Introduccin a la

electrnica industrial
DR. LEOPOLDO A. GARZA ALVARADO
REYNOSA, TAMPS. AGOSTO 2017

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 1

Contenido
Introduccin
Dispositivos semiconductores de potencia
Clasificacin de circuitos electrnicos de potencia
Aplicaciones

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 2

Introduccin
Circuito electrnico de Potencia: est compuesto de
semiconductores de potencia y elementos pasivos, que
conecta la fuente primaria de alimentacin con la carga del
circuito.
Circuito de Control: Procesa la informacin proporcionada
por el circuito de potencia y genera las seales de excitacin
que determinan el estado de los semiconductores,
controlados con una fase y secuencia conveniente.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 3

Introduccin
Energa elctrica de entrada Carga
Circuito de
Potencia
Alimentacin Informacin Seales de control

Control
Circuito de
Circuito Driver
Control

Diagrama a bloques de un sistema de potencia

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 4

Dispositivos Semiconductores de Potencia
Los dispositivos semiconductores utilizados en electrnica de potencia se puede
clasificar en tres grandes grupos:
Dispositivos no controlados: Estos dispositivos no cuentan con ninguna terminal de
control externo. A este grupo pertenecen los Diodos. Los estados de conduccin o
cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia.
Dispositivos semicontrolados: En este tipo de dispositivos, su puesta en conduccin se
debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo; es decir se tiene el control externo de la puesta en conduccin, pero no as
el bloqueo del dispositivo. Este tipo de dispositivos se encuentran dentro de la familia
de los tiristores: los SCR (Rectificador Controlado de Silicio) y los TRIAC.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo se encuentran los transistores
bipolares BJT, MOSFET , IGBT y los tiristores GTO.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 5

Dispositivos no controlados
Diodo de potencia
Es una estructura p-n; permite la circulacin de corriente en
un nico sentido (interruptor unidireccional). a k
Tiene dos estados de recuperacin:
Recuperacin en inversa: Es el tiempo de paso de
conduccin a bloqueo (on - off).
Recuperacin en directa: Es el tiempo de paso de
bloqueo a conduccin (off -on).

Ejemplos de Diodos de potencia:

Diodos Schottky,
Diodos de recuperacin rpida
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 6

Dispositivos no controlados
Diodo de potencia
Tipos de diodos:
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy
pequea (0,3 V tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan
tensiones inversas superiores a 50 100 V.
Diodos de recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en
combinacin con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de
recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y
varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas
(trr) de pocos nanosegundos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea: La tensin en el estado de conduccin
(ON) de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un trr
grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos
diodos son capaces de bloquear varios kilovolts y conducir varios kiloamperes. Se
pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o de
corriente.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 7

Dispositivos semicontrolados
Tiristores
El tiristor bsico es un dispositivo de 4
capas con dos terminales: nodo y
ctodo. Est construido con cuatro
capas semiconductoras que forman
una estructura pnpn. El dispositivo
acta como un interruptor y
permanece apagado hasta que el
voltaje en directa alcanza cierto valor;
luego se enciende y conduce.
La conduccin contina hasta que la
corriente se reduce por debajo de un
valor especfico.
Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 8
Dispositivos semicontrolados
Tiristores
La conmutacin desde el estado de
bloqueo (OFF) al estado de conduccin
(ON) se realiza normalmente por una
seal de control externa. La conmutacin
desde el estado ON al estado OFF se
produce cuando la corriente por el tiristor
es ms pequea que un determinado
valor, denominada corriente de
mantenimiento (holding current).
Dentro de la familia de los tiristores
podemos destacar el SCR (tiristores
unidireccionales) y TRIAC (tiristores
bidireccionales).

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 9

Dispositivos semicontrolados
SCR
Un SCR (rectificador controlado de silicio, silicon-
controlled rectifier) es un dispositivo pnpn de 4 capas
similar al diodo de 4 capas pero con tres terminales:
nodo, ctodo y compuerta. Cuando se le inyecta una
corriente a la compuerta, hace que se establezca una
corriente en sentido nodoctodo.
El SCR tiene dos estados posibles de operacin. En el
estado apagado, acta idealmente como circuito
abierto entre el nodo y el ctodo; en realidad, en
lugar de una abertura, existe una resistencia muy alta.
En el estado encendido, el SCR acta idealmente
como un cortocircuito del nodo al ctodo; en
realidad, existe una pequea resistencia en el estado
encendido (en directa).
Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 10
Dispositivos semicontrolados
SCR
Es el dispositivo que control mayor potencia.
Soporta mayor tensin inversa entre sus terminales
La corriente establece en el sentido nodo- ctodo.
Nuevos parmetros en su recta de funcionamiento.

ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa,

comportndose como un diodo
ZONA DE BLOQUE DIRECTO( VAK >0 sin disparo).- Se comporta como
un circuito abierto hasta alcanzar el voltaje de ruptura
ZONA CONDUCCIN (VAK >0 disparado).- Se comporta como
interruptor cerrado y se mantiene hasta que sea menor a la corriente
de mantenimiento.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 11

Dispositivos semicontrolados
TRIAC
Un triac (trido para corriente alterna) puede ser
disparado por un pulso de corriente en la
compuerta y no requiere voltaje de ruptura para
iniciar la conduccin. Bsicamente, se puede
pensar en un triac simplemente como dos SCR
conectados en paralelo y en direcciones
opuestas con una terminal comn, la
compuerta.
A diferencia del SCR, el triac puede conducir
corriente en una u otra direccin cuando es
activado, segn la polaridad del voltaje a travs
de sus terminales 1 y 2 .

