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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Per, DECANA DE AMRICA

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA


E.A.P. de Ingeniera Electrnica

Apellidos y nombres Matrcula

MENDOZA GUTIERREZ,Elizabeth Delia 16190266

Curso Tema

Dispositivos EL TRANSISTOR BIPOLAR


Electrnicos PNP.CARACTERISTICAS
BASICAS

Informe Fecha NOTA

Realizada Entregada
PREVIO

Nmero 5 de junio del 12 de junio del


2017 2017
6

Grupo Profesor

G2 Ing. Luis Alberto Paretto Quispe


I. CUESTIONARIO PREVIO:
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones del funcionamiento de
un transistor bipolar.

A simple vista es como si un transistor se formase juntando dos diodos


contrapuestos. Esta idea aunque ilustrativa, no es adecuada para comprender lo ms
interesante del comportamiento del transistor.

Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que cumplir una
serie de condiciones, como que:

El espesor de la base sea muy pequeo


El emisor est mucho ms dopado que la base
Est bien polarizado, es decir a las tensiones adecuadas.

Cuando un transistor se polariza como aparece en la figura para un transistor PNP,


se podra esperar que slo circulase corriente entre el emisor y la base que tienen la
unin polarizada en directa, mientras que la unin entre la base y el emisor est
polarizada en inversa.

Pues bien, se observa que como la base es una capa fina, parte de los portadores
de carga pasan al colector, por lo que por l sale corriente a pesar de estar
conectado en inversa. Esta corriente de salida del colector se puede regular
regulando la corriente de la base. El hecho de que el emisor est ms dopado, ayuda
a que haya ms portadores de carga que se difundan hacia el colector.

Como en el transistor no se acumula carga, se cumple que la corriente que sale


por el emisor es igual a la suma de las corrientes que entran por la base y el colector.
2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar AC126.

Principales caractersticas:
Nmero de Parte: AC126
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP

Especificiones mximas:
Disipacin total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensin colector-base (Vcb): 32 V
Tensin colector-emisor (Vce): 12 V
Tensin emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 0.1A
Temperatura operativa mxima (Tj): 90 C

Caractersticas elctricas:
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40pF
Tipo de encapsulado: TO-1

3. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento.

Luego el circito quedaria reducido:

Donde P1=0 1 =56k 2 =22k =330 =1k


VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN

Donde :

R xVcc 22kx12V
Vth= R2 +R =56k+22k=3.385 V
1 2

2256
= 2+1 =56+22=15.795k
1 2

Del grafico vemos:

x + Veb + x = Vth (a)

Pero
= (+1)

Reemplazando en la ecuacin (a):

(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):


3.38V0.6V
Ib =(45+1)x330+15.79k

= 89.764 A

Ademas: = x

= 45x89.764A = 4.0394 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 4.0394mA(330


+1k )-12V

Vce = -6.628 V

Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re

Q1 = (-6.628V;4.0394mA)

Cambiemos a 68K

VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN

Donde :

R xVcc 22k x 12V


Vth= R2 +R =68k + 22k=2.933 V
1 2

22 68
= 2+1 =68 + 22=16.622k
1 2

Del grafico vemos:


x + Veb + x = Vth (a)
Pero

= (+1)

Reemplazando en la ecuacin (a):

(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):


2.933V0.6V
Ib =(45+1)x330+16.622k

=73.3602 A

Ademas: = x

= 45x73.3602A = 3.3012 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 3.3012mA(330 +1k )-12V

Vce = -7.6094 V

Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re

Q2 = (-7.6094V;3.644mA)
Aumentar la resistencia P1=100k

VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN

Donde :

R2 xVcc 22k x 12V


Vth=(R =(56k+100k) + 22k=1.483 V
1 +P1)+R2

(R1 +P1) 22 (56k+100k)


=(R2 = (56k+100k)+ 22=19.2809k
1 +P1)+2

Del grafico vemos:


x + Veb + x = Vth (a)

Pero
= (+1)

Reemplazando en la ecuacin (a):


(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):


1.483V0.6V
Ib =(45+1)x330+19.2809k

=25.623 A

Ademas: = x

= 45x25.623A = 1.153 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 1.153mA(330 +1k )-12V


Vce = -10.467 V

Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k

Q3 = (-10.467V;1.153mA)

Aumentar la resistencia P1=250k

VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN

Donde :

R2 xVcc 22k x 12V


Vth=(R =(56k+250k) + 22k=0.8049 V
1 +P1)+R2

(R1 +P1) 22 (56k+250k)


=(R2 = (56k+250k)+ 22=20.524k
1 +P1)+2

Del grafico vemos:


x + Veb + x = Vth (a)

Pero
= (+1)

Reemplazando en la ecuacin (a):


(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):


0.8049V0.6V
Ib =(45+1)x330+20.524k
=5.739 A

Ademas: = x

= 45x5.739A = 0.582 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 0.582mA(330 +1k )-12V

Vce = -11.226 V

Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k

Q4 = (-11.226V;0.582mA)

Aumentar la resistencia P1=500k

VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN

Donde :

R2 xVcc 22k x 12V


Vth= = =0.457 V
(R1 +P1)+R2 (56k+500k) + 22k

(R1 +P1) 22 (56k+500k)


=(R2 = (56k+500k)+ 22=21.163k
1 +P1)+2

Del grafico vemos:


x + Veb + x = Vth (a)

Pero
= (+1)
Reemplazando en la ecuacin (a):
(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):


0.457V0V
Ib =(45+1)x330+21.163k

=12.575 A

Ademas: = x

= 45x12.575A = 0.566 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 0.566mA(330 +1k )-12V

Vce = -11.247 V

Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re

Q5 = (-11.247V;0.566mA)

Aumentar la resistencia P1=1M

VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN


Donde :

R2 xVcc 22k x 12V


Vth=(R = =0.245 V
1 +P1)+R2 (56k+1000k) + 22k

(R1 +P1) 22 (56k+1000k)


=(R2 = =21.551 k
1 +P1)+2 (56k+1000k)+ 22

Del grafico vemos:


x + Veb + x = Vth (a)

Pero
= (+1)

Reemplazando en la ecuacin (a):


(+1)x + Veb + x = Vth(b)

VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+

Pero = 45

Reemplazando en la ecuacin (c):

0.245V0V
Ib =(45+1)x330+21.551k

=6.6701 A

Ademas: = x

= 45x6.6701A = 0.30016 mA

Del grafico vemos:

Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc

Vce = Ic xR e + Ic xR c + Vcc = 0.30016mA(330 +1k )-12V

Vce = -11.60079 V

Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re

Q6 = (-11.60079V;0.30016mA)
II. CONCLUSIONES:
Aprender a aplicar las formulas tericas conocidas.
Aprender cmo obtener los puntos de operacin de un transistor en un circuito.
Saber aplicar el equivalente Thevenin.

III. BIBLIOGRAFIA:

http://roble.pntic.mec.es/~jsaa0039/cucabot/bipolar-funcionamiento.html
http://hlev.info/transistor.php?transistor=21200