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Christian Dupaty Jean Max Dutertre

pour l EMSE
Daprs un diaporama original de Thomas Heiser
Institut d'Electronique du Solide et des Systmes
1
Architecture analogique numrique analogique

Electronique
Amplica6on et ANALOGIQUE Amplica6on
Filtrage : en puissance
Condi6onnement

Paramtres
(coecients)

Conver6sseur Unit de calcul Conver6sseur


Analogique Ne Ns Numrique
(DSP ,
Numrique Microcontrleur,
Analogique
FPGA) Electronique
NUMERIQUE
2
Pourquoi quelles applica.ons ?

Instrumenta.on

Robo.que

Communica.ons

Mul.mdia

Systmes informa.ques

Cartes mmoires

3
Histoire des semi-conducteurs

1904 invention de la Diode par John FLEMING Premier tube vide.

1904 Triode (Lampe) par L. DE FOREST Muse . Cest un amplificateur


d'intensit lectrique.

1919 Basculeur (flip-flop) de W. H. ECCLES et F. W. JORDAN .Il faudra


encore une quinzaine d'annes avant que l'on s'aperoive que ce circuit pouvait
servir de base l'utilisation lectronique de l'algbre de BOOLE.

1937 Additionneur binaire relais par G. STIBITZ

1942 Diodes au germanium Le germanium est un semi-conducteur, c'est


dire que "dop" par des impurets, il conduit dans un sens ou dans l'autre
suivant la nature de cette impuret. Par l'association d'un morceau de
germanium dop positivement (P) et un morceau dop ngativement (N), on
obtient une diode qui ne conduit le courant que dans un seul sens.

Et les transistors

4
Le transistor effet de champ a t invent en 1925-1928 par J.E. Lilienfeld (bien avant
le transistor bipolaire). Un brevet a t dpos, mais aucune ralisation n'a t possible
avant les annes 60.

1959 : MM. Attala, D. Kahng et


E. Labate fabrique le premier
transistor effet de champ
(FET)
5
Paralllement le premier prototype du transistor bipolaire est
fabriqu en 1947

En 1947 : le premier transistor bipolaire

En 1957 : le premier CI (Texas-Instruments)

6
William Shockley
1910-1989
prix Nobel de physique William Shockley (assis), John
1956 Bardeen, and Walter Brattain,
1948.
7
Le premier rcepteur radio
transistors bipolaires

8
En 1971 : le premier Processeur

4004 dINTEL : 15/11/1971


(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits)

9
INTEL ITANIUM Tukwila core

2010 processeur IBM POWER7 , INTEL XEON et ITANIUM


> 109 Transistors MOS
(Nud technologique = taille de la grille dun transistor : 22nm) 10
Les technologies mergentes

Electronique sur plas.que

Electronique molculaire
Une molcule comme composant

11
Mais a ne se fait pas tout seul...

12
Contenu du cours d lectronique analogique 1
1. Introduc.on aux semi-conducteurs, jonc.on PN

2. Les Diodes

3. Applica.ons des diodes

4. Les Transistors eet de champ

5. Amplicateur opra.onnel

13
Bibliographie

Electronique: composants et systmes d'applica;on, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000


Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience Interna.onal, 1994

ELECTRONIQUE Fondements et applica.ons DUNOD 2006

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE VALKOV Educalivre 1994

Comprendre llectronique par la simulation", Serge Dusausay, Ed. Vuibert

Principes dlectronique", A.P. Malvino, Dunod

Microelectronics circuits", A.S. Sedra, K.C. Smith, Oxford University Press

CMOS Analog Circuit Design", P.E. Allen, D.R. Holberg

Design of Analog CMOS Integrated Circuits", B. Razavi, McGraw Hill

14
LES SEMI-CONDUCTEURS

15
Introduction aux semi-conducteurs, la jonction PN

I Matriaux semi-conducteurs.
1 Introduction.
Colonne IVA : Si, Ge.
Quest ce quun semi-conducteur ? Association IIIA-VA : AsGa, etc.
Ni un conducteur, ni un isolant.
I Matriaux semi-conducteurs
2 Modle des bandes dnergie.
Atome de silicium : le noyau comporte 14 protons nuage comportant 14 e-
-
Rpartition lectronique : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 - -- -
-
couche de - 14+ - -
valence : 4 e- - - -
-
-

Les lectrons voluent sur des orbites stables correspondant


des niveaux dnergie discrets (spars les uns des autres).

