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Rpublique du Cameroun

Republic of Cameroun

Universit de University of
Yaound I Yaound I

ELECTRONIQUE

par

DR. ALAIN TIEDEU

Ecole Nationale
Suprieure Polytechnique
Electronique / 1. DIODES ET APPLICATIONS 06/10/05
Dr. Alain Tiedeu
SOMMAIRE

1. DIODES ET APPLICATIONS .......................................................................................... 5


1.1. Semi-conducteurs ....................................................................................................... 5
1.1.1. Semi-conducteur intrinsque .............................................................................. 5
1.1.2. Semi-conducteur dop ........................................................................................ 6
1.2. La jonction PN ........................................................................................................... 7
1.3. La diode jonction ..................................................................................................... 8
1.3.1. Courant inverse de la diode ................................................................................ 9
1.3.2. Courant direct de la diode ................................................................................ 10
1.4. Caractristique de la diode jonction ...................................................................... 10
1.4.1. Trac ................................................................................................................. 10
1.4.2. Rsistance de la diode ...................................................................................... 12
1.5. Redressement ........................................................................................................... 15
1.5.1. Redressement une alternance ........................................................................... 15
1.5.2. Redressement deux alternances ........................................................................ 16
1.5.3. Facteur de forme et Taux dondulation ............................................................ 22
1.5.4. Filtrage ............................................................................................................. 23
1.6. Diode Zener .............................................................................................................. 26
1.6.1. Dfinitions ........................................................................................................ 26
1.6.2. Stabilisation de tension par une diode Zner ................................................... 31
2. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINUE ............................................... 36
2.1. NOTIONS FONDAMENTALES ............................................................................ 36
2.1.1. STRUCTURE DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE ......................................... 36
2.1.2. EFFET TRANSISTOR .................................................................................... 36
2.1.3. QUELQUES CONSTANTES FONDAMENTALES DES TRANSISTORS . 38
2.2. CARACTERISTIQUES DUN TRANSITOR BIPOLAIRE .................................. 40
2.2.1. CARACTERISTIQUES DE COLLECTEUR ................................................. 41
2.2.2. CARACTERISTIQUES DE BASE ................................................................. 43
2.2.3. CARACTERISTIQUES DU GAIN EN COURANT ...................................... 44
2.2.4. DROITE DE CHARGE EN CONTINU .......................................................... 45
2.3. QUELQUES CIRCUITS DE POLARISATION DES TRANSISTORS ................. 47
2.3.1. Polarisation de base .......................................................................................... 48
2.3.2. Polarisation par raction dmetteur ................................................................ 49
2.3.3. Polarisation par raction de collecteur (aussi appele polarisation automatique)
51
2.3.4. Polarisation par diviseur de tension ................................................................. 51
2.3.5. Polarisation dmetteur .................................................................................... 52
2.4. STABILISATION THERMIQUE ........................................................................... 53
3. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME ALTERNATIF ........................................... 56
3.1. Circuits quivalents en alternatif et en continu ........................................................ 56

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3.2. SCHEMA ALTERNATIF EN PETIT SIGNAUX DU BJT ................................... 60
3.3. CALCUL DES CICUITS A TRANSISTOR ........................................................... 60
3.3.1. Dfinitions ........................................................................................................ 60
3.3.2. Rappel sur les quadriples................................................................................ 67
3.3.3. Exemple de calcul dun amplificateur simple BJT........................................ 70
3.4. AMPLIFICATION EN PUISSANCE ADAPTATION ........................................... 74
3.4.1. Adaptation la sortie........................................................................................ 74
3.4.2. Notion damplification de transfert en puissance ............................................. 75
3.5. AUTRES MONTAGES AMPLIFICATEURS A BJT ............................................ 78
3.5.1. Montage Rsistance dmetteur .................................................................... 78
3.5.2. Montage collecteur commun et base commune dun BJT ............................... 82
4. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATIONS ....................................... 87
4.1. PROPRIETES DE LAMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ................................ 87
4.1.1. Prsentation. ..................................................................................................... 87
4.1.2. Paramtres fondamentaux ................................................................................ 87
4.2. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL IDEAL ..................................................... 95
4.3. Une bande passante infinie. ...................................................................................... 95
4.4. MODELES DE LAOP ............................................................................................ 96
4.4.1. Modlisation avec gnrateur de Thvenin ...................................................... 97
4.4.2. Modlisation avec gnrateur de Norton ......................................................... 98
4.4.3. Modlisation de lAOP..................................................................................... 98
4.5. DEFAUTS DE LAOP ............................................................................................. 99
4.5.1. Tension de dcalage (ou tension doffset)........................................................ 99
4.5.2. Courant de dcalage ....................................................................................... 100
4.5.3. Modle modifi de lAOP .............................................................................. 100
4.6. MONTAGES FONDAMENTAUX A AOP EN REGIME LINEAIRE ................ 101
4.6.1. Montage suiveur ............................................................................................. 101
4.6.2. AMPLIFICATEUR DE TENSION ............................................................... 103
4.6.3. Montage sommateur ....................................................................................... 105
4.6.4. Soustracteur .................................................................................................... 107
4.6.5. Drivateur ....................................................................................................... 108
4.6.6. Intgrateur ...................................................................................................... 109
4.7. MONTAGES FONDAMENTAUX EN REGIME SATURE................................ 110
4.7.1. Trigger de Schmitt : comparateur Hystrsis .............................................. 111
4.7.2. Multivibrateur................................................................................................. 113
4.7.3. Oscillateur AOP........................................................................................... 116
4.8. APPLICATION DES AOP A LA RESOLUTION DES EQUATIONS
DIFFERENTIELLS ........................................................................................................... 118
5. FILTRES ........................................................................................................................ 120
5.1. THEOREME DE FOURRIER ............................................................................... 120
5.1.1. Cas particuliers ............................................................................................... 121
5.1.2. Exemples de dcomposition ........................................................................... 121

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5.2. TRANSFORMEE DE LAPLACE (TTP) .............................................................. 124
5.2.1. Proprit de la T.P .......................................................................................... 124
5.3. APPLICATIONS : FILTRES ET ANALYSE DES CIRCUITS ........................... 125
5.3.1. Lapplication de la T.L lanalyse des circuits (en rgime transitoire) ......... 125
5.3.2. Filtres .............................................................................................................. 129
5.4. ETUDE DES FILTRES PAR LES MATRICES DE QUADRIPOLES ................ 142
5.4.1. NOTION DE MATRICE DE TRANSFERT ................................................. 142
5.4.2. Matrice de transfert de quelques filtres considrs comme Quadriple ........ 143
5.5. FILTRES ACTIFS ................................................................................................. 144
5.5.1. Structure des filtres actifs ............................................................................... 144

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1. DIODES ET APPLICATIONS
1.1. Semi-conducteurs
1.1.1. Semi-conducteur intrinsque
Cest un lment de la colonne IV du tableau priodique qui possde 4 lectrons de valence
sur sa couche externe. Dans le cristal, les atomes sont lis de faon covalente, chacun mettant
en commun ses quatre lectrons avec ses quatre plus proches voisins.

Les lectrons ne sont pas libres et ne permettent pas le passage du courant. A T = _ 273 C, le
semi-conducteur est un isolant parfait. Si on excite ces lectrons de valence par une lvation
de temprature ou au moyen de la lumire, un lectron peut acqurir suffisamment dnergie
(0,75eV 1eV = 1,6x10-19 Joule pour le germanium) pour sarracher lattraction du noyau,
devenant un lectrons libre. Il laisse une place libre dans le rseau appel trou.

Latome qui a perdu un lectron peut capter celui dun atome voisin, ce qui provoque le
dplacement du trou.

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Le courant lectrique est donc constitu par un double dplacement dlectrons et de trous en
sens inverse et on a le mme nombre dlectrons et de trous. Le semi conducteur est
intrinsque.

1.1.2. Semi-conducteur dop

Semi conducteur de type N


Introduisons en quantit trs faibles (1 atome pour 106) des impurets de valence 5 (arsenic,
antimoine). On ne modifie pas la structure du cristal.

lectron libre

+4 +4 +4



+4 +5 +4


+4 +4 +4

Latome dimpuret ne peut changer que quatre lectrons avec quatre atomes de silicium. Il
reste un lectron libre. Il y aura donc un excs dlectrons de cristal.
Dans ce semi-conducteur dop N, les lectrons sont majoritaires et les trous, provenant de la
conduction intrinsque, seront minoritaires

Semi conducteur de type P


Si on introduit maintenant une impuret de valence 3(indium ou gallium), latome dimpuret
ne peut assurer que trois liaisons avec les quatre atomes de silicium voisins.

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Trou

+4 +4 +4


+4  +3 +4


+4 +4 +4

Il y a un manque dlectrons et tout se passe comme sil y avait un trou. Dans ce semi
conducteur dop P, les trous sont majoritaires et les lectrons sont minoritaires.
Remarque :
La conduction intrinsque des majoritaire est trs faible par rapport celle due aux impurets.

1.2. La jonction PN
Cest la mise en contact de deux semi conducteurs de type diffrent P et N.

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+
+

+

+


+

+

+

P E o
+

+

+

+ N

+ atomes du semi conducteur + atomes du semi conducteur

+ ions ngatifs fixes du dopeur(atomes de


+ ions positifs fixe du dopeur(atomes ayant
dopeur ayant gagn un lectron)
perdus un lectron)
+ tous en nombre pratiquement identique aux
+ lectrons(porteurs majoritaires) atomes du dopeur(porteurs majoritaires)

+ trous intrinsques(porteurs minoritaires) + lectrons dus la conduction


intrinsque(porteur minoritaire)

A ltablissement de la jonction, des trous diffusent de la zone P vers la zone N o ils pigent
les lectrons et les lectrons diffusent de la zone N vers la zone P o ils pigent les trous. Il se
forme une zone de transition sans porteurs de charges possdant des ions fixes (ngatif pour N
et positif pour P). Ces ions fixes crent un champ lectrique E 0
Dirig de N vers P (105 106 V/m) et une barrire de potentiel de lordre de quelques
diximes de volts existe la jonction. Le champ E 0 repousse les trous dans la zone P et les
lectrons dans la zone N. Il soppose au dplacement des majoritaires (trous dans P et
lectrons dans N) mais favorise le dplacement des minoritaires (lectrons dans P et trous
dans N).

1.3. La diode jonction


Lorsque lon soumet la jonction PN une diffrence de potentiel, on ralise une diode
jonction.

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A B

A B
Symbole de la diode

1.3.1. Courant inverse de la diode

E
A B
P N
Eo

U = VA - VB < 0
La zone P est relie au pole ngatif de la pile et on dit que la diode est polarise dans le sens
inverse.
E
Le champ E cre par U sajoute 0 , ce qui augmente la barrire de potentiel et rend encore
plus difficile le dplacement des porteurs majoritaires. Le courant qui passe dans la jonction
nest d quaux minoritaires (lectrons dans P et trous dans N) et il est trs faible. Cest le
courant inverse de la diode.

