- FIUBA - Circuitos Electrnicos 1 - Curso Piloto - 1er Cuat.

2012 Clase 1 -

Clase 1:
Amplificadores Multietapa sin
Realimentacin

Contenido
1. Repaso amplificadores monoetapa
a. Configuraciones bsicas
b. Distorsin
c. Potencia de seal y rendimiento

2. Amplificadores multietapa
a. Limitaciones de los amplificadores desacoplados
b. Amplificadores multietapa en acople directo
c. Configuracin Cascode
d. Darlington

IMPORTANTE:
El presente documento es un resumen de los temas de la clase del lunes 12 de marzo de
2012 y NO CONTIENE NI REEMPLAZA la profundidad con que los mismos son abordados
en el pizarrn.

Bibliografa:
Gray/Meyer Analysis and Design of Analog Integrated Circuits CH3: Single-transistor
and two-transistor amplifiers.
Razavi Design of Analog CMOS Integrated Circuits CH3: Single-stage amplifiers

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1. Repaso de Amplificadores Monoetapa

Caractersticas de amplificadores en general
Segn lo visto hasta ahora, los amplificadores se caracterizan por su Impedancia de
Entrada, Impedancia de Salida y Ganancia. Segn los valores de las impedancias y del tipo
de ganancia involucrada, se pueden definir distintos tipos de amplificadores
Tipo Impedancia de entrada Impedancia de Salida Ganancia

De Tensin Alta Baja Av

De Corriente Baja Alta Ai

De Transconductancia Alta Alta Gm

De Transresistencia Baja Baja Rm

El efecto de la impedancia de entrada es considerado en el clculo de la AVS, es decir la

amplificacin real de la seal de entrada. Para el mismo se tiene en cuenta el efecto de
divisin de seal que se produce entre la resistencia propia de la fuente de seal y la
resistencia de entrada del amplificador.

Amplificadores con MOSFETs

Revisin de las configuraciones:
Source Comn
Gate Comn
Drain Comn

Clculo de la ROD
Es la resistencia vista desde el Drain de un transistor con una resistencia RS conectada en
el Source.
En clase se demuestra que dicha resistencia es:
ROD = RS + ro*[1 + gm*RS] cuando vb=vs
ROD = RS + ro*[1+ (gm+gmb)*RS] cuando vbvs

Amplificadores con TBJ

Debe considerarse el efecto de la resistencia rpi.
La transconductancia del TBJ suele ser mayor por su caracterstica exponencial.
Amplificador Emisor Comn vs. Source Comn: Relacin de compromiso entre
resistencia de entrada y ganancia de tensin.

Revisin de las configuraciones:

Emisor Comn
Base Comn
Colector Comn

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Clculo de la ROC
Es la resistencia vista desde el Colector de un transistor con una resistencia R E conectada
en el Emisor.
En clase se demuestra que dicha resistencia es:
ROC = (RE||rpi) + ro*[1 + gm*(RE||rpi)]

Distorsin
Existen tres tipos de distorsin:
Distorsin por alinealidad
Se produce cuando la tensin de entrada es demasiado grande, y el modelo lineal
del transistor ya no es vlido.
Considerando un error permitido del 10%
MOSFET: VgsMAX = 0.2*(VGS-VT)
TBJ: VbeMAX = 10mV
Distorsin por corte
Se produce cuando la corriente de seal que se debe entregar a la carga es mayor
que la corriente de continua disponible.
Distorsin por triodo/saturacin
Se produce cuando la tensin de seal en la carga es lo suficientemente grande
como para quitar al transistor de rgimen de saturacin (o MAD en TBJ).

Rendimiento de potencia
El rendimiento de potencia puede definirse como la relacin entre la potencia disipada en la
carga, y la potencia total consumida por el circuito.
El mximo rendimiento de potencia implica la operacin del amplificador en MES (Mxima
Excursin Simtrica) de forma de garantizar la mxima potencia disipada en la carga. Bajo
estas condiciones puede demostrarse que la cota mxima para el rendimiento de un
amplificador monoetapa es del 25%.

