UNIVERSIDADE

FEDERAL DE SO JOO DEL REI

PRREITORIA DE PESQUISA E PSGRADUAO

CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE MINAS GERAIS

DIRETORIA DE PESQUISA E PSGRADUAO

PROGRAMA DE PSGRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Maisa Laila de Ftima Oliveira

E STUDO DE A TERRAMENTOS E LTRICOS

EM B AIXAS F REQUNCIAS U TILIZANDO O
M TODO S EM M ALHA

Belo Horizonte
2016






UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO JOO DEL REI

PRREITORIA DE PESQUISA E PSGRADUAO

CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE MINAS GERAIS

DIRETORIA DE PESQUISA E PSGRADUAO

PROGRAMA DE PSGRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Maisa Laila de Ftima Oliveira

E STUDO DE A TERRAMENTOS E LTRICOS

EM B AIXAS F REQUNCIAS U TILIZANDO O
M TODO S EM M ALHA

Dissertao submetida banca examinadora
designada pelo Programa de PsGraduao em
Engenharia Eltrica ASSOCIAO AMPLA ENTRE
A UFSJ E O CEFETMG, como parte dos requisitos
necessrios obteno do grau de Mestre em
Engenharia Eltrica.

rea de Concentrao: Sistemas Eltricos
Linha de Pesquisa: Eletromagnetismo Aplicado

Orientadora: Profa. Dra. rsula do Carmo Resende
Coorientador: Prof. Dr. Rafael Silva Alpio

Belo Horizonte
2016

 Oliveira, Maisa Laila de Ftima
048e Estudo de aterramentos eltricos em baixas frequncias utilizando o
mtodo sem malha / Maisa Laila de Ftima Oliveira 2016.
xii, 79 f.: il., grfs, tabs..

Dissertao de mestrado apresentada ao Programa de Ps-Graduao

em Engenharia Eltrica em associao ampla entre a UFSJ e o CEFET-
MG.
Orientadora: rsula do Carmo Resende.
Coorientador: Rafael Silva Alpio.
Banca examinadora: rsula do Carmo Resende, Rafael Silva Alpio,
Fernando Henrique Silveira, Ramon Dornelas Soares.
Dissertao (mestrado) Centro Federal de Educao Tecnolgica de
Minas Gerais.

1. Linhas eltricas subterrneas Teses. 2. Mtodos de Galerkin

Teses. 3. Interpolao Teses. 4. Mtodos sem malha (Anlise numrica)
Teses. 5. Mnimos quadrados Teses. I. Resende, rsula do Carmo.
II. Alpio, Rafael Silva. III. Centro Federal de Educao Tecnolgica de
Minas Gerais. IV. Universidade Federal de So Joo del-Rei. V. Ttulo.

CDD 621.31923

Elaborao da ficha catalogrfica pela Biblioteca-Campus II / CEFET-MG



Dedico este trabalho aos meus pais e

a minha irm, por todo o amor e
confiana.

Ao Lucas, pelo companheirismo e

pacincia.

Agradecimentos

Agradeo primeiramente a Deus por permitir o alcance de mais um xito em minha

vida.
Aos meus pais Jos e Simone, por serem exemplo de fora, sabedoria e coragem. Por
transmitirem valores importantes como humildade, unio e perseverana. Por me
apoiarem nos momentos mais difceis e se alegrarem com cada conquista. Agradeo
principalmente pelo amor e carinho incondicional.
Agradeo minha querida irm Marie, pela amizade e cumplicidade, por permitir
partilhar minhas alegrias e meus anseios. Por tornar a minha caminhada bem mais leve
atravs dos seus conselhos.
Ao meu grande amor, Lucas, pelas inmeras palavras de apoio e incentivo que no
me deixaram desistir deste sonho. Agradeo pelo companheirismo, pela confiana e pela
grande sensibilidade em me ajudar com a sua compreenso, reconhecendo a importncia
desta vitria em nossas vidas. Obrigada por ser um grande exemplo de pacincia e
dedicao.
Agradeo Profa. rsula do Carmo Resende pelo incentivo ao longo da minha
carreira acadmica, por transmitirme parte de seu valioso conhecimento e me fortalecer
durante essa caminhada. Muito obrigada pelas palavras sbias durante toda a orientao.
Gostaria de expressar meus sinceros agradecimentos ao Prof. Rafael Silva Alpio,
meu coorientador, pela sua pacincia e disposio em me ajudar, pelos valiosos
ensinamentos e pelas grandes contribuies no trabalho.
NSA Consultoria e Informtica Ltda., em especial ao Eng. Elilson Eustquio
Ribeiro pelas valiosas discusses, por ser uma grande fonte de inspirao para todos.
Por fim, agradeo a todos que no foram citados, mas que contriburam de forma
direta ou indiretamente para essa conquista.

ii



Resumo

Este trabalho apresenta uma contribuio ao estudo dos sistemas de aterramento

em baixas frequncias utilizando uma tcnica sem malha para a soluo da equao
diferencial parcial associada ao problema. O modelo eletromagntico do sistema de
aterramento desenvolvido a partir das equaes de Maxwell para uma configurao
composta por uma haste vertical. O mtodo sem malha utilizado o ElementFree
Galerkin Method baseado no Mtodo dos Mnimos Quadrados Mveis Interpolantes. So
propostas duas metodologias para representar a estrutura fsica da haste de
aterramento ao modelo computacional. A primeira delas considera uma distribuio de
ns representando a superfcie da haste e a segunda, considera a haste representada por
um modelo filamentar juntamente com o ajuste do tamanho do domnio de influncia da
funo de forma dos ns ao longo da haste. Para a implementao do modelo
eletromagntico foi desenvolvida uma ferramenta computacional utilizandose o
ambiente MATLAB. Os resultados de potenciais no solo e resistncia de aterramento
para a haste inserida em solo homogneo, bem como, em solo estratificado em duas
camadas, foram comparados com valores obtidos a partir da aplicao do Mtodo dos
Momentos, demonstrando a validade e a preciso da tcnica desenvolvida.


Palavras Chaves: Aterramento eltrico, IEFGM, Mtodo sem Malha, MLS.

iii



Abstract

This work presents a contribution to the study of grounding systems at low

frequencies using a meshless method for the solution of the partial differential equation
associated to the problem. The electromagnetic model of the grounding system is
developed from the Maxwell equations for a configuration consisting of a vertical rod. The
meshless method used is the ElementFree Galerkin Method based on the Interpolating
Moving Least Squares Method. Two methodologies are proposed to represent the physical
structure of the grounding rod into the computational model. The first one considers a
distribution of nodes representing the surface of the rod and the second considers the rod
represented by a filament model, along with the adjustment of the influence domain size of
the nodes shape function along the rod. For the implementation of the electromagnetic
model, a computational tool was developed using the MATLAB environment. The results of
the potentials on the soil surface and the ground resistance for the rod inserted in uniform
soil, as well as in stratified twolayer soil model, were compared with values obtained from
the application of the Method of Moments, demonstrating the validity and precision of the
developed technique.


Keywords: Grounding system, IEFGM, Meshless Method, MLS.

iv



Sumrio

Resumo ............................................................................................................................................... iii

Abstract ............................................................................................................................................... iv
Sumrio ................................................................................................................................................ v
Lista de Figuras .............................................................................................................................. vii
Lista de Tabelas ................................................................................................................................ ix
Lista de Abreviaturas ...................................................................................................................... x
Captulo 1 ............................................................................................................................................ 1
Introduo .......................................................................................................................................... 1
1.1. Relevncia do Tema .............................................................................................................................. 1
1.2. Contextualizao do Trabalho .......................................................................................................... 3
1.3. Objetivos .................................................................................................................................................... 4
1.4. Metodologia .............................................................................................................................................. 4
1.5. Organizao do Texto ........................................................................................................................... 5
Captulo 2 ............................................................................................................................................ 6
Aterramentos Eltricos em Baixas Frequncias ................................................................... 6
2.1. Introduo ................................................................................................................................................. 6
2.2. Aspectos Bsicos do Comportamento dos Sistemas de Aterramento em Baixas
Frequncias ....................................................................................................................................................... 7
2.3. Modelagem do Solo ............................................................................................................................ 10
2.4. Funes Bsicas do Aterramento ................................................................................................. 11
2.5. Arranjos Tpicos de Aterramento ................................................................................................ 14
2.6. Modelo Matemtico ............................................................................................................................ 15
2.6.2.1. Mtodos Numricos Integrais ..................................................................................................... 16
2.6.2.2. Mtodos Numricos Diferenciais ............................................................................................... 18
2.7. Consideraes Finais ......................................................................................................................... 22
Captulo 3 ......................................................................................................................................... 23
Mtodos sem Malha ...................................................................................................................... 23
3.1. Introduo .............................................................................................................................................. 23
v



3.2. Conceitos bsicos ................................................................................................................................ 23

3.3. O Mtodo ElementFree Galerkin (EFGM) ............................................................................... 25
3.3.2. Mtodo de Galerkin .................................................................................................................................. 28
3.4. Modelagem Matemtica do EFGM ............................................................................................... 30
3.5. Integrao Numrica ......................................................................................................................... 35
3.6. Critrio de Visibilidade ..................................................................................................................... 36
3.7. Consideraes Finais ......................................................................................................................... 36
Captulo 4 ......................................................................................................................................... 38
Resultados ........................................................................................................................................ 38
4.1. Introduo .............................................................................................................................................. 38
4.2. Aplicao do Mtodo IEFGM ao Sistema de Aterramento Eltrico ............................... 38
4.2.1. Descrio do Sistema de Aterramento Eltrico ............................................................................ 38
4.2.2. Parmetros do IEFGM ............................................................................................................................. 39
4.3. Clculo do Erro ..................................................................................................................................... 41
4.4. Modelagem do Raio da Haste de Aterramento ....................................................................... 42
4.5. Sistemas de Aterramento Utilizando Hastes Verticais ....................................................... 44
4.6. Avaliao do Domnio Computacional do Problema ........................................................... 45
4.6.1. Potencial na Fronteira d ...................................................................................................................... 46
4.7. Clculo da Resistncia de Aterramento ..................................................................................... 51
4.8. Avaliao da Distribuio no Uniforme de Ns ................................................................... 54
4.9. Proposta de Representao de Hastes Convencionais ....................................................... 57
4.10. Estudo de Caso Solo Homogneo .............................................................................................. 60
4.11. Estudo de Caso Solo Heterogneo ............................................................................................. 63
4.12. Consideraes Finais ...................................................................................................................... 67
Captulo 5 ......................................................................................................................................... 69
Concluses ....................................................................................................................................... 69
5.1. Introduo .............................................................................................................................................. 69
5.2. Principais Contribuies .................................................................................................................. 71
5.3. Propostas de Continuidade ............................................................................................................. 72
Referncias Bibliogrficas ......................................................................................................... 73

vi



Lista de Figuras

Figura 21 Circuito equivalente de uma pequena parte do aterramento eltrico adaptada de [16]. ............ 7
Figura 22 Simplificao do circuito equivalente de uma pequena parte do aterramento eltrico para
solicitaes de fenmenos de baixa frequncia............................................................................................................... 8
Figura 23 Solo estratificado em duas camadas horizontais de resistividades distintas. .................................... 11
Figura 24 Representao da tenso de passo adaptada de [16]. ............................................................................... 12
Figura 25 Representao da tenso de toque adaptada de [16]. ............................................................................... 13
Figura 26 Representao da tenso de transferncia adaptada de [16]. ............................................................... 13
Figura 27 Sistema de aterramento constitudo de uma haste de aterramento inserida verticalmente em
solo homogneo. ......................................................................................................................................................................... 19
Figura 28 Simplificao do problema de aterramento. ..................................................................................................... 21
Figura 31 Distribuio de ns espalhados sobre um domnio 2D. ............................................................................... 24
Figura 32 Domnios de influncia circulares distribudos por todo o domnio do problema. ......................... 25
Figura 33 Domnio de suporte xq de um ponto xq. .......................................................................................................... 28
Figura 34 Comparao entre as funes janela utilizadas no MLS e no IMLS. ........................................................ 35
Figura 35 Demonstrao do critrio de visibilidade. (a) situao anterior aplicao do critrio e (b)
aps aplicao do critrio. .................................................................................................................................................. 36
Figura 41 Sistema de aterramento composto por uma haste vertical. ....................................................................... 39
Figura 42 Exemplo de distribuio dos ns no domnio do problema. ...................................................................... 40
Figura 43 Exemplo de distribuio dos pontos de integrao no domnio do problema. .................................. 41
Figura 44 Exemplo de distribuio dos ns. (a) Proposta Raio Real (PRR) e (b) Proposta Raio
Equivalente (PRE). ..................................................................................................................................................................... 44
Figura 45 Potenciais no nvel do solo calculado a partir do IEFGM e do MoM. ...................................................... 45
Figura 46 Erro percentual para o potencial eltrico ao nvel do solo em funo da distncia. ....................... 48
Figura 47 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 0,01 V para a haste encapsulada com raio 0,1
m. ....................................................................................................................................................................................................... 49
Figura 48 Potencial ao nvel do solo calculado a partir do IEFGM e do MoM. Aproximao do potencial
eltrico em d. ............................................................................................................................................................................. 50
Figura 49 Processo de busca da equipotencial para o clculo do campo eltrico . (a) equipotencial
prxima ao aterramento e (b) equipotencial afastada do aterramento. ........................................................... 53
Figura 410 Distribuio no uniforme de ns. ...................................................................................................................... 55
Figura 411 Potenciais ao nvel do solo. ..................................................................................................................................... 61
Figura 412 Distribuio de potenciais no solo. ..................................................................................................................... 62
Figura 413 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 20 V. ................................................................................ 62

vii



Figura 414 Distribuio de campo eltrico no solo. ............................................................................................................ 63

Figura 415 Sistema de aterramento composto por uma haste inserido em um solo estratificado em duas
camadas. ......................................................................................................................................................................................... 64
Figura 416 Potenciais ao nvel do solo. ..................................................................................................................................... 65
Figura 417 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 15 V. ................................................................................ 66
Figura 418 Equipotencial para o clculo da corrente I para o caso de solo heterogneo. ................................. 67

viii



Lista de Tabelas

Tabela 41 Potencial em d. ........................................................................................................................................................... 50

Tabela 42 e para o potencial ao nvel do solo aproximao do potencial eltrico em d. 51
Tabela 43 Resultados Distribuio uniforme de ns. ................................................................................................... 54
Tabela 44 Resultados Distribuio no uniforme de ns para a haste com rh 0,05 m. .......................... 56
Tabela 45 Resultados Distribuio no uniforme de ns para outras configuraes de aterramento. .. 56
Tabela 46 Resultados IEFGM PRE para as hastes convencionais. ........................................................................... 59
Tabela 47 Resultados IEFGM PRE para as hastes encapsuladas. ............................................................................. 59
Tabela 48 Resultados IEFGM Caso real. .............................................................................................................................. 61
Tabela 49 Resultados IEFGM Caso solo heterogneo. .................................................................................................. 66

ix



Lista de Abreviaturas

AP Aproximao Proposta
CEFET Centro Federal de Educao Tecnolgica de Minas Gerais
CEMIG Companhia Energtica de Minas Gerais
DEM Diffuse Element Method Mtodo dos Elementos Difusos
EDP Equao Diferencial Parcial
EFGM Element FreeGalerkin Method Mtodo de Galerkin sem Elemento
FEM Finite Element Method Mtodo dos Elementos Finitos
FPM Finite Point Method Mtodo de Ponto Finito
GEA Grupo de Eletromagnetismo Aplicado
GPR Grounding potential rise Elevao de potencial do sistema de aterramento
IEFGM Interpolating ElementFree Galerkin Method Mtodo dos Elementos Livres de
Galerkin Interpolantes
IMLS Interpolating Moving Least Squares Mnimos Quadrados Mveis Interpolantes
LT Linha de Transmisso
MATLAB Matrix Laboratory
MLPG Meshless Local PetrovGalerkin Mtodo Local de PetrovGalerkin sem Malha
MLS Moving Least Squares Mnimos Quadrados Mveis
MM Meshless Methods Mtodos sem Malha
MoM Method of Moments Mtodo dos Momentos
NBR Norma Brasileira
NN Nmero de ns
NPI Nmero de pontos de integrao
PRE Proposta Raio Equivalente
PRR Proposta Raio Real
PVC Problemas de Valor de Contorno
RGN Relao entre o nmero de pontos de integrao e o nmero de ns nos mtodos sem
malha
RKPM Reproducing Kernel Particle Method Mtodo de Partcula com Ncleo Reproduzido
SPH Smoothed Particle Hydrodynamics Method Mtodo Partcula Hidrodinmica
Suavizada
UFSJ Universidade Federal de So Joo Del Rei

