TECNOLOGICO PUERTO DE MEJILLONES

ELECTRONICA

Polarizaci
n de cd
de los BJT
MATERIA: ICO 200
GRUPO: A
FECHA: 08/09/17
INTEGRANTES: SDENKA CRESPO CALERO

CBBA-BOLIVIA

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 INDICE

1.-INTRODUCCIN. 1

2.-CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA4

3.-Polarizacin en directa de la unin base-emisor....5

4.-Saturacin del transistor...6

5.- CONFIGURACIN EN EMISOR-SEGUIDOR10

6.- CONFIGURACIN EN BASE COMN..12

7.-OPERACIONES DE DISEO15

8.-REDES DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES..18

9.-Ejercicios en clases ..20

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1.-INTRODUCCIN
El anlisis o diseo de un amplificador transistorizado requiere conocer la
respuesta del sistema
tanto de cd como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un
dispositivo mgico
que puede elevar el nivel de la entrada de ca, sin la ayuda de una fuente de
energa externa. En
realidad,
el nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia
de energa
de las fuentes de cd aplicadas.
El anlisis o diseo de cualquier amplificador electrnico se compone, por
consiguiente, de una
parte de ca y una de cd. Por suerte, el teorema de superposicin es aplicable y la
investigacin
de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca. Sin
embargo, hay
que tener en cuenta que durante la etapa de diseo o sntesis, la seleccin de los
parmetros de
los niveles de cd requeridos afectarn la respuesta de ca, y viceversa

Varios factores controlan el nivel de operacin de cd de un transistor, entre ellos el

intervalo
de los posibles puntos de operacin en las caractersticas del dispositivo. En la
seccin 4.2 especificamos
el intervalo para el amplificador de transistor de unin bipolar (BJT). Una vez que
se
han definido los niveles de corriente cd y voltaje deseados, se debe construir una
red que establezca
el punto de operacin deseado. En este captulo se analizan varias de estas
redes. Cada diseo
tambin determinar la estabilidad del sistema, es decir, cun sensible es a las
variaciones de la
temperatura, otro tema que se investigar en una seccin de la parte final de este
captulo.
Aunque aqu analizaremos varias redes, hay una similitud subyacente en el
anlisis de cada
configuracin, debido al uso recurrente de las siguientes relaciones bsicas
importantes de un
transistor:

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De hecho, una vez bien entendido el anlisis de las primeras redes, la ruta a
seguir para la
solucin de las redes ser cada vez ms clara. En la mayora de los casos, la
primera cantidad a
determinar es la corriente en la base IB . Una vez conocida la IB, se pueden
aplicar las relaciones de
las ecuaciones (4.1) a (4.3) para determinar las cantidades de inters restantes.
Las semejanzas
en el anlisis sern obvias de inmediato conforme avancemos a travs del
captulo. Las ecuaciones
para IB son similares para varias configuraciones, de modo que se puede derivar
una ecuacin
de otra con slo suprimir o agregar un trmino o dos. La funcin primordial de este
captulo es
desarrollar el nivel de conocimiento del transistor BJT que permita un anlisis de
cd de cualquier
sistema que pudiera emplear el amplificador de BJT.

2.-CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA

El circuito estar formado por un transistor NPN, dos resistencias fijas: una en la
base RB (podra ser variable) y otra en el colector RC, y una batera o fuente de
alimentacin Vcc. Este circuito recibe el nombre de circuito de polarizacin fija y
determina el punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc, RB
y RC. Es el circuito ms sencillo, pero tambin el ms inestable con las
variaciones de la temperatura.

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3.-Polarizacin en directa de la unin base-emisor

Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Al escribir la

ley de voltajes
de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemos

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Observe la polaridad de la cada de voltaje a travs de RB como la estableci la
direccin indicada
de IB. Resolviendo la ecuacin para la corriente IB obtenemos:

En realidad la ecuacin (4.4) no es difcil de recordar si se tiene en cuenta que la

corriente de
base es la corriente a travs de RB, y segn la ley de Ohm dicha corriente es el
voltaje travs
de de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a travs de RB es el voltaje
aplicado a VCC en
un extremo menos la cada a travs de la unin base a emisor Adems como el
voltaje de
alimentacin VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la seleccin
de un resistor
de base RB establece el lmite de la corriente de base para el punto de operacin.