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1.3.2. Courant direct de la diode

E
A B

Eo
U

U = VA - VB >0
La zone P est relie au potentiel positif de la pile et la diode est polarise dans le sens direct.

Le champ E soppose E 0 provoquant une diminution de la barrire de potentiel, ce qui


facilite le dplacement des porteurs majoritaires. Cest le courant direct de la diode qui est
dautant plus lev que U est grand.

1.4. Caractristique de la diode jonction


1.4.1. Trac

P N

i
U
A

RR

On fait varier la tension aux bornes de la diode en valeur et en signe.

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La variation de i en fonction de U est reprsente sur la figure ci-dessous.

Partie rectiligne

V Z tension d' avalanche


UIS U0
0,2 V 0,65 V U

Po int Zner

+ US : tension de seuil relle (valeur de U en dessous de laquelle le courant i est pratiquement


nul)
+ U0: tension de seuil pratique (intersection de la partie rectiligne de la courbe avec laxe des
u).
Vz : tension davalanche ou tension de Zner (lnergie cintique des minoritaires devient
suffisamment leve pour provoquer la rupture des liaisons entre les atomes du cristal et la
production de paires dlectrons trous ; la diode tant polarise en inverse, ces minoritaires
traversent la jonction et il sen suit une raction en chane appele phnomne davalanche
qui provoque la destruction du cristal ; la tension inverse de la diode doit donc tre limite).
On peut cependant utiliser ce phnomne davalanche dans les diodes Zeners.
Le courant de la diode scrit :

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i
U

eU
i = I
exp 1 pour u > - V Z
S
kT
e = 1,6 10-19 Coulomb : charge lmentaire
k = 1,34 10-23 J/K ; Constante de Boltzmann
T : temprature absolue en Kelvin
: constante dpendant du semi conducteur et de lintensit
Polarisation inverse -Vz < U < 0
kT eU
u
Si >> e , exp nkt 0 et i = - Is
Polarisation directe U > 0
kT eU
u
Si >> e , exp nkt >> 1
eU
Partie rectiligne de la caractristique i= Is exp kT

1.4.2. Rsistance de la diode


+ U>0 : la rsistance statique dpend du point de fonctionnement mais dans la partie
rectiligne de la courbe, elle est pratiquement constante et trs faible (infrieure 1 ) ; cest
u
la rsistance directe Rd = i
+ U<0 -Vz < U < 0 saturation
La rsistance est trs leve (plusieurs centaines de mgohms) ; cest la rsistance inverse.
On peut donc dfinir la diode idale par : U0 = 0 ; rsistance directe nulle ; rsistance inverse
infinie.

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Diode idale

Pour la diode relle, on peut aussi dfinir une caractristique simplifie par :
U U0 i = 0
U U0 U = U0 + Rd i o i = G (U-U0)

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i u
Rd =
i

U
0 U0

Caractris tique simplifie de la diode

On a alors le schma quivalent :

Rd

U0

En pratique Rd est trs faible. On peut ngliger U0, ce qui nous ramne la caractristique
dune diode idale.

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1.5. Redressement
1.5.1. Redressement une alternance

D
e

UR

e= E 2 sin wt
Pendant lalternance positive, la diode est polarise dans le sens direct. Si on nglige Rd et U0
e
(diode idale), on a :UR = e et i = R
Pendant lalternance ngative, la diode est polarise dans le sens inverse et i == 0

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e, u R = R.i

Em

T
2

0 T t

T 2
1 1
E 2 Sin( ) d
T 0 2 0
E 2 Sin( wt ) dt
La valeur moyenne de UR est : URmoy = =
E 2
URmoy = = 0,45 E
Tension inverse rcurrente aux bornes de la diode E 2 ou Em, Em < Vz

1.5.2. Redressement deux alternances

Redressement avec point milieu


e= E 2 sin wt

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D1
i

UR
e
i

D2

Alternance positive

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D1

e UR

e
i
D2

Alternance ngative

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e1, e 2 ,U R

e
e

Alternance positive : D1 passante et D2 bloque UR = e


Alternance ngative : D1 bloque et D2 passante UR = -e

1
E 2 Sin( ) d 2E 2

URmoy = 0 = = 0,90.E

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La tension inverse rcurrente est 2Em

Pont de Graetz

D4 D1

R
A
e B
UR
D3 D2

Alternance positive

i
D1
e R
A B
UR
D3
D 1 et D 3 passantes
D 2 et D 4 bloques
U R = e

Alternance ngative

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D4

e A
i B

U R

D 2

D 1 et D 3 bloques
D 2 et D 4 passantes
U R = e

e ,U R

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E m

URmoy = 0,90.E Tension inverse rcurrente 2 plus faible.


Une seule source de tension, mais utilisation de 4 diodes.

1.5.3. Facteur de forme et Taux dondulation


La tension redresse scrit : UR = Umoy + Uond
U ond

Taux dondulation = U Rmoy

U R

Facteur de forme F= U Rmoy

T
1
T 0 U Rmoy U ond
( + )
+ U ond
2 2 2
U R = 2 dt = U Rmoy
donc
2
F = 1 + 2

1.5.4. Filtrage

iR
i

iC

e C

On suppose qu t = 0, q = 0
Pendant la charge :
E 2
sin
iR = R avec = wt
dq de
=C = CwE 2 cos
iC = dt dt

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UR = R iR
La conduction de la diode cesse lorsque :
i= iR + iC = 0

tg 1 = RCw 1 > 2
Dcalage du condensateur
( 1)
+ = 0 R iR + iR = 0
dq q d
E 2 sin 1 . exp R
UR = R iR = RCw ( dt C ; dt C )
t
i R
= A. exp = A. exp
RC RCw
E 2 sin 1 1
= = A. exp
t=
i 1
R
R RCw
( 2 1)
E 2 sin 1 exp = E 2 sin 2
La conduction reprendra au point C tel que : RCw

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U, i

B U
C
A

3
2 2
0 2 2 1 2 5 5
+1
2 2 2

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U, i

3

2
3
0 2 1 + 1
2 2

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D4 D1

A
R

D3 D2

1.6. Diode Zener


1.6.1. Dfinitions
La diode Zner fonctionne en inverse dans la partie de la caractristique U<-Vz, le courant
diminuant rapidement lorsque U diminue lgrement.

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V z Vzo
U

iz

im

Le comportement de cette diode nest intressant quen polarisation inverse. En adoptant le


schma ci-aprs :

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i
N

U
P

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im

iz

Vz
Vzo U

Il y a phnomne davalanche :
-rversible tant que i<im.
-irrversible pour i>im.
U
Pour U > Vz, la rsistance de la diode Rd = i est trs faible.
Pour 0 < i < Iz, la rsistance varie avec le point de fonctionnement et peut atteindre plusieurs
centaines dOhms.
Diodes Zner idale

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0 vZ U

Diodes Zner relle (schma quivalent)

i
i

U Rd
U

V zo

U = V + R.iZ0

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1.6.2. Stabilisation de tension par une diode Zner

Diode idale

I RP

i
i R

E
U R

Rp : rsistance de protection pour limiter le courant dans la diode ; i<im


Si 0 < U < Vz i = 0 et U = R.iR ; iR = I
R
U= E
R + RP
si i > 0 u = Vz = cte.
E= R p
.I + V z
; Vz = R.iR
E V Z
i = I iR = V Z
V P
R
E V Z
=VZ +i
R P
R
( R + R P)
E =V Z
+ R P .i
R
( R + R P)
E <V Z + R P .i m
Il faut que i < im donc R

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Diode Zner relle

I RP

i
i R
R z
E
U R

V zo

Cfficient de rgulation amont et rapport de stabilisation

A=(
E
)
Le coefficient de rgulation amont est dfini par : U R = cte

1
Le rapport de stabilisation est A
On peut crire que :
E= R P
I +U
I = I R + i
U U V
E = R ( + P ) + U Zo

R R Z

E = U ( R + R + 1) V R
P P Zo
P
R R R Z Z

E
( ) = R + R + 1 = R (R + R P 0 P Z Z
+ 1)
U R R
R = cte R R R Z Z P

U
U = R iR iR =
R
U V Zo
U = V Zo + R Z .i i =
R Z

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A=(
E = R
) P

Comme R Z
<< R P
et R Z
<< R
on tire : R = cte U
Z R
Comme on veut rguler la tension de sortie, il convient quune forte variation de E provoque
1
une faible variation de U, donc A doit tre trs grand et A doit tre trs petit.

Cfficient de rgulation aval


U
=( )
Cest le rapport E = cte
i R
Une forte variation de iR(variation de R) doit provoquer une faible variation de U, donc doit
tre le plus petit possible.
E U
E = RP + U I =
R P

U V Zo
U= R Z
.i + V Zo i =
R Z

E u U V
iR
= I i = Z

R R P Z

E V (R + R )
iR
= + Zo
U P Z

R R P R R
Z P Z

U
= = R R Z P
E = cte
i R R +R Z P

R
Rz<<Rp ; Z

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Electronique / 1. DIODES ET APPLICATIONS 06/10/05
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Comportement dune diode Zner en courant alternatif

I RP

i
i R

e U R

e=E sin wt = E
m m
sin

E >V
m z

Plaons nous dans le cas dune diode idale.


Alternance positive (polarisation inverse)

e = E m sin wt = U m sin wt
R R
U =
U <V Z R + RP R + RP
 i = 0, donc
U = V Z = U m sin wt = U m sin 1 =1
 pour
V Z
1 = Arcsin



U m

 u reste constant jusqu 2


= 1
tel que
sin 2 = sin 1

1 < < U = U m sin wt


 ( U<Vz , i = 0 )
 < < 2 diode polarise dans le sens direct : U=0

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Electronique / 1. DIODES ET APPLICATIONS 06/10/05
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e, u

Em
B

C
Um

0 1 1 1 + 2 3 1

U m

Em

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Electronique / 2. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINUE 06/10/05
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2. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME CONTINUE


2.1. NOTIONS FONDAMENTALES
2.1.1. STRUCTURE DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE
La figure ci-dessous reprsente un semi conducteur NPN. La fonction de lmetteur fortement
dop est dmettre ou djecter des lectrons dans la base. La base est lgrement dop et trs
troite ; elle conduit la plupart des lectrons injects par lmetteur dans le collecteur . le
collecteur recueille ou collecte les lectrons provenant de la loupe, do son nom. Elle est l
plus large des trois rgions et son niveau de dopage est intermdiaire entre celui de lmetteur
et de la base.

Emettteur Base Collecteur


N P N

2.1.2. EFFET TRANSISTOR


En labsence de polarisation, la diffusion des lectrons libres travers la jonction produit
deux couches de dpltion prsentant chacune une barrire de potentiel.
En raison du niveau de dopage diffrent des trois rgions, les langues des couches
dappauvrissement ( ou couche de dpltion ) sont diffrents

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+ +
+ +
+ +

E 01 E 02

Polarisons la diode metteur en direct et la diode collecteur en inverse.

