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Prcticas de Laboratorio para

Electrnica de Potencia

Departamento de Ingeniera Elctrica y


Electrnica

Ciudad Obregn, Sonora, Mxico; Agosto de 2017

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ITSON Instituto Tecnolgico de Sonora
5 de Febrero 818 Sur. C.P. 85000
Ciudad Obregn, Sonora, Mxico.

Prcticas de Laboratorio para


Electrnica de Potencia

Dr. Jos Antonio Beristin Jimnez


Dr. Javier Prez Ramrez
Mtro. Romn Valle Rivero

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Contenido

Prctica I. Utilizacin del equipo bsico de medicin para el laboratorio de electrnica de potencia.

Prctica II. Curvas v-i del diodo y el transistor Mosfet.

Prctica III. Simulacin del rectificador trifsico de onda completa.

Prctica IV. Medicin de Parmetros de Rendimiento en Rectificadores de Onda Completa


Monofsicos.

Prctica V. EL SCR y el TRIAC.

Prctica VI. Implementacin de un pulsador cd-cd reductor en modo de conduccin continuo.

Prctica VII. Implementacin de un convertidor cd-cd elevador en modo de conduccin continuo.

Prctica VIII. Implementacin de un inversor monofsico medio puente con tensin de salida
rectangular.

Prctica IX. Implementacin de un inversor monofsico medio puente con tensin de salida modulada
en anchura de pulso senoidal.

Prctica X. Implementacin de un inversor monofsico puente completo con salida modulada en


anchura de pulso senoidal.

Prctica XI. Implementacin de un inversor trifsico con modulacin por anchura de pulso senoidal.

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Instituto Tecnolgico de Sonora

Departamento de Ingeniera Elctrica y


Electrnica

Electrnica de Potencia

Prctica I

Utilizacin del equipo bsico de medicin para el


laboratorio de electrnica de potencia

Objetivo

Medir voltaje y corriente con el multmetro de seales de cd y


ca.

Medir amplitud y frecuencia de una seal de voltaje con el


osciloscopio.

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Antecedentes tericos

Multmetro

El multmetro es un instrumento que permite medir, en su forma ms elemental, los


siguientes parmetros en un circuito elctrico: resistencia, voltaje de ca y de cd, corriente de
ca y de cd. Actualmente existen multmetros que tienen la capacidad de hacer algunas otras
pruebas como: medicin de temperatura, medicin de frecuencia, prueba de continuidad,
prueba de diodos, medicin de beta de transistores bipolares, medicin de capacitancia,
medicin de ancho de pulso entre otras.

En esta prctica se realizarn mediciones slo de resistencia, corriente y voltaje.

Medicin de resistencias

Precaucin:

Para evitar la posibilidad de causar daos al medidor o al equipo sometido a


prueba, desconecte el suministro elctrico del circuito y descargue todos los
condensadores de alta tensin antes de medir la resistencia.

La resistencia es una oposicin al flujo de corriente. La unidad de resistencia es el


Ohm (). El medidor mide la resistencia al enviar una pequea corriente a travs del
circuito. Los rangos de resistencias del medidor pueden ir desde 500,00 , 5,000 k,
50,000 k, 500,000 k, 5,000 M y 30,000 M. Para medir la resistencia, configure el
medidor tal como se muestra en la figura 1.1.

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Figura 1.1 Medidor de resistencia.

Tenga en cuenta lo siguiente al medir la resistencia:

Dado que la corriente de prueba del medidor fluye a travs de todos los caminos
posibles entre las puntas de las sondas, el valor medido de una resistencia en un circuito
frecuentemente es diferente al valor nominal de la resistencia.

Los conductores de prueba pueden agregar un error de 0.1 a 0.2 en las


mediciones de resistencia. Para probar los conductores, junte las dos puntas de las sondas
entre si y lea la resistencia de los conductores. Si es necesario, puede pulsar el botn REL
para restar automticamente este valor.

La funcin de resistencia puede producir suficiente tensin para polarizar


directamente las uniones de diodos de silicio o de transistores, hacindolas conductoras.
Para evitar esto, no utilice el rango de 30 M para las mediciones de resistencia en el
circuito.

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Medicin de tensin

La tensin es la diferencia de potencial elctrico entre dos puntos. La polaridad de la


tensin de ca (corriente alterna) varia con el tiempo, mientras que la polaridad de cd
(corriente continua) es constante con el tiempo.

Al medir tensin, el medidor acta aproximadamente como una impedancia de 10


M (10,000,000 ) en paralelo con el circuito. Este efecto de carga puede causar errores
de medicin en circuitos de alta impedancia. En la mayora de los casos, el error es
despreciable (0.1 % o menos) si la impedancia del circuito es de 10 k (10,000 ) o
menos.

Medicin de tensin ca

El medidor presenta los valores de tensin ca como lecturas rms (raz cuadrada de la
media de los cuadrados, valor eficaz). El valor rms es la tensin cd equivalente que
disipara la misma cantidad de calor en una resistencia que la tensin medida. El medidor
realiza lecturas de valor eficaz (rms) real, que son exactas para ondas sinusoidales y otras
formas de ondas (sin compensacin en cd), tales como ondas cuadradas, ondas triangulares,
y ondas escalonadas para en el caso de tensin de ca con compensacin de cd, utilice ca+cd
=V.

Medicin de tensin cd

Configure el medidor para medir tensin cd tal como se muestra en la figura 1.2.
Todas las funciones o modos de los botones pulsadores estn disponibles para la lectura
estndar de tensin cd.

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Figura 1.2. Forma de medir tensin en ca y en cd.

Medicin de corriente

Precaucin Para evitar la posibilidad de daos al medidor o al equipo sometido a


prueba, verifique los fusibles del medidor antes de medir la corriente. Utilice las terminales,
la funcin y el rango apropiados para las mediciones. No coloque nunca las sondas a travs
de (en paralelo con) cualquier circuito o componente cuando los conductores estn
enchufados en las terminales de corriente.

La corriente es el flujo de electrones a travs de un conductor. Para medir corriente,


debe abrir el circuito sometido a prueba y luego colocar el medidor en serie con el circuito.

Para medir la corriente alterna o continua, proceda como sigue:

Desconecte el suministro elctrico al circuito.


Descargue todos los condensadores de alta tensin.
Inserte el conductor de prueba negro en la terminal COM. Inserte el conductor de
prueba rojo en la terminal de entrada apropiado para el rango de medicin.

Nota: Para evitar fundir el fusible de 440 mA del medidor, utilice la terminal
mA/A solamente si est seguro que la corriente es mayor que 400 mA.

Si est utilizando la terminal A, situ el selector giratorio en mA/A. Si est


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utilizando la terminal mA/A site el selector giratorio en A para valores de
corriente menores de 5000 A (5mA) o en mA/A para valores de corriente
superiores a 5000 A.
Abra el circuito que desea probar. Toque la sonda roja al lado ms positivo de la
interrupcin; toque la sonda negra al lado ms negativo de la interrupcin. La
inversin de los conductores producir una lectura negativa, pero no causar daos
al medidor.
Conecte el suministro elctrico al circuito y luego lea la pantalla.

El colocar sondas a travs de (en paralelo con) un circuito alimentado


elctricamente, con un conductor enchufado en la terminal de corriente, puede causar daos
al circuito que se est probando y fundir el fusible del medidor. Esto puede suceder porque
la resistencia a travs de las terminales de corriente del medidor es muy baja, de modo que
el medidor acte como corto circuito.

Medicin de corriente alterna

Para medir corriente alterna, configure el medidor tal como se muestra en la figura
1.3.

Figura 1.3 Medicin de corriente.

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Medicin de corriente continua.

Para medir corriente continua, configure el medidor tal como se muestra en la figura
1.4.

Figura 1.4 Medicin de corriente.

Osciloscopio

El osciloscopio es bsicamente un dispositivo de visualizacin grfica que muestra


seales elctricas variables en el tiempo. El eje vertical Y, representa el voltaje; mientras
que el eje horizontal X, representa el tiempo. Si se tiene una seal con un nmero n de
cuadros de pico a pico y el conmutador V/DIV en una escala determinada el valor de la
seal ser el resultado de multiplicar la escala del conmutador por el nmero de cuadros.

Vpp= n x V/Div (1.1)

Bsicamente se puede hacer lo siguiente con el osciloscopio:

Determinar directamente el periodo y el voltaje de una seal.


Determinar indirectamente la frecuencia de una seal.
Determinar qu parte de la seal es cd. y cul es ca.
Localizar averas en un circuito.
Medir la fase entre dos seales.
Determinar qu parte de la seal es ruido y cmo vara ste en el tiempo.

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Los osciloscopios tambin pueden ser analgicos digitales. Los primeros trabajan
directamente con la seal aplicada, sta una vez amplificada desva un haz de electrones en
sentido vertical proporcionalmente a su valor. En contraste los osciloscopios digitales
utilizan previamente un conversor analgico-digital (A/D) para almacenar digitalmente la
seal de entrada, reconstruyendo posteriormente esta informacin en la pantalla.

Los mandos ms usuales del osciloscopio son el On/Off, control de intensidad del
haz de electrones, el enfoque, centrado horizontal y vertical, amplitud vertical y horizontal,
selector de base de tiempos y sincronismo exterior o interior.

Controles

En la figura 1.5 se presenta un osciloscopio bsico.

Figura 1.5. Osciloscopio bsico.

Este es un osciloscopio de dos trazos. Igualmente la mayora de la informacin


explicada aqu puede ser aplicada a uno de un trazo. Los controles bsicos son:

BRIGHT: Girando esta perilla se ajusta la intensidad de la pantalla.


FOCUS: Girando esta perilla se ajusta el foco del trazo sobre la pantalla.
GRAT: Ilumina una cuadrcula o grilla que facilita la visualizacin de la seal.
TRACE: Selecciona la seal a trazar en la pantalla.
TRIGGER: Selecciona la fuente de disparo.
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TRIGGER LEVEL: Selecciona el punto de la onda utilizado para disparar.
TIMEBASE: Selecciona la velocidad con la que el trazo se desplaza en la pantalla.
INPUT LEVEL: Ajusta el nivel de la entrada.
POS (Position): Establece la posicin del trazo en la pantalla.

o BRIGHT

Controla la intensidad lumnica (o brillo) de la pantalla. Esto es muy til ya que los
osciloscopios (a diferencia de las computadoras) no disponen de protector de pantalla.
Entonces, si deja un trazo brillante en la pantalla durante tiempos muy largos, puede
suceder que esa imagen quede quemada sobre la superficie fluorescente del tubo
quedando permanentemente visible, incluso con el instrumento apagado. Si desea (o
necesita) dejar el instrumento conectado mucho tiempo con una seal esttica ser
necesario bajar el brillo del trazo al mnimo para evitar este inconveniente. Cabe aclarar
que la superficie quemada est en el interior del tubo, no pudiendo ser reparado de ninguna
forma.

o Focus

Este mando permite ajustar la definicin del trazo. Un trazo fuera de foco se ve
difuso y poco definido, mientras que un trazo enfocado correctamente permite una clara y
rpida visualizacin.

o Graticule

Este control permite iluminar una escala (o grilla) que facilita la medicin de la
seal visualizada. Usualmente es una pelcula plstica colocada sobre la superficie del tubo
la cual est dibujada con una matriz de cubos de 1 cm2, generalmente con lneas punteadas.
Comparando la matriz con la forma de onda, es posible efectuar la medida tanto de tensin
como de frecuencia. Si el control se apaga la grilla no ser visible.