Energie
(eV)

Niveaux dnergie
lectronique dun
atome isol :

17
I Matriaux semi-conducteurs

Principe dexclusion de Pauli : deux lectrons ne peuvent occuper le mme tat


quantique.
En consquence, si deux atomes identiques sont approchs une distance de lordre de
leur rayon atomique les niveaux dnergie se ddoublent.
Dans le cas dun cristal, la multiplication des niveaux cre des bandes dnergie
permise (quasi-continuum), spares par des bandes dnergie interdites (c.--d. ne
contenant pas dtat stable possible pour les e-).

Energie Energie
(eV) (eV)
bande permise
bande interdite

Niveaux dnergie Niveaux dnergie


lectronique de 2 lectronique dun Gap
atomes proches : cristal :

Bande de valence : contient les tats lectroniques des couches priphriques des
atomes du cristal (c.--d. les e- de valence, 4 pour le Si)
Bande de conduction : bande permise immdiatement suprieure en nergie la bande
de valence. Les e- y sont quasi-libres, ils ont rompus leur lien avec leur atome dorigine,
18
ils permettent la conduction dun courant.
I Matriaux semi-conducteurs

3 Comparaison isolants, conducteurs, et semi-conducteurs.


Classification en fonction de leur rsistivit [.m]
Isolant : > 106 .m
Conducteurs : < 10-6 .m
Semi-conducteur : intermdiaire

Energie Energie Energie


(eV) (eV) (eV)

conduction conduction conduction


Eg valence
Eg
valence

valence

Isolant Semi-conducteur Conducteur


Eg ~ qqs eV Eg ~ 1 eV Eg ~ 0 eV

300K Si Ge AsGa
Eg (eV) 1,12 0,66 1,43 19
I Matriaux semi-conducteurs

4 Le silicium.
a. Semi-conducteur intrinsque (cristal pur).

Cristal de silicium : 4 e- de valence Si

association avec 4 atomes voisins pour obtenir 8 e- sur la couche de valence (rgle de
loctet, la couche de valence est sature) :

Si Si Si Si

Si Si Si Si
liaison covalente
Si Si Si Si

Structure de la maille cristalline : cubique face centre

20
I Matriaux semi-conducteurs

Cration de paires lectrons - trous


sous laction dun apport dnergie thermique (par exemple)

Energie
(eV)
Si Si Si Si
b. conduction

Eg Si Si Si Si

b. valence
Si Si Si Si

Le bandgap Eg reprsente lnergie minimale ncessaire pour rompre la liaison.

Dplacement des e- libres courant

21
I Matriaux semi-conducteurs
Dplacement des trous : de proche en proche courant (de charges +)

Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si

Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs de charges :


des porteurs ngatifs : les lectrons de la bande de conduction,
et des porteurs positifs :les trous de la bande de valence.

Le phnomne de cration de paires e- - trous saccompagne dun phnomne de


recombinaison (les e- libres sont capturs par les trous, ils redeviennent e- de valence)

Dure de vie dun porteur = temps sparant la recombinaison de la gnration.


22
I Matriaux semi-conducteurs

Le cristal est lectriquement neutre :

Concentration intrinsque de porteurs lquilibre thermodynamique :

3 E g
n i = A.T .exp

2
2kT


[ ]
cm 3

A cste spcifique au matriau [cm-3/K3/2]


Eg bandgap [J]
k = 1,38.10-23 J/K
300K, Si :
T temprature [K]

Loi daction de masse :

elle est toujours vrifie pour un cristal lquilibre thermique (quil soit intrinsque ou non).