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 12

Dispositivos semicontrolados
TRIAC

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 13

Dispositivos totalmente controlados
Transistores
Tienen la ventaja de que son totalmente controlados estos incluyen
los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos hbridos como el
IGBT.
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son
utilizados como interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo)
de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona de
saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo).

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 14

Dispositivos totalmente controlados
Transistor BJT
El BJT (transistor de unin
bipolar), se construye con tres
regiones semiconductoras se
paradas por dos uniones p-n.
Las tres regiones se llaman
emisor, base y colector.
Se presenta en dos estructuras,
NPN y PNP.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 15

Dispositivos totalmente controlados
Transistor BJT
Su principal ventaja es la baja cada de tensin en
saturacin.
Puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien
diferenciadas
Corte: No se inyecta corriente a la base del transistor. ste
se comporta como un interruptor abierto, que no permite
la circulacin de corriente entre colector y emisor.
Activa: Se inyecta corriente a la base del transistor, y ste
soporta una determinada tensin entre colector y emisor.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base.
Saturacin: Se inyecta suficiente corriente a la base para
disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte
como un interruptor cuasi ideal.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 16

Dispositivos totalmente controlados
MOSFET
Los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello
se debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta
respecto al resto del dispositivo.
Principio de funcionamiento y estructura
Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el potencial
positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P,
dejando una carga negativa, pero sin portadores libres.
Cuando esta tensin alcanza un cierto valor umbral (VT),
electrones libres presentes en la regin P son atrados y
forman un canal N dentro de la regin P, por el cual se
hace posible la circulacin de corriente entre D y S.
Aumentando VGS, ms portadores son atrados,
ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS),
permitiendo el aumento de ID. Este comportamiento
caracteriza la llamada regin hmica.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 17

 Dispositivos totalmente controlados
MOSFET
Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una
determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se
comporta como un interruptor abierto.
hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es
suficientemente grande y la tensin entre el drenador y la fuente
es pequea, el transistor se comporta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia, denominada RON.
Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin
drenador-surtidor elevada, ste se comporta como una fuente de
corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el
surtidor.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la
potencia que pueden manejar es bastante reducida. Sin embargo, son
los transistores ms rpidos que existen.
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la
resistencia en conduccin RON vara mucho con la temperatura y con
la corriente que circula, con lo que no se tiene un comportamiento de
interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 18

Dispositivos totalmente controlados
IGBT
Rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las
pequeas prdidas en conduccin de los BJT de
potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con
lo que se tiene un control por tensin relativamente
sencillo. Funciona a centenas de kHz, en
componentes para corrientes del orden de algunas
decenas de Amperios.
Tiene una alta impedancia de entrada como el
MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado
activo como el Bipolar, pero no presenta ningn
problema de ruptura secundaria como los BJT.
Ademas es inherentemente ms rpido que el BJT.
Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT
es inferior a la de los MOSFETs.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 19

Clasificacin de circuitos electrnicos de
potencia
Diodos:
Rectificador de media onda Rectificador de onda completa

Regulador de voltaje

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 20

Clasificacin de circuitos electrnicos de
potencia
Tiristores:
Oscilador de relajacin

SCR:
Control de potencia

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 21

Clasificacin de circuitos electrnicos de
potencia

SCR:
Sistema de alumbrado para interrupciones
de potencia

TRIAC:
Control de fase

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 22

Clasificacin de circuitos electrnicos de
potencia

BJT:
Amplificacin de seal

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 23

Aplicaciones de la electrnica de potencia
Principales aplicaciones: Consumo de energa:
Industriales: alarmas, soldadura, robotica. La mayora del consumo de energa est
Comerciales: alimentacin de ordenadores y destinadas a los motores elctricos (arriba del
equipos, calefaccin. 60%).
Domesticas: refrigeradores, iluminacin, aire Alrededor del 20% en sistemas de iluminacin.
acondicionado.
Lo restante se consume en otras aplicaciones.
Transporte: cargadores de bateras, electrnica
del auto.
Distribucin: fuentes de energa renovables,
filtros activos.
Aeroespaciales: alimentacin de satlites y
lanzadores.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 24

Aplicaciones de la electrnica de potencia
Los sistemas que transforman la energa suelen
denominarse convertidores de energa y son
circuitos electrnicos constituidos por un
conjunto de elementos estticos formando una
red que constituye un equipo de conexin y
transmisin entre un generador y una carga.
Se clasifican de la siguiente manera:
Rectificador no controlado.
Rectificador controlado.
Reguladores de C.A.
Los tipos de dispositivos semiconductores de
Cicloconversores.
potencia usados como interruptores estticos son:
Inversor. diodos, tiristores (SCR, TRIAC y GTO) y transistores
Convertidor CC/CC. (BJT, MOSFET e IGBT).

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 25

Referencias
BOYLESTAD, Robert L., NASHELSKY, Louis; Electrnica:
Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos Pearson.
10 Edicin. 2009,Mxico.
FLOYD, Thomas L.; Dispositivos Electrnicos Pearson
Prentice Hall. 8 Edicin. 2008, Mxico.
MALVINO, Albert Paul; Principios de Electrnica McGraw
Hill. 6 Edicin. 2000, Mxico.

Dr. Leopoldo A. Garza Alvarado 26