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o Trace

Tambin llamado CHANNEL este mando permite seleccionar el trazo a mostrar


en la pantalla. Estas son las opciones ms usuales junto con su explicacin:

A: Slo se muestra el trazo de la seal A.


B: Slo se muestra el trazo de la seal B.
A+B: Se muestran tanto la seal A como la seal B (en dos trazos).
ADD: Las dos entradas de seal son sumadas y mostradas en un nico trazo.

o Trigger level

Un trazo que exhibe una forma de onda sin el uso del TRIGGER (o disparador) se
desplaza de forma similar que lo hace un sistema de TV cuando su sistema de traba
horizontal est desajustado. El trigger detiene el trazo de una seal, hasta que una
determinada parte de la forma de onda aparezca. Esto produce que el tubo se borre
exactamente en el punto adecuado de la forma de onda para que sta parezca estacionaria o
quieta en un mismo lugar, facilitando su comprensin. Este control, por consiguiente,
permite establecer el punto de la forma de onda donde debe actuar.

o Trigger selector

Selecciona el origen de la seal de disparo. La mayora de los instrumentos de dos


trazos pueden ser disparados tanto desde el canal A como el B. Algunos ms complejos,
disponen de la facilidad de disparar desde una seal externa, en cuyo caso un conector
(usualmente rotulado TRIGGER) permite ingresar dicho impulso.

o Timebase

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La velocidad con la que se dibuja un trazo en la pantalla del tubo puede ser ajustada
con el control TIMEBASE. ste est calibrado en segundos (s), milisegundos (ms = 0.001
segundos) o microsegundos (s = 0.000001 segundos).

o Input level

Ajusta el nivel de entrada de cada canal permitiendo que el trazo complete la


totalidad de la pantalla. Este es un selector calibrado en Voltios por centmetro (V/cm).
Dado que este mando se ajusta de acuerdo a la magnitud de la seal de entrada, un ajuste
sobre el rango har que la seal mostrada sea imperceptible, pero ajustarlo bajo la escala
puede daar los circuitos de entrada del instrumento. De todas formas los equipos actuales
disponen de proteccin contra este tipo de inconvenientes.

o Position

Establece la posicin vertical del trazo en la pantalla permitiendo facilitar la lectura


de la seal. Por ejemplo, puede establecer de cero Voltios a la posicin central de la grilla
para medir ca, o al pi de la pantalla para medir cd.

Material y equipo empleado


1 Fuente de cd.
1 Osciloscopio.
1 Multmetro.
1 Generador de funciones.
1 Tableta experimental.
- Resistencias (1 k (1), 1.5 k (1), 2 k (1)).
1 Capacitor 10nF.

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Desarrollo experimental

Medicin de resistencia en serie y en paralelo

a Conecte tres resistencias en serie de cualquier valor y compruebe que la resistencia


total es la suma de las tres resistencias.

b Ahora conecte las mismas resistencias en paralelo y compruebe que la resistencia


1
total es RTOTAL .
1 1 1

R1 R2 R3

Mediciones en cd con multmetro

a Alimente tres resistencias en serie con una fuente de cd y entonces compruebe la ley
de voltajes de Kirchhoff.

b Alimente tres resistencias en paralelo con una fuente de voltaje de cd y entonces


compruebe la ley de corrientes de Kirchhoff.

Mediciones en ca con multmetro

a Coloque el generador de funciones en una seal senoidal a una frecuencia de 1 kHz


y con un voltaje de 1.41 Vrms. Alimente tres resistencias en serie y entonces
compruebe la ley de voltajes de Kirchhoff.

b Alimente 3 resistencias en paralelo con una fuente de voltaje con las caractersticas

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del punto a y entonces compruebe la ley de corrientes de Kirchhoff.

c Arme un circuito RC en paralelo; mida los valores de la resistencia y del capacitor.


Use la fuente del punto a y con los valores medidos calcule los valores de corriente
en cada elemento. Ponga a funcionar el circuito y mida dichas corrientes. Compare
los valores medidos contra los calculados y saque sus conclusiones.

Mediciones con osciloscopio

a Realice la calibracin del osciloscopio.

b Haciendo uso del generador de funciones haga que se visualice en el osciloscopio: i)


Una seal cuadrada de 5 Vpp a una frecuencia de 10 kHz ii) Una seal senoidal de
20 mVpp a 10 Hz y iii) una seal triangular de 2 Vpp a 1 MHz. Anote sus
observaciones.

c Arme un circuito RC como el que se muestra en la figura 1.6.

Figura 1.6 Circuito RC.

d Con el canal uno del osciloscopio en la fuente de excitacin y con el canal dos en el
capacitor haga un barrido en frecuencia comenzando desde 100 Hz hasta 1 MHz y
anote que le pasa a la magnitud y a la fase del voltaje en el capacitor. Llene la tabla

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1.1 sin cambiar la amplitud del voltaje del generador.

e A partir de los datos obtenidos en la tabla 1.1 construya las grficas de Bode de
Magnitud y Fase y anote sus observaciones.

Frecuencia Vin (V) Vo (V) ngulo Ganancia


(Hz) (Grados) (dB)
100
300
500
700
1k
3k
5k
7k
10 k
30 k
50 k
70 k
100 k
300 k
500 k
700 k
1M

Tabla 1.1. Respuesta en frecuencia del filtro RC.

Bibliografa

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Savant, C. J., Roden, M., & Carpenter, G. (1992). Diseo electrnico. Adisson Wesley 2.
Edicin Mxico.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Instituto Tecnolgico de Sonora

Departamento de Ingeniera Elctrica y


Electrnica

Electrnica de Potencia

Prctica II

Curvas v-i del diodo y el transistor Mosfet

Objetivo

El objetivo de esta prctica es revisar el funcionamiento de los


dispositivos semiconductores como es el diodo y el transistor
MOSFET, graficando sus curvas v-i y simulando en anlisis
transitorio con el paquete de simulacin de Orcad Pspice.

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Antecedentes tericos

Las herramientas de simulacin permiten obtener resultados previos a la


implementacin de laboratorio. Estos resultados pueden mostrar el comportamiento en
estado estable, en estado transitorio, la respuesta en frecuencia, el espectro de frecuencia de
seales etc. Para algunas de ellas se requiere equipo especial de laboratorio.

Existen diferentes software para simulacin de circuitos electrnicos entre ellos el


Electronics Wokbench, Pspice y el multisim son los que ms se utilizan. En esta prctica se
utiliza la versin estudiantil del Orcad Pspice para implementar los circuitos con diodos y
obtener la curva v-i y la respuesta transitoria.

Material y equipo empleado


1 Computadora.
1 Software de Orcad Pspice versin estudiantil.
1 Memoria USB

Desarrollo experimental

Generar un nuevo proyecto

a. Ingresar a todos los programas, ir a la carpeta Cadence Switch Released 17.2 2016 y
elegir Capture CIS Lite
b. Seleccionar New Project
c. Poner nombre a su archivo: Name: curvadiodo
d. Seleccionar Analog or Mixed A/D
e. En location Crear una carpeta dentro de Cadence a la cual le pueden llamar:
PRACTICAS

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f. Dar click en ok.
g. Elegir create a blank proyect.

Dibujar el circuito a simular. Curva v-i del diodo de uso general

a. Para agregar la librera del diodo, seleccionar Place => Part


b. En el apartado de Libraries seleccionar Add Library => DIODE => D1N4002
c. Dibujar el circuito con diodos para anlisis en DC Sweep. Dibujar el circuito de la
figura 2.1.
d. Para poner un elemento de circuito realice: Place => PSpice Component y elija el
dispositivo que desee utilizar.
e. Para realizar la conexin de los elementos del circuito realice: Place => Wire Con el
botn derecho oprimido realice la conexin entre los elementos de circuito.
f. La tierra del circuito seleccionar Place => Ground => 0/CAPSYM => OK
g. En la barra de herramientas ubicada en la parte derecha del simulador, seleccionar
Place net alias (N), en la ventana que surge, poner VD, dar ok y arrastrar el puntero
hasta la lnea superior del circuito. Ponerlo justo arriba de la lnea tal y como aparece en
la figura 2.1.

Figura 2.1. Circuito para obtener la curva voltaje-corriente del diodo D1N4002.

h. Dar doble clic al valor de voltaje de la fuente de corriente directa y ponga 0.8Vdc.
i. Ponga un marcador de corriente en el nodo del diodo.
j. Realice la simulacin en PSpice => New Simulation Profile => Create
k. En Analysis establezca los valores de la figura 2.2.

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Figura 2.2. Parmetros de simulacin para el circuito de la figura 1.

l. Para realizar la simulacin elegir PSpice => Run


m. Segn la curva v-i del diodo, qu potencia se estara disipando en el diodo cuando
la corriente alcanza 1 Ampere?

Curva v-i del Mosfet de Canal N

a. Dibuje el circuito de la figura 2.3 para obtener la grfica v-i del MOSFET.
b. Para insertar el IRF150 es necesario agregar la librera como se hizo para el caso
del diodo, indicado en el paso b del apartado anterior.

M1 V1
10Vdc
I
V2 IRF150
6Vdc

Figura 2.3. Circuito para obtener la curva v-i del Mosfet.

c. Elija PSpice => New Simulation Profile y establezca los valores de la figura 2.4.

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Figura 2.4. Parmetros de simulacin para el circuito de la Figura 3 (fuente VGS).

Y para la variacin de la fuente en la compuerta los datos de la figura 2.5.

Figura 2.5. Parmetros de simulacin para el circuito de la Figura 3 (fuente VDS).

.
a. Establezca un marcador de corriente en el drenaje del transistor MOSFET.
b. Visualice las curvas V-I del transistor Mosfet.
c. Determinar la potencia disipada del transistor cuando conduzca 40 A de drenaje a
fuente.

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Circuito con diodo

a. Dibujar el circuito de la figura 2.6 para anlisis en Time Domain (Transient)


R1

500

V1 = 0 V1
V2 = 100 D7
I
TD = 0
TR = 0.25u D1N4002
TF = 0.25u
PW = 0.25ms
PER = 0.5ms 0

Figura 2.6. Circuito con diodo para medir el tiempo de recuperacin inversa.

b. Establecer 1mS como tiempo de simulacin y 0.01uS como Maximum Step Size
como en la figura 2.7.

Figura 2.7. Parmetros de simulacin para el circuito de la figura 2.6.

c. Visualizar el voltaje de la fuente V1 y con el cursor verificar cada uno de los


parmetros de la fuente.

