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Circuitos Electrnicos I

Transistor de Unin Bipolar BJT

Prof. Alexander Hoyo


Transistor de Unin Bipolar
Bipolar Juntion Transistor - BJT

 Dispositivo formado por una estructura


de tres regiones de semiconductores
tipo N y tipo P.

 Posee tres terminales:


 Base (B)
 Emisor (E)
 Colector (C)
Transistor de Unin Bipolar
Bipolar Juntion Transistor - BJT

 Existen dos tipos de BJT: NPN y PNP

Se forman dos Uniones PN

Circuito Equivalente
de las Uniones

Smbolo Elctrico
Transistor de Unin Bipolar
Bipolar Juntion Transistor - BJT

 Estructura Fsica de un BJT NPN Planar


Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT

Zona de Deplexin de
Zona de Deplexin de
la Unin Emisor - Base
la Unin Colector - Base
Transistor de Unin Bipolar
Bipolar Juntion Transistor - BJT

 Polarizacin del BJT

 La operacin normal del BJT ocurre con:

 Unin Base Emisor (BE) en polarizacin


directa.

 Unin Base Colector (BC) en polarizacin


inversa.
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Polarizacin Base Emisor en Directo
La Zona de Deplexin BE Decrece Si VBE > 0,7V la Zona Desaparece

e-
Corriente
e-
IB = IE
e-
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Polarizacin Base Colector en Inverso
La Zona de Deplexin de BC Aumenta Gran parte de los e- son
atrados por el campo
elctrico hasta la regin
del Colector

e- e-

IE
IC

IB
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 La corriente que llega al colector se
puede expresar como una fraccin de la
corriente del emisor:

IC=*IE 0<<1
 Aplicando LCK

IE=IB+IC IE=IB+*IE IB=(1-) IE


Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Las corrientes de Base y de Colector
tambin se pueden relacionar:

IC / IB =*IE / (1-) IE

IC / IB = / (1-) =

IC = IB
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Los valores de y para un BJT
dependen principalmente de las
densidades de dopado en las regiones
Base, Colector y Emisor.
 El valor de alfa () es muy cercano a 1
(0,99 ~ 0,999).
 Tpicamente () cae dentro del rango
de 100 a 300.
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Configuracin Emisor Comn

C
Salida
IC

+
Entrada B VCE
_
IB
+
IE
VBE
_ E
Terminal Comn
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Caracterstica de Entrada: Relaciona
la Corriente de entrada (IB) con el
Voltaje de entrada (VBE), en este caso
es muy similar a un Diodo.
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Caracterstica de Salida: Relaciona la
Corriente de salida (IC) con el Voltaje de
salida (VCE)

Recordar:
IC = *IB

VCE,Sat
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Consideraciones:
 La unin BC debe estar polarizada
inversamente, y como el VBE es 0,7V
aproximadamente, se requiere un VBC de 0,5V,
por lo que VCE debe ser 0,2V mnimo para que
el transistor funcione en su estado normal. [1]
 Este valor se denomina VCE de Saturacin
(VCE,Sat).

[1] Malik, Norbert R. Circuitos Electrnicos, Anlisis, Simulacin y Diseo. Prentice Hall
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Ejemplo: =100, VCC=10V, VBB=3V

IC

IB
+
VCE
+ _
VBE VBE=0,7V
_
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Ejemplo:
Malla Entrada :
VBB VBE 3V 0,7V
IB = = = 23A
RB 100k
I C = * I B = 100 * 23A = 2,3mA

Malla Salida :
VCE = VCC I C * RC = 10V 2,3mA *1k
VCE = 7,7V
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Estados del Transistor y Zonas de
Funcionamiento:
 Las ecuaciones mostradas hasta este
momento son validas para la operacin
normal del transistor, en estas
circunstancias se dice que el BJT esta en la
Zona Activa de Operacin.
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Zona Activa:
 En este caso la Unin BE esta polarizada
directamente y la Unin BC polarizada
Inversamente.

VBE = 0,7V
VCE > VCE , Sat > 0,2V
IC = * I B
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Existen otras zonas de funcionamiento
para el BJT, estas son:

 Zona de Corte

 Zona de Saturacin

 Zona Activa Inversa


Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Zona de Corte:
 Cuando ambas uniones estn inversamente
polarizadas, en este caso el BJT se puede modelar
por circuitos abiertos:

IB = 0
IC = * I B = 0
 Bajo condiciones de alta temperatura, el BJT en
Corte puede tener una pequea corriente de CB
denominada ICB0 (~pA).
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Zona de Saturacin:
 Cuando ambas uniones estn polarizadas
directamente, o cuando el VCE es muy
pequeo y la unin BC deja de estar
polarizada en inverso.
 En esta condicin, no se cumple que
IC=*IB.
 El VCE de Saturacin es aproximadamente
0,2V.
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT

Zona de Saturacin
Zona Activa

VCE,Sat
Zona de Corte
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Zona de Mxima Potencia
 La potencia en el colector del BJT viene
dada por:

PC = I C *VCE < PC max


Curva de Potencia Mxima
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Funcionamiento Activo Inverso:
 En este caso los papeles del Emisor y
Colector se invierten respecto al
funcionamiento en la Zona Activa.
 La diferencia es que el parmetro
cambia:
R<<
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Recta de Carga
Malla Entrada :
IC I B RB = VBB VBE

IB
+
VCE
+ _
VBE
_
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Recta de Carga
Malla Salida :
I C RC = VCC VCE
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Determinacin de la Corriente Mxima
de Colector (Saturacin)

IC

IB
+
VCC VCE , Sat VCC 0,2V
VCE
I C , Sat = =
+ _
RC RC
VBE
_
Transistor Bipolar de Unin
Bipolar Juntion Transistor BJT
 Ejemplo: VCC=10V, RC=1k, RB=20k
10V 0,2V
I C , Sat = = 9.8mA
IC
1k
VBB max = ?
IB
=100
+
9,8mA
VCE
_
I B , Sat = = 98A
+
VBE

_
VBB max = I B , Sat * RB + VBE
VBB max = 98A * 20k + 0,7V
VBB max = 2,66V
Configuraciones de
Polarizacin del BJT
 Polarizacin Fija

ME :
IC VCC VBE
IB IB =
RB
IC = * I B
+
+
VCE MS :
_
VBE
_ VCE = VCC I C * RC
Configuraciones de
Polarizacin del BJT
 Polarizacin Fija con RE

ME :
IB IC
VCC VBE
IB =
RB + ( + 1) RE
+ IC = * I B
VCE
+
VBE
_ MS :
_ IE
+1
VCE = VCC I C RC + RE

Configuraciones de
Polarizacin del BJT
 Polarizacin por Divisor de Voltaje
ME :
IC R2
VTH = VCC , RTH = R1 ||R 2
R1 + R 2
VTH VBE
+ IB =
+
VCE RTH
_
VBE
_ IC = * I B
MS :
VCE = VCC I C RC
Configuraciones de
Polarizacin del BJT
 Polarizacin por Divisor de Voltaje y RE
ME :
R2
IC VTH = VCC , RTH = R1 ||R 2
R1 + R 2
VTH VBE
IB =
RTH + ( + 1) RE
+

+
VCE IC = * I B
_
VBE MS :
_
IE
VCE = VCC I C RC + RE
+1
Configuraciones de
Polarizacin del BJT
 Polarizacin con Realimentacin

IC+IB
ME :
VCC VBE
IB =
RB + ( + 1)( RE + RC )
IB + IC = * I B
VCE
+ _ MS :
VBE
_ IE +1
VCE = VCC I C (RC + RE )

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