23
I Matriaux semi-conducteurs

Phnomne de transport de charges :


courant de conduction cr sous laction dun champ lectrique,
courant de diffusion cr par un gradient de concentration de porteurs.

densit de courant [A/cm2] :

VT = kT/q = 26 mV 300K, potentiel thermodynamique [V]


n,p mobilit [cm2/V.s]

Pour le Si n = 1400 cm2/V.s, p = 500 cm2/V.s

24
I Matriaux semi-conducteurs

Intrt des semi-conducteurs : possibilit de contrler la quantit de porteurs de


charges libres (e- et trous) et par consquent la rsistivit.
Comment ? dopage, radiations, temprature, injection de courant, etc.

b. Semi-conducteur extrinsque de type N (ngatif = signe des porteurs de charge majoritaires).


Obtenus par dopage = introduction datomes du groupe V (cf. classification priodique,
5 e- sur la couche de valence) en lieu et place datomes de Si, gnralement du
phosphore P ou de larsenic As.
libration dun e- libre, les 4 autres se liant aux atomes de Si voisins (atome
donneur) :
Energie
(eV)
Si Si Si Si b. conduction
-
ED
Si Si As+ Si

b. valence
Si Si Si Si

As+ : cation fixe 25


I Matriaux semi-conducteurs

Le cristal garde sa neutralit lectrique globale ( chaque lectron libre donn par les
atomes dimpuret correspond un cation fixe).
Porteurs de charges :

majoritaires : e- tq n ND , concentration du dopage,


minoritaires : trous issus de la gnrations thermique de paires e- - trous tq

26
I Matriaux semi-conducteurs

c. Semi-conducteur extrinsque de type P (positif = signe des porteurs majoritaires).


Obtenus par dopage = introduction datomes du groupe III (cf. classification
priodique, 3 e- sur la couche de valence) en lieu et place datomes de Si, gnralement
du bore B ou du gallium Ga.
seules trois liaisons covalentes peuvent tre cres, la 4me reste incomplte, un trou
est cr pour chaque atome de dopage. Il va pouvoir tre combl par un e- dune liaison
covalente proche (atome accepteur).

Energie
(eV)
Si Si Si Si b. conduction

Si Si B Si
+ EA

b. valence
B- Si Si Si

B- : anion fixe

27
I Matriaux semi-conducteurs

Le cristal garde sa neutralit lectrique globale (pour chaque lectron libre accept par
les atomes dimpuret crant un anion fixe, un trou est cr).
Porteurs de charges :

majoritaires : trous tq p NA , concentration de dopage,


minoritaires : e- issus de la gnrations thermique de paires e- - trous tq

d. Phnomnes de gnration et de recombinaison.


gnration sous leffet dapport dnergie thermique, photonique, dun champ
lectrique, de radiations ionisantes, etc.

Energie Energie
(eV) (eV)
b. conduction b. conduction

h h

b. valence b. valence

28
I Matriaux semi-conducteurs

5 La jonction PN.
Un semi-conducteur seul (N ou P) prsente peu dintrt, cest lassociation de plusieurs
SC dops qui permet de crer les composants semi-conducteurs. Le plus simple dentre
eux est la jonction PN (ou diode), il permet en outre dapprhender le fonctionnement
des transistors.

a. Jonction PN non polarise, lquilibre.

Semi-conducteur P Semi-conducteur N
ion fixe ion fixe

e- mobile
trou
mobile majoritaire
majoritaire

paire e- - trou paire e- - trou


minoritaire minoritaire

Que se passe-t-il si lon met en contact un s.-c. de type P avec un s.-c. de type N pour
raliser une jonction PN ? (! Attention ! cest simplement une vue de lesprit, ce nest pas ainsi que lon
procde)
I Matriaux semi-conducteurs

Considrant la jonction dans son ensemble, il existe un gradient de porteurs de charges :