N P N

Les porteurs majoritaires(e-) partent en grand nombre de lmetteur fortement dop, favoriss
par la polarisation directe de la diode dmetteur. Ils pntrent dans la base. Par fabrication,
elle est troite et faiblement dop P. quelques uns des lectrons provenant de lmetteur y sont
pigs et recombins aux trous.
Parce que la base est troite et faiblement dop, ces lectrons sont en petit nombre. La grande
majorit des lectrons mis par lmetteur parvient traverser la base et est attire dans le
collecteur par la liaison inverse qui rgit dans la jonction de collecteur. On retrouve aussi un
grand courant au collecteur et un faible courant la base (courant de recombinaison).
Dans la plupart des transistors, plus de 95% des lectrons injects par lmetteur passent au
collecteur et moins de 5 % tombent dans les trous de la base et passent au conducteur externe.
Remarque:
Deux diodes discrtes montes dos dos ne forment pas un transistor.

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2.1.3. QUELQUES CONSTANTES FONDAMENTALES DES TRANSISTORS

RAPPORT EN CONTINU ( cc )
Dire que plus de 95% des lectrons injects atteignent le collecteur revient dire que le
courant collecteur gale presque le courant metteur. Le rapport en courant continue (ou
rgime statique) ;
cc indique la proximit des valeurs des 2 courant.

= I C
CC
Par dfinition : I E

Pour la base troite et lgrement dope, plus cc est grand.

De manire gnrale, cc > 95% et dans beaucoup de transistors, cc 0,99

Cest pourquoi on approxime cc 1 dans la plus part des analyses.

RESISTANCE DE RETRECISSEMENT DE BASE ( rb )


Comme deux couches de dpltion pntre la base, les trous de base sont confins au canal
troit du semi-conducteur de type P. la rsistance de cet troit canal sappelle rsistance de
rtrcissement de base rb.
Laugmentation de la tension de polarisation inverse VCB de la diode de collecteur dimunue la
largeur du canal P et augmente rb.
Dans de rares cas rb grimpe jusqu 1000 . Mais il est ordinairement compris entre 50 et
150 .
rb est important dans les circuits HF ; en BF, habituellement rb a peu deffet et on le nglige
souvent.

TENSION DE CLAQUAGE (BVBE et BVCE)


Comme les deux moitis dun transistor sont des diodes, lapplication dune tension inverse
trop grande sur une diode peut provoquer le claquage.
En raison du fort niveau de dopage, la tension de claquage BVBE de la diode metteur est
comprise entre 5 et 30 v. la diode collecteur tant moins dope, sa tension de claquage BVCE
est plus grande et comprise entre 20 et 300 v.
Pour avoir un effet transistor normal, la diode collectrice doit tre polarise en inverse. Si
VCB est trop grande, la diode collecteur entre en claquage et peut tre endommage. Il faut
donc garder la tension collecteur infrieur la tension limite BVCE spcifie sur les fiches
signaltiques des fabricants.
La diode metteur de certains transistors est parfois polarise temporairement en inverse, mais
la tension inverse ne doit jamais excder la tension limite BVBE.

GAIN EN COURANT CONTINU ( ou en rgime statique) (cc)


Le rapport cc lie le courant collecteur au courant metteur. Le gain en courant continu (
ou en statique) lie le courant collecteur au courant de base dun transistor.

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= I C

Par dfinition :
CC
S I
Mais 5% des lectrons injects par lmetteur de presque tous les transistors se recombinent
avec les trous pour produire IB. Par consquent cc est presque toujours suprieur 20.
50 300
Typiquement CC , mais certains transistors ont cc = 1000.
Les fabricants dsignent le gain en courant continu sur les fiches signaltiques par h FE .

RELATION ENTRE cc ET cc
Symbole dun transistor

E N N
C

P

E P N P
C

B

Montage dun transistor en metteur commun

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RB V CC

V CE

V BB

Daprs la loi de Kirchhoff :


I E
= I C
+IB

I E
= 1+ I B

I C I C

1 1
= 1+ .
CC CC

= 1

CC
CC

CC

2.2. CARACTERISTIQUES DUN TRANSITOR BIPOLAIRE


Rappel
Pour quun transistor fonctionne de faon linaire, il faut que :
La diode metteur soit polarise en direct
La diode collecteur soit polarise en inverse
La tension entre les bornes de la diode collecteur soit infrieure la tension de claquage.
Si ces conditions sont satisfaites, le transistor est un dispositif actif parce quil amplifie un
signal dentre et sort un signal de sortie plus grand.

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2.2.1. CARACTERISTIQUES DE COLLECTEUR

RC IC

RB V CC
IB V CE

V BB

On donne une valeur VBB et cela fixe IB IB1.


On fait varier VCC et on relve les couples (VCE , IC ) pour diffrentes valeurs, on fait varier
VCC et on trace la courbe

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IC

Claquage

I B = I B1

1V V CE

On passe une autre valeur de IB et on reprend le procd, ceci conduit au rseau de


caractristique suivant :

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IC

I B3

I B2

I B1

V CE

2.2.2. CARACTERISTIQUES DE BASE


La cellule base-emetteur dun transistor est une diode. On sattend ce que la caractristique
de la jonction base-emetteur ressemble celle dune diode. Cest ce que lon obtient peu
prs. La diffrence est qu des hautes tension collecteur, le collecteur recueille quelques
lectrons supplementaires. Cela diminue le courant de base.
La caractristique de la plus grande tension de base VCE a un courant de base lgrement
infrieur pour la mme tension VBE. Ce phnomne est connu sous le nom deffet Early.

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IB

V CE = 1

V CE = 20

V BE

2.2.3. CARACTERISTIQUES DU GAIN EN COURANT


Le gain CC dun transistor, aussi appel gain en courant, varie fortement.
A temprature constante, CC augmente jusqu un maximum lorsque le courant collecteur
augmente. Si IC continue augmenter CC diminue. CC augmente galement en fonction de
la temprature pour un courant collecteur donn.

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CC

T = 150C

T = 50C

IC

2.2.4. DROITE DE CHARGE EN CONTINU


On peut tracer la droite de charge sur les caractristiques de collecteur pour mieux saisir le
fonctionnement du transistor et dans quelle rgion il fonctionne.
Soit

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RC IC

RB
IB

V CE
I C
= V CC
R C

Cette relation est lquation de la droite de charge statique

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IC

Saturation

IB
V CE

Blocage

V BE

2.3. QUELQUES CIRCUITS DE POLARISATION DES


TRANSISTORS
 Circuits numriques : le transistor fonctionne en interrupteur.
 Circuits linaires (amplificateurs, etc.) le transistor fonctionne dans la zone linaire.
On sarrange pour mettre Q vers le milieu de la droite de charge pour que le signal utile
(alternatif) ne sature ni ne bloque le transistor.

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2.3.1. Polarisation de base

RC

RB V CC

V BB

Schma de base

Mais gnralement, VBB = VCC et on est ramen

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RB RC

V CC

CC variant beaucoup, stabiliser Q est difficile. Donc on nutilise pas souvent ce montage pour
polariser le transistor dans les circuits linaires ; il est par contre souvent utilis dans les
montages numriques

2.3.2. Polarisation par raction dmetteur


Entendre par raction, le fait quune grandeur de sortie (ici le courant collecteur) fait varier
une grandeur dentre (courant de base)
On essaie de compenser la variation de CC par ce type de polarisation.
Avec VBB = VCC on a le schma ci-dessous :

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RC

RB V CC

V BB
RE

Schma de base

V CE
+ R E I E V CC + I C R C = 0
V CE
I IE I V CC
R +R
C C
C E

V CC
I CSAT =
RC + R E

V CEbloc = V CC
Effet de CC

+ R E I E V CC + R B I B = 0 V V CC BE
V BE I C

R +R
E
B

CC

Il faut choisir RE tel que : RE >> RB / CC. Mais en le faisant, on sature le transistor.

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2.3.3. Polarisation par raction de collecteur (aussi appele polarisation
automatique)

RC

IC

V CC

V CE
V CC + (I C + I B ) R C = 0
V CE
I C
V CC
R C

Effet de CC
V BE V CC + (I C + I B )RC + R B I B = 0
V BE
V CC + R C I C + R B I B 0

= V V CC BE
I
R +R
C
C B CC

On ne peut jamais saturer le transistor car VBE ne peut tre infrieure 0,6 diffrence de
potentiel de la Base-Emetteur.
0,7
I C
V CC
R C

Lorsque RB trs petit.


Elments pour la conception
Pour que Q soit vers le milieu de la droite, on choisi RB = cc.RC.Alors
V V BE
I = CC
= V CC V BE
R + R /
C
C C
2 RC
CC CC

2.3.4. Polarisation par diviseur de tension


Cest la polarisation la plus utilise en fonctionnement linaire

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R1 RC RC

V CC V TH V CC

R2 RTH
RE RE

V BE
I E
= V TH
On montre que : RE
IE IC
IE ne dpend pas de CC. Donc le point de fonctionnement sera fixe.
R TH
= R // R1 2

V BE
+ R I VE E TH
+ RTH I B = 0

V V
TH BE
I
R +R
E
E TH CC

100. R / alors R E >> R


Si R E TH CC TH CC

V BE
I E
= V TH
R E

0,01
Lorsque R TH CC R E
: on dit que le diviseur de tension est soutenu.
0,1 R E ou R 2 0,1 R E
On utilise RTH CC CC

Droite de charge en continue


V V
I C = CC + CE
RC R E
= V CC
I CSAT
R +R C E

V CEbloc
=V CC

2.3.5. Polarisation dmetteur


Elle est utilise lorsquon dispose dune alimentation fractionne

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RC
V CC

RB V EE
RE

V BE
I E
V EE
R E

V V
I = +
E
EE BE

R R E B CC

2.4. STABILISATION THERMIQUE



Soit un transistor dont la valeur de repos du courant de collecteur vaut IC. dsignons par i C ,
la variation de lintensit de ce courant sous leffet dune variation de temprature. Cette

variation de courant est essentiellement due une variation I CBO du courant inverse de

jonction collecteur-base, mais aussi la variation V BE de la tension base-emetteur.
i c = S . I CBO + S '.V BE
On en dduit
S
S et S sont appels facteurs de stabilisation, stabilisation beaucoup plus grande lorsque et
S'
sont petits.

