SOLIDO METALICO

La Teora de Orbitales Moleculares puede emplearse para explicar las

propiedades de los slidos (inicos, metlicos y moleculares). Un slido se puede
considerar formado por una serie de tomos unidos entre s mediante enlaces de
tipo covalente. Esta idea tiene la ventaja, desde un punto de vista qumico, de
tratar al slido como una especie no muy diferente a las pequeas molculas
covalentes. La aproximacin es aceptable para describir el enlace en slidos
metlicos as como para explicar las propiedades que presentan estos
compuestos como el brillo, la maleabilidad y las conductividades trmicas y
elctricas. Todas estas propiedades son el resultado de la contribucin de los
electrones de cada tomo en la formacin de un "mar de electrones". El brillo y las
propiedades elctricas derivan de la movilidad que poseen dichos electrones. La
alta conductividad trmica observada en un metal es tambin una consecuencia
de la movilidad electrnica porque un electrn puede colisionar con un tomo que
est vibrando y en la colisin el tomo transfiere su energa al electrn, el cual
puede, a su vez, transferirla a otro tomo de cualquier parte del slido. La facilidad
con la que los metales pueden ser deformados es otra de las consecuencias de la
movilidad de los electrones, ya que este "mar de electrones" puede ajustarse
fcilmente y de forma rpida a las deformaciones del slido sin modificar el enlace
entre los tomos.
La conduccin electrnica es caracterstica de los slidos metlicos y de
los semiconductores. Para distinguir entre un metal y un semiconductor se utiliza
el siguiente criterio basado en la dependencia de la conductividad elctrica con la
temperatura.
- Un conductor metlico es aquella sustancia cuya conductividad elctrica
disminuye al aumentar la temperatura.
- Un semiconductor es aquella sustancia cuya conductividad elctrica
aumenta al hacerlo la temperatura.
Un slido aislante es una sustancia que presenta una baja conductividad
elctrica; sin embargo cuando su conductividad se puede medir, sta aumenta con
la temperatura, como ocurre en los semiconductores. A todos los efectos se
pueden considerar dos comportamientos elctricos bsicos, el metlico y el
semiconductor.
Los valores tpicos de la conductividad elctrica de los metales estn en el rango
de 10-105 ohm-1 cm-1 y los aislantes presentan conductividades menores de 10-
12 ohm-1 cm-1. Los semiconductores presentan conductividades intermedias (10-
5-102 ohm-1cm-1). Un superconductor es una clase especial de material que
presenta resistencia elctrica cero por debajo de su temperatura crtica.

La teora de bandas

La idea central que subyace en la descripcin de la estructura electrnica

de los slidos metlicos es la de que los electrones de valencia de cada tomo se
distribuyen a travs de toda la estructura. Este concepto se expresa, de una
manera ms formal, haciendo una simple extensin de la Teora de Orbitales
Moleculares, en la que el slido se trata como molcula infinitamente larga. Estos
principios pueden tambin aplicarse a la descripcin de slidos no metlicos como
los slidos inicos o los slidos moleculares.

Formacin de la banda mediante el solapamiento orbital

El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un

conjunto de orbitales moleculares que se encuentran muy prximos en energas y
que forman virtualmente lo que se conoce como una banda. Las bandas se
encuentran separadas entre s mediante espacios energticos a los que no les
corresponde ningn orbital molecular

Para poder visualizar la formacin de una banda considrese una distribucin

lineal de tomos (slido unidimensional), separados todos a la misma distancia
(a), en los que cada tomo posee un orbital de tipo s. Cada orbital de tipo s de un
tomo solapar con el orbital s del tomo vecino. As, si slo hubiera dos tomos
en el conjunto el solapamiento conducira a la formacin de 2 orbitales
moleculares, uno de enlace y otro de antienlace. Si tenemos 3 tomos, el
solapamiento de los 3 orbitales de tipo s originara la formacin de 3 orbitales
moleculares, de enlace, de no enlace y de antienlace. A medida que se van
aadiendo tomos al conjunto cada uno contribuye con su orbital molecular al
solapamiento y en consecuencia se obtiene un nuevo orbital molecular. As,
cuando el conjunto est formado por N tomos se obtienen N orbitales
moleculares. El orbital molecular de menor energa no presenta ningn nodo entre
los tomos vecinos, mientras que el orbital molecular de mayor energa presenta
un nodo entre cada par de tomos vecinos. Los restantes orbitales van teniendo
sucesivamente 1, 2, 3... nodos internucleares y sus energas estn comprendidas
entre la del orbital ms enlazante (de menor energa) y la del ms antienlazante
(mayor energa). La diferencia de energa entre los N orbitales moleculares es tan
pequea que se forma una banda o continuo de niveles de energa. La anchura
total de la banda depende de la fuerza de la interaccin entre los orbitales
atmicos de los tomos vecinos, de forma que, cuanto
mayor sea la interaccin, mayor ser el solapamiento entre los orbitales y mayor
ser la anchura de la banda resultante (o separacin entre el orbital molecular ms
enlazante y el ms antienlazante). La anchura de una banda es, por lo general,
una medida del grado de localizacin del enlace. Una banda estrecha representa
un alto grado de localizacin de un enlace y a medida que se va haciendo ms
ancha los enlaces se hacen ms deslocalizados.
La banda que se ha descrito se ha formado a partir del solapamiento de
orbitales s y se denomina, por tanto, banda s. Si en los tomos existen orbitales de
tipo p disponibles, stos pueden solapar originando una banda p. Como los
orbitales p poseen mayor energa que los orbitales s de la misma capa, se observa
a menudo la separacin entre la banda s y la banda p. Pero si las bandas son
anchas y las energas de los orbitales s y p de la misma capa no difieren mucho
entonces ambas bandas se solapan. Este solapamiento es el responsable de que
los elementos del grupo 2 de la Tabla Peridica tengan un comportamiento
metlico. De la misma forma, la banda d est formada por el solapamiento de
orbitales atmicos d.

