblement
collecteur forte injection dope dope
dans la couche
N
Zone de drain N Fine : pitaxie Moyennement Fine : substrat fin
paisse
Couche addition- Stoppe le champ Pas de couche N Permet de stop-
nelle N lectrique ltat per le champ E
bloqu ltat bloqu
Carrier lifetime Mthodes pour Dure de vie non Dure de vie non
acclrer la optimise optimise
recombinaison

TAB . 1.1 Comparaison des cellules PT, NPT et FS pour une tenue en tension
identique

IGBT : NPT, PT, FS.


De par sa nature, la structure FS ne prsente plus de queue de courant et sa
chute de tension ltat passant est faible. Lors de louverture de lIGBT , le champ
lectrique atteint la couche tampon "Field Stop" ce qui permet de rduire le phno-
mne de queue de courant [Las00].
Cette mme technologie est utilise par Mitsubishi mais est appele LPT :
Light Punch Through [Nak]. De son ct, ABB propose une structure Soft Punch
Through (SPT) qui est identique aux structures FS et LPT [Rah01].

IEGT - CSTBT - HiGT


Toshiba a dvelopp lIEGT (Injection Enhancement Gate Transistor) pour
combiner la chute de tension du GTO et lexcellente performance de commuta-
tion de lIGBT [Mur01] [Tso04].
La structure de lIEGT est la mme que celle de lIGBT avec un profil de do-
page diffrent pour la zone de drain N . La figure 1.14 montre une cellule IGBT
PT Trench Gate et le profil de dopage de la zone N . La figure 1.15 montre une
cellule IEGT Trench Gate et le profil de dopage de la zone N N + . De son ct,
Mitsubishi Electric propose une structure dIGBT : CSTBT (Carrier Stored Trench
gate Bipolar Transistor) qui a pour but de rduire la chute de tension ltat passant
sans dtriorer les pertes louverture. Cette structure est la mme quune structure
"PT Trench Gate" avec une couche N ajoute ct metteur : couche "Carrier Sto-
red N Layer" [Tak] [Iur01]. Sur la figure 1.16, on reprsente une cellule IGBT LPT
CSTBT : Light Punch Through CSTBT. De mme, Hitachi propose la structure
HiGT (High conductivity IGBT) qui est base sur le mme principe que lIEGT
et le CSTBT : une couche N est ajoute ct metteur sur une cellule planar. La

12
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.14 Coupe schmatique dune cellule IGBT Trench Gate et profil de dopage

F IG . 1.15 Coupe schmatique dune cellule IEGT Trench Gate et profil de dopage

13
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.16 Coupe schmatique dune cellule LPT CSTBT et profil de dopage

figure 1.17 montre une cellule dun HiGT. On note que cette structure est proche de

F IG . 1.17 Coupe schmatique dune cellule HiGT et profil de dopage

la structure de lIEGT de Toshiba. Les profils de concentration de dopage sont trs


proches pour ces deux structures. Elles ont lavantage davoir une chute de tension

14
1.3 Les modules IGBT de puissance

ltat passant rduite grce la couche "carrier stored" pour lIGBT CSTBT et
au dopage augment de la couche N ct metteur pour lIEGT.

1.3.4 Les diffrents types de botiers des modules IGBT


Le rle du botier
Le botier a pour rle dassurer la liaison lectrique entre les puces diodes
et IGBT, lisolation lectrique entre les diffrentes connexions des modules et le
maintien mcanique de lensemble. Ceci doit tre ralis en optimisant les trans-
ferts thermiques de la puce IGBT vers lextrieur du botier et rduire les induc-
tances parasites. La figure 1.18 montre quelques botiers de modules IGBT.

F IG . 1.18 Diffrents types de botiers de modules IGBT

Dans la plupart des cas, les modules IGBT sont soit en botier plastique (avec
semelle mtallique), soit en botiers "press-pack". Ces deux technologies sont les
plus rpandues pour les IGBT disponibles dans le commerce. Nous dtaillons ces
deux technologies.

Botiers plastiques
Le problme de base de la mise en botier des puces IGBT et diode est davoir
un bon compromis entre la fiabilit et lvacuation des pertes des puces vers lex-
trieur. Ce compromis va conduire au choix des isolants, des semelles mtalliques
et des soudures.

15
1.3 Les modules IGBT de puissance

La figure 1.19 montre la structure dun botier de module IGBT. On voit appa-
ratre la semelle (baseplate) qui garantit la rigidit mcanique de lensemble et le
transfert thermique de lintrieur vers lextrieur du botier ; les couches disolants
entre les puces de silicium et la semelle pour lisolation galvanique des botiers ;
les "bondings" et les connexions vers lextrieur.

F IG . 1.19 Coupe schmatique dun module IGBT mont sur radiateur

La fiabilit des modules IGBT en botier plastique est limite par la fatigue des
soudures entre "bondings" et puces IGBT ; entre puces IGBT et isolant puis entre
isolant et semelle.

Pour les brasures entre "bondings" et puces, des forces lectromagntiques se


crent chaque impulsion de courant (voir figure 1.20). Le cisaillement se situe
sous le "bonding" sur la mtallisation de la puce (7 micromtre dpaisseur) au
talon de la soudure. La granulomtrie de laluminium des mtallisations augmente
et la liaison se dgrade puis se rompt. Par exprience, la soudure ultrasonique est
meilleure que la thermo-compression [Alo98].

Les soudures "puce - isolant" et "isolant - semelle" sont soumises des contraintes
mcaniques si les coefficients de dilatation thermiques sont diffrents entre les ma-
triaux souder. La figure 1.21 montre le type de dformation propre un empilage
de trois matriaux.

On peut calculer la contrainte S au centre de la puce par [Alo98] :

16
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.20 Connexion par bonding

Si

soudure

isolant

Si
T T
soudure

isolant

F IG . 1.21 Dformation dun empilage cause de dilatations thermiques

17
1.3 Les modules IGBT de puissance

D T E
S = (1.1)
2 es
D : Diagonale de la puce
: Diffrence de coefficient de dilatation Si-brasure
T : Diffrence de temprature entre les deux matriaux
E : Module dlasticit Young du matriau
es : Epaisseur de la brasure

On distingue trois types de brasures :

brasure lastique : (dite brasure dure) base de molybdne, a pour avantages


davoir un coefficient de dilatation identique au silicium et un coefficient
dlasticit lev.
brasure tendre : base de plomb, dtain et dargent avec des alliages de mtaux
comme lindium et lantimoine.
colle epoxy charge dargent : pratique mais sa fiabilit reste tre prouve.

Pour les isolants, on distingue plusieurs matriaux utiliss dans lindustrie :


alumine (Al2 O3 ) ; berylium (BeO) ; nitrure daluminium (AlN).
Pour les semelles, on utilise couramment le cuivre pour obtenir une bonne
conductivit thermique et lAlSiC19 (mlange daluminium et de carbure de sili-
cium) pour une bonne fiabilit lors de cyclages thermiques.
Le mode de dfaillance des soudures est d la fatigue thermique sous lef-
fet de cyclage thermique. Les structures dempilage se dforment selon des cycles
imposs par les pertes dans le composant. On rencontre le plus souvent les ph-
nomnes de fatigue thermique dans les modules IGBT utiliss pour la traction.
On utilise alors des semelles AlSiC avec isolant AlN20 . Le tableau 1.2 montre les
coefficients des matriaux utiliss pour llectronique de puissance.
Les figures suivantes montrent la composition du module Eupec FZ1200R33KF2.
Ce composant constitue un seul IGBT avec diode anti-parallle. Il est constitu de
six zones chacune constitue de quatre puces IGBT 50A et deux puces diode de
100A : voir figure 1.22.
Sur la figure 1.23, on montre plus en dtail une zone constitue de deux puces
IGBT et une puce diode. On voit apparatre plus clairement les systmes de connexion
en bus-barre et par "bonding".
Sur la figure 1.24, on fait apparatre lempilage des puces, de lisolant et de la
semelle. On distingue difficilement les soudures (couches trs fines).

19 Aluminium + Carbure de Silicium


20 Nitrure dAluminium

18
1.3 Les modules IGBT de puissance

matriaux Coefficient Module Charge de Limite las-


de dilatation Young rupture tique [MPa]
[ppm/C] [GPa] [MPa]
Acier (Fe+C) 11 200 450 300
Aluminium (Al) 23 70 100 80
Antimoine (Sb) 11
Cuivre (Cu) 16 130 180 170
Etain (Sn) 20 50 250
Fer (Fe) 12 210 290 200
Germanium (Ge) 6 200
Kovar (Ni+Fe) 13 450 300
Molybdne (Mo) 5 325 650 500
Nickel (Ni) 13 200 520 360
Or (Au) 14 78 200
Plomb (Pb) 29 16 15 10
Silicium (Si) 4 200 100
Tungstne (W) 4.5 430
Tantale (T) 6.5
soudures
Au + 20 Sn 16 48 250 200
Au + 3 Si 12 80 230 200
PbAgIn 28
Pb + 5 Sn 13 10
Sn + 3.5 Ag + 1.5 20 15
Sb
Sn + 10 Ag + 10 47 30
Sb
Sn + 25 Ag + 10 65 50
Sb
SnSb 26
isolants
Mica 3
Quartz (SiO2 ) 13 310
Alumine (Al2 O3 ) 6 340 193
Berylium (BeO) 6 158
Nitrure dalumi- 6
nium (AlN)

TAB . 1.2 Proprits mcaniques des matriaux de llectronique de puissance

19
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.22 Module IGBT FZ1200R33KF2 avec et sans botier plastique

F IG . 1.23 Puces IGBT et diodes FZ1200R33KF2

20
1.3 Les modules IGBT de puissance

F IG . 1.24 Empilage des couches puces - isolant - semelle FZ1200R33KF2

Botiers "press-pack"

Nous avons vu dans le paragraphe prcdent que lempilage puce - isolant - se-
melle est soumis des contraintes mcaniques lors de cyclages thermiques menant
la dtrioration des soudures (et des rsistances thermiques de ce fait). De mme
pour les bondings qui sont soumis des forces lectromagntiques et contraintes
thermiques. A partir de ce constat, il est intressant de supprimer les soudures.
Cest possible grce la technologie "press-pack" qui limine les soudures grce
une pression permanente en fonctionnement par le systme de "clamp". Cette
solution est utilise pour les diodes, thyristors, IGCT et IGBT dans le cadre dap-
plications de traction par exemple o les problmes de cyclage thermique sont les
plus svres.
[Sch01] prsente une description dun IGBT press-pack 6.5kV - 650A. Il est
constitu de 21 puces IGBT en parallle. Une puce est reprsente figure 1.25 avec
les connexions mtalliques.

F IG . 1.25 Coupe dun IGBT press-pack

Grce cet empilage, la rsistance thermique du composant est amliore par

21
1.4 Bilan et perspectives

F IG . 1.26 Montage press-pack

rapport un botier plastique car un radiateur est prsent sur les deux faces du
composant. La rsistance thermique du composant dpend de la force de serrage
du "clamp" [Eva99]. La figure 1.26 montre un montage de composant press-pack
avec les radiateurs et le clamp.

1.3.5 Les diodes des modules IGBT


Dans les modules IGBT de puissance, les diodes sont montes en anti-parallle.
Elles jouent le rle de roue-libre dans les onduleurs de tension commutation dure
dans la plupart des applications. Elles doivent supporter la mme tension que les
puces IGBT, avoir une chute de tension la plus faible possible, avoir un recouvre-
ment le plus faible possible pour minimiser les pertes la fermeture de lIGBT.
Les diodes jouent un rle important dans la performance du module IGBT
(pertes en commutation et conduction). La technologie des puces diode volue en
mme temps que celle des puces IGBT car les performances du module IGBT
dpendent des puces diodes et IGBT.

1.4 Bilan et perspectives


Les constructeurs proposent lheure actuelle une large gamme de produits qui
permet au module IGBT de trouver sa place dans bon nombre dapplications. Pour
reprsenter ltat actuel (2005) des possibilits des modules IGBT, on propose le
graphique de la figure 1.27 qui donne les courants coups maximums en fonction
des tensions de blocage pour trois types de modules IGBT :

22
1.4 Bilan et perspectives

single : module IGBT simple


dual : module IGBT double
six-pack : module IGBT pour onduleur triphas
Ce graphique est donn pour le constructeur Eupec. Il donne un bon aperu de
ltat actuel du march de lIGBT.

4.0 kA

3.5 kA
Courant coup maximal [A]

3.0 kA single
dual
2.5 kA sixpack

2.0 kA

1.5 kA

1.0 kA

500.0 A

0.0 A
0 V 1 kV 2 kV 3 kV 4 kV 5 kV 6 kV 7 kV
Tension bloque maximale[V]

F IG . 1.27 Gamme de modules IGBT du constructeur Eupec, botiers single, dual


et six-pack

On remarque que les possibilits venir sont importantes, notamment pour


les botiers "dual" qui reprsentent une part de march trs importante. En effet,
ces botiers sont parfaitement adapts pour la ralisation donduleurs. Les botiers
"single" 6500V-600A ont un intrt pour les applications haute-tension pour saf-
franchir de la mise en srie de composants. Les botiers "six-pack" sont intressants
pour la ralisation compacte donduleurs triphass tension rseau (rseau 380V).
Les avances technologiques se situent sur la tenue en tension des modules
(modules 6500V commercialiss lheure actuelle) et loptimisation du compro-
mis pertes en commutation - pertes en conduction des modules 1200V - 1700V -
3300V.
En effet, comme vu prcdemment (paragraphe 1.3.3 page 8), les constructeurs
se sont lancs dans une course aux dnominations des technologies de puce (FS,
LPT, SPT, IEGT, CSTBT, HiGT) qui ont toutes le mme objectif : rduction des
pertes et amlioration de la fiabilit des modules.
Du point de vue de la tenue en tension, lavance de la technologie silicium
semble tre faible. Pour comparaison, le plus gros calibre en tension pour les diodes
de redressement est de 10kV. Le prochain saut technologique se situe certainement
dans le camp du carbure de silicium (SiC) qui permettrait long terme de dpasser
les limites actuelles du silicium malgr le problme de mobilit du SiC compro-

23
1.5 Conclusion

mettant pour lIGBT.

1.5 Conclusion
Le dbut du chapitre a t consacr lhistorique de lIGBT et son com-
portement physique. Ensuite, nous avons vu les diffrentes technologies de cellule
IGBT dont les principales sont : punch through, non punch through et trench gate.
Les nouvelles structures et technologies de cellules ont t exposes pour clarifier
les termes propres chaque constructeurs (FS, IEGT, CSTBT, HiGT. . . ). Enfin,
nous avons dcrit les principaux avantages et inconvnients des botiers plastiques
et press-pack.
Dans le chapitre suivant, nous prsentons le composant indissociable au mo-
dule IGBT : le driver dIGBT.

24
Chapitre 2

Etat de lart des circuits de


commande dIGBT

Dans ce chapitre, nous prsentons lenvironnement et les fonctions associes


aux circuits de commande des modules IGBT. Pour chaque fonction, nous expo-
sons les objectifs atteindre puis les solutions technologiques employes et envi-
sageables.

2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans


leur environnement
Le circuit de commande de module IGBT est communment appel "driver".
Nous gardons cette dnomination pour la suite du manuscrit.
La dfinition dun driver de module IGBT est relativement simple : cest un
circuit qui doit piloter tout type de module IGBT dans tout type de convertisseur
statique (hacheur, onduleur, redresseur command, convertisseur matriciel, . . .). Le
pilotage consiste provoquer et contrler les passages de ltat bloqu ltat
passant.
Dans lobjectif dintgrer ce produit dans les convertisseurs industriels, il faut
avoir comme objectif de raliser un driver dont le prix est en accord avec ceux
des modules IGBT et des convertisseurs. Ceci passe par lutilisation des solutions
technologiques fiables et peu coteuses.
Pilotage :
Le driver a pour rle de piloter un module IGBT en fonction des ordres quil reoit
dune commande globale (voir figure 2.1). Le module IGBT peut tre compos
dun bras donduleur avec diodes de roue libre ou bien dun seul IGBT avec diode
de roue libre (figure 2.2).
Scurit :
Le driver doit effectuer la scurit rapproche du module quil pilote pour amliorer
sa survie en cas de dfaut. En cas de sur-intensit dans le composant de puissance

25
2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans leur environnement

F IG . 2.1 Synoptique commande - driver - module IGBT - convertisseur statique

(a) (b)

F IG . 2.2 Topologie de modules IGBT double et simple

26
2.2 Commande de grille des modules IGBT

par exemple, le driver doit couper lIGBT et envoyer une information derreur la
commande globale. En cas douverture en court-circuit, le driver doit piloter lou-
verture de lIGBT de telle manire que sa tension Vce ne dpasse pas sa tension de
claquage. Des mesures et estimations de temprature peuvent tre effectues pour
la scurit thermique des modules IGBT. Des scurits en di/dt et dv/dt peuvent
tre implantes pour complter les scurits en court-circuit et sur-intensit.
Isolation galvanique :
Pour rpondre tous les types de module IGBT et tous les types de convertisseurs
statiques, les ordres qui proviennent de la commande globale et appliqus sur la
grille de lIGBT concern doivent tre isols galvaniquement. La qualit de cette
isolation galvanique tient dans sa tenue en tension statique qui permet de piloter
des IGBT des potentiels flottants (300V, 600V, 800V, 1500V, ) et galement
ses caractristiques dynamiques qui donneront au driver la possibilit de piloter
des modules IGBT de plus en plus rapides sans problmes de CEM (dv/dt) sur
llectronique du driver.
La commande de grille ncessite une puissance pour ouvrir et fermer lIGBT
(charge et dcharge des charges stockes dans la grille de lIGBT). Il faut donc
transmettre cette puissance avec une isolation galvanique du potentiel de la com-
mande globale au potentiel flottant (ou non flottant) de lIGBT. La qualit de cette
alimentation isole est soumise aux mmes caractristiques que la transmission
dordre : il faut tenir la tension statique et minimiser les capacits de couplage
entre le primaire et le secondaire de lalimentation isole.
Les capacits parasites entre le primaire et les secondaires ont pour effets de
gnrer des courants de mode commun lors des variations de tension sur les secon-
daires. Ces courants circulent au primaire du driver et au niveau de la commande
globale. Ils peuvent perturber llectronique au primaire du driver et au niveau de
la commande globale et ensuite provoquer des dysfonctionnements.
Pour synthtiser les caractristiques prcdentes, on reprsente figure 2.3 le
synoptique dun driver de module IGBT. On fait apparatre la notion de primaire et
secondaire pour lisolation galvanique.
Dans la suite de ce chapitre, nous prsentons les quatre grandes fonctionnalits
des drivers de modules IGBT :
commande de grille
protection des modules IGBT
transmission des ordres
transmission de puissance

2.2 Commande de grille des modules IGBT


Le but principal de la commande de grille est de faire commuter lIGBT (charge
et dcharge de la grille de lIGBT, lment comportement capacitif). Ensuite,
diffrentes contraintes viennent sajouter :

27
2.2 Commande de grille des modules IGBT

F IG . 2.3 Synoptique du driver dIGBT

contrle de la vitesse de commutation


respect des aires de scurit des composants de puissance
minimisation des pertes en conduction et commutation

A partir de la fonction principale et des contraintes prcdentes, on aboutit


une multitude de solutions :
commande en tension
commande en courant
commande mixte (tension et courant)
commande en tension avec plusieurs rsistances commutables
commande en tension et courant avec valeurs ajustables dans le temps
commande rsonance

2.2.1 Commande en tension


La commande en tension consiste faire commuter lIGBT avec une source de
tension commutable (deux tats stables possibles) et une (ou deux) rsistance(s) de
grille. La source de tension Vg passe de Vdd Vcc pour la fermeture et de Vcc Vdd
pour louverture : la figure 2.4 reprsente cette solution.
Nous nous intressons aux solutions technologiques pour raliser la source
commutable Vg . Nous disposons de deux sources de tension aux valeurs Vcc et

28
2.2 Commande de grille des modules IGBT

(a) (b)

F IG . 2.4 Commande de la grille en tension

Vdd quil faut commuter sur la rsistance de grille de lIGBT laide dinterrup-
teurs commands. Nous disposons de composants commandables de type bipolaire
et MOSFET. Suite aux travaux de thse raliss par Mohamad Kheir El Chieckh
[EC95], nous exposons la liste des solutions possibles en technologie bipolaire et
MOSFET : figure 2.5.
Les signaux de commande a et b permettent de faire commuter indpendam-
ment lun ou lautre des interrupteurs de la structure. Le secondaire du driver doit
gnrer les signaux de commande a et b en fonction des ordres reus provenant du
primaire.
Push-pull bipolaire :
Les deux transistors bipolaires sont utiliss en suiveur de tension. Le gain en cou-
rant permet aux sources de tensions a et b de ne pas fournir un courant trop
important dans les bases des transistors bipolaires lors des impulsions du courant
de grille. Les potentiels a et b doivent tre relis, la commande de cette structure
ncessite une seule tension de commande qui commute entre Vcc et Vdd .

Push-pull invers bipolaire :


Les deux transistors sont utiliss en rgime de saturation. Un courant est extrait de
la base de T1 pour la fermeture de lIGBT et un courant est inject de la base de
T2 pour louverture de lIGBT. Cette solution ncessite un systme de temps mort
pour viter de court-circuiter les sources Vcc et Vdd .

Totem pole bipolaire :


Le transistor T1 fonctionne en suiveur de tension et T2 en rgime de saturation.
Cette structure est utilise en sortie des circuits TTL. Le pilotage de cette structure
ne pose pas de problme.

Push-pull MOSFET :
Cette structure ne permet pas de piloter convenablement une grille dIGBT. Sur la
figure 2.6, on reprsente la charge dune capacit C via une rsistance R avec un
transistor MOSFET.

29
2.2 Commande de grille des modules IGBT

(a)

(b)

F IG . 2.5 Commande de grille en technologie bipolaire et MOSFET

30
2.2 Commande de grille des modules IGBT

F IG . 2.6 Charge dune capacit avec un transistor MOSFET

On suppose que la tension Vgm ne peut pas dpasser la tension dalimentation


Vcc pour des raisons videntes de simplicit de la solution. Au temps t = 0 , le
condensateur C est initialement dcharg (Vc = 0) et la tension Vgm = 0. Au temps
t = 0+ , la tension Vgm passe de 0V Vcc quasi instantanment. Le MOSFET entre
en conduction et charge la capacit C. La tension Vc crot partir de 0V et atteint la
valeur dquilibre Vc = Vcc Vth (Vth : tension de seuil du transistor MOSFET). Or
ceci nest pas acceptable car la tension finale de Vc peut atteindre 11V au lieu de
15V (Vcc ) par exemple ce qui ne permet pas de minimiser la tension de saturation
de lIGBT (Vcesat = f (Vge , Ic )) pilot par cette structure.

Push-pull invers MOSFET :


Les deux transistors sont utiliss en commutation et permettent dobtenir des temps
de monte et descente de T1 et T2 trs faibles. Un systme de temps mort sur les
commandes a et b permet dviter de court-circuiter les sources Vcc et Vdd .

Totem pole MOSFET :


Pour les mmes raisons que le push-pull MOSFET, le totem pole MOSFET ne
permet pas de piloter convenablement une grille dIGBT.

2.2.2 Commande en courant


La commande en courant consiste faire commuter lIGBT avec une source
de courant. La source doit pouvoir fournir un courant positif et ngatif avec une
tension aussi bien positive et ngative (source quatre quadrants). Des crteurs de
tension sont ajouts en parallle sur la grille de lIGBT pour limiter la tension Vge :
voir figure 2.7.
Or, cette solution nest pas ralisable telle quelle est prsente sur la figure
2.7. Il faut utiliser une source de courant et un puits de courant que lon commute

31
2.2 Commande de grille des modules IGBT

F IG . 2.7 Commande de grille en courant et diodes zener

pour la fermeture et louverture de lIGBT (voir figure 2.8).

F IG . 2.8 Commande en courant avec une source de courant Is et un puits de


courant Ip , interrupteurs commandables a, b, c et d

Cette solution ncessite une synchronisation parfaite entre le interrupteurs a, b,


c et d pour que les sources de courant soient toujours connectes sur une charge.
Il faut noter galement que cette solution est trs coteuse car elle dissipe en

32
2.2 Commande de grille des modules IGBT

permanence la puissance Is .VDZ1 quand lIGBT est ferm et Ip .VDZ2 quand lIGBT
est ouvert.
Une source de courant peut tre ralise par une source de tension et rsistance
en srie. La valeur de la source de tension doit tre suprieure la tension de charge
de la grille de lIGBT (figure 2.9).

(a) (b)

F IG . 2.9 Source de courant partir dune source de tension

Les diodes zener DZ1 et DZ2 limitent la tension de grille. Cette solution consomme
normment de puissance car la source de tension dbite en permanence dans la
rsistance Rg et les diodes zener en rgime permanent. Cette solution est envisa-
geable pour la simulation ou pour la caractrisation de composants mais pas pour
un driver industriel pour des raisons videntes de consommation.

2.2.3 Commande mixte


Nous voyons que la commande par gnrateur de courant pose quelques pro-
blmes de consommation lors des rgimes permanents sur la tension de grille de
lIGBT. Ce problme peut tre contourn en associant des gnrateurs de courant
pour les phases transitoires et des gnrateurs de tension pour les rgimes perma-
nents. Cette solution est illustre figure 2.10.
Lors de la phase transitoire de charge de la grille de lIGBT, on commence
par fermer b, ouvrir a et e ( f et c ouverts, d ferm). La grille se charge courant
constant ce qui permet de matriser les gradients des grandeurs Vce et Ic sur charge
inductive. Lorsque la tension Vge est proche de V + , on ferme a et e, on ouvre b
pour que la tension de grille finisse de se charger la tension V + via la rsistance
R. Lorsque la tension Vge a atteint la valeur V + , le courant de grille est quasi nul et
la consommation du circuit de charge est quasi nulle.
Cette solution ncessite la gestion de six interrupteurs (a, b, c, d, e et f ) qui
reprsente une des difficults de ce circuit.
Par souci doptimisation de la commutation de lIGBT, on peut extrapoler la
solution prcdente avec plusieurs sources de courant et de rsistances de grille.
Ceci peut tre utile pour matriser indpendamment les gradients de Vce et Ic . La
figure 2.11 illustre une des nombreuses possibilits.

33
2.2 Commande de grille des modules IGBT

F IG . 2.10 Commande mixte, source de courant Is et puits de courant Ip , interrup-


teurs commandables a, b, c et d

F IG . 2.11 Commande mixte gnralise

34
2.2 Commande de grille des modules IGBT

2.2.4 Commande en tension avec plusieurs rsistances de grille


Pour matriser indpendamment les vitesses de variation de Vce et Ic sur un
IGBT sur charge inductive et avec une commande de grille en tension, une des
mthodes consiste utiliser plusieurs rsistances de grille que lon connecte en
fonction de ltat de commutation de lIGBT.
On illustre cette mthode sur la figure 2.12 qui permet de mettre en conduction
lIGBT avec trois rsistances de grille et deffectuer louverture avec une rsis-
tance.

F IG . 2.12 Commande de grille avec plusieurs rsistances de grille

Cette solution permet damliorer les pertes la mise en conduction de lordre


de 20% par rapport une commande avec une seule rsistance de grille [Man03].
Lors de la charge de la grille de lIGBT, la tension Vge est initialement la valeur
V . Tant que la tension Vge reste infrieure Vth (tension de seuil de lIGBT), on
commute la rsistance de grille R1 (valeur trs faible) pour charger trs rapidement
la grille. Ensuite, lorsque Vge dpasse la valeur Vth , le courant Ic crot et la rsis-
tance de grille est R2 (valeur forte) pour limiter les valeurs de dIc /dt et du courant
de recouvrement de la diode de roue libre qui induit des pertes importantes dans
lIGBT. Lorsque la commutation du courant est termine, la diode se bloque et la
tension Vce dcrot. La rsistance de grille est R3 (valeur moyenne) pour acclrer
la dcroissance de la tension Vce pour minimiser les pertes en commutation. La
figure 2.13 montre les chronogrammes de cette solution.
Cette solution est effectivement trs efficace pour rduire les pertes en com-
mutation la mise en conduction mais ncessite une mise en oeuvre importante. Il
faut dtecter le dbut et la fin de la commutation en courant de la diode.

2.2.5 Conclusion
Nous venons de voir que la commande de grille peut tre ralise avec plusieurs
solutions (commande en tension, courant, mixte). La commande en tension est

35
2.2 Commande de grille des modules IGBT

F IG . 2.13 Oscillogramme dune commande de grille avec plusieurs rsistances


de grille

36
2.3 Protections des modules IGBT

la plus simple mettre en oeuvre dans loptique de la conception de circuits de


commande utilisation industrielle. En effet, la commande en courant ncessite
de dissiper une puissance importante ou de grer un systme dinterrupteurs qui
augmente la complexit de commande.
Dans le chapitre 4, nous verrons que la commande de grille en tension per-
met dobtenir de bonnes performances pour les commutations en fonctionnement
normal (section 4.2 page 141) et de limiter la surtension sur le collecteur lors de
louverture en rgime de surintensit avec laide dune troisime rsistance de grille
(section 4.3 page 162).

2.3 Protections des modules IGBT


La destruction dun module IGBT peut avoir des consquences importantes des
points de vue matriel, financier et humain. Lors dun dysfonctionnement, un mo-
dule IGBT peut exploser et prendre feu. Il peut endommager le matriel environ-
nant et ventuellement dtruire la totalit de linstallation lectrique dans laquelle
le module IGBT est implant. Il savre indispensable de protger les modules
IGBT par leurs systmes de pilotage.

2.3.1 Causes de destruction de modules IGBT


La principale cause de destruction de modules IGBT est thermique. Llvation
de temprature excessive du composant provoque un changement physique des
puces IGBT et diodes qui entrane un comportement irrversible du composant
[Amm98].
Llvation anormale de la temprature peut tre provoque de diffrentes ma-
nires :
cyclage et fatigue thermique : laugmentation des rsistances thermiques des
modules IGBT due au cyclage thermique engendre une augmentation anor-
male de la temprature du module IGBT en fonctionnement normal [Coq99].
Les brasures se fragilisent lors des cycles de temprature. Le contact sur-
facique se dgrade et le transfert thermique diminue (rsistance thermique
locale augmente). La temprature et lexcursion de temprature augmentent
jusqu arriver la destruction du module.
court-circuit : en cas de court-circuit, la puissance dissipe par les puces IGBT
est norme. La temprature crot trs rapidement. Sans protection, le module
IGBT est dtruit en un temps assez court : de quelques s quelques dizaines
de s.
amorage dynamique : la structure quatre couches de lIGBT peut tre amorce
de faon irrversible lors de forts dv/dt sur le composant. Le composant nest
plus commandable louverture par la grille et est vou une mort rapide.
avalanche : lors de louverture des modules IGBT, une surtension est observe,
elle est due la dcroissance du courant dans les inductances de cblage.