Lista de Smbolos

Base polinomial completa

Campo eltrico
x Coeficiente desconhecido do n I
x Coeficientes desconhecidos e que dependem da posio de x
V I Coeficientes indeterminados
L Comprimento da haste de aterramento
Condutividade eltrica
Constante escalar para o domnio de influncia
r, , z Coordenadas do sistema cilndrico
I Corrente eltrica
Densidade de corrente eltrica
Distncia entre os ns
Domnio do problema
Domnio de influncia da funo janela
Domnio do problema
Domnio fechado
Erro mdio
Erro mximo
Erro relativo
Erro residual
Espao de funes lineares de dimenso infinita
Espao de dimenso finita
Fator de proporcionalidade para o tamanho da regio 1 para a distribuio de ns no
uniforme
Fator de proporcionalidade para o espaamento dos ns na regio 2 para a
distribuio de ns no uniforme
Frequncia angular
Fronteira de Neumann
Fronteira de Dirichlet
Fronteira do domnio do problema
Funo de forma
Funo Janela
V Funo Local

xi



Funo de ponderao
Interface entre meios homogneos
Matriz dos coeficientes do IEFGM
M Nmero de ns envolvidos na aproximao
Nmero de termos da base polinomial
Nmero de pontos onde a soluo avaliada
N Nmero total de ns
Permissividade eltrica
V Potencial escalar eltrico
V Potencial eltrico da haste de aterramento
R Raio do domnio do problema
r Raio da haste de aterramento
Resistividade eltrica
R Resistncia eltrica
Soluo obtida a partir do MoM
Soluo obtida a partir do IEFGM
Vetor normal

xii



Captulo 1

Introduo

1.1. Relevncia do Tema

O aterramento eltrico um elemento de fundamental importncia para os

sistemas eltricos, sendo esse, uma ligao intencional a terra com o objetivo de
dispersar as correntes de falta para o solo, sem provocar diferenas de potenciais ou
tenses induzidas perigosas para os seres vivos ou que possam danificar equipamentos
de instalaes localizadas nas proximidades [1].
Os sistemas de aterramento so projetados, na maioria das situaes, para
atender a solicitaes lentas como, por exemplo, aquelas associadas s correntes de
curtocircuito. Por isso, importante analisar o comportamento do aterramento em
baixa frequncia. Essa anlise pode ser realizada a partir da resistncia de aterramento e
da distribuio de potenciais no solo, que so parmetros tpicos de projetos de
aterramento.
A obteno desses parmetros est diretamente relacionada com o modelo do
solo em que os eletrodos esto inseridos, expresso por suas caractersticas
eletromagnticas e sua estratificao em camadas. Por essa razo, a correta modelagem
do solo um fator fundamental em estudos de aterramento.
As primeiras solues propostas para a obteno dos parmetros resistncia de
aterramento e distribuio de potenciais basearamse em tcnicas analticas [2],
permitindo a soluo apenas para configuraes de aterramento mais simples.
Entretanto, com o aumento da capacidade de processamento, foi possvel tratar
problemas de aterramento mais complexos por meio de mtodos numricos
computacionais, capazes de obter solues com um grau maior de exatido. Dentre os
mtodos computacionais mais utilizados para a soluo das equaes associadas a
problemas de aterramento destacamse o Mtodo dos Elementos Finitos (Finite Element
Method FEM) [3], o Mtodo dos Momentos (Method of Moments MoM) [4] e o Modelo

Eletromagntico Hibrido (Hybrid Electromagnetic Model HEM) [5]. O primeiro deles faz
parte de uma categoria de mtodos denominada de mtodos diferenciais, enquanto o
MoM e o HEM fazem parte da categoria de mtodos integrais. Os mtodos diferenciais
tem como vantagens a capacidade de tratar naturalmente os meios heterogneos e a
gerao de um sistema matricial esparso. Como desvantagem, destacase necessidade da
delimitao do domnio para problemas abertos. Alm disso, dependendo da dimenso
do arranjo de aterramento analisado, a modelagem do domnio do problema pode
implicar alto custo computacional, uma vez que o mtodo requer a gerao de uma
malha. Os mtodos integrais, por sua vez, so bastante apropriados para anlises de
problemas de aterramento por tratarem de forma natural problemas a fronteiras
abertas. Porm, apresentam dificuldade em considerar meios heterogneos, como o
caso de solos reais em que os eletrodos so inseridos.
Em razo dessas limitaes, nas ltimas dcadas foi desenvolvida uma nova
classe de mtodos para soluo de Equaes Diferenciais Parciais (EDP). Esses mtodos
so conhecidos como Mtodos sem Malha (Meshless Methods MM) por no requerem a
utilizao de uma malha [6]. O principal objetivo deste tipo de abordagem eliminar a
estrutura da malha e aproximar a soluo usando apenas uma nuvem de ns espalhados
por toda a regio de interesse. Esses ns no esto conectados entre si e no h
nenhuma relao prdefinida entre eles. Essa caracterstica torna os MM apropriados
para lidar com geometrias complexas e com nohomogeneidades.
Entre os MM disponveis na literatura, o Mtodo de Galerkin sem Elemento
(ElementFree Galerkin Method EFGM) [7] um dos mais investigados, pois
extremamente robusto, tem boa taxa de convergncia e, embora exija o uso de uma
clula de fundo para realizar a integrao numrica, o processo de integrao no
depende da distribuio de ns. O EFGM acopla o Mtodo dos Mnimos Quadrados
Mveis (Moving Least Squares MLS) com a forma fraca de Galerkin. Entretanto, o MLS
fornece funes de forma que no satisfazem a propriedade do delta de Kronecker,
assim, so necessrias tcnicas adicionais para impor as condies de contorno
essenciais e para tratar as descontinuidades de materiais devido propriedade no
interpoladora da aproximao. Para superar essa restrio, podese utilizar uma funo
de peso singular no processo de construo da funo de forma. Este procedimento
conhecido como Mtodo dos Mnimos Quadrados Mveis Interpolantes (Interpolating
Moving Least Squares IMLS). O EFGM utilizando o IMLS chamado de Mtodo de
2



Galerkin sem Elemento Interpolante (Interpolating ElementFree Galerkin Method

IEFGM).
Assim, tendo em vista as vantagens dos MM aqui descritas, tais como, serem
apropriados para lidar com geometrias complexas e com nohomogeneidades, alm da
eficincia do IEFGM para tratar diferentes tipos de problemas envolvendo EDP [8][14],
neste trabalho apresentada uma nova aplicao para o IEFGM, que corresponde
soluo de problemas de aterramento eltrico em baixas frequncias. Essa aplicao
inovadora por se tratar de uma abordagem ainda no explorada pelos mtodos sem
malha e, portanto, desafiadora no sentido de buscar uma forma de tornar o mtodo
eficiente para esse tipo de problema.

1.2. Contextualizao do Trabalho

O Grupo de Eletromagnetismo Aplicado (GEA) do CEFETMG tem como objetivo

principal, a investigao e a aplicao de mtodos numricos voltados para a obteno
de novas formas de solues para problemas de eletromagnetismo e projeto de
equipamentos eletromagnticos. Dentre as principais tcnicas investigadas pelo GEA
destacamse: Mtodo dos Elementos Finitos, Mtodo das Diferenas Finitas no Domnio
do Tempo, Mtodos dos Momentos e Mtodos sem Malha. Este ltimo, objeto de
estudo desta dissertao, que pretende dar continuidade aos desenvolvimentos
realizados pelo grupo, aplicando o mtodo de forma indita em problemas de
aterramento. Alguns dos trabalhos desenvolvidos pelo GEA que utilizaram os mtodos
sem malha so:
Anlise paramtrica do mtodo sem malha ElementFree Galerkin em
problemas eletrostticos [9].
Tcnicas de computao paralela aplicadas em mtodos sem malha [15].
Mtodo sem malhas EFG aplicado a um espalhamento eletromagntico por
um cilindro dieltrico infinito [12].
Analysis of ElementFree Galerkin interloping moving least square method
in an electrostatic problem [11].
A meshless approach using EFG interpolating moving leastsquares method
in 2d electromagnetic scattering analysis [10].
3



Desenvolvimento do mtodo hbrido IEFGMMoM aplicado soluo do

espalhamento eletromagntico em duas dimenses [14].
Otimizao do mtodo meshless EFG aplicado a problemas de
espalhamento eletromagntico utilizando algoritmo de evoluo
diferencial [13].

1.3. Objetivos

O objetivo principal deste trabalho consiste na modelagem, em baixas

frequncias, do sistema de aterramento composto por uma haste inserida em um solo
com caractersticas homogneas utilizando o Mtodo sem Malha IEFGM. Como objetivos
especficos podese destacar:
Desenvolvimento do ferramental terico, analtico e numrico sobre o
IEFGM;
Estabelecimento de uma modelagem matemtica do sistema de
aterramento composto por uma haste, quando solicitado por fenmenos
de baixas frequncias;
Desenvolvimento de um cdigo computacional para a modelagem do
sistema de aterramento a partir do mtodo sem malha IEFGM;
Desenvolvimento de tcnicas para considerar o efeito do raio da haste de
aterramento utilizando o IEFGM;
Validao da ferramenta computacional implementada por meio de
comparaes dos resultados obtidos com aqueles gerados pelo MoM;
Verificao da viabilidade da aplicao do IEFGM para a anlise do sistema
de aterramento inserido em solos heterogneos.

1.4. Metodologia

desenvolvida uma modelagem matemtica, em baixas frequncias, para

sistemas de aterramento eltrico baseada na soluo direta das equaes de Maxwell. A
partir dessa formulao elaborada uma ferramenta computacional em ambiente

MATLAB com a implementao do modelo eletromagntico desenvolvido. A soluo do

problema ento obtida a partir da utilizao da tcnica sem malha IEFGM.
A ferramenta computacional elaborada aplicada a sistemas de aterramento
composto por hastes verticais. So apresentadas propostas para a representao do raio
da haste de aterramento utilizandose o IEFGM e assim so avaliados os principais
parmetros de projetos de aterramento, tais como a resistncia de aterramento e a
distribuio de potenciais no nvel do solo considerando a haste cravada em solo
uniforme. Os resultados obtidos so comparados com aqueles gerados a partir do MoM.
Para a anlise do comportamento de hastes de aterramento inseridas em solos
heterogneos a partir do IEFGM apresentado um caso considerando um solo
estratificado em duas camadas horizontais. So avaliados os potenciais desenvolvidos na
superfcie do solo na regio do sistema de aterramento.

1.5. Organizao do Texto

O presente texto est organizado em cinco captulos, incluindo este captulo

introdutrio.
No Captulo 2 so apresentados os aspectos bsicos relacionados ao
comportamento de sistemas de aterramento em baixas frequncias. Um breve estudo do
estado da arte sobre a modelagem matemtica de aterramentos eltricos tambm
apresentado neste captulo.
No Captulo 3 feita uma breve introduo sobre a tcnica sem malha.
apresentada a modelagem matemtica do IEFGM descrevendo os aspectos do mtodo
aplicado ao problema de aterramento.
No Captulo 4 o IEFGM aplicado ao problema de aterramento constitudo por
uma haste inserida em um solo homogneo. Os resultados obtidos so comparados com
aqueles gerados a partir do MoM. Nesse captulo tambm feita uma anlise, para um
caso, considerando um solo estratificado em duas camadas horizontais.
No Captulo 5 so apresentadas as concluses, ressaltando as principais
contribuies, as dificuldades encontradas e apresentando as propostas de continuidade
do trabalho.

Captulo 2

Aterramentos Eltricos em Baixas Frequncias

2.1. Introduo

O tema aterramentos eltricos tm despertado o interesse de muitos

pesquisadores ao longo dos anos. Isso se justifica pela importncia desse elemento para
os sistemas de potncia, tanto do ponto de vista de desempenho do sistema quanto da
segurana de seres vivos. Um sistema de aterramento composto basicamente pelas
conexes eltricas que ligam o sistema a ser aterrado aos eletrodos, pelos eletrodos de
aterramento propriamente ditos e pela terra que envolve tais eletrodos [16].
Os eletrodos so condutores metlicos enterrados no solo a certa profundidade.
Sua forma bem como sua disposio geomtrica no solo, d origem s diversas
configuraes de sistemas de aterramento. Dentre as configuraes mais usuais e de
aplicao prtica, destacamse as hastes dispostas verticalmente, os cabos contrapesos e
as malhas de aterramento, ambos dispostos horizontalmente no solo.
Para a avaliao do comportamento do aterramento frente a solicitaes eltricas
importante modelar o meio em que os eletrodos esto inseridos, ou seja, o solo. A
correta determinao de parmetros tpicos de projeto, tais como resistncia de
aterramento e distribuio de potenciais, depende diretamente do modelo de solo
empregado, expresso por suas caractersticas eletromagnticas e sua estratificao em
camadas.
Na maioria das situaes de projeto, o aterramento dimensionado para atender
a solicitaes lentas como, por exemplo, aquelas associadas s correntes de curto
circuito. Nesse sentido, pertinente analisar o comportamento do aterramento nas
condies particulares de baixa frequncia, bem como detalhar alguns conceitos
importantes nessa faixa do espectro. Este o objetivo principal deste captulo, alm de
apresentar um breve estudo do estado da arte sobre a modelagem matemtica de

aterramentos eltricos. Ressaltase que as informaes contidas neste captulo so

baseadas na referncia [16].

2.2. Aspectos Bsicos do Comportamento dos Sistemas de Aterramento em

Baixas Frequncias

Os aterramentos, em geral, so modelados considerandose os efeitos resistivo,

indutivo e capacitivo, cada qual influenciando de forma especfica a conduo de
corrente para a terra. Esses efeitos caracterizam a impedncia de aterramento, que um
parmetro importante para a compreenso da natureza do sistema de aterramento.
A impedncia de aterramento pode ser entendida como a oposio oferecida pelo
aterramento disperso da corrente eltrica para o solo. Com o objetivo de ilustrar o
conceito de impedncia de aterramento, na Figura 21 apresentado um circuito
eltrico equivalente simplificado que representa uma pequena parte de um eletrodo de
aterramento enterrado no solo. Esse elemento representativo de uma parte do eletrodo
possui duas fontes de corrente distintas associadas: uma transversal, I , que
dispersada para o solo e uma longitudinal, I , que transferida para o restante do
eletrodo.

Figura 21 Circuito equivalente de uma pequena parte do aterramento eltrico

adaptada de [16].

A corrente transversal est associada disperso de correntes condutivas e

capacitivas para o solo. Esses efeitos so representados de forma equivalente na
Figura 21 por meio de uma condutncia G e uma capacitncia C em paralelo. A corrente
de conduo I proporcional condutividade eltrica do solo, , estando em fase com a
tenso transversal V , enquanto que a corrente de deslocamento ou capacitiva I
proporcional ao produto da frequncia angular associada ao fenmeno solicitante pela

permissividade eltrica do solo, , estando defasada em relao tenso transversal V

de 90. Vale mencionar que a relao entre essas correntes, condutiva e de
deslocamento (ou capacitiva), no depende das caractersticas geomtricas do eletrodo
de aterramento e sim unicamente das propriedades do solo e da frequncia.
A corrente longitudinal est associada s perdas internas do material condutor e
aos efeitos de natureza indutiva devido ao campo magntico produzido dentro e fora do
condutor quando da passagem da corrente I . Na Figura 21, esses efeitos so
representados de forma equivalente, respectivamente, por uma resistncia R e por uma
indutncia em srie L.
No caso de solicitaes lentas, algumas simplificaes podem ser consideradas no
circuito da Figura 21. Em funo do valor reduzido de frequncia, a reatncia
longitudinal (de natureza indutiva) e a susceptncia transversal (de natureza capacitiva)
podem ser desprezadas, uma vez que so ambas proporcionais frequncia. Tambm,
podese desconsiderar a resistncia longitudinal j que, nessa faixa de frequncia, a
queda de tenso ao longo do eletrodo desprezvel. Assim, o aterramento pode ser
basicamente representado apenas por sua condutncia transversal, conforme ilustrado
na Figura 22. O inverso dessa condutncia corresponde ao difundido conceito de
resistncia de aterramento. Vale lembrar que a representao do circuito da Figura 22
simplificada e que, em uma avaliao mais rigorosa, o aterramento seria representado
por uma srie de condutncias em paralelo, assegurandose a incluso dos efeitos
condutivos mtuos entre elas. O inverso do equivalente desse paralelo fornece a
resistncia de aterramento.