S = IC

I CBO Vbe = cte

iC
S'=

V BE Icbo = cte
En premire approximation, IC = IE ; mais de manire plus rigoureuse :
IC = CC.IE + ICBO
Courant de porteurs minoritaires

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I C
= CC (I C + I B ) + I CBO

I (1 ) = I
C CC CC B
+ I CBO

I = CC
+
1
C
1 I CC
B
1 CC I CBO

or = et 1
CC
= +1
1 1
CC
CC
CC
CC

I = I + ( + 1)I
C CC B CC CBO

Soit le circuit :

IC

RB RC
IB

V CC
V BB

I = I + + 1
C CC B CC
( )I CBO

V BE = V BB R B I B
I = I + 1 + I
C CC B CC CBO
( )

V BE = R B + I B

IC =
CC
V BE + ( + 1) I CBO
Do R B
0

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Par identification :
S = CC + 1
S = - CC/ RB
Soit maintenant

IC

RB RC
IB

V CC
V BB RE

IE

I = I + + 1 I
C CC B CC
( CBO
)

V BB = (R B + R E ) I B + R E I C + V BE
En diffrentiant :

IC = 0
RE
IC +
V BE
+ 1 + .
I CBO ( )
+
RB RE R B R E
+ CC

On a alors :

S =
1+ CC

1+
R CC E

R +R B E

R
S'=
(1 + ) R
CC B

1+ CC E

R B

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Electronique / 3. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME ALTERNATIF 06/10/05
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3. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME ALTERNATIF


Une fois quon a polaris un transistor, on peut attaquer lentre du circuit par un signal
alternatif, cela produit des fluctuation dans le courant de sortie de mme allure et de mme
frquence tant que lamplitude du signal sinusodal est petit, le transistor nutilise quune
partie de la droite de charge et le fonctionnement est linaire. si ce signal est trop grand les
fluctuations le long de la droite de charge, saturent ou bloquent le transistor. Lamplificateur
nest plus linaire.
Dans ce chapitre nous nous intresserons aux amplificateurs linaires

3.1. Circuits quivalents en alternatif et en continu


Soit le circuit suivant :

R C

i C
U
RB i b
0

E g

e g
C
R E

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I C

i = I +i
C CO Ca

V = V +VCE CE 0 CEa

I CO

V CE
V CEO

La faon la plus simple danalyser ce circuit est de diviser en deux parties :


 Une analyse en continue
 Une analyse en alternatif
Autrement dit on peut utiliser le thorme de superposition pour analyser un tel circuit de la
mme manire que pour analyser les amplificateurs.
Voici les tapes de lapplication du thorme de la superposition au circuit :
Analyse en continu

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 Annuler la source alternative i.e court-circuiter les sources de tension ou ouvrir une
source de courant.
 Ouvrir tous les condensateurs.
Le circuit quon obtient aprs tout cela, est appel le circuit alternatif en continu. Ce circuit
permet de calculer les courant et les tensions continues
Analyse en alternatif
 Court-circuiter les sources de tension continue ou ouvrir les sources de courant
continu
 Court-circuiter tous les condensateurs de dcouplage ou de couplage.
On obtient donc un circuit alternatif en alternatif.

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R C

i C
R B i b

e g

i E

C .E . A

R C

I I C U
RB b
0

E g

R E

C.E.C

 Le courant total dans une branche sera gale la somme des sommes des courants
alternatifs et continus dans la branche.
 La tension totale aux bornes dune branche = la somme des tensions alternatives et
continues aux bornes de la branche.

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3.2. SCHEMA ALTERNATIF EN PETIT SIGNAUX DU BJT
Dans le calcul en alternatif des amplificateurs linaires ; on transforme le transistor en source
alternative en petits signaux. Pour un montage en metteur commun, le schma quivalent est
le suivant :

i
B i b
c
C

i b

RB
v
r 0
v ce RC
be

e g v ce

A E

v = r.i + v
BE B CE

v
i = i + CE


C B

r : rsistance dynamique du transistor


0
: Rsistance de sortie du transistor en entre vide
: coefficient de raction interne.
: gain en courant

3.3. CALCUL DES CICUITS A TRANSISTOR


Nous nous plaons dans le rgime sinusodal de faible amplitude et par consquent toutes les
grandeurs du systme sont sinusodales. Nous venons de voir quil est possible de reprsenter
le transistor par un schma quivalent en petits signaux, ceci permet de substituer un
raisonnement graphique, un raisonnement mathmatique qui nutilise que les lois des
circuits.
Les circuits que nous allons analyser sont des amplificateurs et nous allons nous limiter aux
amplificateurs linaires.

3.3.1. Dfinitions
De faon gnrale, un amplificateur peut tre assimil un quadriple. Par convention, les
courants seront toujours orients en entrant dans le quadriple

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i e
i s

v e v s

Amplification complexe
Lamplificateur travaillant en rgime linaire sinusodale, toutes les variations par rapport au
repos peuvent tre reprsent par leur amplitude complexe.
On peut donc dfinir des amplifications complexes :
Amplification complexe en tension
Cest le rapport entre lamplitude complexe de la tension de sortie et lamplitude complexe de
U
A =
S
la tension dentre V
U E

Amplification complexe en courant


Cest le rapport entre lamplitude complexe du courant de sortie et lamplitude complexe du
i
=
S
courant dentre Ai .
i E

Impdance dentre, impdance de sortie


Par dfinition, limpdance complexe dentre Z E est le rapport de lamplitude complexe de
la tension dentre et lamplitude complexe du courant dentre.

=
v e
Z e
i e

Le thorme de Thevenin montre que tout systme lectrique vu entre deux points est
quivalent un gnrateur de
f.e.m eth gale la tension vide entre les deux points
rsistance interne Rth , rsistance vu entre les deux points lorsquon supprime tous les
gnrateurs autonomes.
Dans le cas d un ampli, ce thorme appliqu la sortie montre que le systme se comporte

comme un gnrateur de f.e.m


u so ou u so est la tension de sortie vide c.a.d que i s = 0 et
dimpdance interne
Z s

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i e i s

v e
v s

Thorme de Thevenin

Z S

u S 0 U s

Par dfinition
Z s
est appel impdance de sortie de lamplificateur.

Courbe de rponse
Les amplifications complexes sont des fonctions de la pulsation. Pour traduire le
comportement du systme en fonction de la pulsation, on convient de tracer lensemble des
A = f (W ) Courbe 1 1

deux courbes reprsentes par : Arg ( A) = f (W ) Courbe 2
2

A mis pour Ai ou Av

A = Av

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v v
f (w ) =
s
=
s
1
v e v e

( ) ( )
vs
f = Arg = Arg v s Arg v e

ve
2

La courbe 1 est appele courbe de module. Elle reprsente le rapport des modules des
amplitudes complexes des grandeurs de sortie et dentre.
La courbe 2 est appele courbe de phase et elle reprsente la diffrence des arguments des
amplitudes complexes, des grandeurs de sortie et dentre ; donc leur dphasage.
Lensemble de ces deux courbes est appel courbe de rponse ou diagramme de Bode de
lamplificateur.
Le module pouvant atteindre des valeurs trs leves, on convient dintroduire la notation de
gain (gain en tension ou en courant ) dfini de la manire suivante :

G V
= 20.Log A
V
Gain en tension G v (dB)

G = 20.Log AI
Gain en courant Gi (dB) V
La courbe G = f(w) est appele la courbe de gain.
Quelques exemples de courbes

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G V

G max

G max 3

W h

Passe bas

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G 0

W b
w
G MAX

G MAX 3
-

Passe - haut

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G V

G max

G 3
max

W b W h
W

Passe - bande

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G V

W b W h
W

Rejecteur

La bande passante dun amplificateur est lensemble des pulsations pour lesquelles la
condition suivante est satisfaite :
A max
A
2
A max

ou
(Gmax 3) dB
G G max
Les pulsations limites sont appels pulsation de coupure 3 dB.

3.3.2. Rappel sur les quadriples


De faon gnrale la thorie des quadriples peut savrer trs utile pour lanalyse des
amplificateurs en transistor bipolaire. Nous allons nous intresser

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Paramtres hybrides

i e
i s

u e
u s

Lorsque les grandeurs choisies sont la tension dentre et le courant de sortie, les paramtres
qui les lient la tension de sortie et l courant dentr, sont appels paramtres Hybrides et
sont nots hi j.
Les grandeurs Sont alors solution du systme :

u i
= [H ] E

i S u S

u =h i +h u
e 11 e 12 s

i = h i +h u
s 21 e 22 s
(#)

h11 h12
H = ..


h21 h 22

ue
h11
=
i e u S = 0
; Impdance dentre en court-circuit.
iS
h11
=
u S i e = 0
; Admittance de sortie vide.
is
h21
=
ie u S =0
; Gain en courant en court-circuit.
ue
h12
=
u S ie=0
; Coefficient de raction interne vide.

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i e i S

h 11

u e h .i
21 e
u S

h 22

h .u
12 S

On constate que le schma issu des paramtres hybrides est en tout point semblable au modle
au modle du transistor en petits signaux. Le modle en petits signaux de transistor est aussi
appel :
Schma hybride.
r = h 11
1
= h
0
22

= h 21

= h 12

De (#) on peut crire que :

u h
i = u
e 12
e S
h h 11 11

u h
i h u + h .u
= e 12
S 21 S 22 S

h h 11 11

h h
i = U + U
21

hS
h h = h .h
11
e
11
S
11 22
h12.h21
soit ou do le schma :

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i S

h h h
11
12
u e u S

h 11
h11

h .u12 S

3.3.3. Exemple de calcul dun amplificateur simple BJT

V CC

Z C

C
Z g
B

E
u e u S
E g

i E

i = i
b e

v = u CE S

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Z C

i S

Z g
i b

u e u S
E g

i E

Schma aux variat ions (analyse en alternatif )

i S
B i b C

i = h .i
b 21 b

r=h 1
Z g 11 = 0
Z C

h 22

u e u S

e g

v = h .v
ce 12 CE

Amplification en courant
i
A=
S
i
i i =i
e e b

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1
z
i = h .i .
C
S 21 b
1
h + 22
z C

1
i h
S
=h =A 21
C
i
i 1
e
h + 22
h C

h
A = 1+ .
21

h Z i
22 C

Amplificateur en tension
u = Z .i
S C S

i = A .i
S i e

u = h .i + h .u
e 11 e 12 S

u
A =
S
V
u e

u = h .i + =
e 11 e

h = h .Z . A h
11 12 C i 11
h h
u Z . A .i
S C i e
12 12
Z .A
C Z .A
i C i

=
u = Z .A S C i
A
u h .Z . A h
V
e 12 C i 11

h21.Z C
A =
V
h 11
. + Z C. h
h = h11h22 h12h21
Ou

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Impdance dentre
u =
e
Z e
i e

u = h .i + h .u
e 11 e 12 S

u = Z .i
S C S

i = A .i
S i e

u = h .i h .Z . A .i
e 11 e 12 C i e

u = . . =
e
h h Z A Z 11 12 C i e
i e

u = Z . A i S C i e

=
h + Z . h 11 C
Z 1+ . e
h Z 22 C

Impdance de sortie
Par dfinition limpdance de sortie dun montage amplificateur est gale limpdance
interne du gnrateur de thevenin vu entre les deux bornes de sortie. Pour calculer
limpdance de sortie, il suffit de calculer :
uS
Z =
S
i S Eg = 0

i S
= h 21.i e + h 22.u S

0 = Z g + h11 .i e + h12u S

=
h 12
soit i e
+ h11 u S
Z g


=
h12 + .
i S h21 + u S h22 u S
Z g h11

=
h11 + Z C h
Z e 1+ .
h22 Z C
u Z g
+ h11
= =
S
Z S
h + h22.Z g
i S

Remarques:

Z C
= 0;
 Si

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Z e
= h11 = r , Z e
est limpdance dentre en court-circuit.
Z C

Si ;
h
Z e
= = r0
h 22 Z e
est limpdance dentre vide

Z =0
 Lorsque g (Commande en tension)

=
h 11
=
Z S
h Impdance de sortie en court-circuit

Lorsque Z g (Commande en courant)
h
ZS = =
h 22
0
Impdance de sortie vide.
r
=
Quelque soit le quadriple r 0 0

h =0
Lorsque 12
h = h11.h12

h
A = 1+
21
i
h .Z 22 C

h .Z
h (1 + h .Z )
=
21 C
A V
11 22 C

Z =h =r
e 11


1
Z S
= =
h 22
0

3.4. AMPLIFICATION EN PUISSANCE ADAPTATION


On se place dans les conditions ou les grandeurs appartiennent R, on des petits signaux et
on travaille en basse frquence.