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d. Poner un marcador de corriente en el diodo y determinar el tiempo de recuperacin
inversa.

El tiempo de recuperacin, trr, inversa se calcula tal como se muestra en la figura


2.8. Donde IF es la corriente de conduccin directa del diodo e IRR es el valor pico inverso
mximo de IF.

Figura 2.8. Caracterstica de recuperacin en sentido inverso.

e. Cambiar el diodo por un D1N4148, realizar la simulacin y determinar el tiempo de


recuperacin inversa.
f. Comparar ambos tiempos y comentar al respecto.

Circuito con MOSFET

a. Dibujar el siguiente circuito de conmutacin con Mosfet.

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R2

V2
R1 M1 V
75Vdc
I
10
IRF150
V1 = 0 V1
V2 = 15
TD = 0
TR = 0.23U
TF = 0.25U
PW = 5U 0
PER = 10U

Figura 2.9. Circuito con Mosfet en modo conmutacin para medir el tiempo de encendido y
apagado.

b. Realizar la simulacin para un Run to time de 50s y un Maximum step size de


0.01 s
c. Poner un marcador de voltaje en el drenaje del transistor y un marcador de corriente
como se muestra en la figura 2.9.

Figura 2.10. Parmetros de simulacin del circuito de la figura 7.

d. Hacer un acercamiento durante la conmutacin y medir el tiempo de encendido y el


tiempo de apagado del Mosfet.
e. Medir el voltaje en la resistencia R2.
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La figura 2.11a muestra el circuito empleado para verificar la conmutacin del
MOSFET y la figura 2.11b muestra la forma tpica de conmutacin.

Figura 2.11 (a) Circuito para verificar la conmutacin del MOSFET, (b) formas de onda tpicas de
conmutacin del MOSFET.

El retardo de encendido, td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia de


entrada hasta el valor del voltaje de umbral. El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de
la compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de compuerta que se requiere
para activar al transistor hasta la regin lineal. El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el
necesario para la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje de sobresaturacin
V1 hasta la regin de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en forma apreciable
antes de que VDS comience a subir. El tiempo de cada tf es el necesario para que la
capacitancia de entrada se descargue desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje de

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umbral. Si VGSVT, el transistor se desactiva. El tiempo de encendido es td(enc) + tr y el
tiempo de apagado se considera como td(apag)+ tf.

Bibliografa

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Savant, C. J., Roden, M., & Carpenter, G. (1992). Diseo electrnico. Adisson Wesley 2.
Edicin Mxico.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Instituto Tecnolgico de Sonora

Departamento de Ingeniera Elctrica y


Electrnica

Electrnica de Potencia

Prctica III

Simulacin del rectificador trifsico de onda


completa

Objetivo

El objetivo de esta asignacin es revisar el funcionamiento del


rectificador puente completo trifsico as como interpretar las
formas de onda de corriente y voltaje obtenidas con el paquete
de simulacin de Orcad Pspice.

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Antecedentes tericos
Casi toda la energa elctrica se produce en generadores trifsicos y se transmite por lneas
de transmisin trifsicas. El rectificador trifsico es muy utilizado en aplicaciones de alta
energa. La figura 3.1 muestra un rectificador trifsico de onda completa. Los diodos estn
numerados en orden de secuencia de conduccin, cada uno de ellos conduce durante 120.
La secuencia de conduccin de los diodos es 12, 23, 34, 45, 56 y 61. El par de diodos
conectados entre el par de lneas de alimentacin que tengan la diferencia de potencial
instantneo ms alto de lnea a lnea sern los que conduzcan.

Figura 3.1. Rectificador trifsico puente completo con carga resistiva.

En un rectificador trifsico con carga resistiva los parmetros de entrada y salida


vienen dados por:

El voltaje promedio de salida est dado por:

Vcd = 1.654 Vm

El voltaje rms de salida es:

Vrms = 1.6554 Vm

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Si la carga es resistiva, la corriente pico a travs del diodo es Im = 3 Vm / R y el
valor rms de la corriente del diodo es:

Ir = 0.5518 Im
el valor rms de la corriente secundaria del transformador es:
Is = 0.7801 Im
donde Im es la corriente de lnea pico del secundario.

Desarrollo experimental

Generar un nuevo proyecto

a. Ingresar a todos los programas y elegir Orcad Family Released 9.2 Lite Edition.
b. Ingresar a Cadence Release 17.2 - 2016
c. Seleccionar File=> New => Project
d. Poner nombre a su archivo: Name: rectrifasico
e. En location Crear una carpeta dentro de ORCADLITE a la cual le pueden llamar:
PRACTICAS
f. Dar click en ok.
g. Elegir create a blank proyect.

Dibujar el circuito a simular.

a. Dibujar el circuito con diodos para anlisis en bias point.


b. Dibujar el circuito de la figura 3.2.
c. Para poner un elemento de circuito realice: place => Part En Part elija el dispositivo
que desee utilizar importando las libreras necesarias.
d. Modifique la fase de la fuente VB (Phase=-120) y la fase de la fuente VC
(Phase=120).

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Figura 3.2. Circuito del rectificador trifsico en Pspice.

Simulacin

a. Para realizar la simulacin del circuito es necesario hacer un nuevo perfil de


simulacin. Seleccionar Pspice=> New Simulation Profile poner el nombre de
rectrifasico, establecer los parmetros de la figura 3.3 y dar aceptar.
b. Iniciar la simulacin seleccionando Pspice => Run.

Figura 3.3. Parmetros de simulacin del circuito del circuito de la figura 3.2.

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Resultados

a. Grafique los voltajes VA, VB y VC.


b. En la grfica de los voltajes VA, VB y VC compruebe que los voltajes estn
desfasados 120 grados.
c. Utilice el cursor para determinar el voltaje mximo.
d. Introduzca un nuevo PLOT.
e. Grafique los voltajes diferenciales VA-VB, VB-VC y VC-VA.
f. Grafique la corriente de la fase a.
g. Grafique la corriente de la fase b.
h. Grafique la corriente de la fase c.
i. Grafique el voltaje de salida, Vo.
j. Grafique la corriente en el los diodos D1, D2 y D5.
k. Grafique el espectro de frecuencia de la corriente de la fase A utilizando la opcin
de Fourier del simulador. Muestre hasta el dcimo armnico mltiplo de la
frecuencia fundamental.
l. Agregue un capacitor de filtrado de 1mF en paralelo con la carga resistiva.
m. Grafique el voltaje de salida. Mida el voltaje de rizado.
n. Grafique la corriente de la fase A.
o. Grafique el espectro de frecuencia de la corriente de la fase A utilizando la opcin
de Fourier del simulador. Muestre hasta el dcimo armnico mltiplo de la
frecuencia fundamental.
p. Agregue una inductancia de 10mH en serie con la carga resistiva.
q. Grafique la corriente de la fase A.
r. Grafique el espectro de frecuencia de la corriente de la fase A utilizando la opcin
de Fourier del simulador. Muestre hasta el dcimo armnico mltiplo de la
frecuencia fundamental.

32 de 109
Bibliografa

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Savant, C. J., Roden, M., & Carpenter, G. (1992). Diseo electrnico. Adisson Wesley 2.
Edicin Mxico.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

33 de 109
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Departamento de Ingeniera Elctrica

Electrnica de Potencia

Prctica IV

Medicin de Parmetros de Rendimiento en


Rectificadores de Onda Completa Monofsicos

Objetivo

Analizar los parmetros de rendimiento de un rectificador


monofsico de onda completa con carga resistiva, capacitiva e
inductiva.

34 de 109
Antecedentes tericos

Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una


seal unidireccional (en corriente y en voltaje). Los diodos se utilizan extensamente en los
rectificadores. Existen diferentes tipos de rectificadores, el rectificador monofsico de
media onda es el ms sencillo, pero no se utiliza normalmente en aplicaciones industriales,
esto debido a la poca cantidad de voltaje que se le puede aplicar a la carga y adems la gran
cantidad de corrientes armnicas que se inyectan a la red elctrica.

La figura 4.1 muestra el circuito de un rectificador de onda completa monofsico, el


cual est compuesto por cuatro diodos (D1-D4). Tomando en cuenta una carga resistiva,
durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada se suministra potencia a la carga a
travs de los diodos D1 y D2. Durante el semiciclo negativo, los diodos D3 y D4 conducirn.
En este caso el voltaje pico inverso del diodo es el valor mximo de la tensin de entrada,
Vm. Este circuito es de uso comn en aplicaciones comerciales.

D1 D3
is
R vo
vg vs


D4 D2

Figura 4.1. Rectificador monofsico de onda completa.

Si el voltaje en el secundario del transformador es vs Vm sen t , donde 2 f

35 de 109
1
y f es la frecuencia del voltaje de red, y si no se consideran prdidas en el
T
rectificador, se pueden calcular los parmetros de rendimiento del rectificador de la
siguiente forma:

El voltaje de salida promedio es:

T 2
2 2Vm
Vocd
T
0
Vm sen t dt

0.6366 Vm (4.1)

y el voltaje de salida rms o efectivo es:

1 2
2 T 2

V sen t 0.707Vm
2
Vorms m (4.2)
T 0

Las potencias de salida de cd y de ca se muestran en la ecuacin (3)

Pocd I ocd Vocd

Poca I orms Vorms (4.3)

Los parmetros de rendimiento del rectificador son los siguientes:

Pocd
; (Eficiencia de rectificacin) (4.4)
Poca

Voca Vorms 2 Vocd 2 ; (El valor rms de la componente de ca de vo ) (4.5)

Vorms
FF ; (Factor de forma) (4.6)
Vocd

36 de 109
RF FF 2 1 ; (Factor de rizo) (4.7)

Pocd
TUF ; (Factor de utilizacin del transformador) (4.8)
Vs I srms
rms

DF cos ; (Factor de desplazamiento) (4.9)

1 2
I
2

HF rms 1
s
; (Factor de armnico de la corriente de entrada) (4.10)

I s1rms

I s1rms
PF cos ; (Factor de potencia) (4.11)
I srms

Los parmetros de rendimiento ideales de un rectificador son: 100% 100% ,


Vca=0, RF=0, TUF=1, HF=THD=0, y PF=DPF=1.

En el diseo de un rectificador se deben considerar las especificaciones de los


diodos semiconductores, las especificaciones de los diodos se cubren normalmente en
trminos de la corriente promedio, la corriente rms, la corriente pico y el voltaje pico
inverso. Para el circuito de la figura 4.1, el voltaje de salida va a presentar armnicos,
debido a esto es necesario utilizar filtros de cd. Los filtros de cd son normalmente de tipo L,
C y LC.