Figura 22 Simplificao do circuito equivalente de uma pequena parte do aterramento

eltrico para solicitaes de fenmenos de baixa frequncia.

Com base no exposto, na condio de baixas frequncias, o aterramento eltrico

pode ser representado, de forma simplificada, por uma resistncia e no mais por uma
impedncia complexa. Tal resistncia, denominada neste estudo de R, corresponde

razo entre a elevao de potencial no aterramento em relao ao infinito, V, e a

corrente que circula pelo aterramento, I, ou seja:

V
R . (2.1)
I

Das consideraes realizadas, depreendese tambm que a corrente que dispersa
para o solo pelo aterramento possui, no caso de baixas frequncias, natureza condutiva.
Tal corrente provoca elevaes de potencial no entorno do aterramento, inclusive na
superfcie do solo. A determinao da distribuio dos potenciais no solo de
fundamental importncia, uma vez que, dependendo da diferena de potencial entre
dois pontos na regio prxima ao aterramento, podese colocar em risco a segurana dos
seres vivos. Alm disso, equipamentos podem sofrer danos. Uma descrio mais
detalhada desses potenciais apresentada na Seo 2.4.
A quantificao da resistncia de aterramento e da distribuio de potenciais
depende das caractersticas do solo em que o sistema de aterramento est enterrado,
mais especificamente de sua resistividade eltrica ( = 1/), no caso de solicitaes
lentas. Em particular, podese mostrar que, para o caso de um solo homogneo, a
resistncia de aterramento e os potenciais no nvel do solo relacionamse com a
resistividade do solo por meio de um fator de proporcionalidade que depende da
dimenso e da forma dos eletrodos de aterramento. Nesse sentido, a correta modelagem
do solo uma tarefa fundamental em projetos de sistemas de aterramento.
O solo, em geral, apresenta uma estrutura complexa no que se refere sua
composio. Na maioria dos casos ele no pode ser considerado homogneo e
modelado por uma srie de camadas com diferentes resistividades. Fatores tais como, a
umidade, a concentrao de sais, a temperatura e a compactao do solo influenciam a
resistividade do solo. Dada a importncia da modelagem do solo nos clculos
envolvendo aterramentos eltricos, a Seo 2.3 apresenta, de forma sucinta, alguns
aspectos relevantes relativos a essa modelagem no mbito de fenmenos de baixas
frequncias.

2.3. Modelagem do Solo

A resistividade do solo tem influncia significativa sobre o projeto do sistema de

aterramento; por isso, de fundamental importncia entender o seu conceito. So
muitos os fatores que influenciam a resistividade do solo. Isso dificulta o
desenvolvimento de equaes que estabeleam um valor para a resistividade, em funo
desses fatores. A soluo para esta questo consiste na realizao de medies no local
de instalao do aterramento para determinao experimental da resistividade do solo.
A medio de resistividade efetuada basicamente de duas formas: medio por
amostragem e/ou medio local. A primeira delas realizada em laboratrio, ensaiando
se uma amostra de solo coletada no local cuja resistividade desejase conhecer. J a
segunda forma realizada em campo detectandose os potenciais estabelecidos no meio
quando se faz circular uma corrente pelo solo atravs de eletrodos posicionados
adequadamente nesse meio, sendo comumente utilizados os mtodos de Frank
Wenner [17] e de Schlumberger [18].
Em muitos casos, o mtodo de medio por amostragem no apresenta
resultados precisos, pois a amostra do solo coletada pode no representar exatamente
as caractersticas predominantes do solo. Mesmo no caso de se ter muitas amostras,
ainda assim, no se pode garantir que tais amostras configurem com fidelidade a
composio do solo, devido propriedade de anisotropia do meio. Tais inconvenientes
fazem com que a medio local de resistividade diretamente em condies de campo
seja a mais empregada.
A partir dos resultados de medio pode ser estabelecido um modelo que
descreva determinadas caractersticas do solo. Conforme mencionado anteriormente, o
solo um meio complexo e, raramente, pode ser considerado homogneo. Na prtica,
recorrese aos modelos de estratificao do solo, os quais consideram sua constituio
em diversas camadas, cada qual com um valor especfico de resistividade e espessura
definida. A Figura 23 apresenta uma estratificao do solo em duas camadas
horizontais, comumente utilizada em engenharia. Vale ressaltar que, quanto maior o
nmero de camadas, mais complexa tornase a modelagem.

10



Superfcie do solo

1 d1

2 d2 =

Figura 23 Solo estratificado em duas camadas horizontais de resistividades distintas.

2.4. Funes Bsicas do Aterramento

O aterramento pode desempenhar diferentes funes no sistema eltrico. Para

atender a essas diversas funes ele pode assumir topologias variadas, considerandose
a forma, o posicionamento e a dimenso dos eletrodos. Entretanto, apesar dessa gama
de aplicaes, o projeto de um sistema de aterramento tem sempre como base dois
fatores fundamentais:
O desempenho do sistema aterrado;
A segurana de seres vivos e a proteo de equipamentos.
O desempenho do sistema aterrado est relacionado diretamente com o valor de
sua resistncia ou impedncia, dependendo do caso. Quando da ocorrncia de uma falta
no sistema que envolva a terra, essa resistncia responsvel por limitar a corrente que
flui para a terra e/ou a elevao de potencial resultante. Em alguns casos, a obteno de
baixas resistncias de aterramento est relacionada com a filosofia de proteo do
sistema eltrico. Valores baixos de resistncia permitem a circulao de altos valores de
corrente de curtocircuito resultando em uma atuao mais rpida da proteo. Ainda,
tambm desejvel um aterramento com baixo valor de resistncia naqueles casos em
que o solo empregado como um condutor de retorno, por exemplo, em sistemas
monofsicos com retorno pela terra (MRT) e em linhas de transmisso de corrente
contnua em operao monopolar.
Alm de prover um caminho de baixa resistncia para faltas no sistema eltrico
ou para circulao de correntes de retorno, outro objetivo importante do aterramento

11



o de promover a distribuio segura dos potenciais gerados no solo garantindo, assim, a

segurana dos seres vivos.
A circulao de uma corrente de falta, I , atravs de um sistema de aterramento
provoca uma elevao de potencial em relao ao terra remoto (grande distncia ao
aterramento), dada pelo produto da resistncia do aterramento pela corrente injetada
no mesmo. O valor dessa elevao de potencial, GPR 1, juntamente com a distribuio de
potenciais no nvel do solo so importantes para a determinao dos parmetros
relacionados com o nvel de segurana do aterramento: tenso de passo, tenso de toque
e tenso de transferncia.
A tenso de passo representa a mxima diferena de potencial estabelecida entre
os ps de uma pessoa, distanciados de um metro, quando h passagem de corrente pelo
aterramento. A Figura 24 ilustra esse conceito.

If

Vpasso

Perfil de potencial no solo

1 m

Figura 24 Representao da tenso de passo adaptada de [16].

J a tenso de toque definida como sendo a mxima diferena de potencial entre

mos e ps a que ficaria submetida uma pessoa em contato com uma parte metlica
ligada ao aterramento, durante o fluxo de corrente pelo mesmo. Esse conceito considera
a pessoa afastada de um metro da estrutura tocada, conforme ilustrado na Figura 25.

1 GPR Grounding Potential Rise. Sigla em ingls bastante utilizada no meio tcnico para designar a
elevao de potencial do sistema de aterramento em relao ao terra remoto.
12



If
Vtoque

Perfil de potencial no solo

1 m

Figura 25 Representao da tenso de toque adaptada de [16].

A Figura 26 ilustra o conceito de tenso de transferncia, que corresponde a um

caso extremo em que a pessoa submetida a uma diferena de potencial igual ao GPR.
Tratase de um caso especial da tenso de toque em que a pessoa est posicionada no
terra remoto e entra em contato com alguma parte metlica conectada aos eletrodos do
aterramento, durante o fluxo de corrente pelo mesmo. Nesse caso, o potencial dos
eletrodos transferido para a pessoa, que fica submetida a uma diferena de potencial
igual ao GPR desenvolvido no sistema de aterramento.
If

Vtransferida
Perfil de
potencial no solo

Figura 26 Representao da tenso de transferncia adaptada de [16].

As tenses de passo, toque e de transferncia promovem o fluxo de corrente pelo

corpo do ser humano que, eventualmente, esteja localizado na regio prxima ao
sistema de aterramento, podendo provocar danos a sua sade, tais como leses fsicas,
queimaduras e at a morte. As consequncias causadas pela circulao de corrente no

13



corpo esto relacionadas com a magnitude, o tempo de durao e a frequncia dessa

corrente [19]. A determinao de patamares seguros para as tenses citadas
corresponde ao critrio principal de projeto de aterramentos cuja funo primria seja a
segurana de seres vivos.

2.5. Arranjos Tpicos de Aterramento

Os sistemas de aterramento eltrico podem assumir configuraes diversificadas

devido ampla variedade de arranjos de aterramento. O tipo de arranjo a ser utilizado
depende, dentre outros fatores, da rea disponvel para a instalao e da funo
principal a ser desempenhada pelo aterramento. Dentre as configuraes adotadas
destacamse as malhas de aterramento, os cabos contrapesos e as hastes verticais.
As malhas de aterramento so bastante utilizadas em subestaes eltricas,
sendo que os principais conceitos relacionados ao projeto desse tipo de aterramento so
apresentados no IEEE Std 802000 [19] e na ABNT NBR 15751 [20]. Apesar de serem
normas direcionadas para aterramentos de subestaes, as mesmas fornecem uma ideia
ampla sobre aterramentos eltricos em geral.
Os cabos contrapesos, por sua vez, so utilizados, principalmente, em linhas de
transmisso (LTs) de energia eltrica. O comprimento dos cabos contrapesos a serem
instalados variam em funo da resistividade local. Normalmente, esse comprimento
selecionado de modo a reduzir a impedncia de p de torre com a finalidade de
minimizar as sobretenses geradas quando da incidncia de descargas atmosfricas em
LTs.
A utilizao de hastes de aterramento constitui uma das formas mais simples e
mais empregadas como meio de conexo do sistema eltrico a terra. Esse tipo de
configurao predominantemente adotada nos sistemas de aterramento de neutros de
transformadores de redes de distribuio, em linhas de distribuio localizadas em
reas urbanas, em aterramentos de sistemas de telecomunicaes e em sistemas de
aterramento residenciais e prediais.

14



2.6. Modelo Matemtico

O clculo da resistncia de aterramento e da distribuio de potenciais no solo

muito importante em termos de projeto. Existem vrias formas de realizar esse clculo,
sendo elas, divididas basicamente em dois grupos, a saber:
Mtodos analticos;
Mtodos numricos (integrais e diferenciais).
Esses mtodos diferem entre si quanto formulao matemtica adotada para a
obteno dos parmetros do aterramento. Nesta seo apresentada a modelagem
empregada por cada um deles, explicitando suas caractersticas fundamentais. So
descritos tambm, os principais trabalhos da literatura que utilizam cada mtodo.

2.6.1. Mtodos Analticos

Os primeiros trabalhos envolvendo o clculo de grandezas associadas a

aterramentos eltricos tais como a resistncia de aterramento e os potenciais
desenvolvidos na superfcie do solo foram de cunho analtico. Nesta poca, que
compreende a primeira metade do sculo 20, havia uma considervel restrio em se
lidar com solues mais elaboradas envolvendo a modelagem de sistemas de
aterramento, uma vez que a capacidade de processamento computacional era limitada.
Dentre os pesquisadores que contriburam para o desenvolvimento de mtodos
analticos aplicados a sistemas de aterramento destacamse: Dwight [21], Sunde [2],
Gross [22], [23], Tagg [24] e Rudenberg [25].
Os trabalhos desses pesquisadores levaram obteno de frmulas matemticas
simplificadas para a determinao da resistncia de aterramento de arranjos tpicos
compostos por hastes e eletrodos horizontais. Alm disso, as contribuies desses
pesquisadores foram importantes para a elaborao de procedimentos e normas como
[19], [20] que apresentam formulaes analticas simplificadas para o projeto de malhas
de aterramento, quando submetidas a fenmenos de baixas frequncias.
Cabe aqui destacar que a aplicao dos mtodos analticos limitada, uma vez
que uma srie de simplificaes so assumidas para se obter expresses de clculo de
resistncia de aterramento e distribuio de potenciais. Os resultados obtidos a partir de
15



sua utilizao apresentam boa concordncia apenas para configuraes de aterramentos

mais simples. No caso de arranjos de aterramentos mais complexos ou quando se deseja
uma boa exatido na determinao da distribuio de potenciais no nvel do solo, os
mtodos analticos fornecem apenas uma primeira aproximao e tcnicas mais
elaboradas, como as descritas na Subseo 2.6.2, devem ser empregadas.

2.6.2. Mtodos Numricos

Para a obteno de solues com maior grau de exatido recorrese, em geral, a

mtodos numricos, que correspondem a um conjunto de ferramentas adotadas para se
determinar de forma aproximada, solues numricas de problemas descritos por
equaes matemticas. Os mtodos numricos so classificados de acordo com as
caractersticas de tais equaes, podendo ser do tipo integral ou diferencial.
A aplicao dos mtodos numricos para a avaliao dos sistemas de aterramento
comeou a ganhar fora na segunda metade da dcada de 1970 e incio da dcada de
1980, ainda que de forma lenta, em substituio aos mtodos analticos, tendo em vista o
aumento da capacidade de processamento dos computadores.

2.6.2.1. Mtodos Numricos Integrais

Na anlise do comportamento de sistemas de aterramento em baixas frequncias,

uma das classes de mtodos numricos utilizadas para a soluo das equaes obtidas a
partir da aplicao da teoria eletromagntica so os mtodos integrais. Dentre os
mtodos pertencentes a esta categoria, destacase o MoM [4].
A aplicao do MoM em problemas de aterramento eltrico realizada
discretizadose o sistema de aterramento em diversos elementos e a interao entre eles
determinada pela aplicao das equaes do eletromagnetismo.
A equao integral a ser resolvida pelo MoM tem a forma da Equao (2.2). Ela
descreve o comportamento eletromagntico de aterramentos eltricos para
configuraes gerais de aterramento e considerando a aproximao de fio fino.

16



1
V , (2.2)
4

em que, V o potencial ao longo do elemento produzido pela densidade linear de
corrente que deixa o elemento , e so aos comprimentos dos elementos e ,
respectivamente, e corresponde distncia entre cada elemento diferencial ( ) dos
elementos e .
A aplicao do MoM Equao (2.2) realizada, basicamente, da seguinte forma:
Em baixas frequncias, podese assumir que V constante ao longo do sistema de
aterramento e igual a um valor arbitrrio. Nesse caso, a incgnita consiste no integrando
da equao, ou seja, a corrente que dispersa do elemento . Aplicandose o mtodo, a

equao integral reduzida a um sistema de equaes lineares, cuja soluo fornece a

distribuio de corrente ao longo dos eletrodos de aterramento. A partir dessa
distribuio de corrente possvel determinar a resistncia de aterramento e a
distribuio de potenciais no solo.
Alguns trabalhos que adotam essa abordagem, embora com pequenas variaes
de um para o outro, so apresentados em [26][40].
As vantagens em se utilizar o MoM na soluo de problemas de aterramento
residem no fato de que essa tcnica adequada para tratar problemas abertos e de
fcil aplicao em geometrias simples, como o caso das configuraes tpicas de
aterramento.
Por outro lado, ao se utilizar esse mtodo temse dificuldade em se considerar
meios heterogneos, como o caso de solos reais em que os eletrodos esto inseridos.
Embora solos estratificados em camadas horizontais possam ser considerados pela
extenso do Mtodo das Imagens [35], a considerao de meios com mais de duas
camadas leva a um elevado custo computacional, principalmente dependendo do arranjo
de aterramento avaliado. Muitas vezes, adotase um solo homogneo com uma dada
resistividade equivalente, o que nem sempre leva a resultados precisos, sobretudo no
clculo da distribuio de potenciais no nvel do solo.

