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M
Facultad de Ing. Electrnica, Elctrica y
Telecomunicaciones
Apellidos y Nombres Matricula
Curso Tema
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Dispositivos CARACTERSTICAS BSICAS
Electrnicos
Informe Fechas Nota
Nmero
6 11-02-15 18-01-15
Grupo Profesor
2(Mircoles 11-2pm) Ing. Luis Paretto Q.
CONTENIDO DE INFORME PREVIO
I. OBJETIVOS
II. CUESTIONARIO PREVIO
III. CONCLUSIN
IV. BIBLIOGRAFA
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP
CARACTESTICAS BSICAS
OBJETIVOS:
Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP
CUESTIONARIO PREVIO
1. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar AC128.
Principales caractersticas:
Nmero de Parte: AC128
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
Especificiones mximas:
Disipacin total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensin colector-base (Vcb): 32 V
Tensin colector-emisor (Vce): 16 V
Tensin emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC mxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa mxima (Tj): 100 C
Caractersticas elctricas:
Producto de corriente -- ganancia ancho de banda (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contnua (hfe): 45
Tipo de encapsulado: TO-1
Donde :
R xVcc 22kx12V
Vth= R2 +R =56k+22k=3.385 V
1 2
2 1 2256
= = =15.795k
1 +2 56+22
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
Reemplazando en la ecuacin (c):
3.38V0.6V
Ib =(45+1)x330+15.79k
= 89.764 A
Ademas: = x
= 45x89.764A = 4.0394 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -6.628 V
Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R +R
=330+1k= 9.023mA
c e
Q1 = (-6.628V;4.0394mA)
Cambiemos a 68K
VEAMOS EL EQUIVALENTE THEVENIN
Donde :
22 68
=2+1 =68 + 22=16.622k
1 2
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
2.933V0.6V
Ib =(45+1)x330+16.622k
=73.3602 A
Ademas: = x
= 45x73.3602A = 3.3012 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -7.6094 V
Vcemx = Vcc=-12v
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k
Q2 = (-7.6094V;3.644mA)
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
1.483V0.6V
Ib =(45+1)x330+19.2809k
=25.623 A
Ademas: = x
= 45x25.623A = 1.153 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -10.467 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k
Q3 = (-10.467V;1.153mA)
Aumentar la resistencia P1=250k
Donde :
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
0.8049V0.6V
Ib =(45+1)x330+20.524k
=5.739 A
Ademas: = x
= 45x5.739A = 0.582 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R +R
=330+1k= 9.023mA
c e
Q4 = (-11.226V;0.582mA)
Donde :
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
0.457V0V
Ib =(45+1)x330+21.163k
=12.575 A
Ademas: = x
= 45x12.575A = 0.566 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -11.247 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max= = = 9.023mA
Rc +Re 330+1k
Q5 = (-11.247V;0.566mA)
Donde :
Pero
= (+1)
VthVeb
=(+1)x (c); Veb = Vbe
+
Pero = 45
0.245V0V
Ib =(45+1)x330+21.551k
=6.6701 A
Ademas: = x
= 45x6.6701A = 0.30016 mA
Ie xR e + Vec + Ic xR c =- Vcc
Vce = -11.60079 V
Vcemx = Vcc=-12V
Vcc 12v
Ic max=R = = 9.023mA
c +Re 330+1k
Q6 = (-11.60079V;0.30016mA)
CONCLUSIONES
Aprender a aplicar las formulas tericas conocidas.
Aprender cmo obtener los puntos de operacin de un transistor en un circuito.
Saber aplicar el equivalente Thevenin.
BIBLIOGRAFA
http://alltransistors.com/pdfview.php?doc=ac128.pdf&dire=_valvo