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Curso Tema
Realizada Entregada
PREVIO
Grupo Profesor
Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que cumplir una
serie de condiciones, como que:
Pues bien, se observa que como la base es una capa fina, parte de los portadores
de carga pasan al colector, por lo que por l sale corriente a pesar de estar
conectado en inversa. Esta corriente de salida del colector se puede regular
regulando la corriente de la base. El hecho de que el emisor est ms dopado, ayuda
a que haya ms portadores de carga que se difundan hacia el colector.
Principales caractersticas:
Nmero de Parte: AC126
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
Especificiones mximas:
Disipacin total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensin colector-base (Vcb): 32 V
Tensin colector-emisor (Vce): 12 V
Tensin emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 0.1A
Temperatura operativa mxima (Tj): 90 C
Caractersticas elctricas:
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 40pF
Tipo de encapsulado: TO-1
Donde :
R xVcc 22kx12V
Vth= R2 +R =56k+22k=3.385 V
1 2
2256
= 2+1 =56+22=15.795k
1 2
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
= 89.764 A
Ademas: = x
= 45x89.764A = 4.0394 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -6.628 V
Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re
Q1 = (-6.628V;4.0394mA)
Cambiemos a 68K
Donde :
22 68
= 2+1 =68 + 22=16.622k
1 2
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
=73.3602 A
Ademas: = x
= 45x73.3602A = 3.3012 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -7.6094 V
Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re
Q2 = (-7.6094V;3.644mA)
Aumentar la resistencia P1=100k
Donde :
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
=25.623 A
Ademas: = x
= 45x25.623A = 1.153 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k
Q3 = (-10.467V;1.153mA)
Donde :
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
Ademas: = x
= 45x5.739A = 0.582 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -11.226 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k
Q4 = (-11.226V;0.582mA)
Donde :
Pero
= (+1)
Reemplazando en la ecuacin (a):
(+1)x + Veb + x = Vth(b)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
=12.575 A
Ademas: = x
= 45x12.575A = 0.566 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -11.247 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re
Q5 = (-11.247V;0.566mA)
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
0.245V0V
Ib =(45+1)x330+21.551k
=6.6701 A
Ademas: = x
= 45x6.6701A = 0.30016 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -11.60079 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R =330+1k= 9.023mA
c +Re
Q6 = (-11.60079V;0.30016mA)
II. CONCLUSIONES:
Aprender a aplicar las formulas tericas conocidas.
Aprender cmo obtener los puntos de operacin de un transistor en un circuito.
Saber aplicar el equivalente Thevenin.
III. BIBLIOGRAFIA:
http://roble.pntic.mec.es/~jsaa0039/cucabot/bipolar-funcionamiento.html
http://hlev.info/transistor.php?transistor=21200