Si se considera un filtro capacitivo en paralelo con la carga como se muestra en la


figura 4.2, la componente de rizo de pico a pico ser:

Vm
Vor ( pp ) (4.12)
2f R C

37 de 109
El voltaje promedio en la carga est dado por:

Vm
Vocd Vm (4.13)
4f RC

El voltaje de rizo de salida en valor rms Voca se puede encontrar en forma

aproximada a partir de:

Vm
Voca (4.14)
4 2 f RC

Y el factor de componente ondulatoria se puede determinar a partir de:

Voca 1
RF (4.15)
Vocd 2 (4 f R C 1)

De la ecuacin (15) el valor del capacitor se calcula con la siguiente ecuacin:

1 1
C 1 (4.16)
4f R 2 RF

Material y equipo empleado

Cantidad Material

1 Multmetro

1 Medidor de potencia Fluke 43B o Fluke 39

1 Osciloscopio

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1 Resistencia de carga de 50 (resistencia con base metlica)

1 Inductor 600 mH

1 Transformador 127/24 Vrms

4 Diodos 1N4007

1 Protoboard

Desarrollo experimental

Realice el calibrado de los canales del osciloscopio. Considere la calibracin para la


medicin del voltaje y del tiempo.

Rectificador de onda completa monofsico con carga resistiva

a. Implemente el circuito de la figura 4.2.

b. Flote el osciloscopio utilizando un adaptador de tres a dos terminales.

D1 D3
is
R vo
vg vs


D4 D2

Figura 4.2. Rectificador de onda completa monofsico con carga resistiva

c. Obtenga la forma de onda del voltaje de salida vo en el osciloscopio. Tome una foto

39 de 109
de la seal y anote la escala de voltaje y de tiempo utilizada para poder agregarla al
reporte.

d. A partir de la forma de onda del voltaje de salida, calcule Vorms , Vocd , Voca , el factor
de forma FF, el factor de rizo RF. Incluya en el reporte las ecuaciones, la
sustitucin de los valores obtenidos en las ecuaciones y el resultado final.

e. Calcule la corriente promedio de salida I ocd utilizando el valor Vocd obtenido y el


valor de la carga RL . Calcule la corriente I orms , obtenga la potencia de salida de ca
Poca y la eficiencia de rectificacin .

f. Conecte el medidor de potencia Fluke en el secundario del transformador de la


figura 4.2. Pida asesora al facilitador de laboratorio para una correcta conexin
asegurando la polaridad de las puntas de voltaje y la direccin del flujo de corriente
por la punta de medicin. De ser necesario, para una mejor visualizacin de la
corriente es necesario amplificar la seal de corriente lo cual se puede lograr dando
vueltas al cable que une el secundario del transformador con el puente rectificador
en la punta de corriente (5 vueltas).

g. Observe el voltaje y la corriente en el modo osciloscopio del medidor. Incluya estas


formas de onda en el reporte.

h. Navegue en el medidor para encontrar los datos de factor de potencia de


desplazamiento DPF, factor de potencia PF, distorsin armnica de voltaje THDvs
y distorsin armnica de corriente THDis . Si dio vueltas al cable en la punta de
corriente, el valor de sta se incrementar, sin embargo estos datos no afectan a las
mediciones realizadas de factor de potencia y distorsin armnica. Incluya estos
datos en su reporte.

Rectificador monofsico de onda completa con filtro capacitivo y


carga resistiva

a. Disee un filtro capacitivo para el circuito de la figura 4.3, con un factor de rizado
mximo RF de 5%. Utilizar la ecuacin (4.16) con RF=0.05.

40 de 109
io

D1 D3
is
C RL vo
vg vs


D4 D2

Figura 4.3. Rectificador monofsico de onda completa con filtro capacitivo.

b. Mida, utilizando el osciloscopio, el tiempo de carga y descarga del capacitor. Para


una mejor visualizacin se puede poner el acoplamiento del osciloscopio en ca.
Tome una fotografa de la forma de onda e inclyala en su reporte indicando
debidamente la base de tiempo y la escala de voltaje.

c. Mida, con un multmetro, el valor de corriente efectiva de salida I orms y del voltaje
efectivo en la carga Vorms . Incluir en el reporte.

d. Conecte el medidor de potencia en el secundario del transformador de la figura 4.3.


De ser necesario, para una mejor visualizacin de la corriente es necesario
amplificar la seal de corriente lo cual se puede lograr dando vueltas al cable que
une el secundario del transformador con el puente rectificador en la punta de
corriente (5 vueltas).

e. Observe el voltaje y la corriente en el modo osciloscopio del medidor. Incluir estas


formas de onda en el reporte indicando las escalas de tiempo y voltaje (corriente).

f. Navegue en el medidor para encontrar los datos de factor de potencia de


desplazamiento DPF, factor de potencia PF, distorsin armnica de voltaje THDvs
y distorsin armnica de corriente THDis .

Rectificador monofsico de onda completa con carga resistiva e


inductiva

a. Implementar el circuito de la figura 4.4.

41 de 109
io


D1 D3
is
L vo
vg vs

RL
D4 D2

Figura 4.4. Rectificador de onda completa con carga RL.

b. Observe en el osciloscopio el voltaje de salida vo y el voltaje en la resistencia RL, el


cual ser proporcional a la corriente en la carga. Inclyalos en su reporte indicando
la base de tiempo y la escala de voltaje.

c. Mida, con un multmetro, la corriente rms en la carga I orms y el voltaje rms de salida
Vorms .

d. Conecte el medidor de potencia en el secundario del transformador de la figura 4.4.


De ser necesario, para una mejor visualizacin de la corriente es necesario
amplificar la seal de corriente lo cual se puede lograr dando vueltas al cable que
une el secundario del transformador con el puente rectificador en la punta de
corriente (5 vueltas).

e. Observe el voltaje y la corriente en el modo osciloscopio del medidor. Incluir estas


formas de onda en el reporte indicando las escalas de tiempo y voltaje (corriente).

f. Navegue en el medidor para encontrar los datos de factor de potencia de


desplazamiento DPF, factor de potencia PF, distorsin armnica de voltaje THDvs
y distorsin armnica de corriente THDis .

g. Llene la tabla 4.1 de resultados:

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Tabla 4.1. Parmetros de calidad de energa del rectificador monofsico.

Factor de Potencia Factor de potencia Distorsin Distorsin


de desplazamiento (PF) armnica de armnica de
(DPF) voltaje ( THDvs ) corriente ( THDis )

Rectificador con
carga resistiva

Rectificador con
filtro capacitivo

Rectificador con
carga inductiva

Analice los resultados y presntelos en el reporte. Exponga sus conclusiones.

Bibliografa

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Savant, C. J., Roden, M., & Carpenter, G. (1992). Diseo electrnico. Adisson Wesley 2.
Edicin Mxico.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Electrnica

Electrnica de Potencia

Prctica V

EL SCR y el TRIAC

Objetivo

Comprobar las principales caractersticas del SCR y el TRIAC en


condiciones de cd y ca.

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Antecedentes tericos

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con


tres uniones pn.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y de


desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras, dentro de
esta clasificacin estn los rectificadores controlados de silicio (SCR) y los tiristores de
triodo bidireccional (TRIAC).

El SCR tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. La Figura 5.1 muestra el
smbolo de este tiristor.

G
K

Figura 5.1. Smbolo del SCR.

Si un SCR est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al


aplicar un voltaje positivo la compuerta y la terminal del ctodo activar al SCR. Conforme
aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo.

Un SCR que est en estado activo se puede desactivar reduciendo la corriente


directa a un nivel por debajo de la corriente de mantenimiento. Existen varias tcnicas para
desactivar un SCR, en todas las tcnicas de conmutacin, la corriente de nodo se
45 de 109
mantiene por debajo de la corriente de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente
largo.

Los SCRs por lo general operan a la frecuencia de lnea, y se desactivan por


conmutacin natural. El voltaje en estado activo, VT, por lo comn vara desde
aproximadamente 1.15 V hasta 2.5 V.

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el


control de fase de corriente alterna. Se puede considerar como si fueran dos SCR
conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn. Dado que un TRIAC es
un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo.
El TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. El
smbolo del TRIAC se presenta en la Figura 5.2.

MT1

MT2

Figura 5.2. Smbolo del TRIAC.

46 de 109
Material y equipo empleado
Cantidad Descripcin
1 Fuente de cd
1 Osciloscipio
1 SCR C106B0
1 TRIAC SC146B
2 Diodos 1N4007
1 Transformador 110/12 V
1 Resistencia 100
1 Resistencia 470
1 Resistencia 1k
1 Resistencia 2.2k
1 Potencimetro 1 k
1 Foco de 12 V, 4W.
2 LEDs
1 Capacitor 0.047 F

Desarrollo experimental del SCR y el TRIAC en


condiciones de cd y ca

El SCR en condiciones de cd

a. Lea, en las hojas de datos, las caractersticas del SCR C106B1.

b. Implemente el circuito de la figura 5.3. Donde R1=100 y R2=470 .

47 de 109
En cada uno de los pasos siguientes verifique el estado de encendido o apagado del
foco.

Foco

R1
12V
SW1
SW2
R2

Figura 5.3. El SCR en condiciones de cd.

c. Con los dos interruptores abiertos, SW1 y SW2, aplique el voltaje de cd al circuito.

d. Cierre el interruptor SW2. El interruptor SW1 deber permanecer abierto.

e. Cierre el interruptor SW1. El interruptor SW2 deber de permanecer cerrado.

f. Abra el interruptor SW1.

g. Abra un instante el interruptor SW2 y vuelva a cerrarlo.

h. Invierta la polaridad de la fuente y cierre los dos interruptores, SW1 y SW2.

El TRIAC en condiciones de cd

a. Implemente el circuito de la figura 5.4. Utilice R1=100 y R2=470 .

48 de 109
Foco

R1
MT 1
12V
G MT 2
SW1
SW2
R2

Figura 5.4. El TRIAC en condiciones de cd.

b. Con los dos interruptores abiertos, SW1 y SW2, aplique el voltaje de cd al circuito.

c. Cierre el interruptor SW2. El interruptor SW1 deber permanecer abierto.

d. Cierre el interruptor SW1. El interruptor SW2 deber de permanecer cerrado.

e. Abra el interruptor SW1.

f. Abra un instante el interruptor SW2 y vuelva a cerrarlo.

g. Invierta la polaridad de la fuente y cierre los dos interruptores, SW1 y SW2.

El SCR en condiciones de ca

a. Implemente el circuito de la Figura 5.5. Utilice R1=100 y R2=470 .

49 de 109
Foco

1k

LEDs
R1
127Vca
12Vca
60Hz
A
G K
SW1

R2

Figura 5.5. El SCR en condiciones de ca.

b. Cierre el interruptor SW1 y observe el foco y el par de LEDs.

c. Observe qu sucede si abre el interruptor SW1.

d. Conecte el osciloscopio en paralelo con el foco, cierre el interruptor SW1 y observe


la forma de onda (Obtenga una imagen para su reporte).

El TRIAC en condiciones de ca

a. Implemente el circuito de Figura 5.6 con el interruptor SW1 abierto. Utilice R1=100
y R2=470 .

