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I. D ESARROLLO
E realizo la medicion de un arreglo de seis transisto-
S res de tecnologa CMOS con W = 10m y L =
[0,35], [0,5], [1], [3], [5], y [10]m . Especficamente, se mi-
dio ID en funcion de VGS con un barrido en VDS =
[25], [50], [75], y [100]mV , de tal forma que el dispositivo
se encuentre en la region lineal (VDS < VGS VT ); en
la Figura 1, solo se muestra la grafica del transistor de
L = 0,35m. En seguida se compararon las graficas ID - Figura 1: ID en funcion de VGS para diversos voltajes de
VGS para un VDS = 50mV con diferente L, Figura 2. Por drenaje (VDS ) con su respectiva transconductancia y recta
ultimo, con los datos obtenidos y con un programa realizado tangente en el transitor de L = 0,35m.
en IC-CAP se calculo VT para los seis transistores con distinta
L y un VDS = 50mV , a traves del metodo de maxima
transconductancia, Figura 1.
1
VT = VGS VDS (1)
2
En la grafica de la Figura 3 se muestra VT para los
seis transistores de diferente L y VDS = 50mV . De esta
grafica se observa que mientras L crece, VT disminuye; este
comportamiento se debe a la presencia del efecto de canal
corto inverso. El cual es observado en tecnologas modernas Figura 3: VT de transistores NMOS en funcion de la longitud
de canal corto. de compuerta (L) para VDS = 50mV .