El nivel de Fermi

A la temperatura T = 0 K los electrones ocupan los orbitales moleculares

que forman la banda siguiendo el principio de construccin citado en la leccin 2.
Si cada tomo del modelo (distribucin lineal de tomos) contribuye a la banda s
con 1 electrn entonces, a T = 0 K la mitad de los orbitales que forman la banda
(1/2 N) estarn ocupados. El orbital molecular de mayor energa que se encuentra
ocupado se conoce como el nivel de Fermi y, en este caso, estar situado en el
centro de la banda. La banda de menor energa que se encuentra ocupada o
semiocupada se conoce como banda de valencia. La banda de menor energa que
se encuentra vaca se conoce como la banda de conduccin.
A una temperatura superior a 0 K, la poblacin de los orbitales moleculares
que forman la banda, P, viene dada por la distribucin de Fermi-Dirac, que es una
versin de la distribucin de Boltzmann, y que tiene en cuenta que cada nivel de
energa de la banda slo puede estar ocupado por 2 electrones como mximo.
Esta distribucin P tiene la siguiente forma:
P = 1/(e(E-m)/kT + 1)
donde m es el potencial qumico o energa del nivel para el cual P = 1/2. Cuando
la banda no est completamente ocupada los electrones que se encuentran
prximos al nivel de Fermi pueden, fcilmente, promocionarse a niveles vacos
que se encuentran inmediatamente por encima de ste. Como resultado, los
electrones gozan de movilidad y pueden moverse libremente a travs del slido.
Este fenmeno origina que la sustancia sea un buen conductor elctrico. Como se
ha visto, en un metal la conductividad elctrica disminuye con la temperatura; este
hecho se debe a las interferencias (los electrones se pueden describir como
ondas) que se producen entre los electrones que se mueven por el slido y las
vibraciones de la red cristalinas, provocadas por el movimiento de los tomos,
vibraciones que aumentan al hacerlo la temperatura.

La densidad de estados

El nmero de niveles de energa con un determinado valor de energa se

conoce como la densidad de estados, N(E) o r. Es posible representar la variacin
de energa de una banda en funcin de la densidad de estados, tal como aparece
en la Figura 8 para las bandas s y p. La densidad de estados no es uniforme a lo
largo de toda la banda debido a que los niveles de energa se empaquetan ms a
unos determinados valores de energa que a otros. Este hecho produce que la
banda s, por ejemplo, presente la mayor densidad de estados en el centro y la
menor densidad de estados en los extremos de la banda. La razn de este
comportamiento est en la forma de las combinaciones lineales que originan los
orbitales moleculares que constituyen la banda s. Existe una nica combinacin
lineal que conduce al orbital molecular ms enlazante (el lmite inferior de la
banda)y otra que conduce al ms antienlazante (el lmite energtico superior de la
banda). Sin embargo hay varias combinaciones posibles, degeneradas en energa,
que dan lugar a los orbitales moleculares que forman la parte central de la banda
s.
Entre dos bandas separadas por un espaciamiento energtico, la densidad de
estados en el mismo
es cero, pues no hay niveles energticos en dicha separacin. En algunos casos
especiales puede ocurrir que la separacin entre la banda de valencia y la de
conduccin sea nula, aunque la densidad de estados en el punto de conjuncin de
ambas bandas sea cero. Esta es la estructura de bandas tpica de un semimetal.
Slo algunos electrones pueden pasar de la banda llena a la banda vaca de forma
que estos materiales poseen conductividades elctricas bajas. Un ejemplo
importante de semimetal es el grafito.