50 de 109
Foco

1k
1 2 3
SW1
LEDs
R1
127Vca
12Vca
60Hz
MT1
G
MT2

R2

Figura 5.6. El TRIAC en condiciones de ca.

b. Cierre el interruptor SW1 y observe los LEDs y el foco.


c. Conecte el osciloscopio en paralelo con el foco y observe qu sucede al cerrar el
interruptor SW1.
d. Implemente el circuito de la Figura 5.7.

Foco
2.2k

1k
MT1
G
127Vca MT2
12Vca
60Hz

0.047 F

Figura 5.7. Circuito variador de intensidad.

51 de 109
e. Conecte el osciloscopio en paralelo con el foco.

f. Vare el potencimetro y observe la forma de onda en el osciloscopio, as como la


intensidad del foco.

Actividades complementarias

a. Qu sucede al variar el ngulo de disparo del SCR y del TRIAC?

b. Presente imgenes de las formas de onda observadas en el osciloscopio.

c. Describa el funcionamiento del circuito de la figura 5.7.

d. Describa las diferencias entre el SCR y el TRIAC para condiciones de cd y ca.

Bibliografa

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Timothy, J. M. (2006). Electrnica industrial. Dispositivos y sistemas. Prentice Hall.

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Departamento de Ingeniera Elctrica

Electrnica de Potencia

Prctica VI

Implementacin de un pulsador cd-cd reductor


en modo de conduccin continuo

Objetivo

Implementar un convertidor reductor en MCC (modo de


conduccin continuo) y verificar las caractersticas de
conmutacin del mosfet IRF840 con disparo de compuerta
aislada utilizando el CI IR2110.

53 de 109
Antecedentes tericos

Los pulsadores de cd se pueden utilizar como reguladores en modo de conmutacin


para convertir un voltaje de cd, por lo general no regulado, a un voltaje de salida de cd
regulado.

Existen tres topologas bsicas para los reguladores conmutados:

Reguladores reductores.
Reguladores elevadores.
Reguladores reductores-elevadores.

Regulador reductor

En un regulador reductor, el voltaje de salida vo , es menor que el voltaje de entrada,

vi , de ah la palabra reductor, el cual es muy popular en fuentes de alimentacin de


corriente directa. En esta prctica se utilizar el convertidor reductor en modo de
conduccin continuo (MCC), en el MCC la corriente en el inductor L en estado estable,
permanece siempre mayor que cero.

La funcin de transferencia de voltaje del convertidor reductor, en estado estable,


considerando los voltajes promedio del voltaje de salida y del voltaje de entrada es:

Vo
D (6.1)
Vi

Donde D es el ciclo de trabajo y corresponde a la razn entre el tiempo de

54 de 109
ton
encendido del transistor y el periodo de conmutacin D
Ts

Si suponemos un circuito sin prdidas, Vi I i Vo I o , la corriente de entrada es igual a:

I i DI o (6.2)

El valor del inductor se puede obtener a partir de:

Vo (1 D)
L (6.3)
f s I L

Donde I L es el rizo de corriente por la bobina y f s es la frecuencia de


conmutacin.

El valor del capacitor se puede obtener a partir de:

Vo (1 D)
C (6.4)
8 L Vo f s 2

Donde Vo es el rizo de voltaje en el capacitor de salida.

El regulador reductor requiere de un solo transistor, es sencillo y, dependiendo del


diseo e implementacin, tiene una alta eficiencia, mayor del 90%. Proporciona una
polaridad de voltaje de salida y corriente unidireccional de salida. En caso de un posible
corto circuito a travs de la trayectoria del diodo, requiere de un circuito de proteccin.

55 de 109
Material y equipo empleado

Cantidad Descripcin

1 Osciloscopio

1 Fuente de cd

1 Multmetro

1 MOSFET IRFF840 (M1)

1 Diodo MUR860 (D1)

2 Diodo 1N4148

1 CI 7L494

1 CI IR2110

3 Capacitores de 100nF

1 Resistencia de 4.7 k @ W

2 Resistencias de 5.6k @ W

1 Resistencia de 10 @ W

1 Inductor de 1mH @ iL=0.5 A.

1 Capacitor de 0.1 uF

1 Capacitor de 1uF @ Vc>35 V.

1 Capacitor de 1000 uF @ Vc> 35V

56 de 109
1 Resistencia de carga de 18 @ 5 W.

1 Hoja de datos del CI TL494

1 Hoja de datos del CI IR2110

Desarrollo experimental

Implementacin del convertidor reductor

a Disee la frecuencia de oscilacin del generador PWM para una frecuencia de


conmutacin f s de 20 kHz (Verificar las hojas de datos del CI TL494).

b Implemente la configuracin de una sola salida del CI TL494 (ver figura 6.1).

Recomendaciones: colocar capacitor de 0.1 uF lo ms cercano a las


terminales 12 y 7, las cuales corresponden a la alimentacin y la tierra del
CI TL494.

57 de 109
4.7 k

Vpwm

0.1 uF

Vvariable
+
1N4148 Vcontrol

Figura 6.1. Configuracin del CI TL494 para generar el PWM del convertidor reductor.

c Ajuste la frecuencia de oscilacin a 20 kHz (valor aproximado) y ponga el ciclo de


ton
trabajo D al 50% D .
Ts

d Obtenga en el osciloscopio el voltaje modulado en anchura de pulso V pwm midiendo

en la terminal 8 del CI TL494.

e Implemente el driver IR2110 para el disparo flotado del Mosfet e implemente


tambin el convertidor reductor, como se muestra en la figura 6.2.

Recomendaciones: los capacitores de 100 nF debern colocarse lo

58 de 109
ms cercano a los pines correspondientes del CI IR2110.

La resistencia de compuerta de 10 deber colocarse lo ms cercano a la


compuerta del transistor Mosfet.

Para la seal Vpwm se recomienda utilizar un par trenzado (o hacer uno


trenzando dos cables) donde vaya la seal y la referencia.

+
Vgs
+

Vpwm

Figura 6.2. Circuito de acondicionamiento de disparo y convertidor reductor.

f Con el osciloscopio flotado, mida el voltaje de disparo entre compuerta y fuente del
MOSFET, Vgs.

g Realice el clculo del rizado de voltaje en el capacitor Vo y comprelo con el

59 de 109
obtenido.

h Obtenga las siguientes formas de onda:

Vo (ajuste Vo a 7.5 V y mida el ciclo de trabajo al que corresponde).


Voltaje entre drenaje y fuente del transistor, VDS .
Voltaje entre compuerta y fuente del transistor, Vgs .
Utilice un canal para medir el voltaje VDS y el otro para medir el voltaje Vgs y
registre las formas de onda.
Llenar la tabla 6.1.
Realizar la grfica Vcontrol -Vo/Vi

Nota: medir el voltaje Vi con multmetro para cada valor del voltaje de
control Vcontrol.

Tabla 6.1. Datos para graficar la relacin entre la ganancia del convertidor y el voltaje de control.

Vcontrol Vi Vo Vo/Vi

0.4

0.8

1.2

1.4

1.8

2.2

60 de 109
2.6

2.8

Responder las siguientes preguntas y anexarlas en el reporte final

a Cul es la funcin del CI IR2110?

b Por qu es necesario flotar el osciloscopio para visualizar el voltaje compuerta-


fuente del transistor (Vgs)?.

Vo
c Explique la funcin de transferencia del convertidor reductor ( D ).
Vi

En el reporte incluya, en cada resultado que presente, el anlisis de


resultados correspondiente.

Bibliografa

Hart Daniel, W. (1997). Introduction to Power Electronics.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Departamento de Ingeniera Elctrica

Electrnica de Potencia

Prctica VII

Implementacin de un convertidor cd-cd elevador


en modo de conduccin continuo

Objetivo

Implementar un convertidor boost en modo de conduccin


continuo (MCC) y verificar las caractersticas de conmutacin
del MOSFET IRF840 con disparo de compuerta sin aislamiento
utilizando un generador PWM.

62 de 109
Antecedentes tericos

Los pulsadores de cd se pueden utilizar como reguladores en modo de conmutacin


para convertir un voltaje de cd, por lo general no regulado, a un voltaje de salida de cd
regulado.

Existen tres topologas bsicas para los reguladores conmutados:

Reguladores reductores.
Reguladores elevadores.
Reguladores reductores-elevadores.

En esta prctica se probar el principio de funcionamiento del convertidor elevador.

Un convertidor elevador se puede usar para aumentar un voltaje de cd. Durante el


tiempo de encendido, ton, del transistor M1, la corriente por el inductor L aumenta y
almacena energa. En el tiempo de apagado del transistor M1, la energa almacenada en el
inductor se transfiere a la carga pasando por el diodo D1, y la corriente por el inductor cae.
Suponiendo que el flujo de corriente es continuo, el voltaje promedio de salida est dado
por:

1
Vo Vi (7.1)
1 D

La ecuacin que permite calcular el valor del inductor proponiendo un valor de


corriente de rizo pico a pico est dada por:

Vi D
L (7.2)
f I

63 de 109
Para el clculo del capacitor se utiliza la ecuacin:

Io D
C (7.3)
f Vc

Un regulador elevador puede subir el voltaje de salida sin un transformador. Como


tiene slo un transistor, tienen alta eficiencia. La corriente de entrada es continua. Sin
embargo, por el transistor de potencia debe pasar un gran pico de corriente. El voltaje de
salida es muy sensible a los cambios del ciclo de trabajo D y podra ser difcil estabilizar el
regulador. La corriente promedio de salida es menor que la corriente promedio por el
inductor, en un factor (1-D) y pasara una corriente rms mucho mayor por el capacitor del
filtro, por lo que se requiere usar un capacitor y un inductor de filtro mayores que los de un
regulador reductor.

Material y equipo empleado

Cantidad Descripcin
1 Osciloscopio.
1 Multmetro.
1 Fuente de voltaje.
1 Protoboard.
1 CI TL494.
1 CI IR2110.
1 MOSFET IRF840.
1 Diodo MUR860.
1 Resistencia de 4.7 k Watt.
1 Capacitor de 1 F a 63 V.
1 Capacitor de 1000 F a 50 V.
1 Inductor (L=1 mH).
1 Resistencia de carga (RL=150 ) Base metlica.
2 Resistencia de 5.6 k a Watt
1 Resistencia de 10 a Watt
2 Capacitores de 100 nF.

64 de 109
Desarrollo experimental

4.7 k

Vpwm

0.1 uF

Vvariable
+
1N4148 Vcontrol

Figura 7.1. Generador de pulsos para el convertidor elevador.

a. Disee la frecuencia de oscilacin del generador PWM para una frecuencia de


conmutacin, f, de 50 kHz y realice la implementacin en el circuito de la figura
7.1.
b. Implemente el circuito de la figura 7.2.