cration dun courant de diffusion :
des trous mobiles du s.-c. P vers le s.-c. N, au moment de leur entre dans la zone
N contenant des e- majoritaires les trous se recombinent avec les e-,
des e- mobiles du s.-c. N vers le s.-c. P, au moment de leur entre dans la zone P
contenant des trous majoritaires les e- se recombinent avec les trous.
Chaque trou (resp. e-) majoritaire quittant le s.-c. P (N) laisse derrire lui un anion
(cation) fixe et entrane lapparition dun cation (anion) fixe dans le s.-c. N (P) du fait de
sa recombinaison avec un e- (trou). Ces ions sont localiss proximit de la zone de
contact entre les deux s.-c. (la zone de charge despace, ZCE), ils sont lorigine de la
cration dun champ lectrique qui soppose au courant de diffusion. Ce champ lectrique
est quivalent une diffrence de potentiel appele barrire de potentiel (V0 = 0,7 V
pour le silicium, 0,3 V pour le germanium).
Un tat dquilibre est atteint, pour lequel :
seuls qqs porteurs majoritaires ont une nergie suffisante pour franchir la ZCE et
contribuer au courant de diffusion ID, il est compens par,
un courant de saturation inverse, Is, cr par les porteurs minoritaires lorsqu'ils sont
capturs par le champ lectrique de la ZCE.
30
I Matriaux semi-conducteurs
zone de charge
Jonction PN non despace
polarise, s.-c P s.-c N
lquilibre : zone neutre zone neutre

Energie
(eV) b. conduction

V0 : barrire
de potentiel
tq

b. valence

31
ZCE = zone de dpltion = zone dserte
I Matriaux semi-conducteurs
b. Jonction PN polarise en direct. VPN > 0

abaissement de la barrire de potentiel P N


rduction de la ZCE et du champ lectrique IPN

Valim R

Energie
(eV) b. conduction

b. valence

32
I Matriaux semi-conducteurs

On tablit :

On retiendra que le courant traverse facilement une diode polarise en direct (VPN
> V 0)

Rsistance dynamique dune jonction polarise en direct :

Valim = Valim + dV IPN = IPN + dI

On obtient :

33
I Matriaux semi-conducteurs
Charge stocke dans une jonction polarise en direct :

Non polaris :

Polarisation
directe :

Avant de bloquer une jonction PN polarise en directe il faut vacuer ces charges en
excs par rapport la situation dquilibre courant inverse transitoire (cf. temps
de recouvrement dans la suite du cours).

34
I Matriaux semi-conducteurs
c. Jonction PN polarise en inverse.
VPN = - Valim < 0
augmentation de la barrire de potentiel
largissement de la ZCE et intensification du champ P N
lectrique
IPN 0

Valim R

Energie
(eV) b. conduction

b. valence

35
I Matriaux semi-conducteurs

le courant de diffusion (porteurs majoritaires) est quasi-nul.


seul subsiste un courant inverse trs faible, IPN = -Is, de porteurs minoritaires.

Claquage :

Tension de claquage = tension inverse limite supportable au-del de laquelle apparait le


phnomne davalanche.
Sous leffet dune tension inverse leve les porteurs minoritaires sont acclrs et
acquirent suffisamment dnergie pour arracher leur tour dautre e- de valence lors
des chocs. Une raction en chaine apparait.
le courant inverse devient trs important (claquage).

36
I Matriaux semi-conducteurs

d. Influence de la temprature.

Sur Is :
courant d aux porteurs minoritaires crs par gnration thermique, il augmente
rapidement avec T pour le Si il double tout les 7C.
Sur V0 la barrire de potentiel :
pour le Si autour de 300K elle dcroit de 2 mV pour une augmentation de 1C.

37
I Matriaux semi-conducteurs

6 La diode jonction PN.

VAK

A K
anode IAK "k"athode

P N

38
Direntes diodes : Symboles
Anode A Cathode K
Diode
Diode Zener En inverse pour la rgula.on

Diode SchoSky Pour les commuta.ons rapide

Diode Varicap En HF

Diode lectro luminescente (LED)


Faut il la prsenter ?

39
Diodes de signal (ex 1N914)

Faible intensit ( jusqu 100 mA)

Faible tension inverse (jusqu 100V)


Souvent trs rapides (trr<10ns)
donc adapte la commuta6on
Bo6er verre (ou CMS)
Lanneau repre la cathode
Marquage le plus souvent en clair
40
40
Diodes de redressement (ex 1N400x)

Forte intensit (1A)

Forte tension inverse (jusqu 1000V)


Lente en commuta6on (trr>100ns)
rserve aux basses frquences
Bo6er plas6que
Lanneau repre la cathode
Marquage le plus souvent en clair 41
Diodes LEDs
Choisies pour leur couleur, luminosit
et taille
La tension Vf dpend de
la couleur (nergie)
Lintensit est pulse pour accrotre
lecacit lumineuse
Bicolores deux ou mul.colore par
combinaisons de courants
Isoles ou assembles