37
2.3 Protections des modules IGBT

Cette surtension peut atteindre la tension limite du composant et provoquer


lavalanche de celui-ci. Lnergie davalanche et la rptitivit du phno-
mne engendre une augmentation rapide de la temprature des puces diodes
et IGBT.

2.3.2 Protection thermique


La protection thermique permet de protger les modules IGBT contre llva-
tion trop importante de la temprature moyenne. Cette protection ne permet pas de
dtecter llvation de temprature due un court-circuit (constante de temps trop
faible lors dun court-circuit). Elle permet de dtecter si la temprature moyenne
de certaines puces IGBT ou diode est trop leve.
Pour cela, on mesure la temprature dune puce IGBT en fonctionnement, de
mme pour une puce diode. On mesure galement la temprature lintrieur du
module IGBT ou bien lextrieur sur le systme de refroidissement du module :
figure 2.14.

F IG . 2.14 Diffrents points de mesure de temprature pour la protection ther-


mique des modules

Mesure de la temprature du systme de refroidissement :


Cest la solution la plus simple envisageable pour dtecter une temprature trop
importante des puces diodes et IGBT. On suppose que la temprature du dissipateur
(ou du systme de refroidissement) est limage de la temprature moyenne des
puces diodes et IGBT. Si la temprature du dissipateur dpasse une valeur donne,
le driver ouvre les IGBT et envoie une information de dfaut la commande globale
(figure 2.1 page 26).
Mesure de la temprature du botier de lIGBT :
Pour tre plus prcis sur la mesure de temprature des puces, on mesure la temp-
rature du botier du module IGBT. Pour cela, on utilise la thermistance1 intgre
certains modules IGBT. Elle permet de donner une estimation de temprature du
botier du module grce aux relations suivantes :
1 composant passif en semiconducteur

38
2.3 Protections des modules IGBT

Pour une thermistance NTC2


 
1 1
R(T ) = R(T0 ). exp B.( )
T T0

Pour une thermistance PTC3


 
1 1
R(T ) = R(T0 ). exp B.( )
T0 T

Dans la pratique, on utilise un gnrateur de courant ou un pont diviseur rsistif


pour avoir une tension image de la rsistance R, donc une image de la temprature
de celle-ci (figure 2.15). Si la temprature de la thermistance dpasse une valeur
fixe, le driver doit ouvrir les IGBT et envoyer une information de dfaut la
commande globale.
La figure 2.16 montre un module IGBT "six pack" FS225R12KE3 (module
IGBT pour onduleur triphas 1200V - 225A) et sa thermistance intgre au module.

F IG . 2.15 Schmas lectriques de polarisation de thermistances des modules


IGBT

Estimation dune temprature de jonction des puces IGBT et diode :


Les deux mthodes exposes prcdemment ont le mrite dtre faciles mettre
en oeuvre. Mais, on ne peut pas mesurer avec prcision la temprature des puces
diodes et IGBT avec ces deux mthodes. Nous exposons une mthode dveloppe
par Cyril Buttay [But03]. Elle permet destimer la temprature et le courant des
MOSFET dans un bras donduleur sur charge inductive. On peut envisager duti-
liser cette mthode dans le cas des IGBT : on considre le bras donduleur de la
figure 2.17.
On suppose que la tension Vd1 de la puce d1 dpend de la temprature T (quand
la diode est passante) et du courant qui la traverse (id1 ). De mme, on suppose que
2 Coefficient de temprature ngatif
3 Coefficient de temprature positif, B : constante relle positive

39
2.3 Protections des modules IGBT

(a) (b)

F IG . 2.16 Thermistance du module FS225R12KE3

F IG . 2.17 Bras donduleur sur charge inductive

40
2.3 Protections des modules IGBT

la tension Vce2 de la puce IGBT 2 dpend de la temprature T (quand lIGBT 2 est


passant) et du courant qui le traverse (ic2 ). Lors dune commutation, on suppose
que le courant reste constant dans la charge, on mesure la tension Vce2 avant la
commutation, la tension Vd1 aprs la commutation :

Vce2 = f2 (T, I0 ) (2.1)


Vd1 = f1 (T, I0 ) (2.2)

Comme on connat les fonctions f1 et f2 (aprs caractrisation des puces diodes


et IGBT) et que lon a mesur les tensions Vce2 et Vd1 , on obtient lestimation de la
temprature T et du courant I0 (par rsolution du systme constitu des quations
2.1 et 2.2).
On suppose que la temprature est la mme pour les puces IGBT 1, IGBT 2, d1
et d2 . Or, cette hypothse est difficilement vrifiable dans la pratique car les puces
sont espaces de plusieurs millimtres plusieurs centimtres dans le cas de mo-
dules IGBT. Mais, cette mthode peut donner des estimations de temprature plus
prcises et plus rapides que dans le cas de la mthode utilisant une thermistance
expose prcdemment

2.3.3 Protections contre les court-circuits et surintensits


Dfinition du court-circuit et sur-intensit
On dit que lIGBT est en rgime de court-circuit quand le courant est suprieur au
courant nominal et quil est limit par lIGBT (rgime en zone sature : figure 3.1
page 74).
On dit que lIGBT est en rgime de sur-intensit quand le courant est suprieur
au courant nominal et quil est limit (ou impos) par le circuit extrieur lIGBT.
On dfinit galement deux types de dfaut :
Type I : le dfaut est prsent avant la mise en conduction de lIGBT
Type II : le dfaut arrive quand lIGBT est en conduction

Intrt de la scurit en court-circuit et sur-intensit


Le rgime de court-circuit est support par la quasi totalit des modules IGBT
actuels. Les constructeurs prconisent de ne pas rester dans ce mode de fonction-
nement plus de 10s (valeur typique). Pour plus de prcision, il faut se reporter aux
SCSOA4 des constructeurs.
En cas de rgime de court-circuit, le driver doit couper lIGBT et envoyer une
information de dfaut la commande globale (figure 2.3 page 28).
Le rgime de court-circuit rptitif entrane une chute de la dure de vie des
puces IGBT. Des travaux montrent que la probabilit de destruction des puces
IGBT est trs fortement lie au nombre de court-circuits que les puces IGBT ont
subi [SE04] [SE02].
4 Short Circuit Safe Operating Area

41
2.3 Protections des modules IGBT

Ceci montre que si le rgime de court-circuit est raccourci ou mme vit, la


dure de vie du module IGBT est moins altre.

Mthodes de dtection de court-circuit et de surintensit


Lobjectif des scurits en court-circuit et en surintensit des drivers dIGBT est de
dtecter le plus vite possible ces modes de fonctionnement et douvrir lIGBT. Le
systme de protection contre les surtensions suite aux court-circuits et surintensits
est expos dans le paragraphe suivant.
La mthode la plus utilise consiste mesurer la tension collecteur-metteur
quand lIGBT est passant pour dtecter un courant anormal dans lIGBT. En effet,
lors dun court-circuit de type I ou II, la tension collecteur chute trs peu par rap-
port la tension de bus. Dans ce cas, le court-circuit est trs facile dtecter : la
tension collecteur atteint plusieurs centaines de volts au lieu de quelques volts en
fonctionnement normal.
Lors dun dfaut en surintensit la tension collecteur dcrot rapidement, atteint
la valeur correspondant au rseau statique Vce = f (Vge , Ic ). Ensuite, le courant col-
lecteur crot rapidement cause dune faible impdance inductive de dfaut. Dans
ce cas, la dtection du rgime de surintensit seffectue en comparant la mesure
de la tension Vce (= f (Vge , Ic )) et une tension fixe au pralable par lutilisateur
(Vre f ). Si la tension Vce dpasse la tension Vre f , le driver coupe lIGBT et envoie
une information de dfaut la commande globale (voir figure 2.3 page 28).
La figure 2.19 montre les oscillogrammes pour un dfaut de court-circuit de
type I, la figure 2.20 pour un rgime de sur-intensit de type I pour un bras don-
duleur. Linductance Lmoteur modlise linductance de phase dun moteur et Lcc
linductance de dfaut de court-circuit (<1H) ou de surintensit (>quelques H).

F IG . 2.18 Bras donduleur avec impdance de court-circuit

Sur la figure 2.19, on remarque que dans le cas dun court-circuit, la tension
Vce ne dcrot pas jusqu une valeur proche de quelques Volts. La longueur du
plateau Miller est plus faible que lors de commutation en fonctionnement normal.

42
2.3 Protections des modules IGBT

F IG . 2.19 Court-circuit de type I

F IG . 2.20 Sur-intensit type I

43
2.3 Protections des modules IGBT

Cette information peut tre utilise pour dtecter un rgime de court-circuit. Dans
la thse de Robert Pasterczik [Pas93], diffrentes mthodes sont exposes pour
dtecter le rgime de court-circuit par la mesure de la tension grille-metteur.
En cas de dfaut, la monte du courant dans lIGBT est impose par limp-
dance de dfaut. Dans la plupart des cas, on modlise cette impdance par une
inductance de faible valeur, ce qui correspond bien la ralit. La monte du cou-
rant est trs rapide lors dun dfaut. La dtection peut tre effectue par la mesure
du di/dt dans lIGBT. Une mthode consiste mesurer la tension entre lmetteur
de puissance et lmetteur de commande qui donne une image du di/dt dans lIGBT
grce aux effets inductifs des connexions internes du module IGBT [Lef05] : voir
section 4.3 page 162.

2.3.4 Protections contre les surtensions


Lors de louverture en rgime de dfaut, la surtension prsente sur le collec-
teur du module IGBT est suprieure celle obtenue en commutation normale. Elle
peut dpasser la tension admissible par le module IGBT et provoquer sa destruc-
tion. Pour viter ce type de destruction de module IGBT, on utilise un systme qui
permet de limiter la surtension sur le collecteur en cas douverture de lIGBT en
rgime de dfaut.
La solution la plus rpandue consiste utiliser des diodes TRANSIL5 entre
le collecteur et la grille du module IGBT : souvent appel "clamping" ou "clam-
ping actif". Ds que la tension collecteur-metteur dpasse la tension des diodes
TRANSIL Tr , un courant iT R est inject dans la grille (figure 2.21), la tension Vge
augmente, lIGBT fonctionne en linaire et la tension Vce est rduite.

F IG . 2.21 Hacheur en rgime de dfaut avec clamping diode TRANSIL

Sur la figure 2.22, on reprsente le courant collecteur Ic , les tensions Vge et Vce
sans et avec diode TRANSIL. Avec le systme de clamping, la tension Vge remonte
5 marque dpose

44
2.3 Protections des modules IGBT

aprs le plateau Miller (phnomne expliqu dans le paragraphe 3.2.1 page 78) :
dans cette phase, la tension Vge est fixe une tension pour limiter la tension Vce
une valeur proche de la tension de la diode TRANSIL Tr .

F IG . 2.22 Ouverture de lIGBT avec et sans systme de clamping diode TRAN-


SIL

Cette solution est trs utilise sur les drivers de module IGBT de type industriel.
Elle comporte nanmoins des risques : la contre-raction du collecteur sur la grille
peut engendrer des oscillations sur la tension de grille et la tension collecteur. Si
ces oscillations deviennent trop importantes, lIGBT peut repasser ltat satur.
Le courant dans lIGBT se met crotre, la scurit en surintensit coupe lIGBT et
louverture cre une surtension qui dpasse la valeur des diodes TRANSIL. A cause
de ce phnomne, lIGBT voit son courant augmenter trs rapidement, quelques
cycles suffisent pour que le module soit dtruit.
Pour viter ce phnomne, on ajoute une rsistance en srie avec les diodes
TRANSIL. Cette rsistance permet damortir les oscillations sur les tensions de
grille et collecteur. Mais, elle a pour consquence nfaste de modifier la tension
maximale vue par le collecteur. Ceci implique un rglage prcis du systme de
clamping pour chaque convertisseur : choix de Rg , RT et Tr sur la figure 2.23.
Afin dtudier ce phnomne, nous avons ralis des essais de clamping sur
des modules IGBT. Les essais ont t raliss conformment au schma de la fi-
gure 2.23. La tension de bus est de 360V environ. La tension Vge passe de +16V
-16V lors de louverture du module IGBT. Une surtension apparat sur la tension
Vce , les diodes TRANSIL entrent en conduction et le courant ig qui est alors nga-

45
2.3 Protections des modules IGBT

F IG . 2.23 Hacheur en rgime de dfaut avec clamping diode TRANSIL et rsis-


tance srie

tif crot rapidement pour atteindre des valeurs positives (figure 2.24). La tension
Vge augmente lgrement aprs le plateau Miller pour ralentir la dcroissance du
courant collecteur et ainsi limiter la surtension.

F IG . 2.24 Exemple de clamping diode TRANSIL

2.3.5 Conclusion
Compte tenu des cots des convertisseurs base de modules IGBT, on com-
prend lintrt de mettre en oeuvre des systmes de protection pour la thermique,
les court-circuits et surintensits, les surtensions.
La protection thermique avec la mesure de la temprature du systme de refroi-
dissement est la plus simple mettre en oeuvre mais fait intervenir des constantes

46
2.4 Transmission des ordres

de temps de plusieurs dizaines de minutes. La mesure de la temprature avec laide


dune thermistance permet de mesurer la temprature au plus prs des puces diodes
et IGBT du module. La mise en oeuvre est trs simple et son efficacit est excel-
lente.
Les systmes de mesure de temprature des puces diodes et IGBT sont beau-
coup plus lourds mettre en oeuvre et ne sont pas mis en oeuvre lheure actuelle
sur des drivers industriels. Ils ncessitent des systmes de mesures analogiques, de
conversions analogique-numrique et des tratements numriques.
Les systmes de protection contre les court-circuits, les surintensits et les sur-
tensions sont ncessaires car ils garantissent la sret de fonctionnement du conver-
tisseur de puissance lors de dfauts. A lheure actuelle, la mthode utilise consiste
mesurer la tension Vce lorsque lIGBT est passant (methode du Vcesat ) puis en cas
de dfaut douvir lIGBT comme en fonctionnement normal. Le systme diodes
TRANSIL est galement actif et limite la surtension aux bornes de lIGBT. Cette
mthode est assez simple mettre en oeuvre et est trs largement rpandue dans
les applications industrielles. Dans le chapitre 4, nous verrons les amliorations
que lon peut apporter cette mthode lorsque les dfauts ont des impdances ex-
trmement faibles, ceci pour viter de fonctionner en rgime de court-circuit et
seulement en rgime de surintensit.

2.4 Transmission des ordres


La transmission des ordres a pour but de transmettre les ordres provenant du
primaire pour les restituer au secondaire (et inversement pour le retour dinforma-
tion dont les ordres proviennent du secondaire et sont restitus au primaire) : voir
figure 2.3 page 28. Cette transmission doit garantir une isolation galvanique sta-
tique et dynamique ; elle doit tre rapide pour minimiser le temps de transfert entre
la commande globale et la grille du module IGBT ; elle doit rsister aux perturba-
tions lectromagntiques.
Dans cette partie, nous nous attachons aux diffrentes solutions technologiques
existantes avec lvaluation des performances sur les points suivants :
isolation galvanique statique
isolation galvanique dynamique : capacit de couplage entre primaire et secon-
daire
rapidit du transfert des ordres
consommation
mise en oeuvre
immunit aux perturbations lectromagntiques

Nous exposons quatre axes de solutions technologiques pour la transmission


des ordres. Dans chaque axe, il existe diffrentes variantes associes aux modes de
transmission des ordres et des choix des composants.

47
2.4 Transmission des ordres

F IG . 2.25 Synoptique dune transmission dordre

2.4.1 Transmission optique


Cette solution consiste associer un metteur optique (LED) un rcepteur
photo-sensible (photo-transistor ou photo-diode).

Optocoupleur

La premire solution utilisable est loptocoupleur. La diode mettrice et le com-


posant photosensible sont dans le mme botier plastique. Le composant photosen-
sible peut tre un transistor bipolaire, un transistor bipolaire Darlington, un triac,
une diode ou un thyristor. Les performances de ces composants sont limites une
isolation statique de quelques kV et des dV/dt de quelques kV/s maximum. De
plus, les temps de propagation sont trs longs, ils peuvent varier de quelques s
quelques ms. Quelques optocoupleurs ont des temps de propagation infrieurs
100ns.
Cette solution est carter car les temps de propagation doivent tre infrieurs
1s pour les drivers de module IGBT. De plus, les dv/dt rencontrs dans des
applications peuvent atteindre quelques dizaines de kV/s pour les modules IGBT
et quelques centaines de kV/s pour les MOSFET dans des cas extrmes.

LED - photodiode - comparateur

Compte tenu des remarques prcdentes, il devient prfrable dutiliser des


composants "spars" pour la transmission dordre. Un guide de lumire entre
lmetteur et le rcepteur permet de bien sparer physiquement (quelques mm) les
deux parties pour augmenter la tenue en tension statique et minimiser les capacits
parasites entre lmetteur et le rcepteur. La figure 2.26 illustre cette solution o le
guide de lumire est une fibre optique.

48
2.4 Transmission des ordres

F IG . 2.26 LED et photodiode spares par une fibre optique

La LED est alimente en fonction des ordres mettre. La logique de com-


mande est triviale. La photodiode peut tre modlise par un gnrateur de courant
qui dpend de lintensit lumineuse reue avec en parallle un condensateur dont
la valeur dpend de la tension inverse de la photodiode. Une utilisation simple de
ce principe est de connecter une rsistance en srie avec la photodiode, de mesurer
et de comparer la tension ses bornes pour faire commuter un comparateur (figure
2.27).

F IG . 2.27 Transmission avec LED - photodiode et comparateur

Les lments parasites sont reprsents sur cette figure pour faire apparatre les
points faibles de cette structure. Avec les composants actuels, on peut avoir une
photodiode qui a une capacit parasite de 10pF et un courant photo-lectrique de
10A. Si lon prend Vre f = 0.5V (valeur faible), il faut avoir une tension aux bornes
de R3 qui varie entre 0V (presque 0V, dpend du courant de repos de la photodiode
et de la rsistance R3 ) et 1V. Il faut donc prendre R3 =1V / 10A = 100k. Or, la
capacit parasite C1 et la rsistance R3 crent une constante de temps 1 de 1s.
Ce qui veut dire que la tension VR3 met environ 1s pour passer de 0V 0.5V et

49
2.4 Transmission des ordres

de 1V 0.5V. Ce temps est assez lev mais reste acceptable. Or, les niveaux de
tension sont trs faibles (dtecter 0.5V) pour un environnement qui est soumis de
nombreuses perturbations lectromagntiques. Si lon augmente R3 500k pour
avoir une tension VR3 =5V, on obtient 1 = 5s . . .

LED - photodiode - amplificateur - comparateur

Le principe de lmission est identique la solution prcdente. Lmetteur


et le rcepteur sont spars par une fibre optique. Pour la rception, on voit quil
faut raliser un compromis entre la rapidit et limmunit aux parasites extrieurs
par rapport la solution prcdente. Pour contourner ce problme, on ralise un
amplificateur de transimpdance qui donne une tension image du courant de la
photodiode. Celle-ci nest plus connecte en srie avec une rsistance de forte va-
leur qui permet dobtenir des temps de monte et de descente rapides. La figure
2.28 propose un schma amplificateur de transimpdance.

F IG . 2.28 Transmission avec LED - photodiode - amplificateur - comparateur

En rgime statique, on obtient Vid = id (R2 + R3 ). On fixe la valeur maximale


de Vid par les valeurs de rsistances R2 et R3 . En rgime dynamique, on ajuste les
rgimes transitoires avec les capacit C2 et C3 . La tension Vinv permet de polariser
en inverse la photodiode d2 qui a pour effet de rduire sa capacit parasite C1 et
augmente ainsi la rapidit du systme.

LED - recepteur intgr

Cette solution est identique la prcdente. Lmetteur et le rcepteur sont


spars par une fibre optique. Le systme de rception est entirement intgr. La
figure 2.29 illustre cette solution.
Les performances de cette solution technologiques sont exposes dans la partie
4.4.1 page 180.

50
2.4 Transmission des ordres

F IG . 2.29 Transmission avec LED et rcepteur intgr

2.4.2 Transformateur magntique

Principe de base

Cette solution consiste transmettre un ordre isol galvaniquement laide de


bobinages et de matriaux magntiques (ferrites). Les bobinages sont soit raliss
sur circuit imprim (tranformateur planar), soit par des fils avec isolants bobins
sur le matriau magntique.
Le transformateur magntique est pilot par une lectronique pour lmission.
La rception est galement ralise par une lectronique pour mettre en forme le
signal reu au secondaire du transformateur : voir figure 2.30.

F IG . 2.30 Principe de base de lmission et rception dordre avec transformateur


magntique

Il existe deux grands types de transmission dordre par transformateur magn-


tique : transmission par modulation ou par impulsion.

51
2.4 Transmission des ordres

Transmission par modulation damplitude


Dans ce cas, le primaire du transformateur est excit par une tension alterna-
tive frquence fixe pour transmettre ltat "haut". Pour ltat "bas", la tension au
primaire du transformateur magntique est nulle. Dans le premier cas, la tension au
secondaire est alternative (de mme frquence que la tension au primaire). Dans le
second cas, la tension au secondaire est nulle. Llectronique du secondaire doit d-
tecter la prsence ou non de la tension alternative au secondaire du transformateur
pour faire changer ltat de sa sortie (figure 2.31).

F IG . 2.31 Transmission dordre avec transformateur magntique et modulation


damplitude

Transmission par impulsion


Dans ce cas, le primaire du transformateur est excit par des impulsions brves
chaque fois que la tension Ventree change de valeur. Cette transmission est ralise
sur les fronts de Ventree et non sur ces tats. La tension au secondaire du transforma-
teur est constitue dimpulsions qui sont dtectes par llectronique au secondaire
et remise en forme pour obtenir loscillogramme de la figure 2.32.
Il existe un problme majeur dans ce systme impulsion. On peut avoir des
perturbations importantes lors des commutations des modules IGBT. Le systme
de dtection des impulsions au secondaire peut alors soit ne pas dtecter une im-
pulsion ou soit tre perturb et voir une impulsion alors que celle-ci provient dun
parasite. Dans les deux cas, le module IGBT concern va entrer en dfaut : les deux
IGBT du mme bras sont en conduction en mme temps.

2.4.3 Transformateur sans noyau magntique : transformateur core-


less
Dans la suite de ce manuscrit, nous appelons transformateur coreless un trans-
formateur magntique qui na pas de noyau magntique. Un transformateur co-

52
2.4 Transmission des ordres

F IG . 2.32 Transmission dordre avec transformateur magntique et impulsions

reless est constitu de bobinages coupls sans matriaux magntiques. Le plus


souvent, les bobinages sont srigraphis sur un circuit imprim. Les diffrents bo-
binages sont isols par le circuit imprim. Les coefficients de couplage entre les
bobinages permettent de raliser des transformateurs coreless : voir figure 2.33
pour exemple. Ce transformateur coreless a t ralis pour les drivers de la socit
ARCEL. Il est en matriau FR4 de 1.6mm et une paisseur de cuivre 35m. Il a t
spcialement conu pour la transmission du retour dfaut (information provenant
du secondaire en direction du primaire). Lanalyse et la conception sont prsentes
au paragraphe 4.4.2 page 185 : il est fait appel un logiciel de calcul numrique
3D, LTSpice6 et des essais exprimentaux.

F IG . 2.33 Prototype de transformateur coreless ralis sur circuit imprim, di-


mension de 6mm x 6mm

Comme pour le transformateur magntique (voir paragraphe 2.4.2), le trans-


6 Marque dpose

53
2.4 Transmission des ordres

formateur coreless est pilot par une lectronique pour lmission et la rception :
voir figure 2.30 page 51. Les modes de pilotage du transformateur coreless sont
identiques au transformateur magntique.
De nombreuses publications montrent les diffrentes formes de bobinage (carr,
rectangle, cercle) et les consquences sur les caractristiques des transformateurs
coreless [Tan99] [Hui99b] [Hui99a] [Tan99] [Tan00] [Tan01] [Hui97]. Des appli-
cations spcifiques ont t ralises pour la transmission dordre par modulation
pour driver dIGBT [Vas04].

2.4.4 Transformateur piezo-lectrique


Principe de base
Le transformateur piezo-lectrique est constitu dune (ou plusieurs) cramique(s)
piezo-lectrique(s) et de quatre lectrodes mtalliques. Leffet piezo-lectrique in-
verse est utilis pour crer une dformation mcanique partir dun champ lec-
trique (au primaire du transformateur). Leffet piezo-lectrique direct est utilis
pour crer une tension partir dune dformation mcanique (au secondaire du
transformateur). On illustre ce principe sur la figure 2.34 o lon reprsente un
transformateur piezo-lectrique en forme de barre.

F IG . 2.34 Principe de base du transformateur piezo-lectrique

Des applications base de transformateur piezo-lectrique sont utilises pour


piloter un bras donduleur IGBT [Vas01] [Vas02] [Vas03b].
Il faut noter quil existe plusieurs formes de transformateurs piezo-lectriques.
Les plus courants pour les applications de commande isole sont en barreau ou en
disque [Vas01] [Vas02] [Vas03b] [Vas03a].

Modes de transmission
Comme pour les transformateurs magntiques et coreless, on peut utiliser un
transformateur piezo-lectrique par modulation et par impulsion. La mthode par

54
2.5 Transmission de puissance

modulation semble tre la seule utilise dans la pratique [Vas04].

2.4.5 Conclusion
A priori, toutes les mthodes et solutions technologiques exposes prcdem-
ment pour la transmission des ordres semblent tre utilisables pour un driver in-
dustriel. Or, on peut tout de mme mettre quelques rserves vis vis des solutions
transformateurs magntiques et coreless qui utilisent une transmission par im-
pulsion car elles ncessitent une gestion plus complexe des ordres par rapport
une solution optique qui transmet des tats. En effet, les systmes impulsions
sont plus propices crer des dfauts sur un bras donduleur par exemple si une
impulsion correspondant louverture est "loupe" ou si un parasite envoie une
impulsion correspondant la fermeture alors que lIGBT doit tre ouvert.
Les transformateurs pizolectriques sont difficiles mettre en oeuvre cause
de leur multiples rsonnances. De plus, des problmes mcaniques sont attendus
lors des phases de moulage des drivers et dutilisations en milieux soumis de
fortes vibrations.
Dans le chapitre 4, nous verrons que la solution optique avec rcepteur intgr
permet dobtenir des performances excellentes bien que son prix soit important.
Dun point de vue conomique, la solution transformateur coreless et trans-
mission par impulsion semble tre la meilleure. En effet, ce transformateur est
intgr au circuit imprim et cote seulement la surface quil occupe. Linconv-
nient de cette solution rside dans le pilotage de ce transformateur qui possde des
impdances trs faibles. Nous verrons dans le chapitre 4 les contraintes en courant
dans un tel dispositif.

2.5 Transmission de puissance


La transmission de puissance a pour but de transmettre lnergie lectrique
du primaire au secondaire du driver (voir synoptique figure 2.3 page 28). Cette
transmission doit garantir une isolation galvanique statique et dynamique et doit
rsister aux perturbations lectromagntiques. Le rendement de la transmission de
puissance doit tre le plus lev possible.
Sur la figure 2.35, on montre le synoptique de la transmission de puissance
dans le cas dun driver qui pilote un module avec un IGBT simple et dans le cas
o le driver pilote un module avec deux IGBT en srie (bras donduleur). Ces deux
configurations sont les plus rencontres dans le milieu industriel.

55
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.35 Synoptiques de deux drivers dIGBT avec alimentation isole et repr-


sentation des capacits parasites de mode commun

56
2.5 Transmission de puissance

Dans cette partie, nous nous attachons aux diffrentes solutions technologiques
existantes et valuons les performances sur les points suivants :
isolation galvanique statique
isolation galvanique dynamique : capacits de couplage entre primaire et secon-
daires
immunit aux perturbations lectromagntiques
rendement
mise en oeuvre

2.5.1 Transformateurs magntiques

Les transformateurs magntiques sont trs utiliss pour ce type dapplication :


faible puissance (quelques Watt), fort isolement (quelques kV), faible couplage
capacitif entre bobinages, facilit de mise en oeuvre. Nous dcrivons tout dabord
les consquences des contraintes nonces prcdemment sur les transformateurs
magntiques.

Contraintes et consquences

Considrons le cas "simple" dun transformateur deux enroulements. Lisola-


tion galvanique statique est assure par les isolants entre les conducteurs des enrou-
lements et la ferrite. En effet, les ferrites sont considres comme des conducteurs
lectriques car leur rsistivit est trs faible dans certains cas. La ferrite seule ne
peut donc pas assurer lisolation statique.
Lisolation galvanique dynamique se quantifie par le biais des capacits de cou-
plage entre les enroulements. Si lon considre un condensateur plan, la capacit C
sexprime par lexpression suivante :

C = . Se = 0 .r . Se

57
2.5 Transmission de puissance

: permittivit de lisolant
r : permittivit relative de lisolant
0 : permittivit du vide
S : surface en regard
e : distance entre les surfaces

Cette considration simpliste permet de dgager plusieurs remarques dans le


cas des transformateurs magntiques. La nature de lisolant (r ) conditionne les
capacits parasites de couplage, de mme pour la distance entre les enroulements
(e) et les surfaces en regard (S).
Compte tenu de ces remarques, on aura plutt tendance bobiner les transfor-
mateurs magntiques de faon ce que les enroulements se chevauchent le moins
possible. Ceci nest pas sans consquences, on diminue le couplage et on augmente
la valeur des inductances de fuites. La tension rcupre au secondaire est attnue
par le biais des inductances de fuite. Nous verrons par la suite que les inductances
de fuite peuvent tre utilises notre avantage : voir page 59.