65 de 109
+
Vgs

+

Vpwm

Figura 7.2. Convertidor elevador utilizando el driver IR2110.

a Mantenga abierto el interruptor Sw.


b Ajustar el ciclo de trabajo al 50 %.
c Visualizar la tensin de disparo del transistor IRF840.
d Cerrar el interruptor Sw.
e Verificar que la tensin de salida sea aproximadamente el doble que la tensin de
1
entrada para que se cumpla que Vo Vi
1 D
f Calcular el rizo de corriente en el inductor y el rizo de voltaje en el capacitor. Medir
el rizo de voltaje en el capacitor y compararlo con el medido.
g Llenar la tabla 7.1. Realizar la grfica Vcontrol -Vo/Vi. Es necesario asegurar que el
voltaje de salida Vo no sobrepase el permitido por el valor de voltaje del
capacitor de salida.
h Medir la corriente de entrada, Ii, de la fuente Vi y la corriente de salida Io que pasa
1
por la carga RL. Verifique que se cumple I i Io .
1 D
i Analice los resultados y presntelos en el reporte.

66 de 109
Tabla 7.1. Datos para graficar la relacin entre la ganancia del convertidor y el voltaje de control

Vcontrol Vi Vo Vo/Vi

0.4

0.8

1.2

1.4

1.8

2.2

2.6

2.8
Nota: Medir el voltaje Vi.

Exponga las conclusiones de la prctica.

Responder a los siguientes cuestionamientos en el reporte final


a Por qu se utiliza la salida baja del CI IR2110 para disparar al MOSFET.
V 1
b Explique la funcin de transferencia del convertidor elevador ( o ).
Vi 1 D
Nota: En el reporte incluir el anlisis de resultados cada vez que stos se presenten.

67 de 109
Bibliografa

Hart Daniel, W. (1997). Introduction to Power Electronics.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Instituto Tecnolgico de Sonora

Departamento de Ingeniera Elctrica

Electrnica de Potencia

Prctica VIII

Implementacin de un inversor monofsico medio


puente con tensin de salida rectangular

Objetivo

Verificar las caractersticas de funcionamiento de un inversor


medio puente con tensin de salida rectangular. Comprobar el
funcionamiento bsico del CI IR2110 para proporcionar un
disparo flotado y un disparo referido a tierra.

69 de 109
Antecedentes tericos

Los convertidores de cd-ca se conocen de forma comercial como inversores. La


funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada de cd a un voltaje simtrico de
salida en ca, con la magnitud y frecuencia deseadas. Tanto el voltaje de salida como la
frecuencia puedes ser fijos o variables. Si se modifica el voltaje de entrada de cd y la
ganancia del inversor se mantiene constante, es posible obtener un voltaje variable de
salida. Por otra parte, si el voltaje de entrada en cd es fijo y no es controlable, se puede
obtener un voltaje de salida variable si se vara la ganancia del inversor; esto por lo general
se hace controlando la modulacin por anchura de pulso (PWM) dentro del inversor. La
ganancia del inversor se puede definir como la relacin entre el voltaje de salida en ca y el
voltaje de entrada en cd.

De forma ideal, las formas de onda del voltaje de salida de un inversor deberan ser
senoidales. Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y contienen ciertas
armnicas. Para aplicaciones de mediana y baja potencia, se pueden aceptar los voltajes de
onda cuadrada o casi cuadrada; para aplicaciones de alta potencia, son necesarias las formas
de onda senoidales de baja distorsin. Dada la disponibilidad de los dispositivos
semiconductores de potencia de alta velocidad, es posible minimizar o reducir
significativamente el contenido armnico del voltaje de salida mediante las tcnicas de
modulacin.

La figura 8.1 muestra el diagrama de circuito de un inversor monofsico medio


puente. El circuito inversor est conformado por una rama de transistores (M1 y M2), por
dos fuentes de alimentacin del mismo valor (Vcc/2) y por la carga (RL) conectada como se
muestra en la misma figura.

70 de 109
Figura 8.1. Circuito inversor bsico.

Para evitar un corto circuito se debe asegurar que los transistores M1 y M2 no estn
activos simultneamente.

Si se asume una carga resistiva, cuando el transistor M1 est activo se aplica el


voltaje de +VCC/2 a la carga. Por otro lado, si el transistor M2 est activo se aplica el voltaje
VCC/2 a la carga. La forma de onda resultante se muestra en la figura 8.2.

Figura 8.2. Voltaje de salida con Vcc= 30 V.

El voltaje de salida instantneo se puede expresar en una serie de Fourier como:


2Vcc
Vo
n 1,3,5.... n
sen n t (8.1)

Para n impar y

71 de 109
Vo=0 para n par

donde = 2fo es la frecuencia del voltaje de salida en rad/seg.

Para n=1, la ecuacin anterior proporciona el valor rms de la componente fundamental.

2Vs
V1 0.45Vcc (8.2)
2

Material y equipo empleado

Cantidad Descripcin

1 Osciloscopio

1 Medidor de potencia FLUKE39

1 Generador de funciones

2 Mosfet IRFF840

1 Diodo MUR860

1 Resistencia de carga (RD=50 ) de base metlica.

1 Multmetro

1 Protoboard

1 Fuente de C.D.

1 IR2110

1 CI 74LS14

2 Diodos 1N4148

72 de 109
2 Resistencias de 1 k

2 Resistencias de 10

2 Capacitores de 100 nF cermicos

1 Capacitor de 470 nF cermico

1 Capacitor de 10 uF

2 Capacitores de 1000 uF

2 Capacitores de 10 nF cermicos

Desarrollo experimental
a. Utilice el generador de funciones para entregar una seal de disparo TTL con una
frecuencia de fo=60 Hz y un ciclo de trabajo del 50 %. El periodo de la seal ser
To= 16.66 ms y el ancho de pulso activo ser de ton=8.33 ms. Es importante trabajar
el osciloscopio en el transcurso de la prctica en acoplamiento en cd.
b. A partir de la seal del generador de funciones se necesita obtener dos seales de
disparo, una para cada transistor del inversor medio puente, para esto se utiliza un
inversor lgico de tal forma que se obtenga la seal complementaria. Tambin es
necesario asegurar que exista tiempo muerto, esto se logra implementando el
circuito de la figura 8.3.

73 de 109
D
Generador
de f unciones
CI CI CI
5V

8.33ms 1k +

10nF
8.33ms S2
t

D: 1N4148 -
D
CI: 74LS14
CI CI CI
+
1k

10nF S1

Figura 8.3. Circuito de generacin de disparo para el inversor medio puente con tensin de salida
rectangular.

c. Una vez implementado el circuito de la figura 8.3 y aplicando la seal del generador
de funciones, mida en el osciloscopio las seales S1 y S2. Compruebe que las
seales tienen la frecuencia y ciclo de trabajo deseado y que sean complementarias.
d. Una vez que se tienen las seales de disparo complementarias y con tiempo muerto
se aplicarn al circuito inversor. Implemente el circuito inversor medio puente de la
figura 8.4.
e. Aplique las seales de disparo S1 y S2 de la figura 8.3 al circuito de la figura 8.4.
f. Con una sola punta del osciloscopio observe el disparo entre compuerta y fuente del
transistor M2, VgsM2.
g. Utilizando nicamente un canal del osciloscopio observe el voltaje de disparo del
transistor M1, VgsM1. Incluir la forma de onda en el reporte indicando claramente la
escala de tiempo y de voltaje.
h. Utilizando nicamente un canal del osciloscopio observe el voltaje de salida del
inversor, Vo. Incluir la forma de onda en el reporte.
i. Mida con el multmetro el voltaje de salida rms. Calcule el voltaje de salida
promedio.
j. Mida con el medidor de potencia FLUKE 39 la distorsin armnica del voltaje de
salida, Vo. %THD-R (distorsin armnica total como porcentaje del valor efectivo
total).

74 de 109
k. Utilicen el modo de visualizacin de armnicos del FLUKE 39, para obtener el
valor rms de los armnicos del voltaje de salida.
l. Dibuje el espectro de frecuencia del voltaje de salida indicando el valor rms de cada
armnico.
m. Identifique, del espectro de frecuencia del voltaje de salida, la armnica de orden
ms bajo (LOH).
n. Llene la tabla con los datos del medidor de potencia.

Inversor/estrategia THD-R LOH


de modulacin

Seal rectangular

o. Obtenga sus conclusiones e inclyalos en el reporte.

5V 15 V

10 M1 1000 uF
8 7
100nF 9 6 +
VgsM1
S1 10uF + Vo - 15V
10 5 -
11 4
S2 12 3 MUR860
100nF
13 2 M2
10 1000 uF
14 1
+
VgsM2
-

Figura 8.4. Diagrama de circuito del inversor monofsico medio puente.

75 de 109
Bibliografa

Holmes, D. G., & Lipo, T. A. (2003). Pulse width modulation for power converters:
principles and practice (Vol. 18). John Wiley & Sons.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Departamento de Ingeniera Elctrica

Electrnica de Potencia

Prctica IX

Implementacin de un inversor monofsico medio


puente con tensin de salida modulada en
anchura de pulso senoidal

Objetivo

Verificar las caractersticas de funcionamiento de un inversor


medio puente con tensin de salida modulada en anchura de
pulso, utilizando la tcnica de modulacin bipolar.

77 de 109
Antecedentes tericos

En muchas aplicaciones industriales, para controlar el voltaje de salida de los


inversores, se necesita con frecuencia: 1) hacer frente a las variaciones del voltaje de
entrada de corriente directa (cd), 2) regular el voltaje de salida de los inversores y 3)
satisfacer los requisitos de control de voltaje y frecuencia. Hay varias tcnicas para variar la
ganancia del inversor, el mtodo ms eficiente de controlar la ganancia es incorporar el
control por modulacin por anchura de pulso (PWM) en los inversores. Las tres tcnicas
que se usan con mayor frecuencia son: modulacin por pulso nico, modulacin por ancho
de pulsos mltiples y modulacin senoidal por anchura de pulso.

De las tres tcnicas PWM que se mencionan, la tcnica de modulacin de ancho de


pulso senoidal es la ms utilizada debido al impacto que tiene en la reduccin del tamao y
el costo del filtro de salida. En esta tcnica de modulacin, se hace variar el ancho de cada
pulso en proporcin con la amplitud de una onda senoidal evaluada en el centro del mismo
pulso. El factor de distorsin y la armnica de orden ms bajo se reducen en forma
apreciable. Las seales de control como se ve en la figura 9.1, se genera comparando a una
seal senoidal de referencia, Vreferencia, con una onda portadora triangular, Vtriangular, de
frecuencia f.

Vreferencia Vtriangular

1/f

78 de 109
Figura 9.1. Comparacin de la seal de referencia y seal triangular para el inversor monofsico
medio puente modulado en anchura de pulso senoidal.

La figura 9.2 muestra el diagrama esquemtico del inversor medio puente. En este
diagrama no se incluye la generacin de tiempo muerto ni los drivers.

+
Vcd
+ 2
VGS1 -
-
+ VO - +V
cd

- 2

+
VGS2
-

Figura 9.2. Circuito inversor bsico.