3.4.1. Adaptation la sortie


h
A = 1+
21
i
h .R 22 C

h .R
=
21 C
A
h + h R
V
11 C

P = u .i : puissance la sortie
S S eff S eff

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P E
= u e eff .i e eff : puissance ' entre

= P S
A P
Amplificateur en puissance
P E

u i eff
=u im

= i im
i i eff
2

= u .iSm Sm
=
A P A.A
i V
u .i em em
2
h .R
=
(1 + h . R )(h + h R )
21 C

22 C 11 C

= h 21
A P
h
h + h11.h22
+ h.h22.RC +
11

R
Cette amplification est maximale pour une valeur de RC tel que le dnominateur soit minimal
i.e

h =
h = 11
.
= h.h 22. R C

11
Rc
RC
G
h .h
22
0

Il vient que :
2

A (R )= A = h 21
h +
h11. h22
P Cg P max

3.4.2. Notion damplification de transfert en puissance


Soit un gnrateur de f. e. m eg, de rsistance interne Rg et de charge R

R g

e g
R

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2
e g eff
= R.i g eff = R
2
P U R+R
g
2

=
e g eff
2
Rg
+ R
R

= R
R g
P U max
R
R = Rg = R0
Soit donc
2

=
e g eff
P u max
4. R g
Lorsque P = PU max on parle dadaptation si on remplace R par lentre de lamplificateur.
On appelle amplification de transfert AP t le quotient de la puissance de sortie PS par la
puissance maximale Pmax que peu fournir le gnrateur lentre du montage.

= P S
A Pt
P U max

Soit Ze = Re ; la puissance fournie en entre, PE


=
2
P E R .i e g eff

R g
i g

e g
v S

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2
e g eff
P = R e .
E R +R
f e

=
e g eff
P U max
4R g

P 4 R g . Re
=
(R + R )
E
2
P U max e g

P
A= P
S

P E

= PS
PUmax
A Pt

A 4 Rg . Re
=
(R + R )
Pt
2
A P e g

Adaptation lentre (Rg = Re) soit Apt/Ap = 1

= = = h 11
A A pour R R
Pt P max C 0
h h22

si R C
= R C0
; R =R e S

= h 11

h h 22

= r. r 0

R C
= R CO
= et R = rr g 0
0

On dit alors que le montage est adapt lentre et la sortie !

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3.5. AUTRES MONTAGES AMPLIFICATEURS A BJT
3.5.1. Montage Rsistance dmetteur

R C

R B

U O

R E

Ltude de la stabilisation thermique a montr que lutilisation dune rsistance dmetteur


permettrait de diminuer les facteurs vis--vis de ICBO et vBE
Lintroduction de cette rsistance dmetteur modifie cependant lamplification.

Influence de RE sur les performances de lamplificateur


Montage en petits signaux
h11 = 0 ; h22 = 0 ; h12 = r ; h21 =

R E
i
i e
i b
S

i C

h 11 h .i
21 b

R C

e g
u e u S

La relation iC = .ib est toujours valable :

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i = iS i = i
C b
i e

A i
=
Soit
u = S
A V
u e

u = R .i
S C C
= RC ib

u = r.i + (i
e b b
+ .i b ) R E

RC
A =
V
r + (1 + ) R E

A RC
A = V0
A =
V +1 V0
r
1+ R E
r
R E
=0 A
V
= A V0

R E
0 A
V
A V0

Le signe (-) traduit un dphasage.


Pour palier cet inconvnient, il est ncessaire de trouver un systme qui permet une bonne
stabilisation en T() et dont linfluence soit ngligeable en rgime variable.
Cet lment est un condensateur appel capacit de dcouplage et place en parallle sur la
rsistance RE

R
C

R B

U O

e g

E G R E C E

Calcul de la capacit de dcouplage


En rgime variable, pour diminuer au maximum linfluence de RE , il est ncessaire que
limpdance de la capacit soit ngligeable devant celle de RE. Si w0 est la pulsation
minimale du spectre de eg

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R E

C E

Z = R E
E
1+ j. R .C . w E E 0

Z = R E

E
1 + R .C . w
2
E
2
E
2
0

1
<< R E
( R E .C E . w0 >> 1)
Si C E w0
.

1
Z E
=
C E . w0
B C

i C

R B
r . ib
R C

u e

E u S

e g c E

u =v e be
+ veM

u v e be

(v eM
<< v be
) cette relation devient la pulsation w , 0
1+
. << r.I b
j.C E . w0 I b

r .C E . w 0
>> 1
1+ (1)
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1
<< R E
R .c . w
E E 0
>> 1
Or c E . w0
R E


C E

C E

C E

La condition (1) est assez difficile raliser :
Exemple:
f=10 Hz
r=1 k ; = 200
CE >> 3 mF
Un dcouplage parfait aux basses frquences des capacits chres !

Influence de la capacit de dcouplage sur la rponse en frquence


On a :

A = A V0
V
1+ RE
1+
r 1 + j R E .C E .w.

A 1 + j. R E .C E .w
A V
= V0
.
1 + (1 + ) R E 1 + RE C E
j. . .w

1 + (1 + ) R E
r
r

1 + j. w 1 + (1 + ) R E
= A w 1 r
V0

1 + j. w w
. 1
avec w1 = . et w2 =
1 + (1 + ) R E 1 RE C E R E .C E
r
2

1 + w

2

= A V 0 w 1
A V 2
1 + (1 + )R E
1 + w 2
r
w 2

Lorsque w >> w2, le radical :

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w = 1 + (1 + ) R
2 E

w 1
r

A = AV V 0

Le montage se comporte comme un metteur commun : le dcouplage est parfait !


Lorsque w<< w1, le radical tend vers 1 et donc :
AV 0
AV = = AV 0 < AV 0
'

1 + (1 + ) R E
r .
Il y a diminution de lamplification pour les pulsations basses, et le dcouplage est inexistant.

3.5.2. Montage collecteur commun et base commune dun BJT

Rappel
Dans le montage metteur commun, le transistor peut tre assimil un triple.

i B i C C
B

E
v BC v CE

E
E

Les grandeurs dentres sont VBE et iB ; celles de sortie sont : VCE et iC

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i b
i C

h h .i
21E b
11 E
h 22 E

v BE
v CE

h .v12 E CE


h = v BE h = iC
11 E 21 E
i b v CE = 0 i b v CE = 0

h = v BE h = iC
12 E 22 E
vCE i b = 0 vCE i b = 0
Paramtres du montage collecteur commun
Dans le montage collecteur commun, les grandeurs dentres sont VBC et iB celles de sortie
sont : VEC et iE

i B i e E
B

v BC
C
v EC

C C

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h = v BC
11 C
i b v EC = 0
v BC
h12 C
=
v EC i b = 0

h = ie
21 C
i b v EC = 0

h = ie
22 C
v EC i b = 0
Pour calculer ces grandeurs, on peut utiliser la mthode directe ou celle du calcul algbrique.
On arrive :

h 11C
= h11E

h 12 C
= 1 h12 E

h 21C
= (1 + h21E)

h 22 C
= h22 E

h
11 E

B
h .v
12 E CE
i e
E

h .i
21 b
h
22 E

v BC v EC

C C

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Paramtres du montage base commune

C
E i e i C

v EB
v CB
B

B
B

v EB
h11 B
=
i e v CB = 0
v EB
=
h 12 B
vCB i e = 0

h = iC
21 B
i e v CB = 0
iC
h22 B
=
vCB i e = 0
Le calcul de ces grandeurs peut se faire de deux manires : la mthode directe et par
dfinition.
On arrive :

= h
(1 + h ) + h . h
11 E
h 11 B
21 E 11 E 22 E

= h + h .h
h . h + (1 + h )
21 E 11 E 22 E
h 21 B
11 E 22 E 21 E

= h .h
h . h + (1 + h )
11 E 22 E
h 12 B
11 E 22 E 21 E

h
h =
h . h + (1 + h )
22 E
22 B
11 E 22 E 21 E
Le montage metteur commun amplifie de faon importante en courant et en tension, cest le
plus utilis.

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Electronique / 3. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME ALTERNATIF 06/10/05
Dr. Alain Tiedeu
Le montage collecteur commun namplifie pas en tension mais prsente une trs grande
impdance dentre et une trs faible impdance de sortie do son emploi frquent en tage
tampon ou en adaptateur dimpdance.
Le montage base commune namplifie pas en courant mais prsente une grande amplification
en tension (sans inverser le phase) , une faible impdance dentre et une grande impdance
de sortie. Son utilisation se limite aux courants de haute frquence.

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Electronique / 4. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATIONS 06/10/05
Dr. Alain Tiedeu

4. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATIONS


4.1. PROPRIETES DE LAMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Lamplificateur oprationnel est obtenu par lintgration sur un mme substrat de transistors ,
de rsistances et de diodes.

4.1.1. Prsentation.
LAOP prsente 2 entres (E+: entre non inverseuse, E-: entre inverseuse) et une sortie.
La polarisation des transistors du circuit ncessite une alimentation continue extrieure
symtrique:+V, -V, de lordre de 12 15v par les circuits intgrs usuels.
Sur les schmas que nous ferons, cette alimentation napparatra pas, par soucis de
simplification. Mais il faut savoir quelle existe toujours.
Signalons que lon peut considrer lAOP comme form:
-dun amplificateur de diffrence (aussi symtrique que possible) qui amplifie la diffrence
des tensions appliques aux entres E+ et E-;
Dun amplificateur de tension intermdiaire
Dun amplificateur de puissance final.
Remarque: - les entres E+ et E- sont notes simplement + et -
Savoir quelle existe et que les tensions indiques se rapportent la masse.
La reprsentation dun AOP est

4.1.2. Paramtres fondamentaux

Gain diffrentiel en boucle ouverte


Si on applique une tension diffrente aux entres inverseuse et non inverse use, on obtient la
sortie Vs telle queV S = (V +
+V

) , soit:
= V S
+
V +V
Le coefficient tel que V S = (V +
+V

) est le gain diffrentiel de lamplificateur.
En rgime sinusodal, cest un nombre complexe. La valeur de est souvent trs leve, du
moins en BF.