Topologies et structures dalimentation

Les contraintes imposes par lisolation statique et dynamique obligent bo-


biner les enroulements sans chevauchement ce qui diminue les couplages magn-
tiques entre ceux-ci.
Ce constat nous oblige soit utiliser des structures dalimentation dcoupage
qui utilisent leur avantage les inductances de fuite du transformateur, soit utiliser
les circuits crteurs pour limiter les surtensions dues aux inductances de fuite. Il
est vident que pour des raisons de rendement, la premire solution est privilgier.

Transformateur planar

Cette technologie consiste utiliser les pistes dun circuit imprim pour raliser
les bobinages du transformateur. La ferrite se monte par le biais de dcoupes dans
le circuit imprim. La figure 2.36 montre un exemple de transformateur planar.
Il a t dvelopp pour les drivers de la socit ARCEL. Le circuit imprim est
constitu de six couches en matriau FR4 et une paisseur de cuivre de 70m.
La mise en oeuvre de ce type de transformateur nest pas facile pour respecter
la contrainte disolation statique. Prenons lexemple dun circuit imprim double
face : un bobinage est effectu sur chaque face du circuit imprim. Lorsque la
ferrite est insre sur le circuit imprim, elle est trs proche des pistes des deux
enroulements des deux faces du circuit imprim : figure 2.37.
Ce problme peut tre rsolu par linsertion de deux plaques de circuit imprim
entre les pistes et la ferrite : figure 2.38.

58
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.36 Exemple de transformateur planar ralis au cours des travaux de re-


cherche

Les capacits parasites entre les enroulements dpendent des surfaces des pistes
en regard, de leurs dispositions et de lpaisseur du circuit imprim. Comme le
processus de gravure des pistes est industrialis et automatis, la rptabilit des
caractristiques des transformateurs planar est excellente.
Cette solution nest pas retenue par la suite car la rsistance des pistes est trop
importante. Les pertes produites par les bobinages sont trop importantes ce qui
cause une lvation de temprature du circuit imprim qui nest pas acceptable.

Transformateur bobin

Dans ce cas, le bobinage des enroulements est ralis avec du fil isol. La ferrite
peut avoir des formes varies : tores, E, U, . . . . Nous nous intressons au cas dun
transformateur dit torique : la forme de la ferrite est un tore (figure 2.39).
Cette solution est trs utilise pour des drivers industriels car elle permet dob-
tenir dexcellentes caractristiques (isolation statique et dynamique, rendement,
mise en oeuvre, volume) pour des prix infrieurs aux transformateurs planars.
Lisolation statique est assure par lisolant sur les fils des bobinages et la pein-
ture isolante de la ferrite. Celle-ci permet de tenir une tension disolement comprise
entre 1500V et 3000V en standard. Lisolant des fils assure des isolations comprises
entre quelques centaines de volts et quelques kilo-volts en fonction de la nature et
lpaisseur de celui-ci.
Les capacits de couplage sont rduites si lon diminue le nombre de tours des
bobinages et que lon loigne les enroulements les uns des autres : figure 2.40.
Ceci nous incite utiliser des structures dalimentation frquence leve pour
diminuer le nombre de tours des bobinages et utiliser au maximum des commuta-
tions zro de tension qui utilisent les inductances de fuite des transformateurs :
structures rsonance et quasi rsonance.

Alimentation commutation douce zro de tension

Nous dveloppons deux exemples dalimentations spcialement adaptes pour


les drivers dIGBT : faible puissance, fort isolement galvanique, faible couplage
capacitif du transformateur associ.

59
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.37 Problmes disolement entre pistes et ferrite sur un transformateur


planar

60
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.38 Isolement dun transformateur planar laide de deux circuits imprims


supplmentaires

(a) (b)

F IG . 2.39 Tores en ferrite et transformateurs toriques - deux ferrites diffrentes et


nombre de tours diffrent entre (a) et (b) - (a) : diamtre de 16mm - (b) : diamtre
de 13mm

(a) (b)

F IG . 2.40 Isolation et transformateur torique

61
2.5 Transmission de puissance

La premire est une alimentation Forward multi-rsonant en tension [Hei98].


En effet, elle possde deux condensateurs qui sont utiliss pour la rsonance. Nous
montrons le cheminement intellectuel pour arriver au schma final.

(a) (b)

(c) (d)

(e)

F IG . 2.41 Construction de lalimentation Forward ZVS double resonance

Le schma a de la figure 2.41 reprsente un hacheur abaisseur avec la source Ve


et la tension de charge Vs . Limplantation dun transformateur est impossible entre
la source et la charge car hVd i 6= 0. On insre une diode d en srie avec la source
de tension qui ne change en rien le fonctionnement de labaisseur mais qui permet
dobtenir un degr de libert pour avoir hVd i = 0 (schma b). Le schma c montre
une structure Forward sans dmagntisation du transformateur. Cette structure ne
peut pas fonctionner telle quelle est actuellement. LR modlise linductance de
fuite du transformateur rel et T le transformateur idal de rapport de transforma-
tion m. Sur la figure d, la structure abaisseur peut fonctionner commutation nulle
en tension sur Q1 grce au condensateur CR : commutation mono-directionnelle en
tension. Le condensateur CR2 sert obtenir une deuxime rsonance en tension au

62
2.5 Transmission de puissance

secondaire du transformateur T .
Le deuxime exemple est une alimentation utilise sur des drivers industriels
disponibles dans le commerce. Cette structure est trs simple et fait fonctionner
linterrupteur zro de tension louverture et la fermeture. La figure 2.42 re-
prsente cette structure.

(a) (b)

F IG . 2.42 Alimentation commutation douce pour driver dIGBT

Cette structure nest pas conventionnelle comme le sont les structures flyback
et forward. En effet, lorsque le MOSFET Q est ferm, le transfert dnergie entre
la source de tension Ve et le rcepteur Vs est direct. Lorsque le MOSFET Q souvre,
la tension Vds crot et la tension Vprim dcrot. La tension Vsec dcrot et le transfert
dnergie entre le primaire et la source diminue jusqu sannuler. A ce moment,
le courant dans la diode d sannule, la tension Vsec devient limage de la tension
Vprim . Le secondaire est dconnect du primaire. Le primaire est alors constitu de
linductance magntisante Lm et linductance de fuite LR avec un courant positif
les traversant. Le condensateur CR et linductance Lm + LR constituent un circuit
oscillant. La tension Vds et le courant dentre ie sont en quadrature de phase. La
frquence doscillation est :
1
fR = p
2 (Lm + LR ).CR

Comme Lm  LR on peut simplifier lexpression de fR :


1
fR =
2 Lm .CR
Lorsque Vds devient ngative, la diode du MOSFET Q se met en conduction et
Vds = 0. La tension Vsec devient positive quand la tension Vds passe en dessous de
Ve . Le courant dans d stablit quand la tension Vsec devient lgrement suprieure
Vs . La charge Vs absorbe un courant provenant du secondaire du transformateur.
Le courant dentre ie est ngatif et crot vers des valeurs positives. Le MOSFET
Q est remis en conduction quand sa diode intrinsque conduit. Lorsque le courant
ie devient positif, le MOSFET Q entre en conduction en polarisation directe. On

63
2.5 Transmission de puissance

voit que linductance de fuite du transformateur LR intervient trs peu dans la fr-
quence doscillation fR si celle-ci est ngligeable devant Lm . Ceci est vrai dans la
plupart des cas pour les transformateurs bobins. Cela implique que la faon dont
est bobin le transformateur a peu dinfluence sur la frquence fR . La valeur de LR
va surtout conditionner les commutations de la diode d du secondaire.
Pour illustrer ces explications, nous avons simul cette structure avec le logiciel
LTSpice avec les paramtres suivants :
Ton : 0.7s temps de mise en conduction du MOSFET
T : 2.1s priode de dcoupage
CR : 1.2nF condensateur de rsonance
Cs : 10F capacit de dcouplage de la charge
Rch : 470 rsistance de charge
LR : 100nH inductance de fuite du transformateur
m : 1.29 rapport de transformation
Lm : 56H inductance magntisante du transformateur
Vs : 19V tension de sortie de lalimentation

45 0.3
Vds iLR
40 Vgs id
35 0.2
30
Vds Vgs [V]

25
id [A]

0.1
20
15
iLR

0.0
10
5
0 0.1
5
10 0.2
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]

60
Vsec
50 Vd
40
30
Vsec [V]

20
10
0
Vd

10
20
30
40
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s]

F IG . 2.43 Simulation de la structure de la figure 2.42

64
2.5 Transmission de puissance

2.5.2 Transformateur coreless


Le transformateur coreless peut tre utilis pour transmettre de lnergie lec-
trique avec isolation galvanique. Dans la littrature [Hui99b] [Hui99a] [Tan99], on
trouve des applications base de transformateurs coreless sur circuit imprim qui
permettent de transfrer les ordres et la puissance par le mme transformateur. Les
auteurs utilisent un systme de modulation haute frquence au primaire du transfor-
mateur. Au secondaire, le signal du transformateur est dmodul par un systme de
redresseur. La composante haute frquence de modulation permet de transmettre
lnergie et lordre en mme temps. Les puissances transmises au secondaire sont
infrieures 2W. Cette mthode permet dobtenir des circuits de commande de
MOSFET et IGBT avec une isolation suprieure 10kV. Les frquences de dcou-
page sur la grille des interrupteurs peuvent aller de 1Hz 300kHz [Hui99b], ce qui
permet de rpondre bon nombre dapplications. La figure 2.44 illustre ces propos.

F IG . 2.44 Transformateur coreless avec transmission de puissance et ordres de


commande

Dans [Tan99], un transformateur un primaire et deux secondaires permet de

65
2.5 Transmission de puissance

piloter un bras donduleur. Les commandes sur les grilles des interrupteurs sont
isoles et complmentaires. Laspect CEM de cette solution technologique est ga-
lement trait : les auteurs montrent que le transformateur coreless rayonne trs peu
car il travaille en "champ proche". Le champ lectromagntique gnr par le trans-
formateur coreless est trs local. Il se concentre dans le circuit imprim entre les
deux enroulements et trs localement lextrieur. Du point de vue immunit aux
rayonnements extrieurs, il est peu sensible dans sa plage dutilisation : quelques
Mga-Hertz. De plus, les capacits de couplage entre primaire et secondaires sont
de lordre de 10pF et peuvent mme descendre en dessous de 3pF en fonction de
la taille du transformateur.
Cette solution permet denvoyer les ordres et la puissance via le mme signal.
La solution suivante permet davoir une alimentation isole base de transforma-
teur coreless. Dans [Tan01], une alimentation stabilise est mise en oeuvre. Le
transformateur coreless a un diamtre de 4.6mm. Lalimentation permet de trans-
mettre une puissance de 0.5W (5V, 100mA) avec un rendement total de 34%. Liso-
lation galvanique est assure par les proprits dilectriques du circuit imprim
(10kV 40kV par millimtre).
Les inductances quivalentes des bobinages et le coefficient de couplage tant
trs faibles, le transformateur coreless est utilis dans une structure rsonance au
secondaire du transformateur. La frquence de dcoupage est choisie pour avoir
des commutations zro de tension des interrupteurs au primaire et obtenir un
rendement et un gain en tension acceptables. La modlisation simplifie de ce type
de transformateur permet de prdire son comportement sur une large gamme de
frquence. Leffet de peau est pris en compte, les auteurs ont choisi de modliser
laspect rsistif des bobinages de la faon suivante :

R1 ( f ) = R2 ( f ) = . f 3 + . f 2 + . f + (2.3)

f : frquence
, , , : coefficients rels
Le couplage inductif est modlis par deux inductances de fuite L f 1 et L f 2 et
par linductance magntisante Lm . La capacit C12 reprsente la capacit parasite
entre le primaire et le secondaire. La figure 2.45 reprsente cette modlisation.
La capacit Cs et la rsistance Rs reprsentent la charge au secondaire du trans-
formateur. La structure de alimentation de larticle [Tan01] est expose figure 2.46
o lon reprsente le circuit de commande, le demi-pont capacitif, le condensateur
de rsonance CR au secondaire du transformateur et le rgulateur linaire 5V.
Cette alimentation est peu attractive du point de vue de son rendement : 34%.
En effet, cause de la frquence dexcitation leve, des pertes importantes sont
gnres dans les enroulements cause de leffet de peau modlis par lquation
2.3 et cause des commutations des MOSFET du demi-pont et cel malgr des
commutations dites "douces". Mais, ses principaux atouts sont sa tenue en tension
statique trs importante (plus de 10 kilo-Volts) et sa capacit de couplage entre
primaire et secondaire trs petite (environ 10pF).

66
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.45 Modlisation dun transformateur coreless [Tan01]

F IG . 2.46 Structure dune alimentation isole base de transformateur coreless


[Tan01]

67
2.5 Transmission de puissance

2.5.3 Transformateur piezo-lectrique


Nous montrons dans ce paragraphe deux applications base de transforma-
teur piezo-lectrique. La premire ralise la transmission dordre et de puissance
par le mme transformateur pour deux IGBT en configuration de bras dondu-
leur [Vas02]. Rappelons que le principe de base du transformateur piezo-lectrique
consiste utiliser leffet piezo-lectrique inverse pour crer une dformation m-
canique partir dun champ lectrique au primaire du transformateur. Leffet direct
est utilis au secondaire pour crer une tension partir dune dformation mca-
nique : voir figure 2.34 page 54. Cette application permet de piloter un bras don-
duleur sous 300V, 20A 40kHz avec des rapports cycliques compris entre 0.1 et 1.
La figure 2.47 donne le schma de principe de cette application.

F IG . 2.47 Schma de principe de la commande de bras base de transformateur


piezo-lectrique

Au primaire, la commande cre deux ordres complmentaires avec temps mort.


Le circuit de modulation effectue une modulation pleine onde frquence fixe.
Celle-ci est adapte la rsonance mcanique du transformateur. Au secondaire,
un circuit de mise en forme dmodule le signal reu pour commander la grille
(systme de dtection denveloppe) et le redresse pour charger un condensateur
qui fournit lnergie ncessaire au secondaire (alimentation de llectronique et la
commande de grille). Il existe donc un rapport cyclique minimum pour faire fonc-
tionner le secondaire convenablement. La rapidit du systme est base sur la vi-
tesse de transmission du transformateur. Le temps de propagation est minimis par
lutilisation dun matriau le plus dur possible (Zirconate de Titanate de Plomb :
PZT). Londe mcanique parcourt une distance minimise si le transformateur est
de faible paisseur et fonctionne en mode paisseur. Les deux cramiques sont iso-
les lectriquement et couples mcaniquement laide dune couche dalumine
de 300m. Les trois couches sont relies par de la colle poxy. La frquence dex-
citation du transformateur est choisie pour avoir un zro de contrainte au niveau du

68
2.5 Transmission de puissance

collage : voir figure 2.48.

F IG . 2.48 Contrainte, dplacement et polarisation lectrique suivant lpaisseur

Cette configuration permet dobtenir un rendement de 72% pour 0.45W dis-


ponible au secondaire. Du fait des grandes surfaces en regard entre primaire et
secondaire, la capacit parasite de mode commun est importante. Elle est mesure
26pF pour un transformateur disque de 16mm de diamtre et 2.3mm dpaisseur.
Le deuxime exemple ralise une transmission de puissance laide dune c-
ramique en forme de pav [Vol99]. Cette structure permet de minimiser la capacit
parasite entre primaire et secondaire : les surfaces en regard sont beaucoup plus
faibles que dans lexemple prcdent avec une structure disque. Le maintien de la
cramique est ralis avec une enveloppe plastique spare par des chambres pour
augmenter lisolation lectrique. Les contacts entre le botier et la cramique sont
raliss avec des joints silicone : voir figure 2.49.

F IG . 2.49 Cramique et mise en botier

Du point de vue lectrique, le transformateur possde trois zros de phase pour


le courant dentre dans la gamme 40kHz - 54kHz. Un seul correspond un maxi-
mum dimpdance dentre : le point de fonctionnement se situe au plus proche de
ce point pour garantir un rendement optimum. La figure 2.50 montre les courbes
de phase pour le courant dentre et limpdance dentre.

69
2.5 Transmission de puissance

F IG . 2.50 Phase du courant dentre et impdance dentre dans la gamme


40kHz-54kHz

Ces deux courbes dpendent de la temprature, de limpdance de sortie et de


la nature de la cramique : la frquence de fonctionnement doit tre asservie pour
avoir une phase nulle entre la tension et le courant dentre. La figure 2.51 donne
le schma de principe de lalimentation.

F IG . 2.51 Schma de principe de lalimentation

Un transformateur lvateur au primaire permet dutiliser une tension de quelques


centaines de volts au primaire de la cramique. Un transformateur abaisseur au se-
condaire donne une tension exploitable en basse tension. Avec un transformateur
de 150mm de long, 5mm de largeur et 2.5mm dpaisseur, lauteur obtient une
puissance de 7W avec un rendement de 80%. La capacit parasite est mesure
1.5pF.

2.5.4 Transmission optique


Cette solution consiste utiliser un metteur et un rcepteur optique spars
par un guide de lumire. Compte tenu des rendements actuels des dispositifs photo-

70
2.5 Transmission de puissance

lectriques, il semble assez difficile dutiliser une telle technologie pour des appli-
cations de drivers classiques : 20% pour les metteurs infra-rouge et 30% pour les
cellules photo-voltaques.
On peut se demander comment transmettre une puissance de quelques Watts
avec un isolement de plusieurs dizaines de kilo-Volts avec une capacit de couplage
infrieurs quelques pico-Farads : la seule rponse possible actuellement est la
transmission de puissance par systme photo-lectrique.
Une quipe de chercheurs Japonnais a mis en oeuvre une alimentation isole
base dmetteurs et rcepteurs optiques pour isoler une source dnergie plu-
sieurs dizaines de kilo-Volts (teste 70kV) [Yas02]. Sur la figure 2.52, on dcrit
brivement le systme mis en oeuvre.

Contrle de Cellules
Diodes laser photovoltaques convertisseur 5V
l'mission 2W

retour LED

Fibres
optiques

F IG . 2.52 Alimentation isole base de composants photo-lectriques

Les metteurs sont des diodes laser (longueur donde : 808nm) et les rcepteurs
des cellules photovoltaques en GaAs dont le maximum du rendement quantique se
situe aux alentours de 800nm. Un convertisseur permet de fournir une tension de
5V en sortie du secondaire. Un systme de retour a pour but de couper les metteurs
en cas de rupture des fibres optiques ou en cas de problme au secondaire sur les
cellules photovoltaques. Ce systme a permis de fournir une puissance de 2W au
secondaire avec un rendement de 2.9%.

2.5.5 Conclusion
Nous venons de voir que les solutions base de transformateurs pizolec-
triques ont des rendements faibles. La solution optique a un rendement trs faible
mais une excellente tenue en tension statique et une capacit de couplage trs
faible.
Le transformateur planar nest pas utilisable car son volume et les pertes dans
les bobinages sont trop importants.
La meilleure solution semble tre celle base de transformateur magntique
bobin. Elle permet dobtenir des puissances volumiques et des rendements trs

71
2.6 Conclusion

satisfaisants grce notamment aux topologies utilisants les interrupteurs en com-


mutation zro de tension.
Dans le chapitre 4, nous verrons que notre systme de commande de grille
ncessite une tension symtrique (15V) et ceci a des consquences sur le choix
de la topologie de lalimentation isole.

2.6 Conclusion
Un driver de module IGBT doit comporter plusieurs fonctions de base. Celles-
ci peuvent tre ralises de diffrentes manires. Dans le chapitre 4, nous dcou-
vrirons les solutions apportes par rapport celle ce chapitre.
Dans le chapitre suivant, chapitre 3, nous tudions la modlisation et les com-
mutations des modules IGBT afin de connatre au mieux les comportements des
modules IGBT pour la conception des drivers.

72
Chapitre 3

Analyse et modlisation en
commutation des modules IGBT

Dans ce chapitre, nous proposons une modlisation lectrique simple base


dlments passifs classiques (rsistance, inductance et capacit) de module IGBT.
La commutation de lIGBT est prsente avec un modle lectrique simplifi. On
montre que le type de commande de grille a une influence sur la commutation de
lIGBT (commande de grille en tension ou courant) ainsi que la vitesse des impul-
sions de tension sur la rsistance de grille dans le cas de la commande de grille en
tension (phnomne qui prend de limportance dans la pratique).
Limportance de la prise en compte des inductances de cblage et des couplages
magntiques entre puissance et commande est mise en vidence par des simula-
tions dun module IGBT.
Un exemple de modlisation des inductances de cblage est ralis grce au logi-
ciel InCa1 (Inductance Calculation) pour deux modules IGBT 1200A - 3300V du
commerce.
Pour finir, nous exposons le phnomne davalanche dynamique prsent sur des
modules IGBT dune certaine technologie avec exprimentations, simulations nu-
mriques et modlisations lappui.

3.1 Modlisation lectrique simplifie de puce IGBT


Dans cette partie, nous proposons une modlisation lectrique simple qui prend
en compte les courbes statiques des modules IGBT, les capacits quivalentes des
puces IGBT et le recouvrement inverse des diodes.

3.1.1 Modlisation statique des puces IGBT


La modlisation statique des modules IGBT consiste donner le rseau de
courbes liant Ic , Vge , Vce diffrentes tempratures. Les constructeurs donnent en
1 marque dpose

73
3.1 Modlisation lectrique simplifie de puce IGBT

gnral la courbe qui lie Ic Vce pour diffrentes valeurs de Vge .


Sur la figure 3.1, on distingue trois zones de fonctionnement pour lIGBT. La
premire zone caractrise lIGBT courant collecteur nul et tension collecteur
quelconque (axe Ic = 0) ; la seconde zone dite "zone sature" o lIGBT fonctionne
en limitation de courant, puis la zone ohmique quand lIGBT est dit "ferm". La
figure 3.2 montre la courbe statique Ic = f (Vce ,Vge ) pour deux modules de calibre
en courant diffrent.

Ic
Vge=20V Vge=11V

Vge=10V
Zone Zone
ohmique Vge=9V sature

Vge=8V

Vce
V0

F IG . 3.1 Rseaux statique du comportement de lIGBT en direct

Le fonctionnement statique des modules IGBT est modlis trs simplement.


Tout dabord, dans la zone ohmique, on donne lquation simple :
Vce = V0 + R Ic
Ensuite, dans la zone sature, on modlise le comportement par lquation :
Ic = K f (Vge )
o K est une constante de lIGBT et f est une fonction. Dans la littrature, on
trouve deux types de fonction f : simple droite ou parabole.
f (Vge ) = (Vge Vth ) [EC95][Pas93][Fre03]
f (Vge ) = (Vge Vth )2 [Sar95]
Vth : tension de seuil du canal de lIGBT
(3.1)

3.1.2 Modlisation des effets capacitifs des puces IGBT


Dans cette partie nous prsentons une modlisation simplifie des lments
capacitifs dune puce IGBT. On considre une section de puce IGBT sur la figure
3.3 o lon reprsente les capacits prises en compte dans notre modlisation.

74
3.1 Modlisation lectrique simplifie de puce IGBT

F IG . 3.2 Caractristiques statiques des modules FF300R12KT3 et 1MBI800UB-


120 - sources datasheets Eupec et Fuji Electric

F IG . 3.3 Elments capacitifs dune cellule IGBT

75
3.1 Modlisation lectrique simplifie de puce IGBT

C1 : capacit entre grille et metteur, dpend de lpaisseur de loxyde disole-


ment entre les contacts de grille et dmetteur et de la gomtrie des cellules.

C2 - C4 : capacits entre grille et metteur (de la zone P+ ), C2 dpend de lpais-


seur de loxyde de grille et de la gomtrie des cellules ; C4 dpend de ltat
de la zone de dpltion de la jonction N + P.

C3 - C5 : capacits entre grille et collecteur ; C3 dpend de lpaisseur de loxyde


de grille et de la gomtrie des cellules ; C5 dpend de ltat de la zone de
dpltion de la jonction P/P+ N .

C6 : capacit entre metteur et collecteur ; dpend de ltat de la zone de dpl-


tion de la jonction P/P+ N .

Les paramtres dfinis prcdemment sur une cellule sont macroscopiques.


Pour des raisons de simplicit, on peut considrer que cette modlisation reste vraie
pour une approche globale dune cellule IGBT. On reprsente alors une cellule
IGBT et ses lments capacitifs comme sur la figure 3.4.

F IG . 3.4 Circuit quivalent dune cellule IGBT

Les associations srie-parallle des diffrentes capacits peuvent tre simpli-


fies pour arriver la figure 3.5.
Nous reviendrons sur cette modlisation lectrique simplifie pour tudier la
commutation de lIGBT (paragraphe 3.2) o nous ferons des hypothses simplifi-
catrices sur la non-linarit des capacits Cge Cgc et Cce .
Cette modlisation lectrique simplifie nous permet de dcrire le comporte-
ment dune cellule et dune puce IGBT. Elle ne permet pas elle seule de dcrire le
comportement de modules IGBT qui sont pour la pluspart des composants multi-
puces. Il faut pour cela prendre en compte les impdances dues au cblage des
modules (bondings, connexions bus-barre) : voir paragraphe 3.3

76
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.5 Circuit quivalent simplifi dune cellule IGBT

3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de


leur commande

Nous prsentons lanalyse des commutations dune puce IGBT dans un ha-
cheur sur charge inductive. Les rsultats sont issus de simulations analytiques (pour
les sections 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3, 3.2.4). On suppose que le courant dans linductance
est constant pendant les commutations. La figure 3.6 reprsente le schma du ha-
cheur et la commande de grille. On reprsente seulement Lcab qui modlise les
inductances de cblage.

F IG . 3.6 Hacheur IGBT sur charge inductive

77
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

3.2.1 Commande de grille en tension avec diode parfaite - simulation


analytique
Nous considrons le schma de la figure 3.7 et la diode D comme parfaite. La
source de tension Vg part de Vdd et rejoint la valeur Vcc avec un front infiniment
rapide.

F IG . 3.7 Commande de grille en tension

Avant tout, il faut modliser les capacits Cge , Cgc et Cce lors des commutations
car elles ont un comportement non-linaire. On modlise ces capacits selon les
figures 3.8 (a), (b) et (c).
Cge : constante, elle est due la couche doxyde sous la grille et la mtallisation
de lmetteur.
Cce : reprsente la capacit entre le collecteur et lmetteur, elle est non-linaire
en fonction de Vce .
Cgc : reprsente les changes de charges entre la grille et le drain du MOSFET
interne, cest dire entre la grille de lIGBT et la base du transistor pnp in-
terne. Cette capacit est fortement non-linaire en fonction de la tension Vce

Dans cette premire tude, on ne prend pas en compte linductance Lcab . Sur la
figure 3.9, on montre les formes donde lors de la mise en conduction.
Sur la figure 3.10, on reprsente le chemin parcouru par le point de fonction-
nement de lIGBT sur la courbe statique Ic = f (Vce ,Vge ).

F t < T0 :
Le montage est ltat de repos, le courant dans la diode est impos par linduc-

78
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

(a) (b)

(c)

F IG . 3.8 Variation des capacits de lIGBT en fonction de Vce

79
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.9 LIGBT la mise en conduction - commande en tension

80
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.10 Parcours de Vce et Ic lors de la mise en conduction - commande en


tension

tance I0 , lIGBT est bloqu, la tension Vce est gale la pleine tension Vbus , la com-
mande Vg est Vdd (Vge = Vdd et ig = 0). On a galement Cgc = Cgc2 et Cce = Cce2 .

F T0 < t < T1 :
La tension de grille part de Vdd et crot jusqu Vth (tension de seuil de lIGBT). La
capacit Cge se charge alors que Cgc se dcharge, la tension Vge volue comme la
charge de la capacit quivalente Cge +Cgc2 :
 
Rg (Cget+C )
Vge (t) = (Vcc Vdd ) 1 e gc2 +Vdd (3.2)
Vcc Vdd Rg (Cget+Cgc2 )
ig (t) = e (3.3)
Rg

LIGBT reste bloqu : Ic = 0, Vcc = Vbus .

F T1 < t < T2 :
LIGBT entre en conduction dans sa zone de saturation. Ic (t) est li la tension
Vge (t) :

Ic = K (Vge (t) Vth )2 (3.4)

Le courant de la charge est suppos constant, le courant dans la diode dcroit de


I0 0 pour faire crotre le courant collecteur de 0 I0 . Comme la diode D est
conductrice, sa chute de tension est faible devant Vbus , on a Vce = Vbus . Les formes
donde pour ig et Vge sont exprimes par les quations de lintervalle prcdent.
F T2 < t < T3 :
A linstant T2 , le courant dans la diode a tendance sinverser, elle retrouve son

81
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

pouvoir de blocage. Le courant collecteur est impos par la charge : I0 . La tension


Vge se stabilise la tension VgeI0 appele tension de plateau Miller :
r
I0
VgeI0 = +Vth (3.5)
K
La tension de grille constante entrane un courant de grille constant :
Vcc VgeI0
IgI0 = (3.6)
Rg

Ce courant constant dcharge la capacit Cgc (t) = Cgc2 , on a alors lquation sui-
vante :
dVcg (t) IgeI0 dVce (t) Vcc VgeI0
= = = (3.7)
dt Cgc2 dt Rg Cgc2

F T3 < t < T4 :
A linstant T3 , la tension Vce atteint la valeur VgeI0 et on a Vcg (t) = 0 et Cgc (t) = Cgc1
(forte augmentation). Les quations sont les mmes que pour la phase prcdente :

dVcg (t) IgeI0 dVce (t) Vcc VgeI0


= = = (3.8)
dt Cgc1 dt Rg Cgc1

F T4 < t < T5 :
A linstant T4 , lIGBT entre dans sa zone ohmique. La tension Vge crot pour com-
penser la chute de Vce courant collecteur constant. La source de tension Vg charge
la capacit quivalente Cge +Cgc1 (>Cge +Cgc2 ) travers Rg .

F t > T5 :
A linstant T5 , la tension Vce atteint sa valeur finale Vcesat . La mise en conduction
de lIGBT est termine.
Sur la figure 3.11, on reprsente les formes dondes lors de louverture de
lIGBT et sur la figure 3.12 le chemin parcouru par lIGBT sur la courbe Ic =
f (Vge ,Vce ).

F t < T6 :
La charge impose le courant collecteur (I0 ), lIGBT est conducteur en zone oh-
mique (Vce = Vcesat ), ig (t) = 0, Vge (t) = Vcc , Vg (t) = Vcc , la capacit Cgc (t) = Cgc1
est charge Vce = Vcesat .

