Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
TEMA:
CARACTERSTICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (silicio y germanio)
II. OBJETIVOS:
Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos
semiconductores
2. Un Multmetro.
3. Un miliampermetro y un micro ampermetro
5. Un diodo Semiconductor de Ge
6. Un Voltmetro de cc.(analgico)
7. Resistencia de 100.
V. PROCEDIMIENTO:
() ()
604 > 20
(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73
b. Invertimos el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de
los instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en la
tabla 3.
() ()
291 0.03
(. ) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 0.91 2.01 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 7.0 11.0 14.0 19.0 23.0
(. ) 0.17 0.21 0.27 0.38 0.54 0.72 1.17 1.68 2.00 2.32 2.79 3.38
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.16 0.19 0.23 0.29 0.37 0.45 0.62 0.8 0.9 1.1 1.15 1.37
Tabla 1
() ()
604 > 20
Tabla 2
(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73
Tabla 3
Tabla 4
() ()
291 0.03
Tabla 5
(. ) 0.17 0.21 0.27 0.38 0.54 0.72 1.17 1.68 2.00 2.32 2.79 3.38
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.16 0.19 0.23 0.29 0.37 0.45 0.62 0.8 0.9 1.1 1.15 1.37
Tabla6
(. ) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 0.91 2.01 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 7.0 11.0 14.0 19.0 23.0
Dnde:
VT=Voltaje trmico
(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73
Graficando en Excel:
Vd vs Id
25
20
y = 6E-06e20.763x
15
Id(mA)
10
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
Tenemos que la ecuacin de la curva es:
= 6 106 20.763
Tenemos que
= 6 106
Concluimos que:
( )
=
= =
Nota:
T = 27C+273 = 300K
Por lo tanto:
23
(1.38 10 )(300) = 25.875
= =
1.6 1019
26
Por lo tanto la resistencia dinmica para cada punto desde el
(26 )
=
a. Para ID=0.1mA
2(26 )
=
0.1
= 520
b. Para ID=0.2mA
2(26 )
=
0.2
= 260
c. Para ID=0.4mA
2(26 )
=
0.4
= 130
d. Para ID=0.8mA
2(26 )
=
0.8
= 65
d. Para ID=1.6mA
2(26 )
=
1.6
= 32.5
e. Para ID=2.5mA
2(26 )
=
2.5
= 20.8
f. Para ID=5mA
2(26 )
=
5
= 10.4
g. Para ID=8mA
(26 )
=
8
= 3.25
h. Para ID=10mA
(26 )
=
10
= 2.6
i. Para ID=12mA
(26 )
=
12
= 2.167
j. Para ID=15mA
(26 )
=
15
= 1.73
k. Para ID=20mA
(26 )
=
20
= 1.3
Para este caso no va haber resistencia dinmica pues como se puede observar
en los datos obtenidos:
VIII. BIBLIOGRAFA