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Electronique / 4. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATIONS 06/10/05
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Gain en mode commun
Si lAOP tait parfait, il namplifierait que la diffrence de tension entre V +et V - . En effet,
lorsquon court-circuite les entres inverseuse et non inverseuse, la tension de sortie nest pas
nulle.
Si lon applique aux deux entres court-circuites la mme tension Vmc dite tension en mode
commun, on obtient une tension de sortie Vs telle que:
v
v = .v
S mc
Soit = S
mc mc
v mc

+
V mc VS

 Le coefficient mc
tel que v = .v
S mc mc
est le gain en mode commun
 Le taux de rejection en mode commun est dfini par:


T = 20 Log
mc
mc

T mc
est une grandeur caractristique de lAOP; il sexprime en dB.
Selon les AOP, T mc
est de lordre de 70 110dB.
 Si V + et V- sont diffrents, on dfinit la tension en mode commun par:
+
+
v = v 2v
mc

Dans ce cas, la tension de sortie est :


+

v = (v v ) + v 2 v
+ +
S
.
mc

+
+
Ainsi, v v traduit limperfection de lAOP.
2 mc

Impdance dentre
Limpdance dentre est limpdance que prsente le circuit lorsquon se place du point de
vue du diple dentre entre E+ et E -.
Si lon applique une tension complexe entre E+ et E -, limpdance dentre est dfinie par:

Ze = i .

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+
i
On dfinit aussi des impdances dentres en mode commun. Ce sont des impdances du
circuit entre chaque entre et la masse

i+ Z +e
Z e
+
+
V
V+

+
V V
Ze = =
+
Z e
i+
i
+
Z = Z
Dans le cas dun AOP parfaitement symtrique e e

Remarque

Lordre de grandeur de Z e est de 1 M


Les impdances dentres en mode commun sont beaucoup moins utiliss que limpdance
dentre diffrentielle

Impdance de sortie
Lorsque lAOP est aliment par un systme de tensions aux entres E+ et E -, on obtient la
sortie une tension VS entre s et la masse.
Vu de la charge, le circuit est quivalent un gnrateur de Thevenin de f.e.m e et
dimpdance Z S .
Z S est limpdance de sortie de l AOP.

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ZS

VS

Remarque :

 Z S est de lordre de quelque centaines dohms.


 Z S peut tre rel

Caractristique de transfert
Du fait de la prsence de transistors dans le circuit (AOP), la tension de sortie est comprise
entre -VCC et +VCC quelque soit la tension = v+ - v- applique entre E+ et E - .
La caractristique de transfert vS = f () de lAOP se prsente sous la forme suivante:

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VS

+ V SAT

V SAT

Elle prsente une partie linaire dans laquelle lamplificateur a un fonctionnement linaire et
deux parties VS = VSAT correspondant au rgime de saturation. La valeur absolue de VSAT
est trs lgrement infrieure VCC.

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Dans la rgime linaire:
VS = . est compris entre -VSAT et +VSAT.
VSAT V
SAT
Ceci nest possible que si comme est trs lev, le fonctionnement
linaire nest possible que pour des valeurs trs faibles de .
Dans le rgime satur:

v SAT , ou v = + v SAT si v SAT

VS = -VSAT si S

Bande passante
Le gain diffrentiel dpend de la frquence: il peut tre trs grand en courant continu ou en
trs basse frquence et diminuer trs rapidement lorsque la frquence slve.
g = 20 Log
Pour un trs grand nombre damplificateurs, la courbe reprsentant le gain
a lallure ci-dessous:

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g (dB)

g max

0 Log f C Log f

Lamplification apparat ainsi comme un filtre passe-bas prsentant une frquence de coupure
suprieure fC. La bande passante de lamplificateur est donc :
[0, fC ]
Remarque

 La courbe de rponse g(f) ci-dessus montre que est une fonction de transfert du
premier ordre

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 En notation complexe, le gain diffrentiel en boucle ouverte scrit donc:

=
0
avec g Max = 20 Log0
f
1+ j
fC
On caractrise lamplificateur par son facteur de mrite, gal au produit du gain maximum o
par la bande passante fC.Plus le produit est lev, meilleur est lamplificateur.

Vitesse de balayage
La vitesse de balayage caractrise la rapidit avec laquelle lAOP rpond une modification
du signal dentre.
A un instant t0, on applique lentre une tension chelon et lon mesure le temps au bout
duquel la tension de sortie atteint sa valeur dfinitive.
En gnral, on mesure la perte pour un gain unit:cest la vitesse de balayage. Elle sexprime
en V.S-1.
Cette notion est trs importante, car linertie apporte par lamplificateur limite en pratique les
frquences admissibles
Soit s la pente en question :

dvS
S=
dt

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V S ,V e

1V
Echellon

Rponse

0
t0
t

4.2. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL IDEAL


Un AOP est caractris par:
 Un gain diffrentiel infini,
 Un taux de rejection en mode commun infini,

 Une impdance dentre diffrentielle


Z e
infinie,

 Une impdance de sortie


Z S
nulle,

4.3. Une bande passante infinie.


Symbole de lAOP idal (ou parfait)

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i
+

Puisque v S = . , la tension de sortie VS tant infinie, = 0


Puisque Z e est infinie, le courant i est nul i = 0 , la caractristique de transfert est la
suivante :

VS

4.4. MODELES DE LAOP


Dans le calcul des circuits AOP, il est souvent commode dutiliser des schmas quivalents
qui modlisent lampli. Les modles que nous prsentons ici sont simples et ne prennent pas

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Electronique / 4. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATIONS 06/10/05
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en compte les dfauts tels que : la tension de dcalage (ou tension doffset), les courants de
dcalage, etc

4.4.1. Modlisation avec gnrateur de Thvenin

E
S
E+
V +
VS
+
V

Circuit

ZS
E



E+

V+
V

Modle

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4.4.2. Modlisation avec gnrateur de Norton

E
S
E+
V +
VS
+
V

Circuit



E+ ZS ZS

V+
V

Modle
4.4.3. Modlisation de lAOP
On peut simplifier les circuits ci-dessus. On aboutit :

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E
S
E+
V +
VS
+
V

Circuit

E+
VS

V V+

Modle
4.5. DEFAUTS DE LAOP
Lexprience montre que si lon napplique aucune tension aux entres + et -, il apparat
nanmoins VS en sortie. Cette tension de sortie trouve son origine :
 Dans les dissymtries de lamplificateur diffrentiel dentre ;
 Dans labsence de condensateurs de dcouplage entre les gnrateurs et le circuit
intgr puisque celui-ci doit tre utilis avec des tensions continue

4.5.1. Tension de dcalage (ou tension doffset)


Les deux entres tant relies la masse, VS nest pas nulle. Ce dfaut peut tre schmatis
par ladjonction dune tension de dcalage Vd entre les deux entre + et ou, ce qui revient au
mme, dun gnrateur dlivrant une tension Vd sur lentre + (voir figure ci-dessous)


+
Vd

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Dr. Alain Tiedeu
Cette tension de dcalage est dite ramenes ou rduit lentre. Lamplificateur ainsi modifi
est alors considr comme parfait (vu de + et -)
Selon les besoins on peut :
 Utiliser un circuit intgr (CI) compens intrieurement par le fabricant ; la tension de
dcalage rduite lentre est alors trs faible
 Compenser le CI en appliquant une tension correctrice convenable entre les deux
entres
 Compenser le CI par un montage extrieur utilisant les deux bornes prvues cet
effet.

4.5.2. Courant de dcalage


Les circuits des entres + et sont parcourus par des courants qui sont les courants de
polarisation des bases des transistors de ltage dentre.
On schmatise ces dfauts par des gnrateurs de courants dlivrant I+ et I- . ces gnrateurs
dbitent dans un amplificateur, alors suppos idal (vu de + et -) :


+
I+
Si R+ et R- sont les rsistances des circuits des entres + et ces courants de dcalage crent

en sortie une tension : v sd


[ + +
= R .I R .I ]

On appelle :
+
+I
I = I
P
 Courant de polarisation dentre 2
+
I d
= I I
 Courant rsiduel dentr (ou courant de diffrence) :
Remarque :
Les notices donnent les valeurs maximales de IP et Id.

4.5.3. Modle modifi de lAOP


Compte tenu de ce que nous avons vu ci-dessus, on peut modliser lamplification
oprationnel rel par :

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R 'e
RS
Vd
Re

+
I + R 'e+
I

4.6. MONTAGES FONDAMENTAUX A AOP EN REGIME


LINEAIRE
Nous allons travailler ici en rgime linaire i.e hors blocage et nous allons ngliger la tension
de dcalage et les courants de dcalage.

4.6.1. Montage suiveur

( *)

(**)




+ Ve +
VS VS
Ve

(*) AOP ideal


VS - Ve = 0 VS = Ve
AOP rel

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+ Re - is
ie

Ve RS VS RU

.
ie + i s

On a pour lAOP rel :


V =V +
e S

V = .. + R (i + i )
S S S e

=Ri e e

V = R i
S U S

On parvient :
+ R S Re + 1 + R S R
V e V S
=
+ RS Re
U

V S
= A V
V e

+ RS
R
A = e

V
+1+ R R + R R
S e S U

La rsistance dentre est toujours trs grande, est galement trs grand et RS trs faible,
donc AV 1
(**)AOP idal
VS - Ve = 0 VS = Ve
AOP rel

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Re is
ie

Ve RS RU

.
ie + i s

V S
= +V e

V S
= .. + R S (i e + i S )
= Re ie
V S
= RU i S
RS
=VS = R

e
AV
1 R R R R
V e S e S U

Etant donn les valeurs de , Rs et Re : AV 1.

4.6.2. AMPLIFICATEUR DE TENSION

Montage inverseur

R2
i2

i1


R1


+
VS

Les intensits entrant dans lamplificateur oprationnel sont nulles.

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V S
= e (R1 + R 2 )i1

e R1i1 = = V S
Par ailleurs do
R R
e. = 1 +
2 1 mme si l' AOP n' est pas idal, est trs grand d' o - R 2 .e
v R .v
R1 + R 2
S
R1 + R 2 1 S

= v S
= R2
A S
Do
e R
1

Remarque:
 VS dphase de par rapport Ve
e
R 1
=
 Impdance dentre du circuit est : i1
 Impdance de sortie presque nulle
 On sait que :

v S
v SAT ( rgime linaire), ce qui impose :

e v SAT
= v SAT R 1

A V R 2

Montage non inverseur

R3


R2
i
R1
+

e VS

Le courant lentre tant nul, R1 est travers par un courant nul. On suppose lAOP idal :

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v (R + R ).i
S
= 2 3

e = R .i + ( avec = 0)
1

v = R +R S 2 3

e R 3

R +R
= 2 3
A V
R 3

Remarque
 Vs en phase avec e do lappellation dentre non inverseuse.
 Si e est sinusodal, vS lest aussi.

v SAT = v .R
SAT 3
v
 On doit avoir
S
R +R
2 3

4.6.3. Montage sommateur


La somme sert raliser laddition de plusieurs tensions, envoyes simultanment sur la
mme entre de lAOP.
La sommation peut se raliser avec ou sans inversion. On suppose les AOP idaux dans les
calculs.