F T6 < t < T7 :
A linstant T6 , la commande Vg (t) passe de Vcc Vdd avec un front infiniment raide.

82
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.11 LIGBT louverture - commande en tension

83
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.12 Parcours de Vce et Ic lors de louverture - commande en tension

Ceci a pour effet de dcharger les capacits Cge et Cgc1 . La tension Vge (t) et le
courant ig (t) voluent de la faon suivante :
 
Rg (Cget+C )
Vge (t) = (Vdd Vcc ) 1 e gc1 +Vdd (3.9)
Vdd Vcc Rg (Cget+Cgc1 )
ig (t) = e (3.10)
Rg
LIGBT reste sur la partie ohmique de sa caractristique statique (Ic = I0 , Vge (t) &,
Vce (t) %)

F T7 < t < T8 :
La tension Vce continue augmenter lgrement, lIGBT fonctionne dans sa zone
ohmique (proche de la zone sature). La tension Vge diminue galement pour se
rapprocher de la zone sature pour garantir Ic = I0 .

F T8 < t < T9 :
A linstant T8 , lIGBT entre dans sa zone sature. La tension Vge se stabilise la
valeur VgeI0 et rpond lquation :
r
I0
VgeI0 = +Vth (3.11)
K
Le courant dans la rsistance Rg est donc constant :
Vdd VgeI0
IgI0 = (3.12)
Rg

84
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

Ce courant de grille dcharge la capacit Cgc (t) = Cgc1 , on peut crire lquation
suivante :
dVcg (t) IgeI0
= (3.13)
dt Cgc1

Comme la tension Vge (t) est constante, on peut crire galement :

dVcg (t) dVce (t) Vdd VgeI0


= = (3.14)
dt dt Rg Cgc1

F T9 < t < T10 :


Losque Vcg (t) sannule, la valeur de Cgc passe de Cgc1 Cgc2 . Il y a un changement
de pente pour les tensions Vcg (t) et Vce (t).

dVcg (t) dVce (t) Vdd VgeI0


= = (3.15)
dt dt Rg Cgc2

F T10 < t < T11 :


Losque Vce atteint la tension Vbus , la diode D se met en conduction et le courant
collecteur commence chuter. La tension Vge (t) dcrot :
 
Rg (Cget+C )
Vge (t) = (Vdd VgeI0 ) 1 e gc2 +VgeI0 (3.16)
Vdd VgeI0 Rg (Cget+Cgc2 )
ig (t) = e (3.17)
Rg

F T11 < t < T12 :


A linstant T11 , il ne reste plus que le courant de trous annuler. Ces charges po-
sitives sont principalement stockes dans la zone de drain N de lIGBT. Elles
reprsentent des charges minoritaires qui doivent se recombiner et engendrent un
temps de dcroissance important du courant collecteur : phnomne couramment
appel "queue de courant".
F t > T12 :
LIGBT est bloqu, la tension de grille nvolue plus, Vce = Vbus , Ic = 0, Vge = Vdd .

3.2.2 Commande de grille en tension avec diode relle et inductance


de cblage - simulation analytique
On garde les mmes conditions que dans la partie prcdente (figure 3.7 page
78). On ajoute deux phnomnes pour complter ltude de la commutation de

85
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.13 Mise en conduction avec diode relle et cblage - commande en tension

86
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

lIGBT. On prend en compte le recouvrement de la diode D et linductance de


cblage Lcab .
Tout dabord, pour la fermeture de lIGBT, on reprsente les formes dondes
sur la figure 3.13.
Lors de la croissance du courant dans le collecteur, on observe une chute de
tension sur le collecteur due linductance de cblage Lcab :
dIc
Vce = Lcab (3.18)
dt
Lorsque le courant atteint la valeur I0 fixe par la charge, la diode se bloque mais
passe par une phase de recouvrement qui vient ajouter le courant IRM I0 au courant
collecteur. Pendant cette phase de recouvrement, la tension dpasse la valeur VgeI0
pour satisfaire lquation :
r r r
Ic (t) I0 + IRM I0
Vge (t) = +Vth = +Vth > +Vth = VgeI0
K K K
A la fin du recouvrement, la tension Vge se stabilise VgeI0 et la commutation se
termine comme dans le paragraphe prcdent.

Ensuite, pour louverture de lIGBT, on reprsente les formes dondes sur la


figure 3.14. On remarque que seule la tension Vce est change par rapport la
figure 3.11 page 83. Effectivement, pendant la dcroissance du courant collecteur,
la tension Vce dpasse Vbus de la valeur Vce :
dIc
Vce = Lcab (3.19)
dt
Ensuite, pendant la queue de courant, le dIc /dt est faible et provoque une surten-
sion ngligeable.

3.2.3 Commande de grille en courant avec diode relle et cblage -


simulation analytique
Dans ce paragraphe, nous prsentons la commande de grille sur charge induc-
tive laide dun gnrateur de courant. Pour cela, nous considrons le schma de
la figure 3.15. Nous prenons en compte le recouvrement de la diode D et linduc-
tance de cblage pour louverture seulement. On suppose que la source de courant
est parfaite pour des tensions comprises entre Vdd et Vcc . On garde les hypothses
de non-linarit des capacits Cge , Cgc et Cce qui sont reprsentes figure 3.8 page
79.
Avant la mise en conduction, on suppose que lIGBT est bloqu : Vce = Vbus ,
Ic = 0. La source de courant ig est bloque Vdd et maintient la tension Vge Vdd .
Linductance L impose le courant I0 dans la diode D. Sur la figure 3.16, on repr-
sente les formes dondes la fermeture de lIGBT.

87
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.14 Ouverture avec diode relle et cblage - commande en tension

88
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.15 Commande de grille en courant

F t < T0 :
LIGBT est bloqu, la tension de grille est gale Vdd , la source de courant ig (t)
fournit un courant ngatif pour maintenir la tension Vge Vdd (courant de fuite de
la grille). Les capacits Cgc (t) et Cce (t) ont pour valeur Cgc2 et Cce2 .

F T0 < t < T1 :
Le gnrateur de courant fournit un courant i+ g0 qui charge la capacit Cge et d-
charge Cgc . LIGBT est bloqu. La tension Vge (t) volue suivant lquation :

i+
g0
Vge (t) = t +Vdd (3.20)
Cge +Cgc2
F T1 < t < T2 :
La tension Vge dpasse la tension de seuil Vth et le courant de lIGBT commence
crotre. La diode D est passante et la tension collecteur reste Vbus . Le courant
collecteur volue de la faon suivante :

Ic (t) = K (Vge (t) Vth )2


i+
g0
Vge (t) = t +Vth
Cge +Cgc2
!2
i+
g0
Ic (t) = K t2 (3.21)
Cge +Cgc2

F T2 < t < T3 :
Lorsque le courant collecteur atteint I0 , la diode se bloque et passe par une phase
de recouvrement. Elle impose Ic la valeur I0 + IRM qui a pour consquence daug-
menter la tension Vge :
r r r
Ic (t) I0 + IRM I0
Vge (t) = +Vth = +Vth > +Vth = VgeI0
K K K

89
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.16 Fermeture de lIGBT - commande en courant

90
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

La tension collecteur commence dcrotre, si on nglige le recouvrement de la


diode, on a :

Vge (t) = VgeI0


I(Cge ) = 0
dVgc dVce
=
dt dt
+
dVce ig0
= (3.22)
dt Cgc2

F T3 < t < T4 :
La diode D a fini son recouvrement, elle est compltement bloque. Lquation
3.22 est valide pour cet intervalle de temps.

F T4 < t < T5 :
Lorsque Vce atteint la valeur VgeI0 , on a la capacit Cgc (t) qui passe de Cgc2 Cgc1
(> Cgc2 ). La pente des tensions Vcg et Vce diminue :

dVce dVgc i+
g0
= =
dt dt Cgc1

F T5 < t < T6 :
Lorsque la tension Vce atteint des valeurs trs faibles proches de Vcesat , lIGBT fonc-
tionne dans la zone ohmique. La tension Vce continue de diminuer pour atteindre
Vcesat . La tension Vge volue de la faon suivante :

i+
g0
Vge (t) = t +VgI0 (3.23)
Cge +Cgc1

F t > T6 :
Lorsque la tension Vge atteint la valeur Vcc , la source de courant se bloque et main-
tient Vge la tension Vcc . Le courant dans lIGBT est gale I0 et sa tension collec-
teur vaut Vcesat .
Pour louverture de lIGBT avec une source de courant, on considre la figure
3.15. LIGBT est en conduction et la diode D est bloque. On prend en compte
linductance Lcab . Les formes donde pour louverture avec une source de courant
sont reprsentes figure 3.17.
On observe que la dcharge de la grille est la mme qu la charge (hormis
le phnomne d au recouvrement de la diode). Une surtension sur le collecteur
est d au cblage et la dcroissance rapide du courant dlectron de lIGBT.
Lorsque la tension Vge passe en dessous de Vth , le courant de trous dcrot lentement
(phnomne de recombinaison des trous dans la zone de drain N ).

91
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

F IG . 3.17 Ouverture de lIGBT - commande en courant

92
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

3.2.4 Influence du circuit de commande de grille sur la commutation


de lIGBT - simulations analytique et numrique
Dans les paragraphes prcdents, nous considrons la commande en tension
passant instantanment de Vdd Vcc (ou de Vcc Vdd ). Or, dans la pratique, ceci
nest pas ralisable. En fonction des technologies et des solutions employes, nous
avons un temps de monte (et de descente) de la tension de commande de grille
qui nest pas nul et engendre des consquences sur les commutations des IGBT.
Tout dabord, nous tudions la charge et la dcharge dune capacit (C) par une
rsistance (R) et un gnrateur de tension non idal. Le schma est reprsent figure
3.18.

F IG . 3.18 Circuit de charge dune capacit avec une source de tension et temps
de monte non nul

La capacit est initialement charge la tension Vdd . La tension de commande


passe de Vdd Vcc avec un temps de monte not tm . La croissance de Vg est linaire.
Nous tudions seulement la monte. Les quations de courant i et de la tension Vc
sont les suivantes :

Vcc Vdd
C 1 exp( t )
( 
i(t) = tm
0 t tm Vcc Vdd
 
t + exp( t ) +Vdd 1 + tm tm Vcc

Vc (t) = tm

= Vcc V

i(t)
R
ctm
exp( t )
t

t tm Vc (t) = (Vcc V
 ctm ) 1 exp( ) 
Vctm = Vcc 1 + 1 + exp( t ) +Vdd 1 exp( t )

tm tm

= R C
Grce ces quations, on peut tudier linfluence des trois paramtres (R, C,
tm ) sur la forme de la tension Vc et du courant i. Dans une premire approche, on

93
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

peut supposer R et tm comme constants (qui modlisent une solution donne de


commande de grille) et faire varier C (pour modliser plusieurs IGBT diffrents).
On prend arbitrairement tm = 70ns et R = 3.3 (qui reprsente bien la ralit) et
des valeurs de C allant de 10nF 220nF. Sur la figure 3.19, on reprsente la charge
de la capacit C pour diffrentes valeurs.
On remarque que les formes dondes sont diffrentes dune charge de capacit
avec une source parfaite (front de monte infiniment raide). Le courant maximal
ne dpend pas uniquement de la tension de commande et de la rsistance R. Plus la
constante de temps R.C est proche de tm , plus la forme du courant i sloigne de sa
forme avec une source de tension parfaite. En effet, le courant maximal avec une
source parfaite est :

Vcc Vdd
imax1 = i(t = 0) = (3.24)
R
et dans le cas de la source relle :

Vcc Vdd  tm 
imax2 = i(t = tm ) = C 1 exp( ) (3.25)
tm
Sur la figure 3.20(a), reprsente la courbe de imax2 en fonction de tm . Lorsque
tm tend vers zro, on retrouve la valeur imax1 .
Sur la figure 3.20(b), on reprsente la courbe imax2 en fonction de C. Cette
courbe est la plus intressante car elle donne la valeur imax2 pour une solution don-
ne de commande de grille (tm fixe et R ajustable) et pour diffrents IGBT modli-
ss par la capacit C.
Cette modlisation est simpliste mais permet de montrer que si la constante de
temps R.C est du mme ordre de grandeur que le temps de monte (et de descente)
de la source de tension, les formes dondes et les quations des paragraphes 3.2.1
et 3.2.2 ne sont plus valides. La prise en compte de tm est ncessaire. Ltude de
linfluence de la commande de grille sur la commutation de lIGBT passe par des
simulations sur une puce IGBT dans un montage hacheur sur charge inductive
(3.6).
Sur la figure 3.21, on montre les simulations pour diffrents temps de mon-
te de la tension de commande Vg . Le logiciel est SIMPLORER2 . Les conditions
de simulations sont dcrites en dtail dans le paragraphe 3.3 page 98. Le schma
considr est reprsent figure 3.24. La tension Vee reprsente la tension VE pEs .
On remarque que les commutations en tension et en courant sont retardes si
lon augmente le temps de monte tm . La vitesse de variation de la tension Vce
diminue trs peu si tm augmente. La tension Vge et le courant ig sont influencs
par la valeur de tm . Comme vu prcdemment, la courant de grille maximum et la
vitesse de variation du courant ic dpendent de tm .

2 marque dpose

94
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

Courant Ic
9
10nF
33nF
8 100nF
220nF
7

6
Courant [A]

0
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
Temps [s]

Tension Vc
15
10nF
33nF
100nF
10 220nF

5
Tension [V]

-5

-10

-15
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
Temps [s]

F IG . 3.19 Charge dune capacit par une source de tension avec un transitoire de
monte non nul - R=3.3 et tm =70ns

95
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

(a)

(b)

F IG . 3.20 Courant maximal en fonction de tm et C

96
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande

20

15

10

Vg [V] 5

0 50ns
200ns
5 400ns

10

15

20
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s]
20 12

15
10
10
8 50ns
5 200ns
Igrille [A]
VGsEs [V]

400ns
0 50ns 6
200ns
5 400ns
4
10
2
15

20 0
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 50ns
Ic [A]

200ns 200
300 400ns
200 100 50ns
200ns
100 400ns
0
0
100 100
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]
800 8
700 6 50ns
200ns
600 4 400ns
500
2
VCE [V]

Vee [V]

400 50ns
200ns 0
300 400ns
2
200
100 4

0 6

100 8
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us 12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.21 Influence du temps de monte de la tension de grille Vg sur la commu-


tation dune puce IGBT la mise en conduction - simulation SIMPLORER.

97
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

3.2.5 Conclusion
Deux types de commande (tension et courant) ont t tudies afin de dtermi-
ner les formes donde lors de commutations sur charge inductive. On peut dgager
plusieurs remarques qui seront utiles lors de la conception de la fonction de com-
mande de grille ( section 4.2 page 141).
Tout dabord, on note que les deux types de commande permettent de contrler
les vitesses de variation des grandeurs lectriques ct puissance (Vce et Ic ). Ceci
implique que le choix retenu pour la conception dpend de critres technologiques.
En effet, la solution base de gnrateur de courant nest pas viable pour un driver
industriel, elle est trop complexe mettre en oeuvre. La solution avec une source
de tension et une rsistance de grille est trs intressante car les ralisations tech-
nologiques envisageables sont simples mettre en oeuvre : voir section 4.2.2 page
154.
En dernier point, nous avons mis en vidence, dans la cas de la commande
en tension, que la vitesse de variation de la source de tension qui commande la
rsistance de grille a une influence sur les commutations des modules IGBT. Une
attention toute particulire sera porte sur ce phnomne lors de la conception de
la commande de grille (section 4.2.2 page 154).

3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage


de module IGBT
Dans la section prcdente (3.2), nous avons tudi les commutations de puces
IGBT. Le modle dIGBT utilis prcdemment ne prend pas en compte les effets
inductifs dus aux connexions dans les modules IGBT. Dans ce paragraphe, nous
exposons lintrt de la prise en compte des inductances de cblage des modules
IGBT et leurs influences sur les commutations. Puis, grce au logiciel SIMPLO-
RER, nous prsentons des simulations de commutations de puces IGBT avec des
inductances de cblage.

3.3.1 Intrt de la prise en compte des inductances de cblage


La modlisation lectrique complte des modules IGBT passe par la connais-
sance et la caractrisation des puces IGBT (caractrisation statique, non linarit
des effets capacitifs) et par la modlisation des inductances et des couplages dus
la connectique.
En effet, les modules IGBT possdent des systmes de connectique qui al-
lient bus-barres et bondings pour relier les diffrentes puces IGBT et diodes aux
connexions lectriques externes. Il faut prendre conscience que la moindre connexion
mtallique possde une inductance propre et des coefficients de couplage avec les
autres connexions.
Sur la figure 3.22 on montre deux modules composs de plusieurs puces IGBT
et diode : ECONOPACK FS225R12KE3 et FZ1200R33KE3. On voit apparatre

98
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

les connexions par bondings et bus-barres. On note galement que les connexions
de puissance et de commande sont proches les unes des autres et va engendrer des
couplages entre puissance et commande.

(a) (b)

F IG . 3.22 Modules IGBT, connexions par bus-barres et bondings

3.3.2 Influence des inductances de cblage

Descripion du montage

Dans cette partie, nous considrons une puce IGBT connecte aux bornes de
Grille-signal (Gs), Emetteur-signal (Es), Collecteur-signal(Cs), Emetteur-puissance
(Ep) et Collecteur-puissance (Cp) par des connexions modlises par les induc-
tances propres L1 L7 et les coefficients de couplage Mi j . Sur la figure 3.23(a), on
reprsente la puce IGBT, les inductances et les couplages.
Dune manire plus systmatique, on reprsente la puce et le cblage suivant
le schma de la figure 3.23(b) pour faire apparatre la matrice symtrique dinduc-
tance M :


V1 VCpA L1 M12 M13 M14 M15 M16 M17 i1

V2
VCsA
L2 M23 M24 M25 M26 M27


i2

V3
VAC
L3 M34 M35 M36 M37
d
i3

V4 = VGsG = L4 M45 M46 M47 i4
dt

V5
VEB
L5 M56 M57


i5

V6 VBEs L6 M67 i6
V7 VBE p L7 i7

99
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

(a) (b)

F IG . 3.23 Puce IGBT et matrice dimpdances

di
V = M (3.26)
dt
M = Mt (3.27)
V : vecteur tension
i : vecteur courant
M : matrice dinductance

Nous considrons le montage hacheur reprsent figure 3.24 pour commenter


linfluence des valeurs des coefficients de la matrice M sur les commutations de
lIGBT. On considre que la source Vg est parfaite (temps de monte et descente
nuls).
L1 , L3 , L7 : inductances en srie avec Lcab , elles augmentent la surtension de Vce
louverture.
L2 : na pas dinfluence dans cette configuration car la connexion Cs nest pas
relie.
L4 , L6 : elles ralentissent la monte et la descente du courant de grille ig chaque
commutation. Elles peuvent engendrer des oscillations sur la tension de grille
et provoquer des instabilits.

100
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

F IG . 3.24 Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impdances
de cblage

101
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

L5 : elle ralentit la monte (et la descente) du courant de grille ig (comme L4 et


L6 ) et cre une contre-raction sur la tension de grille lors des commutations
du courant collecteur ic qui a pour effet de ralentir la monte (et la descente)
de la tension Vge .
Lcc : inductance de charge du hacheur.
Ld : inductance srie de la diode de roue libre.
Lcab : inductance de cblage de la source de tension Vbus et du bus-barre du ha-
cheur.

Le montage hacheur est simul avec le logiciel SIMPLORER. La puce IGBT


est modlise par un composant IGBT "N channel IGBT" de la librairie "semicon-
ductors device level". Son calibre en courant est de 400A et en tension de 3300V.
La diode d est modlise par le composant "diode" de la librairie "semiconductors
device level" avec les mmes calibres en courant et tension que la puce IGBT.

Analyses et influences des inductances propres et mutuelles


Tout dabord, pour simplifier lanalyse, on suppose que les couplages entre Lcc ,
Ld , Lcab et les inductances du module IGBT sont nuls.
Les inductances L4 et L6 modlisent le cblage de la commande de grille. La
mutuelle M46 augmente ou diminue la valeur de linductance vue par la tension Vg
(commande grille). En effet, comme L4 et L6 sont parcourues par le mme courant
ig , on a les formules suivantes :

VGsEs = V4 +VGE +V5 +V6


dig d dig
V4 = L4 . + M45 . (ig + ic ) + M46 .
dt dt dt
d dig dig
V5 = L5 . (ig + ic ) + M45 . + M56 .
dt dt dt
dig d dig
V6 = L6 . + M56 . (ig + ic ) + M46 .
dt dt dt
dig dic
VGsEs = VGE + (L4 + L5 + L6 + 2.M45 + 2.M46 + 2.M56 ). + (L5 + M45 + M56 ).
dt dt
dig dic
VGsEs = VGE + Lg1 . + Lg2 .
dt dt
Lg1 = L4 + L5 + L6 + 2.M45 + 2.M46 + 2.M56
Lg2 = L5 + M45 + M56


si M46 = 0 = Lg = L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56
si M46 0 = Lg L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56
si M46 0 = Lg L4 + L6 + 2.M45 + 2.M56

102
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

On remarque que la structure gomtrique des connexions de grille et dmet-


teur peut avoir un effet de rduction sur linductance Lg vue par la commande de
grille (effet bus-barre).
Nous venons de faire apparatre linductance L5 et ses coefficients de couplage
avec L4 et L6 dans lquation de commande de grille. Celle-ci est parcourue dune
part par le courant de grille et dautre part par le courant collecteur. Ceci nous
montre que le courant collecteur a un effet direct sur la maille de commande de
grille par le biais de linductance L5 et des mutuelles M45 et M56 .
Du ct de la partie puissance, quatre inductances interviennent dans la maille :
L1 , L3 , L5 et L7 . On nglige pour le moment les effets de couplage entre la partie
commande (modlise par L4 et L6 ) et la partie puissance (modlise par L3 , L5 et
L7 ) pour des raisons de simplicit du modle.

VCpE p = V1 +V3 +VCE +V5 +V7


VCpE p = (L1 + L3 + L5 + L7 + 2.M13 + 2.M15 + 2.M17 + 2.M35 + 2.M37 +
dic dig
2.M57 ). +VCE + (L5 + M15 + M35 + M57 ).
dt dt
dic dig
VCpE p = Lc1 . +VCE + Lc2 . (3.28)
dt dt
Lc1 = L1 + L3 + L5 + L7 + 2.M13 + 2.M15 + 2.M17
+2.M35 + 2.M37 + 2.M57 (3.29)
Lc2 = L5 + M15 + M35 + M57

La structure gomtrique des connexions de puissance influence la valeur de


Lc1 et Lc2 par le biais des coefficients de couplage et peut favoriser la diminution
de Lc1 et Lc2 (effet bus-barre). La variation du courant de grille ig a une influence
sur le circuit de puissance cause de limpdance commune L5 et des coefficients
de couplage entre L5 et (L1 -L3 -L7 ).
La connexion Cs nest pas relie un potentiel ou une impdance, on nglige
L2 , M12 , M23 , M24 , M25 , M26 et M27 . Il reste les coefficients de couplage entre la
puissance et la commande : M14 , M16 , M17 , M34 , M36 , M47 et M67 . Leurs influences
sont exposes et analyses dans le paragraphe suivant.

Simulation du montage
Les quations analytiques permettent de comprendre les implications des va-
riations des paramtres de la matrice dinductance M sur les formes dondes as-
socies au montage hacheur figure 3.24. Les simulations numriques apportent un
complment danalyse avec le comportement des puces IGBT.
Nous tudions tout dabord linfluence de L1 , L7 et M17 sur les commutations
douverture et de fermeture.
Sur les figures 3.25, 3.26 et 3.27, on montre linfluence de L1 , L7 et K17 sur les
tensions et courants suivants : VGsEs , ig , VCpE p , ic et Vee . On note que les inductances

103
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

L1 et L7 ont les mmes effets sur les commutations. La seule diffrence intervient
di
sur la tension Vee (= L6 . dtg L7 . didtc ). Le coefficient de couplage K17 est dfini par
la formule suivante :
M17
K17 =
L1 .L7
Les valeurs choisies pour L1 et L7 (10nH, 30nH, 100nH, 300nH) reprsentent une
large gamme de valeurs et ne sont pas des valeurs conformes la ralit (comme
1nH et 300nH). Les valeurs de K17 sont choisies arbitrairement -0.3, 0 et 0.3.

L1 : sur la figure 3.25, on montre linfluence de L1 sur les commutations de


lIGBT. L1 appartient la maille de puissance du montage hacheur et ralen-
tit la monte et la descente du courant Ic . De ce fait, les tensions Vce et VCpE p
sont diffrentes en fonction de la valeur de L1 (L1 , L3 , L5 , L7 , Lcab . didtc ).
Comme le courant ic et les tensions Vce et Vge sont lis par la caractristique
statique de la puce IGBT, la valeur de L1 a une influence sur la maille de com-
mande de grille. La tension Vge et le courant ig sont influencs par la valeur
de L1 lors des commutations en courant et trs peu lors des commutations en
tension. On note que pour L1 = 300nH, des oscillations apparaissent sur Vge
et ig . Ceci est d aux oscillations de ic louverture. Lors de manipulations,
il est trs peu pratique davoir accs aux points G, C et E des modules. La
tension VCpE p est celle mesure dans la pratique (connexions accessibles de
lIGBT). Or, on remarque que la valeur maximale louverture de Vce aug-
mente lorsque L1 augmente et que ceci nest pas vrai pour la tension VCpE p .
La diminution de la vitesse de commutation du courant collecteur (dic /dt) ne
contre pas totalement leffet de laugmentation de la valeur de L1 . Il est donc
important de prendre conscience que la tension mesure VCpE p ne reflte pas
la tension prsente aux bornes de la puce IGBT.
L7 : sur la figure 3.26, on montre linfluence de L7 sur les commutations de
lIGBT. L7 est en srie avec L1 , elle a donc le mme effet que celle-ci. Seule
la tension Vee est modifie diffrement que avec L1 car Vee = L6 .dig /dt
L7 .dic /dt. Plus L7 a une valeur importante, plus Vee atteint des valeurs im-
portantes lors des commutations en courant de lIGBT (tension VCE ).
K17 : sur la figure 3.27, on montre linfluence de K17 sur les commutations de
lIGBT. Quand K17 = 0, on dit que L1 et L7 ne sont pas couples, ce qui ne
correspond pas la ralit. Lorsque K17 < 0, on dit que L1 et L7 ralisent un
effet bus-barre, cest dire que linductance quivalente de L1 et L7 est r-
duite (voir les quations 3.28 et 3.29). Lorsque K17 > 0, leffet bus-barre est
"ngatif", cette configuration ne reprsente pas de cas rel et comporte seule-
ment un intrt pdagogique. Nous comparons des courbes de la figure 3.27
lorsque K17 = 0 et 0.3. On remarque que lorsque K17 = 0.3, la commu-
tation en courant est plus rapide louverture et la fermeture que lorsque
K17 = 0 (effet bus-barre). De mme, pour la surtension aux bornes de la puce
IGBT louverture. On note que la tension Vge et le courant ig sont trs peu

104
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

influencs par la valeur de K17 dans lintervalle [-0.3 , 0.3].

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 1nH
30nH 0
5 100nH
300nH
2
10
1nH
15 4 30nH
100nH
300nH
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 1nH
Ic [A]

30nH 200
300 100nH
300nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0 300nH
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
1400 12
10
1200
8
1000
6 1nH
30nH
800 4 100nH
VCE [V]

Vee [V]

2 300nH
600
0
400 1nH
30nH 2
200 100nH 4
300nH
6
0
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.25 Influence de la valeur de L1 - simulation

105
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 1nH
30nH 0
5 100nH
300nH
2
10
1nH
15 4 30nH
100nH
300nH
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 1nH
Ic [A]

30nH 200
300 100nH
300nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0 300nH
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
1200 100
80
1000
60
1nH
800 40 30nH
100nH
20
VCE [V]

Vee [V]

300nH
600
0
400 1nH 20
30nH 40
100nH
200 300nH 60

0 80
100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.26 Influence de la valeur de L7 - simulation

106
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 K17 = 0.3
K17 = 0 0
5 K17 = 0.3
2
10
K17 = 0.3
15 4 K17 = 0
K17 = 0.3
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 K17 = 0.3


Ic [A]

K17 = 0 200
300 K17 = 0.3
200 100 K17 = 0.3
K17 = 0
100 K17 = 0.3
0
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 14
12
10
8
600 K17 = 0.3 6 K17 = 0.3
K17 = 0 K17 = 0
K17 = 0.3 4
2 K17 = 0.3
VCE [V]

Vee [V]

400 0
2
4
6
200 8
10
12
0 14
16
18
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.27 Influence de la valeur de K17 - simulation

107
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

Sur les figures 3.28, 3.29 et 3.30, on montre linfluence de L4 , L6 et K46 sur les
tensions et courants suivants : VGsEs , ig , VCpE p , ic et Vee . Le coefficient de couplage
K46 est dfini par la formule suivante :
M46
K46 =
L4 .L6
Les valeurs choisies pour L4 et L6 (1nH, 30nH, 100nH) reprsentent une large
gamme de valeurs. Les valeurs de K46 sont choisies arbitrairement -0.3, 0 et 0.3.
L4 : sur la figure 3.28, on montre linfluence de L4 sur les commutations. L4 ap-
partient la maille de commande de grille. Elle ralentit la monte du courant
de grille. Elle peut galement provoquer des oscillations sur la tension et le
courant de grille lorsque sa valeur est trop leve mais nest pas visible dans
les figures proposes. Elle est galement la cause dun dcrochement lors de
la mise en conduction et de la fermeture de lIGBT sur la tension VGsEs (ten-
sion accessible facilement) : sur la courbe VGsEs de la figure 3.28, on voit ces
deux dcrochements pour louverture 10.1s et pour la fermeture 12.5s.
Les formes donde VGsEs et ig sont lgrement diffrentes pour des valeurs
de L4 comprises entre 1nH et 100nH (ce qui correspond des valeurs relles
de modules IGBT). De ce fait, la tension VCpE p et le courant ic sont trs peu
influencs par les variations de L4 .
L6 : sur la figure 3.29, on montre linfluence de L6 sur les commutations. Elle
appartient la maille de commande de grille au mme titre que L4 . Les re-
marques prcdentes concernant L4 sont donc valables pour L6 . La seule
diffrence concerne la tension Vee qui dpend directement de L6 . On voit, sur
les courbes de la tension Vee , linfluence de L6 et de la variation du courant
de grille ig .
K46 : sur la figure 3.30, on montre linfluence de K46 sur les commutations. On a
choisi arbitrairement les valeurs -0.3, et 0.3. Cette dernire valeur a un in-
trt purement pdagogique car les structures classiques des modules IGBT
privilgient les couplages ngatifs (effet bus-barre). K46 modlise le cou-
plage entre la connexion de grille et la connexion dmetteur de commande.
Lorsque K46 < 0, L4 et L6 ralisent un effet bus-barre. Linductance vue par
le circuit de commande (modlis par la tension Vg ) est rduite. Ceci permet
dacclrer les variations du courant de grille et par consquent les variations
du courant collecteur. Cela est vrifi sur les courbes de ic et Vce de la figure
3.30. La tension Vee est galement sensible aux variations de K46 car elle est
directement lie M46 et la vitesse de variation de ic (par le biais de L7 )
qui dpend de K46 .

