Vous êtes sur la page 1sur 10

Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

THYRISTORS ET TRIACS

VI.1 LES THYRISTORS

VI.1.1 Constitution

Le thyristor est constitu par la juxtaposition de trois jonctions P-N. C'est un barreau de semi-
conducteur au silicium quatre couches alternativement dopes P et N.
La couche extrme de type P ou couche d'anode porte une lectrode : l'anode (A). Cette couche
et d'paisseur moyenne, son dopage n'est pas uniforme. Trs faiblement dope au voisinage de la
jonction d'anode afin d'assurer une bonne tenue en tension en polarisation inverse (JA en inverse),
elle est dope de faon plus importante prs du contact mtallique d'anode pour amliorer la
conductivit en polarisation directe.
La couche extrme de type N ou couche de cathode est munie d'une lectrode : la cathode (K).
Cette couche est trs mince et trs fortement dope. En raison de ce dopage important, la
jonction de cathode prsente une trs faible tenue en inverse.
La couche interne de type P ou couche de commande est dote de l'lectrode dite de commande
: la gchette (G). Cette couche est trs mince et trs faiblement dope.
La couche interne de type N est appele couche de blocage. Cette couche est trs paisse et trs
faiblement dope. Ce faible dopage permet au thyristor d'avoir une bonne tenue en tension en
polarisation directe (JC en inverse).

Jonction de
Jonction de commande JC Jonction
cathode JK d'anode JA A

Cathode Anode
N (A)
(K)

P N P G
Couche de
cathode Couche K
d'anode
Gchette Couche de
(G) commande Couche de
blocage

Figure VI.1 : Constitution et symbole d'un thyristor

Cette description fait apparatre successivement trois jonctions P-N :


La jonction couche d'anode - couche de blocage dite jonction d'anode JA.
La jonction couche de blocage - couche de commande dite jonction de commande JC.
La jonction couche de commande - couche de cathode dite jonction de cathode JK.

ISET DE NABEUL (2014) 78 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

Le thyristor sera polaris en direct si la tension VAK = (VA VK) est positive. Les jonctions JA et
JK sont alors en direct et la jonction JC en inverse.
Le thyristor sera polaris en inverse si la tension VAK est ngative. Les jonctions JA et JK sont
alors en inverse et la jonction JC en direct.

VI.1.2 Analyse de fonctionnement

Le montage de la figure VI.2, comprend un circuit de gchette de faible puissance et un circuit


d'anode de forte puissance.
En polarisation directe (EA >0) :
Lorsqu'il n'y pas un signal de commande (k ouvert donc IG = 0) :
Pour EA < VAK0 (VAK0 = 34 V pour le MCR 106) : IA = 0 et VAK EA, le thyristor se comporte
comme un circuit ouvert, on dit qu'il est bloqu.
Pour EA VAK0 : IA = (EA/R) et VAK 0,8 V, le thyristor se comporte comme un court-circuit, on
dit qu'il est amorc.
La tension VAK0 pour laquelle le thyristor s'amorce est appele tension de retournement ou
tension d'amorage courant de gchette nul.
Le thyristor tant amorc, si on diminue la tension EA, le thyristor reste conducteur jusqu' une
certaine valeur du courant IA not IH est appel courant de maintien, puis il se bloque.
Lorsqu'il y un signal de commande (k ferm donc IG > 0) :
Pour IG = 5 mA, le thyristor s'amorce pour EA = 15 V, et pour IG = IGT, le thyristor s'amorce pour
tout EA positif. Dans tous les cas, lorsque le thyristor est amorc, si l'on ouvre l'interrupteur k (IG
= 0), le thyristor reste conducteur. Pour se bloquer, il est ncessaire, soit de diminuer le courant
IA en dessous de la valeur IH, soit d'inverser la tension d'alimentation EA.
En polarisation inverse (EA < 0) : La prsence du courant de gchette n'a aucun influence.
Pour EA > 35 V, IA 0 et VAK EA. Le thyristor est bloqu.
Pour EA 35 V, le courant IA croit brusquement, mais la tension VAK reste pratiquement
gale 35 V. Il est ncessaire de limiter le courant IA pour viter une dissipation de puissance
excessive. Le thyristor est alors en rgime de claquage.
IA
mA

Th RA
K IG V
mA VAK
RG EA
EG mV VGK

Circuit de gchette Circuit d'anode


Figure VI.2 : Circuit de polarisation d'un thyristor

ISET DE NABEUL (2014) 79 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

VI.1.3 Caractristiques du thyristor

Un montage thyristor (figure VI.2) prsente deux circuits fondamentaux : Le circuit de


puissance ou circuit d'anode et le circuit de commande ou circuit de gchette.
Dans chacun de ces circuits les diffrentes grandeurs sont lies par un rseau de caractristiques :
Rseau d'anode IA = f(VAK), paramtre IG.
Rseau de gchette IG = f(VGK).