42
Diodes de puissance

U.lises gnralement pour le redressement


de puissance
Dans les onduleurs par exemple
IF >100A

43
Autres diodes

SCHOTTKY pour la commutation rapide en


puissance et la faible chute Vf
TRANSIL pour absorber les courants dues
aux surtensions (protection aux dcharges)
PHOTODIODE polarise en inverse cest un
convertisseur lumire/courant

44
2. Les Diodes

2.1 Dni6on Id Id

Caractris.que courant- Vd sous polarisa;on directe


tension dune diode (Vd0), la diode = court-
idale : circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisa;on inverse (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est u.le pour raliser des fonc6ons lectroniques telles que
le redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).

La diode (mme idale) est un composant non-linaire

ON NE SAIT PAS FABRIQUER UNE DIODE IDEALE !!!!

45
2.2 Caractris6ques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime
sta.que Id
(tension et courant 140
indpendants du comportement linaire
100
temps)
60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1
Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A ,


la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approxima.vement linaire
le courant inverse, Is , augmente avec la temprature

Pour Vd >> ~0.6v, le courant augmente rapidement avec une varia6on peu prs linaire
la diode est dite passante
mais Id nest pas propor6onnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)

46
Id
140

100
le comportement est fortement non-linaire
60
varia6on avec la temprature
20 Rq : pour Vd>>Vt le terme (-1) est negligeable
Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
Vo

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmenta.on exponen6elle du courant


avec 1m 2 (facteur didalit)
VT = k T/e ,pour T=300K (26,85C), VT =26mV
e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
Is = courant inverse

Inuence de T : diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si)


diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

47
Limites de fonc.onnement :

Zone de claquage inverse Id


Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts qq 1000v Vmax
Vo Vd
peut conduire la destruc.on pour
une diode non conue pour
fonc.onner dans cee zone.
claquage par eet
Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou Zener ou Avalanche
P.R.V (Peak Reverse Voltage)
Limita.on en puissance
Il faut que VdId=Pmax

48
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonc6onnement

Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un


circuit et le courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

Id et Vd respectent les Lois de Kirchho (conserva.on d nergie, loi des nuds,


loi des mailles)

Id et Vd sont sur la caractris6que I(V) du composant

Au point de fonc6onnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux condi.ons

49
2.3.2 Droite de charge

Loi de Kircho : = Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractris;que I(V)

Id
Val/RL
Q Q= Point de fonc.onnement
IQ

Droite de charge

Vd
VQ Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonc.onnement


procdure valable quelque soit la caractris;que I(V) du composant !

On peut calculer le point de fonc.onnement en dcrivant la diode par un


modle simpli.
50
2.4 Modles Sta6ques segments linaires hyp: Id, Vd constants

2.4.1. Premire approxima6on: Diode idale

On nglige lcart entre les caractris.ques relle et idale


Ce modle est surtout u.lis en electronique numrique Id
pas de tension seuil Id
conducteur parfait sous polarisa.on directe Vd
Vd
Vd <0: circuit ouvert

Schmas quivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode passante
Val
Val >0 Vd
Ri Val

Val Id
Ri
diode bloque
Val< 0 Vd Val
Val
51
2.4.2 Seconde approxima6on

tension seuil Vo non nulle Id

Id
caractris.que directe ver.cale
Vd
(pas de rsistance srie) Vd
Vd <0: circuit ouvert
Vo
Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V
schmas quivalents :
Schmas quivalents Ri
Id diode passante
pente=1/Ri
Val Vo
Val >Vo Vd
Ri Vo Val

Val Id
Ri
diode bloque
Val<Vo Vd Val
Val

52
2.4.3 3ime Approxima6on
Caractris.que relle
pente = 1/Rf
tension seuil Vo non nulle Id
rsistance directe Rf non nulle Vd pente = 1/Rr~ 0 Modlisa.on
Vd <0: rsistance Rr nie

Pour une diode en silicium, Vd


Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q . 10,
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
Rr >> M,