4.-Saturacin del transistor

El trmino saturacin se aplica a cualquier sistema donde los niveles han

alcanzado su valor
mximo. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de
lquido. Para un
transistor que opera en la regin de saturacin la corriente es un valor mximo
para el diseo
particular. Cambie el diseo y el nivel de saturacin correspondiente puede
elevarse o reducirse.
Por supuesto, la corriente de colector mxima define el nivel de saturacin mximo
tal como
aparece en la hoja de especificaciones.
Normalmente se evitan las condiciones de saturacin porque la unin base-
colector ya no est
polarizada en inversa y la seal amplificada de salida se distorsionar. La figura
4.8a ilustra
un punto de operacin en la regin de saturacin. Observe que en esta regin es
donde se unen
las curvas de las caractersticas y el voltaje del colector al emisor est en o por
debajo de
Adems, la corriente del colector es relativamente alta en la curva de las
caractersticas.
VCEsat
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Si aproximamos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura
4.8b, aparece
un mtodo rpido y directo de determinar el nivel de saturacin. En la figura 4.8b
la corriente
es relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de 0 V. Al aplicar la ley de
Ohm podemos
determinar la resistencia entre el colector y el emisor como sigue:

Aplicando los resultados al esquema de la red obtenemos la configuracin de la

figura 4.9.
Por consiguiente, si en el futuro hubiera la necesidad inmediata de conocer la
corriente mxima
aproximada del colector (nivel de saturacin) para un diseo particular, basta
insertar un equivalente
de cortocircuito entre el colector y el emisor del transistor y calcular la corriente del
colector
resultante. En suma, establezca VCE_0 V. Para la configuracin de polarizacin
fija de la figura
4.10 se aplic un cortocircuito, lo que provoc que el voltaje a travs de RC fuera
el voltaje aplicado
VCC. La corriente de saturacin resultante para la configuracin de polarizacin
fija es

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Anlisis por medio de la recta de carga

Recuerde que la solucin de recta de carga de una red de diodo se encontr

superponiendo

las caractersticas reales del diodo sobre una grfica de la ecuacin de la red que
implica las mismas

variables de la red. La interseccin de las dos grficas defini las condiciones de

operacin

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reales para la red. Se conoce como anlisis por medio de la recta de carga porque
la carga

(resistores de la red) de la red defina la pendiente de la lnea recta que conecta

los puntos definidos

por los parmetros de la red.

Se puede aplicar el mismo procedimiento a redes de BJT. Las caractersticas del

BJT se

sobreponen en una grfica de la ecuacin de la red definida por los mismos

parmetros. El resistor

de carga RC para la configuracin de polarizacin fija definir la pendiente de la

ecuacin

de la red y la interseccin resultante entre las dos grficas. Cuanta ms pequea

sea la resistencia,

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5.- CONFIGURACIN EN EMISOR-SEGUIDOR

Las secciones anteriores presentaron configuraciones en las cuales el voltaje de

salida en general
se toma del colector terminal del BJT. En esta seccin analizaremos una
configuracin donde la

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salida se toma de la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.46. La
configuracin
de la figura 4.46 no es slo la nica donde la salida se puede tomar de la terminal
del emisor. De
hecho, cualquiera de las configuraciones que se acaban de describir se pueden
utilizar mientras
haya un resistor en la rama del emiso

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6.- CONFIGURACIN EN BASE COMN

La configuracin en base comn se diferencia en que la seal aplicada est

conectada al emisor y
la base est en, o un poco arriba, del potencial de tierra. Es una configuracin
bastante popular

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porque en el dominio de ca tiene una muy baja impedancia de entrada, una alta
impedancia de
salida y una buena ganancia.
En la figura 4.49 aparece una configuracin en base comn tpica. Observe que en
esta configuracin
se utilizan dos fuentes y la base es la terminal comn entre la terminal del emisor
de
entrada y la terminal del colector de salida.
El equivalente de cd del lado de entrada

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7.-OPERACIONES DE DISEO

Lo presentado hasta ahora se ha enfocado en los anlisis de las redes existentes.