Sommateur inverseur

R2
i2
R1'
i1'


i
R1
i1 =0
V e' Ve +
VS

'
v = R 2 ve ' + v e
S
R1 R 1
R =R =
'
si R , on a :

v = (v + v )
2 1 1
'
S e e

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Le circuit ralise donc la somme de deux tensions lentre et les dphase de
Remarque
 Les calculs ci-dessus sont valables dans le cas ou un nombre quelconque de tensions
est appliqu lentre

= R2 vei
v S
R 1i Pour i = 1(1) n
v v SAT .
 Pour que le fonctionnement soit linaire, il faut S Ce qui impose lentre

v v ei SAT

R R i
1i 2

Sommateur non inverseur

V0

R0


R2
R1' i
i1' =0
R1 +
i1 VS
V e' Ve

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i +i = 0 (1)
'
1 1

v = v R 0
(2) puisque le mme courant parcourt R 0 et R 2
0
R0 + R2 S
v v
v R .i = v
e 1 1 0
d' o i 1
= e 0

R 1

v ' v
v R .i = v d' o i ' =
' ' e 0
e 1 1 0 1
R' 1


(1) implique : v v + v ' v = 0 e 0 e 0

R R' 1 1

et (2) entraine alors v + v ' = R v 1 + 1 d' o e e 0

R R' R + R R R' 1 1 0 2
S
1 1

R + R R . R' v + v '
v = 0 2 1 1 e e
S
R R + R' R R' 0 1 1 1 1

+
si R = R' alors v = R R (v + v ' )
1 1 S
0 2
e e
2R 0

si de plus R = R ; v = (v + v ' ) 2 0 S e e

4.6.4. Soustracteur

R2

R1'


i1'

=0
R1 i1 +
'
Ve
Ve R3

AOP suppos idal

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+
v = v R .i e 1 1
et v = v ' R ' .i '
e 1 1

+
= v
v R .i 3 1
donc i= +
1
(1) e

R R 1 3

v = v R .i' (2)
S 2 1
+
comme = 0, v = v et on a
v' R = v' R v
R i = v' R' .i' i d' o i' = e 3 e 3 e
3 1 e
R' R' R' R' R + R
1 1 1
1 1
1
1 1 1 3

( + )
(1) et (2) entrainne : v = v R R' R R v'
R' (R + R ) R'
3 1 2 2
S e e
1 1 3 1

* choix des rsistances tel que R = R = k , on obtient 2 3

R' R 1 1

(1 + k )
v = v R R' 1 K v' = K (v v' )
S e
3 1
e e e

R' R 1 + k 1 3

4.6.5. Drivateur
Soit

i R

i

C

=0
Ve +
VS

AOP idal

= C vC
dq d
i=
dt dt
vC = v e

d vC
= R.C v e
d
v S = R.i = R.C
dt dt
Donc :

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d ve
vS = R.C dt
Le circuit ralise une drivation de la fonction VE, avec en plus, un changement de signe.
Amlioration du montage
En rgime sinusodal, on voit que le gain augmente avec la frquence. Cest un inconvnient
car on peut aussi avoir des parasites qui sont des composants de frquences leves. Le
montage les amplifierait alors. On peut amliorer le montage en le modifiant de la manire
suivante :

R
C
i '

=0
Ve +
VS

4.6.6. Intgrateur

i R Vc

=0

Ve +
VS

On a :

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v e = R.i

1
C
vC = v S et v = i.dt
C

1 ve
C R
donc v S
= .dt

Do
1
RC ve
v S
= dt + cte
Amlioration du montage
Le diagramme de Bode du montage prcdent montre que :
w0 ; x0 ; logx-
donc g(x) do une drive en sortie vers + VSAT ou - VSAT on peut modifier la schma de
la faon suivante :

R'

i R

=0
Ve +
VS

4.7. MONTAGES FONDAMENTAUX EN REGIME SATURE


Tous les montages dcrits ci-dessus employaient lamplificateur oprationnel dans son
domaine de fonctionnement linaire. Nous allons maintenant dcrire deux montages dans
lesquels le rgime de fonctionnement de lamplificateur nest pas linaire. Le rgime de
fonctionnement normal est alors la saturation. Lamplification se trouve dans lun des tats
suivants :
SAT et v S
= vSAT

+ SAT et v S
= + vSAT

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Si lAOP est considr comme idal, SAT 0 et par consquent, ses tats sont :
0 et vS = vSAT

0 et vS = + vSAT

4.7.1. Trigger de Schmitt : comparateur Hystrsis


Le montage du circuit est le suivant



+ R1
R
Ve VS

R2

Lamplificateur est considr comme idal. On fait varier la tension Ve lentre du circuit
v- suit les variations de Ve lentre du circuit
v+ = vS R2/ (R1+R2)
 Supposons quentre les deux entres existe une d.d.p > 0
+
v =v R 2
et puisque l' amplificateur est satur, v =v
S
R1 + R 2 S SAT

donc v =v
+ R 2
SAT
R +R1 2

v

R 2
v
 Tant que v+-v - > 0, i.e R +R 1 2
SAT
,Vs est inchang.
 Quant

v

R 2
v , devient ngative, v
+
bascule - v SAT et v = R 2
v
R +R1 2
SAT S
R +R
1 2
SAT

R 2
v

Tant que V reste suprieure R +R1 2
SAT
, Vs reste inchange.

R 2
v
 Quantv

devient infrieure R +R 1 2
SAT
, devient positive, Vs bascule + Vs et

v = R+ v
+ 2
SAT
R R 1 2

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V S

+V SAT

R 2

R V 2

R +R
V SAT

R +R
SAT
1 2
1 2

v =v

e

V SAT

Ce circuit permet de comparer V VSAT et aussi de rgulariser un signal dentre irrgulier


ou dform par des parasites

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V S

V SAT

R 2
V
R +R
SAT
1 2

R

2
V
R +R
SAT

1 2

V SAT

4.7.2. Multivibrateur
Le montage possible dun multivibrateur est le suivant, lamplificateur tant suppos idal

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C
R

v S

R1 R 2

On remarque encore que la rinjection du signal se fait lentre +. La sortie peut prendre les
tats +Vsat ou Vsat. Lentre + est donc au potentiel :

v
+
= R 1
v
R +R
1 2
SAT

v
+
v = R
1

Supposons Vs + Vsat, alors R1 + R2 SAT


Le condensateur se dcharge travers la rsistance R. la sortie bascule nouveau lorsque V
R
vSAT 2
+
prend la valeur R1 R 2 .
Le circuit finit pour atteindre un rgime permanent :

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V S

V SAT

R 2
V
R +R
SAT
1 2

R

2
V
R +R
SAT

1 2

V SAT

Soit Vc la tension aux bornes du condensateur. Vc vrifie lquation diffrentielle :

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d vC
vC + RC dt
= vS

t
v C
est de la forme : vC (t) = Ae RC
+B
v (t = 0) = R+ v
C
1
SAT
R R 1 2

t v =v C SAT

2 R1 +R v
t
(t ) = 2

v v e RC
C SART
R +R1 2
SART

v (t ) = R 1
v ; t=
t
Quand
C
R +R 1 2
SAT
2

2 R1 + R 2
T = 2 RC ln

R 2
4.7.3. Oscillateur AOP
x(t ) = X sin w0t
Un oscillateur sinusodal est un dispositif produisant un signal x(t) tel que :
X : amplitude de loscillation
W0 : pulsation de loscillation
d 2 x (t )
2
+ w 02 x ( t ) = 0
x(t) est solution de lquation diffrentielle : dt

Structure dun oscillateur


Loscillateur est constitu dun amplificateur et dun rseau de ractions

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e ( jw )
s ( jw )

Condition dentretient des oscillations


Soit H ( jw) la Transmittance de lamplificateur. Et K ( jw) la Transmittance de la chane de
retour.
e ( jw)
K=
s (jw)
Lgalit s = e impose la pulsation W0 la condition H(jw0).K(jw0) = 1
Soit :
Arg [H ( jw0 ).K ( jw0 )] = 0

H ( jw0 ).K ( jw0 ) = 1


En gnral la condition de face permet de dterminer la valeur de W0 alors que lquation
relative aux modules impose une condition sur le gain de lamplificateur.

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Exemple doscillateur AOP


R R

C
C C +

4.8. APPLICATION DES AOP A LA RESOLUTION DES


EQUATIONS DIFFERENTIELLS
La plupart des phnomnes physiques, sont rgis par des quations diffrentielles
coefficients constants.
'' '

Soit rsoudre
y (t ) + b y (t ) + c y (t ) = ax(t )
'' '

Si la sortie du systme correspond ax(t), on peut crire :


y (t ) = ax(t ) b y (t ) c y (t )
''

Supposons le systme rsolu. La connaissance de


y (t ) permet par intgration de trouver
'
y (t ) et une nouvelle intgrale conduit
y (t ) .

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y
c

'
y
b

x (t )
a

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Electronique / 5. FILTRES 06/10/05
Dr. Alain Tiedeu

5. FILTRES
5.1. THEOREME DE FOURRIER
On dmontre dans le cours de Maths sous certaines conditions de continuit et de drivabilit,
toute fonction continue de priode T peut scrire sous forme dune suite de Fourrier :

2
A0 + (An.cos(nwt) + Bm.sin(nwt)) avec w =

f (t ) =
n=2 T
t 0 +T
A0 T f (t ).dt
1
=
t0
t 0 +T
An T f (t ).cos(nwt)dt
1
=
t0
t 0 +T
Bn = T f (t ).sin(nwt)dt
1
t0
REMARQUE
A0 est la valeur moyenne de la fonction f(t).
An cos nwt + B n sin nwt est une fonction sinusodale appele Harmonique dordre n.
Par ailleurs :
H m
= A cos nwt + B sin nwt
n n


= A cos nwt + B sin nwt
n
n
posons tg = B
n

A n n
A
n

=
H n C n
(
. cos nwt
n
)
1

n = tg
Bn

An

C n = An + B n
2 2

Il vient que :

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( )
+
f (t ) = A 0
+ C n
. co s n w t
n
n =1
Lharmonique dordre n est appele la fondamentale.