Si se asume una carga resistiva, cuando el transistor M1 est activo se aplica el


voltaje de +Vcc/2 a la carga. Por otro lado, si el transistor M2 est activo se aplica el voltaje
Vcc/2 a la carga. La forma de onda resultante se muestra en la figura 9.3.

vo

Vcd/2

Vcd/2

Figura 9.3. Seal del voltaje de salida.

79 de 109
Material y equipo empleado

Cantidad Descripcin
1 Osciloscopio
1 Generador de funciones
2 Mosfet IRF840
1 Resistencia de carga (RD=50) de base metlica.
1 Multmetro
1 Fuente de cd.
1 IR2110
1 CI TL494
1 CI 74LS14
2 Resistencias de 1k
2 Resistencias de 10
2 Resistencias de 330
2 Resistencias de 5.6 k
2 Capacitores de 100nF cermicos
2 Capacitor de 10nF cermico
1 Capacitor de 1uF
2 Capacitores de 1000uF
1 Capacitor de 0.1uF

Desarrollo experimental
a. Se requiere generar una seal modulada en anchura de pulso senoidal. Esto se
realiza comparando una seal diente de sierra con una seal senoidal. Se utilizar el
circuito integrado TL494 para este propsito. Es necesario sealar que el integrado
TL494 est diseado para aplicaciones de convertidores cd-cd o fuente conmutadas
de cd, sin embargo se puede utilizar para realizar la modulacin por anchura de
pulso. Implemente el circuito de la figura 9.4 despus de realizar el paso 2.
b. Calcule el valor de la resistencia RT utilizando la siguiente frmula:

1.1
fosc (9.3)
RT CT

donde fosc es la frecuencia de la seal diente de sierra que se establecer en 1kHz y el


capacitor se elige de valor, CT=0.1uF.
c. Implemente el circuito de la figura 9.4.

80 de 109
2.2k

PWM
-

1N4148
Vmod

Figura 9.4. Diagrama a Bloques del CI TL494 y sus conexiones, que compara la seal diente
sierra y la seal senoidal, para generar la seal PWM.

a Sin aplicar ninguna tensin en la terminal 3, mida con el osciloscopio el voltaje en


la terminal 5 donde est conectado el capacitor del oscilador. Verifique que la seal
diente de sierra tenga la frecuencia de oscilacin deseada. Tal como se muestra en la
figura 9.5.

Figura 9.5. Forma de onda de salida de la terminal 5 del TL494.

81 de 109
b Mida el voltaje pico-pico (Vpp) de la seal diente de sierra. Mida el voltaje de offset
que tiene la seal diente de sierra.
c Con el generador de funciones, aplique en el ctodo del diodo una seal senoidal
con frecuencia de 60 Hz y un voltaje pico a pico aproximado a (0.8)(Vpp) medido en
la terminal 3 del CI TL494. Es decir, el voltaje pico a pico de la seal senoidal
deber ser el 80% del voltaje pico a pico de la seal diente de sierra. Sume un nivel
de offset a la seal senoidal de tal forma que sea siempre positiva. El osciloscopio
debe estar en acoplamiento en cd y se debe asegurar que la seal sea siempre
positiva dado que el CI TL494 no soporta voltajes negativos.
d Utilice dos canales del osciloscopio con el mismo nivel de cero Volts y la misma
escala de voltaje para visualizar un ciclo de la seal senoidal junto con la seal
diente de sierra tal como se muestra en la figura 9.6 visto en el osciloscopio en la
terminal 3 del CI TL494.

Figura 9.6. Formas de onda de la seal diente de sierra y la seal senoidal que se compararan
mediante el CI TL494 para generar la seal PWM.

e Observe en la terminal 8 la seal de disparo PWM senoidal. En la figura 9.7 se


muestra la forma de onda de la seal que se espera obtener.

82 de 109
Figura 9.7. Forma de onda de la seal de Disparo PWM senoidal, que se obtiene mediante la
comparacin de la seal diente de sierra y senoidal.

f Esta seal de disparo PWM senoidal aplquelo al generador de tiempo muerto,


mediante el cual se obtienen dos seales de disparo, una para cada transistor del
inversor medio puente. Tambin es necesario asegurar que exista tiempo muerto,
esto se logra implementando el circuito que se muestra en la figura 9.8.

D
CI CI CI
+
1k +

PWM 10nF
S2

-
- D
CI CI CI
+
1k

10nF S1

Figura 9.8. Circuito de generacin de disparo para el inversor medio puente con tensin de salida
rectangular.

83 de 109
g Una vez implementado el circuito de la figura 9.8 y aplicando la seal de disparo
PWM senoidal, mida en el osciloscopio las seales S1 y S2. Compruebe que las
seales tienen la frecuencia y ciclo de trabajo deseado y que sean complementarias.
h Una vez que se tienen las seales de disparo complementarias y con tiempo muerto
se aplicarn al circuito inversor. Implemente el circuito inversor medio puente de la
figura 9.9.

5V 15 V

10 M1 1000 uF
8 7
9 6 +
100nF VgsM1
S1 10uF + Vo - 15V
10 5 -
11 4
S2 12 3 MUR860
100nF
13 2 M2
10 1000 uF
14 1
+
VgsM2
-

Figura 9.9. Diagrama de circuito del inversor monofsico medio puente.

i Aplique las seales de disparo S1 y S2 de la figura 9.8 al circuito de la figura 9.9.


j Con una sola punta del osciloscopio observe el disparo entre compuerta y fuente del
transistor M2, VgsM2.
k Utilizando nicamente una punta del osciloscopio observe el voltaje de disparo del
transistor M1, VgsM1. Incluir la forma de onda en el reporte indicando claramente la
escala de tiempo y de voltaje.
l Utilizando nicamente una punta del osciloscopio observe el voltaje de salida del
inversor. Ajuste el offset de la seal de referencia para que el voltaje de salida tenga
el mismo valor positivo que negativo.
m Incluya la forma de onda de la tensin de salida del inversor en el reporte.
n Mida con el medidor de potencia FLUKE 39 la distorsin armnica del voltaje de
salida, Vo. Dibuje el espectro de frecuencia del voltaje de salida indicando el valor
rms de cada armnico.
o Llene la tabla con los datos del medidor de potencia.

Inversor/estrategia THD LOH


de modulacin

PWM senoidal

84 de 109
p Analice los resultados y presntelos en el reporte.
q Exponga las conclusiones de la prctica.

Bibliografa

Holmes, D. G., & Lipo, T. A. (2003). Pulse width modulation for power converters:
principles and practice (Vol. 18). John Wiley & Sons.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

85 de 109
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Electrnica de Potencia

Prctica X

Implementacin de un inversor monofsico


puente completo con salida modulada en anchura
de pulso senoidal

Objetivo

Verificar las caractersticas de funcionamiento de un inversor


puente completo con tensin de salida modulada en anchura de
pulso, utilizando la tcnica de modulacin unipolar (las dos
ramas operando en alta frecuencia).

86 de 109
Antecedentes tericos

En la modulacin por anchura de pulso senoidal se hace variar cada pulso en


proporcin con la amplitud de una onda senoidal. El Factor de distorsin y la armnica de
orden ms bajo se reducen en forma apreciable. Las seales de control, se generan
comparando a una seal senoidal de referencia con offset con una onda portadora diente de
sierra de frecuencia fs. Esta modulacin por achura de pulso senoidal es la que se suele usar
en aplicaciones industriales. La frecuencia de la seal de referencia determina la frecuencia
de salida del inversor y su amplitud pico controla el ndice de modulacin, y en
consecuencia el voltaje rms de salida.

Al comparar la seal portadora con dos seales de referencia desfasadas 180 se


producen las seales de disparo para las dos ramas del puente inversor. El resultado es una
tensin de salida alterna modulada en anchura de pulso senoidal unipolar.

Material y equipo empleado

Cantidad Descripcin
1 Osciloscopio
1 Generador de funciones
1 Protoboard
4 Mosfet IRF840
1 Resistencia de carga (RD=50 ) de base metlica.
1 Multmetro
1 Fuente de C.D.
2 IR2110
2 CI TL494
2 CI 74LS14
4 Resistencias de 5.6 k
4 Resistencias de 330
1 Capacitor de 1000 uF.
2 CI LM741
87 de 109
7 Resistencias de 10 k
4 Resistencias de 1 k
4 Resistencias de 10
4 Resistencias de 300
8 Capacitores de 100 nF
2 Capacitores de 1 uF
2 Diodos MUR860
1 Diodo 1N4148

Desarrollo experimental
a. Para realizar la modulacin del inversor, se necesita generar dos seales de
referencia desfasadas 180 grados a partir de una seal senoidal obtenida de un
generador de funciones. La tensin de referencia se define como:
Vref Vm sen t donde:
2 f y (10.2)
f 60Hz
La amplitud de la tensin de referencia, Vref, se establece como:
Vpk
Vm 0.8 (10.3)
2
A partir de los voltajes de referencia, Vref1 y Vref2, se obtienen los voltajes de
referencia Vref1m y Vref2m que se utilizarn para modular el voltaje de cada rama del
inversor puente completo. Las ecuaciones que representan a estos voltajes de
referencia se definen como:
V pk
Vref 1m Vm sen t
2
(10.4)
V pk
Vref 2 m Vm sen t 180
2
Los voltajes de referencia, Vref1 y Vref2 se obtienen implementando el circuito de la
figura 10.1. Incluya capacitores de desacoplo para las fuentes de alimentacin de los
dos amplificadores operacionales. Capacitores de 100 nF (cermicos) entre la
alimentacin positiva y tierra y la alimentacin negativa y tierra.

88 de 109
+ Vcc
+ vref2
-
10 k - Vcc
+ Vcc
Vref
10 k
15 V 10 k

15 V
Vpk/2

- Vcc
10 k + Vcc
+ vref1
-
10 k - Vcc
10 k
Vpk/2
10 k

Figura 10.1. Diagrama de circuito del generador de referencia senoidal.

b. Las tensiones de referencia obtenidos en el paso anterior se tienen que comparar con
la seal diente de sierra que se obtendr en el paso C. Debido a que son dos seales
de referencia es necesario implementar dos circuitos TL494. Es importante resaltar
que el primer circuito TL494 ser el maestro de tal forma que aqu se obtendr la
seal diente de sierra conectando el arreglo RT y CT y el segundo circuito TL494
ser el esclavo, por tal motivo no ser necesario conectar el arreglo RT, CT y la seal
diente de sierra se obtendr del circuito maestro.
c. Para determinar la amplitud de las seales de referencia es necesario medir el valor
pico-pico de la seal diente de sierra, Vds, que se utilizar para la modulacin del
ancho de pulso. El valor pico-pico se denominar como Vpk-pk. Realice la medicin
de Vpk-pk en el circuito de la figura 10.2. Tomando en cuenta que el valor de la
resistencia RT se obtiene de la siguiente frmula:

1.1
fosc (10.1)
RT CT

Donde fosc es la frecuencia de la seal diente de sierra que se establecer en 1kHz


y el capacitor se elige de valor, CT=0.1 uF.