Todos los elementos
estn en su lugar y todo es una mera forma de determinar los niveles de corriente
y voltaje
de la configuracin. El proceso de diseo es aquel en el que se pueden especificar
la corriente o
el voltaje, o ambos, y se deben determinar los elementos requeridos para
establecer los niveles
designados. Este proceso de sntesis requiere una comprensin clara de las
caractersticas del
dispositivo, las ecuaciones bsicas para la red y las leyes bsicas de anlisis de
circuitos, como
la ley de Ohm, la ley de voltajes de Kirchhoff, etc. En la mayora de las
situaciones, el proceso
de razonamiento se enfrenta a un reto mayor en el proceso de diseo que en la
secuencia de anlisis.
La ruta hacia una solucin no est tan bien definida y de hecho muchas requieren
varias
suposiciones bsicas que no tienen que llevarse a cabo cuando slo se analiza
una red.
Obviamente, la secuencia de diseo es insensible a los componentes que ya
estn especificados
y a los elementos que se van a determinar. Si se especifican el transistor y las
fuentes, el
proceso de diseo se concretar a determinar los resistores requeridos para un
diseo particular.
Una vez determinados estos valores tericos de los resistores, por lo comn se
seleccionan los
valores comerciales estndar ms cercanos y cualesquier variaciones provocadas
por no utilizar
los valores de resistencia exactos se aceptan como parte del diseo. sta es
ciertamente una aproximacin
vlida considerando las tolerancias normalmente asociadas a los elementos
resistivos
y los parmetros del transistor.
Si se van a determinar valores resistivos, una de las ecuaciones ms poderosas
es la ley de
Ohm en la forma siguiente:

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En un diseo particular, el voltaje a travs de un resistor a menudo se determina a
partir de
los niveles especificados. Si hay especificaciones adicionales que definen el nivel
de la corriente,
entonces se utiliza la ecuacin (4.49) para calcular el nivel de resistencia
requerido. Los
primeros ejemplos demostrarn cmo determinar algunos elementos particulares a
partir de
los niveles especificados. Luego se presentar un procedimiento completo de
diseo para dos configuraciones
de uso comn

EJEMPLO Dadas las caractersticas del dispositivo de la figura 4.59a, determine

VCC, RB
y RC para la configuracin de polarizacin fija de la figura 4.59b.

Ecuaciones

correspondientes al diseo

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8.-REDES DE CONMUTACIN CON TRANSISTORES

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La aplicacin de transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales.
Mediante un
diseo apropiado se pueden utilizar como interruptores en computadoras y
sistemas de control.
La red de la figura 4.77a se puede emplear como un inversor en los circuitos
lgicos de una
computadora. Observe que el voltaje de salida VC se opone al aplicado a la
terminal de entrada o
base. Adems, observe que no hay una fuente de cd conectada al circuito de la
base. La nica
fuente de ca est conectada al lado de salida o colector y para aplicaciones en
computadoras en
general es igual a la magnitud del lado alto de la seal aplicada; en este caso, 5
V.
El diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de
operacin cambie
de corte a saturacin a lo largo de la recta de carga ilustrada en la figura 4.77b.
Para nuestros
propsitos supondremos que cuando (una excelente aproximacin
para mejorar las tcnicas de construccin), como se muestra en la figura 4.77b.
Adems,
supondremos que en lugar del nivel tpico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi _ 5 V, el transistor estar encendido y el diseo debe garantizar que la
red se
saturar en exceso por un nivel de IB mayor que el asociado con la curva IB que
aparece cerca
del nivel de saturacin. En la figura 4.77b, esto requiere que El nivel de saturacin
de la corriente de colector en el circuito de la figura 4.77a est definida por

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9.-Ejercicios en clases

Ejercicio # 1

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Ejercicio #2

Ejercicio #3

22
Ejercicio #4

23
Ejercicio #5

24
Ejercicio #6

25
Perforando disipadores para los transistores para el flujo de calor

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