Schmas quivalents
schmas quivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id
Vo Val Rf
Id
Ri
Val <Vo : diode bloque
Vd
Val
Val Rr
53
Remarques :


Modle couramment u.lis

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les eets secondaires (inuence de la temprature, non-linarit de la


caractris.que inverse, .) sont pris en compte par des modles plus
volus (modles u.liss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

Exemple de modle SPICE : diode 1N757


.model D1N757 D(Is=2.453f Rs=2.9 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=78p M=.
4399
+ Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.762n Nr=2 Bv=9.1 Ibv=.48516 Nbv=.7022
+ Ibvl=1m Nbvl=.13785 Tbv1=604.396u)
* Motorola pid=1N757 case=DO-35
* 89-9-18 gjg
* Vz = 9.1 @ 20mA, Zz = 21 @ 1mA, Zz = 7.25 @ 5mA, Zz = 2.7 @ 20mA
54
2.4.4 Calcul du point de fonc.onnement via lu.lisa.on des schmas quivalents :

Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en u.lisant la 3ime approxima.on pour la diode.


hypothse ini.ale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]
>
Val = 5V RL= Vd OK!
1k
Id Vo Rf
Informa;ons sur la diode: >
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1k
et Vd = Vo + R f Id = 0,66V

Rf = 15
Rr =1M

En u;lisant la 2ime approxima.on: (Rf = 0, Rr = )

La 2ime approx. est souvent susante pour une tude qualita6ve du fonc.onnement
dun circuit .

55
EXERCICES: Caractris.ques des diodes :
Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR innie
1)
50 Calcul de Id et Vd

Val 1M pour : Val=-5v diode bloque Id=0, Vd =-5v


a)Val = -5V Val=+5v diode passante Vd=0,6v
b) Val = 5V Id=(Val-V0)/(50+30)=55mA

Conseil: simplier le circuit dabord avant de vous lancer dans des


calculs

56
Diodes au Si (Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR innie)
3) D1 D2

2 V R=100 Dnir If

If=(2-2*V0)/(R+2Rf)=5mA

EXERCICES
R=50
4)

1V Dnir IR en appliquant
lapproxima6on 2
(Rf=0) IR=(1-Vf)/(R+Rf/2)=0.4/50=6.15mA

57
Ve (V)

VeMAX

Vcc+ 0,6v
Vcc

t
-0,6v

Etude du signal de sor.e en fonc;on de lamplitude du


signal dentre :
avec ventre signal sinusodal basse frquence 10Hz
damplitude VeMAX = 10V tel que le modle sta.que reste
valable (priode du signal < temps de rponse de la diode
pas deet capaci.f )
DIODE0 La courbe R1(2) reprsente la tension
aux bornes de la diode, lorsque la
diode conduit la tension ses bornes
est VF, quasiment constante 59
DIODE1 La courbe R1(2) reprsente la tension
aux bornes de la diode plus 2v,
lorsque la diode conduit la tension
ses bornes est VF 60
Exemples dapplica.on de la diode en LOGIQUE
! Ralisa.on dun fonc.on logique avec R, D

! Tmoin sonore de la lumire externe non teinte dans les automobiles


-la lumire interne sallume lorsque la porte est 12V DC
Lumire
ouverte et elle steint si la porte est ferme
intrieure
- Une alarme sonne si la lumire
externe est allume et la porte souverte
- pas de sonnerie si la lumire externe
est allume mais la porte est ferme ferme
Lumire
Donner les deux posi.ons de la porte et placer extrieure
ouverte Porte
un circuit type Diode + Alarme pour rpondre
ce besoin.
61
2.5 Comportement dynamique d une diode

2.5.1 Prambule : Analyse sta6que / dynamique dun circuit

L Analyse sta.que

se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques


(ou composantes con6nues (DC) , ou encore composantes sta.ques)
Lanalyse sta6que permet de dnir le point de polarisa6on
= Analyse complte du circuit si seules des sources sta.ques sont prsentes
L Analyse dynamique

ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou signaux
lectriques, ou encore composantes alterna.ves (AC) )
Lanalyse dynamique permet de dnir la fonc6on de transfert informa6onnelle

na dintrt que sil y a des sources variables!