VI.1.3.1 Caractristiques d'anode

VI.1.3.1.1 Caractristiques directes

Le courant IA est pratiquement nul avant l'amorage, la tension VAK est trs faible et quasi
constante (0,8 V) en rgime de conduction. Le point pour lequel VAK est maximale est appel
point de retournement dont les coordonnes (VAK0 ; IA0) sont appeles tension et courant de
retournement.
Par convention, courant de gchette nul la IA (mA)

tension de retournement est note VDRM (tension


de pointe que peut supporter le thyristor en 40

polarisation directe pour se maintenir l'tat IG = 0


20 mA 8 mA 5 mA
bloqu).
VAK (V)
La tension de retournement est une fonction 0
15
dcroissante du courant de gchette et de la Figure VI.3 : Caractristiques directes d'un thyristor

temprature.
Pour un courant de gchette IG = IGT, l'tat passant apparat pour tout VAK positif : Le thyristor se
comporte comme une diode.

VI.1.3.1.2 Caractristique inverse

La caractristique inverse est analogue celle


IA (mA)
d'une diode jonction : Courant trs faible avant
18 0
claquage, caractristique pratiquement verticale
VAK (V)
aprs claquage.
La valeur absolue de la tension VAK pour laquelle
3
apparat le claquage est note VRRM (tension
inverse de pointe que peut supporter le thyristor
Figure VI.4 : Caractristique inverse d'un thyristor
pour se maintenir l'tat bloqu).

ISET DE NABEUL (2014) 80 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

VI.1.3.2 Caractristiques de gchette

La caractristique de gchette est la courbe IG

reprsentative de la relation IG = f(VGK) pour IGS


C0
IA = 0. C'est la caractristique de la diode PGS

gchette - cathode l'tat bloqu. PGAV


En raison de sa configuration, cette diode
Zone d'amorage
C0'
diffre d'une diode jonction classique par : certain
IGT
une chute de tension directe plus leve, un IGD
VGK
courant inverse beaucoup plus grand, une 0 VGD VGT VGS
Zone d'amorage
tenue en inverse, relativement faible et une impossible Zone d'amorage
possible
trs grande dispersion pour un mme type de
Figure VI.4 : Caractristiques de gchette d'un thyristor
thyristor.
Pour traduire cette dispersion, le constructeur ne peut fournir que les caractristiques C0 et C0'
des chantillons extrmes d'un mme type.
Les conditions d'amorage sont traduites dans le plan (IG ; VGK) par :
Un domaine, o aucun, chantillon ne s'amorce, limit par les valeurs IGD et VGD.
Un domaine o certains chantillons s'amorcent, limit par les valeurs IGT et VGT.
Un domaine d'amorage certain pour tous les chantillons.
Une zone de destruction limite par l'hyperbole de puissance.

VI.1.3.3 Caractristiques dynamiques

VI.1.3.3.1 Temps d'amorage ton

Suite une impulsion de commande sur la gchette, la tension VAK ne dcrot pas
immdiatement. On traduit ce retard l'amorage par le temps ton dit temps d'amorage. Ce
temps se dcompose en deux intervalles :
Le temps de retard td (delay-time) : dure qui s'coule entre le passage de l'impulsion 10% de
sa valeur maximale et le passage de la tension VAK 90% de sa valeur maximale.
Le temps de descente tr (rise-time) pendant lequel la tension VAK passe de 90% 10% de sa
valeur maximale.

VI.1.3.3.2 Temps de blocage ou de dsamorage toff

C'est le temps qui s'coule entre l'instant o la tension VAK s'annule et l'instant ou le thyristor
devient susceptible de supporter une polarisation directe sans se ramorcer. En d'autre terme c'est

ISET DE NABEUL (2014) 81 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

le temps ncessaire pour que la jonction de commande redevienne, aprs annulation du courant
d'anode, capable de soutenir une tension inverse leve.
Ce temps, qui varie de 5 100 s suivant le type, limite la frquence d'utilisation des thyristors.

Ig

VAK

0 t
ton
VAK toff
Amorc Bloqu
td tr
0 t

Bloqu Amorc

0
t

Figure VI.5 : Caractristiques dynamiques d'un thyristor

VI.1.4 Commutation

On appelle commutation d'un thyristor le passage de l'tat passant l'tat bloqu. Suivant la
nature de la tension anode - cathode, cette commutation peut se faire, soit de faon naturelle, soit
de faon force.

VI.4.1 Commutation naturelle

Lorsque la tension anode cathode aux bornes du thyristor diminue ou passe par zro, le courant
d'anode devient infrieur au courant de maintien : le thyristor se bloque. On dit qu'il y a
commutation naturelle.

VI.4.2 Commutation force

Lorsque la tension anode cathode aux bornes du thyristor reste toujours positive, aprs amorage
par le dispositif de commande, il est ncessaire de lui adjoindre un dispositif de commutation
force.