5.1.1. Cas particuliers


f (t ) fonction paire f (t ) = f ( t )
f (t ) =
A0 + n =1 ( An.cos nwt + Bn .sin nwt )

f ( t ) = A0 + n =1 ( An. cos nwt B n .sin nwt )


Bn = 0
f (t ) fonction ipaire f (t ) = f ( t )

f (t ) = A0 + ( An cos nwt + B n sin nwt )

f (t ) =
A0 + ( An cos nwt + B n sin nwt )

An = 0

5.1.2. Exemples de dcomposition


Retrouver la dcomposition en srie de Fourier

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Electronique / 5. FILTRES 06/10/05
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f (t )

Figure 1

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f (t )

Figure 2

(Figure 1)
f (t ) Impaire A = 0 et n 1 A = 0
0 n
T 2

Bn =
1
f (t ) sin nwt.dt =
2a
[1 cos nwt ]
T T 2 .n

4a sin 3wt sin 5wt


f (t ) = sin wt + + + ..........
..........
..
3 5

(Figure 2)
f (t ) Paire Bn = 0 n

[( 1) 1]
T 2
2 2b
An = T f (t ) cos(nwt )dt =
2

n
2 2
0

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8b 3wt 5wt
f (t ) = 2
cos wt + cos 2 + cos 2 + ..................
3 5
Etant donn que tout signal peut tre considr comme un signal priodique, alors tout signal
peut tre dcompos en srie de Fourier.

5.2. TRANSFORMEE DE LAPLACE (TTP)


Dfinition
Soit f(t) une fonction dfinie pour t strictement positif. La transforme de Laplace de f(t) :

TL(f(t)) = F(s) = e
- st
f (t )dt
s
Cette transforme existe si lintgrale converge. s peut tre complexe et pour s = jw on parlera
de transforme de Fourier.

5.2.1. Proprit de la T.P


LINEARITE
f T F ( s )
. f g .F (t ) + G( s)
.L


g G ( s )
T .L

TRANSLATION 1

f ( t ) T F (s a)
at
f (t ) F (1)
T .L
e .L
TRANSLATION 2
f (t ) T
.L
F (s)

f ( t a ) pour t > a
f (t ) =
0 pour t < a

as
f (t) T
.L
e F(s)
CHANGEMENT DECHELLE
f (t ) T
.L
F (s)

1 1
g(t ) = f (at) T
.L
F( )
a a
TRANSLATION DE LA DERIVEE
f (t ) T
.L
F (s)
'
f (t) T
.L
sF(t )

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Electronique / 5. FILTRES 06/10/05
Dr. Alain Tiedeu
5.3. APPLICATIONS : FILTRES ET ANALYSE DES CIRCUITS
La T.L savre particulirement intressante dans lanalyse des circuits lectriques.

5.3.1. Lapplication de la T.L lanalyse des circuits (en rgime


transitoire)
Soit le circuit RLC suivant :

C
R L
i

UR UL UC

Lquation diffrentielle qui rgit ce circuit :


v = u R + u L + uC

uR = R.i

di di 1
u L = L dt v = R.i + L dt + C idt

1
u C = C idt
En rgime permanent

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Dr. Alain Tiedeu

v = v0 e
jwt

I = I 0e
jwt

1
= R I 0 e + jLwI 0 e +
jwt jwt jwt jwt
v0 e
jwc I 0 e

I0 = v 0

R + j(Lw 1 Cw)
En rgime permanent la rsolution est simple. Mais pour un signal sinusodal, la rsolution
nest plus simple et on fait dans ce cas appel au T.L.
Cette rsolution en utilisant la TL se fait de la manire suivante :
 On dtermine la transforme de toute lquation diffrentielle
REMARQUE
v V (s)
i I (s)
di
s.I ( s ) + i (o)
dt
I ( s ) 1
i.dt s + i (0)
Do lquation dans le domaine s :
1 I ( s ) i (o )
1

v( s ) = R.I ( s ) + L( sI ( s ) I (o)) + +
C s s
1 1 1
= ( R + Ls + ) I (1) L.I (o) +
C.s i
( 0)
C.s

V ( s ) + LI ( 0 ) i
(0)
1

I (s) = (0) = q 0
Cs 1
or i
1
R + Ls +
Cs
q
V ( s ) + LI ( 0 )
0

Cs
I (s) =
1
R + Ls +
Cs
I ( s ) i (t )
1
TL

Exemple

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R L
i

UR UL

v(t )

v ( t ) = U R + U L (loi des mailles)


di
= Ri + L
dt

C
R
i

UR UC

v(t )

Loi des mailles


v ( t ) = U R +U C
1
C
= Ri + idt

Transforme de Laplace

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di
v ( t ) = Ri + L
dt
v ( s ) = RI ( s ) + L ( sI ( s ) I ( 0 ) )
= I ( s )( R + Ls ) LI ( 0 )
v ( s ) + i ( o)
I (s) =
R + Ls
1 I ( s) q 0
V ( s ) = RI ( s ) + ( +
C s s
1 q0
= I (s ) R + +
C.s s

q
V (s) 0

I (s) = C .s
1
R+
C .s
i ( t ) = TL 1 {I ( s ) }
De tout ceci, il est vident quil se posera toujours un problme de calcul de la T.L-1.
On calculera dans ce cas T.L-1 en utilisant les tables de T.L
 Lorsque lexpression est complexe, on utilise la mthode dite de dcomposition de
fraction rationnelle appuye par la formule de dveloppement de Heavicide.

METHODES DE DECOMPOSITION DES FRACTIONS


RATIONNELLES
Dans lanalyse des circuits, la transformation des quotients en somme de plusieurs fractions
pour trouver la transformation de Laplace inverse vu que le courant I(s) est de la forme :

I (s ) =
P(s)
Q(s)
Q(s) est de degr plus lev que P(s). Dans cette expression :
Mettre Q(s) sous forme de produit de polynme de degr 1
Q(s) = (s + a)(s + b)..(s + k)

I(s) = a 1
+ a 2
+ ............... + a k

s+a s+b s+k


Pour dterminer les aK prendre k valeurs et rsoudre le systme form des aK.
Exemple :
Dcomposez en lments simples :

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s 1
I (s) =
s + 3s + 2
2

Q(s) = (s+1)(s+2) ;

I(s) = a 1
+ a 2

s +1 s+2
TL e { }
at
=
1
s+2
T .L1 ( I ( s )) = 2 e t + 3e 2 t
Formule de dveloppement de Heavicide
La formule de dveloppement de Heavicide qui permet de calculer la T.L-1 du quotient I(s)

P (s) P (a )
T .L =
n
1 K
e aK t

Q (s) Q (a k =1 '

K
)
Ou les aK sont les n racines distinctes de Q(s).

5.3.2. Filtres

Considrons un signal f(t) et sa T.L F, on obtient une somme f (t ) + c . Si un tel signal est
envoy dans un dispositif comme celui-ci

Ve VS

A la sortie certaines frquences sont attnues et dautres sont amplifies, un tel dispositif est
appel FILTRE.

Filtre du premier ordre


Ltude dun filtre rgime abouti une quation :
Le filtre est dit linaire, si cette quation est linaire et est dit du premier ordre si cette
quation est du 1er ordre.

Filtre passe bas (intgrateur)

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R

Ve C
VS

1
vS = ve
1 + jR.c.w
vS =
1
ve 1 + R 2 . C 2 . w2 .
v
Arg S = Arg (1 + jRcw
ve

G = 20 Log
vS
ve

= Arg v S
ve

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G (db)

log w
WC

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(W )

Filtre passe haut

Ve VS
R

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vS = R
ve R j
c.w
vS =
1
ve 1+
1
2 2 2
R .C . w
v j
Arg S = Arg 1
ve Rcw

G ( w) = 20 Log
vS
ve
v
( w) = Arg S
ve

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G ( db)

WC log w

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(W )

0 W

Filtres du 2e ordre
Rsonnant (RLC)

R L

Ve C
VS

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j

cw
vS = 1 e
v
R + j Lw
cw
v
S=
1
(
ve 1 LCW 2 + jRcw )
vS =
1
ve (1 LCW ) 2 2
+ (RCW )
2

v RCW
Arg S = Arctg .
ve 1 LCW 2

w 1 R 2mu
Posons = u ; LC = ;m = ; tg =
w0 w0 2 LW0 1 u2

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V S
= Arg
Ve

m1 = 0,05

m2

m3

mT
W

m =1

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(W )

4
m = 0,05

m =1

Bouchon (RLC)

C
Ve L VS

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vS = Lw
ve Lw + jR( LCw 2 1)
Arg S = Arg [Lw + jR ( LCw 2 1)]
v
ve
(
R 1 LCw 2
= Arctg
)
Lw

G (W )

W1 W0 W2
W

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(W )

W0
W

Filtre passe bande RC

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C1
R2

C
Ve R2 VS
V in

v S = vS vin
ve vin ve
R1
=
1 + j (R 1 + R 2 )C 2 .w
R 1 + j.R 1 .R 2 .C 2 .w +
j.C1 .w

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5.4. ETUDE DES FILTRES PAR LES MATRICES DE
QUADRIPOLES
5.4.1. NOTION DE MATRICE DE TRANSFERT

Ve Filtre VS

ie iS

Ve Q VS

ve = A. vS + B.i S

ie = C. vS + D.i S
ve A B vS
= .
ie C D iS

T

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5.4.2. Matrice de transfert de quelques filtres considrs comme
Quadriple

ie Z iS

Ve VS

ve = v s + z. i s

i e = 0 + i s
1 z
=
0 1

ie iS

Ve VS
Y

ve = v s + 0. i s

i e = y. v s + i s
1 0
=
y 1
Filtre en T

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Z1 Z2
ie iS

Ve VS
Y3

T1 T2 T3

T = (T 1 T 2 ) T 3

Z2
ie iS

Ve Y1 Y3 VS

Filtre en
T = (T 1 T 2 ) T 3

5.5. FILTRES ACTIFS


On nappelle Filtre actif un circuit qui prsente la proprit dliminer les frquences
indsirables ne contenant que des rsistances, des capacits et des tages amplificateurs.

5.5.1. Structure des filtres actifs

Filtres mono boucles


La structure de ces filtres est analogue celle des amplificateurs inverseurs

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vS = z 2
ve z1
R 2

C 2


R 1

Ve +
VS

R2
Z2 = 1+ j. R 2 .W . C 2
vS = 1 . R2 =T
ve R1 1 + j . .
W .
R2 C 2
Remarque :
Pour les filtres de premier ordre :

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T= A0
w
1+ j
w0
1 R
Soit donc w0 = R 2 .C 2
et A0 = 2
R1

Filtre multi boucles

y 3
y 5


y 1 y 4

v e y 2
+
v S

vS =
y1.y 4
ve (
y 3 .y 4 + y 5 y1 + y 2 + y 3 + y 4 )
1
y1 = y 2 = y 5 =
R
y 3 = y 4 = j.C .W
vS = j.R.C.w
ve 21 + jRCw
jRCw +
2


2
Filtre de 2e ordre Bande passante (B.P) = 2/RC

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Filtre amplificateur non inverseur

Z 4


Z 1 Z 2

R R

Z 3

v e

R v S

1
yi =
Zi
vS = (k + 1). y1
y3
ve
( )
y3 (k + 1) y 4 + y1 + y 4 1 +
y 2

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R
C C
+

v S
2R
v e

R( j Rcw)
2
vS =
ve 1 + 2 j.R.C.W + 2( jRCw)2

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