Nota.on : leres majuscules pour les composantes con6nues

leres minuscules pour les composantes variables


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Illustra.on : Etude la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.

R1
hypothses:
ve ve = signal sinusodal, valeur moyenne nulle
R2 V(t)=V+v(t) VE = source sta;que
VE

Calcul complet

V v(t)
Principe de superposi.on :
Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposi.on sapplique
la source sta.que VE est lorigine de V , et ve est lorigine de v

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R1
Analyse sta.que :
VE R2 V

schma sta.que du circuit

En sta6que, une source de tension variable valeur moyenne nulle correspond un


court-circuit
R1
Analyse dynamique : VE = 0
ve R2 v

schma dynamique

Une source de tension sta6que correspond un court-circuit dynamique

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Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

Schma sta.que R1 R2

Io R3 V

Schma dynamique
R1 R2

ve R3 v

Une source de courant sta6que est quivalent en rgime dynamique un circuit


ouvert. [puisque i(t)=0!]
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2)
Val C = composant linaire caractris par une impdance
qui dpend de la frquence du signal
R1
C
Rg
vg R2 V (t)

Schma sta.que : frquence nulle C = circuit ouvert

Val
R1

R2 V

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Schma dynamique :

R1
ZC

vg Rg
R2 v

schma quivalent dynamique

pour susamment leve : et

A trs hautes frquences ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre


remplac par un court-circuit.

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POLARISATION et signal
Le principe de superposi6on nest plus valable en prsence de composants non-
linaires !

Extrapola.ons possibles:

le point de fonc6onnement reste dans un des domaines de linarit du composant


non-linaire

lamplitude du signal est susamment faible pour que le comportement du


composant reste approxima6vement linaire.

! modle linaire pe6ts signaux de la diode

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2.5.2 Modle pe6ts signaux (basses frquences)
hypothse: varia.on susamment lente (basse frquence) pour que la
caractris.que sta.que reste valable.
Varia.on de faible amplitude autour du point de fonc.onnement sta.que Q :
la caractris.que Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q

pente :

Id
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :
2|id| Q
Vd
= rsistance dynamique
Vo de la diode
2| v|

Ce schma ne peut tre u.lis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
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Nota6on :
rf = = rsistance dynamique pour VdQ> 0

rr = = rsistance dynamique pour VdQ < 0

Pour Vd >> Vo, rf Rf


Id

Pour Vd [0, ~Vo] ,

Pour Vd < 0 , rr Rr

temprature ambiante :

proche de Vo la caractris.que I(V) scarte de la loi exponen.elle


" rf ne devient jamais infrieure Rf (voir courbe exprimentale)
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Exemple :
diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V ,
Rb
1k C 2k Temprature : 300K
Ra 10F D F(Ve)=1KHz, 0,1V
5V Ve ve Vd(t)

Analyse sta.que :

Analyse dynamique :

Schma dynamique :

v d 1,2 10 3 sin(10 3 2 t )
2k
1k
Amplitude des ondula6ons rsiduelles : 1,2 mV
vd
ve
~ 12

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DIODE3

73
2.5.3 Rponse frquen6elle des diodes

Limita6on haute frquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les varia.ons


instantanes de Vd au del dune certaine frquence.

appari.on dun dphasage entre Id et Vd

le modle dynamique basse frquence nest plus valable

Le temps de rponse de la diode dpend :

du sens de varia6on (passant bloqu, bloqu passant) (# signaux de


grande amplitude)

du point de fonc6onnement sta.que (pour des pe.tes varia.ons)

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Varia6on de Vd de faible amplitude, sous polarisa6on directe (VdQ >0)

une pe6te varia6on de Vd induit une grande varia6on Id, cest --dire des charges
qui traversent la diode

A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent
pas suivre les varia.ons de Vd)

~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec Id


(cf physique des disposi;fs semiconducteurs)
Modle pe.ts signaux haute frquence (Vd >0) :

rc
Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.


rsc
= capacit de diusion
basse frquence : rc + rsc = rf
la spara.on en deux rsistances .ent mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
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suite de lexemple prcdent: A quelle frquence la capacit dynamique commence-t-
elle inuencer la tension vd ?
5V
Rb Id = 2,2mA ! Cdi ~100nF
1k C 2k
Ra 10F D
ve Vd(t)