108
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 1nH
30nH 0
5 100nH
2
10
1nH
15 4 30nH
100nH
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 1nH
Ic [A]

30nH 200
300 100nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 25
20
15
600 1nH
30nH 10 1nH
100nH 30nH
5 100nH
Vce [V]

Vee [V]

400 0
5
10
200
15
20
0 25
30
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.28 Influence de la valeur de L4 - simulation

109
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 1nH
30nH 0
5 100nH
2
10
1nH
15 4 30nH
100nH
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 1nH
Ic [A]

30nH 200
300 100nH
200 100 1nH
30nH
100 100nH
0
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 25
20
15
600 1nH
30nH 10 1nH
100nH 30nH
5 100nH
Vce [V]

Vee [V]

400 0
5
10
200
15
20
0 25
30
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.29 Influence de la valeur de L6 - simulation

110
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 K46 = 0.3
K46 = 0 0
5 K46 = 0.3
2
10
K46 = 0.3
15 4 K46 = 0
K46 = 0.3
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500
700
400
600
500 300
VCpEp [V]

400 K46 = 0.3


Ic [A]

K46 = 0 200
300 K46 = 0.3
200 100 K46 = 0.3
K46 = 0
100 K46 = 0.3
0
0
100 100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 30
25
20
600 K46 = 0.3 15 K46 = 0.3
K46 = 0 10 K46 = 0
K46 = 0.3 5 K46 = 0.3
Vce [V]

Vee [V]

400 0
5
10
200 15
20
25
30
0
35
40
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.30 Influence de la valeur de K46 - simulation

111
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

Nous avons vu linfluence sur les commutations des valeurs des inductances
de la maille de commande (L4 et L6 ) et de la maille de puissance (L1 et L7 ). Les
couplages tudis prcdemment font intervenir des inductances appartenant la
mme maille : M46 et M17 . Il est maintenant intressant dtudier linfluence des
couplages entre la puissance et la commande. Considrons le cas du couplage entre
L4 de la maille de commande et L7 de la maille de puissance modlis par la mu-
tuelle M47 et le coefficient de couplage K47 :
M47
K47 =
L4 .L7

20 8

15 6
10
4
5 Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 K47 = 0.1
K47 = 0 0
5 K47 = 0.1
2
10
K47 = 0.1
15 4 K47 = 0
K47 = 0.1
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500

400
600 K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1 300
VCpEp [V]

400
Ic [A]

200

200 100 K47 = 0.1


K47 = 0
K47 = 0.1
0
0
100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 6

4 K47 = 0.1
600 K47 = 0.1 K47 = 0
K47 = 0 K47 = 0.1
K47 = 0.1 2
VCE [V]

Vee [V]

400
0

200 2

4
0
6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.31 Influence de la valeur de K47 - simulation

112
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

Ce couplage a pour effet de lier le circuit de commande (L4 ) au circuit de


puissance (L7 ) lors des variations des courants ig et ic . En effet, sur la figure 3.31,
on note que la tension VGsEs est fortement influence par la valeur de K47 . Lors
de la mise en conduction, quand la vitesse de variation du courant ic est la plus
importante, la tension VGsEs est fortement perturbe. A louverture, la variation
de ic est plus faible, la tension VGsEs est trs peu perturbe. Ces remarques sont
valables pour le courant de grille ig .
Sur la figure 3.32, on montre linfluence de Lcab sur les commutations. Elle a
une influence importante sur les tensions VCpE p et Vce . En effet, lors des commuta-
tions du courant ic , Lcab joue un rle important. A louverture, les surtensions sur
VCpE p et Vce ont pour origine principalement Lcab .dic /dt ; puis la fermeture, les
tensions VCpE p et Vce ont un creux d galement Lcab .dic /dt. Les variations du
courant ic louverture et la fermeture sont trs peu affectes par la valeur de
Lcab dans la gamme [5nH , 100nH] ainsi que la tension Vge et le courant ig .
Sur la figure 3.33, on montre linfluence de L5 sur les commutations. Cette
inductance est commune la maille de commande et de puissance. Elle a un effet
nfaste sur la commutation en courant de lIGBT. Lors de la fermeture par exemple,
la tension L5 .dic /dt se soustrait la tension Vge et ralentit la monte du courant ic .
Ceci se vrifie sur la figure 3.33 o lon voit que la vitesse dtablissement du
courant dcroit lorsque L5 augmente.

Conclusion
Grce des hypothses simplificatrices, nous avons tudi linfluence de cer-
taines valeurs dinductances propres et mutuelles.
Tout dabord, on remarque que les inductances de la maille de commande de
grille (L4 et L6 ) ont une faible influence sur les commutations dans la gamme de
valeur : 1nH - 300nH. Ceci implique que la longueur des cbles entre la rsistance
de grille et le module IGBT peut tre de quelques centimtres quelques dizaines
de centimtres sans avoir de rpercussions sur les commutations. Cette remarque
est intressante surtout pour les concepteurs de convertisseurs qui peuvent se per-
mettrent de placer les drivers quelques centimtres des modules IGBT sans avoir
de problme doscillations sur la commande de grille. Cette remarque ne prend pas
en compte les effets de couplages qui peuvent exister entre le cblage du circuit de
commande de grille et le reste du convertisseur.
On a pu mettre en vidence linfluence de la contre-raction de L5 sur la com-
mutation la mise en conduction. Or, la valeur de cette inductance est impose par
la topologie des modules IGBT. Dans loptique de la conception dun driver, celle
valeur est impose.
La mme remarque se profile pour L1 et L7 dont les valeurs dpendent du mo-
dule IGBT. Elles ont pour consquence de changer les vitesses de variation des
grandeurs lectriques ic et Vce et la valeur de la surtension de Vce . Pour la conception
du driver, ces valeurs sont prendre en compte pour lestimation des surtensions
de Vce .

113
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 8

15 6
10
4
5

Igrille [A]
VGsEs [V]

2
0 5nH
50nH 0
5 100nH
2
10
5nH
15 4 50nH
100nH
20 6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500

400
600
300
VCpEp [V]

400 5nH
Ic [A]

50nH 200
100nH
200 100 5nH
50nH
100nH
0
0
100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 6

4 5nH
600 50nH
100nH
2
VCE [V]

Vee [V]

400 5nH
50nH 0
100nH
200 2

4
0
6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.32 Influence de la valeur de Lcab - simulation

114
3.3 Modlisation et influences des inductances de cblage de module IGBT

20 12

15 10
8
10
6
5

Igrille [A]
4
VGsEs [V]

0 1nH 2
5nH
5 10nH 0
2
10 1nH
4 5nH
15 10nH
6
20 8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 500

400
600
300
VCpEp [V]

400 1nH
Ic [A]

5nH 200
10nH
200 100 1nH
5nH
10nH
0
0
100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]
800 10
8 1nH
5nH
600 6 10nH
4
2
VCE [V]

Vee [V]

400 1nH
5nH 0
10nH
2
200
4
6
0 8
10
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us 10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
Time [s] Time [s]

F IG . 3.33 Influence de la valeur de L5 - simulation

115
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V
Pour la conception du driver au chapitre 4, nous pouvons retenir que la plus-
part des valeurs des inductances de la modlisation propose sont imposes par le
module IGBT aux exceptions de L4 et L6 . Nous verrons par la suite que la connais-
sance de la valeur de L7 prsente un enjeu important pour la protection en court-
circuit propose au chapitre 4.

3.4 Estimation et identification de linductance dmet-


teur de modules IGBT 1200A-3300V

3.4.1 Prsentation

Dans cette section, nous proposons didentifier linductance dmetteur (no-


te L7 sur les figures 3.23(a) et 3.24) des modules FZ1200R33KF2 (Eupec) et
CM1200HB66H (Mitsubishi). Deux mthodes sont exposes et compares : lune
exprimentale base sur lextraction de paramtre partir dune commutation,
lautre base sur une description physique du cblage et rsolution numrique du
systme.
Limportance de connatre L7 est dveloppe dans la section 4.3.2 page 179 o
lon utilise cette inductance pour avoir limage de dic /dt lors des commutations
sur des faibles impdances de court-circuit.
Nous proposons de comparer deux modules 1200A-3300V de deux construc-
teurs diffrents. Ce sont des IGBT simples constitus chacun de 24 puces IGBT
de 50A et 12 puces diodes de 100A. On distingue 6 zones rectangulaires (4 puces
IGBT et deux puces diodes) relies deux deux par les connexions de puissance
extrieures : voir figures 3.34(a) pour le module FZ1200R33KF2 et 3.34(b) pour
le module CM1200HB66H.

(a) (b)

F IG . 3.34 Modules IGBT FZ1200R33KF2 et CM1200HB66H dcapots

116
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V
3.4.2 Identification de L7 par une mesure en commutation
Le principe de base consiste modliser le module IGBT comme sur la figure
3.35 : une seule puce IGBT et sept inductances couples. On suppose que les cou-
plages Mi7 sont nuls (1 i 6). Nous vrifions la validit de ces simplifications
laide des rsultats obtenus.

F IG . 3.35 Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impdances
de cblage

Sur le montage de la figure 3.35, lors de la mise en conduction avec un courant


non nul dans Lcc , la diode souvre avec un recouvrement. Le courant dans lIGBT
volue rapidement. Une tension est engendre aux bornes de L7 : L7 .dic /dt. Elle
peut tre mesure par lintermdiaire de la tension VE pEs qui est accessible par les
connexions externes du module IGBT :
dig dic
VE pEs = L6 . L7 .
dt dt
Dans cette formule, on suppose que tous les couplages Mi6 et Mi7 sont nuls. Lorsque
le courant collecteur commute, le courant de grille a un gradient trs faible ce qui
permet didentifier VE pEs dic /dt. La drive du courant ic est calcule numri-
quement partir de ic . La tension VE pEs est mesure simplement avec une sonde
de tension. On fait le ratio de la tension VE pEs et de dic /dt sur une partie de la

117
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V
commutation o dic /dt est non nul pour obtenir une estimation de L7 . Pour vrifier
la validit de la valeur trouve, on superpose VE pEs et L7 .dic /dt.
Les figures 3.36 et 3.37 montrent les commutations et les rsultats obtenus pour
les modules FZ1200R33KF2 et CM1200HB66H.
3000 L7 = 3nH
ic
15
2500 Vee
L7.dIc/dt
10

Vee[V] et L7.dIc/dt[V]
2000
5
ic[A]

1500
0
1000
5

500 10

0 15
1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.36 Estimation de L7 pour le module FZ1200R33KF2 - valeur estime :


3nH

6000 L7 = 5nH
ic
20
5000 Vee
L7.dIc/dt
10
Vee[V] et L7.dIc/dt[V]

4000
ic[A]

0
3000

2000 10

1000 20

0 30
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.37 Estimation de L7 pour le module CM1200HB66H - valeur estime :


5nH

3.4.3 Estimation de L7 avec le logiciel InCa


Nous proposons une estimation de L7 avec le logiciel InCa. Pour le module
FZ1200R33KF2, nous effectuons une simplification qui permet de considrer une
seule zone du module pour estimer L7 si lon considre que les six zones sont
identiques. Le courant se divise en trois de faon quilibr, ensuite en deux puis en
deux (figure 3.38). Pour estimer L7 , on calcule les inductances lmentaires, on les
pondre par la proportion du courant qui les traverse puis on somme ces valeurs. La
figure 3.38 montre une zone du module FZ1200R33KF2 et le chemin du courant.
La figure 3.39 montre le schma quivalent de la figure 3.38.
Sur la figure 3.40, on reprsente les descriptions faites avec le logiciel InCa
pour le calcul de La , Lb , Lc et Ld du module FZ1200R33KF2.

118
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V

F IG . 3.38 Module FZ1200R33KF2 et distribution du courant dmetteur

F IG . 3.39 Schma quivalent des connexions du module FZ1200R33KF2

119
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V

La et Lb Lc

Ld

F IG . 3.40 Descriptions physiques des connexions dmetteur du module


FZ1200R33KF2 avec le logiciel InCa

La rsolution 2D de InCa donne les rsultats suivants :



La = 0.5nH
Lb = 25nH

1MHz
Lc = 3.25nH
Ld = 20nH

Pour obtenir L7 , on ajoute ces valeurs dinductance corriges par leurs coeffi-
cients respectifs :
La Lb + Lc Ld 0.5 25 + 3.25 20
L7 = + + = + + 6.5nH
3 6 12 3 6 12

120
3.4 Estimation et identification de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V
Nous effectuons le mme raisonnement pour le module CM1200HB66H. Il est
constitu de six zones. Elles sont relies deux par deux la connexion dmetteur
de puissance. Le courant est suppos quirparti entre les trois connexions. On
modlise une seule connexion dmetteur de puissance puis on divise sa valeur
par trois. La figure 3.41 montre le module CM1200HB66H avec les six zones.
Les connexions dmetteur de puissance ne sont pas prsentes sur la photographie
(arraches pour pouvoir ouvrir le module). La figure 3.42 montre la modlisation
physique de cette partie du module.

F IG . 3.41 Module CM1200HB66H dcapot

F IG . 3.42 Description physique des connexions dmetteur du module


CM1200HB66H avec le logiciel InCa

121
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

On trouve grce au logiciel InCa :

27
L7 = 9nH 1MHz
3

3.4.4 Comparaison des mthodes et des modules


Le tableau 3.1 donne les rsultats obtenus avec lidentification laide des
commutations et les simulations avec le logiciel InCa.

Module Commutation InCa


FZ1200R33KF2 3nH 6.5nH
CM1200HB66H 5nH 9nH

TAB . 3.1 Comparaison des valeurs de L7

On note que les valeurs donnes par le logiciel InCa sont plus grandes que les
valeurs identifies avec les commutations. La tendance est la mme avec les deux
modules. On peut expliquer ce phnomne car, avec le logiciel InCa, nous navons
pas pris en compte leffet bus-barre qui existe entre la connexion dmetteur et la
connexion de collecteur. Dans la ralit, la valeur de linductance dmetteur vue
par le circuit extrieur est plus faible que sa valeur dinductance propre grce au
couplage entre le collecteur et lmetteur.

3.5 Avalanche dynamique de module IGBT


3.5.1 Introduction
Lavalanche dynamique est un phnomne quil faut prendre en compte lors
de louverture sur dfaut de certains modules IGBT pour pouvoir expliquer les
formes dondes [Ogu04a]. En effet, lors de louverture en cas de dfaut, le courant
coup par lIGBT est suprieur au courant nominal et une surtension importante est
prsente lors de louverture. Un exemple de commutation louverture est donn
figure 3.43 avec avalanche dynamique : module IGBT Mitsubishi CM300DU-24H
(1200V - 300A).
Pour la tension Vce correspondant au courant coup de 380A (valeur lgre-
ment suprieure au courant nominal de 300A), la surtension est de 100V. Pour
des courants suprieurs la valeur nominale (770A et 1100A), la surtension est de
130V environ. La tension Vce prsente un plateau 730V environ qui caractrise un
fonctionnement en avalanche car la tension davalanche en statique est de 1200V.

3.5.2 Phnomne physique


La tenue en tension de lIGBT est assure par la couche pitaxie N . Sur la
figure 3.44, on reprsente en coupe une demie cellule IGBT. En fonctionnement

122
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

Tension Vce pour diffrents courants coups Courant Ic


800 1200
700
1000
600
800 Ic=380A
Tension [V]

Courant [A]

500 770A
Ic=380A 1100A
400 600
770A
300 1100A
400
200
200
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.43 Mise en vidence de lavalanche dynamique du module CM300DU-


24H - photographies du montage hacheur - courbes de commutation louverture
- schma lectrique du dispositif

123
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

"ferm", le courant circule du collecteur vers lmetteur et polarise la jonction


P+ N (couche P+ ct collecteur) en direct. La zone N est en rgime de forte
injection (injection forte de trous provenant de la couche P+ du collecteur) crant
une zone de plasma caractrise par une faible chute de tension. A ltat "bloqu",
la tenue en tension de lIGBT est assure par la jonction P+ N (P+ ct met-
teur) polarise en inverse. En rgime statique, la tenue en tension est assure par la
largeur de la couche N pitaxie WB . Il faut que la largeur de la zone de charge
despace soit infrieure WB . Si la largeur de la zone de charge despace est sup-
rieure WB , on a perage de la couche N (couche pitaxie).
Lors de louverture de lIGBT sur charge inductive, la tension Vce augmente.
Quand elle atteint la tension de bus, la diode de roue libre entre en conduction, le
courant dans lIGBT dcrot. Le fort gradient de courant dans lIGBT cre une sur-
tension cause des inductances de cblage. La tension Vce cre un champ lectrique
EM dans la rgion N (couche pitaxie) et peut mener lavalanche si celui-ci est
suprieur au champ critique EC . En rgime de forte injection, le champ maximum
EM dpend de la densit de courant dans lIGBT. En effet, nous avons les qua-
tions suivantes dans les cas de faible et forte injections pour la jonction P+ N ct
metteur en polarisation inverse :
Faible injection :
p
Jp = q. p .p.E q.D p . (3.30)
x
q.ND .W
EM = (3.31)
SC
Forte injection :
Jp q.p.Vps
= (3.32)
Jp
p = (3.33)
q.Vps
p >> ND (3.34)
q.(ND + p).W
EM = (3.35)

 SC 
J
q. ND + q.Vp s .W
p
EM (Jp ) = (3.36)
SC
q : charge lmentaire 1,6.1019 C
p : mobilit des trous [cm2 .V 1 .s1 ]
p : densit de trous [cm3 ]
E : champ lectrique [V.cm1 ]
Dp : constante de diffusion des trous [cm2 .s1 ]
ND : densit datome donneurs [cm3 ]
W : largeur de la zone N [cm]
SC : permittivit dilectrique du matriau [F.cm1 ]
Vps : vitesse de saturation des trous [cm.s1 ]

124
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

F IG . 3.44 Coupe dune cellule IGBT et champ critique

3.5.3 Influence de la nature des puces IGBT

Sur la figure 3.43, nous montrons que lavalanche dynamique apparat pour
un courant coup suprieur deux fois le courant nominal. LIGBT utilis est le
CM300DU-24H de technologie PT (Punch Through). Nous faisons commuter un
module IGBT FZ1200R33KF2 (3300V - 1200A) de technologie NPT (Non Punch
Through) pour vrifier si le phnomne existe sur cette technologie. En effet, lava-
lanche dynamique na jamais t observe. Lors des essais, le courant commut est
de 8kA, ce qui correspond six fois le courant nominal de 1200A (figure 3.45).

Tension Vce module FZ1200R33KF2, courant coup = 8kA


3500

3000 Vce

2500
Tension [V]

2000

1500

1000

500

0
8.0 us 8.5 us 9.0 us 9.5 us 10.0 us 10.5 us 11.0 us
Temps [s]

F IG . 3.45 Commutation louverture du module FZ1200R33KF2 8kA coup

Pour expliquer que lavalanche dynamique apparat sur les modules IGBT de la
technologie PT et pas sur la technologie NPT, il faut considrer lquation suivante
[Per04] :

125
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

dE(x,t) q
= (ND + p(x,t) n(x,t)) (3.37)
dx SC

E(x,t) : champ lectrique dans la zone de charge centrale N de la cellule IGBT [V.cm1 ]
ND : densit datomes donneurs [cm3 ]
p(x,t) : densit de trous [cm3 ]
n(x,t) : densit dlectrons [cm3 ]
q : charge lmentaire 1,6.1019 C
SC : permittivit du matriau [F.cm1 ]

Cette quation peut tre dveloppe si lon considre les paramtres suivants :

vn (x,t) : vitesse des lectrons


J p (x,t)
KPNP = Jn (x,t) : rapport des densits de trous et dlectrons dans la zone N
(x,t) = vvnp(x,t)
(x,t) : rapport des vitesses dlectrons et de trous
q : charge lmentaire 1,6.1019 C
SC : permittivit dilectrique du matriau [F.cm1 ]
Jc : densit de courant dans lIGBT [A.cm2 ]

 
dE(x,t) q 1 KPNP (x,t) (x,t) 1
= ND + Jc (3.38)
dx SC q vn (x,t) 1 + KPNP (x,t)

On peut supposer KPNP gal au gain dynamique du transistor PNP PNPdyn et


constant au long de la zone de charge despace. A fort champ lectrique, on peut
supposer que vn = v p = Vps = 107 cm/s et que cela implique (x,t) = 1. Lquation
prcdente devient alors :

!
dE(x,t) q 1 PNPdyn 1
= ND + s
Jc (3.39)
dx SC q Vp 1 + PNPdyn

Vps : vitesse de saturation


PNPdyn : gain dynamique du transistor PNP

Le champ maximal atteint not EM est situ la jonction P+ N et vaut :


!
q W 1 PNPdyn 1
EM = ND + Jc (3.40)
SC q Vps 1 + PNPdyn

W : largeur de la zone de charge despace cot N

126
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

La valeur du paramtre PNPdyn dtermine si lIGBT concern peut ou non


fonctionner en avalanche dynamique. On considre trois cas :

PNPdyn = 1 : le champ maximal EM nest pas influenc par la densit de


courant dans lIGBT. On ne peut pas observer davalanche dynamique avec
ce type dIGBT.

PNPdyn > 1 : le champ maximal EM crot avec le courant, on peut observer


le phnomne davalanche dynamique avec ce type dIGBT.

PNPdyn < 1 : le champ maximal EM dcrot avec le courant, on ne peut pas


observer le phnomne davalanche dynamique avec ce type dIGBT.

Le problme se situe dans la connaissance du paramtre PNPdyn . Celui varie


lors de la commutation et il est trs difficile de le calculer de faon analytique. On
peut simplement effectuer lanalyse suivante : les IGBT de technologie PT ont une
zone N peu paisse, ce qui leur confre une valeur de PNP importante et favorise
lavalanche dynamique. Pour la technologie NPT, la zone N est paisse et le gain
statique PNP est faible et lavalanche dynamique est difficile obtenir avec cette
technologie.

3.5.4 Influence du courant coup et de la rsistance de grille


Nous montrons linfluence de la rsistance de grille louverture et du courant
coup sur la forme donde de la tension Vce en rgime davalanche dynamique
[Ogu04b]. LIGBT considr est le CM300DU-24H (1200V - 300A Mitsubishi,
technologie PT). Les tests sont raliss en montage hacheur abaisseur sur charge
inductive. La diode de roue libre est la diode anti-parallle du module IGBT :
schma figure 3.46.

127
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

F IG . 3.46 Montage hacheur pour les rsultats exprimentaux pour lavalanche


dynamique

Sur les courbes 3.47 et 3.48, on note que la tension maximale Vce dpend du
courant coup et lgrement de la rsistance de grille dans la gamme [1.5 - 22] :
Ic [A] Vce [V ]
380 720
770 730
1100 740
0n pourrait envisager ne pas utiliser de systme de protection contre les surten-
sions lors douverture en rgime de surintensit. En effet, le systme de clamping
fait fonctionner lIGBT en zone sature (figure 3.1 page 74 pour absorber lnergie
des inductances de cblage. Cette nergie est absorbe par les puces IGBT. Lors de
lavalanche dynamique, la puce IGBT absorbe un courant sous la tension bus et a
pour effet dabsorber lnergie des inductances de cblage. On voit que le systme
de clamping et le fonctionnement en avalanche dynamique ont le mme effet final
(limiter la surtension louverture) et la mme consquence : la puce IGBT ab-
sorbe de lnergie. Le constructeur ABB proposent des composants auto-protgs
contre les surtensions en rgime de dfaut : technologie SPT (Soft Punch Through :
voir paragraphe page 11). Cette technologie de puce est proche de la structure PT
(Punch Through) car elle possde une couche tampon entre la couche P+ (ct
collecteur) et la couche N et de ce fait possde les mmes comportements (faible
queue de courant, avalanche dynamique).

3.5.5 Simulation numrique dune cellule IGBT Punch Through


Le but de ce paragraphe est dtudier lavalanche dynamique laide de simu-
lations numriques lments finis. Dans les paragraphes prcdents, nous avons
tudi le phnomne davalanche dynamique laide des quations des semicon-
ducteurs et des mesures systmatiques. Le phnomne a pu tre expliqu grce

128
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

Tension Vce pour Ic=380A Courant Ic pour Ic=380A


800 400
700
600 300 Rgoff=1.5
=4.7
Tension [V]

Courant [A]
500 =10
=15
400 Rgoff=1.5 200 =22
=4.7
300 =10
=15
200 =22 100
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]

Tension Vce pour Ic=770A Courant Ic pour Ic=770A


800 800
700 700 Rgoff=1.5
=4.7
600 600 =10
=15
Tension [V]

Courant [A]

500 500 =22


400 Rgoff=1.5 400
=4.7
300 =10 300
=15
200 =22 200
100 100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]

Tension Vce pour Ic=1100A Courant Ic pour Ic=1100A


800 1200
1100
700
1000 Rgoff=1.5
600 900 =4.7
=10
800
Tension [V]

Courant [A]

500 =15
700 =22
400 Rgoff=1.5 600
=4.7 500
300 =10 400
=15
200 =22 300
200
100
100
0 0
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us 0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.47 Influence du courant coup et de la rsistance de grille - courbes tem-


porelles - mesures sur le module CM300DU-24H

129
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

Ic=f(Vce) pour Ic=380A Ic=f(Vce) pour Ic=770A


400 800
700
300 Rgoff=1.5 600
=4.7
Courant [A]

Courant [A]
=10 500 Rgoff=1.5
=15 =4.7
200 =22 400 =10
=15
300 =22
100 200
100
0 0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 100 200 300 400 500 600 700 800
Tension [V] Tension [V]

Ic=f(Vce) pour Ic=1100A


1200
1100
1000
900
800 Rgoff=1.5
Courant [A]

700 =4.7
=10
600
=15
500 =22
400
300
200
100
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
Tension [V]

F IG . 3.48 Influence du courant coup et de la rsistance de grille - courbes Ic =


f (Vce ) - mesures sur le module CM300DU-24H

130
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

des quations simples qui ont ncessit des hypothses simplificatrices impor-
tantes. Dans ce paragraphe, nous apportons des prcisions sur les phnomnes
physiques mis en jeux grce aux outils de simulation par lments finis.
Dans les paragraphes prcdents, nous avons obtenu des quations qui per-
mettent de mettre en vidence le phnomne davalanche dynamique : quations
3.39 et 3.40 page 126.
Avant dentrer dans le dtail des simulations, nous faisons un rappel les qua-
tions considrer pour la suite [Cha80] :


div(E ) = (3.41)
SC
: densit de charge [C.cm3 ]
SC : permittivit dilectrique du matriau [F.cm1 ]

E : champ lectrique [V.cm1 ]
Si lon considre que le champ varie sur une seule direction de lespace, on
peut simplifier lquation 3.42 de la faon suivante :

Ex (x,t) (x,t)
= (3.42)
x SC
(x,t) = q.(p(x,t) n(x,t) + Nd (x) nd (x) Na (x) + pa (x))
(x,t) = q. (p(x,t) + Nd (x) [n(x,t) + Na (x)])
(x,t) = q.np (x,t)
np (x,t) = p(x,t) + Nd (x) [n(x,t) + Na (x)]
Ex (x,t) q.np (x,t)
= (3.43)
x SC

Nd : densit datomes donneurs [cm3 ]


nd : densit dlectrons libres lis aux atomes donneurs, suppose nulle
temprature ambiante [cm3 ]
Na : densit datomes accepteurs [cm3 ]
na : densit de liaisons covalentes libres lies aux atomes accepteurs, suppose
nulle temprature ambiante [cm3 ]
n : densit dlectrons libres dans la bande de conduction [cm3 ]
p : densit de trous libres dans la bande de valence [cm3 ]
q : charge lmentaire [C]
Daprs lquation 3.43, la drive du champ lectrique dpend de la diffrence
de charge entre les lectrons et les trous.
Le calcul du champ rel passe obligatoirement par une simulation numrique
compte tenu de la complexit de lquation rsoudre :
Z x
q
Ex (x,t) = . np (u,t).du (3.44)
SC 0

131
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

En effet, le terme np (x,t) dpend du temps et de labscisse x. Lors de la commu-


tation de lIGBT, ce terme volue de faon trop complexe pour effectuer un calcul
analytique.
Pour mettre en vidence lavalanche dynamique dune cellule IGBT, nous consi-
drons le schma de la figure 3.49.

F IG . 3.49 Montage hacheur - simulation du phnomne davalanche dynamique

Une coupe de la cellule de technologie Punch Through est donne figure 3.50(a).
Cette reprsentation ne respecte pas les proportions relles. La cellule est consti-
tue dune zone de drain faiblement dope N qui constitue le corps de la cellule
IGBT. Les couches fortement dopes de type N + et P+ ct collecteur sont rali-
ses par diffusion en face arrire. La coupe relle de la puce est prsente figure
3.50(b) en respectant les proportions relles.
Les caractristiques statiques sont prsentes sur la figure 3.51 : le rseau de
courbes Ic = f (Vce ,Vge ) et la courbe de claquage en polarisation directe bloque. La
caractristique statique ne correspond pas un IGBT en particulier. On remarque
que les tensions de saturation et les rsistances dynamiques sont importantes. La
tension de claquage directe bloque est de 1200V environ. Nous utiliserons cette
cellule dans le montage hacheur (figure 3.49) avec une tension de bus Vbus de 500V.
Dans le cadre de ltude sur lavalanche dynamique dune cellule IGBT, nous
nous intressons tout particulirement au schma de la figure 3.49 lors de louver-
ture de la cellule IGBT. La simulation mixte MEDICI 3 - SPICE permet de simuler
le comportement physique de la puce (MEDICI) et le comportement lectrique du
reste du circuit. La commande de grille Vg est pilote pour mettre la cellule IGBT
en conduction, le courant collecteur ic atteint un certain niveau de courant par lin-
termdiaire de linductance Lcc , puis la cellule est commande louverture. Lors
de louverture, linductance Lcab cre une surtension aux bornes de lIGBT. Cette
phase est tout particulirement intressante car elle conjugue une densit de cou-
rant importante dans la cellule IGBT et une tension importante ses bornes.

