IGBT

Introduccin
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo
posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin
del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin
son como las del BJT.

Qu es un IGBT?
Es un transistor bipolar de compuerta aislada que comparte las caractersticas de
los BJT y los MOSFET.

Caractersticas
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y
cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la

capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de
base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de
conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de
electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los
primeros.

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin

de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas
de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
Caractersticas tcnicas
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.

VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).

La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan

valores mayores)

Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un

par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Simbologa:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta,
COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura
siguiente.
Curva Caracterstica del IGBT:

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa

que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el
tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.
LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal

gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido

a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente iD se autolimita.

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,

puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal

G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente IC se auto limita.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automvil,
Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin,
Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Bibliografa
Jeisson Oliveros Electrnica de Potencia; Editorial Santo Tomas
 Universidad Privada del Valle Evaluacin
Facultad de INFORMATICA Y ELECTRONICA
Campus MIRAFLORES

ELECTRONICA DE POTENCIA
Informe
IGBT

Estudiante:
Monroy Valda Hiria
Paniagua Tapia Paulo
Quispe Mayta Jhonny

Docente: Ing. Jaime Pea

Gestin II 2015