U.N.M.S.

FAC. DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

CUEVA GONZALES, JESUS A. 16190119

CURSO TEMA

LAB. DISPOSITIVOS RECTIFICADOR CONTROLADO

ELECTRNICOS DE SILICIO

INFORME FECHA NOTA

PREVIO REALIZACION ENTREGA

NUMERO
29 DE JUNIO 29 DE JUNIO
08

GRUPO PROFESOR
NUMERO HORARIO
3 MIERCOLES 10- 12 am Ing. Luis Paretto
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERISTICAS BASICAS

I. OBJETIVOS:

1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

2. Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor
bipolar PNP

II. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

Un multmetro.

Un miliampermetro.

Un micro-ampermetro.

Un voltmetro de c.c.

Un transistor 2N3906.

Un Osciloscopio.

Resistores : Re= 330 , Re= 1K , R1= 56K , R2=

22K

Condensadores: Cb= 0.1 F, Cc= 0.1 F, C e =3.3 F.

Una fuente de c.c. variable.

Tres cordones AC.

Cables conectores.(3 coaxiales ORC)

Un potencimetro de 1M

Una placa con zcalo de 3 terminales

Dos placas con zcalo de 2 terminales

Un generador de seales.
 III. PROCEDIMIENTO:

1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.

Llenar la tabla.

TABLA 1

Resistencia Directa() Inversa()

Base-Emisor 670 >30M
Base-Colector 656 >30M
Colector-emisor >30M >30M

2. Armar el ciruito:

3. Ajustar el generador de seales a 50 mv.pp, 1KHz., onda senoidal.

Observar la salida Vo con el osiloscopio. Anotar en la Tabla 4.

TABLA 2

Valores(R1=56k) Ic(mA) Ib(A) Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)

Medidos 6.36 38 167.37 -3.91 -0.692 -2.003

TABLA 3

Valores(R11=68k) Ic(mA) Ib(A) Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)

Medidos 5.22 31 168.39 -5.21 -0.685 -1.666
 TABLA 4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

3(Q2) 700 8.8 12.571 2 2.857

TABLA 5

P1 100k 250k 500k 1M

Ic(mA) 1.85 0.4 0 0
Ib(A) 12 2.4 0 0
Vce(v.) -9.64 -11.55 -12.05 -12.06

IV. CUESTONARIO FINAL

1. Explique el comportamiento del transistor al hacer su verificacin

operativa con el Ohmmetro.

Haciendo las mediciones respectivas se determin los siguientes datos.

Tabla1
Resistencia Directa() Inversa()
Base-Emisor 680 >30M
Base-Colector 686 >30M
Colector-emisor >30M >30M

La tabla de resistencia entre la base, el colector y el emisor verifica que

se cumple con las especificaciones del transistor dado.
2. Representar la recta de carga en un grfico Ic vs. Vce del circuito
del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2;
3 y 5.

TABLA 2
12
10 0, 9.836
8
6
VCE(v)
4 6.36, 3.91
2
0 12, 0
0 5 10 15

TABLA 3
12

10 0, 9.836
8

6
5.22, 5.21 VCE(v)
4

0 12, 0
0 5 10 15

TABLA 5
12

10 0, 9.836

6
Ic(mA)
4
9.64, 1.85
2 11.55, 0.4
12.05, 0
0 12.06, 0
0 5 10 15
3. En qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas
2 y 3?

Se encuentra en la regin activa de trabajo ya que el colector esta

polarizado inversamente y el emisor directamente.
Los puntos son los siguientes:

Q(tabla 2) (-3.91V; 6.36mA)

Q(tabla 3) (-5.21V; 5.22mA)

Como se puede contrastar con la grfica del enunciado anterior, el punto

de trabajo del transistor bipolar PNP en la transicin de Q2 a Q3 ha
descendido; por lo que diremos que si R1 sigue aumentando el transistor
entrara en zona de corte.

4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a

120k?

La recta tomara direccin hacia abajo o se iria a la zona de corte.

Como notamos hallando los siguientes valores:

(Para P1 = 0 y R1 = 120k

V= 22x103x-12/(120K+22K)
V= -1.859 V

Rb =120K x 22K/(120K+22K)
Rb= 18.591 K

Hallando Ib:
VV
BE
Ib =Rb+(+1)Re

1.859(0.625)
Ib =18.591103 +(180+1)330

Ib = -15.755 A
 Hallando Ic:

Ic = Ib
Ic = (-15.755) (180)
Ic = -2.835 mA

Hallando VCE: (Ic = Ie)

Vcc = IcRc + VCE + IcRe

VCE = Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12-(-2.835103 )(1K+330)

VCE = -8.229 v

Hallando VE:

VBE = VB - VE. (VB = V)

VE = V - VBE

VE = - 1.859 (-0.625)

VE = - 1.234v

Valores IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)

(R1= 120K
)
Tericos -2.835 -15.755 180 -8.229 -0.625 -1.234
 5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.

TABLA 4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

3(Q2) 700 8.8 12.571 2 2.857
6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.

Se observa una correlacin entre el B terico con el practico pero no en

las tablas de voltajes.

Se muestran cambio en el Av cuando no hay capacitor en la parte del

emisor.

Los transistores normalmente deben respetar sus B para que as se

considere un buen funcionamiento de este.

Se muestra una resistencia parecida en la tabla 1 con las resistencias

tericas.

Pudimos comprobar el efecto que tiene un transistor PNP en un circuito.

V. BIBLIOGRAFA

http://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=21766

Separata del profesor Paretto

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema8/Pagin

as/Pagina3.htm

http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_3.html

http://www.youtube.com/watch?v=ANR6UeDIVaA

http://picmania.garcia-

cuervo.net/recursos/redpictutorials/electronica_basica/transistores

_1.pdf