Limitaciones de los amplificadores monoetapa

Muy bajo rendimiento de potencia.
Ninguna de las configuraciones es inherentemente un amplificador de tensin con
ganancia alta.
Los parmetros de los amplificadores son fuertemente dependientes de la
temperatura y de la dispersin de los dispositivos y componentes.
Variaciones o ruidos en la fuente de alimentacin afectan de forma directa a la seal
de salida.

Ejercicio recomendado:
Final 66.25 18-Feb-2011 (http://materias.fi.uba.ar/6625/Evaluacion.htm )

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2. Amplificadores multietapa
Los amplificadores multietapa posibilitan el aprovechamiento de las mejores caractersticas
de cada tipo de amplificador y/o dispositivo (por ejemplo combinando transistores MOS con
TBJ) obtenindose mejoras en las limitaciones que cada cada uno de ellos tiene por
separado.

Ejemplo: EC-CC con capacitores de desacople

El capacitor de desacople permite determinar el punto de polarizacin de forma
independiente para cada etapa amplificadora.
La primer etapa (EC) funciona como amplificador de transconductancia, y la segunda (CC)
como buffer de tensin. El CC, al tener una impedancia de entrada alta, presenta una
impedancia alta (comparada por ejemplo, con un parlante) al EC aumentando su
amplificacin.

La amplificacin total del circuito es la multiplicacin de la amplificacin de cada una de las

etapas, es decir AV= AV1*AV2. Para calcularla es necesario realizar el anlisis de pequea
seal del circuito y hallar las resistencias equivalentes de cada nodo del circuito.

Por lo tanto, de esta manera se logra tener un amplificador de tensin de buenas

caractersticas: alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida y ganancia de
tensin alta.

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Desventajas:
El capacitor de desacople entre etapas no permite la amplificacin de tensiones
continuas y limita el uso del amplificador en bajas frecuencias.
El capacitor es un componente que generalmente ocupa un volumen fsico
significativo y puede tener un costo no despreciable.

Conlusin: sera deseable no usar capacitores de desacople. Entonces aparecen los

amplificadores multietapa en acople directo.

Amplificadores multietapa en acople directo

Punto de polarizacin: debe calcularse con especial atencin ya que las corrientes de
polarizacin pueden ser compartidas por mas de un transistor.
Anlisis de pequea seal: el procedimiento de clculo es equivalente al amplificador
desacoplado aunque los resultados obtenidos son extensibles a bajas frecuencias y
continua.

Repeticin del ejemplo EC-CC pero ahora en acople directo

Ejemplo de tecnologa Bi-CMOS

Cascode
El amplificador cascode es ampliamente utilizado por su excelente respuesta en frecuencia
y altsima ganancia al ser implementado con cargas activas. Adems, su integracin
monoltica en tecnologas CMOS se realiza con un layout sumamente compacto ocupando
poco rea de silicio y reduciendo al mnimo las capacidades parsitas.
El concepto de cascode se extiende tambin a otros circuitos como las fuentes de corriente
y los amplificadores diferenciales.

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Bsicamente un amplificador Cascode en TBJ consiste en una etapa EC seguida de una

BC. Su equivalente MOS es una etapa SC seguida de una GC, tal como se muestra en la
figura a continuacin.

En clase se presenta y resuelve un cascode implementado con N-MOSFETs.

Darlington
Se trata de un configuracin ampliamente utilizada debido a su gran practicidad. Consiste
en dos transistores conectados de la forma que se muestra en la figura a continuacin. De
esta forma se logra comandar corrientes de colector grandes con corrientes de base muy
pequeas (aproximadamente BETA veces menor). La configuracin tiene la desventajas
desde el punto de vista de su polarizacin.

En clase se resuelve:
Polarizacin.
Modelo de transistor equivalente para pequea seal.