3 marque dpose

132
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

profil de dopage pour x = 0 de la structure IGBT


21
10

1018

dopage [cm3]
1015

1012

109

0 50 100 150 200 250


y [m]

(a) (b)

F IG . 3.50 Description de la cellule IGBT avec le logiciel MEDICI

caractristique statique de la structure IGBT caractristique directe bloque de la structure IGBT


30 A 70 pA

25 A Vge=8V 60 pA
10V
12V 50 pA
20 A 15V
40 pA
Ic [A]

Ic [A]

15 A
30 pA
10 A
20 pA
5 A 10 pA

0 A 0 A
0 V 2 V 4 V 6 V 8 V 10 V 0.0 V 400.0 V 800.0 V 1.2 kV
Vce [V] Vce [V]

(a) (b)

F IG . 3.51 Caractristiques statiques de la cellule IGBT - simulation MEDICI

133
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

Pendant cette phase, un champ lectrique se cre en chaque point de la cellule


IGBT. Il est constitu de la somme de deux champs lectriques :

E (t) = E Vce (t)+ E Jc (t) (3.45)
EVce : champ lectrique d la tension Vce
EJc : champ lectrique d la forte
densit de courant

Le champ lectrique est principalement localis la jonction P+ N du ct


metteur. En effet, cette jonction est polarise en inverse : figure 3.52.

F IG . 3.52 Coupe de la cellule IGBT lors de louverture

Nous considrons par la suite que le champ et les autres variables ne dpendent
pas de la position sur laxe z : la demi-cellule est modlise en deux dimensions
avec un facteur dchelle de 4.105 sur laxe z pour obtenir une cellule de 1cm2 .
On peut reprendre lquation 3.41 de la page 131 :

q
div(E ) = . {p(x, y,t) + Nd (x, y) [n(x, y,t) + Na (x, y)]} (3.46)
SC
Les rsultats de simulation sont obtenus avec la configuration suivante :
Vbus = 500V
Lcab = 100nH
Lcc = 2H
Rg = 10
Vg : temps de conduction de 2.5s
Sur la figure 3.53, on montre la monte du courant dans la cellule IGBT. Ensuite,
sur la figure 3.54, on montre louverture en dtail pour identifier lavalanche dyna-
mique entre 12.85s et 13s.

134
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

1 kV

600 A
800 V

400 A 600 V

Vce [V]
Ic [A]

400 V
200 A
200 V

0 A 0 V
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us 9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
Temps [s] Temps [s]

2.0 A 20 V

1.5 A
15 V
1.0 A

500.0 mA 10 V
Vge [V]
Ig [A]

0.0 A

500.0 mA 5 V

1.0 A
0 V
1.5 A

2.0 A 5 V
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us 9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.53 Monte du courant dans la cellule IGBT - simulation

700 A 1 kV
900 V
600 A
800 V
500 A 700 V

400 A 600 V
Vce [V]
Ic [A]

500 V
300 A 400 V
200 A 300 V
200 V
100 A
100 V
0 A 0 V
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us 12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
Temps [s] Temps [s]

1.0 A 15 V

500.0 mA
10 V
0.0 A
Vge [V]
Ig [A]

500.0 mA 5 V

1.0 A
0 V
1.5 A

2.0 A 5 V
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us 12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 3.54 Phnomne davalanche dynamique louverture de la cellule IGBT


et rgime de sur intensit - simulation

135
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

Nous proposons de visualiser les grandeurs lectriques suivantes pour le point


dabscisse x = 0 aux temps 12.85s, 12.9s et 12.95s de la commutation lou-
verture de la figure 3.54 pour identifier les zones qui sont lorigine du phnomne
davalanche :
module du champ lectrique
courant dionisation par impact
concentration de charges :
Sur la figure 3.55, on reprsente les grandeurs physiques proposes. Il est
vident que la jonction P+ N du ct metteur est lorigine de lavalanche. Au
temps t=12.9s, on voit bien laccumulation de charges positives entre 7m et 9m
qui provoque un champ lectrique local intense. Le courant de gnration par im-
pact est galement trs fort dans cette zone. Sur la figure 3.56, on reprsente le
courant de gnration par impact en 2D. La zone davalanche est clairement iden-
tifie.

136
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

300 kV/m
12.85s
12.9s
champ lectrique [V/m]

12.95s
200 kV/m

100 kV/m

0 V/m
5 m 10 m 15 m
distance
4.0e+015
concentration de charge [cm3]

0.0e+000

4.0e+015
12.85s
8.0e+015 12.9s
12.95s

1.2e+016

1.6e+016
5 m 10 m 15 m
distance
7e+025
courant de gnration [cm3.s1]

6e+025 12.85s
12.9s
5e+025 12.95s
4e+025
3e+025
2e+025
1e+025
0e+000
5 m 10 m 15 m
distance

F IG . 3.55 Champ lectrique - concentration de charge - courant gnr par ioni-


sation par impact - simulation MEDICI

137
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT

F IG . 3.56 Reprsentation 2D du courant gnr par ionisation par impact - simu-


lation MEDICI - t=12.9s

138
3.6 Conclusion

3.6 Conclusion
Dans un premier temps, nous avons prsent le modle lectrique simplifi
des puces IGBT pour effectuer ltude analytique dune cellule de commutation
avec une puce IGBT. Ltude des commandes en tension et courant a permis de
montrer que ces deux solutions sont quivalentes. La commande en tension est bien
videmment beaucoup plus simple mettre en oeuvre que la commande en courant.
Dans le chapitre 4, nous prsentons plusieurs possibilits pour la commande en
tension. Nous porterons une attention la monte et la descente de la tension de
commande de grille qui a une influence sur la charge et la dcharge de la grille.
Ensuite, pour complter ltude analytique, nous avons tudi les influences
des inductances de cblage des modules IGBT laide de simulations. Nous avons
mis en vidence les interactions entre la partie commande et la partie puissance
des modules IGBT. Les valeurs des inductances et des couplages tudis prc-
demment sont imposs par le modules IGBT sauf pour les inductances notes L4
et L6 . Nous avons montr que leurs valeurs peuvent atteindre 300nH sans que cela
soit pnalisant pour les commutations.
Lestimation et lidentification de linductance dmetteur note L7 a t rali-
se pour des modules IGBT issus du commerce. Dans le chapitre 4, nous verrons
que la connaissance de sa valeur nous permet de raliser une lecture du di/dt du
courant collecteur afin de protger le module IGBT contre des dfauts de surin-
tensit et de court-circuit. Un outil de simulation et une mthode didentification
ont t confronts. La mthode exprimentale est plus simple mettre en oeuvre
et permet dobtenir des rsultats sans connatre la structure physique interne du
module.
Enfin, le phnomne davalanche dynamique a t observ puis expliqu grce
des quations simples. Afin de mieux comprendre ce phnomne, des simula-
tions par lments finis ont permis de comprendre le comportement interne dune
puce IGBT de technologie Punch Through lors dune ouverture en rgime de sur-
intensit. Ce phnomne est intressant car il permettrait dauto-protger les puces
diodes et IGBT des modules lors de louverture en cas de rgime de dfaut. En
effet, la puce limite la surtension ses bornes en cas de rgime de surintensit.

139
Chapitre 4

Conception et ralisation dune


gamme de circuits de commande
dIGBT

Dans ce chapitre, nous prsentons les solutions dveloppes et mises en oeuvre


au cours de cette thse pour la gamme de drivers industriels de la socit ARCEL.
Une brve introduction expose les contraintes technologiques et conomiques pour
le dveloppement de la gamme de driver. Les solutions pour les diffrentes fonc-
tions sont ensuite dveloppes et analyses.

4.1 Contraintes de conception


Ces travaux de recherche sont inscrits dans le cadre du dveloppement et la
ralisation dune gamme de drivers de modules IGBT de forte puissance. Les so-
lutions proposes sont en accord avec les contraintes conomiques et industrielles
imposes par le contexte. Pour apprhender la suite, nous exposons le cahier des
charges des drivers dvelopps. La gamme comprend trois drivers pour le pilo-
tage de modules IGBT : drivers A, B et C. Le tableaux 4.1 donne les principales
caractristiques de ces drivers.
Les figures 4.1 et 4.2 donnent les schmas de principe des drivers A, B et
C. Nous faisons apparatre les sous-ensembles et les fonctions dveloppes par
la suite : la commande de grille, les protections, les transmissions dordres et de
retour dfaut puis la transmission de puissance. Pour chacune des fonctions, nous
dveloppons les solutions tudies puis celles retenues.

4.2 Commande de grille


Nous appelons commande de grille la fonction lectronique qui reoit un signal
logique (0V ; +15V) provenant de la fonction "logique" (voir figures 4.1 et 4.2) et

141
4.2 Commande de grille

Spcifications A B C
Nombre de voie 2 2 1
Puissance disponible par 2W 4W 4W
voie sur la grille
Isolation galvanique 3kV 3kV 6kV
Courant de grille maxi- 10A 20A 20A
mum
Protection Vcesat oui oui oui
Protection di/dt non non oui
Protection alimentation oui oui oui
secondaire
Temps de propagation des 1s 1s 1s
ordres du primaire au se-
condaire
Commande directe oui oui oui
Commande demi-pont oui oui non car une seule voie
Mode multi niveaux non non oui
Retour dfaut oui oui oui
Acquittement de commu- non non oui
tation

TAB . 4.1 Cahier des charges des drivers dvelopps

F IG . 4.1 Schma de principe des drivers A et B

142
4.2 Commande de grille

F IG . 4.2 Schma de principe du driver C

qui permet en sortie de piloter directement la grille de lIGBT (tensions V et


V + ) : voir figure 4.3. Elle ne prend pas en compte les protections qui reprsentent
une fonction spare dans notre dmarche de conception.

F IG . 4.3 Fonction de commande de grille

La fonction "commande de grille" reoit un signal logique dordre, fournit un


signal analogique capable de piloter la grille de modules IGBT et de fournir le
courant ncessaire la commutation. Celui-ci peut atteindre 30 Ampres crte.
Les tensions de grille en rgime tabli sont respectivement V + et V pour les va-
leurs maximale et minimale. Le standard industriel est V + 15V et V -15V. La
tension V + permet dobtenir des pertes en conduction les plus faibles possibles. La
tension V a pour but de bloquer la grille de lIGBT le plus bas possible pour se
prmunir des parasites extrieurs qui peuvent faire augmenter la tension de grille
de lIGBT et le remettre en conduction alors que celui-ci est ouvert. Ensuite, la
rapidit des transitions pour passer de V + V et inversement conditionne les
pertes en commutation. A la mise en conduction, la vitesse de croissance du cou-
rant dans lIGBT conditionne la valeur du courant de recouvrement de la diode de
roue libre. Si ce dernier augmente, les pertes la fermeture augmentent. A louver-
ture, la dcroissance du courant conditionne la surtension prsente sur le collecteur
de lIGBT et peut dtruire lIGBT si celle-ci est suprieure la valeur critique du
module. Voir figure 4.4 pour la fermeture et louverture dun IGBT.

143
4.2 Commande de grille

(a) (b) (c)

F IG . 4.4 Mise en conduction et ouverture dune cellule de commutation

Trop lente Trop rapide


Fermeture perte trop importante cause du recouvrement de la diode aug-
temps de fermeture trop long mente si le di/dt augmente, les
pertes augmentent et risque de
sortir du SOA de la diode
Ouverture perte trop importante cause du surtension aux bornes de
temps douverture trop long lIGBT, risque de destruction en
avalanche de lIGBT

TAB . 4.2 Rsum des contraintes la fermeture et louverture pour la commande


de grille

4.2.1 Conception
Nous nous intressons la commande de grille en tension. Elle permet de pi-
loter la grille grce une ou plusieurs rsistances et une ou plusieurs sources de
tension.

F IG . 4.5 Schma de principe de commande de grille en tension

Sur la figure 4.5, on fait apparatre la rsistance de grille Rg , limpdance den-


tre Zin et la source de tension commande Vg . Celle-ci doit avoir une impdance

144
4.2 Commande de grille

de sortie minimale pour des raisons de CEM que nous expliquons par la suite. Les
fronts de tension doivent tre les plus raides possibles pour ne pas entrer en consi-
dration dans la dynamique de commutation de lIGBT (voir section 3.2.4 page
93). Le temps de propagation entre Vordre et Vg doit tre le plus faible possible.
Pour rpondre au mieux ces caractristiques, nous dveloppons une mthode
de conception de source de tension commande en tension : source que nous appe-
lons scv v, voir figure 4.6 [Ald99].

F IG . 4.6 Source relle commande scv v

On dfinit la matrice Z, telle que :


   
Ve Ie
= Z
Vs Is
     
Ve Z11 Z12 Ie
=
Vs Z21 Z22 Is
Le paramtre Z21 est appel coefficient de transfert ou gain.

F IG . 4.7 Paramtres en Z dune source commande

Pour obtenir une source commande oprationnelle, il faut que Z21 . Ce


qui conduit avoir la matrice chane A nulle (matrice A dfinie ci-dessous). On
veut que les grandeurs lectriques de la sortie (Vs et Is ) naient aucune influence sur
celles de lentre (Ve et Ie ).
     
Ve a11 a12 Vs
=
Ie a21 a22 Is

145
4.2 Commande de grille

   
Ve Vs
= A
Ie Is
Z11 Z11 .Z21 Z12 .Z21
Z21 Z21
A=
1 Z22
Z21 Z21

On obtient un quadriple qui a le comportement suivant : Ve et Ie sont nuls, Vs


et Is dpendent du circuit extrieur. Ce nouveau quadriple sappelle un nulleur :
voir figure 4.8

F IG . 4.8 Quadriple nulleur

Nous dfinissions deux nouveaux diples pathologiques : nullateur et norateur


(figure 4.9). Ils ne correspondent aucun composant rel : ils sont appels patho-
logiques pour cette raison.

F IG . 4.9 Nullateur et norateur

Pour le nullateur, le courant et la tension sont nuls. Pour le norateur, le courant


et la tension sont imposs par le circuit extrieur.
Le principe de rtroaction nous permet de raliser des sources commandes
performantes partir de quadriples grand gain. La figure 4.10 illustre ces pro-
pos : le gain modlise le nulleur et le gain la chane de retour qui permet de
fixer le gain en boucle ferme.
La fonction de transfert sexprime de la faon suivante :
s
=
e 1 + .
et

146
4.2 Commande de grille

F IG . 4.10 Source commande base de rtroaction

1
lim =
1 + .
Comme le gain dun nulleur est thoriquement infini, on peut synthtiser les quatre
structures de base de sources oprationnelles : scv v, scv i, sci i et sci v.
Pour cela, on considre les grandeurs e et s comme tant soit des courants soit des
tensions. Sur la figure 4.11 on montre la dmarche qui considre le schma bloc de
la figure 4.10 pour arriver une source de tension commande en tension de gain
1/ : scv v.
Notre but est de crer une source scv v gain thoriquement infini. Or, on
voit que la structure scv v propose la figure 4.12 a un gain de valeur finie :
R1 + R2
R1
La mise en cascade de sources commandes incompatibles permet de raliser
des gains trs levs avec un faible nombre dtages lmentaires : voir figure 4.13.
Il faut ensuite trouver un composant physique qui correspond au mieux au
comportement du nulleur. Si on considre un transistor bipolaire parfait ( ),
son courant de base est nul et sa tension Base-Emetteur galement. Sa tension
Collecteur-Emetteur dpend du circuit externe. La jonction Base-Emetteur peut
tre modlise par un nullateur et le diple Collecteur-Emetteur par un norateur :
voir figure 4.14.
La figure 4.15 donne les deux structures scv i et scv v base de transistors
bipolaires.
On reprend le schma de la figure 4.13 qui reprsente trois sources comman-
des scv i : scv i : scv v et lon applique la reprsentation en technologie
bipolaire on obtient les schmas de la figure 4.16.
Nous avons choisi une entre diffrentielle qui permet de fixer une des deux
entres une tension de rfrence constante (7.5V par exemple) et de connecter
lautre entre au signal provenant de la logique de commande. Linformation est
ensuite transmise par deux structures scv i puis une structure scv v de gain
unitaire communment appele push-pull.
Une deuxime faon dobtenir une source commande grand gain consiste
utiliser des transistors MOSFET en commutation. On considre toujours la figure
4.5 page 144. La tension Vordre varie entre 0V et +15V (signal provenant de la
logique de commande). On utilise un MOSFET de type P et un de type N pour
effectuer la commutation de grille. La figure 4.17 montre une bauche pour la
commande de grille en technologie MOSFET.

147
4.2 Commande de grille

F IG . 4.11 Dmarche de conception de la source scv v commande base de


nulleur

148
4.2 Commande de grille

Vs R1 +R2
Ve = R1

Is 1
Ve = R

Is
Ie = R1R+R
2
2

Vs
Ie = R

F IG . 4.12 Sources commandes idales

F IG . 4.13 Mise en cascade de structures incompatibles

149
4.2 Commande de grille

F IG . 4.14 Modlisation de transistors npn et pnp base de nullateur et norateur

scv i, gain 1/R

scv v, gain unitaire, R2 = 0 et R1 est supprime par le norateur

F IG . 4.15 Sources commandes lementaires base de transistors bipolaires

150
4.2 Commande de grille

F IG . 4.16 Circuit de commande de grille en technologie bipolaire

F IG . 4.17 Premire tape

151
4.2 Commande de grille

Les transistors B1 et B2 isolent la tension de commande Vordre du circuit de


commutation. La source de tension V0 permet de dcaler la tension Vordre pour
commander le MOSFET M2 . Lorsque Vordre = 15V , le MOSFET M1 est bloqu
et M2 passant et inversement lorsque Vordre = 0V . Le problme majeur de cette
structure rside dans le courant de croisement imos lors des transitions. En effet,
chaque commutation, les deux transistors M1 et M2 sont passant en mme temps.
La seule impdance qui limite le courant imos est la somme rdson1 +rdson2 qui a pour
valeur quelques Ohms. Le courant imos atteint alors des valeurs trop importantes :
quelques Ampre 30 Ampre. Une des solutions consiste insrer une rsistance
en srie entre les deux MOSFET (figure 4.18).

F IG . 4.18 Deuxieme tape

Linsertion de R nest pas sans consquence. Lors de transitions, la rsistance


R et les capacits parasites C1 et C2 forment deux circuits RC. Sur la figure 4.19,
on reprsente les deux tensions Va et Vb de la figure 4.18.
La rsistance Rg ne peut pas tre pilote directement par les tensions Va ou
Vb . Elle est commande par un deuxime tage MOSFET qui permet de fournir
le courant de grille. On retrouve le mme problme lors des transitions, le courant
commun aux deux MOSFET est prohibitif. On propose deux solutions. La premire
consiste piloter le MOSFET canal P par la tension Va et le canal N par Vb . Ceci
permet de couper le P MOSFET avant de mettre en conduction le N MOSFET et
inversement (figure 4.20).
La deuxime solution consiste utiliser la tension Vb pour commander la sortie
MOSFET et utiliser deux rsistances de grille pour limiter le courant dans M3 et
M4 lors des transitions. Le MOSFET M3 est command la fermeture avec un front
trs raide ce qui permet dobtenir un front trs raide sur la tension S lors de la mise

152
4.2 Commande de grille

F IG . 4.19 Tension Va et Vb , influence de R

F IG . 4.20 Premire solution, sortie MOSFET

153
4.2 Commande de grille

en conduction de lIGBT (figure 4.21).

F IG . 4.21 Deuxime solution, sortie MOSFET

4.2.2 Simultations et exprimentations


Dans cette section, nous prsentons les simulations et les rsultats exprimen-
taux de la structure drive des schmas figures 4.20 et 4.21 en technologie MOS-
FET et la structure de la figure 4.25 en technologie bipolaire.
Dans les deux cas, nous remplaons la grille de lIGBT par un condensateur
qui nous permet deffectuer des simulations simples. Le fait de connecter un IGBT
naurait rien apport sur lanalyse du comportement de la structure de commande
de grille.
Les simulations sont effectues avec le logiciel SwitcherCAD III / LTSpice1 de
Linear Technology. Ce logiciel est bas sur le noyau SPICE 3F4/5.

Technologie MOSFET

Nous considrons le schma de la figure 4.22. La tension Vordre provient dune


porte logique CMOS classique. Les rsistances de grille Rg1 et Rg2 valent 1.5 et
la capacit C1 220nF.
Nous montrons que le courant commun aux MOSFET M5 et M6 dpend des
rsistances R2 et R3 . Plus celles-ci augmentent, plus ce courant commun diminue.
La figure 4.23(a) montre IR4 et IR5 pour les rsultats exprimentaux et la figure
4.23(b) pour les simulations.
Les figures 4.24 (a) et (b) montrent que la tension VC1 et le courant iC1 sont peu
influencs par les variations de R2 et R3 dans la gamme 22 - 220.
1 marque dpose

154
4.2 Commande de grille

F IG . 4.22 Commande de grille en technologie MOSFET

155
4.2 Commande de grille

IR4 IR5
courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6
20 20
R2=R3=22 ohm
47 ohm
100 ohm 15 R2=R3=22 ohm
15
220 ohm 47 ohm
100 ohm
10
Courant [A]

Courant [A]
220 ohm
10
5
5
0
0 5

5 10
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]

courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6


5 10
R2=R3=22 ohm
4 47 ohm 8 R2=R3=22 ohm
100 ohm 47 ohm
3 6 100 ohm
220 ohm
2 4 220 ohm
Courant [A]

Courant [A]
1 2
0 0
1 2
2 4
3 6
4 8
5 10
3.0 us 3.1 us 3.2 us 3.3 us 1.0 us 1.1 us 1.2 us
Temps [s] Temps [s]

Rsultats exprimentaux
(a)
courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6
20 5
R2=R3=22 ohm
47 ohm 0
15 100 ohm
220 ohm
5
Courant [A]

Courant [A]

10
10 R2=R3=22 ohm
47 ohm
5
100 ohm
15
220 ohm
0 20

5 25
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0.0 s 1.0 us 2.0 us 3.0 us 4.0 us 5.0 us
Temps [s] Temps [s]

courant dans le MOS 5 courant dans le MOS 6


8 2
7 R2=R3=22 ohm
47 ohm 0
6 100 ohm
5 220 ohm 2 R2=R3=22 ohm
Courant [A]

Courant [A]

47 ohm
4 100 ohm
4
3 220 ohm

2 6
1
8
0
1 10
3.00 us 3.05 us 3.10 us 1.00 us 1.02 us 1.04 us
Temps [s] Temps [s]

Rsultats de simulations avec LTSpice


(b)

F IG . 4.23 Courant de croisement dans les MOSFET M5 et M6 - comparaison


entre rsultats exprimentaux et simulations - commande de grille en technologie
MOSFET - schma de la figure 4.22

156
4.2 Commande de grille

Or, elles ont pour avantage de limiter le courant de croisement dans les MOS-
FET M5 et M6 sans modifier les formes dondes de VC1 et iC1 . Le courant de croi-
sement doit tre limit car il constitue une perte de puissance pour le driver et donc
une augmentation de temprature pour lalimentation du driver et les MOSFET M5
et M6 . De plus, les rsistances R2 et R3 limitent les courants de croisement dans
M1 , M2 , M3 et M4 lors des commutations. Plus R2 et R3 sont de forte valeur, moins
il y a de pertes dans les quatre MOSFET M1 -M2 -M3 -M4 .

tension aux bornes de C1 : VC1 tension aux bornes de C1 : VC1


20 20
15 15
10 10
Tension [V]

Tension [V]
5 5
0 0
5 5
10 R2=R3=22 ohm 10 R2=R3=22 ohm
47 ohm 47 ohm
15 100 ohm 15 100 ohm
220 ohm 220 ohm
20 20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]

courant dans C1 : iC1 courant dans C1 : iC1


20 20
15 15
10 10
Courant [A]

Courant [A]

5 5
0 0
5 5
10 R2=R3=22 ohm 10 R2=R3=22 ohm
47 ohm 47 ohm
15 100 ohm 15 100 ohm
220 ohm 220 ohm
20 20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
Temps [s] Temps [s]

Rsultats exprimentaux Rsultats de simulations avec LTSpice


(a) (b)

F IG . 4.24 Tension VC1 et courant iC1 , comparaison entre rsultats exprimentaux


et simulations - commande de grille en technologie MOSFET - schma de la figure
4.22

Technologie bipolaire
Nous considrons le schma de la figure 4.25. Le signal Vordre provient de la
sortie dun comparateur en collecteur ouvert. Les rsultats exprimentaux et de
simulation sont sur la figure 4.26.
On note que cette structure de commande de grille nest pas symtrique : les
courants iC1 la fermeture et louverture ne sont pas identiques. Ceci vient de la
commande en collecteur ouvert lentre de la structure, la tension Vordre est trs
rapide pour commuter de +15V 0V et lente pour commuter de 0V +15V. La
rsistance R (schma figure 4.25) a un rle dterminant sur la rapidit de transmis-
sion de lordre louverture et sur la raideur des fronts de tension sur la rsistance
de grille louverture galement. Cette rsistance limite le courant de croisement

157
4.2 Commande de grille

F IG . 4.25 Commande de grille, technologie bipolaire

Tension du condensateur C1 : VC1 Tension du condensateur C1 : VC1


20 20
15 15
10 10
Tension [V]

Tension [V]

5 5
0 R2=22 ohm 0 R2=22 ohm
47 ohm 47 ohm
5 100 ohm 5 100 ohm
220 ohm 220 ohm
10 10
15 15
20 20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
Temps [s] Temps [s]

Courant du condensateur C1 : iC1 Courant du condensateur C1 : iC1


20 20

15 R2=22 ohm 15 R2=22 ohm


47 ohm 47 ohm
100 ohm 100 ohm
Courant [A]

Courant [A]

10 220 ohm 10 220 ohm

5 5

0 0

5 5
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
Temps [s] Temps [s]

Rsultats exprimentaux Rsultats de simulations avec LTSpice


(a) (b)

F IG . 4.26 Tension VC1 et courant iC1 , comparaison entre rsultats exprimentaux


et simulations - commande de grille en technologie bipolaire - schma de la figure
4.25

158
4.2 Commande de grille

dans les MOSFET M1 et M2 . Elle permet de limiter les pertes dues ce phno-
mne. Un compromis doit tre fait entre rapidit et dissipation thermique sur M1 ,
M2 et R.

Comparaison MOSFET - bipolaire


On voit trs nettement se dgager les avantages et les inconvnients des deux
structures proposes. La technologie MOSFET permet dobtenir des fronts de ten-
sion trs raides en amont de la rsistance de grille (fonctionnement en commuta-
tion) mais avec la prsence de courants de croisement qui augmentent les pertes
dans la structure de commande de grille. La technologie bipolaire permet dviter
les courants de croisement mais au dtriment dune chute de tension due aux deux
jonctions Vbe en montage Darlington et de fronts moins raides : fonctionnement
linaire en suiveur de tension.

4.2.3 Consquences des gradients de tension sur la commande de grille


Nous prenons le cas dun onduleur de tension sur charge inductive et consid-
rons un bras lors des commutations : figure 4.27. Nous supposons le courant de
charge I0 constant lchelle de temps de la commutation. Il apparat quatre cas de
commutation pour lIGBT flottant :
(a) : mise en conduction du module IGBT sur fonctionnement de la puce
IGBT, figure 4.28(a).
(b) : mise en conduction du module IGBT sur fonctionnement de la puce
diode, figure 4.28(b).
(c) : ouverture du module IGBT sur fonctionnement de la puce IGBT, figure
4.28(c).
(d) : ouverture du module IGBT sur fonctionnement de la puce diode, figure
4.28(d).

F IG . 4.27 Bras donduleur sur charge inductive

159
4.2 Commande de grille

(a)

(b)

(c)

(d)

F IG . 4.28 Quatre types de commutation sur charge inductive et temps mort

160
4.2 Commande de grille

On voit se dgager deux types de commutation en tension : les cas (a) et (d)
sont en commutation rapide et les cas (b) et (c) en commutation lente. En effet,
pour les cas (a) et (d), le gradient en tension (dVce /dt) est impos par les modules
IGBT du bras, synonyme de commutation rapide. Alors que dans les cas (b) et (c),
la variation du point milieu (et donc des tensions Vce ) est impose par le courant de
charge I0 et les capacits intrinsques Cce des modules IGBT et donnent naissance
des commutations plus lentes lors du temps mort.
Nous analysons ce qui se passe dans les cas (a) et (d) cause des forts gradients
de tension. Pour le cas (a), le module IGBT est command la fermeture pour faire
fonctionner sa puce diode (figure 4.28(a)). La figure 4.29 modlise ltat du circuit
lors de la commutation en tension [Fre03].

F IG . 4.29 Etat du circuit de commande et de puissance dans le cas (a) de la figure


4.28 lors de la commutation en tension

Rg1 : rsistance de grille + rsistance interne de la source de tension Vg .


Rg2 : rsistance interne au module IGBT.
Cgc : capacit intrinsque Grille-Collecteur.
C1 : capacit parasite entre le point A et la masse de puissance.
i pert : courant gnr lors des commutations en tension.
Vgeth : tension de seuil du module IGBT.
Vg : source de tension de commande de grille = +15V lors de la mise en
conduction.
A partir de la figure 4.29, on obtient les quations suivantes :

dVce Vgeth Vg Rg1


= .i pert
dt Cgc .(Rg1 + Rg2 ) Cgc .(Rg1 + Rg2 )

dVAm
i pert = C1 .
dt
V
geth Vg
A la mise en conduction du module IGBT, on a dVce /dt < 0. Le terme Cgc .(R g1 +Rg2 )
est ngatif : Vgeth = quelques Volt et Vg =+15V. Le terme dVAm /dt est positif ce qui
R
implique que i pert est ngatif et que le terme Cgc .(Rg1g1+Rg2 ) .i pert est positif. Le cou-
rant i pert ralentit la mise en conduction de lIGBT.