89 de 109
La figura 10.2 y 10.3 muestra la disposicin de los circuitos moduladores en
anchura de pulso.

VCC

1 k
Vds
+
S1

0.1 F

Vref1 +
1N4148 Vref1m

Figura 10.2. Conexiones para el circuito modulador, TL494.

90 de 109
VCC

De la terminal 5 del
circuito maestro 1 k

+
S3

0.1 F

Vref2 +
1N4148 Vref2m

Figura 10.3. Conexiones del circuito modulador, TL494, esclavo.

d. Las seales S1 y S3, correspondiente a los transistores Q1 y Q3 se aplican a los


circuitos drivers IR2111. Dichos circuitos ya cuenta con tiempos muertos para
evitar un posible corto circuito en cada rama. La figura 10.4 muestra el diagrama de
circuito.

91 de 109
(a)

Figura 10.4 Diagrama de conexin de los IR2111 al inversor.

La figura 10.5 muestra la disposicin final del inversor puente completo.

92 de 109
+ Q1 + Q3
vgs1 vgs3
- iO -
a R b
Vcd = 15 V 1000 uF
+ vO -

+ Q4 + Q2
vgs4 vgs2
- -

Figura 10.5. Diagrama del circuito de potencia del inversor puente completo.

e. Obtenga las seales de referencia Vref1m y Vref2m utilizando los dos canales del
osciloscopio. Verifique que estn desfasadas 180 y que tienen el offset establecido
en el punto 2.

f. Obtenga los voltajes drenaje-fuente de los transistores Q2 y Q4, VdsQ2 y VdsQ4.


Observe que ambos transistores estn referidos al mismo punto. Utilice los dos
canales del osciloscopio para realizar esta medicin.

g. Obtenga el voltaje de salida del inversor puente completo. Debido a que la carga no
est referido a tierra, es necesario utilizar nicamente un canal del osciloscopio.
Observe que la tensin de salida est modulada en anchura de pulso senoidal
unipolar.

h. Mida con el medidor de potencia Fluke 39 la distorsin armnica del voltaje de


salida, vo. Dibuje el espectro de frecuencia del voltaje de salida indicando el valor
rms de cada armnico.

i. Llene la tabla con los datos del medidor de potencia.

Inversor/estrategia THD LOH


de modulacin

93 de 109
Modulacin por
anchura de pulso
senoidal

j. El anlisis de resultados se debe realizar en cada seccin donde se presente cada uno
de ellos.

k. Incluya, en el reporte, las conclusiones de la prctica.

Bibliografa

Holmes, D. G., & Lipo, T. A. (2003). Pulse width modulation for power converters:
principles and practice (Vol. 18). John Wiley & Sons.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

94 de 109
Instituto Tecnolgico de Sonora

Departamento de Ingeniera Elctrica y


Electrnica

Electrnica de Potencia

Prctica XI

Implementacin de un inversor trifsico con


modulacin por anchura de pulso senoidal

Objetivo

Verificar las caractersticas de funcionamiento de un inversor


trifsico con modulacin por anchura de pulso, para alimentar
una carga resistiva conectada en estrella.

95 de 109
Antecedentes tericos

Inversores trifsicos

Los inversores trifsicos se utilizan normalmente en aplicaciones de alta potencia.


Tres inversores monofsicos de medio puente (o de puente completo) pueden conectarse en
paralelo para formar la configuracin de un inversor trifsico.

Se puede obtener una salida trifsica a partir de una configuracin de seis


transistores y seis diodos, tal y como se muestra en la figura 11.1. A los transistores se les
puede aplicar diferentes tipos de modulaciones tanto de baja frecuencia como de alta
frecuencia.

+ Q1 + Q3 + Q5
vgs1 vgs3 vgs3
- - -
a b c
Vcd Ci

+ Q4 + Q6 + Q2
vgs4 vgs2 vgs2
- - -

Figura 11.1 Diagrama de circuito de un inversor trifsico en puente.

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Modulacin de inversores trifsicos

Las tcnicas que se utilizan comnmente para modular el inversor trifsico son:
modulacin por ancho de pulso nico y modulacin por anchura de pulso senoidal.

La modulacin por anchura de pulso nico utiliza un solo pulso en cada semiciclo
de la seal de lnea para aplicarlo a una rama del convertidor y ajusta el valor del voltaje de
salida variando el ancho de ese pulso.

En la modulacin de anchura de pulso senoidal, hay tres ondas senoidales de


referencia desfasadas 120 con offset. Se compara la onda portadora con la seal de
referencia que corresponde a cada fase del inversor. La figura 11.2 muestra la forma en que
se generaran las seales de disparo de los transistores Q1, Q3 y Q4 que corresponden a los
transistores superiores de cada rama del inversor trifsico. Las seales complementarias de
Q1, Q3 y Q4 con su respectivo tiempo muerto se aplicaran a los transistores Q4, Q6 y Q2
respectivamente.

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+
m sin wt + 0.5 Q1
-

m sin (wt+120)+0.5 +
Q3
Seales de -

referencia

+
m sin (wt-120)+0.5 Q5
-

0 < m < 0.5

1
0

seal portadora

Figura 11.2. Generacin de seales de disparo para los transistores del inversor trifsico.

Los voltajes de salida se toman de los puntos a, b y c del inversor trifsico.

Material y equipo empleado


Cantidad Descripcin

1 Osciloscopio
1 Protoboard
6 Mosfet IRF840
1 Fuente de C.D.
3 IR2111
1 Capacitor de 1000uF a 50V
3 Diodos MUR860
15 Resistencias de 10 k a de Watt
3 Resistencias de 4.7 k a de Watt

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3 Capacitores de 470 nF a de Watt
6 Resistencias de 5.6 k a de Watt
6 Resistencias de 10 a de Watt
6 Resistencia de 1 k a de Watt.
Resistencia para el oscilador del TL494
Capacitor para el oscilador del TL494
Amplificador operacional LM741
3 Arreglos de resistencias y potencimetro.

Pre-reporte:

Leer en su totalidad la prctica antes de llevarla a cabo.

Desarrollo experimental

Para el desarrollo del inversor trifsico es necesario generar tres seales de


referencia trifsicas desfasadas 120, esto se hace mediante un oscilador con tres
amplificadores operacionales. Para modular las seales de referencia se utiliza el CI TL494
que trabaja con una seal de diente de sierra de valores positivos, por lo que es necesario
agregar un offset a dichas seales de referencia. Para aplicar las seales a los transistores se
utiliza el driver IR2111 el cual incorpora los tiempos muertos.

a. Para generar las seales de referencia trifsica implemente el circuito de la figura


12.3. Utilice amplificadores operacionales LM741.

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(2) BZX55C2V4
470 nF 470 nF
470 nF

10 k
10 k
- 10 k
-
4.7 k + S1 -
4.7 k + S3 4.7 k + S5

Figura 11.3 Oscilador para generar las referencias de voltaje trifsicas.

b. Para incluir el offset a las seales de referencia y poder utilizar el modulador


TL494, implementar los siguientes circuitos (uno por cada seal de referencia).
Utilice el amplificador operacional LM741. El valor Vpk se obtiene midiendo el
valor pico a pico de la seal de diente de sierra del modulador TL494. De ser
necesario utilice un divisor de tensin con resistencias y potencimetro para ajustar
el valor pico a pico de cada una de las seales de referencia.

S 1 10 k + Vcc
+ vref1
-
10 k - Vcc
10 k
Vpk/2
10 k

(a)

S 3 10 k + Vcc
+ vref3
-
10 k - Vcc
10 k
Vpk/2
10 k

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(b)

S 5 10 k + Vcc
+ vref5
-
10 k - Vcc
10 k
Vpk/2
10 k

(c)

Figura 11.4. Circuitos para agregar un nivel de offset a las seales del oscilador.

La figura 11.5 muestra el modulador PWM maestro para la primera seal de


conmutacin. Donde Vds es el voltaje diente de sierra.

101 de 109
VCC

1 k
Vds
+
S1 1
sw

vref1
1N4148

Figura 11.5. Diagrama de conexiones del CI TL494 maestro para generar sw1.

La figura 11.6 muestra el modulador para activar la rama del transistor 3.

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De la terminal 5 del
circuito maestro

+
S3

Figura 11.6. Diagrama de conexiones del CI TL494 esclavo para generar sw3.

La figura 11.7 muestra el circuito modulador para la rama del transistor 5.

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De la terminal 5 del
circuito maestro

+
S3

Figura 11.7 Diagrama de conexiones del CI TL494 esclavo para generar sw5.

Se utiliza el driver IR2111 para disparar cada transistor de una rama con el tiempo
muerto integrado en el mismo circuito integrado.

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(a)

(b)

105 de 109
MUR860
Vcd = 15 V
Vcc= 15 V
VCC VB 1000 uF
0.1 uF 10 uF 10 +
IN HO Q5
vgs5
SW5 COM VS - b

LO
IR2111 10
+ Q2
vgs2
-

(c)

Figura 11.8 Diagrama de conexiones de los drivers IR2111 para activar las tres ramas del
inversor trifsico.

La conexin de la carga trifsica conectada en estrella se puede observar en la figura


11.9.

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Figura 11.9. Circuito inversor trifsico con carga resistiva en estrella.

c. Presente en su reporte las siguientes seales observadas en el osciloscopio y


utilizando un canal. El osciloscopio deber estar flotado.
Los voltajes compuerta fuente del transistor 1 y 4.
Los voltajes compuerta fuente del transistor 3 y 6.
Los voltajes compuerta fuente del transistor 5 y 2.
Los voltajes de lnea Vab, Vbc y Vca.
Los voltajes de fase Van, Vbn y Vcn.

d. Calcular los voltajes rms de lnea y de fase en la carga en estrella.

e. Mediante el multmetro mida los voltajes rms de lnea (Vab, Vbc y Vca) y de fase
(Van, Vbn y Vcn) y comprelos con los calculados.

f. Realice el anlisis de resultados y presntelo en el reporte.

g. Obtenga sus conclusiones e inclyalos en el reporte.

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Bibliografa

Holmes, D. G., & Lipo, T. A. (2003). Pulse width modulation for power converters:
principles and practice (Vol. 18). John Wiley & Sons.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

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Bibliografa

Hart Daniel, W. (1997). Introduction to Power Electronics.

Rashid, M. H. (2009). Power electronics: circuits, devices, and applications. Pearson


Education India.

Holmes, D. G., & Lipo, T. A. (2003). Pulse width modulation for power converters:
principles and practice (Vol. 18). John Wiley & Sons.

Timothy, J. M. (2006). Electrnica industrial. Dispositivos y sistemas. Prentice Hall.

Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (2013). Electrnica de potencia:


convertidores, aplicaciones y diseo . McGraw-Hill Interamericana.

Savant, C. J., Roden, M., & Carpenter, G. (1992). Diseo electrnico. Adisson Wesley 2.
Edicin Mxico.

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