17



2.6.2.2. Mtodos Numricos Diferenciais

Outra classe de mtodos numricos empregada na modelagem de sistemas de

aterramento so os mtodos diferenciais. Dentre os principais representantes desta
classe, aquele que predomina amplamente no caso de aterramentos eltricos o
FEM [3].
Na aplicao do FEM, o domnio do problema dividido em pequenos
subdomnios com formas e comprimentos arbitrrios, denominados de elementos. Em
cada elemento, os valores dos potenciais so aproximados por meio de funes de
interpolao e, utilizandose o Mtodo dos Resduos Ponderados ou o Mtodo
Variacional, a equao diferencial parcial transformada em uma equao integro
diferencial e, em seguida convertida a um sistema algbrico de equaes [41]. O campo
eltrico, calculado atravs dos valores dos potenciais, utilizado para a obteno da
distribuio de corrente no sistema de aterramento. A partir dessa distribuio de
corrente determinase a resistncia do aterramento.
A grande vantagem da utilizao do FEM na modelagem de sistemas de
aterramento consiste na facilidade de tratar o solo onde o aterramento est inserido
como sendo um meio heterogneo. Como desvantagem, podese destacar a necessidade
do mtodo de delimitar o domnio de problemas abertos, como o caso dos sistemas de
aterramento, o que pode ter impacto na soluo caso no seja realizado de forma
adequada. Outra desvantagem est relacionada com o tamanho do domnio do problema
que, dependendo da dimenso do arranjo de aterramento analisado, pode implicar um
alto custo computacional, uma vez que o mtodo requer a gerao de uma malha.
Trabalhos que utilizam o mtodo dos elementos finitos para a modelagem de sistemas
de aterramento em baixas frequncias so [42][46].
Neste trabalho utilizada uma abordagem diferencial para a modelagem de
sistemas de aterramento eltrico. Em particular, apresentada uma contribuio
inovadora, que corresponde avaliao da aplicabilidade dos MM soluo de
problemas de aterramento. Os mtodos sem malha possuem um histrico recente e tm
sido utilizados de forma eficaz para tratar muitos problemas complexos. Ao contrrio do
FEM, os MM, em especfico o IEFGM, no requerem o uso explcito de malhas.
Assim, neste trabalho, propese uma modelagem a partir de uma configurao

18



Ar z RD

Lh r
Haste Solo
Vh
RD

Figura 27 Sistema de aterramento constitudo de uma haste de aterramento inserida

verticalmente em solo homogneo.

de aterramento composta por uma haste enterrada verticalmente em solo homogneo

de condutividade , definido por um volume semiesfrico de raio RD, submetida a uma
corrente estacionria que provoca uma elevao de potencial V na haste. O problema
ilustrado na Figura 27.
O problema tridimensional associado dissipao da corrente estacionria no
solo pode ser modelado a partir das equaes de Maxwell [47]:

0, 2.3

0, 2.4

, 2.5

em que o campo eltrico e a densidade de corrente eltrica.
A Equao (2.3) indica que em regime estacionrio o campo eltrico
irrotacional, e assim, deve existir um potencial escalar eltrico V, tal que:

V. 2.6

Substituindo (2.6) em (2.5) e (2.4) temse o seguinte problema de contorno:

. V 0 em , 2.7

19



V V em , 2.8

V
0 em , 2.9


em que o domnio do problema, corresponde s fronteiras de Dirichlet, que so
fronteiras onde o potencial V imposto ou conhecido, corresponde s fronteiras de
Neumann, que so fronteiras onde a derivada do potencial na direo normal
conhecida, e o vetor unitrio normal externo .
A equao diferencial (2.7) que descreve o fenmeno, corresponde equao de
Laplace, sujeita s condies de contorno de Dirichlet (2.8) em e de Neumann
homognea (2.9) em . A soluo do problema formulado fornece o potencial eltrico
em qualquer ponto do domnio . Essas equaes so conhecidas como forma forte do
problema. Para alguns casos prticos, como o problema sob estudo, a soluo analtica a
partir da forma forte difcil ou mesmo impossvel. Assim, possvel formular o
problema de modo a admitir condies mais fracas para a soluo e suas derivadas [42].
Para a anlise do sistema de aterramento em estudo, conveniente a adoo do
sistema de coordenadas cilndricas. Assim, a Equao (2.7) pode ser reescrita como:

1 V 1 V V
r 0 em . 2.10
r r r r z

Para se obter a forma fraca da Equao (2.10) aplicase o Mtodo dos Resduos
Ponderados [3], [48], utilizando como funo de ponderao, conforme indicado na
Equao (2.11):

1 V 1 V V
r d 0, 2.11
r r r r z

em que d representa o diferencial de volume, que para este caso igual a rdrddz.
Devido simetria axial do problema, possvel abordlo de forma bidimensional. Para
isso, considerase a parcela V/ da Equao (2.11), igual a zero, uma vez que o
potencial eltrico no varia na direo . Assim, apenas o plano rz considerado,
conforme ilustrado na Figura 28.

20



z
Ar n
Haste
Lh r

Vh
n Solo
n RD

RD

Figura 28 Simplificao do problema de aterramento.

Rearranjando a Equao (2.11) temse:

1 V 1 V
r r rd 0, 2.12
r r r r z z

em que d representa, neste caso, o diferencial de rea que igual a drdz.
Simplificando a Equao (2.12) chegase seguinte expresso:

V V
r r d 0. 2.13
r r z z

Desenvolvendo a Equao (2.13) e efetuandose a integrao por partes temse a
forma fraca do problema dada por:

V V V V
rd r d 0. 2.14
r r z z r z

Considerando , ou seja, a funo de ponderao pertencente a um conjunto
de funes que se anulam em e cujas derivadas primeiras tenham de
quadrado integrvel; e as condies de contorno de Neumann homogneas, o termo da
integral no contorno se anula e a Equao (2.14) se reduz a:

21



V V
rd 0. 2.15
r r z z

Para simplificar a notao utilizada neste estudo, a forma fraca definida pela
Equao (2.15) pode ser escrita da seguinte maneira:

B V, 0, 2.16

em que B V, a forma bilinear simtrica dada por:

V V
B V, rd. 2.17
r r z z

2.7. Consideraes Finais

Neste captulo foram apresentados inicialmente os conceitos bsicos

relacionados com os sistemas de aterramento em baixas frequncias. Foi mostrado que
existem vrias tcnicas para calcular as grandezas relacionadas com o aterramento,
sendo uma delas, a partir de mtodos numricos. Dentro desse grupo de mtodos
existem os mtodos integrais e diferenciais. Para a classe de mtodos diferenciais foi
apresentada uma modelagem matemtica para o problema de uma haste de
aterramento inserida em solo homogneo. Foi obtida a forma fraca do problema
analisado para ser solucionada pelo MM.

22



Captulo 3

Mtodos sem Malha

3.1. Introduo

Neste captulo apresentada a modelagem matemtica do mtodo sem malha

IEFGM que ser aplicada no estudo de aterramento. So tambm expostos os mtodos
para construo das funes de forma usando o MLS e o IMLS. Ao final do captulo
apresentado o critrio de visibilidade utilizado pelo IEFGM no tratamento de interfaces
entre regies com diferentes materiais.

3.2. Conceitos Bsicos

Os fenmenos fsicos analisados em engenharia requerem frequentemente a

utilizao de ferramentas computacionais para a soluo das equaes diferenciais
parciais ou integrais que os governam. No caso das equaes diferenciais, essas
ferramentas computacionais utilizam mtodos numricos para a obteno de uma
soluo para o problema de valor de contorno.
Ao longo dos anos, os mtodos numricos mais empregados para este fim tm
sido os mtodos baseados em malha. Esses mtodos tm como caracterstica, a
discretizao do domnio do problema utilizandose uma grade. A despeito dessa grande
utilizao, os mtodos baseados em malha apresentam dificuldades e um gasto
computacional alto para gerar malhas adequadas a problemas cujo domnio apresenta
descontinuidades, fronteiras mveis ou deformaes [10]. Essas limitaes tm levado a
busca de alternativas ao uso de tais mtodos. Uma das alternativas promissoras refere
se utilizao da classe de mtodos sem malha.
Os mtodos sem malha possuem um histrico recente e tem sido utilizado de
forma eficaz para tratar muitos problemas complexos de serem resolvidos a partir de
outros mtodos computacionais. A tcnica surgiu por volta de 1977 com o Mtodo
23



Hidrodinmica de Partculas Suavizado (Smoothed Particle Hydrodynamics SPH) [49].

Contudo, apenas nos ltimos vinte anos essa classe de mtodos tem recebido uma
ateno maior da comunidade cientfica, o que se reflete na quantidade de trabalhos
propondo mtodos que utilizam a tcnica. Entre os mais conhecidos e difundidos
destacase o Mtodo de Elemento Difuso (Diffuse Element Method DEM) [50], EFGM [7],
Mtodo de Partcula com Ncleo Reproduzido (Reproducing Kernel Particle Method
RKPM) [51], Mtodo de Ponto Finito (Finite Point Method FPM) [52], [53] e o Mtodo
Local de Petrov Galerkin sem Malha (Meshless Local PetrovGalerkin MLPG) [54].
A principal caracterstica da tcnica o fato de no requerer o uso explcito de
malhas. necessrio apenas uma distribuio de ns sem conectividade pr
estabelecida entre eles, espalhados sobre todo o domnio de interesse que contm uma
funo desconhecida regida por um Problema de Valor de Contorno (PVC). Essa
distribuio de ns sobre o domnio em conjunto com a descrio das condies de
contorno do problema e a definio das interfaces entre os meios materiais distintos
caracterizam o mtodo. A Figura 31 mostra uma distribuio de ns sobre um domnio
de duas dimenses , onde cada n um ponto r, z [6].

Fronteira
Ns
xI

Figura 31 Distribuio de ns espalhados sobre um domnio 2D.

associado a cada n um subdomnio fechado denominado domnio de influncia

do n, que forma o apoio para a construo da funo de aproximao ao redor do n I,
denominada de funo de forma, . Esses subdomnios podem ter formas variadas e
geralmente so sobrepostos. A nica exigncia em relao a esta modelagem que a
unio desses subdomnios cubra todo o domnio do problema, conforme ilustrado na
Figura 32.

24



Figura 32 Domnios de influncia circulares distribudos por todo o domnio do

problema.

Os ns distribudos ao longo do domnio relacionam entre si atravs das funes

de forma. Essa relao estabelecida a partir da aplicao de tais funes em pontos de
integrao distribudos sobre todo o domnio do problema. A escolha do processo de
construo da funo de forma de fundamental importncia para a obteno de bons
resultados quando se utiliza mtodos sem malha.
No processo de obteno da soluo das equaes diferenciais parciais que regem
o PVC utilizamse mtodos diretos ou mtodos indiretos. O primeiro deles, tambm
chamado de mtodos de forma forte, se caracteriza por discretizar e resolver o
problema diretamente a partir da Equao Diferencial Parcial que o rege. Os mtodos
indiretos por sua vez, tambm conhecidos como mtodos de forma fraca, estabelecem
inicialmente um sistema de equaes alternativo baseado na forma fraca da EDP para
posteriormente, solucionar o problema. Nos mtodos sem malha, tanto formas fortes
quanto fracas so utilizadas [6]. Os mtodos SPH, DEM, EFGM, RKPM e MLPG, por
exemplo, se baseiam em mtodos de forma fraca enquanto o FPM utiliza a forma forte.
Os mtodos de forma fraca so geralmente mais robustos, estveis, precisos e eficientes,
e, por isso, de maior importncia prtica [55].

3.3. O Mtodo ElementFree Galerkin (EFGM)

Dentre os mtodos sem malha, o EFGM um dos mais conhecidos e utilizados [7].
O EFGM um mtodo sem malha amplamente empregado na rea de engenharia
aplicada, principalmente na soluo de problemas de valor de contorno. O mtodo foi

25



proposto em 1994 por Belytschko [7] e tem como base o Mtodo do Elemento Difuso.
Aplicado inicialmente a problemas de mecnica [7], [56], o EFGM teve a sua utilizao
estendida para diferentes classes de problemas tais como, propagao de onda [57],
acstica [58], [59], fluxo de fluidos [60] e modelagem de dispositivos eletromagnticos
[8].
Neste mtodo, a discretizao do espao e a construo das funes de forma so
realizadas utilizandose o MLS. As funes de forma so usadas como base para a
construo de um subespao de dimenso finita e a forma fraca do mtodo de Galerkin
utilizada para o desenvolvimento do sistema discreto de equaes lineares. Para a
obteno da soluo desse sistema so necessrias clulas de integrao distribudas
pelo domnio do problema para a realizao da integrao numrica.

3.3.1. Funo Janela

A funo janela, , uma funo utilizada para a construo da funo de

forma associada a cada n distribudo no domnio do problema. As diferentes
formulaes para os mtodos sem malha so caracterizadas principalmente pela
maneira como a funo de forma associada a cada n gerada a partir da funo janela.
A funo janela dita de suporte compacto, ou seja, a regio do seu domnio onde
a funo possui um valor diferente de zero limitada. O suporte da funo janela,
considerando como origem do domnio de influncia um ponto r, z , a regio
do seu domnio onde a funo diferente de zero. Esse suporte compacto se a regio
limitada [42]. Assim, temse a funo janela definida por:


0, se 0 1
, I 1,2, , N. 3.1

0, se 1

em que o tamanho do suporte da funo, tambm denominado de raio do suporte ou
domnio de influncia e N o nmero total de ns distribudos no domnio . Para um
ponto de interesse, a dimenso do domnio de influncia dada por:

26



. 3.2

em que uma constante para o ajuste do tamanho do domnio de influncia que, em
geral, varia entre 1,5 e 4 [7], e a distncia nodal que depende da distribuio dos ns
considerada na anlise.
De acordo com [42], associase funo janela duas propriedades:
Propriedade de translao: permite que a funo janela se desloque por
todo o domnio, caracterstica esta, que possibilita que os MM dispensem o
uso de malhas;
Propriedade de dilatao: utilizada como parmetro de refinamento e est
associada com o tamanho do suporte da funo janela.
A funo janela fornece pesos diferentes para os ns no domnio de influncia.
Quanto mais distante o n est do ponto de aproximao, menor o seu peso. Por meio da
funo janela tambm possvel fazer com que os ns abandonem ou entrem no domnio de
influncia de maneira suave [6]. Vrias funes podem ser utilizadas como funo janela,
entretanto, as mais comumente utilizadas so: Funo gaussiana, Spline cbica e Spline
quadrtica [42].
Os domnios de influncia podem ser retangulares, circulares ou outro formato.
Isso depende da maneira como a funo janela calculada. Uma caracterstica
importante dos domnios de influncia que eles podem se sobrepor, dessa forma, dado
um ponto x , devem existir diversos ns cujos domnios de influncia envolvam o
ponto x . Esse conjunto de ns define o domnio de suporte do ponto x [61]. De
acordo com [6], o domnio de influncia est relacionado com os ns enquanto o
domnio de suporte est relacionado com um ponto x arbitrrio , onde a
aproximao local vlida. Na Figura 33 o domnio de suporte indicado pela rea
em cinza.

27



Figura 33 Domnio de suporte de um ponto x .

A funo janela possui um papel fundamental nos mtodos sem malha, pois
transfere as suas caractersticas, qual sejam, contnuas e com suporte compacto, para a
funo de forma durante a sua construo.

