FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Semiconductores
Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le aaden ciertas
sustancias o en un determinado contexto, se vuelve conductor. Esto quiere decir
que, de acuerdo a determinados factores, el semiconductor acta a modo de
aislante o como conductor.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica
inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la
naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio.
Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en rbita exterior de
valencia. Los conductores tienen 1 electrn de valencia, los semiconductores 4 y
los aislantes 8 electrones de valencia.
Clasificacin de los semiconductores:
- Semiconductores intrnsecos: son los que poseen una conductividad elctrica
fcilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como
interruptores, amplificadores o dispositivos de almacenamiento. Se dice que un
semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.
- Semiconductores extrnsecos: se forman al agregar a un semiconductor
intrnseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad depender de la
concentracin de esos tomos dopantes. Cuando a la estructura molecular
cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su
cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con
pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Son los
semiconductores que estn dopados, esto es que tienen impurezas.
Dependiendo de esas impurezas habr dos tipos:
-Semiconductores de tipo n: Es el que est impurificado con impurezas
"Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a
los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores
minoritarios".
-Semiconductores de tipo p: Es el que est impurificado con impurezas
"Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el
nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.
DIODOS
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
Curva caracterstica
Tensin umbral, de codo o de partida (V): La tensin umbral (tambin
llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la
tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Corriente mxima (Imax): Es la intensidad de corriente mxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la
cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del
mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is): Es la pequea corriente que se establece
al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido
a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 C en la
temperatura.

Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la

superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la
tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente
superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede

soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados): En polarizacin inversa se generan

pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin
inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica
de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la
banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados): Cuanto ms dopado est el material,

menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede
expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo
est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del
orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como
los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Lnea de carga
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para
los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada
acerca de ellas.
Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:
EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de la
malla.
MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1 aproximacin, 2
aproximacin y 3 aproximacin.
DE FORMA GRFICA: Recta de carga.

V suministra energa a Rs en serie con un diodo D1. La tensin que aparecer en

l es Vf. La tensin que aparece en Rs ser igual a la tensin total V menos la
cada de tensin que provoca el diodo.
Con la ley de Ohm, obtenemos la corriente del circuito:

Resistencia esttica o de DC
Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la
resistencia del diodo tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva
caracterstica.
La aplicacin de una tensin de corriente continua a un circuito que contiene un
diodo tendr como resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica
que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo puede encontrarse
localizando los niveles de VD e ID como se muestra en la figura y aplicando la
frmula:

Los niveles de resistencia en corriente continua en el punto de inflexin y hacia

abajo sern mayores que los niveles de resistencia que se obtienen para la
seccin de crecimiento vertical de las caractersticas. Como es natural, los niveles
de resistencia en la regin de polarizacin inversa sern muy altos.
Resistencia dinmica o de AC
Si se aplica una tensin senoidal en lugar de una continua, la situacin cambia por
completo. La tensin variable desplaza de manera instantnea el punto de
operacin hacia arriba y hacia abajo en una regin de las caractersticas y, por
tanto, define un cambio especfico en intensidad y tensin como muestra la figura:
Una recta dibujada tangencialmente a la curva en el punto Q como muestra la
figura, definir un cambio en particular en la tensin, as como en la intensidad que
pueden ser utilizados para determinar la resistencia en corriente alterna o
dinmica para esta regin en las caractersticas del diodo.

Mientras mayor sea la pendiente menor ser el valor de Vd para el mismo

cambio en Id y menor ser la resistencia. La resistencia dinmica en la regin de
crecimiento vertical es por tanto, muy pequea, mientras que la resistencia
dinmica es mucho ms alta en niveles de corriente bajos.

Caractersticas de fabricacin
Para la construccin de diodos se utilizan materiales semiconductores, como el
Silicio o el Germanio que en estado puro se denominan semiconductores
intrnsecos y se comportan como resistencias de carbn. Para conseguir los
efectos deseados, estos semiconductores se dopan con impurezas obtenindose
as dos tipos de semiconductores extrnsecos:
Semiconductores tipo n; Se aaden tomos de valencia 5 (fsforo, arsnico,
antimonio) con lo que al combinarse con el silicio queda un electrn libre por cada
tomo pentavalente.
 Semiconductores tipo p; Se aaden tomos de valencia 3 (boro, galio) con lo
que al combinarse con el silicio queda un hueco por cada tomo trivalente que se
comporta como una carga positiva.
La unin de dos semiconductores, uno del tipo p (nodo) y otro del tipo n (ctodo),
forma un diodo.

La banda blanca impresa indica el lado del ctodo.

Conexionado:
Polarizacin directa
Ctodo a + de la pila
nodo a de la pila

Polarizacin inversa
Ctodo a - de la pila
nodo a + de la pila

Una aplicacin muy frecuente del diodo es su uso como rectificador de corriente
en fuentes de alimentacin. Su propiedad de conducir solamente en un sentido,
cuando est polarizado directamente, se utiliza para rectificar seales de corriente
alterna tal y como se muestra en la figura:
Prueba esttica
Uno de los componentes bsicos en todos los vehculos elctricos es el DIODO,
llamado as por tener dos terminales nombradas ANODO y CATODO. El propsito
de este dispositivo es dejar pasar la corriente elctrica de un lado a otro pero en
un solo sentido.
Es utilizado para suprimir corrientes parasitas, como proteccin de otros
dispositivos e incluso para reciclar energa elctrica.
El smbolo ms utilizado en los diagramas esquemticos de vehculos elctricos
es el siguiente:

Este componente se prueba de manera esttica con el multmetro. Se debe

seleccionar la escala del multmetro con este smbolo y colocar las puntas
directamente sobre las terminales del diodo, teniendo en cuenta que se debe
desconectar del circuito al que pertenezca para no obtener mediciones errneas.
Lo que se espera obtener es lo siguiente:
La ltima prueba se hace con el multmetro en escala de resistencia, esperando
obtener lecturas de kilo ohm en polarizacin directa y Mega ohm en polarizacin
inversa.