VI.5 Application des thyristors

Les applications du thyristor sont essentiellement lies la possibilit de rgler la puissance


dissipe dans une charge. Les utilisations typiques sont essentiellement :
Convertisseurs alternatif continu contrls complets (redressement commands).

ISET DE NABEUL (2014) 82 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

Convertisseurs alternatif continu semi contrls (ponts mixtes).


Convertisseurs continu alternatif (onduleurs autonomes).
Convertisseurs continu continu (hacheurs).

VI.6 Choix et limites d'utilisation des thyristors

Le choix du thyristor adquat pour une application donne, dpend principalement :


De la tension de retournement courant de gchette nul (VDRM).
De la tension de claquage (VRRM).
Du courant direct moyen maximal (IFAV).
Du courant direct de pointe accidentel maximal (ITSM).
Des temps d'amorage et de dsamorage (ton et toff).

LETTRES DES SYMBOLES


Lettre de symboles Initiale du mot anglais Traduction franaise
AV average moyen
D direct continu
F forward sens direct
G gate gchette
H holding maintien
M maximum maximal
N negative ngatif
P peak pointe
R reverse inverse
1er position
R recurrent rcurrent
2me position
S surge accidentel
T thyristor thyristor
W working de service

ISET DE NABEUL (2014) 83 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

(guide de technicien en lectronique page 93)

ISET DE NABEUL (2014) 84 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

VI.2 LES TRIACS

Le triac (Triode Alternatif Current) est un semi-conducteur conduction bidirectionnelle


commande. En effet, alors que le thyristor ne s'amorce qu'en polarisation directe, le triac est
amorable pour des tensions d'alimentation de signe quelconque. Il est quivalent deux
thyristors monts en opposition. Il n'existe q'une seule gchette G et deux anodes A1 et A2 non
identiques.

VI.2.1 Constitution et fonctionnement

On peut schmatiser la structure d'un triac par celle d'un thyristor classique dans lequel seraient
diffuses deux zones de type N, l'une dans la couche d'anode, l'autre dans la couche de
commande.
Deux lectrodes mtalliques places sur les zones (P1-N4) est (P2-N2) portant le non d'anodes, la
troisime place sur la zone (P2-N3) est appele gchette.
L'ensemble peut tre assimil deux thyristors (P1N1P2N2) et (P2N1P1N4) monts en parallle
inverse. Cette analogie ne peut tre prolonge car si la gchette du premier est bien connecte
la couche de commande, il n'en est pas mme pour le deuxime.

Anode 2
A2

N4
A2
P1
P1 N4
Th1 Th2
N1
N2 P2
Gchette N3 P2
N2 G
A1 A1
Anode 1

Figure VI.8 : Constitution et symbole d'un triac

Le fonctionnement peut tre analys sommairement de la faon suivante :


VA2A1 positive (polarisation directe), le thyristor Th1 est en direct, une impulsion sur la
gchette permet son amorage (thyristor classique).
VA2A1 ngative (polarisation inverse), le thyristor Th2 est en direct, la jonction N1P1 jouant le
rle de jonction de commande (elle seule est polarise en inverse). Une impulsion ngative sur la
gchette permet une injection d'lectrons dans la rgion P2, o devenus minoritaires, ils sont
acclrs par le champ interne dans la rgion N1. Le dopage de la rgion N1 est augment et la
tenue en inverse de la jonction N1P1 diminue. Il y a claquage.

ISET DE NABEUL (2014) 85 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

VI.2.2 Caractristiques tension courant et proprits

Extrieurement, le triac se comporte comme deux IA


thyristors monts en tte-bche. Il en rsulte une
symtrie de sa caractristique par rapport IG = 0
IG > 0
l'origine. 0
IG < 0 VA2A1
Par contre, si dans le montage thyristors, chaque IG = 0

thyristor dispose d'une demi priode pour se


bloquer lorsqu'il passe en polarisation inverse, le Figure VI.6 : Caractristiques courant - tension
triac (lment bidirectionnel) devra avoir un temps
de blocage trs petit devant la demi priode. L'utilisation en frquence est en consquence trs
vite limite (300 400 Hz).
En polarisation inverse, le thyristor doit pouvoir supporter la tension maximale pour viter le
claquage (gnralement destructif). Le triac est, lui, autoprotg puisqu'il s'amorce dans les deux
sens.

VI.2.3 Applications

Principalement les triacs sont beaucoup plus utiliss dans les convertisseurs alternatif alternatif
(gradateurs triphas et monophas).

VI.2.4 Choix des triacs

Le choix des triacs dpend :


Du courant efficace dans le semi-conducteur (IFAV).
Du courant de pointe rptitif (ITSM).
De la tension directe maximale rptitive (VDRM).

ISET DE NABEUL (2014) 86 Moez HAJJI


Support de cours lectronique analogique Chapitre VIII : Thyristors et triacs

(mmotech page 490)

ISET DE NABEUL (2014) 87 Moez HAJJI