3.3.2. Mtodo de Galerkin

O mtodo de Galerkin faz parte de uma classe de mtodos denominados de

Mtodos de Resduos Ponderados, que so utilizados para a construo da forma fraca
discreta do PVC [3].
As funes que satisfazem a forma fraca da equao de Laplace, dada pela
Equao (2.15), pertencem ao espao , que um espao linear de funes cuja
dimenso infinita. Esta ltima caracterstica torna difcil a busca por uma soluo para
a forma fraca do problema. Recorrese ento ao Mtodo de Galerkin, que consiste na
busca por uma soluo aproximada em um espao de dimenso finita , tal que
[61]. Seja o espao de todas as combinaes lineares do tipo:

, 3.3

em que so funes de forma pertencentes a uma famlia de funes no espao
com I 1,2, , N e so constantes arbitrrias consideradas igual a 1 neste trabalho.
O mtodo de Galerkin consiste na busca da funo incgnita V tal que V .
Essa funo tambm pode ser descrita por uma combinao linear do tipo:
28



V V, 3.4

em que so funes de forma e V so coeficientes a serem determinados.
Substituindo (3.3) e (3.4) em (2.16) temse:

B V , 0. 3.5

O mtodo de Galerkin considera que . Com isto, e utilizando a propriedade
de bilinearidade de B, a Equao (3.5) escrita como:

B V , B V , 0. 3.6

Assim obtmse o sistema de equaes lineares apresentado a seguir:

VK 0, J 1,2, , N 3.7

em que


K B , rd. 3.8
r r z z

Escrevendo sob a forma matricial temse:

. 0, 3.9

, 3.10

e

V ,,V . 3.11

29



3.4. Modelagem Matemtica do EFGM

Na formulao do EFGM, um conjunto de N ns espalhado sobre o domnio do

problema. Cada n, I, um ponto r, z , para o qual a funo de forma, ,
associada. Ento, a funo desconhecida V pode ser aproximada por:

V V , 3.12

em que o coeficiente desconhecido do n I.
Para a soluo dessa aproximao necessrio calcular as funes de forma. De
acordo com [55], um bom mtodo de construo dessas funes deve atender algumas
das seguintes propriedades:
Distribuio nodal arbitrria;
Estabilidade;
Suporte compacto;
Eficincia;
Consistncia;
Partio da unidade;
Propriedade do delta de Kronecker;
Compatibilidade;
Independncia linear.
Existem vrias tcnicas para a construo das funes de forma e cada uma gera
aproximaes que satisfazem um certo conjunto dessas propriedades. No h, at o
momento, um mtodo que consiga satisfazer todas as propriedades.
Nas Subsees 3.4.1 e 3.4.2 so apresentados dois mtodos utilizados no EFGM
para a construo de funes de forma: MLS e IMLS.

30



3.4.1. Mtodo dos Mnimos Quadrado Mveis MLS

O Mtodo dos Mnimos Quadrados Mveis foi originalmente desenvolvido por

matemticos com o objetivo de realizar a regresso de dados e o ajuste de superfcies
[62]. Atualmente, o MLS amplamente utilizado para a construo das funes de forma
dos mtodos sem malha. tido como um mtodo popular por construir uma funo de
aproximao contnua e suave em todo o domnio e por ser capaz de gerar uma
aproximao com a ordem de consistncia desejada [6].
Seja V uma funo contnua definida em um domnio fechado . A funo de
aproximao local de V em um ponto denotada por V , , onde o ndice
referese discretizao. Para o mtodo MLS, essa aproximao definida por uma srie
polinomial finita do tipo [62]:

V , , 3.13

em que r, z um ponto fixo arbitrrio no domnio do problema analisado,
1, r, z , uma base polinomial completa de ordem e
, ,, so os coeficientes polinomiais a serem determinados
dependentes da posio espacial de .
Para garantir um mnimo de completude na aproximao, utilizase
frequentemente bases polinomiais compostas por monmios de baixa ordem. No
presente trabalho utilizase uma base linear e bidimensional, dada por:

1, r, z . 3.14

O MLS associa cada erro residual V , V funo janela que
| |
depende da distncia euclidiana , de tal forma que a soma dos quadrados dos

resduos dada por:

V V , , 3.15

31



em que a funo janela centrada no n I , e referese ao nmero de ns

envolvidos na aproximao local.
Substituindo a Equao (3.13) na Equao (3.15) obtmse:

V . 3.16

Idealmente desejase que o erro residual seja zero. Para que isso ocorra
necessrio determinar os coeficientes , de forma a resultar na melhor aproximao
possvel, isto :

0. 3.17

A minimizao de em relao a conduz seguinte equao:

, , , 3.18

onde

, , 3.19

, , 3.20

V ,V ,,V , 3.21

, 3.22

0
. 3.23
0

Substituindo (3.18) em (3.13), a aproximao local pode ser definida como:

32



V , 3.24

em que a funo de forma do MLS associada ao n , dada por:

, , . 3.25

O MLS promove uma aproximao suave dos valores das funes entre os ns
espalhados no domnio do problema. A influncia de um n I em um ponto dada pelo
suporte da funo janela que, alm disso, garante tambm que os ns entrem e
saiam do domnio de suporte de maneira gradual.
A funo de forma definida pela Equao (3.25) apresenta um suporte compacto
igual ao suporte da funo janela, e ainda, a continuidade da funo de forma e suas
derivadas dependem da continuidade da funo janela e de suas derivadas [42]. As
derivadas espaciais de podem ser obtidas da seguinte forma:

, , , , , 3.26

em que o subscrito , indica a derivada espacial e as notaes referentes a x e a foram
retiradas para uma melhor leitura da equao, sendo que:

, , , 3.27

, , . 3.28

O grau de consistncia do MLS garantido pela ordem da base polinomial
referente Equao (3.13) de tal forma que a aproximao tem consistncia igual a
[63]. Outra caracterstica importante da aproximao pelo MLS que as funes de
forma geradas a partir desse mtodo no satisfazem o delta de Kronecker 1, o
que resulta em V V , isto , os parmetros nodais V no so iguais aos
valores da funo aproximada V nos ns [6]. Assim, a imposio das condies de

33



contorno essenciais se torna difcil, demandando a utilizao de tcnicas adicionais para

a sua imposio. Essa limitao pode ser solucionada utilizando o IEFGM, em que a
construo da funo de forma realizada pelo mtodo IMLS, o qual atende a
propriedade do delta de Kronecker [64].

3.4.2. Mtodo dos Mnimos Quadrado Mveis Interpolantes IMLS

O Mtodo dos Mnimos Quadrados Mveis Interpolantes uma extenso do MLS

que permite a construo de funes de forma que atendam ao delta de Kronecker. Para
tanto, o mtodo utiliza funes janelas singulares, transformando a aproximante em
interpolante. Isso permite que as condies de contorno essenciais sejam impostas
diretamente no sistema discreto final. Alm disso, em problemas que possuam
descontinuidades, essa caracterstica representa uma vantagem, pois permite a melhoria
nos resultados.
Um exemplo de funo janela que pode ser utilizada no mtodo IMLS [8]:

1
,
| | 3.29

em que uma constante para o ajuste da preciso dos resultados e um valor real
positivo suficientemente pequeno para evitar a diviso por zero.
De acordo com [8], uma caracterstica importante relacionada com a funo
janela utilizada no mtodo IMLS referese ao modo como esta funo age sobre a
esparsidade da matriz final. Apesar da funo janela possuir um comportamento
assinttico, as funes de forma que lhes so associadas possuem um suporte compacto,
uma vez que os domnios de influncia de cada n so limitados, o que garante a
esparcidade da matriz.
A Figura 34 apresenta um exemplo de funo janela, em uma dimenso, utilizada
no IMLS, com 5, 0,3 e 1 10 , conforme a Equao (3.29). Para efeito de
comparao, nesta figura apresentada tambm a funo janela do tipo spline cbica
utilizada no MLS. Nesta comparao as funes so consideradas centradas em um n
posicionado em 2.
34



4.5 MLS
IMLS
4

3.5

3
W (x)

2.5

1.5

0.5

0
1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6
Posio x

Figura 34 Comparao entre as funes janela utilizadas no MLS e no IMLS.

Observase que, no ponto 2 a funo spline cbica possui um valor limitado

enquanto a funo singular tende ao infinito, essa caracterstica da funo utilizada pelo
IMLS possibilita que a funo de forma atenda a propriedade do delta de Kronecker. Ambas
as funes, tendem a zero em pontos localizados fora do domnio de influncia do n.
Neste trabalho utilizado o EFGM empregando o IMLS que, por isso, chamado de
IEFGM.

3.5. Integrao Numrica

Uma das dificuldades encontradas ao se utilizar os mtodos sem malha baseados

no mtodo de Galerkin a maneira como resolver numericamente a Equao (2.15).
Para a obteno da soluo dessa equao necessrio realizar uma integrao
numrica ao longo de todo o domnio do problema. A tcnica proposta por Belytscko [7]
e utilizada neste trabalho para avaliar numericamente a forma fraca do problema
consiste na construo de uma malha auxiliar denominada de malha de integrao. Essa
malha de integrao independente dos ns e deve cobrir todo o domnio do problema,
incluindo as fronteiras. Para a soluo numrica das integrais envolvidas, o presente
estudo utiliza a tcnica de Quadratura Gaussiana.

35



3.6. Critrio de Visibilidade

Os mtodos sem malha, em geral, promovem uma aproximao suave dos valores
das funes e suas derivadas, o que conseguido a partir da continuidade da funo
janela. Porm, para problemas com descontinuidades no domnio, essa caracterstica
pode implicar erros na aproximao. Uma maneira de resolver esse problema
introduzindo descontinuidades na prpria funo janela atravs do critrio de
visibilidade, proposto por Belytschko [7]. Tcnicas como essa so necessrias, uma vez
que nos mtodos sem malha as regies onde a aproximao local vlida so geradas
durante o processamento, dificultando a imposio da condio de interface
diretamente.
O critrio de visibilidade consiste em introduzir descontinuidades na funo
janela quando a interface entre os meios for ultrapassada pelo suporte da funo [42].
Por exemplo, seja o n I localizado no Meio 1, com domnio de influncia de raio d ,
conforme mostrado na Figura 35 (a). Se o raio d encontra a regio cinza, o domnio de
influncia do n I truncado, e os pontos localizados nessa regio no so includos no
domnio de influncia do n, Figura 35 (b). Esse truncamento fora a funo janela a ser
nula nos pontos que so excludos, introduzindo assim, descontinuidades na funo
janela e consequentemente na funo de forma [7].

Descontinuidade
Meio 1 N I Meio 1 N I
Meio 2 Meio 2
Meio 2

(a) (b)

Figura 35 Demonstrao do critrio de visibilidade. (a) situao anterior aplicao do

critrio e (b) aps aplicao do critrio.

3.7. Consideraes Finais

Neste captulo foram apresentadas as principais caractersticas dos mtodos sem

malha, dando nfase ao IEFGM. Para este mtodo foi realizado todo o formalismo

36



necessrio para o desenvolvimento matemtico do problema de aterramento em estudo.

Verificouse que a implementao do IEFGM passa por diversas etapas, que vo desde a
obteno da forma fraca discretizada do PVC, a partir do Mtodo de Galerkin; criao
da funo de forma a partir do IMLS; e por fim, integrao numrica para a obteno
dos potenciais nos ns distribudos no domnio do problema, utilizandose a tcnica de
Quadratura Gaussiana.

37



Captulo 4

Resultados

4.1. Introduo

Neste captulo so apresentados os resultados referentes aplicao do IEFGM a

sistemas de aterramento eltrico. Para tanto, considerase uma configurao de
aterramento composta por uma haste vertical inserida em solos homogneos e tambm
solos no homogneos, estratificados em duas camadas horizontais. So obtidos os
potenciais gerados ao nvel do solo e a resistncia de aterramento para as configuraes
consideradas.
Para a comparao dos resultados obtidos a partir do IEFGM utilizado o
Software comercial SEGround desenvolvido pela NSA Consultoria e Informtica Ltda.,
cujo mtodo implementado o MoM [40].
A ferramenta computacional que implementa o IEFGM foi desenvolvida
utilizandose o ambiente MATLAB. Todas as simulaes foram realizadas em um
microcomputador Intel i5, 3,4 GHz e 8 GB de memria RAM.

4.2. Aplicao do Mtodo IEFGM ao Sistema de Aterramento Eltrico

4.2.1. Descrio do Sistema de Aterramento Eltrico

Com o objetivo de avaliar o mtodo IEFGM em aplicaes envolvendo sistemas de

aterramento considerouse inicialmente uma configurao de aterramento composta
por uma haste de comprimento Lh igual a 1 m, inserida verticalmente em um solo
homogneo com resistividade igual a 1 .m e submetida a uma tenso Vh de 1 V. O
domnio de simulao truncado de maneira a assumir a forma de metade de um
semicrculo, com raio RD de 10 m e o valor do potencial imposto na fronteira de 0 V.

38



z
Ar n
Haste
Lh = 1 m r

Vh = 1 V
n Solo
n m RD = 10 m

RD = 10 m

Figura 41 Sistema de aterramento composto por uma haste vertical.

Como o problema possui simetria axial o domnio computacional pode ser simplificado,
conforme ilustrado na Figura 41.
Os valores adotados para alguns parmetros do sistema de aterramento sob
investigao neste trabalho no so valores prticos, tipicamente encontrados neste tipo
de problema, mas foram escolhidos com o objetivo de simplificar as anlises. Ressaltase
que essas escolhas no interferem na preciso dos resultados obtidos, uma vez que para
solos homogneos, como o caso das configuraes analisadas, os potenciais gerados no
solo so diretamente proporcionais elevao de potencial do sistema de aterramento e
a resistncia de aterramento diretamente proporcional resistividade do solo

4.2.2. Parmetros do IEFGM

Os parmetros concernentes ao mtodo IEFGM, tais como, Distribuio de Ns,

Nmero de Ns (NN), Distribuio de Pontos de Integrao, Nmero de pontos de
Integrao (NPI), Relao entre NPI e NN (RGN) e o tamanho do domnio de influncia
dos ns, ajustado pela varivel da Equao (3.2), influenciam diretamente na preciso
dos resultados obtidos.
O primeiro desses parmetros, distribuio de ns, representa o local onde so
calculados os potenciais eltricos desconhecidos. A distribuio de ns no requer
39



conectividade entre eles, necessrio apenas que essa distribuio cubra todo o
domnio do problema analisado e suas fronteiras . Alm disso, para que o mtodo
consiga ter uma boa aproximao importante que NN seja suficientemente grande,
capaz de descrever a variao da varivel sob anlise. A Figura 42 apresenta um
exemplo de distribuio de ns retangular que adotada para o problema de
aterramento sob estudo.

z
Ns em n

Ns sobre a haste r

Ns em n

Ns em d

Ns em

Figura 42 Exemplo de distribuio dos ns no domnio do problema.

Outro parmetro importante para o mtodo IEFGM referese distribuio de

pontos de integrao. Esses pontos, tambm chamados de pontos de Gauss,
correspondem ao local onde realizada a integrao numrica e so gerados com o
auxlio de um arranjo de clulas de integrao. Esse arranjo deve envolver todo o
domnio do problema e suas clulas so independentes dos ns distribudos. A
Figura 43 apresenta um exemplo de malha de fundo utilizada no processo de integrao
numrica com um conjunto de 2 x 2 pontos de Gauss para cada clula. Ressaltase que o
tamanho das clulas, bem como, a quantidade de pontos de Gauss por clula so
parmetros que podem ser alterados.

40



z Clula de integrao

Ponto de Gauss

Figura 43 Exemplo de distribuio dos pontos de integrao no domnio do problema.

A razo (RGN) entre o nmero de pontos de integrao, NPI, e o nmero de ns,

NN, muito importante para a convergncia do mtodo. De acordo com [6], para
problemas 2D essa razo deve ser maior que 67%, para que a preciso dos resultados
seja mantida. Essa regra um requisito necessrio mas para alguns casos, no garantia
de ser suficiente. Por isso, para cada problema, necessrio realizar uma anlise da
RGN.
O tamanho do domnio de influncia dos ns se relaciona diretamente com a
eficincia e a preciso do mtodo sem malha. Esse parmetro indica a quantidade de ns
envolvida na determinao da soluo aproximada ao redor de um determinado n. Para
Viana [42], o domnio de influncia deve variar entre 1,5 a 4 vezes a distncia entre os
ns. A avaliao desses parmetros representa uma etapa importante na busca por bons
resultados e bom desempenho computacional.

4.3. Clculo do Erro

Para a avaliao da consistncia dos resultados obtidos a partir do modelo

desenvolvido utilizando o IEFGM, realizada uma comparao entre esses resultados
com aqueles obtidos com o MoM. Nessa avaliao considerado o erro percentual mdio

41



( , o erro percentual mximo ( ) e o erro percentual relativo ( a partir das

seguintes expresses, respectivamente:

(4.1)
. 100%,

| |
. 100%, (4.2)

| | (4.3)
. 100%,

em que corresponde soluo obtida pelo MoM, soluo obtida pelo
IEFGM e o nmero de pontos onde a soluo avaliada.