Schma dynamique en tenant compte de Cdi : (hyp simplicatrice: rc ~0)

1k rth ~11
v v
~ 12

ve Cdi vth Cdi = ltre passe-bas

-3dB

log f

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Diode en commuta6on : Temps de recouvrement direct et inverse
Le temps de rponse ni de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la
diode bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vg Vd
-VR
temps de rponse
Id
(VQ-Vo)/R

-VR/R

o le temps de rponse dpend du courant avant commuta.on.


o ordre de grandeur : ps ns
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Le simulateur SPICE .ent compte du
temps de recouvrement des diodes DIODE4
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(1N914 vs 1N4004)
2.6 Quelques diodes spciales

2.6.1 Diode Zener


Diode conue pour fonc6onner dans la zone de claquage inverse, caractrise par
une tension seuil nga.ve ou tension Zener (VZ)

Caractris6ques
VZ : tension Zener (par dni.on: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au
-Vz Vd del duquel commence le domaine linaire
-Imin Zener
Imax : courant max. support par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonc;onnement


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schmas quivalents
Modle sta.que :
hyp : Q domaine Zener

Rz
Vd
Id Id
V
+ z
-Vz Vd
-Imin
Q Modle dynamique, basses frquences,
pente faibles signaux :
1/Rz

-Imax pour |Id| >Imin

80
2.6.2 Diode lectroluminescente (ou LED)

Principe : La circula6on du courant provoque la luminescence

Fonc.onnement sous polarisa6on directe (V > Vo)

Lintensit lumineuse courant lectriqueId

Ne marche pas avec le Si

Vo 0.7V !
Vo dpend de la couleur

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Couleur Longueur donde (nm) Tension de seuil (V)

IR >760 Vs<1.63

Rouge 610<<760 1.63<Vs<2.03

Orange 590<<610 2.03<Vs<2.10

Jaune 570<<590 2.10<Vs<2.18

Vert 500<<570 2.18<Vs<2.48

Bleu 450<<500 2.48<Vs<2.76

Violet 400<<450 2.76<Vs<3.1


Ultraviolet <400 Vs>3.1
Blanc xxx Vs=3,5
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3.5 PHOTODIODE

Polarise en inverse elle produit un courant


propor.onnel lnergie lumineuse reue
(gnralement dans linfrarouge)

Capteur CCD
83
3. Applica6ons des Diodes

3.1 Limiteur de crte (clipping)


Fonc6on : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplicateur grand gain)
contre une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Clipping parallle
(diode // charge) droite de charge I
d

Rg
circuit Q
Vg Ve Ze Vd=Ve
protger
Vo
Vg
Limite du.lisa.on : Puissance maximale tolre par la diode.

Clipping srie :
Rg

circuit
Vg Ve(t) Ze
protger
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Protec.on contre une surtension induc.ve (ex: ouverture/ fermeture dun relais)

+20V ouverture de linterrupteur : +20V Protec.on par diode :

V L Vmax<0 ~ - 0.7V
V
I VA + VA ~20,7V
I
A
risque de dcharge la conduc.on de la
lectrique travers diode engendre un
linterrupteur ouvert courant transitoire et
diminue la tension
Linterrupteur pourrait tre induc.ve.
un transistor...

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Lors de la rupture de courant
(relche du bouton) la diode
commence conduite lorsque
Vs atteint VCC+0,7v.
Lnergie accumule dans L1
est dissipe dans la
rsistance interne de la diode
durant environ 250uS, il y a
ensuite un phnomne
oscillatoire due la capacit
de la diode (circuit LC //), ce
phnomne apparait lorsque
le point de fonctionnement de
la diode sapproche du coude
(fonctionnement non linaire).

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A suivre .
Le transistor effet de champ
Pour prparer la prochaine squence :

Bien connaitre la loi dOhm, les thormes de superposition et de Millman

Intgrer les concepts de grandeurs alternatives et continues, le principe de


polarisation et de variation dune grandeur lectrique autour dun point de
repos.

Revoir les exercices, tre capable dexpliquer les formes et grandeurs des
signaux sur les graphes temporels.

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