161
4.3 Protection des modules IGBT

Pour le cas (d), le module IGBT est command louverture alors que sa puce
diode conduit (figure 4.28(d)). La figure 4.30 modlise ltat du circuit lors de la
commutation en tension.

F IG . 4.30 Etat du circuit de commande et de puissance dans le cas (d) de la figure


4.28 lors de la commutation en tension

Lorsque lIGBT du bas commute en tension, la tension Vg = 15V et la tension


Vge a dj atteint -15V si le temps mort est suffisant. Le courant i pert est positif, il se
rpartit entre Rg1 et Rg2 et a pour consquence de faire augmenter momentanment
Vge et peut faire repasser lIGBT en conduction. Ce phnomne explique pourquoi
on bloque les IGBT une tension ngative : on augmente la marge de scurit qui
vite la remise en conduction de lIGBT lors des commutations en tension.

4.3 Protection des modules IGBT


La protection des modules est une fonction essentielle des drivers dIGBT. Elle
garantit la survie du composant et de ce fait celle du convertisseur de puissance
lors de dfauts survenant sur celui-ci. Comme expos la section 2.3 page 37, les
consquences peuvent tre importantes dun point de vue matriel, conomique et
humain.
Dans cette section, nous prsentons la solution retenue pour la scurit en
court-circuit et surintensit des modules simples 3300V-1200A [Lef05].
Nous prsentons une nouvelle mthode de protection de module IGBT en r-
gime de dfaut. Lobjectif de base est de dtecter le plus tt possible le rgime de
dfaut afin de ne pas faire fonctionner lIGBT en rgime de court-circuit mais tou-
jours en rgime de surintensit : le nombre de passages en rgime de court-circuit
ayant un impact sur la dure de vie des puces IGBT [SE02] [SE04].
Nous montrons que notre solution est la runion de trois mthodes de dtection
de dfaut et de deux pour louverture en rgime de dfaut.
Tout dabord, il faut lister et apprhender tous les types de dfaut qui peuvent
survenir sur un bras donduleur ou un hacheur pour expliquer les diffrentes parties

162
4.3 Protection des modules IGBT

de la protection. La liste suivante donne toutes les configurations de dfaut que lon
peut rencontrer :
1. Type I avec impdance de dfaut trs faible (< 1H)
2. Type I avec impdance de dfaut moyenne (de quelques H 100H)
3. Type I avec impdance de dfaut leve (> 100H)
4. Type II avec impdance de dfaut trs faible (< 1H)
5. Type II avec impdance de dfaut moyenne (de quelques H 100H)
6. Type II avec impdance de dfaut leve (> 100H)
7. Dfaut de la commande, temps de conduction trop long avec impdance de
charge normale
8. Conduction des deux IGBT en mme temps sur le mme bras (dfaut diam-
tral)
Type I : le dfaut est prsent avant que lIGBT soit command la fermeture,
appel dfaut HSF : Hard Switching Fault.
Type II : le dfaut intervient pendant que lIGBT est ferm, appel dfaut FUL :
Fault Under Load.
La figure 4.31 illustre les dfauts de type I et II. LIGBT est modlis par un
interrupteur. Dans le cas du dfaut de type I, cest partir du moment o lIGBT
est command la fermeture que le dfaut a une consquence sur le circuit. Dans
le cas du type II, lIGBT est ferm, le dfaut est modlis par un interrupteur qui
est ouvert et qui se ferme pour appliquer le rgime de dfaut lIGBT.

F IG . 4.31 Exemple de dfauts de type I et II

4.3.1 Description de la solution


Dtection des dfauts
Nous commenons par les dfauts les plus simples dtecter et traiter : les d-
fauts (3), (6) et (7). Le gradient du courant collecteur impos par le dfaut est faible,
la mesure de la tension Vcesat permet de dtecter la surintensit (Ic = f (Vge ,Vce )).
A cause du dfaut (3), il faut utiliser un "blanking time" la mise en conduction,

163
4.3 Protection des modules IGBT

temps pendant lequel la mesure de la tension Vce nest pas active. En effet, lors de la
mise en conduction, la tension Vce dcrot de la tension bus pour rejoindre la valeur
Vcesat (= f (Vge , Ic )). Cette dcroissance dure entre 3 et 4s pour des modules du
calibre 1200V-300A et 8 10s pour des calibres 3300V-1200A. La tension Vce est
mesure laide de diodes haute tension polarises par un gnrateur de courant
I0 : voir figure 4.32 pour le schma. La capacit C et le gnrateur de courant I0
permettent de calibrer le "blanking time" : voir figure 4.33. Le MOSFET M court-
circuite le condensateur C quand lIGBT est ouvert ce qui inhibe la lecture de la
tension Vce . La tension Vc permet davoir limage de la tension Vce plus la chute
de tension aux bornes des diodes haute tension. Si la tension Vc dpasse la ten-
sion Vre f pralablement rgle par lutilisateur, le driver coupe lIGBT en coupure
douce (rsistance de grille louverture suprieure la valeur spcifie lors des
commutations normales) pour limiter la surtension louverture [Lef04] [Lef05].

F IG . 4.32 Schma de principe de mesure de la tension Vcesat

Le dfaut (8) est quivalent au (1) : dans le cas (8), lIGBT du bas dun bras
donduleur (par exemple) est command la fermeture alors que lIGBT du haut
est dj ferm. Le courant dans le bras de londuleur est limit seulement par les
inductances de cblage des condensateurs du bus continu, des modules IGBT et du
bus barre. Linductance totale de la maille est trs faible : entre 30nH et 200nH.
Pour les dfauts (1), (4) et (8), limpdance de dfaut est trs faible : de 30nH
quelques H. Le courant dans lIGBT crot trs rapidement. Le dfaut doit tre
dtect en quelques s au dbut de la fermeture de lIGBT pour les dfauts (1) et
(8).
La mthode de mesure du Vce expose prcdemment nest pas adapte cause
du "blanking time". En effet, lors du "blanking time", le courant peut atteindre
des valeurs prohibitives avec une impdance de 1H par exemple pendant 10s
sous 1500V de tension de bus : Ic = T.Vbus /L = 10.106 .1500/106 = 15kA.
La solution propose consiste lire la valeur du dIc /dt impos par limpdance de
dfaut au dbut de la mise en conduction pour les dfauts (1) et (8). Si la valeur du
dIc /dt est suprieure une valeur prdtermine par lutilisateur, le driver coupe
lIGBT avec la rsistance de grille des commutations normales.

164
4.3 Protection des modules IGBT

(a) (b)

F IG . 4.33 Fermeture sans et avec dfaut - "blanking time" - courbes thoriques

La valeur du dIc /dt est mesure par le biais de la tension entre lmetteur de
puissance et lmetteur de commande : tension Vee, voir section 3.3 page 98. La
figure 4.34 donne le schma et les formes dondes associes.
Cette mthode permet de raliser une anticipation sur la valeur du courant col-
lecteur. Si juste aprs la fin de la fermeture du module IGBT le gradient du courant
collecteur est trop lev, le courant risque datteindre des valeurs trop importantes
par la suite si lIGBT nest pas ouvert. LIGBT est alors command louverture
avec la mme rsistance de grille quen commutation normale.
On note que la lecture de la tension Vee doit tre effective le plus vite possible
mais pas avant que le diode nait fini de recouvrer. Ce temps est compris entre 2s
et 4s et dpend du courant commut. Il doit tre ajust en fonction du module
IGBT et de la diode de roue libre associe. Les figures 4.35 (a), (b) et (c) montrent
des fermetures du module IGBT CM1200HB-66H (Mitsubishi 3300V-1200A) en
montage hacheur avec une inductance de dfaut de 13H. Le courant commut
varie de 450A 4300A. On voit bien la proportionnalit entre la tension Vee et le
signal dIc /dt : voir identification de linductance du module IGBT dans la section
3.4 page 116. Plus le courant commut est lev, plus le temps de commutation du
module IGBT et de la diode de roue libre est important.
Pour le dfaut (2), limpdance de dfaut est comprise entre quelques H et
100H. La mthode de Vcesat nest pas trs bien adapte pour les valeurs dimp-
dances de quelques H car pendant le "blanking time", le courant peut atteindre
plusieurs kA. Le dfaut doit tre dtect plus tt. La mthode du dIc /dt nest pas
adapte car la tension Vee est trop faible pour des valeurs dimpdance de dfaut
suprieures quelques H.
Lors de la fermeture de lIGBT, on note que la dcroissance de la tension Vce
dpend de limpdance de dfaut. Plus limpdance est faible, plus la tension Vce

165
4.3 Protection des modules IGBT

F IG . 4.34 Mesure du dIc /dt et dtection du dfaut - schma de principe et courbes


associes

166
4.3 Protection des modules IGBT

7000 25
450A 450A
900A 20 900A
6000 1300A 1300A
1700A 15 1700A
5000 1900A 10 1900A
3600A 3600A
4300A 5 4300A
Vee [V]
4000
Ic [A]

0
3000 5
2000 10
15
1000
20
0 25
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us
Time [s] Time [s]

(a) (b)
5
450A
4 900A
1300A
3 1700A
2 1900A
3600A
dIc/dt [kA/us]

1 4300A
0
1
2
3
4
5
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us
Time [s]

(c) (d)

F IG . 4.35 Commutation la fermeture et influence du courant commut sur le


temps de commutation de lIGBT et de la diode de roue libre - courbes exprimen-
tales - module IGBT CM1200HB-66H

167
4.3 Protection des modules IGBT

dcrot lentement. Le principe de base consiste lire linformation de vitesse de


dcroissance de la tension Vce la mise en conduction. Sur la figure 4.36, on montre
la mise en conduction du module CM1200HB-66H avec le mme courant coup
mais avec une impdance de dfaut de 13H et 110H. On note que la dcroissance
de la tension Vce dpend de limpdance de dfaut.

80 2000
13uH 13uH
70 110uH 110uH

60 1500

50
Vce [V]

Ic [A]
40 1000

30

20 500

10

0 0
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us
Temps [s] Temps [s]

(a) (b)

F IG . 4.36 Mise en conduction avec deux inductances de charge diffrentes -


courbes exprimentales - module IGBT CM1200HB-66H

Nous utilisons ce phnomne pour dtecter que lIGBT commute une induc-
tance de trop faible valeur. Pour cela, on mesure la tension collecteur laide de
diodes haute tension et dun gnrateur de courant (comme dans le cas de la m-
thode Vcesat figure 4.32) qui peut accepter une tension Vc de 40V minimum : figure
4.37.

F IG . 4.37 Schma de principe de mesure de la tension Vcedyn

On compare la tension Vc une tension de rfrence Vre f , si Vc > Vre f on coupe


lIGBT en coupure normale. La figure 4.38 illustre ce mode de dtction de dfaut.
Le tableau 4.3 rsume les mthodes de dtection de dfaut en fonction du type
de dfaut et laction associe louverture du dfaut.

168
4.3 Protection des modules IGBT

(a) (b)

F IG . 4.38 Fermeture sans et avec dfaut - mthode du Vcedyn - courbes thoriques

Dfaut Dtection Ouverture


1-4-8 di/dt Rgo f f ouverture normale, clamping diodes TRANSIL
3-6-7 Vcesat coupure douce
2 Vcedyn Rgo f f ouverture normale, clamping diodes TRANSIL
5 Vcesat coupure douce

TAB . 4.3 Rsum des dfauts et actions associes

169
4.3 Protection des modules IGBT

Ouverture en cas de dfaut


En cas de dfaut, le courant dans lIGBT louverture est suprieur au courant
nominal. Lnergie magntique emmagasine dans les inductances de cblage est
plus forte que lors des commutations normales. Cette nergie provoque une surten-
sion aux bornes de lIGBT louverture de celui-ci. La surtension peut dpasser la
valeur maximale admise par le composant et le dtruire.
La solution la plus connue et la plus utilise est le clamping diode TRANSIL :
voir section 2.3.4 page 44. Elle permet de limiter la tension collecteur par le biais
dune rtroaction sur la grille. Cette protection est connecte en permanence mais
est seulement active lors de louverture en rgime de dfaut.
La deuxime solution consiste ouvrir lIGBT plus lentement quen commu-
tation normale, la drive du courant collecteur est limite et la surtension aux
bornes de lIGBT est rduite par consquence [Lef04]. Nous choisissons dutiliser
une troisime rsistance de grille de valeur plus leve pour raliser la fonction.
Nous montrons quil est possible de limiter la surtension lors de louverture en cas
de dfaut comme le montre la figure 4.39.

700

650

600

550
Vce [V]

500

450

400

350

300
2 kA 4 kA 6 kA 8 kA 10 kA
Courant coup

F IG . 4.39 Surtension mesure en fonction du courant coup avec la coupure


douce sur un montage hacheur - module IGBT CM1200HB-66H

La surtension Vce est la tension prsente aux bornes de lIGBT en plus de


la tension de blocage : Vce = Vcemax Vbus . Le schma est prsent figure 4.40.
Linductance Lcc vaut 700nH, le courant coup varie de 3.5kA 10kA, Rgo f f so f t =
10. Grce la coupure douce, il est possible de couper 10kA sans dpasser 1kV
de surtension.

Solution complte
La solution finale a pour but de dtecter le plus rapidement possible tous les
types de dfaut et dagir en consquence en fonction du type de dtection. Le ta-
bleau 4.3 rsume les actions effectuer en fonction du type de dtection qui est
active :
di/dt : coupure normale

170
4.3 Protection des modules IGBT

F IG . 4.40 Circuit de test de la coupure douce

Vcedyn : coupure normale


Vcesat : coupure douce
La figure 4.41 donne le schma de principe de cette solution. Les interrupteurs
com1, com2 et com3 sont commands en fonction des ordres reus du "rcepteur
fibre optique" et des dfauts par la fonction "logique de commande". Les rsis-
tances R1 et R2 permettent dajuster la tension de clamping.

F IG . 4.41 Synoptique du driver avec scurit en surintensit

171
4.3 Protection des modules IGBT

Clamping capacitif

Dans le cadre de ltude systmatique des protections de lIGBT une solution


alternative au clamping diode TRANSIL a t imagine et mise en oeuvre pour
les modules de faible courant : 100A - 1200V par exemple [Lef03a] [Lef03b]. Elle
permet de saffranchir des tolrances des diodes TRANSIL et de leur rsistance
dynamique.
Le principe de base consiste remplacer les diodes TRANSIL par un conden-
sateur charg la tension de bus du convertisseur : voir figure 4.42 pour le schma
de "clamping capacitif".
La tension Vre f permet dajuster la valeur maximale de la tension collecteur lors
douverture en cas de dfaut. Or, la tension Vre f doit tre suprieure la tension de
blocage de lIGBT. Ceci implique que la source de tension Vre f soit suprieure la
tension Vbus et pose un problme pour la ralisation technologique de cette solution.
Pour contourner ce problme, on fixe Vre f Vbus et on rgle la tension maximale
aux bornes de lIGBT avec la valeur de la rsistance R5 . La figure 4.43 montre
les commutations louverture du module Mitsubishi CM100DU-24H (100A -
1200V) sur un montage hacheur charge inductive. La rsistance R1 charge le
condensateur C la tension bus. Les diodes d1 et d2 bloquent le systme de clam-
ping quand lIGBT est ferm. La rsistance R5 permet dajuster la valeur maximale
de la tension collecteur.

F IG . 4.42 Principe de base du clamping "capacitif"

Sur la figure 4.43, on note que la valeur maximale de la tension Vce dpend
de la valeur de R5 . Le courant de grille louverture lors du clamping augmente
pour limiter la vitesse de dcharge de la tension de grille et diminuer la vitesse
de commutation du courant collecteur et par consquent la valeur maximale de la

172
4.3 Protection des modules IGBT

Tension Vce pour diffrentes valeurs de R5 200A Courant ig pour diffrentes valeurs de R5 200A
800 0.3
700 0.2 R5=50
100
0.1
600 250
0.0 330
Tension [V]

Courant [A]

500 0.1 500


400 R5=50 0.2
100
300 0.3
250
330 0.4
200 500
0.5
100 0.6
0 0.7
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us 9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
Temps [s] Temps [s]

Courant ic pour diffrentes valeurs de R5 200A


300

250 R5=50
100
250
200
Courant [A]

330
500
150

100

50

0
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
Temps [s]

F IG . 4.43 Influence de R5 sur la tension maximale - courbes exprimentales -


module IGBT CM100DU-24H

173
4.3 Protection des modules IGBT

tension Vce .
Cette solution est une alternative au clamping diodes TRANSIL et ncessite
galement un rglage pour chaque application. De plus, le domaine dapplication
de cette solution est limit aux petits modules IGBT prsentant une faible valeur
de capacit de grille. En effet, lors du fonctionnement du systme de clamping, le
courant inject dans la grille de lIGBT provient de la capacit C :

Vc Vge
id2 = C. Cge .
t t
Pour que le systme fonctionne convenablement, il faut que la tension Vc naug-
mente pas de manire excessive. Pour cela, on pose lingalit suivante :

Vc < Vge

Ce qui implique :
C > Cge
Pour des modules IGBT 1200V-100A, la capacit Cge a une valeur de quelques
nano-Farad. La valeur de la capacit C doit donc tre suprieure ou gale 10nF
par exemple. Cette capacit doit supporter la tension bus plus la surtension prsente
sur le collecteur : soit 1kV environ pour un module IGBT 1200V utilis avec un
bus 600V. Elle doit galement pouvoir fournir un courant de quelques Ampre
lors du fonctionnement du circuit de clamping. Le problme survient pour utiliser
cette solution sur des modules de plus fort calibre en courant. Par exemple, le
module Eupec FF800R12KL4C (1200V-800A) a une capacit Cge de 40nF environ.
Il faudrait utiliser une valeur de 100nF pour le condensateur C pour ce module. La
taille de ce condensateur devient prohibitive (son prix galement) devant la taille
du driver qui pilote ce module.

4.3.2 Rsultats exprimentaux


Nous exposons les rsultats exprimentaux du schma de la figure 4.44 associ
la logique de gestion des dfauts du tableau 4.4. Le montage utilis est un mon-
tage hacheur abaisseur : voir figure 4.45. Le module IGBT est le FZ1200R33KF2
(1200A-3300V) et la diode DD800S33K2 (800A-3300V) qui sont des composants
du constructeur Eupec.

Dfaut Action Limitation surtension


Vcesat Rgo f f so f t coupure douce + TRANSIL
Vcedyn Rgo f f TRANSIL
di/dt Rgo f f TRANSIL

TAB . 4.4 Logique de fonctionnement en dfaut

174
4.3 Protection des modules IGBT

F IG . 4.44 Synoptique du driver avec scurit en surintensit

175
4.3 Protection des modules IGBT

F IG . 4.45 Montage hacheur et scurit en surintensit

176
4.3 Protection des modules IGBT

Dtection Vcesat
La mthode de dtection en Vcesat est explique section 4.3.1 page 163. Les
rsultats suivants permettent de montrer lefficacit conjointe de la dtection en
Vcesat et de la coupure douce : figure 4.46
Tensions Vge et Vce Tension Vcemesure et courant Ic
20
15

Vcemesure [V]
10 5
Vge [V]

5
0
5
10 0
15
20
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us 50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
1.2 k
1.0 k 2k
Vce [V]

800.0

Ic [A]
600.0 1k
400.0
200.0
0.0 0
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us 50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.46 Dtection en Vcesat et coupure douce - courbes exprimentales - module


IGBT FZ1200R33KF2

Tensions Vge et Vce Tension Vcemesure et courant Ic


20
15
Vcemesure [V]

10 5
Vge [V]

5 avec avec
0 sans sans
5
10 0
15
20
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us 230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
1.5 k
2k
Vce [V]

1.0 k avec
Ic [A]

sans
1k avec
500.0 sans
0.0 0
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us 230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.47 Dtection en Vcesat , comparaison avec et sans coupure douce - courbes


exprimentales - module IGBT FZ1200R33KF2

Pour les rsultats obtenus figures 4.46 et 4.47, nous avons pris la configuration
suivante :
Vbus = 600V
Rgon = 1.5
Rgo f f = 1.5
Rgo f f so f t = 10
Lcc = 70H
Sur la figure 4.46, on montre trois conductions de lIGBT de 150s, 175s et

177
4.3 Protection des modules IGBT

230s respectivement. Le courant collecteur atteint respectivement 1.3kA, 1.6kA et


2kA. Sur la troisime courbe, le driver dtecte une surintensit par la comparaison
de la tension Vcemesure avec une rfrence de 7.3V. Le driver coupe lIGBT avec
une coupure douce (ouverture avec une rsistance de grille de 10). Le dtail de
louverture est donn figure 4.47. On montre bien linfluence de la coupure douce
sur la tension de grille (plateau Miller plus long avec coupure douce) et la tension
Vce (tension Vce maximale plus faible avec coupure douce).
La runion de la dtection en Vcesat et de la coupure douce est bien adapte
pour la gestion des dfauts avec des inductances de dfaut suprieures quelques
dizaines de -Henry. En effet, la coupure a pour consquence de limiter la vitesse
de dcroissance du courant collecteur, mais dallonger le dlai entre le dbut et la
fin de louverture de lIGBT, ce qui peut devenir critique lors de dfauts avec des
impdances trs faibles (infrieures quelques -Henry).

Dtection en Vcedyn
La mthode en Vcedyn est explique la section 4.3.1 page 163. Les rsultats
suivants montrent le dtection de dfaut avec cette mthode : figure 4.48.

Tension Vge Tension Vce mesure


20 12
15 10
10
8
Tension [V]

Tension [V]

5 avec
sans 6 avec
0 sans
5 4

10 2
15
0
20
2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us 2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]

Courant Ic Tension Vce mesure, attnue et filtre


500 6
5
400 avec
sans 4
300
Courant [A]

Tension [V]

3
200 2 avec
sans
1
100
0
0
1
100 2
2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us 2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.48 Dtection en Vcedyn et coupure normale - courbes exprimentales -


module IGBT FZ1200R33KF2

Pour les rsultats obtenus figure 4.48, nous avons pris la configuration sui-
vante :
Vbus = 600V (dfaut dtect) et 500V (dfaut non dtect)

178
4.3 Protection des modules IGBT

Rgon = 1.5
Rgo f f = 1.5
Lcc = 13H
La tension "Vce mesure" correspond la tension Vce mesure par le systme
gnrateur de courant et diode de la figure 4.37 page 168. La tension "Vce mesure,
attnue et filtre" correspond la tension dcrite prcdente filtre par un pont
diviseur rsistif.
Nous montrons deux conductions avec et sans dtection en Vcedyn . Le systme
de mesure (tension "Vcemesure ") commence lire la tension 3s aprs le dbut de la
commutation, ce qui permet de couper lIGBT trs tt si un dfaut est prsent.

Dtection en di/dt

La mthode en di/dt est explique la section 4.3.1 page 163. Les rsultats
suivants montrent le dtection de dfaut avec cette mthode : figure 4.49.

Tension Vge Tension Vee


20 20
15 15 avec
sans
10 10
Tension [V]

Tension [V]

5 avec 5
sans
0 0
5 5
10 10
15 15
20 20
2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us 2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]

Courant Ic Tension Vee filtre et inverse


4.0 k 12
3.5 k 10
3.0 k avec
sans 8 avec
2.5 k sans
Courant [A]

Tension [V]

2.0 k 6
1.5 k 4
1.0 k
2
500.0
0.0 0

500.0 2
2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us 2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.49 Protection en di/dt, avec et sans dtection - courbes exprimentales -


module IGBT FZ1200R33KF2

Pour les rsultats obtenus figure 4.49, nous avons pris la configuration sui-
vante :
Vbus = 600V (avec dtection) et 90V (sans dtection)
Rgon = Rgo f f = 1.5
Lcc = 600nH

179
4.4 Transmission des ordres

Un systme de fentre permet de bloquer la mesure de la tension Vee les quatre


premires -secondes de la conduction. Elle permet de masquer le recouvrement
de la diode de roue libre d.
La tension Vee est la tension entre lmetteur de puissance et lmetteur de
commande de grille. Cette tension est inverse, filtre et amplifie puis applique
un systme de fentre pour donner la tension "Vee filtre et inverse".
Lors de la dtection, le dfaut est dtect 4.7s aprs le dbut de la conduction.
Le courant collecteur atteint est de 4kA. Avec la dtection en Vcesat dans les mmes
conditions, le "blanking time" de 10s donnerait un courant maximal de 10kA
environ.

4.4 Transmission des ordres


Le fonction "mission dordre" permet de transmettre les ordres de commande
de grille du primaire au secondaire et le "retour dfaut" du secondaire au primaire.
Les contraintes pour raliser ces fonctions sont les suivantes :
temps de propagation : temps pour faire passer linformation du primaire au
secondaire (et inversement). Il doit tre infrieur 1s.
isolation : la fonction doit isoler galvaniquement la partie rception de lmis-
sion des points de vue statique et dynamique. La tenue statique doit atteindre
plusieurs kilo-Volts (dpend de lapplication finale vise) : tests en dcharges
partielles. Pour la contrainte dynamique, les capacits de couplage entre pri-
maire et secondaire doivent tre minimises afin de limiter la circulation des
courants de mode commun lors de gradients de tension entre primaire et
secondaire.
compatibilit lectromagntique : la fonction doit tre insensible aux pertur-
bations rencontres lors du fonctionnement.
cot : le cot de la fonction doit tre le plus faible possible tout en respectant
les critres techniques prcdents.

4.4.1 Transmission du primaire vers secondaire : "mission dordre"


Nous avons choisi un systme optique : LED mettrice, fibre optique, rcep-
teur optique intgr. Cette solution est commente section 2.5.4 page 70. Nous
commentons ici principalement son inconvnient majeur : la sensibilit du rcep-
teur optique intgr. Il est bas sur le schma de la figure 4.50.
Le courant de diode id est amplifi et transform en une tension Vid . Le cou-
rant photolectrique id est de quelques nA au repos et de quelques A quand le
rcepteur est excit par une fibre optique.
Lors de fortes variations de potentiels dans les convertisseurs de puissance, des
champs lectromagntiques impulsionnels intenses sont rayonns. Prenons le cas
concret dun bras donduleur (figure 4.51) o lIGBT T1 souvre et T2 se ferme. La
tension Vce2 chute trs rapidement de Vbus 0V. Ce gradient de tension provoque

180
4.4 Transmission des ordres

F IG . 4.50 Schma de principe du rcepteur optique intgr

un rayonnement lectromagntique front raide.

F IG . 4.51 Source du rayonnement lectromagntique lors des variations de ten-


sion sur un bras donduleur

Ce champ lectromagntique se couple au circuit de rception optique (figure


4.50) au niveau du secondaire du driver de lIGBT T1 . La sortie du rcepteur op-
tique change dtat et a pour effet de ramorcer de faon transitoire lIGBT T1 . Les
deux IGBT T1 et T2 sont en conduction en mme temps et a pour effet de crer un
rgime de dfaut dans le bras donduleur.
Le champ lectromagntique mis se couple sur les connexions qui relient la
photodiode lamplificateur de transimpdance (figure 4.52). Ce couplage est com-
munment appel couplage "champ fil" o les connexions jouent le rle dan-
tenne. Le courant gnr dans ces connexions circule grce leffet capacitif de la
photodiode et est amplifi par lamplificateur de transimpdance.
Pour rduire ce phnomne, il faut protger le rcepteur contre les rayonne-
ments extrieurs. La seule solution est le blindage du rcepteur par un feuillard
mtallique. Nous avons ralis cette fonction laide dun ruban de cuivre (entre
100m et 200m dpaisseur) qui est reli la masse du circuit : voir figure 4.53.
Cette solution nous permet dobtenir un fonctionnement normal sur un onduleur

181
4.4 Transmission des ordres

F IG . 4.52 Schma de principe du rcepteur optique - perturbation rayonne -


couplage "champ fil"

182
4.4 Transmission des ordres

triphas. De plus, il permet de ne pas tre perturb lors dessais en commutations


rapides atteignant plus de 150kV /s (figure 4.54). Les tests ont t raliss sur un
montage comme celui de la figure 4.51 en remplacant les IGBT par des MOSFET.

F IG . 4.53 Blindage du rcepteur optique

183
4.4 Transmission des ordres

800
700
600
500
400
Vds [V]

300
200
100
0
-100
-200
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns

100

50
dVds/dt [kV/us]

-50

-100

-150

-200
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns
Temps [s]

F IG . 4.54 Tension Vds du MOSFET pilot par le driver - test dimmunit en dv/dt

184
4.4 Transmission des ordres

4.4.2 Transmission du secondaire vers primaire : "retour dfaut"

Comme nous venons de le voir, la solution optique est trs performante mais
reste nanmoins trs coteuse. La fonction "retour dfaut" permet dinformer le
primaire du driver quun dfaut est survenu au secondaire (dfaut de surintensit
...). On pourrait utiliser la solution optique mais celle-ci est trs coteuse et peut
tre remplace par une solution base de transformateur coreless dans ce cas pr-
cis. Nous allons voir que cette solution caractre impulsionnel consomme un
courant crte trs important.

Schma du circuit de transmission

F IG . 4.55 Retour dfaut par transformateur coreless

La tension Vde f aut vient de la logique de commande. Lors dun dfaut, une
brve impulsion 0V est gnre. Le circuit dexcitation gnre une impulsion de
tension aux bornes dun enroulement de transformateur coreless. Linformation est
rcupre ct primaire du driver par un systme de redresseur (diode d) et deffet
mmoire (R3 C4 ) : voir figure 4.55.

Contraintes technologiques

Nous avons comme contrainte technologique la largeur des pistes sur le circuit
imprim et le nombre de tours des enroulements. Nous avons ralis un transfor-
mateur coreless avec une largeur de piste de 0.2mm (espaces de 0.2mm) avec
quatre spires au primaire et au secondaire. Ce nombre de tour dpend de la largeur
disponible entre les empreintes dune rsistance CMS de 0 en botier 1206 (2mm
x 3mm) : voir figure 4.56 pour un enroulement du transformateur coreless.

185
4.4 Transmission des ordres

F IG . 4.56 Enroulement du transformateur coreless

Modlisation et caractrisation physique du transformateur coreless


Nous modlisons le transformateur par deux inductances propres et une mu-
tuelle inductance : L1 , L2 , M. Laspect rsistif des pistes est pris en compte avec les
deux rsistances R1 et R2 . La figure 4.57 donne le schma lectrique quivalent du
transformateur coreless.