4.4. Modelagem do Raio da Haste de Aterramento

Uma caracterstica importante sobre os mtodos numricos aplicados

modelagem de sistemas de aterramento referese a forma como o raio do eletrodo
tratado em cada um deles. Dada a importncia desse tema, nesta seo feita uma breve
descrio sobre a abordagem desse parmetro pelos principais mtodos numricos.
Ressaltase que um mesmo mtodo pode permitir mais de uma forma de se
considerar o raio do eletrodo. O FEM, por exemplo, aborda a modelagem do raio dos
eletrodos de diversas formas. Uma delas consiste em considerar a discretizao do
domnio, a partir dos vrios elementos finitos, respeitando as interfaces entre regies e
materiais distintos. Para os problemas que so tridimensionais, mas que apresentam
uma simetria axial, como o caso do sistema de aterramento composto por uma haste, o
FEM permite que seja feita uma abordagem bidimensional aplicando um fator de
correo na formulao numrica, multiplicando os termos do sistema de cada elemento
por 2 , em que a distncia do baricentro do elemento ao eixo z. Um exemplo de
trabalho que utiliza essa abordagem pode ser visto em [65]. Outra forma de tratar o raio
a partir do FEM consiste em modelar o eletrodo por um elemento linha, evitando a sua
discretizao em elementos finitos. Os trabalhos [43], [44], [66] so alguns exemplos
42



que utilizam essa modelagem. A partir dessa proposta, novos trabalhos vm sendo
realizados de forma a considerar as correntes que fluem radialmente dos eletrodos para
o solo, [45], [67] exemplificam esse caso.
O MoM permite a representao do raio da haste de forma tridimensional,
entretanto, a modelagem muito complexa, por isso, a representao mais adotada
aquela em que a haste discretizada em vrios segmentos com comprimentos muito
maiores que o raio, o que permite a aproximao por correntes filamentares. Nessa
modelagem o raio tem papel relevante no clculo do acoplamento prprio dos
segmentos. Trabalhos que utilizam essa modelagem so apresentados em [36], [68].
Para a tcnica sem malha, no foram encontrados na literatura trabalhos que
tratem da modelagem de hastes de aterramento. Assim, diante da importncia da
representao desse elemento, apresentado neste trabalho duas propostas para a
modelagem das hastes utilizando o IEFGM. A primeira delas aqui denominada de
Proposta Raio Real (PRR) e a segunda de Proposta Raio Equivalente (PRE). A seguir
apresentada uma descrio de cada uma das referidas propostas que possuem em
comum o fato de serem aplicadas a uma representao bidimensional do problema, dada
a sua simetria axial.
Proposta Raio Real (PRR):
Nesta proposta a haste de aterramento modelada considerando suas dimenses
reais a partir de sua seo transversal. Utilizando o IEFGM, so distribudos ns
coincidentes com o contorno da haste, conforme indicado na Figura 44 (a). A
distribuio de ns em , e possui um espaamento igual ao raio da haste de
aterramento, rh.
Proposta Raio Equivalente (PRE):
Esta proposta prev a modelagem da haste como um elemento filamentar, cuja
rea se reduz a uma linha de ns. Neste caso, para todos os ns distribudos utilizado
um espaamento maior que rh, ajustado de forma a alcanar a preciso desejada. Essa
representao filiforme da haste de aterramento ilustrada na Figura 44 (b). Maiores
detalhes sobre esta proposta so descritos na Seo 4.9.

43



z z

rh rh Ns em n
> rh Ns em n

r r
rh

Haste Haste
> rh
rh

Ns em d Ns em d
Ns em n
Ns em n

Ns em Ns em

(a) (b)

Figura 44 Exemplo de distribuio dos ns. (a) Proposta Raio Real (PRR) e
(b) Proposta Raio Equivalente (PRE).

4.5. Sistemas de Aterramento Utilizando Hastes Verticais

Existem uma gama de diferentes configuraes de hastes de aterramento quanto

ao comprimento, raio e material disponveis no mercado. Em relao ao comprimento,
os valores mais utilizados so os de 2,4 m e 3 m. As hastes podem ser do tipo cantoneira
ou de seo circular. Para esta ltima, as sees mais utilizadas so de 1/2, 5/8, 3/4 e
1. Em relao ao material, as hastes podem ser de ao galvanizado ou ao cobreado.
Ressaltase que as dimenses das hastes, em geral, so limitadas por questes mecnicas
tendo em vista que quanto maior o raio da haste mais difcil se torna a sua cravao no
solo. Nas anlises realizadas neste trabalho as hastes com dimetros comerciais so
denominadas de hastes convencionais.
A partir das hastes convencionais possvel projetar vrias configuraes de
aterramento. Uma dessas configuraes consiste em revestir/encapsular uma haste de
aterramento com um material de resistividade inferior do solo circunvizinho,
formando um cilindro cravado no solo. Do ponto de vista de reduo da resistncia de
aterramento, essa tcnica tanto mais eficaz quanto maior for a resistividade do solo
local e quanto menor for a resistividade do meio encapsulante. Supondo que esse meio
tenha uma resistividade muito baixa em comparao ao solo circunvizinho podese
44



considerar um sistema de aterramento cujo raio o do cilindro formado pelo meio que
envolve a haste. O tamanho desse raio varivel e no presente estudo considerase uma
faixa de valores entre 0,04 m e 0,1 m. Configuraes como essa so adotadas pela CEMIG
em redes de distribuio de energia eltrica [69] e representa uma alternativa de
reduo da resistncia de aterramento levandose em considerao os altos valores de
resistividade do solo do estado de Minas Gerais e a restrio fsica para a instalao do
aterramento. Esse tipo de configurao de aterramento denominada ao longo do texto
de hastes encapsuladas.

4.6. Avaliao do Domnio Computacional do Problema

Para o problema de aterramento descrito na Seo 4.2.1 realizada a comparao

entre os valores dos potenciais eltricos ao nvel do solo obtidos com o IEFGM, com
aqueles obtidos a partir do MoM, ver a Figura 45. Para esta anlise o potencial na
fronteira fixado em 0 V e na haste, o potencial V 1 V. Utilizouse a PRR
considerando uma haste encapsulada com raio de 5 cm. Para a simulao NN foi de
31920 e NPI de 125653 conduzindo a uma RGN de 3,9.

1
IEFGM
0.9 MoM

0.8

0.7

0.6
Potencial (V)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
r (m)

Figura 45 Potenciais no nvel do solo calculado a partir do IEFGM e do MoM.

45



Observase que a curva de potencial ao nvel do solo obtida pelo mtodo IEFGM
apresenta boa concordncia com a obtida pelo MoM, na regio prxima haste,
entretanto, a medida que se afasta do sistema de aterramento os valores comeam a se
diferenciar. A curva obtida pelo IEFGM apresenta uma taxa de decaimento bem mais
acentuada que a curva do MoM. A diferena entre os potencias pode ser quantificada em
termos do erro calculado a partir da Equao (4.1), que fornece um valor bastante
elevado de 49,23%. Esse comportamento se justifica pelo fato de ter sido imposto um
potencial igual a zero na fronteira quando da utilizao do IEFGM. Ainda que nesta
regio o potencial seja realmente baixo comparado com os potenciais desenvolvidos no
entorno do sistema de aterramento, ele ainda no nulo, o que se reflete
significativamente nos valores do erro de potencial.

4.6.1. Potencial na Fronteira d

Para a soluo de problemas abertos utilizando mtodos diferenciais como o

IEFGM necessrio truncar a regio de anlise do problema por uma fronteira de forma
a limitar o tamanho do domnio computacional e impor uma condio de contorno
apropriada nessa fronteira. Essa ao impacta diretamente na preciso da soluo do
problema.
Conceitualmente, a resistncia de um sistema de aterramento corresponde
queda de tenso total no solo por unidade de corrente injetada no mesmo, a partir da
superfcie dos eletrodos at o infinito, onde o potencial efetivamente zero, quando se
faz circular uma corrente atravs desse solo. Isso significa dizer que a fronteira onde o
potencial zero deve ter um tamanho infinito. Em termos prticos no possvel
incorporar essa condio em mtodos diferenciais. Na realidade considerase uma
distncia suficientemente grande em relao ao sistema de aterramento onde possa ser
atribudo o potencial zero fronteira. No entanto, essa aproximao ainda conduz a
erros nos resultados.
Para melhorar a preciso da soluo e reduzir os erros de potenciais no nvel do
solo sem elevar sobremaneira o custo computacional da simulao devido extenso do
domnio computacional do problema, neste trabalho propese uma nova abordagem

46



para a soluo do problema a partir da utilizao de uma aproximao para o potencial

na fronteira .
A aproximao realizada a partir do potencial gerado em um ponto no espao
devido a uma corrente pontual, em detrimento de se impor um valor igual a zero.
evidente que este no o caso para o aterramento analisado, considerando a regio
prxima a ele; entretanto, quando se consideram distncias maiores, essa aproximao
pode ser adotada e os potenciais nessa regio podem ser calculados a partir de uma
expresso matemtica fechada.
A equao que expressa o potencial em um dado ponto em relao ao infinito
devido a uma corrente pontual dada por:

I
V , (4.4)
2D

em que a resistividade do solo uniforme, I a corrente que dispersa pelo
aterramento e D a distncia do ponto ao sistema de aterramento. Essa aproximao s
vlida para pontos distantes do sistema de aterramento, onde as equipotenciais podem
ser assumidas como aproximadamente hemisfricas, independentemente da geometria
do arranjo de aterramento.
Uma forma de aplicar a Equao (4.4) ao problema, consiste em realizar tambm
uma aproximao para a obteno do valor da corrente de falta, I. Para tanto, considera
se a Equao (4.5) que representa a formulao clssica de Sunde [2] para o clculo da
resistncia de aterramento de uma haste.

2
R 1 1 /2 1 /2 , (4.5)
2 2

em que l o comprimento da haste de aterramento e a o raio da haste.
A partir da resistncia calculase a corrente resultante no aterramento, dada pela
relao I V /R. De posse do valor da corrente, retornase Equao (4.4) para a
obteno do potencial aproximado.
A Figura 46 apresenta os valores do erro de potencial eltrico ao nvel do solo
em funo da distncia ao aterramento, calculados a partir da Equao (4.3),
considerando os potenciais gerados pelo MoM e aqueles obtidos com a Equao (4.4),
47



onde D substitudo por r que varivel. Para essa avaliao foram consideradas hastes
de aterramento de 1 m de comprimento inseridas em solo homogneo com as seguintes
configuraes:
Haste convencional de raio de 0,00635 m
Haste encapsulada em um cilindro com raio de 0,1 m

4
10
Haste convencional (raio = 0,00635 m)
10
3 Haste encapsulada (raio = 0,1 m)

2
10

1
10
Er (%)

0
10

-1
10

-2
10

-3
10
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
r (m)

Figura 46 Erro percentual para o potencial eltrico ao nvel do solo em funo da

distncia.

Para ambas as configuraes, observase que existe uma regio onde o erro de
potencial decresce rapidamente. Para a haste encapsulada essa regio est
compreendida entre 0 e 1,5 m e para a haste convencional entre 0 e 3,9 m. Esse
comportamento decorre do fato dos potenciais calculados a partir da Equao (4.4)
apresentarem valores bem errneos nas proximidades da haste, isso porque a
aproximao considerada, de fato no vlida nessa regio. A partir dessas regies o
erro se estabiliza em valores inferiores a 10%. Para as duas configuraes apresentadas,
em distncias maiores que 5 m, por exemplo, a aproximao do potencial j vlida.
A Figura 47 apresenta um grfico com as curvas equipotenciais em um plano
longitudinal ao sistema de aterramento para a haste encapsulada com raio de 0,1 m,
obtida a partir do IEFGM, considerando ainda o potencial igual a 0 V em .

48



-1

-2

-3

0,04 V
-4
0,03 V
z (m)

-5 0,02 V

-6 0,01 V

-7

-8

-9

-10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
r (m)

Figura 47 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 0,01 V para a haste

encapsulada com raio 0,1 m.

Observase que as equipotenciais so hemisfricas na regio mais afastada da

haste. Esse resultado corrobora com os resultados apresentados na Figura 46, que
indica que para esta configurao de aterramento, a utilizao da aproximao por uma
corrente pontual adequada para distncias acima de 5 m do sistema de aterramento.
Assim, a modelagem adotada neste trabalho considera a aproximao do
potencial em , conforme discutido nesta seo. Para tanto utilizase um domnio
computacional com raio R 10. L . A Tabela 41 apresenta os valores dos potenciais
eltricos em calculados a partir da aproximao proposta nesta seo, chamada nesse
trabalho de Aproximao Proposta (AP), e os potenciais obtidos pelo MoM para as
hastes convencionais e encapsuladas de comprimento Lh = 1 m e raio r .

49



Tabela 41 Potencial em .

V (V) V (V)
r (m)
MoM AP
0,00635 0,019 0,018
0,00794 0,019 0,019
0,00953 0,020 0,020
0,0127 0,021 0,021
0,04 0,029 0,028
0,05 0,031 0,029
0,06 0,033 0,031
0,07 0,035 0,033
0,08 0,037 0,034
0,09 0,038 0,035
0,1 0,040 0,037

Observase que os valores de potencial obtidos a partir da aproximao proposta
apresentaram boa concordncia com os valores gerados a partir do MoM.
Para o problema de aterramento inicialmente considerado, constitudo de uma
haste de 1 m de comprimento e raio de 5 cm, inserida em um solo homogneo com
resistividade 1 . m, o potencial aproximado na fronteira com R 10 m de
0,029 V, conforme indicado na Tabela 41. Utilizando essa aproximao temse a curva
de potencial ao nvel do solo para o IEFGM conforme apresentado na Figura 48. Nessa
figura apresentado tambm a curva de potencial obtido pelo MoM.

1
IEFGM
0.9 MoM

0.8

0.7

0.6
Potencial (V)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
r (m)

Figura 48 Potencial ao nvel do solo calculado a partir do IEFGM e do MoM.

Aproximao do potencial eltrico em .

50



A aproximao do potencial na fronteira permitiu que as curvas de potenciais

do IEFGM e do MoM fossem praticamente coincidentes o que se reflete nos valores dos
erros e , conforme apresentado na Tabela 42. Nesta tabela so apresentados
tambm os erros percentuais de potencial para outras configuraes de haste de
aterramento adotadas neste trabalho.

Tabela 42 e para o potencial ao nvel do solo aproximao do potencial

eltrico em .

r (m) % %
0,00635
0,00794
0,00953
0,0127 0,78 2,03
0,04 2,15 4,31
0,05 2,65 5,07
0,06 3,34 5,92
0,07 3,80 6,71
0,08 4,32 7,43
0,09 4,65 8,32
0,1 5,32 8,67

Conforme discutido na Seo 4.7, para as configuraes de aterramento com
hastes comerciais a modelagem adotada utilizando a PRR conduz a um custo
computacional elevado dificultando o clculo dos parmetros do aterramento. Por isso,
na Tabela 42, no so apresentados os erros para as hastes com raios inferiores a
0,0127 m.

4.7. Clculo da Resistncia de Aterramento

A modelagem adotada neste trabalho considera o sistema de aterramento

alimentado por tenso; por isso, o que se conhece inicialmente a elevao de potencial
do sistema de aterramento. O processo de obteno do valor da resistncia do sistema
de aterramento passa pelo clculo da corrente que se dispersa para o solo. Esse processo
de clculo realizado da seguinte forma:
Passo 1 Clculo do potencial nos ns utilizando o IEFGM: A partir da
soluo da forma fraca do problema, dada pela Equao (2.15), obtmse
os valores do potencial eltrico nos ns distribudos pelo domnio do
problema.

51



Passo 2 Clculo do potencial em pontos : Nesta etapa definida uma

distribuio de pontos mais refinada. So calculados os potenciais nesses
pontos a partir dos potenciais obtidos no Passo 1 utilizando a
Equao (3.4) (V V ).
Passo 3 Escolha de uma equipotencial: A escolha da equipotencial
muito importante para a boa convergncia do resultado, pois influencia
diretamente no clculo do campo eltrico. A equipotencial escolhida deve
apresentar um raio de curvatura suave.
Passo 4 Definio de pontos de integrao ao longo da equipotencial
escolhida.
Passo 5 Clculo do mdulo do campo eltrico nos pontos de integrao:
Esse clculo realizado a partir da derivada do potencial eltrico ao longo
da equipotencial escolhida, utilizando a Equao (2.6). Uma vez que esse
procedimento realizado a partir da soluo numrica do potencial
eltrico, ele pode apresentar instabilidade. Para evitar esse tipo de
problema, o clculo deve ser feito em uma regio do domnio onde as
equipotenciais tem uma curvatura mais suave, o que geralmente ocorre
em uma regio mais afastada do sistema de aterramento. A Figura 49
apresenta o processo adotado para a busca de uma equipotencial
apropriada. Observase que em (a) a equipotencial est mais prxima do
sistema de aterramento, assim, os vetores de campo apresentam norma e
direo bastante diferentes um dos outros. No se pode dizer o mesmo
com a equipotencial indicada em (b). Devido suavidade dessa curva os
vetores de campo so todos uniformes e ortogonais a ela. Essa
caracterstica conduz a uma maior preciso no clculo.
Diante do exposto, importante destacar que apesar da maior variao de
potencial ocorrer na regio prxima ao sistema de aterramento,
implicando necessidade de uma distribuio de ns mais densa para
caracterizar bem essa variao, a regio mais afastada do aterramento
tambm deve apresentar uma boa densidade de ns para que o clculo
preciso da densidade de corrente seja realizado.

52



0 0
Ns Ns
-1
Vetor E Vetor E
-0.2
-2

-0.4 -3

-4
-0.6
z (m)

z (m)
-5

-6
-0.8
-7

-1 -8

-9
-1.2
-10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 0 2 4 6 8 10
r (m) r (m)

(a) (b)

Figura 49 Processo de busca da equipotencial para o clculo do campo eltrico. (a)

equipotencial prxima ao aterramento e (b) equipotencial afastada do aterramento.

Passo 6 Clculo da densidade de corrente : De posse do campo eltrico

ao longo da equipotencial escolhida, a densidade de corrente obtida
diretamente da aplicao da Equao (2.5).
Passo 7 Clculo da corrente I: A corrente que dispersa pelo sistema de
aterramento calculada a partir da integrao numrica de na superfcie
equipotencial, conforme apresentado na equao a seguir:

I . (4.6)

Passo 8 Clculo da resistncia de aterramento R: Finalmente, a
resistncia do sistema de aterramento obtida a partir da razo entre a
tenso aplicada ao aterramento e a corrente calculada.
A Tabela 43 apresenta os resultados do clculo da corrente dispersa pelo
sistema de aterramento para algumas configuraes de haste, com um comprimento Lh
igual a 1 m, inserida em um solo com resistividade uniforme de 1 . m, submetida a uma
elevao de potencial de 1 V e j considerando a aproximao para o potencial na
fronteira , descrita na Seo 4.6.

53



Tabela 43 Resultados Distribuio uniforme de ns.

Tempo de
I (A) R () V (V) R ()
r (m) NN NPI processamento
IEFGM IEFGM em MoM
(s)
0,0127 1,370 0,730 0,021 488974 1945807 1,5 195826 0,742
0,04 1,833 0,546 0,028 49723 196351 1,5 2087 0,551
0,05 1,960 0,510 0,029 31920 125653 1,5 760 0,513
0,06 2,063 0,485 0,031 22245 87620 1,5 365 0,483
0,07 2,184 0,458 0,033 16388 64248 1,5 205 0,457
0,08 2,289 0,437 0,034 12587 49091 1,5 112 0,434
0,09 2,386 0,419 0,035 9987 38707 1,5 70 0,414
0,1 2,484 0,403 0,037 8114 31415 1,5 49 0,397

Os resultados apresentados na Tabela 43 indicam uma boa concordncia entre
os valores de resistncia de aterramento obtidos a partir do IEFGM e os valores gerados
pelo MoM. Para os casos simulados o parmetro RGN que representa a relao entre o
nmero de pontos de integrao e o nmero de ns de aproximadamente 3,9.
Dentre as hastes convencionais, so apresentados os resultados apenas para a de
raio igual a 0,0127 m. Como pode ser observado, para este caso, o custo computacional
foi bastante elevado o que inviabilizou a anlise de configuraes de hastes com raios
inferiores a esse, utilizando a modelagem PRR.
A utilizao de uma distribuio de ns uniforme garante um bom
comportamento do mtodo IEFGM; entretanto, do ponto de vista do custo
computacional, torna proibitiva a anlise de hastes de aterramento com raios pequenos.
Uma alternativa para este problema consiste na anlise da utilizao de distribuies
no uniformes dos ns.

4.8. Avaliao da Distribuio no Uniforme de Ns

Seguindo a estratgia j adotada pelos mtodos com malha, de se discretizar o

domnio do problema tanto quanto maior for a variao da varivel analisada, nesta
seo avaliase o impacto da utilizao dessa estratgia a partir do mtodo IEFGM.
Com a utilizao de uma distribuio no uniforme de ns esperase uma reduo
significativa no tempo computacional; no entanto, esse procedimento no garantia de
obteno de resultados precisos, uma vez que uma distribuio de ns realizada de
maneira inadequada pode degradar a soluo do problema.

54



Em mtodos diferenciais como o FEM, por exemplo, utilizamse malhadores

comerciais para gerar e processar os elementos. No caso dos mtodos sem malha, a
utilizao de rotinas similares s utilizadas pelos malhadores tambm uma prtica
usual. Um exemplo da utilizao de malhadores para a gerao dos ns em mtodos sem
malha pode ser encontrado em [8].
O que realizado neste trabalho uma avaliao tanto do ponto de vista de
resultado, quanto do ponto de vista do custo computacional, da utilizao de
distribuies no uniformes obtidas de maneira simplificada, sem a utilizao de
malhadores. Essa avaliao realizada considerandose algumas configuraes de
distribuio de ns conforme parmetros indicados na Figura 410.
z

RD
RD rh rh
Haste
r

Regio 1

RD

Regio 2

Figura 410 Distribuio no uniforme de ns.

O parmetro representa um fator de proporcionalidade em relao a R que

define o tamanho do raio da regio 1, por sua vez, um fator de proporcionalidade
para a determinao do espaamento dos ns da regio 2 em funo do espaamento
dos ns da regio 1. Seja 0,2 e 2, por exemplo; essa configurao indica que a
regio 1 possui um raio 0,2 vezes o raio do domnio total do problema e o espaamento
entre os ns da regio 2 o dobro do espaamento dos ns da regio 1. A representao
da haste feita conforme a PRR, assim, na regio 1 o espaamento entre os ns igual ao
raio da haste, rh.
55



A Tabela 44 apresenta os resultados para um sistema de aterramento composto

por uma haste de aterramento de 1 m de comprimento encapsulada em um cilindro de
raio de 0,05 m, inserida em um solo homogneo com resistividade de 1 . m e com
R 10 m.

Tabela 44 Resultados Distribuio no uniforme de ns para a haste com

r 0,05 m.

Tempo de
I (A) R () V (V) R ()
NN NPI processamento
IEFGM IEFGM em MoM
(s)
0,15 2 1,957 0,511 0,029 8982 125653 2 230 0,513
0,20 2 1,958 0,511 0,029 9391 125653 2 232 0,513
0,25 2 1,959 0,510 0,029 9917 125653 2 236 0,513
0,15 3 1,951 0,513 0,029 4746 125653 3 206 0,513
0,20 3 1,952 0,512 0,029 5229 125653 3 215 0,513
0,25 3 1,954 0,511 0,029 5846 125653 3 228 0,513

A partir dos resultados obtidos verificase que os valores de resistncia de
aterramento de todos os casos avaliados apresentaram boa concordncia com aquele
obtido por meio do MoM. Observase ainda, uma reduo significativa do tempo de
processamento, de aproximadamente 70 %, em relao ao tempo obtido considerando
se uma distribuio uniforme de ns, indicado na Tabela 43.
Anlise semelhante, relativa distribuio no uniforme dos ns, realizada para
outras configuraes de aterramento, conforme apresentado na Tabela 45. Para isso
considerase 0,2 e 2.

Tabela 45 Resultados Distribuio no uniforme de ns para outras configuraes

de aterramento.

Tempo de Reduo do tempo

I (A) R () V (V) R ()
r (m) NN NPI processamento de processamento
IEFGM IEFGM em MoM
(s) (%)
0,0127 1,354 0,739 0,021 138688 1945807 2,0 58301 70 0,742
0,04 1,831 0,546 0,028 14479 196351 2,0 564 73 0,551
0,05 1,958 0,511 0,029 9391 125653 2,0 232 67 0,513
0,06 2,057 0,486 0,031 6610 87620 2,0 114 69 0,483
0,07 2,179 0,459 0,033 4813 64248 2,0 62 70 0,457
0,08 2,287 0,437 0,034 3808 49091 2,0 38 66 0,434
0,09 2,393 0,418 0,035 3054 38707 2,0 26 64 0,414
0,1 2,477 0,404 0,037 2492 31415 2,0 19 61 0,397

A distribuio de ns no uniforme utilizada conduziu tambm a bons resultados
para outras configuraes de aterramento analisadas, bem como, uma reduo do tempo
computacional bastante expressiva para todos os casos, em comparao com aqueles
56



resultados quando se utilizou uma distribuio uniforme de ns. Entretanto, a despeito

dessa reduo, verificase que a anlise de hastes convencionais ainda constitui uma
tarefa laboriosa, pois o custo computacional ainda assim elevado.
Com o intuito de tornar possvel a anlise de hastes convencionais utilizando o
IEFGM, apresentado, na Seo 4.9, uma proposta, de carter inovador, que explora as
caractersticas do mtodo utilizando uma haste de raio equivalente.

4.9. Proposta de Representao de Hastes Convencionais

Conforme j discutido, o domnio de influncia de um n constitui um parmetro

muito importante para os mtodos sem malha, uma vez que ele representa a regio na
qual um determinado n exerce sua influncia, sendo, portanto, um parmetro de
refinamento da soluo. Considerando essa caracterstica dos mtodos sem malha,
vislumbrouse a possibilidade de explorla de uma forma inovadora propondo uma
maneira de representar as hastes com raios comerciais a partir do IEFGM. Assim, para
essa anlise a haste modelada como um elemento unidimensional, ou seja,
diferentemente da modelagem adotada at o momento, onde a haste considerada a
partir de seu prprio contorno, neste caso ela representada por um filamento. O raio
considerado a partir do ajuste do tamanho do domnio de influncia dos ns que
compem o segmento que representa a haste de aterramento.
Para estabelecer o tamanho ideal dos domnios de influncia dos ns que
representam a haste ressaltase que no suficiente utilizar domnios de influncia com
dimenso igual ao raio da haste que se deseja simular. O tamanho desses domnios foi
estabelecido de forma emprica comparando os resultados obtidos a partir do IEFGM
com os resultados do MoM e foram introduzidos os parmetros FR e FH conforme
Equaes (4.7) e (4.8).

. . , 4.7

. , 4.8

57



em que corresponde ao domnio de influncia dos ns da haste e ao domnio

de influncia dos demais ns, e FH so fatores para o ajuste do tamanho dos domnios
de influncia, FR um fator para a determinao do espaamento entre os ns e ,
denominada de distncia nodal, considerada nesta proposta como sendo um fator cujo
valor igual ao raio da configurao de aterramento adotada (haste convencional ou
encapsulada).
A Equao (4.7) representa o domnio de influncia de todos os ns, exceto os
localizados na haste de aterramento. Para esses ns, o domnio de influncia dado pela
Equao (4.8). Um destaque deve ser dado relao direta entre as duas equaes,
quanto ao domnio de influncia considerado at o momento, tanto para as distribuies
de ns uniforme quanto no uniformes, a novidade o parmetro FR que multiplicado
por , cujo valor igual ao raio da haste, indica o espaamento entre os ns espalhados
pelo domnio do problema. Esse parmetro pode excursionar por uma extensa faixa de
valores, entretanto, para que a abordagem consiga utilizar a sua potencialidade, valores
acima de 3 so preferencialmente adotados, lembrandose que, valores altos podem
conduzir a uma degradao da soluo devido ao nmero reduzido de ns para a
soluo do problema. Por outro lado, valores pequenos para este parmetro podem
onerar o processamento.
O parmetro FH, por sua vez, relacionase com o domnio de influncia dos ns da
haste. Conforme pode ser observado pela Equao (4.8) o domnio de influncia dos ns
da haste dado por uma frao do domnio de influncia dos outros ns.
A partir de vrios testes verificouse que determinadas combinaes entre os
parmetros FR e FH conduziam a bons resultados de potenciais no solo e resistncia
para as configuraes de aterramento consideradas, e, que, o tempo de processamento
bem menor comparado com a modelagem PRR apresentada neste trabalho. Em especial,
vale destacar que para todas as hastes convencionais, foi possvel realizar o clculo dos
parmetros tpicos de projeto de aterramento.
Salientase que, provavelmente existem vrias combinaes entre FH e FR que
conduzem a resultados concordantes com o MoM. Entretanto, para tal anlise seria
necessrio utilizar uma otimizao multiobjetivo, que foge do escopo deste trabalho.
Uma das combinaes obtidas a partir dos testes que retornou resultados satisfatrios e
que por isso, adotada no estudo a utilizao de FR=10 e FH=0,805. A Tabela 46

58



apresenta os resultados para as hastes convencionais, considerando Lh = 1 m, Vh = 1 V,

= 1 .m e RD = 10 m.

Tabela 46 Resultados IEFGM PRE para as hastes convencionais.

Tempo de
I (A) R () R ()
r (m) FH FR NN NPI processamento
IEFGM IEFGM MoM
(s)
0,00635 1,172 0,853 0,805 10 19885 77917 1,5 290 0,856
0,00794 1,224 0,817 0,805 10 12786 49828 1,5 112 0,820
0,00953 1,255 0,797 0,805 10 8915 34592 1,5 56 0,790
0,0127 1,369 0,730 0,805 10 5069 19473 1,5 20 0,742

Os resultados indicaram erros inferiores a 1,6%, utilizando a Equao (4.3),
comparandose os valores de resistncia de aterramento do IEFGM com aqueles obtidos
pelo MoM. Isso representa uma boa concordncia entre os mtodos. Alm disso, destaca
se o tempo de processamento bastante reduzido obtido com essa modelagem.
Apesar desta modelagem ter sido proposta para resolver o problema do custo
computacional elevado ao se simular hastes convencionais, ela tambm pode ser
aplicada problemas de aterramento com hastes encapsuladas.
Inicialmente, considerouse para as hastes encapsuladas a mesma combinao
para os parmetros e adotados para as hastes convencionais. No entanto, ainda
que os resultados tenham sido aceitveis para fins de aterramento, com erros de at
13% calculados a partir da Equao (4.3), observouse uma maior probabilidade de
ocorrncia de instabilidade nas respostas, uma vez que a quantidade de ns fica bem
reduzida. Uma alternativa para essa questo foi a de se utilizar uma combinao de
valores diferentes para a configurao de haste encapsulada, com FR = 5 e FH=1,3. Os
resultados obtidos so apresentados na Tabela 47.

Tabela 47 Resultados IEFGM PRE para as hastes encapsuladas.

Tempo de
I (A) R () R ()
r (m) FH FR NN NPI processamento
IEFGM IEFGM MoM
(s)
0,04 1,870 0,535 1,3 5 2090 7859 1,5 4,9 0,551
0,05 2,020 0,495 1,3 5 1357 5025 1,5 2,8 0,513
0,06 2,164 0,462 1,3 5 963 3495 1,5 1,9 0,483
0,07 2,314 0,432 1,3 5 715 2564 1,5 1,7 0,457
0,08 2,468 0,405 1,3 5 552 1969 1,5 1,2 0,434
0,09 2,655 0,377 1,3 5 450 1549 1,5 0,9 0,414
0,1 2,790 0,358 1,3 5 364 1258 1,5 0,8 0,397

59



Os resultados obtidos tambm foram satisfatrios para os sistemas de

aterramento com haste encapsulada, com erros de resistncia, crescente com o
aumento do raio da haste, mas no ultrapassando 10%, para o sistema de aterramento
com maior raio. Essa tendncia j era esperada devido reduo da quantidade de ns
no domnio do problema medida que o tamanho do encapsulamento aumenta.
Para todos os casos considerados nesta seo, a reduo do tempo de
processamento s foi possvel devido diminuio da quantidade de ns distribudos
pelo domnio do problema. Entretanto, importante ressaltar que essa diminuio deve
ser feita de forma a manter um compromisso entre o tempo de processamento e a
garantia de uma boa soluo. Mesmo que o mtodo conseguisse calcular as variveis
desejadas, apresentando valores aceitveis de erro de potencial eltrico, uma reduo
significativa dos ns inviabilizaria a construo de uma equipotencial com curvatura
suave para calcular a corrente que dispersa pelo sistema de aterramento.