F IG . 4.57 Modle lectrique du transformateur coreless

Les quations associes sout les suivantes :


di1 di2
v1 = R1 .i1 + L1 . + M.
dt dt
di2 di1
v2 = R2 .i2 + L2 . + M.
dt dt
La description physique du transformateur coreless et la rsolution avec le lo-
giciel InCa nous permet de calculer de faon prcise les paramtres L1 , L2 et M.
La figure 4.58 reprsente la description du transformateur coreless avec le logiciel
InCa.
La rsolution par le logiciel InCa en 2D donne les rsultats suivants :
   
L1 M 73nH 21nH
M= =
M L2 21nH 100nH
M
= 0.24
L1 .L2
RL1 = 135m

186
4.4 Transmission des ordres

F IG . 4.58 Transformateur coreless modlis avec le logiciel InCa

RL2 = 172m

Simulations et rsultats exprimentaux


Les simulations du circuit figure 4.55 nous permettent de voir si le transfor-
mateur coreless propose figure 4.56 est capable de rpondre aux exigences de la
fonction.
Sur le schma de la figure 4.59, on tudie linfluence de la valeur de certains
paramtres : les condensateurs C2 et C3 . Les valeurs de ces composants jouent un
rle important dans les formes dondes associes V1 et V2 : 4.60.

F IG . 4.59 Schma de la fonction retour dfaut par transformateur coreless

La tension V1 est trs peu influence par les valeurs de C2 et C3 . La tension V2

187
4.4 Transmission des ordres

Influence de C2
Tension V1 pour diffrentes valeurs de C2 Tension V2 pour diffrentes valeurs de C2
15 6
5
C2=100pF 4 C2=100pF
10
1nF 1nF
3 4.7nF
Tension [V]

4.7nF Tension [V] 10nF


10nF 2
5
1
0
0 1
2
5 3
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]

Influence de C3
Tension V2 pour diffrentes valeurs de C3
Tension V1 pour diffrentes valeurs de C3
6
15 5
C2=100pF
Tension [V]

4
3 1nF
2
10 C2=100pF 1
0
1nF 1
Tension [V]

10nF 2
22nF 3
5 6
5
Tension [V]

4 10nF
3 22nF
0 2
1
0
1
2
5 3
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.60 Simulation, influence de C2 et C3

188
4.4 Transmission des ordres

dpend trs peu de la valeur de C2 mais beaucoup de celle de C3 . En effet, lorsque


C3 = 100pF, la tension V2 atteint 4.5V et oscille une frquence de plusieurs
dizaines de MHz. Pour 1nF et 10nF, la valeur maximale est 5.2V et pour 22nF de
4.5V. Loptimum se situe entre 1nF et 10nF pour la valeur de C3 . Les contraintes
en courant sur le MOSFET M sont assez importantes, il faut choisir un MOSFET
capable de supporter cette surcharge en courant. La figure 4.61 donne le courant
imos dans la source du MOSFET M pour diffrentes valeurs de C2 et C3 . Pour un
circuit de commande de MOSFET donn (Vordre , R1 , C1 , R2 ), la forme de imos
dpend trs peu de C2 et C3 .

Courant imos pour diffrentes valeurs de C2 Courant imos pour diffrentes valeurs de C3
5 5

0 C2=100pF 0 C3=100pF
1nF 1nF
4.7nF 10nF
Courant [A]

Courant [A]

5 10nF 5 22nF

10 10

15 15

20 20
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us 0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.61 Simulation, influence de C2 et C3 sur le courant imos

Nous vrifions que le modle choisi est bien conforme la ralit. Les rsultats
exprimentaux sont prsents figure 4.62 pour linfluence de C2 et C3 .
Nous considrons galement linfluence de la rsistance R1 sur le circuit : voir
figure 4.63. On note limportance de sa valeur qui doit tre comprise entre quelques
dizaines dohm et quelques centaines dohm pour C1 = 100nF et R2 = 10k.
Sur la figure 4.64, nous comparons les rsultats exprimentaux ceux de si-
mulation pour la configuration suivante : R1 = 220 - C1 = 100nF - R2 = 10k -
C2 = 1nF - C3 = 10nF. Les simulations sont ralises avec le logiciel LTSpice.
En ajustant les valeur de M et des rsistances des bobinages, on obtient les
courbes de la figure 4.65 :
   
L1 M 100nH 32nH
M= =
M L2 32nH 100nH
RL1 = RL2 = 400m

Tenue en tension et capacit parasite


La tenue en tension statique entre le primaire et le secondaire dpend principa-
lement de la nature du matriau du circuit imprim et de son paisseur. La rigidit
dilectrique du matriau Epoxy FR4 utilis est de plusieurs k-Volt/mm. Lpaisseur
du circuit est de 1.6mm, ce qui garantit une tenue en tension largement suffisante
pour les applications vises : tenue en tension de 300V quelques kilo-Volts.

189
4.4 Transmission des ordres

Influence de C2
Tension V1 pour diffrentes valeurs de C2 Tension V2 pour diffrentes valeurs de C2
15 6
5
10 C2=1nF 4 C2=1nF
4.7nF 4.7nF
Tension [V]

Tension [V]
10nF 3 10nF
5 2
1
0 0
1
5 2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]

Influence de C3
Tension V1 pour diffrentes valeurs de C3 Tension V2 pour diffrentes valeurs de C3
15 5

4 C2=100pF
1nF
10 C2=100pF 10nF
1nF 3
22nF
Tension [V]

Tension [V]

10nF
22nF 2
5
1

0
0
1

5 2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.62 Rsultats exprimentaux, influence de C2 et C3

Tension V1 pour diffrentes valeurs de R1 Tension V2 pour diffrentes valeurs de R1


15 5

4 R1=1k
220
10 R1=1k 47
220 3
Tension [V]

Tension [V]

47
2
5
1

0
0
1

5 2
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us 0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.63 Rsultats exprimentaux, influence de R1

190
4.4 Transmission des ordres

Tension V1 : comparaison rsultats exprimentaux et simulation Tension V2 : comparaison rsultats exprimentaux et simulation
15 6
5 exprimental
simulation
4
10 exprimental
simulation 3
Tension [V]

Tension [V]
2

5 1
0
1
0 2
3
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.64 Comparaison entre rsultats exprimentaux et simulations, tensions V1


et V2 - logiciel LTSpice

Tension V1 : comparaison rsultats exprimentaux et simulation Tension V2 : comparaison rsultats exprimentaux et simulation
15 6
5 exprimental
simulation
4
10 exprimental
simulation 3
Tension [V]

Tension [V]

5 1
0
1
0 2
3
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
Temps [s] Temps [s]

F IG . 4.65 Comparaison entre rsultats exprimentaux et simulations, tensions V1


et V2 , nouveaux paramtres du transformateur coreless - logiciel LTSpice

191
4.5 Transmission de puissance

La capacit parasite peut tre estime si lon caractrise le diple suivant


laide dun analyseur dimpdance :

F IG . 4.66 Caractrisation des capacits parasites du transformateur coreless

La mesure de la capacit parasite avec lanalyseur dimpdance HP 4191A


donne une valeur de 1.4pF 50MHz. Cette valeur est trs faible et est la limite des
valeurs mesurables avec cet appareil. En effet, si lon mesure la capacit parasite
de la sonde de mesure de lanalyseur dimpdance, celui-ci affiche une valeur de
1.2pF. On peut donc majorer la valeur de la capacit parasite du transformateur
coreless quelques pF. Cette valeur est trs satisfaisante car elle est du mme ordre
de grandeur que celle de lalimentation isole propose par la suite (figure 4.74
page 197).

4.5 Transmission de puissance


La fonction "transmission de puissance" permet de fournir de lnergie lec-
trique au(x) secondaire(s) des drivers. Elle assure une isolation statique et dyna-
mique entre le primaire et les secondaires et les secondaires entre eux.
Si lon se rfre au tableau 4.1 page 142, les contraintes les plus importantes
sont les suivantes :
consommation par voie : 4W (8W au total pour les deux secondaires)
isolation statique : 6kV
courant impulsionnel fournir la grille : 20A
Nous prenons en compte les critres noncs ci-dessus pour exposer la solution
retenue. La dernire contrainte provient de la solution retenue pour la commande
de grille : lalimentation doit tre symtrique. La figure 4.67 donne le synoptique
de lalimentation concevoir.

4.5.1 Analyse et conception


Les solutions proposes aux figures 2.5.1 page 59 et figure 2.5.1 page 59 n-
cessitent un enroulement primaire et un secondaire pour une alimentation asym-
trique (0V ;+15V) ou (0V ;-15V). Pour concevoir lalimentation du synoptique fi-

192
4.5 Transmission de puissance

F IG . 4.67 Synoptique de lalimentation

gure 4.67, il faudrait un enroulement primaire commun et quatre enroulements


secondaires (deux pour chaque secondaire). La solution compte cinq enroulements
bobiner sur un corps de ferrite torique. Or, pour la gamme de puissance trans-
mettre, la taille des tores permet difficilement de bobiner cinq enroulements sur le
mme tore.
Pour contourner ce problme, nous proposons une solution qui utilise quatre
enroulements au total. Nous partons de la structure de base du montage hacheur
abaisseur pour arriver au montage push-pull : voir figure 4.68 [Sad91].

F IG . 4.68 Montage push-pull et doubleur de tension - mthodologie de concep-


tion

Ce montage push-pull propos figure 4.68 ne permet pas dobtenir de tension


symtrique tel quel. Nous modifions le secondaire du montage push-pull clas-
sique. Le primaire excite le matriau magntique de manire symtrique dans le

193
4.5 Transmission de puissance

plan (B,H). Pour rcuprer une tension alternative, il suffit de coupler un seul
enroulement sur le noyau magntique. Pour obtenir deux tensions symtriques (-
15V ;0V ;+15V), on utilise un doubleur de tension qui nous permet de crer les
tensions symtriques partir dune source alternative : voir figure 4.69. Le schma
de lalimentation finale dcoule des figures 4.68 et 4.69 : voir figure 4.70.

F IG . 4.69 Doubleur de tension

F IG . 4.70 Solution propose, push-pull et doubleurs de tension

Cette solution a pour principal avantage de fournir deux alimentations sym-


triques isoles avec un nombre rduit de composants et un encombrement mini-
mum :

194
4.5 Transmission de puissance

un tore et quatre enroulements


deux MOSFET
quatre diodes de redressement
un circuit dcrtage pour les MOSFET
capacits de dcouplage pour fournir les courants impulsionnels pour le cir-
cuit dattaque de grille
Le principal inconvnient de cette structure vient des contraintes en courant
des diodes de redressement d1 , d2 , d3 et d4 . A la mise en conduction du MOSFET
M1 , les diodes d2 et d4 entrent en conduction et chargent les condensateurs C2 et
C4 . Dans le cas o le transformateur est parfait, les courants de charge des conden-
sateurs C2 et C4 sont limits uniquement par les fronts de tension et les rsistances
dynamiques des diodes. Les contraintes en courant des diodes de redressement sont
trs importantes et doivent tre choisies en consquence. Dans le cas o le transfor-
mateur nest pas parfait (cas rel), le courant est limit en plus par les inductances
de fuite du transformateur. La figure 4.71 donne le schma quivalent dune partie
de lalimentation lors de la mise en conduction de M2 .

F IG . 4.71 Schma quivalent lors des commutations

4.5.2 Rsultats exprimentaux


Nous donnons les caractristiques lectriques de lalimentation dveloppe :
tensions de sortie en fonction de la puissance de sortie totale
rendement en fonction de la puissance de sortie totale
estimation des capacits parasites
La figure 4.72 montre les ralisations physiques des deux alimentations des
drivers A et B du tableau 4.1 page 142.
Les caractristiques lectriques Vs = f (Ps ) et = f (Ps ) sont donnes figure
4.73. Diffrentes courbes sont exposes pour analyser linfluence de la frquence
de dcoupage. La tension moyenne de sortie et le rendement dpendent de la fr-
quence de dcoupage. Un compromis doit tre fait entre rendement et tension de

195
4.5 Transmission de puissance

F IG . 4.72 Alimentations isoles des drivers A et B

Tension moyenne de sortie Vs Rendement de lalimentation[%]


16.5 90
f=90kHz
16.0 f=135kHz
f=200kHz 88
f=285kHz
15.5
86
Vs [V]

15.0 n [%]
84 f=90kHz
14.5 f=135kHz
f=200kHz
14.0 82 f=285kHz

13.5 80
4 6 8 10 12 14 4 6 8 10 12 14
Ps [W] Ps [W]

F IG . 4.73 Caractristiques lectriques mesures de lalimentation du driver B en


fonction de la frquence de dcoupage

sortie.
Lanalyseur dimpdance HP 4194A permet destimer la capacit de couplage
entre le primaire et les secondaires et entre les secondaires : figure 4.74.
Les capacits parasites proviennent principalement du transformateur. La fi-
gure 4.75 et le tableau 4.5 permettent de mieux apprhender le problme du bo-
binage et de son influence sur les capacits parasites. On effectue six bobinages
diffrents : on tudie de faon exprimentale linfluence sur les capacits para-
sites le nombre de tours des bobinages et leurs positions relatives sur une ferrite en
forme de tore.

(a) (b) (c) (d) (e) (f)


Capacit parasite 2.9pF 2.5pF 2pF 1.6pF 1.6pF 1.8pF

TAB . 4.5 Influence de la nature du bobinage sur les capacits parasites

On remarque que les capacits parasites sont principalement apportes par le


transformateur. Il y a trs peu de diffrences entre les valeurs de lalimentation et le
transformateur seul. En effet, les principales surfaces en regard sont situes sur le
transformateur au niveau des bobinages. Le tableau 4.5 et la figure 4.75 permettent
de confirmer que les capacits parasites dpendent des surfaces en regard au niveau
du transformateur. Les figures 4.75 (a), (b), (c) et (d) montrent des transformateurs

196
4.5 Transmission de puissance

Alimentation Transformateur seul


Cps 4.6pF 4.4pF
Css 4.3pF 3.7pF
Cps : capacit parasite entre primaire et un secondaire
Css : capacit parasite entre les secondaires

F IG . 4.74 Capacits parasites de lalimentation et du transformateur torique

(a) 10 tours (b) 8 tours (c) 6 tours


2.9pF 2.5pF 2pF

(d) 4 tours 180 (e) 4 tours et 90 (f) 4 tours colls


1.6pF 1.6pF 1.8pF

F IG . 4.75 Influence de la nature du bobinage sur les capacits parasites

197
4.5 Transmission de puissance

avec respectivement 10, 8, 6 et 4 tours. La situation relative des deux bobinages


a une influence trs faible sur la capacit parasite : cas (d), (e) et (f). La capacit
parasite dpend du nombre de tours des enroulements du transformateur.

4.5.3 Alimentation base de transformateur piezolectrique


Suite aux bons rsultats obtenus avec la technologie transformateur magn-
tiques, nous tudions la possibilit dutiliser des transformateurs pizolectriques.
Cette axe de recherche a eu pour but dtudier la faisabilit et le prototypage dune
alimentation isole de 3W base de transformateur pizolectrique. Ltude a t
ralise en partenariat avec le laboratoire SATIE de lENS Cachan qui a fourni
les cramiques pizolectriques et leurs premires caractrisations. La suite des re-
cherches et du dveloppement de lalimentation a t effectue conjointement avec
le LGEF et le CEGELY INSA de Lyon.
Lalimentation propose doit rpondre aux caractristiques suivantes :
tension dentre : +15V
tension de sortie : 15V
puissance transmise : 3W
capacit de couplage entre primaire et secondaire : <10pF
tension disolement : 12kV RMS 50Hz
Le transformateur pizolectrique vibre selon diffrents modes correspondants
aux frquences permettant ltablissement dondes stationnaires. Sur la figure 4.76,
on reprsente les modes de vibration dune cramique pizolectrique.

F IG . 4.76 Modes de vibration dune cramique pizolectrique

Une analyse frquentielle montre que le barreau pizolectrique entre en r-

198
4.5 Transmission de puissance

sonance en longueur, largeur et paisseur des frquences bien prcises lies aux
paramtres physiques du barreau pizolectrique. La figure 4.77 donne lvolu-
tion du gain en tension dun transformateur en forme de barreau. On constate la
prsence dun grand nombre de pics qui proviennent des diffrents multiples de
rsonance (/2, , 3./2, . . .) des trois dimensions du matriau : longueur, largeur
et paisseur.

F IG . 4.77 Gain en tension vide en fonction de la frquence dun transformateur


pizolectrique en forme de barreau

La premire partie de ltude porte sur la caractrisation des transformateurs


et loptimisation des mtallisations des transformateurs. Nous disposons de deux
cramiques de tailles diffrentes en PZT (Plomb Zirconate Titanate) : voir figure
4.78.

F IG . 4.78 Deux cramiques pizolectriques de dimensions diffrentes

La caractrisation des transformateurs consiste obtenir leurs paramtres lec-


triques laide dun amplificateur de puissance (voir figure 4.79) :
P : puissance de sortie maximale fournie au secondaire
Rch : rsistance de charge optimale pour obtenir le meilleur rendement
Vcc : tension crte--crte en sortie du transformateur
Fr : premire frquence de rsonance
C : capacit de couplage parasite entre primaire et secondaire

199
4.5 Transmission de puissance

F IG . 4.79 Circuit de caractrisation des transformateurs

Transformateurs P Rch Vcc Fr C


T1 0.64W 220 16V 177kHz 10pF
T2 0.31W 100 7.9V 236kHz 18pF
T3 1.64W 110 19V 88kHz 64pF
T4 1.13W 44 10V 178kHz -
T5 0.73W 220 18V 178kHz -
T6 1.82W 110 20V 110kHz -

TAB . 4.6 Caractristiques des transformateurs raliss

Nous avons ralis six transformateurs base des deux types de cramiques
(figure 4.78). La figure 4.80 donne les dimensions des transformateurs et des m-
tallisations.
Le tableau 4.6 donne les caractristiques de chaque transformateur.
Le transformateur 1 est fabriqu avec notre premire cramique. Il a t fourni
tel quil apparat sur la figure 4.80. Les mtallisations font 10mm de longueur. La
tension crte--crte est de 16V 177kHz sous 200. La puissance au secondaire
est de 0.64W. On constate que la tension et la puissance disponibles au secondaire
sont trop faibles.
Le transformateur 2 est fabriqu avec notre deuxime cramique fournie par le
SATIE. Elle est plus paisse et plus large que la premire. On peut donc sattendre
transmettre plus de puissance avec cette cramique. Avec cette configuration, on
transmet 0.31W sous 100 236kHz. La tension est de 7.9V crte--crte. La
tension au secondaire est trs faible, ainsi que le puissance disponible.
Pour amliorer les performances, on modifie les mtallisations du transforma-
teur 2 pour obtenir le transformateur 3. La surface au secondaire est plus grande
que celle du primaire pour obtenir un effet lvateur par rapport transformateur
2. En effet, la puissance transmise est de 1.64W sous 110 88kHz. La tension
secondaire est de 19V crte crte. La capacit parasit augmente cause de la sur-
face des lectrodes : 18pF pour le transformateur 2 et 64pF pour le transformateur
3.
Pour amliorer les performances du transformateur 1, on augmente les sur-
faces des lectrodes pour donner le transformateur 4. La puissance transmise est
amliore. Elle est de 1.13W sous 44 178kHz. La tension secondaire est de
10V crte--crte.

200
4.5 Transmission de puissance

Transformateur 1

Transformateur 2

Transformateur 3

Transformateur 4

Transformateur 5

Transformateur 6

F IG . 4.80 Diffrents transformateurs - cramiques et mtallisations

201
4.5 Transmission de puissance

Puissance de sortie P en fonction de la rsistance de charge Rch


1.2
T1
T4
1.0 T5

0.8
P [W]

0.6

0.4

0.2

0.0
0 100 200 300 400 500 600 700
R []

Puissance de sortie P en fonction de la rsistance de charge Rch


2.0
T2
1.8 T3
1.6 T6
1.4
1.2
P [W]

1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 100 200 300 400 500 600 700
R []

F IG . 4.81 Puissance de sortie en fonction de la rsistance de charge pour les


transformateurs

202
4.6 Conclusion

La tension disponible sur le transformateur 4 est trop faible. La cramique vibre


dans le mode de la largeur 178kHz (cramique 1). Comme la tension est propor-
tionnelle lintgrale de la contrainte et que celle-ci est positive sur une moiti de
la largeur puis ngative ensuite (voir figure 4.82), nous avons ralis llectrode
secondaire sur une moiti de largeur.

F IG . 4.82 Contrainte en mode largeur dun transformateur pizolectrique en

En effet, la tension obtenue est de 18V crte--crte contre 10V prcdemment.


La puissance est de 0.73W sous 220 178kHz.
Pour le transformateur 6, une structure diffrente a t ralise avec la cra-
mique 2. Le primaire est constitu dlectrodes places aux deux extrmits et le
secondaire dlectrodes au milieu de la cramique. La puissance transmise est de
1.82W sous 110 110kHz. La tension secondaire est de 20V crte--crte. Cette
structure permet dobtenir les meilleurs rsultats.
Une alimentation isole a t ralise avec le transformateur 6. Le primaire du
transformateur est excit avec une pont en H. La frquence de dcoupage est as-
servie pour avoir le courant et la tension du primaire du transformateur en phase
(systme comparateur de phase et VCO2 ). Le secondaire est constitu dun re-
dresseur. Diffrents types de redresseurs ont t expriments. En effet, cause du
comportement fortement capacitif du transformateur pizolectrique, il ne semblait
pas vident quun pont de Gratz soit la meilleure solution. La figure 4.83 donne
le synoptique de lalimentation ralise.
Le transformateur pizolectrique ne constitue pas une solution utilisable dans
limmdiat pour notre application. Les valeurs de capacits parasites ne rpondent
pas aux exigences : doivent tre infrieures 10pF (seul le transformateur 1 pour-
rait rpondre ce critre). Les puissances transmises sont toutes infrieures aux
exigences.

4.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons dcoup le fonctionnement global dun driver
dIGBT en fonctions lmentaires. La premire, qui est la commande de grille, a
2 Voltage Controlled Oscillator

203
4.6 Conclusion

F IG . 4.83 Synoptique de lalimentation base de transformateur pizolectrique

ncessit une approche trs synthtique pour aboutir des solutions technologiques
base de transistors bipolaires et MOSFET. Les solutions proposes permettent de
piloter correctement les modules IGBT lheure actuelle. Les solutions base de
transistor MOSFET prsentent une bonne symtrie de commande de grille alors
que ce nest pas le cas pour celles base de transistors bipolaires.
Ensuite, une nouvelle mthode pour la protection des modules IGBT a t mise
en oeuvre. Elle permet de ne pas faire fonctionner lIGBT en rgime de court-
circuit. Lors des dfauts avec des impdances de dfauts trs faibles, cette solution
permet danticiper le niveau de courant et douvrir lIGBT alors quil est en rgime
de surintensit avant quil passe en rgime de court-circuit.
Pour la transmission des ordres, la solution classique par fibre optique est ex-
pose ainsi que son principal inconvnient : sa sensibilit aux rayonnements lec-
tromagntiques. Comme alternative, nous avons effectu la conception dun trans-
formateur coreless laide de simulations. Les rsultats exprimentaux sont trs
satisfaisants et montrent que cette solution devient envisageable pour la transmis-
sion dordres du primaire vers le secondaire si les contraintes en courant du circuit
dexcitation du transformateur coreless sont minimiss.
Une solution base de transformateur magntique est expose pour la trans-
mission de puissance. Lanalyse des capacits de couplage en fonction du type des
bobinages du transformateur est galement prsente. Les positions relatives des
bobinages ne jouent pas un rle prpondrant pour les valeurs des capacits pa-
rasites. Enfin, une alimentation base de transformateur pizolectrique nous a
permis deffectuer une recherche sur le type de transformateur et de mtallisation
les mieux adapts nos besoins. A lheure actuelle, une solution base de trans-
formateur pizolectrique ne permet pas de rpondre notre cahier des charges.

204
Conclusion gnrale et
perspectives

Les travaux prsents dans ce mmoire ont pour principal objectif la concep-
tion et la ralisation dune gamme de drivers de modules IGBT.

Avant daborder la conception des drivers, nous avons tudi les technologies
des modules IGBT disponibles dans le commerce. Pour ce faire, nous avons tudi
les principaux avantages et inconvnients des diffrentes technologies de puce et
de botiers (plastique et press-pack). On a pu constat que la tendance actuelle des
constructeurs est de proposer des noms de puce qui leur sont propres pour dcrire
le mme type de puce : Field Stop de Eupec, Light Punch Through de Mitsubishi
et Soft Punch Through de ABB. Cette technologie est ne dun judicieux process
de fabrication qui tente de garder les avantages des structures Punch Through et
Non Punch Through. Depuis quelques annes, les technologies ont volues vers
des puces dont le profil de dopage sapproche de ceux des GTO afin de rduire les
pertes en conduction : IEGT de Toshiba, CSTBT de Mitsubishi et HiGT de Hitachi.

Ensuite, afin de comprendre aux mieux les contraintes et les fonctions des dri-
vers, nous avons tudi la modlisation des modules IGBT et leurs commutations.
Pour cela nous avons propos un modle simple de puce et les quations de com-
mutation qui en dcoulent. Les effets inductifs ont t pris en considration laide
de simulations. Nous avons mis en vidence que lorsque le circuit de commande et
de puissance sont coupls (soit par impdance commune, soit par couplage induc-
tif) que les gradients de courant et de tension sont modifis. Nous avons galement
apport un complment danalyse sur lavalanche dynamique dune cellule IGBT
en rgime de surintensit. Nous avons montr que le phnomne est d laccumu-
lation de charges positives dans une zone bien prcise de la cellule qui a pour effet
daugmenter trs localement le champ lectrique et de gnrer des paires lectron-
trou par ionisation par impact.

Aprs avoir pralablement tudi les drivers existants et les commutations des
modules IGBT, nous avons analys le cahier des charges de la gamme de drivers
dvelopper. Le dcoupage du driver en fonctions lmentaires nous a permis def-
fectuer une synthse mthodique pour chacune delles. Tout dabord, la fonction
"commande de grille" a t dveloppe de faon synthtique et mthodique pour
aboutir deux solutions base de transistors bipolaires et MOSFET. La fonction de
protection a abouti une solution qui permet danticiper la valeur du courant col-

205
4.6 Conclusion

lecteur et de couper lIGBT avant dtre en rgime de court-circuit. Pour la trans-


mission dordre, la solution optique a pour principal inconvnient sa sensibilit
aux champs rayonns par les commutations. Comme alternative la technologie
optique, nous avons mis en oeuvre une solution base de transformateur coreless.
Pour la transmission de puissance, nous avons dvelopp une alimentation isole
base de transformateur magntique. Pour complter son tude, nous avons tudi
diffrents types de transformateurs pizolectriques (dimensions des barreaux, po-
sitions et tailles des mtallisations).

En conclusion, les perspectives se dirigent vers la transmission dordre trans-


formateur coreless cause de son prix (trs faible en comparaison un systme
fibre optique), de sa rptabilit de production et de ses qualits en matire de
CEM. Ceci est possible si un circuit de pilotage du transformateur coreless per-
met de le piloter de faon transmettre une information tout en minimisant le
courant dexcitation du transformateur qui pose un problme dchauffement. Une
nouvelle structure dalimentation devrait tre envisage afin damliorer les pertes
dans la structure utilise lheure actuelle. En effet, les diodes de redressement
fonctionnent en rgime de sur contrainte en courant et ont une temprature de fonc-
tionnement leve.

206
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212
FOLIO ADMINISTRATIF

THESE SOUTENUE DEVANT L'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON

NOM : LEFRANC DATE de SOUTENANCE : 30 novembre 2005


(avec prcision du nom de jeune fille, le cas chant)

Prnoms : Pierre

TITRE : Etude, conception et ralisation de circuits de commande d'IGBT de forte puissance.

NATURE : Doctorat Numro d'ordre : 05 ISAL

Ecole doctorale : EEA

Spcialit : Gnie Electrique

Cote B.I.U. - Lyon : T 50/210/19 / et bis CLASSE :

RESUME :

L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l'lectronique de puissance. Depuis ses
dbuts dans les annes 1980, il n'a cess de concurrencer les composants comme le thyristor, le GTO, le MOSFET et le transistor bipolaire.
A l'heure actuelle, le transistor IGBT permet d'tre utilis dans beaucoup d'applications notamment sous forme de module IGBT dont il est
question dans cette thse.
Les modules IGBT font partie intgrante des convertisseurs de puissance. Ils sont associs leurs circuits de commande (aussi appels
drivers). Ils ont pour fonction de piloter les modules IGBT qui leurs sont associs et de garantir leur intgrit en cas de dfauts (surintensit,
surtension).
Dans ce mmoire, nous traitons de la ralisation et la conception de drivers de modules IGBT. Pour mener bien cette tude, nous
prsentons tout d'abord un tat de l'art sur les modules IGBT et leurs drivers. Ensuite, nous proposons une analyse et une modlisation des
modules IGBT en prenant en compte le cblage. Nous apportons un complment d'tude sur le phnomne d'avalanche dynamique des
puces IGBT en rgime de surintensit. Enfin, nous effectuons la conception et la ralisation de drivers de modules IGBT. La fonction
principale des drivers est dcoupe en sous fonctions qui permettent d'effectuer une tude structure. Chaque sous fonction est tudie et les
solutions apportes sont exposes avec simulations et rsultats exprimentaux l'appui.

MOTS-CLES :
IGBT, commande rapproche d'IGBT, isolation galvanique, protection des IGBT, modlisation, simulation, CEM, avalanche dynamique.

Laboratoire (s) de recherche : Centre de Gnie Electrique de Lyon (CEGELY)

Directeurs de thse: Jean-Pierre CHANTE


Dominique BERGOGNE

Prsident de jury :

Composition du jury : Jean-Pierre CHANTE (CEGELY Lyon)


Dominique BERGOGNE (CEGELY Lyon)
Stphane LEFEBVRE (SATIE Cachan)
Jean-Paul FERRIEUX (LEG Grenoble)
Thierry MEYNARD (LEEI Toulouse)
Jean-Franois ROCHE (ARCEL Lyon)