4.10. Estudo de Caso Solo Homogneo

Diante do objetivo de apresentar o desempenho do mtodo IEFGM aplicado aos

sistemas de aterramentos inseridos em solos uniformes, foram utilizados at o
momento, alguns parmetros mais simplificadores, tais como comprimento da haste de
1 m, tenso aplicada de 1 V e resistividade do solo de 1 .m, que demonstraram a
preciso do IEFGM para esse tipo de problema.
Embora, do ponto de vista numrico, a variao da resistividade do solo e da
tenso aplicada ao sistema de aterramento no impliquem mudanas numricas, nesta
seo apresentada uma anlise de um sistema de aterramento com parmetros tpicos
utilizando a proposta de modelagem PRE com 0,805 e 10. Para tanto,
considerase uma haste de aterramento de comprimento 2,4 m e raio 0,00953 m
(correspondente a seo de ), inserida em um solo de resistividade de 1000 .m e
submetida a uma tenso de 1 kV.
Os resultados numricos obtidos a partir do IEFGM para esta configurao de
aterramento so apresentados na Tabela 48 e os resultados grficos so apresentados a
partir da Figura 411 at a Figura 414.

60



Uma comparao entre o valor de resistncia de aterramento obtido a partir do

IEFGM com aquele obtido pelo MoM mostra boa concordncia, caracterizada por um
desvio inferior a 1%.
O tempo de simulao pode ser considerado aceitvel, uma vez que o domnio
computacional adotado possui um raio RD = 24 m, calculado a partir da expresso
RD = 10.Lh, estabelecida neste estudo para calcular o tamanho do domnio de simulao
dos casos analisados.
Tabela 48 Resultados IEFGM Caso real.
Tempo de
I (A) R () V (V) R ()
FH FR NN NPI processamento
IEFGM IEFGM em MoM
(s)
2,593 385,607 16,90 0,805 10 50462 199236 1,5 1673 388,093

1000
IEFGM
900 MoM

800

700

600
Potencial (V)

500

400

300

200

100

0
0 5 10 15 20 25
r (m)

Figura 411 Potenciais ao nvel do solo.

61



Figura 412 Distribuio de potenciais no solo.

80 V
-5 60 V

40 V

-10
z (m)

-15 20 V

-20

-25
0 5 10 15 20 25
r (m)

Figura 413 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 20 V.

62



Figura 414 Distribuio de campo eltrico no solo.

4.11. Estudo de Caso Solo Heterogneo

O solo no qual fica imerso o sistema de aterramento, normalmente, apresenta

uma caracterstica no homognea, com variaes de resistividade com a profundidade.
Por isso, importante que as anlises realizadas a partir do IEFGM para sistemas de
aterramento inseridos em solos homogneos sejam estendidas para os solos no
homogneos. Nesta seo so abordados aspectos importantes relativos aplicao do
IEFGM ao problema de aterramento eltrico inserido em um solo no uniforme
estratificado em camadas.
Para esta anlise, considerase uma configurao de aterramento conforme
apresentado na Figura 415, composta por uma haste de aterramento inserida em um
solo estratificado em duas camadas horizontais. A haste representada a partir da
proposta PRR considerandose uma configurao do tipo encapsulada com r igual ao
raio do cilindro encapsulante e igual a 0,05 m. O problema de aterramento analisado
possui as seguintes caractersticas: Lh = 1 m, Vh = 1 kV, RD = 10 m, 1000 . m,

63



z Ar b
n
Haste
Lh 1 Camada r
1 d1
Vh

2 Camada
n 2 RD
n d2

RD

Figura 415 Sistema de aterramento composto por uma haste inserido em um solo
estratificado em duas camadas.

300 . m, d1 = 3 m, d2 = 7 m, sujeitas s condies de contorno nas fronteiras de

Neumann, , e Dirichlet, , e condies de interface em . Para o tratamento da
interface entre as camadas do solo com resistividades distintas utilizase o critrio de
visibilidade.
Os valores adotados para os parmetros do sistema de aterramento sob estudo
tm como objetivo promover uma anlise da viabilidade da aplicao do IEFGM tambm
em solos com caractersticas no uniformes. Para isso buscouse definir uma
configurao de aterramento com valores tipicamente encontrados nesse tipo de
problema. A estratificao do solo, por exemplo, foi estabelecida de forma a contemplar
um solo com camadas de resistividade bem distintas entre si.
Na seo 4.6.1 foi desenvolvida uma metodologia baseada em uma anlise
analtica para o clculo do potencial na fronteira para o caso de solos homogneos. O
mesmo conjunto de equaes empregado nessa situao no pode ser aplicado no caso
de solos heterogneos, uma vez que o potencial ao longo da fronteira varia. A
metodologia adotada deve ser modificada e estendida para esse tipo de problema,
empregando o Mtodo das Imagens.
Para o problema em anlise, os potenciais em foram obtidos a partir do
Software SEGround, que indicou uma pequena variao, com 11 V, ao nvel do solo,

64



chegando a 10 V, no extremo oposto da fronteira. Esse comportamento se altera de

acordo com a estratificao do solo adotada, ou seja, com os valores de , e d
utilizados. No presente caso, para a avaliao dos potenciais desenvolvidos ao nvel do
solo a partir do IEFGM, utilizouse um nico valor de potencial em , igual a 11 V.
A Figura 416 apresenta a curva de potencial ao nvel do solo obtida com o
IEFGM. Para comparao, nesta figura apresentada tambm a curva de potencial
obtida a partir do MoM. Observase uma boa concordncia entre as curvas de potencial
no nvel do solo. A diferena entre os valores de potenciais, quantificada em termos do
erro e , de 0,3% e 1,8%, respectivamente, confirmandose assim, a
consonncia entre os resultados.
1000
IEFGM
900 MoM

800

700

600
Potencial (V)

500

400

300

200

100

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
r (m)

Figura 416 Potenciais ao nvel do solo.

Na Figura 417 apresentado um mapeamento das curvas equipotenciais no solo

em um plano longitudinal ao sistema de aterramento em estudo. Com a variao da
resistividade do solo, a disperso de corrente por ele se altera, o que reflete no formato
das equipotenciais. Conforme pode ser observado nessa figura, o comportamento das
equipotenciais se alteram ao mudar de camada.

65



-1

-2
45 V

-3 30 V

-4
z (m)

-5
15 V

-6

-7

-8

-9

-10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
r (m)

Figura 417 Curvas de equipotenciais no solo espaadas de 15 V.

A Tabela 49 apresenta os resultados numricos obtidos a partir do IEFGM.

Comparandose o valor de resistncia de aterramento obtido a partir desse mtodo com
aquele gerado pelo MoM verificase um erro, , significativo, de 21,1%. Essa diferena
se deve ao processo utilizado pelo IEFGM para o clculo da corrente que se dispersa pelo
aterramento. Conforme pode ser observado na Figura 418, na regio da interface entre
as camadas de diferentes resistividades, , a equipotencial no se comporta de forma
suave e os vetores de campo eltrico no so uniformes, caractersticas essas que
comprometem o clculo da corrente que dispersa para o solo.

Tabela 49 Resultados IEFGM Caso solo heterogneo.

Tempo de
I (A) R () V (V) R ()
NN NPI processamento
IEFGM IEFGM em MoM
(s)
2,587 386,488 11,00 31920 125653 1,5 608 489,870

66



0
Ns
-1 Vetor E

-2

-3

-4

-5
z (m)

-6

-7

-8

-9

-10

-11
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
r (m)

Figura 418 Equipotencial para o clculo da corrente I para o caso de solo heterogneo.

O objetivo desta seo foi demonstrar a viabilidade do IEFGM para aplicao em

problemas de aterramento inseridos em solos no homogneos. Os resultados obtidos
de potencial e at mesmo de resistncia de aterramento demonstraram essa viabilidade.
Para que o mtodo seja utilizado nesse tipo configurao do solo necessrio ampliar a
metodologia desenvolvida para o clculo do potencial eltrico em e aprimorar a
tcnica para o clculo da corrente que se dispersa para o solo.

4.12. Consideraes Finais

Neste captulo foram apresentados aspectos particulares referentes anlise do

sistema de aterramento eltrico utilizando o mtodo IEFGM. Esses aspectos esto
relacionados com a representao da haste de aterramento e as hipteses adotadas para
melhorar a soluo e reduzir o custo computacional do problema. Foram apresentados
os resultados de distribuio de potencial e resistncia obtidos a partir da aplicao do
IEFGM a sistemas de aterramento composto por hastes convencionais e encapsuladas,
inseridas em solos homogneos. Os resultados foram comparados com os valores
obtidos com o MoM. Por fim, foi apresentada uma anlise de uma haste de aterramento

67



inserida em um solo estratificado em duas camadas. A partir dessa anlise foi possvel
obter os potenciais ao nvel do solo, demonstrando a viabilidade do uso do IEFGM para
esse tipo de aplicao.

68



Captulo 5

Concluses

5.1. Introduo

Conforme mencionado no Captulo 1, os MM aplicados a problemas

eletromagnticos possuem um histrico recente quando comparado com tcnicas j
bastante estabelecidas como o MoM e o FEM. A partir do desenvolvimento de diversos
trabalhos ao longo desses ltimos anos, a tcnica sem malha tem se mostrado bastante
apropriada para lidar com geometrias complexas e com no homogeneidades. Essas
caractersticas motivaram a sua aplicao, nesta dissertao, a problemas de
aterramento. Destacase que essa proposta foi desafiadora uma vez que no foram
encontrados trabalhos na literatura abordando o assunto.
A escolha do tema aterramento foi realizada devido sua relevncia no
desempenho dos sistemas eltricos. Assim, no Captulo 2 foi realizado um estudo das
principais caractersticas e parmetros relacionados com aterramentos, dentre os quais
se destacam a resistncia de aterramento e a distribuio de potenciais no solo. Esses
parmetros foram utilizados para avaliar a preciso do modelo desenvolvido. Foi
apresentada a formulao diferencial para o problema de aterramento eltrico
composto por uma haste, no regime estacionrio, com simplificaes devido a sua
simetria axial.
No Captulo 3 foi apresentada a modelagem matemtica do IEFGM para o
desenvolvimento da ferramenta computacional. Entre as tcnicas sem malha
disponveis, este mtodo foi escolhido para ser utilizado no trabalho devido sua
robustez, simplicidade e preciso.
No Captulo 4 foram apresentadas as anlises do sistema de aterramento a partir
da modelagem desenvolvida. Para comparao dos resultados foi utilizado o Software
SEGround que implementa uma modelagem baseada no MoM. Como primeiro passo na
avaliao do cdigo desenvolvido, procedeuse uma investigao sobre a representao

69



da haste de aterramento na simulao. Realizouse uma breve pesquisa bibliogrfica

sobre como essa questo abordada por outros mtodos numricos e, assim, foi
proposto para o IEFGM duas maneiras de representao da geometria da haste de
aterramento: a primeira considerando suas dimenses reais e a outra, a partir de um
modelo filamentar juntamente com o ajuste do tamanho do domnio de influncia da
funo de forma dos ns distribudos ao longo da haste. Foram realizadas anlises para
configuraes de hastes convencionais e hastes encapsuladas.
Para a avaliao dos potenciais no nvel do solo observouse que, mesmo com
grandes domnios computacionais, havia uma diferena entre os valores de potenciais
gerados pelo IEFGM com os obtidos pelo MoM, quando era atribudo o valor de potencial
eltrico zero na fronteira de truncamento do problema computacional. Assim, foi
proposta uma aproximao, que explora as caractersticas das equipotenciais geradas a
uma certa distncia do aterramento, para a definio do valor do potencial eltrico nessa
fronteira, permitindo assim a reduo do domnio de simulao e a obteno de
resultados mais precisos.
Entretanto, mesmo com um domnio computacional reduzido, utilizando uma
distribuio de ns igual ao raio da haste, correspondente proposta PRR, a modelagem
ainda se mostrava computacionalmente custosa na obteno de resultados para as
hastes com raios convencionais. Como alternativa buscouse utilizar uma distribuio de
ns no uniforme considerando uma densidade de ns maior onde a variao do
potencial eltrico mais acentuada e uma densidade menor no restante do domnio.
Assim, na Seo 4.8, foi realizada uma anlise simplificada para a avaliao dos
parmetros do IEFGM a serem utilizados nas simulaes. Os resultados encontrados
apresentaram uma boa preciso, com uma reduo significativa do tempo
computacional, embora para as hastes com raios convencionais, a modelagem utilizada
ainda tenha apresentado um grande esforo computacional. Como forma de tornar
possvel a anlise das hastes convencionais vislumbrouse a sua representao a partir
de um modelo filamentar, em que o raio era considerado a partir do domnio de
influncia dos ns que compem a haste. Foi estabelecida uma relao entre o domnio
de influncia dos ns da haste e o domnio de influncia dos demais ns, para uma
distribuio de ns menos densa no domnio do problema. Com isso foi possvel analisar
os resultados dos potenciais gerados no solo e de resistncia de aterramento para as
configuraes de hastes convencionais. Os resultados obtidos apresentaram boa
70



concordncia com o MoM. Verificouse, ainda, que essa modelagem tambm apresentava
bons resultados para as hastes encapsuladas.
As anlises destacadas anteriormente foram realizadas para solos homogneos.
Como forma de avaliar a potencialidade do modelo tambm para configuraes de
aterramento inseridas em solos no homogneos, analisouse a distribuio de
potenciais no solo gerados por um aterramento composto por uma haste cravada em um
solo estratificado em duas camadas horizontais. Os resultados obtidos demonstraram a
viabilidade do uso do mtodo para esse tipo de anlise.
Verificouse que os MM, em especial o IEFGM, possuem um grande potencial de
aplicao para problemas de aterramento. No entanto, investigaes e
desenvolvimentos relativos sua implementao ainda so necessrios de forma a
tornlo mais competitivo frente aos mtodos tradicionais.

5.2. Principais Contribuies

Julgase que as principais contribuies deste trabalho foram:

Avaliao da viabilidade da utilizao de mtodos sem malha para
aplicaes envolvendo sistemas de aterramento a partir do
desenvolvimento de um modelo matemtico e computacional baseado no
IEFGM para uma configurao de aterramento composta por uma haste;
Utilizao de uma aproximao para os potenciais na fronteira de Dirichlet
onde o domnio do problema foi truncado, a partir das caractersticas das
equipotenciais a uma determinada distncia. Isso permitiu que o domnio
de simulao fosse reduzido sem perda significativa de preciso de
resultados;
Verificao, ainda que de forma simplificada, que distribuies no
uniformes de ns so computacionalmente eficientes e precisas. Esse tipo
de representao do domnio computacional um procedimento j bem
estabelecido e empregado nas tcnicas que utilizam malhas;
Implementao de uma representao do raio da haste a partir de um
modelo filamentar juntamente com o ajuste do tamanho do domnio de

71



influncia da funo de forma dos ns colocados ao longo da haste. Por

meio dessa representao foi possvel avaliar os principais parmetros do
aterramento para uma ampla faixa de raios de haste, com baixo tempo de
processamento;
Demonstrao da viabilidade, bem como das potencialidades, do IEFGM
para aplicaes envolvendo sistemas de aterramento inseridos em solos
no homogneos.

5.3. Propostas de Continuidade

Os resultados apresentados neste trabalho demonstraram a potencialidade da

utilizao do IEFGM em aplicaes relacionadas com sistemas de aterramento. No
entanto, ainda existem muitas questes que merecem ser exploradas e aprofundadas,
podendose citar:
Realizao de uma otimizao multiobjetivo dos parmetros do IEFGM
para a determinao de uma configurao tima de distribuio de ns
no uniforme no domnio do problema;
Implementao do cdigo computacional desenvolvido utilizando uma
linguagem de programao que resulte em um menor custo
computacional. Com isso, a modelagem proposta a partir da considerao
do raio real da haste poder ser aplicada tambm em hastes
convencionais;
Otimizao dos parmetros do IEFGM utilizados na modelagem que
representa o raio da haste por um modelo filamentar (PRE);
Implementao da aproximao do potencial na fronteira externa de
Dirichlet em problemas de aterramento inseridos em solos no
homogneos, a partir do Mtodo das Imagens;
Aprimorar a tcnica utilizada para o clculo da corrente que dispersa pelo
sistema de aterramento quando inseridos em solos estratificados em
camadas de diferentes resistividades;
Modelagem do IEFGM para ser aplicado a outras configuraes de
aterramento, tais como eletrodos horizontais e malhas de aterramento.
72



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